JP4214741B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及び電子機器の技術分野に属し、特に、データ線を通じて画像信号を供給することで画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
従来、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向にそれぞれ平行に設けられた走査線及びデータ線等を備えることによって、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
ここで、アクティブマトリクス駆動とは、前記走査線に対して走査信号を供給することで前記ＴＦＴのオン・オフを制御するとともに、前記データ線に対して画像信号を供給することで、前記走査信号によってＯＮとされたＴＦＴに対応する画素電極に対し、当該画像信号に対応した電界の印加を行う駆動方法である。この画像信号の供給方法には、種々のものが提案されており、例えば、データ線の１本１本に逐次画像信号を供給する方法や、画像信号をシリアル−パラレル変換して隣接するデータ線の何本かに対して、グループ毎同時に画像信号を供給する方法もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来におけるデータ線を通じた画像信号の供給については、次のような問題点があった。すなわち、上で例示した画像信号の供給方法のうち、グループ毎に同時に画像信号の供給を行う方法を例として説明すると、この場合、画像信号の供給を現に受けているグループ（以下、「供給グループ」という。）と、それに隣接するグループ（以下、「非供給グループ」という。）との間において、当該位置に延在するデータ線にほぼ沿った形で、画像上に表示ムラが現れるという不具合があったのである。
【０００５】
これは、前記供給グループと前記非供給グループとのちょうど端境に存在する画素電極において、画像信号に正確に対応した電界が結果的に印加されないことによる。より詳しくは、この場合、当該画素電極の一方の端には、画像信号が供給されるデータ線が存在し、他方の端には画像信号が供給されないデータ線が存在するということになるから、当該画素電極に対して、画像信号に対応した正確な電界を印加したとしても、当該画素電極と前記画像信号が供給されないデータ線との間における容量カップリングの影響で、その電位に変動が生じるのである。ちなみに、供給グループ内にあって、前記端境に位置しない画素電極における電位については、そのような不都合は生じないことになる。
【０００６】
このような問題に対処するため、画素電極とデータ線との間に位置する層間絶縁膜の厚さを大きくするという試みが考えられる。これによれば、画素電極及びデータ線間で生じる寄生容量を小さくすることが可能となるからである。しかしながら、層間絶縁膜の厚さを大きくすると、例えば、画素電極及びＴＦＴ間を接続するコンタクトホールの形成が困難となる。また、厚さを大きくして容量カップリングの影響をなくすためには、そもそも当該厚さを一般に非常に大きくしなければならない。これでは、電気光学装置一般について、小型化・高精細化が望まれている現状に対して逆行することとなる。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、画素電極及びデータ線間等に生じる容量カップリングの影響を排除して、表示ムラ等のない高品位な画像の表示が可能となる電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線、並びに、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタが積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、前記基板上には更に、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、前記データ線及び前記画素電極間に配置され固定電位とされたシールド層と、が前記積層構造の一部をなして備えられてなり、前記シールド層に電気的に接続され、かつ、前記シールド層とは別の層に形成されており、前記蓄積容量を構成する一対の電極の一方を含む導電層と、前記蓄積容量を構成する一対の電極の他方を構成し、前記導電層に対向するように形成された他の導電層と、をさらに有し、前記導電層は、前記データ線と同一層として形成されていることを特徴とする。
また本発明の参考例に係る電気光学装置は、基板上に、第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線、並びに、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタが積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、前記基板上には更に、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、前記データ線及び前記画素電極間に配置され固定電位とされたシールド層とが、前記積層構造の一部をなして備えられてなり、前記シールド層又はこれに接続若しくは延設された導電層の少なくとも一部は、前記蓄積容量を構成する一対の電極の一方を含む。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、まず、走査線及びデータ線並びに画素電極及び薄膜トランジスタが備えられていることにより、アクティブマトリクス駆動可能である。また、当該電気光学装置では、前記の各種構成要素が積層構造の一部をなしていることにより、装置全体の小型化等を達成することができ、また、各種構成要素の適当な配置を実現することにより、画素開口率の向上を図ることもできる。
【００１０】
そして、本態様では特に、上述の各種構成要素のほか、積層構造を構成するものとして、蓄積容量及びシールド層が備えられている。
【００１１】
第一に、蓄積容量が備えられていることにより、画素電極における電位保持特性を向上させることができる。これにより、高コントラストの画像を表示することが可能となる。第二に、シールド層が、データ線及び画素電極間に備えられているとともに固定電位とされていることにより、両者間で容量カップリングが生じることを未然に防止することが可能となる。すなわち、データ線の通電によって、画素電極における電位変動等が生じる可能性を低減することが可能となり、より高品質な画像を表示することが可能となる。なお、このシールド層を固定電位とするためには、例えば、前記画素電極、走査線及びデータ線等が備えられた画像表示領域外に、該シールド層を延設し、又は、該シールド層に電気的に接続若しくは延設された導電材を延設するとともに、当該延設部分に対して固定電位電源を接続するなどという態様を採ればよい。
【００１２】
また、本発明では特に、シールド層又はこれに接続若しくは延設された導電層の少なくとも一部が、蓄積容量を構成する一対の電極の一方（以下、簡単のため「一方電極」ということがある。）を含む。これによれば、シールド層又は導電層の一部が蓄積容量の一部を構成する（逆も然りである。）というように、両構成要素の各一部分が相互に利用し合う関係にあるから、シールド層はシールド層、蓄積容量は蓄積容量というように別々に形成する場合に比べて、構造の簡易化・簡略化を実現することができる。また、同じ理由により、本発明においては、積層構造中におけるシールド層及び蓄積容量の配置を、よりコンパクトに、あるいはより好適に実現することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記蓄積容量を構成する一対の電極の他方は、前記データ線と同一層として形成された独立的導電層に含まれる。
【００１４】
この態様によれば、蓄積容量を構成する一対の電極の他方（以下、簡単のため「他方電極」ということがある。）が、独立的導電層の少なくとも一部として、データ線と同一層、より好ましくは同一膜として（すなわち、製造工程段階において他方電極とデータ線とが同時に）形成されているから、積層構造の多層化防止、製造工程の簡略化、製造コストの低廉化等を図ることができる。
【００１５】
そして、本態様では特に、蓄積容量は、シールド層と、前記のデータ線と同一層として形成されている独立的導電層とが、その一対の電極に該当することにより構成されることになる。すなわち、データ線とシールド層との電気的絶縁を図る層間絶縁膜と、蓄積容量を構成する誘電体膜とは同じになる。また、これと同時に、シールド層は、前述のようにデータ線及び画素電極間の寄生容量の影響排除という役割を担うとともに、蓄積容量の一方電極の役割を担うことになる。このように、該層間絶縁膜、あるいは該シールド層は、本態様において両義的な存在になるから、これによっても、積層構造の簡易化、あるいは製造工程の簡略化等の作用効果が導かれる。
【００１６】
なお、本態様にいう「独立的導電層」、とりわけ「独立的」というのは、該独立的導電層がデータ線と同一層として形成されるため、該データ線との間において同一平面内で電気的絶縁が図られている必要があることを意味し、より具体的には、該独立的導電層と該データ線とは、例えば、パターニング上、相互に分断されていなければならないという意味合いを含ませる目的で使用されている。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上には、前記シールド層及び前記独立的導電層を一対の電極とする蓄積容量のほか、他の蓄積容量が、前記積層構造の一部として更に備えられている。
【００１８】
この態様によれば、前述のシールド層及び独立的導電層を一対の電極とする蓄積容量のほか、他の蓄積容量が、積層構造の一部として備えられていることにより、当該電気光学装置全体としての蓄積容量の容量値の増大化を図ることができる。
【００１９】
この点特に、シールド層及び独立的導電層を一対の電極として蓄積容量を構成する場合においては、上述のように、該独立的導電層と同一層としてデータ線が形成されていることにより、該蓄積容量の誘電体膜（ないし層間絶縁膜）の薄膜化によりその容量値の増大を図るにあたっては、少なくとも前記データ線の「高さ」を考慮した上で行う必要があり、それには相応の限界があることに鑑みると、本構成に係る「他の蓄積容量」の存在は、画素電極の電位保持特性を良好に維持することにとって大きな貢献をなし得る。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記導電層は、前記シールド層とは別の層に形成されており、該導電層が、前記蓄積容量を構成する一対の電極の一方を含み、前記蓄積容量を構成する一対の電極の他方は、前記導電層に対向するように形成された他の導電層に含まれる。
【００２１】
この態様によれば、導電層が一方電極を含むから、積層構造の多層化防止、製造工程の簡略化、製造コストの低廉化等を図りうる。なお、この場合、基本的には、シールド層は一方電極を含まないことになるから、該シールド層は、画素電極及びデータ線間の寄生容量の影響を排除することのみを主な任務とすることになる（ただし、導電層が一方電極を含み、シールド層もまた一方電極を含むような構成も考えられ得る。）。
【００２２】
そして、本態様では特に、蓄積容量は、導電層と、該導電層に対向するように形成された他の導電層とが、その一対の電極に該当することにより構成されることになる。ここで「導電層」は、前述のように、固定電位とされたシールド層に接続又は延設されていることにより、やはり固定電位とされていることになる。すなわち、該導電層が含む一方電極とは、いわゆる固定電位側容量電極に該当し、他方電極とは、いわゆる画素電位側容量電極（すなわち、蓄積容量の一対の電極のうち、画素電極及び薄膜トランジスタに接続されることになる電極）に該当することになる。
【００２３】
このように、導電層、他の導電層を一対の電極とする場合においては、上述のようにシールド層及び独立的導電層を一対の電極とする場合に比較して、当該蓄積容量の誘電体膜をより薄くすることが可能となる。というのも、後者の構成では、独立的導電層がデータ線と同一層として形成されているため、該データ線の厚さを考慮した上で、当該蓄積容量の誘電体膜の厚さを決めなければならないところ、本態様に係る導電層及び他の導電層からなる蓄積容量においては、そのようなデータ線等は存在しないから、可能な限り、その誘電体膜を薄くすることが可能となるからである。
【００２４】
ただし、本態様においては、その分だけ積層構造が多層化されることになるのはいうまでもない。この点に関していえば、上述の独立的導電層を含む蓄積容量では、層間絶縁膜が共用されていたため（すなわち、シールド層及びデータ線間の絶縁を図るための絶縁膜と、蓄積容量を構成する誘電体膜とは同じであったため）、多層化を防止するという観点からすれば、当該蓄積容量の方が優位であるとも言える。
【００２５】
要するに、本態様に係る他の導電層を含む蓄積容量と、前述の独立的導電層を含む蓄積容量とを比較した場合に、どちらが優位であるとは一概には決し得ない。本発明においては、上述のような事情等を勘案した上でどちらの構成を採用するようにしてもよい。
【００２６】
この導電層及び他の導電層により蓄積容量を構成する態様では、前記導電層は、前記データ線と同一層として形成されているように構成するとよい。
【００２７】
このような構成によれば、積層構造の更なる簡略化等が図られる。すなわち、蓄積容量を全く別個の構成要素として形成する場合においては、例えば、下から順に、蓄積容量（下部電極、誘電体膜及び上部電極）、層間絶縁膜、データ線、層間絶縁膜及びシールド層などという積層構造が典型的に考えられることから比べると、本態様においては、蓄積容量（このうちの上部電極は導電層に含まれ、該導電層と同一層にデータ線が存在する。）、層間絶縁膜及びシールド層という簡易な構造を実現することができる。
【００２８】
なお、本構成に係る記載から逆に明らかとなるように、本発明において、データ線と導電層とは必ずしも同一層に形成されている必要はない。
【００２９】
また、この導電層及び他の導電層により蓄積容量を構成する態様では、前記蓄積容量を構成する一対の電極の他方と前記画素電極とを電気的に接続するための中継層が前記積層構造の一部として更に備えられているようにするとよい。
【００３０】
このような構成によれば、前記積層構造の一部をそれぞれ構成する、画素電極と蓄積容量の他方電極とは、同じく積層構造の一部を構成する中継層によって電気的に接続されることになる。具体的には、画素電極及び中継層間、並びに、中継層及び他方電極間にコンタクトホールを形成する等の手段によればよい。これにより、例えば、本態様に係る中継層を二層構造とするとともに、その上層は画素電極の材料として通常使用される透明導電性材料の一例たるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）と相性のよい材料で構成し、その下層は蓄積容量を構成する一対の電極の一方と相性のよい材料で構成する等の柔軟な構成を採ることが可能となり、画素電極に対する電圧の印加、あるいは該画素電極おける電位の保持をより好適に実現することができる。
【００３１】
この中継層が備えられる態様では、前記シールド層は、前記中継層と同一膜として形成されているようにするとよい。
【００３２】
このような構成によれば、中継層と前記シールド層とが同一膜として形成されていることにより、両構成を同時に形成することが可能となり、その分の製造工程の簡略化、あるいは製造コストの低廉化等を図ることができる。
【００３３】
なお、本態様の記載から逆に明らかとなるように、本発明においては、シールド層と中継層とを同一膜として形成する必要は必ずしもない。すなわち、両者を別々の層として形成してよい。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド層は、アルミニウムからなる膜を含む。
【００３５】
この態様によれば、シールド層がアルミニウムからなる膜を含むから、その低抵抗化を実現することができる。これにより、例えば、シールド層が高抵抗である場合に懸念される、クロストークや焼き付き等を発生させるおそれがなくなり、より高品質の画像を表示することが可能となる。
【００３６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド層は、アルミニウムからなる膜及び高融点金属を含む膜の積層体を構成する。
【００３７】
この態様によれば、シールド層が、アルミニウムからなる膜を含むから、その低抵抗化を実現することができる。また、本態様ではそれに加えて、該シールド層が、高融点金属を含む膜、例えば水分をせき止める作用に比較的優れた窒化物からなる膜を含むから、薄膜トランジスタの半導体層に対する水分浸入防止作用が発揮される。この点、もし半導体層、あるいはゲート絶縁膜等に水分が浸入すると、半導体層及びゲート絶縁膜間の界面に正電荷が発生し、スレッショルド電圧を次第に高めていくという悪影響がでる。本態様では、上述のように、半導体層に対する水分浸入を効果的に防止することが可能であるから、該薄膜トランジスタのスレッショルド電圧が上昇するという不具合の発生を極力防止することが可能となり、もってその長期的且つ安定的な運用を期することができる。
【００３８】
さらに、シールド層がアルミニウムからなる膜及び高融点金属を含む膜を含む場合においては、前者において比較的高い光反射性能を享受しえ、後者において比較的高い光吸収性能を享受することが可能となる。すなわち、本態様によれば、薄膜トランジスタの半導体層に対する光入射を、相応に防止することが可能となるのである。この点、もし半導体層、とりわけそのチャネル領域に光が入射されると、光リーク電流が発生し、画像上にフリッカ等が現れるなどの悪影響が出る。本態様では、上述のように、半導体層に対する光入射を効果的に防止することが可能であるから、該薄膜トランジスタの正確な動作を実現することができ、もってより高品質な画像を表示することができる。
【００３９】
さらに加えて、本態様に係るシールド層が、前述のように中継層と同一膜として形成されている場合（換言すれば、本態様と前述の当該態様とを併せもつ構成）では特に、該シールド層が高融点金属を含む膜を含むことにより、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、中継層は、通常、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる画素電極と電気的に接続されることになるが、このＩＴＯ等の電気的接続の直接の相手方が、例えばアルミニウム等である場合には、いわゆる電食が生じてしまうことがある。ここに電食とは、ＩＴＯと該アルミニウム等が直接に接触することにより、後者において断線（侵食）を生じさせたり、該アルミニウム内にアルミナ等が形成されることにより、絶縁を生じさせたりする現象である。このような電食が生じると、中継層及び画素電極間の電気的な導通は困難な状況になり、該画素電極に画像信号に対応した正確な電圧を印加することが困難になる。
【００４０】
しかるに、上述のような構成では、中継層が、高融点金属を含む膜を含むシールド層と同一膜として形成されていることから、該中継層と画素電極とが直接的に接触する部分については、例えば、高融点金属を含む膜の一例たる窒化物からなる膜をあてることが可能となる。この場合、両者間に、上述のような電食を殆ど生じさせることがないから、中継層及び画素電極間の電気的な導通を、好適に維持することが可能となるのである。
【００４１】
以上により、この構成では特に、上述のような各種作用効果の他、中継層及び画素電極間、ひいては薄膜トランジスタ及び画素電極間の電気的接続を良好に維持することが可能となることにより、より高品質な画像を表示することができる。
【００４２】
更にいえば、この構成では、高融点金属を含む膜の一例たる窒化物からなる膜等は、シールド層及び中継層双方の形成領域に対応するように形成されていることになるから、前述したような薄膜トランジスタの半導体層に対する水分浸入作用を、基板の面についてより広範に得ることが可能となる。したがって、薄膜トランジスタの長期運用という作用効果を、より効果的に享受することが可能となる。
【００４３】
なお、本態様にいう「高融点金属を含む膜」として好適なものとしては、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）や、窒化シリコン（ＳｉＮ）あるいは酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等からなる膜を挙げることができる。
【００４４】
また、本態様にいう「積層体」とは、例えば、アルミニウム膜、窒化物膜という単純な二層構造を含むのは勿論、窒化物膜、アルミニウム膜及び窒化物膜という三層構造、あるいはその他種々の構成を含む概念であることは言うまでもない。
【００４５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線は、アルミニウムからなる膜を含む。
【００４６】
この態様によれば、データ線が、アルミニウムからなる膜を含むから、その低抵抗化を実現することができる。
【００４７】
この態様では、前記データ線は、導電性ポリシリコン膜及び高融点金属を含む膜の少なくとも一方を更に含み、前記アルミニウムからなる膜とともに積層体を構成するようにするとよい。
【００４８】
このような構成によれば、まず、データ線が導電性ポリシリコン膜を含めば、該導電性ポリシリコン膜を積層体中の適当な位置に配置することで、当該データ線と薄膜トランジスタの半導体層との電気的接続を好適に実現することができる。
【００４９】
また、該データ線が高融点金属を含む膜、例えば窒化物からなる膜を含めば、薄膜トランジスタの半導体層に対する水分浸入防止作用が発揮される。この点、もし半導体層、あるいはゲート絶縁膜等に水分が浸入すると、半導体層及びゲート絶縁膜間の界面に正電荷が発生し、スレッショルド電圧を次第に高めていくという悪影響がでる。本態様では、上述のように、半導体層に対する水分浸入を効果的に防止することが可能であるから、該薄膜トランジスタのスレッショルド電圧が上昇するという不具合の発生を極力防止することが可能となる。
【００５０】
なお、本態様にいう「高融点金属を含む膜」として好適なものとしては、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）や、窒化シリコン（ＳｉＮ）あるいは酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等からなる膜を挙げることができる。
【００５１】
また、本態様にいう「積層体」とは、例えば、アルミニウム膜、窒化物膜という単純な二層構造を含むのは勿論、窒化物膜、アルミニウム膜及び窒化物膜という三層構造、あるいはその他種々の構成を含む概念であることは言うまでもない。
【００５２】
このように、データ線、あるいはシールド層が高融点金属を含む膜を含む態様では特に、前記高融点金属を含む膜は、前記走査線及び及び前記データ線並びに前記画素電極及び前記薄膜トランジスタの形成領域として規定される画像表示領域の周囲の周辺領域上にもまた形成されているようにするとよい。
【００５３】
このような構成によれば、画像表示領域の周囲の周辺領域上にもまた、高融点金属を含む膜、例えば窒化チタン膜が形成されている。この場合、当該周辺領域には、前記走査線を駆動するための走査線駆動回路、前記データ線を駆動するためのデータ線駆動回路等が設けられることが通常考えられ、加えて例えば、これら走査線駆動回路及びデータ線駆動回路が、前記基板上に作りこまれて内蔵回路を構成し、かつ、これらが例えばＣＭＯＳ型の薄膜トランジスタを含む場合を考えると、当該薄膜トランジスタに対して、水分の浸入を生じさせない作用効果を期待することができる。すなわち、本構成によれば、画像表示領域を規定する薄膜トランジスタに加えて、周辺領域に形成される薄膜トランジスタについてもまた、正確動作、長期運用等を行うことができ、電気光学装置全体としての長期運用等を実現することができる。
【００５４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記走査線及び前記データ線並びに前記画素電極及び前記薄膜トランジスタの形成領域として規定される画像表示領域の周囲の周辺領域に、前記走査線及び前記データ線それぞれを駆動するための走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を更に備えてなり、前記走査線駆動回路及び前記データ線駆動回路は第２の薄膜トランジスタを含み、前記第２の薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つは、前記シールド層と同一膜として形成されている。
【００５５】
この態様によれば、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を構成する第２の薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つと、シールド層との形成を同一膜として、すなわち両者を同時に形成することが可能となるから、その分の製造工程の簡略化、製造コストの低廉化等を図ることができる。
【００５６】
また、本態様と、前述のようにシールド層がアルミニウムからなる膜を含む態様とを併せもつ構成では特に、前述のソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つもまた、アルミニウムからなる膜を含むことになるから、その低抵抗化を実現することができる。
【００５７】
さらには、本態様と、前述のように「データ線」が導電性ポリシリコン膜を含む態様とを併せもつ構成では特に、次のような作用効果を得ることも可能となる。すなわち、通常、画像表示領域を規定する前記薄膜トランジスタは、高速スイッチング特性等の特徴をもつＮｃｈ型として形成されることが多い。したがって、この場合、前記導電性ポリシリコン膜はＮ型とされることになる。他方、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を構成する前記第２の薄膜トランジスタは、省電力特性等の特徴を持つＣＭＯＳ型として形成されることが多い。ここにＣＭＯＳ型の薄膜トランジスタとは、よく知られているように、Ｎｃｈ型薄膜トランジスタとＰｃｈ型薄膜トランジスタの双方を併せもつ構成を備えたものである。ここでもし、前記のソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つとデータ線とを同時に形成するような態様を採用すると、第２の薄膜トランジスタのうち、Ｐｃｈ型の薄膜トランジスタと、前述のＮ型の導電性ポリシリコンとが直接的に接触してしまうような場合が考えられることになる。これでは、当該接触箇所において、ＰＮ接合が形成されることにより、両者間の良好な電気的導通を図ることができない。しかるに、本態様によれば、第２の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つは、「シールド層」と同時に形成されることになるから、上述のような不具合が発生しないのである。
【００５８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド層は、前記データ線に沿うように、かつ、該データ線よりも幅広に形成されている。
【００５９】
この態様によれば、データ線に沿うように、かつ、該データ線よりも幅広に形成されることから、該データ線と画素電極とが直接的に対向するような箇所を極力なくすことが可能となり、該シールド層によるシールド効果を、より一層効果的に享受することが可能となる。
【００６０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シールド層は、前記データ線及び前記走査線の形成領域に対応するように、格子状に形成されている。
【００６１】
この態様によれば、シールド層は、データ線及び走査線の形成領域に対応するように、格子状に形成されていることから、該シールド層によるシールド効果を、より一層効果的に享受することが可能となる。
【００６２】
また、シールド層が格子状に形成されている態様と、前述した、該シールド層が蓄積容量の一方電極を含み、且つ、独立的導電層が他方電極を含む態様とを併せもつ構成では特に、該独立的導電層に対向すべき一方電極の面積が増大することになるから、蓄積容量の容量値増大が見込めることになり、画素電極の電位保持特性をより向上させることが可能となる。
【００６３】
さらに、このシールド層が格子状に形成されている態様と、前述した該シールド層が高融点金属を含む膜を含む態様とを併せもつ構成では特に、該高融点金属を含む膜の、基板上に閉める面積が相対的に増大することから、薄膜トランジスタの耐湿性、すなわち該薄膜トランジスタの半導体層に対する水分浸入防止作用をより効果的に享受することが可能となる。
【００６４】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００６５】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるから、シールド層に存在により、データ線及び画素電極間の寄生容量の影響を排除して、表示ムラ等のない高品質な画像を表示することの可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００６６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００６７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下では、本発明の第１の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の第１実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００６８】
（画素部における構成）
まず、本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６９】
図１において、第１実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００７０】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００７１】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７２】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極４００Ｄを含んでいる。
【００７３】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２から図３を参照して説明する。
【００７４】
まず、図２において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００７５】
次に、電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００７６】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図３に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図１７及び図１８参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００７７】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図３に示すように、下から順に、下側遮光膜１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等を含む第２層、蓄積容量７０及びデータ線６ａ等を含む第３層、シールド層４００Ｕ等を含む第４層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第５層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２及び４３には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【００７８】
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる下側遮光膜１１ａが設けられている。この下側遮光膜１１ａは、平面的にみて格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している（図２参照）。また、この下側遮光膜１１ａについては、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００７９】
次に、第２層として、ＴＦＴ３０及び走査線３ａが設けられている。ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００８０】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、第１実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００８１】
以上説明した下側遮光膜１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００８２】
さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０及びデータ線６ａが設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量電極４００Ｄとが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、第１実施形態に係る蓄積容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。なお、この蓄積容量７０、及びこれと同層として形成されているデータ線６ａに関する構成については、後に改めて詳しく触れることとする。
【００８３】
以上説明したＴＦＴ３０ないし走査線３ａの上、かつ、蓄積容量７０ないしデータ線６ａの下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する中継層７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【００８４】
なお、これら二つのコンタクトホールのうち、コンタクトホール８１の形成部分では、後述の誘電体膜７５が形成されないように、換言すれば、該誘電体膜７５に開口部が形成されるようになっている。これは、該コンタクトホール８１においては、中継層７１を介して、高濃度ソース領域１ｂ及びデータ線６ａ間の電気的導通を図る必要があるためである。ちなみに、このような開口部が誘電体膜７５に設けられていれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する水素化処理を行うような場合において、該処理に用いる水素を、該開口部を通じて半導体層１ａにまで容易に到達させることが可能となるという作用効果を得ることも可能となる。
【００８５】
また、第１実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。
【００８６】
さて、前述の第３層に続けて第４層には、シールド層４００Ｕが形成されている。このシールド層４００Ｕは、平面的にみると、図２に示すように、図中Ｙ方向に延在するように形成されている。より具体的には、シールド層４００Ｕは、データ線６ａに沿うように図中Ｙ方向に沿って延び且つ該データ線６ａよりも幅広に形成された本線部と、該シールド層４００Ｕと前述の蓄積容量７０を構成する固定電位側容量電極である容量電極４００Ｄとを電気的に接続する、後述のコンタクトホール８０１に対応する箇所が突出した突出部とを備えている。また、このシールド層４００Ｕは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、ここに述べた「定電位源」としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも構わない。なお、このシールド層４００Ｕに関する構成については、前述において後に説明を譲った蓄積容量７０等の構成に関する説明とともに、後に改めて詳しく触れることとする。
【００８７】
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、シールド層４００Ｕの下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、前記のシールド層４００Ｕと容量電極４００Ｄとを電気的に接続するためのコンタクトホール８０１、及び、画素電極９ａと中継層７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８５がそれぞれ開孔されている。
【００８８】
なお、第２層間絶縁膜４２に対しては、第１層間絶縁膜４１に関して前述したような焼成を行わないことにより、容量電極４００Ｄの界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００８９】
最後に、第５層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＢＰＳＧからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、画素電極９ａ及び中継層７１間を電気的に接続するためのコンタクトホール８５が開孔されている。すなわち、コンタクトホール８５は、第３層間絶縁膜４３及び第２層間絶縁膜４２を貫くように形成されていることになる。
【００９０】
また、第１実施形態では特に、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【００９１】
（蓄積容量、シールド層及びデータ線に関する構成）
以下では、第１実施形態における蓄積容量７０、シールド層４００Ｕ及びデータ線６ａに関する構成について、図４及び図５を参照しながら、より詳しく説明することとする。ここに図４は図２のＢ−Ｂ´断面図であり、図５は図２のＣ−Ｃ´断面図である。また、図６は、図５に対応する変形形態に係る図２のＣ−Ｃ´断面図である。
【００９２】
まず、第１実施形態においては、蓄積容量７０は、既に述べたように、下部電極たる中継層７１、誘電体膜７５及び上部電極たる容量電極４００Ｄから構成されている。このうち第１実施形態においては特に、上部電極たる容量電極４００Ｄに特徴がある。
【００９３】
まず、該容量電極４００Ｄは、図３から図５に示すように、データ線６ａと同一膜として、すなわち製造工程段階において同時に形成されている。これにより、容量電極４００Ｄ及びデータ線６ａは、同一平面内で電気的に接続されることのないように、パターニング上分断されるようになっている。具体的には、データ線６ａは、図２においてＹ方向に延在するように、且つ、画素電極９ａ間を縫うように、ストライプ状に形成されているとともに、容量電極４００Ｄは、図２中Ｘ方向に延在し、画素電極９ａ間を縫うように、且つ、相隣接するデータ線６ａ間にのみ存在するように、略四辺形状のものが島状に形成されている。なお、この略四辺形状には、コンタクトホール８５に対応するように括れ部が形成されている。
【００９４】
また、これら容量電極４００Ｄ及びデータ線６ａは、図３乃至図５に示すように、下層に導電性ポリシリコン膜Ａ１、上層にアルミニウム膜Ａ２の二層構造を有する膜として形成されている。このうちデータ線６ａについては、前述した誘電体膜７５の開口部を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の半導体層１ａと電気的に接続されることとなるが、該データ線６ａが上述のような二層構造をとり、また後述の中継層７１が導電性のポリシリコン膜からなることにより、該データ線６ａ及び半導体層１ａ間の電気的接続は、直接には、導電性のポリシリコン膜によって実現されることになる（すなわち、下から順に、半導体層１ａ、中継層７１のポリシリコン膜、データ線６ａの下層のポリシリコン膜Ａ１及びその上層のアルミニウム膜Ａ２ということになる。）。したがって、両者間の電気的接続を良好に保つことが可能となる。
【００９５】
また、容量電極４００Ｄ及びデータ線６ａは、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、且つ、光吸収性能に比較的優れたポリシリコンを含むことから、遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図３参照）の進行を、その上側で遮ることが可能である。
【００９６】
このような容量電極４００Ｄは、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極４００Ｄを固定電位とするためには、上述のように、画像表示領域１０ａ外の定電位源に接続されることで固定電位とされたシールド層４００Ｕと、コンタクトホール８０１を介して電気的に接続されることによってなされている。
【００９７】
ここでシールド層４００Ｕは、既に述べたように、平面的に見ると、図２中Ｙ方向に延在する本線部と、前記コンタクトホール８０１に対応する箇所に突出する突出部とを有し、一本一本のデータ線６ａに対応するように、その一本一本が形成されるようになっている。また、このシールド層４００Ｕの幅は、データ線６ａの幅よりも広い。以上の結果、シールド層４００Ｕは、データ線６ａを覆うようにして形成されていることになり、これにより、該データ線６ａと画素電極９ａとが直接的に対向するような部分をなくしている。
【００９８】
また、このシールド層４００Ｕは、アルミニウムからなる。これにより、該シールド層４００Ｕは低抵抗化されているため、該シールド層が高抵抗である場合に懸念される、クロストークや焼き付き等を発生させるおそれがなくなり、より高品質の画像を表示することができる。
【００９９】
以上のほか、第１実施形態に係る蓄積容量７０は、前述の容量電極４００Ｄの下に、誘電体膜７５、中継層７１の二つの要素を備えている。より詳細には、中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。中継層７１は、平面的にみると、図２に示すように、略Ｔ字型の形状を有している（すなわち、図２中、Ｘ方向にＴ字型の縦棒が、Ｙ方向にその横棒が延在するような形状となっている。）。
【０１００】
誘電体膜７５は、図３に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。また、容量増大という観点からは、誘電体膜の誘電率εは大きいほどよい。したがって、高誘電率材料を用いることが好ましいと考えられるが、そのような材料としては例えば、ＴａＯｘ（酸化タンタル）、ＢＳＴ（チタン酸ストロンチウムバリウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸塩）、ＴｉＯ_２（酸化チタン）、ＺｉＯ_２（酸化ジルコニウム）、ＨｆＯ_２（酸化ハフニウム）及びＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）及びＳｉＮ（窒化シリコン）のうち少なくとも一つを含んでなる絶縁材料等を挙げることができる。特に、ＴａＯｘ、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＴｉＯ_２、ＺｉＯ_２及びＨｆＯ_２といった高誘電率材料を使用すれば、限られた基板上領域で容量値を増大できる。あるいは、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）及びＳｉＮといったシリコンを含む材料を使用すれば、層間絶縁膜等におけるストレス発生を低減できる。
【０１０１】
さらに、この誘電体膜７５は、場合により、複数の構造を有するように構成してもよい。例えば、下層に酸化シリコン膜、上層に窒化シリコン膜という二層構造をとると好適である。これにより、比較的誘電率の大きい窒化シリコン膜が存在することにより、蓄積容量７０の容量値を増大させることが可能となる他、それにもかかわらず、酸化シリコン膜が存在することにより、蓄積容量７０の耐圧性を低下せしめることがない。このように、誘電体膜７５を二層構造とすることにより、相反する二つの作用効果を享受することが可能となる。また、窒化シリコン膜が存在することにより、ＴＦＴ３０に対する水の浸入を未然に防止することが可能となっている。これにより、第１実施形態では、ＴＦＴ３０におけるスレッショルド電圧の上昇という事態を招来することがなく、比較的長期の装置運用が可能となる。なお、第１実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。
【０１０２】
以上のように、第１実施形態に係る電気光学装置においては、容量電極４００Ｄは、シールド層４００Ｕとは別の層に形成されており、該容量電極４００Ｄが、蓄積容量７０の一方電極を含み、他方電極は、容量電極４００Ｄに対向するように形成された中継層７１に含まれることになる。すなわち、上述の容量電極４００Ｄ及び中継層７１は、それぞれ、本発明にいう「導電層」及び「他の導電層」に該当することになる。なお、第１実施形態に係る電気光学装置では特に、上述のように、「導電層」たる容量電極４００Ｄはデータ線６ａと同一層として形成されている。
【０１０３】
このような構成となる第１実施形態の電気光学装置においては、次のような作用効果が奏されることになる。すなわち、まず、第１実施形態の電気光学装置では、データ線６ａに沿うようにして固定電位のシールド層４００Ｕが形成されていることにより、該データ線６ａ及び画素電極９ａ間に寄生容量を生じさせることが殆どない。すなわち、データ線６ａの通電によって、画素電極９ａにおける電位変動等が生じる可能性を低減することが可能となり、画像上に該データ線６ａに沿った表示ムラ等を発生させることなどない、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【０１０４】
また、第１実施形態においては、シールド層４００Ｕに接続された導電層たる容量電極４００Ｄが、蓄積容量７０の上部電極を構成していることから、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造の簡易化・簡略化を実現することができる。また、同じ理由により、積層構造中におけるシールド層４００Ｕ及び蓄積容量７０の配置を、よりコンパクトに、あるいはより好適に実現することができる。この点、第１実施形態では特に、容量電極４００Ｄはデータ線６ａと同一層として形成されていることから、積層構造の更なる簡略化等が図られている。すなわち、第１実施形態では、下から順に、蓄積容量７０（中継層７１、誘電体膜７５及び容量電極４００Ｄ）、第２層間絶縁膜４２及びシールド層４００Ｕという簡易な構造を実現することができる。
【０１０５】
なお、上述において、シールド層４００Ｕは、アルミニウムからなるものとされていたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。すなわち、本発明において、シールド層は、データ線６ａ及び画素電極９ａ間のデカップリングを行う機能を最低限もてばよいから、基本的には、固定電位となりえる材料であれば何を選択してもよい。
【０１０６】
また、場合によっては、シールド層は積層体を構成してもよい（後述の第２実施形態、参照）。より具体的には、図３等において、アルミニウム膜及び窒化チタン膜という二層構造をとると好ましい。これによれば、まず、該シールド層はアルミニウムを含むから、上述と同様に低抵抗化を図ることが可能である。また、水分をせき止める作用に比較的優れた窒化チタン膜が存在することにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ等に対して、水分が浸入していくことを未然に防止することが可能となる。これにより、ＴＦＴ３０の寿命を長期化することが可能となり、比較的長い間、安定した装置運用を行うことができる。
【０１０７】
また、このようなシールド層は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、且つ、光吸収性能に比較的優れた窒化チタンを含むことから、遮光層として機能し得る。すなわち、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図２参照）の進行を、その上側でさえぎることが可能となるのである。ちなみに、このようなことについては、既に述べたように、容量電極４００Ｄ及びデータ線６ａについても同様にいえる。このように、第１実施形態においては、これらシールド層４００Ｕ、容量電極４００Ｄ及びデータ線６ａが、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される積層構造の一部をなしつつ、ＴＦＴ３０に対する上側からの光入射を遮る上側遮光膜（あるいは、「積層構造の一部」を構成しているという点に着目すれば「内蔵遮光膜」）として機能しうる。なお、この「上側遮光膜」ないし「内蔵遮光膜」なる概念によれば、上述の構成のほか、走査線３ａ等もまた、それに含まれるものとして考えることができる。要は、最も広義に解すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される不透明な材料からなる構成であれば、「上側遮光膜」ないし「内蔵遮光膜」と呼びうる。
【０１０８】
そして、このような「上側遮光膜」という概念には、比較的光吸収性に優れたポリシリコンを含み得る前述の中継層７１もまた含まれ得る。この点、第１実施形態における中継層７１は、既に述べたように、平面的に見て、略Ｔ字型の形状を有する、より具体的には、図２において、チャネル領域１ａ´の上下両方向に該中継層７１が存在しこれを覆うように形成されていることから、該中継層７１は、上側遮光膜として如何ない機能を発揮することが可能となる。
【０１０９】
なお、これに関連して、本発明においては、上述の図５に示すような構成に代えて、図６に示すような構成を採用してもよい。すなわち、中継層７１において、図２中、半導体層１ａ中の下方向に延びる部分を省略する構成である。この場合、該中継層７１は、平面的に見て、略Ｌ字型の形状を有することとなる。このような場合、上述のような上側遮光膜としての機能は、ある程度、削減されることになるが、該中継層７１は、蓄積容量７０の他方電極としての機能（すなわち、容量電極４００Ｄと対向する部分が存在すればよい。）と、ＴＦＴ３０及び画素電極９ａ間の電気的中継を行う機能（すなわち、コンタクトホール８３の位置に対応する部分が存在すればよい。）とを備えればよいということからすると、前記の省略された部分は必須ではないから、特段の支障が生じるわけではない。
【０１１０】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施形態について、図７及び図８を参照しながら説明する。ここに図７及び図８は、それぞれ、図２及び図３と同趣旨の図であって、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される積層構造の態様が異なるものを示している。なお、この第２実施形態の電気光学装置の画素部における構成等については、前述の第１実施形態の電気光学装置と略同様であるので、以下では、両者間で実質的に同一、あるいは重複する部分については、その説明を省略乃至簡略化することとし、第２実施形態に特徴的な部分についてのみ主に説明を加えることとする。また、以下で参照する図面において、前記の「実質的に同一、あるいは重複する」要素を指示する場合には、上述の図１から図６までに使用した符号と同一の符号を用いることとする。
【０１１１】
第２実施形態では、図７及び図８に示すように、第１実施形態と比較して、第２中継層４０２が設けられている点、及び、蓄積容量７０Ａとデータ線６ａ´の配置態様が大きく異なる。より詳しくは、図７及び図８においてまず、第４層には、本発明にいう「中継層」の一例たる第２中継層４０２がシールド層４００Ｖと同一膜として形成されている。この第２中継層４０２は、蓄積容量７０Ａの下部電極たる中継層７１と、第２層間絶縁膜４２に穿設されたコンタクトホール８５１を介して電気的に接続されているとともに、画素電極９ａと、第３層間絶縁膜４３に穿設されたコンタクトホール８９を介して電気的に接続されている。なお、これら第２中継層４０２及びシールド層４００Ｖ間は、前述の容量電極４００Ｄ及びデータ線６ａと同様に、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。他方、これら第２中継層４０２及びシールド層４００Ｖは、上層に窒化チタン膜、下層にアルミニウム膜という二層構造を備えている。
【０１１２】
以上のような構造により、第２実施形態では、まず、第１実施形態のように比較的深いコンタクトホール８５を形成する必要がなく、比較的浅いコンタクトホール８９及び８５１を形成すればよいことになる。したがって、一般にコンタクトホール形成工程が電気光学装置の生産性に影響を及ぼす（いわば、「律速工程」ともいえる。）ことを鑑みるに、第２実施形態においては、この点において有利であることになる。また、第２中継層４０２が、上述のような二層構造を有することにより、ＩＴＯからなる画素電極９ａと直接的に接触することとなるのは、窒化チタン膜ということになる。したがって、第２実施形態においては、両者間にいわゆる電食を生じさせるおそれを低減することができる。ここに電食とは、ＩＴＯとアルミニウム等が直接に接触することにより、後者において断線（侵食）を生じさせたり、該アルミニウム内にアルミナ等が形成されることにより絶縁を生じさせたりする現象である。第２実施形態では、このような現象の発生を抑制することができるから、ほぼ常に、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０間の電気的導通を良好に維持することが可能となる。なお、このような二層構造をシールド層４００Ｖが採っていることにより、低抵抗化及びＴＦＴ３０の耐湿性向上（水分浸入防止作用）が見込めることは、上記第１実施形態と同様である。
【０１１３】
一方、図８においては、蓄積容量７０Ａ及びデータ線６ａ´が、第３層に同一膜として形成されている点については上記第１実施形態と同様であるが、両構成要素の平面的な形状が異なっている。すなわち、蓄積容量７０Ａを構成する容量電極３００は、図７に示すように、走査線３ａの形成領域に重なるように、且つ図中Ｘ方向に沿って分断されつつ形成されており、データ線６ａ´は、半導体層１ａの長手方向に一致するように、換言すれば図中Ｙ方向に延在するように形成されている。更に詳しくは、容量電極３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、半導体層１ａと交差する個所から該半導体層１ａに沿って突出した突出部と、前述のコンタクトホール８５１に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、蓄積容量７０Ａの形成領域の増大に貢献する。他方、データ線６ａ´は、図中Ｙ方向に沿って延びる本線部と、コンタクトホール８１に対応する箇所が突出した突出部とを備えている。このうちデータ線６ａ´の本線部は、画素電極９ａ間の間隙の中央からみると、図２においてやや左寄りに位置している。
【０１１４】
容量電極３００及びデータ線６ａがこのような平面形状を有することにより、第１実施形態と比べると明らかなように、蓄積容量７０Ａの面積が相対的に増大していることがわかる。また、第２実施形態では、蓄積容量７０Ａの下部電極とデータ線６ａ´とは直接的には重なり合うことなく構成されることになる。すなわち、第１実施形態においては、その平面形状が略Ｔ字型の中継層７１が存在し且つ同一幅のデータ線６ａが図２中Ｙ方向に延在していたため、該中継層７１の直上にデータ線６ａが形成されるような形となっていたが（図３及び図５参照）、第２実施形態では、データ線６ａ´が、容量電極３００の面積増大に対応するように、画素電極９ａの間隙の中央から見て図２においてやや左寄りに、あるいは大きく括れる形で形成されているため、中継層７１、誘電体膜７５及びデータ線という積層構造が形成されないようになっているのである。
【０１１５】
以上のことにより、第２実施形態では、まず、第１実施形態に比べて、蓄積容量７０Ａの容量値が相対的に増大することから、画素電極９ａにおける電位保持特性をよりよく向上させることができる。また、第２実施形態では、中継層７１、誘電体膜７５及びデータ線という積層構造が形成されないようになっていることから、当該部分における無用な寄生容量を形成するおそれがない。仮に、このような寄生容量が形成されると、データ線に対する通電により、中継層７１の電位変動をもたらすおそれがあり、あるいは中継層７１に対する通電により、データ線に対する電位変動をもたらすおそれがある。第２実施形態では、前記の寄生容量が形成されないから、このような影響を可能な限り排除することが可能となり、より高品質な画像を表示することができるのである。
【０１１６】
ただし、第２実施形態においては、このような作用効果を得る代償として、データ線６ａ´の線幅が相対的に小さくなる。したがって、一般的には、データ線６ａ´の相対的な高抵抗化を招くことにはなるが、該データ線６ａ´は、上述のようにアルミニウムを含むことにより、相当程度の狭小化を行っても、十分に低い抵抗値を実現することができる。よって、画像信号の供給に支障が生じるというおそれは小さい。
【０１１７】
ただ、第１及び第２実施形態でデータ線６ａ及び６ａ´が同一材料からなる場合においては、後者の方が相対的に高抵抗化することは否定できない。要するに、第１及び第２実施形態は、それぞれ、固有の作用効果を奏する形態と捉えることが可能であり、いずれを選択するかは、装置の仕様、使用環境、当該電気光学装置が組み込まれることとなる電子機器の種類等によって、適宜決められることになる。
【０１１８】
（第３実施形態）
以下では、本発明の第３の実施形態について、図９及び図１０を参照しながら説明する。ここに図９及び図１０は、それぞれ、図２及び図３と同趣旨の図であって、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される積層構造の態様が異なるものを示している。なお、この第３実施形態の電気光学装置の画素部における構成等については、前述の第１実施形態の電気光学装置と略同様であるので、以下では、両者間で実質的に同一、あるいは重複する部分については、その説明を省略乃至簡略化することとし、第２実施形態に特徴的な部分についてのみ主に説明を加えることとする。また、以下で参照する図面において、前記の「実質的に同一、あるいは重複する」要素を指示する場合には、上述の図１から図６までに使用した符号と同一の符号を用いることとする。
【０１１９】
第３実施形態では、図９及び図１０に示すように、第２実施形態と比較して、蓄積容量を構成する上部電極たる容量電極３００とデータ線６ａ´´とが同一膜として形成されていない点、また、それに伴って、層間絶縁膜が増加されている（新たにもう一層、「第４層間絶縁膜４４」が設けられている）点に大きな相違がある。これにより、第１実施形態における第３層には、蓄積容量７０及びデータ線６ａが形成されていたのに代えて、第３実施形態では、実質的に蓄積容量（符号、７０Ｂ）のみが形成され、新第４層にはデータ線６ａ´´が形成され、新第５層にはシールド層４００Wが形成される形となっている。また、新第４層と新第５層との間には、新たに第４層間絶縁膜４４が設けられ、第１実施形態において第５層として形成されていた画素電極９ａは、第３実施形態において新しく第６層として形成されている。
【０１２０】
第３実施形態では、このようにデータ線６ａ´´及び容量電極３００が別々の層に形成されることにより、両者間の同一平面内における電気的絶縁について配慮する必要はない。これにより、第３実施形態では、例えば、走査線３ａの延在方向に一致するように容量線を形成するとともに、容量電極３００は、該容量線の一部として構成することが可能となる（図９参照）。このような構成によれば、容量電極３００を固定電位とするためには、上述のシールド層４００Ｕに関して述べたと同様に、該容量線を画像表示領域１０ａからその周囲に延設するとともに、これを前記定電位源と接続する形態などとすればよい。ただ、シールド層４００W及び容量電極３００間において、図９及び図１０に示すようにコンタクトホール８０１´及び８０３を形成することにより両者間を電気的に接続するのであれば、シールド層４００W及び容量電極３００を含む容量線のうちいずれか少なくとも一方について、上述のような定電位源との接続を図ればよい。また、このような構成であれば、シールド層４００W及び容量電極３００は冗長構造をとるから、仮に、シールド層４００W又は容量電極３００の一部について通電が不能となる箇所が生じたとしても、その影響が全体的に波及する事態を未然に回避することができる。
【０１２１】
他方、データ線６ａ´´と容量電極３００とが別々の層に形成されていることに伴い、第３実施形態におけるシールド層４００Ｗは、前記の第１及び第２実施形態に比べて相対的により上層に位置することになる（すなわち、データ線６ａ´´及びシールド層４００Ｗ間に第３層間絶縁膜４３が形成される。）。また、該シールド層４００Ｗと容量電極３００とを電気的に接続するために、データ線６ａ´´と同一膜として形成されたシールド層用中継層６ａ１が新たに形成されている。このシールド層用中継層６ａ１は、シールド層４００Ｗとはコンタクトホール８０３を介し、容量電極３００とはコンタクトホール８０１´を介して、それぞれ電気的に接続されている。
【０１２２】
以上のように、第３実施形態に係る電気光学装置においては、蓄積容量７０Ｂを構成する一方電極は容量電極３００、そして容量線に含まれ、他方電極は、第１中継層７１１に含まれることになる。すなわち、上述の容量電極３００あるいは容量線及び第１中継層７１１は、それぞれ、本発明にいう「導電層」及び「他の導電層」に該当することになる。
【０１２３】
なお、この第３実施形態に係る電気光学装置においては、上述の他、本発明にいう「中継層」の一例たる第３中継層４０６が、シールド層４００Ｗと同一膜として設けられている。これら第３中継層４０６及びシールド層４００Ｗは、前記の第２実施形態と同様に、上層に窒化チタン膜、下層にアルミニウム膜という二層構造を有している。これにより、画素電極９ａのＩＴＯとの電食の発生が防止される。そして、この第３中継層４０６は、コンタクトホール８０４を介して第２中継層４０２´と電気的に接続されている。ただし、ここにいう第２中継層４０２´は、前記の第２実施形態におけるそれとは若干意味合いが異なり、該第２中継層４０２´は、データ線６ａ´´と同一膜として形成されており、したがって、上層にアルミニウム膜、下層に導電性ポリシリコン膜という二層構造を有するものとなっている。この第２中継層４０２´は、コンタクトホール８０２を介して、蓄積容量７０Ｂの下部電極たる第１中継層７１１と電気的に接続されている。
【０１２４】
そして、以上のような構造により、第３実施形態では、第１実施形態に比べて、蓄積容量７０Ｂの容量値が相対的に増大することから、画素電極９ａにおける電位保持特性をよりよく向上させることができる。また、第３実施形態では、第２実施形態と同様に、第１中継層、誘電体膜７５及びデータ線という積層構造が形成されないようになっていることから、当該部分における無用な寄生容量を形成するおそれがない。ただし、第３実施形態でこのような作用効果が得られるのは、第２実施形態のようにデータ線６ａ´及び容量電極３００の平面的形状に工夫を加えることによってではなく、両者を別々の層に形成することによってである。
【０１２５】
なお、上述の第３実施形態においては、「導電層」たる容量電極３００が、データ線６ａ´´と同一膜として形成されていないが、本発明は、このような形態も当然にその範囲内に収めるものである。むろん、このような第３実施形態、すなわちシールド層４００Ｗとデータ線６ａ´´を別々の層として形成する態様を基礎として、「導電層」たる容量電極を、データ線６ａ´´と同一膜として形成することも可能である。そのような構造を有する電気光学装置は、例えば図１１及び図１２に示すようなものとなる。ここに図１１及び図１２は、図９及び図１０と同趣旨の図であって、その変形形態に係る平面図及び断面図である。
【０１２６】
この図１１及び図１２において、第４層には、容量電極３０２とデータ線６ａ´´とが同一層に形成されている。これに伴い、図１０において第３層として形成されていた容量電極３００は省略されており、また、図１２における第４層には、下部電極７１１Ａが形成されている。この下部電極７１１Ａは、第３層に依然位置する第１中継層７１１とコンタクトホール８０１´´を介して電気的に接続されている。そして、容量電極３０２と下部電極７１１Ａとの間には、誘電体膜７５１が形成されており、これらにより蓄積容量７０Ｂ´が構成されるようになっている。
【０１２７】
なお、図１２においては、第１中継層７１１と画素電極９ａとが、コンタクトホール８９１を介して、直接的に接続されるようになっている。これにより、図１１の平面図に示すように、図９と比べてコンタクトホールの数が減少していることに伴い、前記の容量電極３０２及び下部電極７１１Ａの面積を比較的広大に（とりわけ、図中右方向に広く）とることができる。すなわち、第１中継層７１１と画素電極９ａとを直接的に接続することによって、蓄積容量７０Ｂ´の容量値の増大が図られるようになっている。また、図１１及び図１２における第１中継層７１１は、図９及び図１０におけるそれと同様に、平面的に見ると略Ｔ字型を有しており、チャネル領域１ａ´を中心として半導体層１ａを覆うように形成されている。これにより、既に述べたように、半導体層１ａ及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を発揮する他、該半導体層１ａに対する上側遮光膜として機能しうるようになっている。
【０１２８】
そして、このような変形形態においても、上述と略同様に、第１中継層、誘電体膜及びデータ線という積層構造が形成されないから、該積層構造に起因する寄生容量が発生しないという作用効果を享受することが可能である。それに加えて、この変形形態においては、データ線６ａ´´と容量電極３０２とが同一層として形成されており、上記の図９及び図１０に示す形態と比べると、容量電極３００の形成ないしその工程を省略することが可能となっている。したがって、本変形形態では、その分の製造工程の簡略化、製造コストの低廉化等の達成という特有の効果を得ることができる。
【０１２９】
（第４実施形態）
以下では、本発明の第４の実施形態について、図１３乃至図１６を参照しながら説明する。ここに図１３及び図１４は、それぞれ、図２及び図３と同趣旨の図であって、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される積層構造の態様が異なるものを示している。同様に、図１５及び図１６は、図４及び図５と同趣旨の図である。なお、この第４実施形態の電気光学装置の画素部における構成等については、前述の第１実施形態の電気光学装置と略同様であるので、以下では、両者間で実質的に同一、あるいは重複する部分については、その説明を省略乃至簡略化することとし、第２実施形態に特徴的な部分についてのみ主に説明を加えることとする。また、以下で参照する図面において、前記の「実質的に同一、あるいは重複する」要素を指示する場合には、上述の図１から図６までに使用した符号と同一の符号を用いることとする。
【０１３０】
第４実施形態では、図１４によく示すように、第１実施形態と比較して、蓄積容量の構成が大きく異なる。より詳しくは、図１３乃至図１６において、蓄積容量７０Ｃは、その一対の電極として、シールド層４００Ｘと、その下層且つデータ線６ａ´と同一膜として形成された中継電極７１２とが該当し、誘電体膜として第２層間絶縁膜４２´が該当することにより、形成されるようになっている。すなわち、図１４と図３とを比較した場合において、具体的には、コンタクトホール８０１の形成が省略されている点、前記の第１及び第２実施形態において蓄積容量７０及び７０Ａの上部電極を構成していた容量電極４００Ｄ及び容量電極３００の形成が省略されている点、更には、第２層間絶縁膜４２´が相対的に薄く形成されている点が異なっている。
【０１３１】
蓄積容量７０Ｃが、このように形成されていることに対応して、前記データ線６ａ及び中継電極７１２は、平面的に見ると、図１３に示すような形状を呈す。すなわち、蓄積容量７０Ｃを構成する中継電極７１２は、一個の画素電極９ａの一辺に沿うように、かつ、走査線３ａの形成領域に重なるように形成された本体部と、該本体部から延在しコンタクトホール８３に対応する領域に突出したコンタクト部とを有している。他方、データ線６ａ´は、上記の第２実施形態と略同様に、画素電極９ａ間の間隙の中央から見ると、図１３においてやや左寄りに位置しながら延在する本線部と、コンタクトホール８１に対応する箇所が突出した突出部とを備えている。
【０１３２】
また、第４実施形態においては、シールド層４００Ｘの平面的形状も若干の変更を受けており、図１３に示すように、前記の第１及び第２の実施形態においては、相隣接するシールド層４００Ｘから対向するように突出していた突出部が、相互に接続されるような形が呈されている。要するに、第４実施形態におけるシールド層４００Ｘは、各コンタクトホール８５の形成位置に対応する括れ部をそれぞれ有しつつも、全体的に、格子状にパターニングされていることになる。このような形状は、蓄積容量７０Ｃの形成領域の増大に貢献することになる。なお、場合によっては、前記の第１及び第２の実施形態と同様に、シールド層４００Ｘをストライプ状に形成するようにしてよいことは勿論である。
【０１３３】
以上のように、第４実施形態に係る電気光学装置においては、蓄積容量７０Ｃを構成する一方電極はシールド層４００Ｘに含まれ、他方電極は、データ線６ａ´と同一層として形成された中継電極７１２に含まれることになる。すなわち、上述の中継電極７１２は、本発明にいう「独立的導電層」に該当することになる。
【０１３４】
以上のような構造により、第４実施形態では、誘電体膜７５、容量電極４００Ｄ、あるいは容量電極３００を形成する手間が省かれる分、製造工程の簡略化、あるいは製造コストの低廉化を図ることができる。そして、これらの要素を形成しなくて済む分、積層構造の多層化を防止することができる。
【０１３５】
また、第４実施形態では、データ線６ａとシールド層４００Ｘとの電気的絶縁を図る絶縁膜と、蓄積容量７０Ｃを構成する誘電体膜とは、同じ第２層間絶縁膜４２´がその役割を担うことになる。また、これと同時に、シールド層４００Ｘは、前述のようにデータ線６ａ及び画素電極９ａ間の寄生容量の影響排除という役割を担うとともに、蓄積容量７０Ｃの一方電極の役割を担うことになる。このように、第２層間絶縁膜４２´及びシールド層４００Ｘは、第４実施形態において両義的な存在になるから、これによっても、積層構造の簡易化、あるいは製造工程の簡略化等の作用効果が導かれる。
【０１３６】
なお、このようなことから、第４実施形態に係る第２層間絶縁膜４２´については、上記の第１実施形態で述べたように、高誘電率化を図るべく、例えばＴａＯｘ、ＢＳＴ、ＰＺＴ等を使用して形成するようにしてもよいし、また、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の二層構造を有するように形成してもよい。
【０１３７】
また、前述においては、シールド層４００Ｘは格子状に形成されていたが、このような形態は、上記の第１及び第２実施形態においても同様に採用することが可能である。ただし、これら第１及び第２実施形態においては、シールド層４００Ｘが、蓄積容量７０及び７０Ａの一方電極を構成していないので、その容量値増大という効果が得られるわけではない。ただ、該シールド層４００Ｘが、上述の第２実施形態のように、窒化チタン膜を含むように形成されているのならば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する水分浸入防止作用を、基板上のより広い面積で享受することが可能となるから、該ＴＦＴ３０、ひいては電気光学装置の長期運用が可能となるという利点は得られる。
【０１３８】
さらに、第４実施形態においては、上述のように蓄積容量７０Ｃを構成するとしても、それに加えて、該蓄積容量７０Ｃの積層構造中下方に、他の蓄積容量を構成するようにしてもよい。これによれば、電気光学装置全体としての蓄積容量の容量値の増大化を図ることができる。
【０１３９】
この点特に、シールド層４００Ｘ及び中継電極７１２を一対の電極として蓄積容量７０Ｃが構成される場合においては、上述のように、該中継電極７１２と同一層としてデータ線６ａ´が形成されていることにより、該蓄積容量７０Ｃの誘電体膜たる第２層間絶縁膜４２´の薄膜化によりその容量値の増大を図るにあたっては、少なくとも前記データ線６ａ´の「高さ」を考慮して上で行う必要があり、それには相応の限界があることを鑑みるに、本構成に係る「他の蓄積容量」の存在は、画素電極９ａの電位保持特性を良好に維持することにとって大きな貢献をなし得る。
【０１４０】
なお、これを実現するためには、例えば、次のような構成を採ることが可能である。すなわち、中継電極７１に適当な箇所に括れ部、或いは開口部を設けるとともに、該括れ部、或いは開口部を通過するように第１層間絶縁膜４１に新たなコンタクトホールを穿設することで、シールド層４００Ｘと電気的に接続された導電層を、絶縁層２の上に設ける。一方、半導体層１ａを適当に延設することで延設部分を設ける。そして、前記導電層、絶縁層２及び延設部分によって、前記「他の蓄積容量」を構成するというものである。
【０１４１】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図１７及び図１８を参照して説明する。なお、図１７は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図１８は図１７のＨ−Ｈ´断面図である。
【０１４２】
図１７及び図１８において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【０１４４】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【０１４５】
なお、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【０１４６】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【０１４７】
図１８において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１４８】
ここで、本実施形態においては特に、上記第１乃至第４実施形態として説明した電気光学装置のシールド層（４００U、４００V、４００Ｗ又は４００X）に関連して、次のような特徴がある。すなわち、前述したデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４内には、例えばサンプリング回路やレベルシフタ回路等を構成するものとして、図１９に示すようなＣＭＯＳ型のＴＦＴ３５が比較的多数形成されている。ここに図１９は、前述の第１実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａ内に形成されるＴＦＴ３０及びシールド層４００Ｕ等の構成とともに、周辺領域における前記ＴＦＴ３５の構成を併せて示す断面図である。
【０１４９】
そして、本実施形態では、このＴＦＴ３５の半導体層３５１ａに電気的に接続されるべき各種電極３５Ａ、３５Ｂ及び３５Ｃ（むろんソース電極及びドレイン電極を含む。）の少なくとも一つが、前記のシールド層４００Ｕと同一膜として形成されているのである（図１９参照）。なお、図１９においては、第１実施形態におけるシールド層４００Ｕと、前記電極３５Ａ、３５Ｂ及び３５Ｃのうち最前者（３５Ａ）及び最後者（３５Ｃ）の電極とが同時に形成される場合が例示されている。これにより、製造工程の簡略化、あるいは製造コストの低廉化等を図ることができる。また、上述の各種実施形態においてはいずれにしても、シールド層がアルミニウムを含んでいたから、これと同時に形成される前記電極３５Ａ、３５Ｂ及び３５Ｃの少なくとも一つもまた、アルミニウムを含むこととなり、その低抵抗化を実現することができる。
【０１５０】
なお、前記のＴＦＴ３５の半導体層３５１ａ、絶縁膜３５２、ゲート電極３５３ａ等に関しては、上述の画像表示領域１０ａ内におけるＴＦＴ３０の半導体層１ａ、絶縁膜２、走査線３ａ等と同時に形成されるようにしておけばよい。
【０１５１】
他方、本実施形態においては、前記の第２実施形態以降のように、シールド層４００Ｖ、４００Ｗ又は４００Ｘが窒化チタン膜を含む場合、該シールド層を形成する一段階たる窒化チタン膜形成工程において、図２０に示すように、前述のデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４等が形成される周辺領域をも覆うように、これと同時に、窒化チタン膜４０１を形成するような態様とすると好ましい。このようにすれば、窒化チタンが有する、既に述べたような水分浸入防止作用を、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４等を構成する前記のＴＦＴ３５についても、同様に享受することが可能となる。すなわち、該ＴＦＴ３５ないしその半導体層３５１ａの耐湿性が向上するから、該ＴＦＴ３５のスレッショルド電圧が上昇するという事態を可及的に回避することができ、もって該ＴＦＴ３５、ひいては当該電気光学装置の長期運用等が可能となるのである。
【０１５２】
なお、上記第１実施形態におけるシールド層４００Ｕは、アルミニウムの単層構造を有していたが、既に述べたように、該シールド層４００Ｕにおいても、第２実施形態以降で示したような二層構造を採用するようにしてよい。したがって、前記図２０に示すような構造は、第１実施形態に係る電気光学装置でも全く同様に採りえる。
【０１５３】
また、上記各種実施形態において、データ線は、アルミニウム膜及び導電性ポリシリコン膜の二層構造を有していたが、本発明においては、該データ線が、前記のような窒化チタン膜を含む構成をとってもよい。すなわち、例えば、図３等において、下から順に、アルミニウム膜及び窒化チタン膜を含む二層構造としたり、導電性ポリシリコン膜、アルミニウム膜及び窒化チタン膜の三層構造としたりすることが可能である。この場合においては、該データ線を構成すべき当該窒化チタン膜の形成工程において、図２０に示すような構造を同時に形成するようにすることが可能である。要は、図２０に示すような構造の形成は、画像表示領域１０ａ内における窒化物を含む膜を含む構成を形成する段階と同時に、これを行うようにすればよいのである。
【０１５４】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１５５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図２１は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１５６】
図２１において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１５７】
また、電気光学装置として、電気泳動装置や、ＥＬ装置等にも適用できる。
【０１５８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】 本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】 図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】 図２のＢ−Ｂ´断面図である。
【図５】 図２のＣ−Ｃ´断面図である。
【図６】 図５に対応する変形形態に関する図２のＣ−Ｃ´断面図である。
【図７】 図２と同趣旨の図であって、本発明の第２実施形態（蓄積容量とデータ線の平面的形状の変更）の電気光学装置における平面図である。
【図８】 図７のＡ−Ａ´断面図である。
【図９】 図２と同趣旨の図であって、本発明の第３実施形態（蓄積容量とデータ線とを別々の層に形成）の電気光学装置における平面図である。
【図１０】 図９のＡ−Ａ´断面図である。
【図１１】 図２と同趣旨の図であって、本発明の第３実施形態の変形形態（一方電極とデータ線とを同一膜として形成）の電気光学装置における平面図である。
【図１２】 図１１のＡ−Ａ´断面図である。
【図１３】 図２と同趣旨の図であって、本発明の第４実施形態（一方電極がシールド層に含まれる）の電気光学装置における平面図である。
【図１４】 図１３のＡ−Ａ´断面図である。
【図１５】 図１３のＢ−Ｂ´断面図である。
【図１６】 図１３のＣ−Ｃ´断面図である。
【図１７】 本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図１８】 図１７のＨ−Ｈ´断面図である。
【図１９】 図１７の周辺領域におけるデータ線駆動回路及び走査線駆動回路を構成するＣＭＯＳ型ＴＦＴの構造を示す断面図である。
【図２０】 図１７の周辺領域上に窒化チタン膜を形成した様子を示す平面図である。
【図２１】 本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１ａ、３５１ａ…半導体層
１ａ´…チャネル領域
２、３５２…絶縁膜
３ａ…走査線
６ａ、６ａ´、６ａ´´…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１０ａ…画像表示領域
１１ａ…下側遮光膜
１２…下地絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
３０、３５…ＴＦＴ
４１、４２、４３、４４…第１〜第４層間絶縁膜
５０…液晶層
７０、７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｂ´、７０Ｃ…蓄積容量
８１、８２、８３、８０１、８０１´、８０１´´、８５、８５１、８９、８０２、８０３、８０４、８９１…コンタクトホール
４００Ｕ、４００Ｖ、４００Ｗ、４００Ｘ…シールド層
６ａ１…シールド層用中継層
４００Ｄ、３００…容量電極（本発明にいう「導電層」の一例に該当する。）
７５、７５１…誘電体膜
４２´…誘電体膜を兼ねる第２層間絶縁膜
７１…中継層
７１１…第１中継層
７１１Ａ…下部電極
７１２…中継電極（本発明にいう「独立的導電層」の一例に該当する。）
４０２…第２中継層（第２実施形態におけるもの）
４０２´…第２中継層（第３実施形態におけるもの）
４０６…第３中継層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to the technical field of electro-optical devices and electronic devices, and in particular, an electro-optical device capable of displaying an image by supplying an image signal through a data line, and an electronic device including such an electro-optical device. Belongs to the technical field.
[0002]
[Background]
Conventionally, pixel electrodes arranged in a matrix, thin film transistors (hereinafter referred to as “TFTs” as appropriate) connected to each of the electrodes, connected to each of the TFTs, and parallel to the row and column directions, respectively. 2. Description of the Related Art An electro-optical device that can perform so-called active matrix driving by including a scanning line, a data line, and the like that are provided in the above is known.
[0003]
Here, the active matrix driving means that the TFT is turned on / off by supplying a scanning signal to the scanning line, and the scanning signal is supplied by supplying an image signal to the data line. This is a driving method in which an electric field corresponding to the image signal is applied to the pixel electrode corresponding to the TFT that is turned ON by. Various image signal supply methods have been proposed. For example, a method of sequentially supplying an image signal to each of the data lines or an adjacent data line obtained by serial-parallel conversion of the image signal. There is also a method of supplying an image signal to several of them at the same time for each group.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional image signal supply through the data line has the following problems. That is, of the image signal supply methods exemplified above, a method of simultaneously supplying image signals for each group will be described as an example. In this case, a group that is currently receiving image signals (hereinafter referred to as “supply group”). )) And a group adjacent to it (hereinafter referred to as a “non-supply group”), a display irregularity appears on the image substantially along the data line extending to the position. There was.
[0005]
This is because an electric field that exactly corresponds to the image signal is not applied as a result at the pixel electrode that exists just at the border between the supply group and the non-supply group. More specifically, in this case, there is a data line to which an image signal is supplied at one end of the pixel electrode, and a data line to which no image signal is supplied at the other end. Even if an accurate electric field corresponding to an image signal is applied to the pixel electrode, the potential varies due to the influence of capacitive coupling between the pixel electrode and the data line to which the image signal is not supplied. It is. Incidentally, such inconvenience does not occur with respect to the potential at the pixel electrode that is in the supply group and not located at the border.
[0006]
In order to cope with such a problem, an attempt to increase the thickness of the interlayer insulating film located between the pixel electrode and the data line can be considered. This is because the parasitic capacitance generated between the pixel electrode and the data line can be reduced. However, when the thickness of the interlayer insulating film is increased, for example, it becomes difficult to form a contact hole connecting the pixel electrode and the TFT. Also, in order to increase the thickness and eliminate the influence of capacitive coupling, the thickness must generally be very large in the first place. As a result, the electro-optical device in general goes against the current situation where miniaturization and high definition are desired.
[0007]
The present invention has been made in view of the above problems, and eliminates the influence of capacitive coupling that occurs between the pixel electrode and the data line, thereby enabling display of a high-quality image without display unevenness. It is an object to provide an electro-optical device and an electronic apparatus.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
Of the present invention According to one embodiment In order to solve the above problems, the electro-optical device has a data line extending in a first direction on the substrate, a scanning line extending in a second direction intersecting the data line, and the data line and the scanning. An electro-optical device comprising a pixel electrode and a thin film transistor arranged so as to correspond to a line crossing region as a part of a laminated structure, wherein the thin film transistor and the pixel electrode are further electrically connected to the substrate. Storage capacitors connected to each other, and a shield layer disposed between the data line and the pixel electrode and having a fixed potential. , Is formed as a part of the laminated structure, A conductive layer electrically connected to the shield layer and formed in a layer different from the shield layer, including one of a pair of electrodes constituting the storage capacitor; and a pair constituting the storage capacitor And another conductive layer formed to face the conductive layer, and the conductive layer is formed as the same layer as the data line. It is characterized by that.
An electro-optical device according to a reference example of the invention is On the substrate, the data lines extending in the first direction, the scanning lines extending in the second direction intersecting the data lines, and the intersecting regions of the data lines and the scanning lines are arranged. An electro-optical device comprising a pixel electrode and a thin film transistor as a part of a laminated structure, wherein the storage capacitor electrically connected to the thin film transistor and the pixel electrode is further provided on the substrate, and the data line And a shield layer disposed between the pixel electrodes and having a fixed potential is provided as a part of the laminated structure, and at least a part of the shield layer or a conductive layer connected to or extending thereto. Includes one of a pair of electrodes constituting the storage capacitor.
[0009]
According to the electro-optical device of the present invention, first, active matrix driving is possible by including scanning lines, data lines, pixel electrodes, and thin film transistors. In addition, in the electro-optical device, the various components described above form a part of the laminated structure, so that the overall size of the device can be reduced, and proper arrangement of the various components can be realized. As a result, the pixel aperture ratio can be improved.
[0010]
In this embodiment, in particular, in addition to the various components described above, a storage capacitor and a shield layer are provided as components constituting the laminated structure.
[0011]
First, since the storage capacitor is provided, the potential holding characteristic of the pixel electrode can be improved. As a result, a high-contrast image can be displayed. Second, since the shield layer is provided between the data line and the pixel electrode and has a fixed potential, it is possible to prevent the capacitive coupling from occurring between them. That is, it is possible to reduce the possibility of potential fluctuations or the like in the pixel electrode due to the energization of the data line, and it is possible to display a higher quality image. In order to set this shield layer to a fixed potential, for example, the shield layer is extended outside the image display area provided with the pixel electrodes, scanning lines, data lines, etc. A mode in which an electrically connected or extended conductive material is extended and a fixed potential power source is connected to the extended portion may be adopted.
[0012]
In the present invention, in particular, at least a part of the shield layer or the conductive layer connected or extended to the shield layer may be one of a pair of electrodes constituting the storage capacitor (hereinafter referred to as “one electrode” for simplicity). .)including. According to this, each part of the two components is in a relationship of mutual use such that a part of the shield layer or the conductive layer constitutes a part of the storage capacitor (and vice versa). Therefore, the structure can be simplified and simplified as compared with the case where the shield layer is formed as a shield layer and the storage capacitor is formed as a storage capacitor. For the same reason, in the present invention, the arrangement of the shield layer and the storage capacitor in the laminated structure can be realized more compactly or more preferably.
[0013]
In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the other of the pair of electrodes constituting the storage capacitor is included in an independent conductive layer formed as the same layer as the data line.
[0014]
According to this aspect, the other of the pair of electrodes constituting the storage capacitor (hereinafter sometimes referred to as “the other electrode” for simplicity) is the same layer as the data line as at least a part of the independent conductive layer, More preferably, since the same film is formed (that is, the other electrode and the data line are simultaneously formed in the manufacturing process step), the multilayer structure can be prevented from being multilayered, the manufacturing process can be simplified, the manufacturing cost can be reduced, and the like. Can do.
[0015]
In this embodiment, in particular, the storage capacitor is configured by the shield layer and the independent conductive layer formed as the same layer as the data line corresponding to the pair of electrodes. That is, the interlayer insulating film for electrically insulating the data line and the shield layer is the same as the dielectric film constituting the storage capacitor. At the same time, the shield layer plays the role of eliminating the influence of the parasitic capacitance between the data line and the pixel electrode as described above, and also plays the role of one electrode of the storage capacitor. Thus, the interlayer insulating film or the shield layer is ambiguously present in this embodiment, and this also leads to operational effects such as simplification of the laminated structure or simplification of the manufacturing process.
[0016]
Note that the “independent conductive layer” in this embodiment, particularly “independent”, means that the independent conductive layer is formed as the same layer as the data line, and therefore, in the same plane between the data line. It means that electrical insulation needs to be achieved. More specifically, it means that the independent conductive layer and the data line must be separated from each other, for example, in patterning. Used for inclusion.
[0017]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, on the substrate, in addition to the storage capacitor having the shield layer and the independent conductive layer as a pair of electrodes, another storage capacitor is a part of the stacked structure. It is further provided as.
[0018]
According to this aspect, in addition to the storage capacitor having the shield layer and the independent conductive layer as a pair of electrodes, another storage capacitor is provided as a part of the laminated structure, so that the entire electro-optical device is provided. As a result, it is possible to increase the capacity value of the storage capacitor.
[0019]
In particular, in the case where the storage capacitor is configured by using the shield layer and the independent conductive layer as a pair of electrodes, the data line is formed as the same layer as the independent conductive layer as described above. In order to increase the capacitance value by reducing the thickness of the dielectric film (or interlayer insulating film) of the storage capacitor, it is necessary to consider at least the “height” of the data line, and there is a corresponding limit. In view of this, the existence of “another storage capacitor” according to the present configuration can make a significant contribution to maintaining the potential holding characteristics of the pixel electrode satisfactorily.
[0020]
In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the conductive layer is formed in a layer different from the shield layer, and the conductive layer includes one of a pair of electrodes constituting the storage capacitor, The other of the pair of electrodes constituting the storage capacitor is included in another conductive layer formed to face the conductive layer.
[0021]
According to this aspect, since the conductive layer includes one electrode, the multilayer structure can be prevented from being multilayered, the manufacturing process can be simplified, the manufacturing cost can be reduced, and the like. In this case, basically, since the shield layer does not include one electrode, the shield layer is mainly responsible for eliminating the influence of the parasitic capacitance between the pixel electrode and the data line. (However, a configuration in which the conductive layer includes one electrode and the shield layer also includes one electrode is also conceivable.)
[0022]
In this embodiment, in particular, the storage capacitor is configured by a conductive layer and another conductive layer formed so as to face the conductive layer correspond to the pair of electrodes. Here, as described above, the “conductive layer” is connected or extended to the shield layer having a fixed potential, so that the “conductive layer” is also set to the fixed potential. That is, the one electrode included in the conductive layer corresponds to a so-called fixed potential side capacitor electrode, and the other electrode refers to a so-called pixel potential side capacitor electrode (that is, the pixel electrode and the thin film transistor among the pair of electrodes of the storage capacitor). This corresponds to the electrode to be connected).
[0023]
Thus, in the case where the conductive layer and the other conductive layer are a pair of electrodes, the dielectric of the storage capacitor is compared to the case where the shield layer and the independent conductive layer are a pair of electrodes as described above. The film can be made thinner. This is because, in the latter configuration, since the independent conductive layer is formed as the same layer as the data line, the thickness of the dielectric film of the storage capacitor is determined in consideration of the thickness of the data line. In the storage capacitor composed of the conductive layer and other conductive layers according to this aspect, there is no such data line, so that the dielectric film can be made as thin as possible. Because.
[0024]
However, in this embodiment, it goes without saying that the multilayer structure is multilayered accordingly. In this regard, since the above-described storage capacitor including the independent conductive layer shares the interlayer insulating film (that is, the storage capacitor is configured with the insulating film for insulation between the shield layer and the data line). Since this is the same as the dielectric film), it can be said that the storage capacitor is more advantageous from the viewpoint of preventing multilayering.
[0025]
In short, when a storage capacitor including another conductive layer according to this aspect is compared with a storage capacitor including the above-described independent conductive layer, it cannot be determined which is superior. In the present invention, either configuration may be adopted in consideration of the above-described circumstances.
[0026]
In an aspect in which the storage capacitor is constituted by this conductive layer and another conductive layer, the conductive layer may be formed as the same layer as the data line.
[0027]
According to such a configuration, the laminated structure can be further simplified. That is, when the storage capacitor is formed as a completely separate component, for example, in order from the bottom, the storage capacitor (lower electrode, dielectric film and upper electrode), interlayer insulating film, data line, interlayer insulating film, and shield layer Compared with the typical structure such as a stacked structure, in this embodiment, the storage capacitor (the upper electrode is included in the conductive layer, and the data line exists in the same layer as the conductive layer), A simple structure of an interlayer insulating film and a shield layer can be realized.
[0028]
As will be apparent from the description of the present configuration, in the present invention, the data line and the conductive layer are not necessarily formed in the same layer.
[0029]
Further, in the aspect in which the storage capacitor is configured by the conductive layer and the other conductive layer, a relay layer for electrically connecting the other of the pair of electrodes configuring the storage capacitor and the pixel electrode has the stacked structure. It may be further provided as a part.
[0030]
According to such a configuration, the pixel electrode and the other electrode of the storage capacitor that respectively constitute a part of the multilayer structure are electrically connected by the relay layer that also constitutes a part of the multilayer structure. Become. Specifically, a contact hole may be formed between the pixel electrode and the relay layer, and between the relay layer and the other electrode. As a result, for example, the relay layer according to this embodiment has a two-layer structure, and the upper layer is made of a material compatible with ITO (Indium Tin Oxide) which is an example of a transparent conductive material usually used as a material for a pixel electrode. It is possible to adopt a flexible configuration such that the lower layer is made of a material compatible with one of the pair of electrodes constituting the storage capacitor, and the voltage applied to the pixel electrode or the potential of the pixel electrode The holding can be realized more suitably.
[0031]
In an aspect in which this relay layer is provided, the shield layer may be formed as the same film as the relay layer.
[0032]
According to such a configuration, since the relay layer and the shield layer are formed as the same film, both configurations can be formed at the same time, which simplifies the manufacturing process or reduces the manufacturing cost. Cost reduction can be achieved.
[0033]
Note that, as will be apparent from the description of this embodiment, in the present invention, it is not always necessary to form the shield layer and the relay layer as the same film. That is, both may be formed as separate layers.
[0034]
In another aspect of the electro-optical device of the invention, the shield layer includes a film made of aluminum.
[0035]
According to this aspect, since the shield layer includes a film made of aluminum, it is possible to achieve a reduction in resistance. Thereby, for example, there is no possibility of causing crosstalk or burn-in, which is a concern when the shield layer has a high resistance, and a higher quality image can be displayed.
[0036]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the shield layer constitutes a laminate of a film made of aluminum and a film containing a refractory metal.
[0037]
According to this aspect, since the shield layer includes the film made of aluminum, the resistance can be reduced. In addition, in this embodiment, in addition to this, the shield layer includes a film containing a refractory metal, for example, a film made of a nitride that is relatively excellent in preventing moisture, so that the moisture intrusion preventing function to the semiconductor layer of the thin film transistor is achieved. Demonstrated. In this respect, if moisture enters the semiconductor layer, the gate insulating film, or the like, positive charges are generated at the interface between the semiconductor layer and the gate insulating film, which adversely affects the threshold voltage. In this aspect, as described above, since it is possible to effectively prevent moisture from entering the semiconductor layer, it is possible to prevent the occurrence of a problem that the threshold voltage of the thin film transistor increases as much as possible. Long-term and stable operation can be expected.
[0038]
Furthermore, when the shield layer includes a film made of aluminum and a film containing a refractory metal, the former can enjoy relatively high light reflection performance, and the latter can enjoy relatively high light absorption performance. Become. That is, according to this aspect, it is possible to appropriately prevent light incidence on the semiconductor layer of the thin film transistor. In this regard, if light is incident on the semiconductor layer, particularly its channel region, a light leakage current is generated, and adverse effects such as flicker appearing on the image appear. In this aspect, as described above, it is possible to effectively prevent light from entering the semiconductor layer, so that an accurate operation of the thin film transistor can be realized, and thus a higher quality image can be displayed. Can do.
[0039]
In addition, particularly when the shield layer according to this aspect is formed as the same film as the relay layer as described above (in other words, the configuration having both this aspect and the above-described aspect), When the layer includes a film containing a refractory metal, the following effects can be obtained. That is, the relay layer is usually electrically connected to a pixel electrode made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). In the case where the other party is aluminum, for example, so-called electrolytic corrosion may occur. Here, electrolytic corrosion causes breakage (erosion) in the latter when ITO and the aluminum are in direct contact, or causes insulation by forming alumina or the like in the aluminum. It is a phenomenon. When such electrolytic corrosion occurs, it becomes difficult to electrically connect the relay layer and the pixel electrode, and it becomes difficult to apply an accurate voltage corresponding to the image signal to the pixel electrode.
[0040]
However, in the configuration as described above, since the relay layer is formed as the same film as the shield layer including the film containing the refractory metal, the portion where the relay layer and the pixel electrode are in direct contact is formed. For example, a film made of nitride, which is an example of a film containing a refractory metal, can be applied. In this case, since the electric corrosion as described above hardly occurs between the two, it is possible to favorably maintain the electrical continuity between the relay layer and the pixel electrode.
[0041]
As described above, in this configuration, in addition to the above-described various effects, the electrical connection between the relay layer and the pixel electrode, and thus between the thin film transistor and the pixel electrode can be maintained well. A quality image can be displayed.
[0042]
Furthermore, in this configuration, a film made of nitride, which is an example of a film containing a refractory metal, is formed so as to correspond to the formation region of both the shield layer and the relay layer. Such a moisture intrusion action on the semiconductor layer of the thin film transistor can be obtained more widely on the surface of the substrate. Therefore, it is possible to enjoy the effect of long-term operation of the thin film transistor more effectively.
[0043]
In addition, as a film suitable for the “film containing a refractory metal” in this embodiment, for example, a film made of titanium nitride (TiN), silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), or the like can be given. it can.
[0044]
In addition, the “laminate” referred to in this embodiment includes, for example, a simple two-layer structure of an aluminum film and a nitride film, or a three-layer structure of a nitride film, an aluminum film, and a nitride film, or others. Needless to say, the concept includes various configurations.
[0045]
In another aspect of the electro-optical device of the invention, the data line includes a film made of aluminum.
[0046]
According to this aspect, since the data line includes the film made of aluminum, the resistance can be reduced.
[0047]
In this aspect, the data line preferably further includes at least one of a conductive polysilicon film and a film containing a refractory metal, and constitutes a laminate with the film made of aluminum.
[0048]
According to such a configuration, first, if the data line includes a conductive polysilicon film, the data line and the semiconductor layer of the thin film transistor are arranged by arranging the conductive polysilicon film at an appropriate position in the stacked body. Can be suitably realized.
[0049]
Further, if the data line includes a film containing a refractory metal, for example, a film made of a nitride, an effect of preventing moisture from entering the semiconductor layer of the thin film transistor is exhibited. In this respect, if moisture enters the semiconductor layer, the gate insulating film, or the like, positive charges are generated at the interface between the semiconductor layer and the gate insulating film, which adversely affects the threshold voltage. In this aspect, as described above, moisture intrusion into the semiconductor layer can be effectively prevented, so that it is possible to prevent the occurrence of a problem that the threshold voltage of the thin film transistor increases as much as possible.
[0050]
In addition, as a film suitable for the “film containing a refractory metal” in this embodiment, for example, a film made of titanium nitride (TiN), silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), or the like can be given. it can.
[0051]
In addition, the “laminate” referred to in this embodiment includes, for example, a simple two-layer structure of an aluminum film and a nitride film, or a three-layer structure of a nitride film, an aluminum film, and a nitride film, or others. Needless to say, the concept includes various configurations.
[0052]
As described above, in the aspect in which the data line or the shield layer includes a film containing a refractory metal, the film containing the refractory metal includes the scanning line, the data line, the pixel electrode, and the thin film transistor formation region. It may be formed on the peripheral area around the image display area defined as
[0053]
According to such a configuration, a film containing a refractory metal, such as a titanium nitride film, is also formed on the peripheral region around the image display region. In this case, it is usually considered that the peripheral area is provided with a scanning line driving circuit for driving the scanning lines, a data line driving circuit for driving the data lines, and the like. Considering the case where the line drive circuit and the data line drive circuit are built on the substrate to form a built-in circuit and these include, for example, a CMOS type thin film transistor, moisture intrusion into the thin film transistor is considered. It is possible to expect an effect that does not occur. That is, according to this configuration, in addition to the thin film transistor that defines the image display area, the thin film transistor formed in the peripheral area can also perform accurate operation, long-term operation, etc. Etc. can be realized.
[0054]
In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the scanning lines and the data lines may be provided in a peripheral area around an image display area defined as a formation area of the scanning lines and the data lines and the pixel electrodes and the thin film transistors. Each of the scanning line driving circuit and the data line driving circuit for driving each of the scanning line driving circuit and the data line driving circuit further includes a second thin film transistor, and the source electrode constituting the second thin film transistor. At least one of the drain electrode and the drain electrode is formed as the same film as the shield layer.
[0055]
According to this aspect, at least one of the source electrode and the drain electrode constituting the second thin film transistor constituting the scanning line driving circuit and the data line driving circuit and the shield layer are formed as the same film, that is, both are formed simultaneously. Therefore, it is possible to simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.
[0056]
In particular, in the configuration in which this aspect and the aspect in which the shield layer includes the film made of aluminum as described above are included, at least one of the above-described source electrode and drain electrode also includes the film made of aluminum. Therefore, the low resistance can be realized.
[0057]
Further, in the configuration in which the present embodiment and the embodiment in which the “data line” includes the conductive polysilicon film as described above can be obtained, the following operational effects can be obtained. That is, normally, the thin film transistor that defines the image display region is often formed as an Nch type having characteristics such as high-speed switching characteristics. Therefore, in this case, the conductive polysilicon film is N-type. On the other hand, the second thin film transistor constituting the scanning line driving circuit and the data line driving circuit is often formed as a CMOS type having characteristics such as power saving characteristics. Here, as well known, a CMOS thin film transistor has a structure having both an Nch thin film transistor and a Pch thin film transistor. In this case, if an embodiment in which at least one of the source electrode and the drain electrode and the data line are formed at the same time is adopted, a Pch type thin film transistor among the second thin film transistors and the above-mentioned N type conductive polymer are used. There may be a case where silicon comes into direct contact. This makes it impossible to achieve good electrical continuity between the two by forming a PN junction at the contact location. However, according to this aspect, since at least one of the source electrode and the drain electrode of the second thin film transistor is formed at the same time as the “shield layer”, the above-described problem does not occur.
[0058]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the shield layer is formed along the data line and wider than the data line.
[0059]
According to this aspect, since it is formed along the data line and wider than the data line, it is possible to minimize the portion where the data line and the pixel electrode directly face each other. Thus, the shield effect by the shield layer can be more effectively enjoyed.
[0060]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the shield layer is formed in a lattice shape so as to correspond to the formation region of the data line and the scanning line.
[0061]
According to this aspect, since the shield layer is formed in a lattice shape so as to correspond to the formation region of the data line and the scan line, the shield effect by the shield layer can be more effectively enjoyed. Is possible.
[0062]
In addition, in the configuration in which the shield layer is formed in a lattice shape and the above-described configuration in which the shield layer includes one electrode of the storage capacitor and the independent conductive layer includes the other electrode, Since the area of the one electrode to be opposed to the independent conductive layer is increased, an increase in the capacitance value of the storage capacitor can be expected, and the potential holding characteristics of the pixel electrode can be further improved.
[0063]
Furthermore, particularly in the configuration in which the shield layer is formed in a lattice shape and the above-described embodiment in which the shield layer includes a film containing a refractory metal, the film containing the refractory metal is formed on the substrate. Since the area to be closed is relatively increased, it is possible to more effectively enjoy the moisture resistance of the thin film transistor, that is, the function of preventing moisture from entering the semiconductor layer of the thin film transistor.
[0064]
In order to solve the above-described problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).
[0065]
According to the electronic apparatus of the present invention, since the electro-optical device of the present invention described above is provided, the presence of the shield layer eliminates the influence of the parasitic capacitance between the data line and the pixel electrode, thereby causing display unevenness and the like. Projection type display device capable of displaying high quality images, LCD TV, mobile phone, electronic notebook, word processor, viewfinder type or monitor direct view type video tape recorder, workstation, video phone, POS terminal, Various electronic devices such as touch panels can be realized.
[0066]
Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.
[0067]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the first embodiment below, the electro-optical device of the present invention is applied to a liquid crystal device.
[0068]
(Configuration in the pixel portion)
First, the configuration of the pixel portion of the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix that constitutes an image display region of the electro-optical device. FIG. 2 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups on the TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. In FIG. 3, the scale of each layer / member is different for each layer / member so that each layer / member can be recognized on the drawing.
[0069]
In FIG. 1, each of a plurality of pixels formed in a matrix that forms an image display area of the electro-optical device according to the first embodiment includes a pixel electrode 9 a and a TFT 30 for switching control of the pixel electrode 9 a. The data line 6 a formed and supplied with an image signal is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2,..., Sn written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. Good.
[0070]
Further, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to the scanning line 3a in a pulse-sequential manner in this order at a predetermined timing. It is configured. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6a is obtained by closing the switch of the TFT 30 as a switching element for a certain period. Write at a predetermined timing.
[0071]
Image signals S 1, S 2,..., Sn written in a liquid crystal as an example of an electro-optical material via the pixel electrode 9 a are held for a certain period with the counter electrode formed on the counter substrate. The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to the image signal is emitted from the electro-optical device as a whole.
[0072]
In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. The storage capacitor 70 is provided side by side along the scanning line 3a, and includes a capacitor electrode 400D including a fixed potential side capacitor electrode and fixed at a constant potential.
[0073]
Hereinafter, an actual configuration of the electro-optical device that realizes the above-described circuit operation using the data line 6a, the scanning line 3a, the TFT 30, and the like will be described with reference to FIGS.
[0074]
First, in FIG. 2, a plurality of pixel electrodes 9a are provided in a matrix on the TFT array substrate 10 (the outline is indicated by a dotted line portion 9a ′), and the pixel electrodes 9a are respectively along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a. A data line 6a and a scanning line 3a are provided. As will be described later, the data line 6a has a laminated structure including an aluminum film, and the scanning line 3a is made of, for example, a conductive polysilicon film. Further, the scanning line 3a is disposed so as to face the channel region 1a 'indicated by the hatched region rising to the right in the drawing in the semiconductor layer 1a, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. That is, each of the intersections between the scanning lines 3a and the data lines 6a is provided with a pixel switching TFT 30 in which the main line portion of the scanning line 3a is disposed opposite to the channel region 1a ′ as a gate electrode.
[0075]
Next, as shown in FIG. 3, which is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2, the electro-optical device is disposed opposite to the TFT array substrate 10 made of, for example, a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate. For example, a counter substrate 20 made of a glass substrate or a quartz substrate.
[0076]
As shown in FIG. 3, the pixel electrode 9a is provided on the TFT array substrate 10 side, and an alignment film 16 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided on the upper side thereof. ing. The pixel electrode 9a is made of a transparent conductive film such as an ITO film. On the other hand, a counter electrode 21 is provided on the entire surface of the counter substrate 20, and an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided below the counter electrode 21. . The counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film, for example, and the alignment films 16 and 22 are made of a transparent organic film such as a polyimide film, for example. Between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 arranged so as to face each other, an electro-optical material such as liquid crystal is sealed in a space surrounded by a sealing material (see FIGS. 17 and 18), which will be described later. Is formed. The liquid crystal layer 50 takes a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 22 in a state where an electric field from the pixel electrode 9a is not applied. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, an electro-optical material in which one kind or several kinds of nematic liquid crystals are mixed. The sealing material is an adhesive made of, for example, a photocurable resin or a thermosetting resin, for bonding the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 around them, and a distance between the two substrates is set to a predetermined value. Spacers such as glass fiber or glass beads are mixed.
[0077]
On the other hand, on the TFT array substrate 10, in addition to the pixel electrode 9a and the alignment film 16, various configurations including these are provided in a laminated structure. As shown in FIG. 3, the stacked structure includes, in order from the bottom, the first layer including the lower light-shielding film 11a, the second layer including the TFT 30 and the scanning line 3a, the storage capacitor 70, the data line 6a, and the like. It consists of three layers, a fourth layer including the shield layer 400U and the like, and a fifth layer (uppermost layer) including the pixel electrode 9a and the alignment film 16 and the like. Further, the base insulating film 12 is provided between the first layer and the second layer, the first interlayer insulating film 41 is provided between the second layer and the third layer, and the second interlayer insulating film 42 is provided between the third layer and the fourth layer. A third interlayer insulating film 43 is provided between the fourth layer and the fifth layer, respectively, to prevent a short circuit between the aforementioned elements. The various insulating films 12, 41, 42 and 43 are also provided with contact holes for electrically connecting the high concentration source region 1d in the semiconductor layer 1a of the TFT 30 and the data line 6a, for example. Yes. Hereinafter, each of these elements will be described in order from the bottom.
[0078]
First, the first layer includes, for example, a single metal containing at least one of refractory metals such as Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). A lower light-shielding film 11a made of an alloy, metal silicide, polysilicide, or a laminate of these is provided. The lower light-shielding film 11a is patterned in a lattice shape in plan view, thereby defining an opening area of each pixel (see FIG. 2). The lower light-shielding film 11a may be connected to a constant potential source extending from the image display region to the periphery thereof in order to prevent potential fluctuations from adversely affecting the TFT 30.
[0079]
Next, the TFT 30 and the scanning line 3a are provided as the second layer. As shown in FIG. 3, the TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and, as described above, the scanning line 3a functioning as a gate electrode, for example, a polysilicon film is used as a constituent element. The channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by the electric field from 3a, the insulating film 2 including the gate insulating film that insulates the scanning line 3a from the semiconductor layer 1a, the low-concentration source region 1b in the semiconductor layer 1a, and the low A concentration drain region 1c, a high concentration source region 1d, and a high concentration drain region 1e are provided.
[0080]
The TFT 30 preferably has an LDD structure as shown in FIG. 3, but may have an offset structure in which impurities are not implanted into the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c, or a part of the scanning line 3a. A self-aligned TFT may be used in which a high concentration source region and a high concentration drain region are formed in a self-aligned manner by implanting impurities at a high concentration using a gate electrode made of In the first embodiment, only one gate electrode of the pixel switching TFT 30 is arranged between the high concentration source region 1d and the high concentration drain region 1e. However, two or more gate electrodes are interposed between them. A gate electrode may be disposed. If the TFT is configured with dual gates or triple gates or more in this way, leakage current at the junction between the channel and the source and drain regions can be prevented, and the off-time current can be reduced. Further, the semiconductor layer 1a constituting the TFT 30 may be a non-single crystal layer or a single crystal layer. A known method such as a bonding method can be used for forming the single crystal layer. By making the semiconductor layer 1a a single crystal layer, it is possible to improve the performance of peripheral circuits in particular.
[0081]
A base insulating film 12 made of, for example, a silicon oxide film is provided on the lower light shielding film 11a described above and below the TFT 30. In addition to the function of interlayer insulating the TFT 30 from the lower light-shielding film 11a, the base insulating film 12 is formed on the entire surface of the TFT array substrate 10 so that the surface of the TFT array substrate 10 is roughened during the surface polishing or remains after cleaning. For example, the pixel switching TFT 30 has a function of preventing characteristic changes.
[0082]
Now, the storage capacitor 70 and the data line 6a are provided in the third layer after the second layer. The storage capacitor 70 includes a relay layer 71 as a pixel potential side capacitor electrode connected to the high concentration drain region 1e of the TFT 30 and the pixel electrode 9a, and a capacitor electrode 400D as a fixed potential side capacitor electrode. It is formed by arrange | positioning through. According to the storage capacitor 70, it is possible to remarkably improve the potential holding characteristic in the pixel electrode 9a. Further, as can be seen from the plan view of FIG. 2, the storage capacitor 70 according to the first embodiment is formed so as not to reach the light transmission region substantially corresponding to the formation region of the pixel electrode 9a ( In other words, the pixel aperture ratio of the entire electro-optical device is kept relatively large (because it is formed so as to fit within the light-shielding region), thereby enabling a brighter image to be displayed. The configuration relating to the storage capacitor 70 and the data line 6a formed in the same layer will be described in detail later.
[0083]
For example, NSG (non-silicate glass), PSG (phosphosilicate glass), BSG (boron silicate glass), BPSG (on the TFT 30 or the scanning line 3a described above and below the storage capacitor 70 or the data line 6a). A silicate glass film such as boron phosphorus silicate glass), a silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like, or a first interlayer insulating film 41 preferably made of NSG is formed. The first interlayer insulating film 41 is provided with a contact hole 81 for electrically connecting the high concentration source region 1d of the TFT 30 and the data line 6a. The first interlayer insulating film 41 is provided with a contact hole 83 that electrically connects the high-concentration drain region 1 e of the TFT 30 and the relay layer 71 constituting the storage capacitor 70.
[0084]
Of these two contact holes, in a portion where the contact hole 81 is formed, a dielectric film 75 described later is not formed, in other words, an opening is formed in the dielectric film 75. Yes. This is because in the contact hole 81, it is necessary to achieve electrical conduction between the high concentration source region 1b and the data line 6a via the relay layer 71. Incidentally, if such an opening is provided in the dielectric film 75, in the case of performing a hydrogenation process on the semiconductor layer 1a of the TFT 30, hydrogen used for the process is transferred to the semiconductor layer 1a through the opening. It is also possible to obtain an operational effect that it can be easily reached.
[0085]
In the first embodiment, the first interlayer insulating film 41 is baked at about 1000 ° C. to activate ions implanted into the polysilicon film constituting the semiconductor layer 1a and the scanning line 3a. You may plan.
[0086]
A shield layer 400U is formed on the fourth layer after the third layer. When viewed in a plan view, the shield layer 400U is formed to extend in the Y direction in the drawing as shown in FIG. More specifically, the shield layer 400U extends along the Y direction in the drawing along the data line 6a and is formed wider than the data line 6a, the shield layer 400U and the above-described accumulation. And a protruding portion protruding at a position corresponding to a contact hole 801 described later, which is electrically connected to a capacitance electrode 400D that is a fixed potential side capacitance electrode constituting the capacitor. The shield layer 400U extends from the image display region 10a in which the pixel electrode 9a is disposed to the periphery thereof, and is electrically connected to a constant potential source to have a fixed potential. The “constant potential source” described here may be a positive power source or a negative power source supplied to the data line driving circuit 101 or a constant potential source supplied to the counter electrode 21 of the counter substrate 20. It doesn't matter. The configuration related to the shield layer 400U will be described in detail later together with the description related to the configuration of the storage capacitor 70 and the like, which have been described later.
[0087]
Above the above-described data line 6a and below the shield layer 400U, a silicate glass film such as NSG, PSG, BSG, or BPSG, a silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like, or preferably NSG is used. A two-layer insulating film 42 is formed. In the second interlayer insulating film 42, a contact hole 801 for electrically connecting the shield layer 400U and the capacitor electrode 400D, and a pixel electrode 9a and the relay layer 71 are electrically connected. Contact holes 85 are respectively opened.
[0088]
Note that the second interlayer insulating film 42 may not be baked as described above with respect to the first interlayer insulating film 41, so that stress generated in the vicinity of the interface of the capacitor electrode 400D may be reduced.
[0089]
Finally, as described above, the pixel electrodes 9a are formed in a matrix on the fifth layer, and the alignment film 16 is formed on the pixel electrodes 9a. A third interlayer insulating film 43 made of a silicate glass film such as NSG, PSG, BSG, or BPSG, a silicon nitride film, a silicon oxide film, or preferably BPSG is formed under the pixel electrode 9a. A contact hole 85 for electrically connecting the pixel electrode 9a and the relay layer 71 is formed in the third interlayer insulating film 43. That is, the contact hole 85 is formed so as to penetrate the third interlayer insulating film 43 and the second interlayer insulating film 42.
[0090]
In the first embodiment, in particular, the surface of the third interlayer insulating film 43 is flattened by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process or the like, and the liquid crystal caused by steps due to various wirings, elements, etc. existing therebelow. Reduce alignment failure of the layer 50. However, instead of or in addition to performing the planarization process on the third interlayer insulating film 43 in this way, the TFT array substrate 10, the base insulating film 12, the first interlayer insulating film 41, and the second interlayer insulating film 42 A flattening process may be performed by digging a groove in at least one of them and embedding a wiring such as the data line 6a or the TFT 30 or the like.
[0091]
(Configuration related to storage capacity, shield layer and data line)
Hereinafter, the configuration related to the storage capacitor 70, the shield layer 400U, and the data line 6a in the first embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 2 according to a modification corresponding to FIG.
[0092]
First, in the first embodiment, the storage capacitor 70 includes the relay layer 71 serving as the lower electrode, the dielectric film 75, and the capacitor electrode 400D serving as the upper electrode, as already described. Among these, the first embodiment is particularly characterized by the capacitive electrode 400D as the upper electrode.
[0093]
First, as shown in FIGS. 3 to 5, the capacitor electrode 400D is formed as the same film as the data line 6a, that is, at the same time in the manufacturing process. Thereby, the capacitive electrode 400D and the data line 6a are divided in patterning so as not to be electrically connected in the same plane. Specifically, the data line 6a is formed in a stripe shape so as to extend in the Y direction in FIG. 2 and sew between the pixel electrodes 9a, and the capacitor electrode 400D is formed in FIG. A substantially quadrangular shape is formed in an island shape so as to extend in the X direction, sew between the pixel electrodes 9a, and exist only between the adjacent data lines 6a. The substantially quadrilateral shape has a constricted portion corresponding to the contact hole 85.
[0094]
Further, as shown in FIGS. 3 to 5, the capacitor electrode 400D and the data line 6a are formed as a film having a two-layer structure of a conductive polysilicon film A1 in the lower layer and an aluminum film A2 in the upper layer. Among these, the data line 6a is electrically connected to the semiconductor layer 1a of the TFT 30 through the contact hole 81 penetrating the opening of the dielectric film 75 described above. In addition, the relay layer 71 described later is made of a conductive polysilicon film, so that the electrical connection between the data line 6a and the semiconductor layer 1a is directly connected to the conductive poly layer. This is realized by a silicon film (that is, in order from the bottom, the semiconductor layer 1a, the polysilicon film of the relay layer 71, the polysilicon film A1 below the data line 6a, and the aluminum film A2 above it). ). Therefore, it is possible to maintain good electrical connection between the two.
[0095]
Further, since the capacitor electrode 400D and the data line 6a contain aluminum that is relatively excellent in light reflection performance and include polysilicon that is relatively excellent in light absorption performance, the capacitance electrode 400D and the data line 6a can function as a light shielding layer. That is, according to these, it is possible to block the progress of incident light (see FIG. 3) on the semiconductor layer 1a of the TFT 30 on the upper side.
[0096]
Such a capacitor electrode 400D functions as a fixed potential side capacitor electrode of the storage capacitor 70. In order to set the capacitance electrode 400D to a fixed potential, as described above, the shield layer 400U that is set to a fixed potential by being connected to a constant potential source outside the image display region 10a and the contact hole 801 are electrically connected. Is made by being connected to.
[0097]
Here, as already described, the shield layer 400U has a main line portion extending in the Y direction in FIG. 2 and a protruding portion protruding at a position corresponding to the contact hole 801 when viewed in a plane. Each of the data lines 6a is formed so as to correspond to each data line 6a. The shield layer 400U is wider than the data line 6a. As a result, the shield layer 400U is formed so as to cover the data line 6a, thereby eliminating a portion where the data line 6a and the pixel electrode 9a directly face each other. .
[0098]
The shield layer 400U is made of aluminum. Thereby, since the resistance of the shield layer 400U is reduced, there is no possibility of causing crosstalk or image sticking, which is a concern when the shield layer has high resistance, and a higher quality image is displayed. be able to.
[0099]
In addition to the above, the storage capacitor 70 according to the first embodiment includes two elements of the dielectric film 75 and the relay layer 71 under the above-described capacitor electrode 400D. More specifically, the relay layer 71 is made of, for example, a conductive polysilicon film and functions as a pixel potential side capacitor electrode. However, the relay layer 71 may be composed of a single layer film or a multilayer film containing a metal or an alloy. In addition to the function as a pixel potential side capacitance electrode, the relay layer 71 has a function of relay connection between the pixel electrode 9a and the high concentration drain region 1e of the TFT 30 through the contact holes 83 and 85. When viewed in plan, the relay layer 71 has a substantially T-shaped shape as shown in FIG. 2 (that is, in FIG. 2, a T-shaped vertical bar extends in the X direction, The shape is such that the horizontal bar extends.)
[0100]
As shown in FIG. 3, the dielectric film 75 is, for example, a relatively thin HTO (High Temperature Oxide) film having a film thickness of about 5 to 200 nm, a silicon oxide film such as an LTO (Low Temperature Oxide) film, or a silicon nitride film. Consists of From the viewpoint of increasing the storage capacitor 70, the thinner the dielectric film 75 is, the better as long as the reliability of the film is sufficiently obtained. Further, from the viewpoint of increasing the capacity, the dielectric constant ε of the dielectric film is preferably as large as possible. Therefore, it is considered preferable to use a high dielectric constant material. Examples of such a material include TaOx (tantalum oxide), BST (barium strontium titanate), PZT (zirconate titanate), and TiO. ₂ (Titanium oxide), ZiO ₂ (Zirconium oxide), HfO ₂ An insulating material containing at least one of (hafnium oxide), SiON (silicon oxynitride), and SiN (silicon nitride) can be given. In particular, TaOx, BST, PZT, TiO ₂ , ZiO ₂ And HfO ₂ By using such a high dielectric constant material, the capacitance value can be increased in a limited area on the substrate. Alternatively, SiO ₂ When a material containing silicon such as (silicon oxide), SiON (silicon oxynitride), or SiN is used, stress generation in an interlayer insulating film or the like can be reduced.
[0101]
Furthermore, the dielectric film 75 may be configured to have a plurality of structures depending on circumstances. For example, it is preferable to adopt a two-layer structure in which the lower layer is a silicon oxide film and the upper layer is a silicon nitride film. Thereby, the presence of the silicon nitride film having a relatively large dielectric constant makes it possible to increase the capacitance value of the storage capacitor 70. Nevertheless, the presence of the silicon oxide film makes it possible to increase the storage capacitor. The pressure resistance of 70 is not reduced. Thus, by making the dielectric film 75 have a two-layer structure, it is possible to enjoy two conflicting effects. Further, the presence of the silicon nitride film makes it possible to prevent water from entering the TFT 30 in advance. As a result, in the first embodiment, a situation in which the threshold voltage of the TFT 30 rises is not caused, and a relatively long-term apparatus operation is possible. In the first embodiment, the dielectric film 75 has a two-layer structure. However, in some cases, for example, a three-layer structure such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon oxide film, Or you may comprise so that it may have a laminated structure more than that.
[0102]
As described above, in the electro-optical device according to the first embodiment, the capacitor electrode 400D is formed in a layer different from the shield layer 400U, and the capacitor electrode 400D includes one electrode of the storage capacitor 70. The other electrode is included in the relay layer 71 formed to face the capacitor electrode 400D. That is, the capacitor electrode 400D and the relay layer 71 described above correspond to the “conductive layer” and the “other conductive layer” in the present invention, respectively. In the electro-optical device according to the first embodiment, as described above, the capacitor electrode 400D as the “conductive layer” is formed as the same layer as the data line 6a.
[0103]
In the electro-optical device according to the first embodiment having such a configuration, the following operational effects are exhibited. That is, first, in the electro-optical device according to the first embodiment, the shield layer 400U having a fixed potential is formed along the data line 6a, so that parasitic capacitance is generated between the data line 6a and the pixel electrode 9a. There is little to do. That is, it is possible to reduce the possibility of potential fluctuation or the like in the pixel electrode 9a due to the energization of the data line 6a, and it is possible to reduce display irregularities along the data line 6a on the image. A quality image can be displayed.
[0104]
In the first embodiment, since the capacitor electrode 400D, which is a conductive layer connected to the shield layer 400U, constitutes the upper electrode of the storage capacitor 70, the laminated structure on the TFT array substrate 10 can be simplified. Simplification can be realized. For the same reason, the arrangement of the shield layer 400U and the storage capacitor 70 in the laminated structure can be realized more compactly or more preferably. In this regard, particularly in the first embodiment, since the capacitor electrode 400D is formed as the same layer as the data line 6a, the stacked structure is further simplified. That is, in the first embodiment, a simple structure of the storage capacitor 70 (the relay layer 71, the dielectric film 75, and the capacitor electrode 400D), the second interlayer insulating film 42, and the shield layer 400U can be realized in order from the bottom. .
[0105]
In the above description, the shield layer 400U is made of aluminum, but the present invention is not limited to such a form. That is, in the present invention, since the shielding layer is required to have a function of performing decoupling between the data line 6a and the pixel electrode 9a at a minimum, basically, any material can be selected as long as it can be a fixed potential. May be.
[0106]
In some cases, the shield layer may constitute a laminate (see the second embodiment described later). More specifically, in FIG. 3 and the like, it is preferable to take a two-layer structure of an aluminum film and a titanium nitride film. According to this, first, since the shield layer contains aluminum, it is possible to reduce the resistance as described above. In addition, the presence of a titanium nitride film that is relatively excellent in the action of blocking moisture makes it possible to prevent moisture from entering the semiconductor layer 1a and the like of the TFT 30 in advance. Thereby, the lifetime of the TFT 30 can be extended, and stable device operation can be performed for a relatively long time.
[0107]
Further, such a shield layer can function as a light-shielding layer because it includes aluminum that is relatively excellent in light reflection performance and includes titanium nitride that is relatively excellent in light absorption performance. That is, it is possible to block the progress of incident light (see FIG. 2) with respect to the semiconductor layer 1a of the TFT 30 on the upper side. Incidentally, as described above, the same can be said for the capacitive electrode 400D and the data line 6a. As described above, in the first embodiment, the shield layer 400U, the capacitor electrode 400D, and the data line 6a form a part of the laminated structure constructed on the TFT array substrate 10, and light is incident on the TFT 30 from above. It can function as an upper light-shielding film (or “built-in light-shielding film” if attention is paid to the fact that it forms “a part of the laminated structure”). In addition, according to the concept of the “upper light shielding film” or “built-in light shielding film”, in addition to the above-described configuration, the scanning line 3a and the like can also be considered to be included therein. In short, in the broadest sense, a configuration made of an opaque material constructed on the TFT array substrate 10 can be called an “upper light shielding film” or “built-in light shielding film”.
[0108]
The concept of the “upper light shielding film” may also include the above-described relay layer 71 that may include polysilicon having relatively high light absorption. In this regard, the relay layer 71 in the first embodiment has a substantially T-shaped shape in plan view as described above. More specifically, in FIG. 2, the upper and lower sides of the channel region 1a ′ Since the relay layer 71 exists in both directions and is formed so as to cover it, the relay layer 71 can perform any function as an upper light shielding film.
[0109]
In this regard, in the present invention, a configuration as shown in FIG. 6 may be adopted instead of the configuration as shown in FIG. That is, in the relay layer 71, a portion extending downward in the semiconductor layer 1a in FIG. 2 is omitted. In this case, the relay layer 71 has a substantially L-shape when viewed in plan. In such a case, the function as the upper light shielding film as described above is reduced to some extent, but the relay layer 71 functions as the other electrode of the storage capacitor 70 (that is, facing the capacitor electrode 400D). And a function of performing electrical relay between the TFT 30 and the pixel electrode 9a (that is, a portion corresponding to the position of the contact hole 83 only needs to be provided). Therefore, since the omitted part is not essential, no particular trouble occurs.
[0110]
(Second Embodiment)
Below, the 2nd Embodiment of this invention is described, referring FIG.7 and FIG.8. Here, FIGS. 7 and 8 are diagrams having the same concept as FIGS. 2 and 3, respectively, and show different aspects of the laminated structure constructed on the TFT array substrate 10. The configuration of the pixel portion of the electro-optical device according to the second embodiment is substantially the same as that of the above-described electro-optical device according to the first embodiment. The description of the part to be performed will be omitted or simplified, and only the characteristic part of the second embodiment will be mainly described. Further, in the drawings referred to below, when the “substantially identical or overlapping” element is indicated, the same reference numerals as those used in FIGS. 1 to 6 are used. .
[0111]
In the second embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, the second relay layer 402 is provided and the arrangement mode of the storage capacitor 70A and the data line 6a ′ as compared with the first embodiment. Are very different. More specifically, in FIGS. 7 and 8, first, the second relay layer 402, which is an example of the “relay layer” in the present invention, is formed on the fourth layer as the same film as the shield layer 400V. The second relay layer 402 is electrically connected to the relay layer 71, which is the lower electrode of the storage capacitor 70A, through a contact hole 851 formed in the second interlayer insulating film 42, and to the pixel electrode 9a. Are electrically connected through a contact hole 89 formed in the third interlayer insulating film 43. Note that the second relay layer 402 and the shield layer 400V are not continuously formed in a planar shape like the capacitor electrode 400D and the data line 6a described above, but the two are separated by patterning. It is formed so that. On the other hand, the second relay layer 402 and the shield layer 400V have a two-layer structure in which an upper layer is a titanium nitride film and a lower layer is an aluminum film.
[0112]
With the above-described structure, in the second embodiment, it is not necessary to form the relatively deep contact hole 85 unlike the first embodiment, and the relatively shallow contact holes 89 and 851 may be formed. Become. Therefore, in view of the fact that the contact hole formation process generally affects the productivity of the electro-optical device (so-called “rate-limiting process”), the second embodiment is advantageous in this respect. . In addition, since the second relay layer 402 has the two-layer structure as described above, it is a titanium nitride film that comes into direct contact with the pixel electrode 9a made of ITO. Therefore, in the second embodiment, the risk of causing so-called electrolytic corrosion between the two can be reduced. Here, electrolytic corrosion is a phenomenon in which ITO and aluminum directly contact each other, thereby causing disconnection (erosion) in the latter, and formation of alumina or the like in the aluminum causes insulation. is there. In the second embodiment, since such a phenomenon can be suppressed, it is possible to maintain good electrical continuity between the pixel electrode 9a and the TFT 30 almost always. Note that, since the shield layer 400V employs such a two-layer structure, it is possible to expect a reduction in resistance and an improvement in moisture resistance of the TFT 30 (moisture intrusion prevention function), as in the first embodiment.
[0113]
On the other hand, in FIG. 8, the storage capacitor 70A and the data line 6a ′ are the same as those in the first embodiment in that they are formed as the same film in the third layer. Is different. That is, as shown in FIG. 7, the capacitor electrode 300 constituting the storage capacitor 70A is formed so as to overlap the formation region of the scanning line 3a and to be divided along the X direction in the drawing, and the data line 6a. 'Is formed so as to coincide with the longitudinal direction of the semiconductor layer 1a, in other words, to extend in the Y direction in the figure. More specifically, the capacitor electrode 300 includes a main line portion extending along the scanning line 3a, a protruding portion protruding along the semiconductor layer 1a from a position intersecting the semiconductor layer 1a in the drawing, and the contact hole 851 described above. Corresponding portions are provided with a slightly narrowed portion. Of these, the protruding portion contributes to an increase in the formation region of the storage capacitor 70A. On the other hand, the data line 6a ′ includes a main line portion extending along the Y direction in the drawing and a protruding portion where a portion corresponding to the contact hole 81 protrudes. Of these, the main line portion of the data line 6a ′ is located slightly to the left in FIG. 2 when viewed from the center of the gap between the pixel electrodes 9a.
[0114]
It can be seen that the capacitance electrode 300 and the data line 6a have such a planar shape, so that the area of the storage capacitor 70A is relatively increased as apparent from the first embodiment. In the second embodiment, the lower electrode of the storage capacitor 70 </ b> A and the data line 6 a ′ are configured without directly overlapping. That is, in the first embodiment, the relay layer 71 having a substantially T-shaped planar surface exists and the data line 6a having the same width extends in the Y direction in FIG. In the second embodiment, the data line 6a ′ is formed so that the data line 6a ′ corresponds to the increase in the area of the capacitor electrode 300. However, in the second embodiment, as shown in FIG. Since it is formed slightly to the left in FIG. 2 as viewed from the center of the gap of the electrode 9a or in a form that can be largely bundled, a laminated structure of the relay layer 71, the dielectric film 75, and the data line is not formed. It is.
[0115]
As described above, in the second embodiment, since the capacitance value of the storage capacitor 70A is relatively increased as compared with the first embodiment, the potential holding characteristic in the pixel electrode 9a can be further improved. it can. Further, in the second embodiment, since the laminated structure of the relay layer 71, the dielectric film 75, and the data line is not formed, there is no possibility of forming unnecessary parasitic capacitance in the portion. If such a parasitic capacitance is formed, there is a possibility that a potential fluctuation of the relay layer 71 is caused by energization of the data line, or a potential fluctuation of the data line is caused by energization of the relay layer 71. In the second embodiment, since the parasitic capacitance is not formed, it is possible to eliminate such influence as much as possible and display a higher quality image.
[0116]
However, in the second embodiment, the line width of the data line 6a ′ is relatively reduced as a price for obtaining such an effect. Therefore, in general, the resistance of the data line 6a 'is relatively increased. However, the data line 6a' is considerably narrowed by containing aluminum as described above. However, a sufficiently low resistance value can be realized. Therefore, there is little risk that the supply of image signals will be hindered.
[0117]
However, when the data lines 6a and 6a ′ are made of the same material in the first and second embodiments, it cannot be denied that the latter has a relatively higher resistance. In short, each of the first and second embodiments can be regarded as a form that exhibits a specific function and effect, and which is selected depends on the specifications of the apparatus, the use environment, and the electro-optical device. It is determined as appropriate depending on the type of electronic equipment to be used.
[0118]
(Third embodiment)
Below, the 3rd Embodiment of this invention is described, referring FIG.9 and FIG.10. FIGS. 9 and 10 are diagrams having the same concept as FIGS. 2 and 3, respectively, and show different aspects of the laminated structure constructed on the TFT array substrate 10. The configuration of the pixel portion of the electro-optical device according to the third embodiment is substantially the same as that of the above-described electro-optical device according to the first embodiment. The description of the part to be performed will be omitted or simplified, and only the characteristic part of the second embodiment will be mainly described. Further, in the drawings referred to below, when the “substantially identical or overlapping” element is indicated, the same reference numerals as those used in FIGS. 1 to 6 are used. .
[0119]
In the third embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, compared to the second embodiment, the capacitor electrode 300 as the upper electrode constituting the storage capacitor and the data line 6a ″ are formed as the same film. In addition, there is a significant difference in that the number of interlayer insulating films is increased (accordingly, a “fourth interlayer insulating film 44” is newly provided). Thereby, in place of the storage capacitor 70 and the data line 6a formed in the third layer in the first embodiment, in the third embodiment, substantially only the storage capacitor (reference numeral 70B) is formed. The data line 6a '' is formed in the new fourth layer, and the shield layer 400W is formed in the new fifth layer. Further, a fourth interlayer insulating film 44 is newly provided between the new fourth layer and the new fifth layer, and the pixel electrode 9a formed as the fifth layer in the first embodiment is the third embodiment. In the form, it is newly formed as a sixth layer.
[0120]
In the third embodiment, since the data line 6a ″ and the capacitor electrode 300 are formed in separate layers as described above, it is not necessary to consider electrical insulation in the same plane between the two. Accordingly, in the third embodiment, for example, the capacitor line is formed so as to coincide with the extending direction of the scanning line 3a, and the capacitor electrode 300 can be configured as a part of the capacitor line ( (See FIG. 9). According to such a configuration, in order to set the capacitor electrode 300 to a fixed potential, the capacitor line is extended from the image display region 10a to the periphery thereof in the same manner as described with respect to the shield layer 400U described above. For example, the constant potential source may be connected. However, if the contact holes 801 'and 803 are formed between the shield layer 400W and the capacitor electrode 300 as shown in FIGS. 9 and 10, the shield layer 400W and the capacitor electrode are formed. Any one of the capacitor lines including 300 may be connected to the constant potential source as described above. In addition, with such a configuration, the shield layer 400W and the capacitor electrode 300 have a redundant structure, so even if a portion where the energization is impossible is generated in part of the shield layer 400W or the capacitor electrode 300, It is possible to avoid a situation in which the influence affects the whole.
[0121]
On the other hand, since the data line 6a ″ and the capacitor electrode 300 are formed in different layers, the shield layer 400W in the third embodiment is relatively more in comparison with the first and second embodiments. The third interlayer insulating film 43 is formed between the data line 6a ″ and the shield layer 400W. In addition, in order to electrically connect the shield layer 400W and the capacitor electrode 300, a shield layer relay layer 6a1 formed as the same film as the data line 6a ″ is newly formed. The shield layer relay layer 6a1 is electrically connected to the shield layer 400W via a contact hole 803 and to the capacitor electrode 300 via a contact hole 801 ′.
[0122]
As described above, in the electro-optical device according to the third embodiment, one electrode constituting the storage capacitor 70B is included in the capacitor electrode 300 and the capacitor line, and the other electrode is included in the first relay layer 711. become. That is, the capacitor electrode 300 or the capacitor line and the first relay layer 711 described above correspond to “conductive layer” and “other conductive layer” in the present invention, respectively.
[0123]
In the electro-optical device according to the third embodiment, in addition to the above, a third relay layer 406, which is an example of the “relay layer” according to the present invention, is provided as the same film as the shield layer 400W. The third relay layer 406 and the shield layer 400W have a two-layer structure in which the upper layer is a titanium nitride film and the lower layer is an aluminum film, as in the second embodiment. Thereby, generation | occurrence | production of the electrolytic corrosion with ITO of the pixel electrode 9a is prevented. The third relay layer 406 is electrically connected to the second relay layer 402 ′ via the contact hole 804. However, the second relay layer 402 ′ here has a slightly different meaning from that in the second embodiment, and the second relay layer 402 ′ is formed as the same film as the data line 6 a ″. Therefore, it has a two-layer structure in which the upper layer is an aluminum film and the lower layer is a conductive polysilicon film. The second relay layer 402 ′ is electrically connected to the first relay layer 711 that is the lower electrode of the storage capacitor 70B through the contact hole 802.
[0124]
In the third embodiment, the capacitance value of the storage capacitor 70B is relatively increased in the third embodiment as compared with the first embodiment, so that the potential holding characteristic in the pixel electrode 9a is further improved. be able to. Further, in the third embodiment, as in the second embodiment, since the stacked structure of the first relay layer, the dielectric film 75, and the data line is not formed, unnecessary parasitic capacitance in the portion is reduced. There is no risk of formation. However, in the third embodiment, such an operational effect is obtained not by adding a device to the planar shape of the data line 6a ′ and the capacitor electrode 300 as in the second embodiment, By forming into layers.
[0125]
In the third embodiment described above, the capacitor electrode 300 as the “conductive layer” is not formed as the same film as the data line 6a ″. However, the present invention naturally includes such a form within the range. It is something that fits in. Of course, on the basis of such a third embodiment, that is, a mode in which the shield layer 400W and the data line 6a ″ are formed as separate layers, the capacitor electrode as the “conductive layer” is formed as the same film as the data line 6a ″. It is also possible to form. An electro-optical device having such a structure is as shown in FIGS. 11 and 12, for example. FIGS. 11 and 12 are diagrams having the same concept as FIGS. 9 and 10, and are a plan view and a cross-sectional view according to the modified embodiment.
[0126]
11 and 12, the capacitor electrode 302 and the data line 6a ″ are formed in the same layer in the fourth layer. Accordingly, the capacitor electrode 300 formed as the third layer in FIG. 10 is omitted, and the lower electrode 711A is formed in the fourth layer in FIG. The lower electrode 711A is electrically connected to the first relay layer 711 still located in the third layer via the contact hole 801 ″. A dielectric film 751 is formed between the capacitor electrode 302 and the lower electrode 711A, and the storage capacitor 70B ′ is configured by these.
[0127]
In FIG. 12, the first relay layer 711 and the pixel electrode 9a are directly connected to each other through the contact hole 891. As a result, as shown in the plan view of FIG. 11, the area of the capacitor electrode 302 and the lower electrode 711 </ b> A is made relatively large (especially, with the decrease in the number of contact holes as compared with FIG. 9). Widely in the right direction in the figure). That is, the capacitance value of the storage capacitor 70B ′ can be increased by directly connecting the first relay layer 711 and the pixel electrode 9a. The first relay layer 711 in FIGS. 11 and 12 has a substantially T-shape when viewed in a plan view, similar to that in FIGS. 9 and 10, and the semiconductor layer 1a centering on the channel region 1a ′. It is formed so as to cover. As a result, as described above, in addition to exhibiting the function of relaying the electrical connection between the semiconductor layer 1a and the pixel electrode 9a, it can function as an upper light shielding film for the semiconductor layer 1a.
[0128]
Even in such a modified embodiment, since the laminated structure of the first relay layer, the dielectric film, and the data line is not formed in substantially the same manner as described above, there is an effect that the parasitic capacitance due to the laminated structure is not generated. It is possible to enjoy. In addition, in this modified embodiment, the data line 6a ″ and the capacitor electrode 302 are formed as the same layer. Compared with the embodiment shown in FIGS. The process can be omitted. Therefore, in this modified embodiment, it is possible to obtain specific effects such as the simplification of the manufacturing process and the reduction of the manufacturing cost.
[0129]
(Fourth embodiment)
Below, the 4th Embodiment of this invention is described, referring FIG. 13 thru | or FIG. FIGS. 13 and 14 are diagrams having the same concept as FIGS. 2 and 3, respectively, and show different aspects of the laminated structure constructed on the TFT array substrate 10. Similarly, FIG.15 and FIG.16 is a figure of the same meaning as FIG.4 and FIG.5. The configuration of the pixel portion of the electro-optical device according to the fourth embodiment is substantially the same as that of the above-described electro-optical device according to the first embodiment. The description of the part to be performed will be omitted or simplified, and only the characteristic part of the second embodiment will be mainly described. Further, in the drawings referred to below, when the “substantially identical or overlapping” element is indicated, the same reference numerals as those used in FIGS. 1 to 6 are used. .
[0130]
In the fourth embodiment, as well shown in FIG. 14, the configuration of the storage capacitor is greatly different from that in the first embodiment. More specifically, in FIG. 13 to FIG. 16, the storage capacitor 70C corresponds to the shield layer 400X as its pair of electrodes and the relay electrode 712 formed as the same film as the lower layer and the data line 6a ′. The second interlayer insulating film 42 'corresponds to the body film and is formed. That is, when FIG. 14 and FIG. 3 are compared, specifically, the formation of the contact hole 801 is omitted, and the upper electrodes of the storage capacitors 70 and 70A in the first and second embodiments are used. The difference is that the formation of the capacitive electrode 400D and the capacitive electrode 300 that have been configured is omitted, and the second interlayer insulating film 42 'is formed relatively thin.
[0131]
Corresponding to the storage capacitor 70C being formed in this way, the data line 6a and the relay electrode 712 have a shape as shown in FIG. That is, the relay electrode 712 constituting the storage capacitor 70C has a main body portion formed so as to be along one side of one pixel electrode 9a and overlapping the formation region of the scanning line 3a, and extends from the main body portion. And a contact portion protruding in a region corresponding to the contact hole 83. On the other hand, the data line 6a 'is substantially the same as in the second embodiment described above, and the main line portion extending while being located slightly to the left in FIG. 13 and the contact hole 81 when viewed from the center of the gap between the pixel electrodes 9a. And a projecting portion projecting at a location corresponding to.
[0132]
In the fourth embodiment, the planar shape of the shield layer 400X is also slightly changed. As shown in FIG. 13, in the first and second embodiments, adjacent shield layers are adjacent to each other. The shape which the protrusion part which protruded so that it may oppose from 400X may be connected mutually is exhibited. In short, the shield layer 400X in the fourth embodiment is patterned in a lattice shape as a whole while having a constricted portion corresponding to the position where each contact hole 85 is formed. Such a shape contributes to an increase in the formation region of the storage capacitor 70C. In some cases, as in the first and second embodiments, the shield layer 400X may be formed in a stripe shape.
[0133]
As described above, in the electro-optical device according to the fourth embodiment, one electrode constituting the storage capacitor 70C is included in the shield layer 400X, and the other electrode is a relay electrode formed as the same layer as the data line 6a ′. 712. That is, the relay electrode 712 described above corresponds to the “independent conductive layer” in the present invention.
[0134]
With the above-described structure, in the fourth embodiment, the manufacturing process can be simplified or the manufacturing cost can be reduced because the time for forming the dielectric film 75, the capacitor electrode 400D, or the capacitor electrode 300 can be saved. Can do. Since the elements need not be formed, the multilayer structure can be prevented from being multi-layered.
[0135]
Further, in the fourth embodiment, the same second interlayer insulating film 42 ′ serves as the insulating film for electrically insulating the data line 6a and the shield layer 400X and the dielectric film forming the storage capacitor 70C. Will bear. At the same time, the shield layer 400X plays the role of eliminating the influence of the parasitic capacitance between the data line 6a and the pixel electrode 9a as described above, and also plays the role of one electrode of the storage capacitor 70C. As described above, since the second interlayer insulating film 42 ′ and the shield layer 400X are ambiguously present in the fourth embodiment, this also provides operational effects such as simplification of the laminated structure or simplification of the manufacturing process. Is guided.
[0136]
For this reason, as described in the first embodiment, the second interlayer insulating film 42 ′ according to the fourth embodiment has, for example, TaOx, BST, PZT in order to increase the dielectric constant. Etc., or may have a two-layer structure of a silicon oxide film and a silicon nitride film.
[0137]
In the above description, the shield layer 400X is formed in a lattice shape, but such a configuration can be similarly adopted in the first and second embodiments. However, in the first and second embodiments, since the shield layer 400X does not constitute one electrode of the storage capacitors 70 and 70A, the effect of increasing the capacitance value is not obtained. However, if the shield layer 400X is formed so as to include a titanium nitride film as in the second embodiment, the effect of preventing moisture from entering the semiconductor layer 1a of the TFT 30 is wider than that on the substrate. Since it can be enjoyed in the area, the advantage that the TFT 30 and thus the electro-optical device can be operated for a long time can be obtained.
[0138]
Furthermore, in the fourth embodiment, the storage capacitor 70C may be configured as described above, and in addition to this, another storage capacitor may be configured below the stacked structure of the storage capacitor 70C. According to this, it is possible to increase the capacitance value of the storage capacitor as the entire electro-optical device.
[0139]
In particular, in the case where the storage capacitor 70C is configured with the shield layer 400X and the relay electrode 712 as a pair of electrodes, the data line 6a ′ is formed as the same layer as the relay electrode 712 as described above. Thus, when the second interlayer insulating film 42 ′, which is a dielectric film of the storage capacitor 70C, is thinned to increase its capacitance value, at least the “height” of the data line 6a ′ is taken into consideration. In view of the necessity and the corresponding limitations, the existence of “other storage capacitor” according to this configuration can make a great contribution to maintaining the potential holding characteristics of the pixel electrode 9a well.
[0140]
In order to realize this, for example, the following configuration can be adopted. That is, by providing a constricted portion or an opening at an appropriate location in the relay electrode 71, and by forming a new contact hole in the first interlayer insulating film 41 so as to pass through the constricted portion or the opening, A conductive layer electrically connected to the shield layer 400X is provided on the insulating layer 2. On the other hand, an extended portion is provided by appropriately extending the semiconductor layer 1a. The conductive layer, the insulating layer 2 and the extended portion constitute the “other storage capacitor”.
[0141]
(Overall configuration of electro-optical device)
The overall configuration of the electro-optical device according to each embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS. 17 and 18. FIG. 17 is a plan view of the TFT array substrate as viewed from the counter substrate 20 side together with the components formed thereon, and FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG.
[0142]
17 and 18, in the electro-optical device according to this embodiment, the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are arranged to face each other. Liquid crystal 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are provided with a sealing material provided in a seal region located around the image display region 10a. 52 are bonded to each other.
[0143]
The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like, and is cured by ultraviolet rays, heating, or the like in order to bond the two substrates together. Further, in this sealing material 52, if the liquid crystal device according to the present embodiment is a small-sized liquid crystal device that performs enlarged display like a projector, the distance between the two substrates (inter-substrate gap) is set to a predetermined value. Gap materials (spacers) such as glass fibers or glass beads are dispersed. Alternatively, such a gap material may be included in the liquid crystal layer 50 as long as the liquid crystal device is a large-sized liquid crystal device that performs the same size display as a liquid crystal display or a liquid crystal television.
[0144]
In a region outside the sealing material 52, a data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 for driving the data line 6a by supplying an image signal to the data line 6a at a predetermined timing are provided on one side of the TFT array substrate 10. A scanning line driving circuit 104 for driving the scanning line 3a by supplying a scanning signal to the scanning line 3a at a predetermined timing is provided along two sides adjacent to the one side. Yes.
[0145]
Needless to say, if the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 3a is not a problem, the scanning line driving circuit 104 may be provided on only one side. The data line driving circuit 101 may be arranged on both sides along the side of the image display area 10a.
[0146]
On the remaining side of the TFT array substrate 10, a plurality of wirings 105 are provided for connecting the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display region 10a. Further, at least one corner portion of the counter substrate 20 is provided with a conductive material 106 for electrical connection between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.
[0147]
In FIG. 18, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrode 9a after the pixel switching TFT, the scanning line, the data line and the like are formed. On the other hand, in addition to the counter electrode 21, an alignment film is formed on the uppermost layer portion on the counter substrate 20. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.
[0148]
Here, in this embodiment, in particular, the following features are associated with the shield layer (400U, 400V, 400W, or 400X) of the electro-optical device described as the first to fourth embodiments. That is, in the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 described above, a relatively large number of CMOS TFTs 35 as shown in FIG. 19 are formed, for example, as components constituting a sampling circuit or a level shifter circuit. . FIG. 19 is a cross-sectional view showing the configuration of the TFT 35 in the peripheral region as well as the configuration of the TFT 30 and the shield layer 400U formed in the image display region 10a of the electro-optical device in the first embodiment. is there.
[0149]
In this embodiment, at least one of the various electrodes 35A, 35B and 35C (including source and drain electrodes) to be electrically connected to the semiconductor layer 351a of the TFT 35 is the shield layer 400U. They are formed as the same film (see FIG. 19). FIG. 19 illustrates a case where the shield layer 400U in the first embodiment and the former (35A) and the last (35C) of the electrodes 35A, 35B, and 35C are formed at the same time. Yes. Thereby, simplification of a manufacturing process or reduction in manufacturing cost can be achieved. In any of the various embodiments described above, since the shield layer contains aluminum, at least one of the electrodes 35A, 35B and 35C formed at the same time also contains aluminum. Resistance can be realized.
[0150]
The semiconductor layer 351a, the insulating film 352, the gate electrode 353a, etc. of the TFT 35 are formed simultaneously with the semiconductor layer 1a, the insulating film 2, the scanning line 3a, etc. of the TFT 30 in the image display region 10a. Just keep it.
[0151]
On the other hand, in the present embodiment, when the shield layer 400V, 400W, or 400X includes a titanium nitride film as in the second embodiment or later, in the titanium nitride film forming process that is one step of forming the shield layer, As shown in FIG. 20, it is preferable that the titanium nitride film 401 is formed at the same time so as to cover the peripheral region where the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 are formed. . In this way, the above-described moisture intrusion preventing action of titanium nitride can be similarly enjoyed for the TFT 35 constituting the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, and the like. It becomes. That is, since the moisture resistance of the TFT 35 or its semiconductor layer 351a is improved, the situation where the threshold voltage of the TFT 35 increases can be avoided as much as possible, and thus the TFT 35 and thus the electro-optical device can be operated for a long time. Etc. are possible.
[0152]
The shield layer 400U in the first embodiment has a single-layer structure of aluminum. However, as already described, the shield layer 400U also has two layers as shown in the second and subsequent embodiments. A structure may be adopted. Therefore, the structure as shown in FIG. 20 can be adopted in the same manner in the electro-optical device according to the first embodiment.
[0153]
In the various embodiments, the data line has a two-layer structure of an aluminum film and a conductive polysilicon film. However, in the present invention, the data line includes the titanium nitride film as described above. A configuration may be taken. That is, for example, in FIG. 3 and the like, a two-layer structure including an aluminum film and a titanium nitride film, or a three-layer structure including a conductive polysilicon film, an aluminum film, and a titanium nitride film can be formed sequentially from the bottom. is there. In this case, it is possible to simultaneously form a structure as shown in FIG. 20 in the step of forming the titanium nitride film that is to constitute the data line. In short, the formation of the structure as shown in FIG. 20 may be performed simultaneously with the step of forming the structure including the nitride-containing film in the image display region 10a.
[0154]
On the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, etc., a sampling circuit for applying an image signal to the plurality of data lines 6a at a predetermined timing, and a plurality of data lines A precharge circuit for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level in advance to the image signal to 6a, an inspection circuit for inspecting quality, defects, etc. of the electro-optical device during manufacture or at the time of shipment are formed. Also good.
[0155]
(Electronics)
Next, an overall configuration, particularly an optical configuration, of an embodiment of a projection color display device as an example of an electronic apparatus using the electro-optical device described in detail as a light valve will be described. FIG. 21 is a schematic cross-sectional view of the projection type color display device.
[0156]
In FIG. 21, a liquid crystal projector 1100 as an example of a projection type color display device according to the present embodiment prepares three liquid crystal modules including a liquid crystal device in which a drive circuit is mounted on a TFT array substrate, each of which is a light valve for RGB. It is configured as a projector used as 100R, 100G, and 100B. In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, the light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. Divided into B, the light valves are guided to the light valves 100R, 100G and 100B corresponding to the respective colors. In particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.
[0157]
In addition, the electro-optical device can be applied to an electrophoresis device, an EL device, or the like.
[0158]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change. In addition, electronic devices are also included in the technical scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like provided in a plurality of matrix pixels that form an image display region in an electro-optical device according to a first embodiment of the invention.
FIG. 2 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed in the electro-optical device according to the first embodiment of the invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG.
6 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 2 relating to a modification corresponding to FIG.
FIG. 7 is a diagram having the same concept as in FIG. 2, and is a plan view of an electro-optical device according to a second embodiment of the present invention (change of a planar shape of a storage capacitor and a data line).
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
FIG. 9 is a diagram having the same concept as in FIG. 2, and is a plan view of an electro-optical device according to a third embodiment of the present invention (a storage capacitor and a data line are formed in separate layers).
FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
FIG. 11 is a diagram having the same concept as in FIG. 2, and is a plan view of an electro-optical device according to a modification of the third embodiment of the present invention (one electrode and a data line are formed as the same film).
12 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
13 is a diagram having the same concept as in FIG. 2, and is a plan view of an electro-optical device according to a fourth embodiment (one electrode is included in a shield layer) of the present invention. FIG.
14 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
15 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
16 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG.
FIG. 17 is a plan view of the TFT array substrate in the electro-optical device according to the embodiment of the present invention, as viewed from the counter substrate side, together with the components formed thereon.
18 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.
19 is a cross-sectional view showing the structure of a CMOS TFT constituting the data line driving circuit and the scanning line driving circuit in the peripheral region of FIG.
20 is a plan view showing a state in which a titanium nitride film is formed on the peripheral region of FIG.
FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a color liquid crystal projector as an example of a projection type color display device which is an embodiment of the electronic apparatus of the invention.
[Explanation of symbols]
1a, 351a ... Semiconductor layer
1a '... channel region
2, 352 ... Insulating film
3a ... scan line
6a, 6a ', 6a "... data line
9a: Pixel electrode
10 ... TFT array substrate
10a: Image display area
11a: Lower light shielding film
12 ... Underlying insulating film
16 ... Alignment film
20 ... Counter substrate
21 ... Counter electrode
22 ... Alignment film
30, 35 ... TFT
41, 42, 43, 44 ... 1st-4th interlayer insulation film
50 ... Liquid crystal layer
70, 70A, 70B, 70B ', 70C ... storage capacity
81, 82, 83, 801, 801 ′, 801 ″, 85, 851, 89, 802, 803, 804, 891... Contact hole
400U, 400V, 400W, 400X ... Shield layer
6a1 ... Relay layer for shield layer
400D, 300... Capacitance electrodes (corresponds to an example of “conductive layer” in the present invention)
75, 751 ... Dielectric film
42′—second interlayer insulating film also serving as a dielectric film
71 ... Relay layer
711 ... 1st relay layer
711A ... Lower electrode
712 ... Relay electrode (corresponds to an example of “independent conductive layer” in the present invention)
402: Second relay layer (in the second embodiment)
402 '... 2nd relay layer (thing in 3rd Embodiment)
406 ... Third relay layer

Claims (10)

基板上に、第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線、並びに、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタが積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、
前記基板上には更に、
前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、
前記データ線及び前記画素電極間に配置され固定電位とされたシールド層と、
が前記積層構造の一部をなして備えられてなり、
前記シールド層に電気的に接続され、かつ、前記シールド層とは別の層に形成されており、前記蓄積容量を構成する一対の電極の一方を含む導電層と、
前記蓄積容量を構成する一対の電極の他方を構成し、前記導電層に対向するように形成された他の導電層と、
をさらに有し、
前記導電層は、前記データ線と同一層として形成されていることを特徴とする電気光学装置。On the substrate, the data lines extending in the first direction, the scanning lines extending in the second direction intersecting the data lines, and the intersecting regions of the data lines and the scanning lines are arranged. An electro-optical device provided with a pixel electrode and a thin film transistor as part of a laminated structure,
On the substrate further
A storage capacitor electrically connected to the thin film transistor and the pixel electrode;
A shield layer disposed between the data line and the pixel electrode and having a fixed potential ;
Is formed as a part of the laminated structure,
A conductive layer electrically connected to the shield layer and formed in a layer different from the shield layer, including one of a pair of electrodes constituting the storage capacitor;
The other of the pair of electrodes constituting the storage capacitor, and another conductive layer formed to face the conductive layer;
Further comprising
The electro-optical device , wherein the conductive layer is formed as the same layer as the data line . 前記蓄積容量を構成する一対の電極の他方と前記画素電極とを電気的に接続するための中継層が前記積層構造の一部として更に備えられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。According to claim 1, wherein a pair of the other relay layer for connecting said pixel electrode electrically electrodes constituting the storage capacitor is further provided as part of the laminated structure Electro-optic device. 前記シールド層は、アルミニウムからなる膜を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。The shield layer, an electro-optical device according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises a film made of aluminum. 前記シールド層は、アルミニウムからなる膜及び高融点金属を含む膜の積層体を構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。The shield layer, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it constitutes a stack of films including film and the refractory metal consists of aluminum. 前記データ線は、アルミニウムからなる膜を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。The data line, an electro-optical device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it comprises a film made of aluminum. 前記データ線は、導電性ポリシリコン膜及び高融点金属を含む膜の少なくとも一方を更に含み、前記アルミニウムからなる膜とともに積層体を構成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。6. The electro-optical device according to claim 5 , wherein the data line further includes at least one of a conductive polysilicon film and a film containing a refractory metal, and constitutes a laminate together with the film made of aluminum. 前記走査線及び前記データ線並びに前記画素電極及び前記薄膜トランジスタの形成領域として規定される画像表示領域の周囲の周辺領域に、前記走査線を駆動するための走査線駆動回路及び前記データ線を駆動するためのデータ線駆動回路を更に備えてなり、
前記走査線駆動回路及び前記データ線駆動回路は第２の薄膜トランジスタを含み、
前記第２の薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つは、前記シールド層と同一膜として形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。A scanning line driving circuit for driving the scanning line and the data line are driven in a peripheral area around an image display area defined as a formation area of the scanning line and the data line and the pixel electrode and the thin film transistor. A data line driving circuit for
The scanning line driving circuit and the data line driving circuit include a second thin film transistor,
The at least one second source electrode and the drain electrode constituting the thin film transistor, an electro-optic according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it is formed as the shielding layer of the same film apparatus. 前記シールド層は、前記データ線に沿うように、かつ、該データ線よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。The shield layer, as along the data line and the electro-optical device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that it is wider than the data lines. 前記シールド層は、前記データ線及び前記走査線の形成領域に対応するように、格子状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。The shielding layer so as to correspond to the formation area of the data lines and the scanning lines, electro-optical device according to any one of claims 1 to 8, characterized in that it is formed in a lattice shape. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。An electronic device characterized by being provided with the electro-optical device according to any one of claims 1 to 9.

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