JP4207511B2 - ELECTRO-OPTICAL DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE - Google Patents

ELECTRO-OPTICAL DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）表示装置などの電気光学装置においては、基板上に複数の回路素子、陽極、正孔輸送層、ＥＬ物質などの電気光学物質で形成される発光層、また、陰極などが積層され、それらを封止基板によって基板との間に挟んで封止した構成を具備しているものがある。具体的には、ガラス基板等の透明基板上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、等の透明導電材料からなる陽極と、ポリチオフェン誘導体（以下、ＰＥＤＯＴと略記する）等のドーピング体からなる正孔輸送層と、Ａｌｑ３等の発光物質からなる発光層と、Ａｌ等の高融点金属材料や金属化合物からなる陰極とを順次積層したものである。
このような電気光学装置においては、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが、蛍光能を有する発光層内で再結合し、励起状態から失活する際に発光する現象を利用している。
【０００３】
この電気光学装置においては、正孔輸送層となるＰＥＤＯＴにＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）をドープしたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが採用され、その一種であるバイトロン−ｐ（Bytron-p：バイエル社製）などを好適に用いることが多い。
このＰＳＳは、酸性材料であり、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを陽極上に積層形成すると、陽極の一部が溶解し、陽極とＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは絡み合って密着し、渾然一体となった接合状態となる。
このように陽極とＰＥＤＯＴ：ＰＳＳとを密着させた接合状態にすることで、陽極と正孔輸送層との間においては、高い導電性が得られ、十分な電荷移動が行われるので、発光層は良好に発光する。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−４５７７９号公報
【特許文献２】
特開２０００−３５３５９３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の電気光学装置においては、酸性のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳにより高い導電性が得られる反面、陽極の溶解によって生成した金属イオンが発光層中に拡散してしまい、発光特性の悪化、発光物質の輝度の低下及び電気光学装置の短寿命化を招いてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等を有した酸性溶液による陽極の溶解性を制御しつつ、発光特性を悪化させることなく発光物質の輝度を維持し、電気光学装置の長寿命化を図ると共に、製造コストを低減した電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、対向する電極間に、発光層と、正孔輸送層とが形成された電気光学装置において、前記電極のうち少なくとも一方の電極はインジウム錫酸化物からなり、前記正孔輸送層は、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加されたものであり、前記一方の電極は、前記正孔輸送層に添加された前記ポリスチレンスルフォン酸に対する溶解性が制御されており、前記一方の電極は、電気光学装置の検査を行うためのダミー領域にダミーパターンを有しており、前記一方の電極は、波長１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの紫外線を用いて、１００〜３００℃の温度範囲で２０〜１２０分間ＵＶ−オゾン処理が施されていることを特徴とするものである。
ここで、対向する電極とは、陽極と陰極とによって構成され、発光層に対して正孔と電子を供給し、また、高い導電性を有した金属酸化物等の金属材料によって形成されたものである。
また、正孔輸送層とは、陽極の正孔を発光層に効率的に供給するものであり、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等によって構成されている。なお、この正孔輸送層は、広義として正孔注入層の機能を含むものとする。
また、正孔輸送層を形成する際に用いる酸性溶液とは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等の正孔輸送層を形成する材料に、蒸発又は揮発可能な溶媒を加えて液状化させたものである。このような酸性溶液は、電極に対して後述のスピンコーティング法によって塗布され、又は後述の材料吐出法によって吐出された後に、乾燥処理が施されることで、溶媒が蒸発し、正孔輸送層が形成される。
従って、本発明によれば、陽極は正孔輸送層を形成する際に用いる酸性溶液に対する溶解性が制御されていることから、所望の耐酸性及び溶解性が得られ、基板上に形成された陽極とこの酸性溶液とが接触した際には、陽極と酸性溶液との界面において浸食反応が生じ、陽極の金属がイオン化し、この金属イオンは酸性溶液中に所定の濃度で一様に拡散する。この状態で基板を乾燥処理することによって、酸性溶液中の溶媒が蒸発し、所定の濃度の金属原子を備えたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等からなる正孔輸送層が形成される。このように陽極と正孔輸送層は絡み合って密着し、渾然一体となった接合状態となり、正孔輸送層にとって好適な導電性が得られ、好適に正孔輸送が行われる。
即ち、陽極と正孔輸送層との間においては、高い導電性が得られ、十分な電荷移動が行われるので、発光層は良好に発光し、陽極の溶解に起因する発光特性の悪化が抑制され、発光物質の輝度の維持及び電気光学装置の長寿命化を達成することができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、電極はＵＶ−オゾン処理又はＯ２プラズマ処理が施されていることを特徴とするものである。
ここで、ＵＶ−オゾン処理とは、Ｏ２（酸素）が供給され、かつ、所定の圧力に維持された容器内において、電極を有した基板が所定の温度に加熱され、この基板に対して１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの範囲の波長を有する紫外光を照射することでＯ２が活性化してオゾンが生成され、これが電極上の有機物等の不純物を除去して洗浄効果が促進されると共に、電極表面の物性を変化させるものである。例えば、電極がＩＴＯ等の金属酸化物である場合、インジウム、錫及び酸素のストイキオメトリや、ＩＴＯの酸性溶液に対する溶解性及び抵抗値等が変化すると考えられている。
また、Ｏ２プラズマ処理とは、Ｏ２が供給され、かつ、所定の圧力に維持された容器内において、電極が形成された基板が所定の温度に維持され、容器内に設けられた平行平板電極やアンテナ等に印加された高周波電力よってプラズマが生成し、Ｏ２が励起分解され、これが電極上の有機物等の不純物を除去して洗浄効果が促進されると共に、電極表面の物性を変化させるものである。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、陽極の正孔輸送層を形成する際に用いる酸性溶液に対する溶解性がＵＶ−オゾン処理又はＯ２プラズマ処理によって制御されるので、所望の耐酸性及び溶解性が得られ、好適な電気光学装置を提供することができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、電極は耐酸性を有していることを特徴とするものである。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、陽極が耐酸性を有するので、好適な電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、正孔輸送層は、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加されたものであることを特徴とするものである。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、正孔輸送層を形成するドーピング体として、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加されたもの、即ちＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが用いられるので、好適な電気光学装置を提供することができる。
【００１１】
また、更に本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の電気光学装置の製造方法であり、対向する電極間に、発光層と、正孔輸送層とが形成された電気光学装置の製造方法において、前記電極のうち少なくとも一方の電極を、実表示領域及びダミー領域にインジウム錫酸化物によって形成する工程と、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加された前記正孔輸送層を形成する工程と、前記正孔輸送層に添加された前記ポリスチレンスルフォン酸に対する、前記一方の電極の溶解性を制御するために、波長１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの紫外線を用いて、１００〜３００℃の温度範囲で２０〜１２０分間ＵＶ−オゾン処理を前記一方の電極に施す工程と、を有することを特徴とするものである。
また、更に本発明の電気光学装置の製造方法は、対向する電極間に形成された発光層と正孔輸送層と、前記電極のうち少なくとも一方の電極と前記発光層と前記正孔輸送層とが形成された開口部を有するバンクとを有する電気光学装置の製造方法において、前記電極のうち少なくとも一方の電極をインジウム錫酸化物によって形成する工程と、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加された前記正孔輸送層を形成する工程と、 前記正孔輸送層に添加された前記ポリスチレンスルフォン酸に対する、前記一方の電極の溶解性を制御するとともに、前記バンクに対するプラズマによるダメージを抑制するために、波長１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの紫外線を用いて、１００〜３００℃の温度範囲で２０〜１２０分間ＵＶ−オゾン処理を前記一方の電極に施す工程と、を有することを特徴とするものである。
ＵＶ−オゾン処理においては、プロセスのパラメータとなる紫外線波長を１７５ｎｍ〜２５４ｎｍ、照射時間を２０〜１２０分間、基板温度を１００〜３００℃に設定し、紫外線を電極に照射することによって、電極の表面の物性を変化させて、正孔輸送層に対する耐溶解性を高くすることができる。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、好適な電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
また、次に本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の電気光学装置の製造方法であり、スピンコート法により前記正孔輸送層を形成することを特徴とするものである。
ここで、スピンコート法とは、高速回転可能なスピンナーと呼ばれる支持部に基材を固定し、これを回転させ回転中の基材の中央に液状化された材料の溶液を滴下し、遠心力を利用して基材上に均一な層を一様に形成する方法である。また、この基材を乾燥処理することで材料の溶液に含まれる溶媒又は液体を蒸発させて材料を固着させる工程を含むものとする。
なお、液状化とは、所定の材料を蒸発又は揮発可能な液体中に含ませることによって液体状とすることを意味する。従って、例えば溶媒に材料を溶かして液体状とすること、及び材料を液体中に分散させて液体状とすることを含むものとする。後者の場合、材料は粉体として形成されてもよいし、粉砕されて砕片とされていてもよい。また、材料吐出法によって製造可能であれば、他の形態をとることにより液状化してもよい。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、液状化された正孔輸送層の材料を上記のスピンコート法によって形成されるので、好適な電気光学装置を提供することができる。
【００１３】
また、次に本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の電気光学装置の製造方法であり、材料吐出法を施すことによって、前記正孔輸送層を形成することを特徴とするものである。
ここで、材料吐出法とは、液状化された材料インクを吐出ヘッドに充填し、吐出ヘッドと基材に対向させ、吐出ヘッドと基材とを相対移動させながら、材料インクを吐出して、所望のパターンを形成するものである。また、この基材を乾燥処理することで材料インクに含まれる溶媒又は液体を蒸発させて材料を固着させる工程や、予め基材にプラズマ処理することで親インク化又は撥インク化を施す工程等は、材料吐出法に関係する工程であることから、このような一連の工程を含むものとする。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、液状化された正孔輸送層の材料を上記の材料吐出法によって吐出し、パターンが形成されるので、一様な層膜を形成してから部分的に層膜を除去してパターンを形成するという材料及び製造工程の無駄が低減され、製造が容易になり、製造コストを低減することができる。
【００１４】
次に、本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の表示装置を採用することによって、好適な電子機器を提供することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明に係る電気光学装置およびその製造方法、並びに電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１６】
〔第１の実施形態〕
本発明の電気光学装置の第１の実施形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。図１は本実施形態に係るＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【００１７】
図１に示すＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置である。
【００１８】
このＥＬ表示装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
【００１９】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２０】
さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極２３と陰極５０と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２１】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
次に、本実施形態のＥＬ表示装置１の具体的な態様を図２〜５を参照して説明する。図２はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。図５は図３の要部拡大断面図である。
【００２３】
図２に示す本実施形態のＥＬ表示装置１は、光透過性と電気絶縁性を備える基板２０と、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極域と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２４】
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。
【００２５】
更に、実表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２６】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２７】
ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂４０を介して貼り合わされている。基板２０、封止基板３０および封止樹脂４０とで囲まれた領域には、乾燥剤４５が挿入されるとともに、窒素ガスが充填された窒素ガス充填層４６が形成されており、水分及び酸素のＥＬ表示装置１内部への浸入を抑制し、ＥＬ表示装置の長寿命化を図った構成となっている。
なお乾燥剤４５に代えてゲッター剤を用いてもよい。
【００２８】
基板２０は、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、この基板２０の対向側である封止基板３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０は、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。
【００２９】
封止基板３０は、例えば、電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。また、封止樹脂４０は、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３０】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成され、その上に機能層１１０が設けられている。機能層１１０は、図５に示すように、画素電極２３と、この画素電極２３から正孔を注入及び輸送する正孔注入／輸送層（正孔輸送層）７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機ＥＬ層（発光層）６０と、有機ＥＬ層６０に対して電子を注入する電子注入層５２と、陰極５０とが順に形成されている。
【００３１】
画素電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電膜によって構成され、印加された電圧によって、正孔を有機ＥＬ層６０に向けて注入するものであり、仕事関数が高く導電性を有している。画素電極２３を形成するための材料としては、ＩＴＯに限るものではなく、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。また、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、光透過性を備えた公知の材料を採用することができる。例えば、金属酸化物が挙げられるが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、もしくは、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）を採用することができる。
また、画素電極２３の表面には、ＵＶ−オゾン処理又はＯ２プラズマ処理が施され、正孔注入／輸送層７０を形成する際に用いる酸性溶液に対する溶解性が制御され、所望の耐酸性及び溶解性が得られる。
【００３２】
正孔注入／輸送層７０を形成するための材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、または、それらのドーピング体などが採用できる。より具体的には、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの一種であるバイトロン−ｐ（Bytron-p：バイエル社製）などを好適に用いることができる。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを用いて正孔注入／輸送層７０を形成する際には、蒸発又は揮発可能な溶媒をＰＥＤＯＴ：ＰＳＳに加えたｐｈ４以下の酸性を示す分散溶液を、スピンコーティング法又はインクジェット法（材料吐出法）によって画素電極２３上に塗布又は吐出し、更に乾燥処理を施して溶媒を蒸発させることで、正孔注入／輸送層７０が形成される。
【００３３】
有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。
【００３４】
電子注入層５２は、有機ＥＬ層６０に電子を注入する役割を果たすものであり、この形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
【００３５】
陰極５０は、図３〜４に示すように、実表示領域４及びダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。陰極５０は、画素電極２３の対向電極として、電子を有機ＥＬ層６０に注入する機能を備え、仕事関数が低い材料から構成される。
陰極５０を形成する材料としては、例えばカルシウム金属又はカルシウムを主成分とする合金を有機ＥＬ層６０側に積層して第１の陰極層とし、その上層にアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金、もしくは銀又は銀−マグネシウム合金などを積層して第２の陰極層とした積層体を採用することができる。なお、第２の陰極層は第１の陰極層を覆って、酸素や水分などとの化学反応から保護するとともに、陰極５０の導電性を高めるために設けられる。したがって、化学的に安定で仕事関数が低く、単層構造でもよく、また金属材料に限るものではない。また、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置を形成するための材料としては、透明性を備えた公知の材料として、ＩＴＯが好適に採用される。その他の透明性を備えた金属として、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を採用することができる。
【００３６】
次に、実表示領域４に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成について、図５を参照して説明する。図５は画素領域Ｘを図２のＡ−Ｂ方向に沿った断面を示している。
図５に示すように、基板２０の表面には、ＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１を下地として、その上層にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面は、ＳｉＯ2および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２によって覆われている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは、構成成分のうち最も含有率の高い成分を指すこととする。
【００３７】
そして、このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は図示略の走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２が形成されたゲート絶縁層２８２の表面は、ＳｉＯ2を主体とする第１層間絶縁層２８３によって覆われている。
【００３８】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３９】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2などを用いることもできる。そして、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の面上に形成されるとともに、当該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００４０】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて上記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００４１】
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ2などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリルやポリイミドなどからなる有機バンク層２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板２０から第２層間絶縁層２８４までの層は回路部１１を構成している。
【００４２】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、有機ＥＬ層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性化制御層２５との間に位置して形成されている。
【００４３】
このように構成されたＥＬ表示装置１においては、画素電極２３の表面は、正孔注入／輸送層７０を形成する際に用いるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対する溶解性が制御されていることから、画素電極２３とこの分散溶液とが接触した際に画素電極２３と酸性溶液との界面において浸食反応が生じ、ＩＴＯからインジウム及び錫がイオン化し、インジウムイオン及び錫イオンはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液中に所定の濃度で一様に拡散する。この状態で基板２０が乾燥処理されることで、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液中の溶媒が蒸発して所定の濃度のインジウム及び錫原子を備えたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等からなる正孔注入／輸送層７０が形成される。このように画素電極２３と正孔注入／輸送層７０は絡み合って密着し、渾然一体となった接合状態となり、正孔注入／輸送層７０にとって好適な導電性が得られ、好適に有機ＥＬ層６０への正孔注入及び正孔輸送が行われ、有機ＥＬ層６０にて正孔と電子とが結合して発光光が発生する。
【００４４】
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例として、図６〜１０を参照して説明する。なお、図６〜１０に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。
【００４５】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００４６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００４７】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００４８】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００４９】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００５０】
次に、図６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、パターニング法により、図６（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００５１】
続いて、図６（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図７（ｃ）および（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００５２】
次に、図７（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。従って、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００５３】
次いで、図７（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて当該第１層間絶縁層２８３をパターニングすることによって、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００５４】
次に、図７（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、当該導電層５０４をパターニングして、図８（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００５５】
次いで、図８（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この第２層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。なお、ＳｉＮ、ＳｉＯ2により第２層間絶縁膜を形成する事も可能であり、ＳｉＮの膜厚としては２００ｎｍ、ＳｉＯ2の膜厚としては８００ｎｍに形成することが望ましい。
【００５６】
次いで、図８（ｊ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、基板２０の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる透明導電膜を形成し、また、透明電極材料に対してＵＶ−オゾン処理が施され、透明電極材料の表面は、正孔注入／輸送層７０を形成する際に用いる酸性溶液に対する溶解性が制御される。
ここで、ＵＶ−オゾン処理とは、Ｏ２が供給され、かつ、所定の圧力に維持された容器内において、電極を有した基板が所定の温度に加熱され、この基板に対して１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの範囲の波長を有する紫外光を照射することでＯ２が活性化してオゾンが生成され、これが電極上の有機物等の不純物を除去して洗浄効果が促進されると共に、電極表面の物性を変化させるものである。
本実施形態のＵＶ−オゾン処理においては、波長１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの紫外線を発するランプを備えたＵＶ照射装置を用いて、３００℃に加熱された基板に対して紫外線を２時間照射し、更に、Ｏ２ガス供給量、紫外線ランプの電力量等の条件を調整することによって、画素電極２３を形成する際のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対する溶解性が制御され、所望の耐酸性及び溶解性が得られる。
これにより、所望の耐酸性を有する画素電極２３の表面を形成することが可能になる。
【００５７】
更に、この透明導電膜をフォトレジストによるパターニングを行うことにより、図９（ｋ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも上記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００５８】
次いで、図９（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。
【００５９】
次いで、図９（ｌ）に示すように、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部にＢＭを形成する。具体的には、親液性制御層２５の上記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００６０】
次いで、図９（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは上記ＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶かしたものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
【００６１】
次いで、有機質層をフォトリソグラフィ技術などにより同時にエッチングして、有機質物のバンク開口部２２１ａを形成し、開口部２２１ａに壁面を備えた有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は少なくとも上記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとされる。
【００６２】
次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的には、該プラズマ処理工程は、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面を親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とを具備している。
【００６３】
すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００６４】
なお、このＣＦ4プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ2、ＴｉＯ2などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００６５】
次いで、図１０（ｎ）に示す正孔注入／輸送層７０を形成するべく正孔注入／輸送層形成工程が行われる。正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法により、正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを電極面２３ｃ上に吐出した後に、乾燥処理を行い、電極２３上に正孔注入／輸送層７０を形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このようなインクジェット法によれば、吐出ヘッド（図示略）に正孔注入／輸送層７０の材料となるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等を含む材料インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された上記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、吐出ヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して材料インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層７０が形成される。
材料インクとしては、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親インク処理された電極面２３ｃ上に広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
【００６６】
次いで、図１０（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０を形成すべく発光層形成工程が行われる。発光層形成工程では、上記と同様のインクジェット法により、発光層用材料を含む材料インクを正孔注入／輸送層７０上に吐出した後に乾燥処理および熱処理して、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機ＥＬ層６０を形成する。
【００６７】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層７０の再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる材料インクの溶媒として、正孔注入／輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
この発光層形成工程としては、例えば吐出ヘッド（図示略）に、青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを絶縁層（親液性制御層）２５の開口部２５ａ内に位置する正孔注入／輸送層７０に対向させ、吐出ヘッドと基材とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴として吐出し、この液滴を正孔注入／輸送層７０上に吐出する。
【００６８】
吐出された液滴は、正孔注入／輸送層７０上に広がって親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１上面では、液滴が弾かれて付着しない。これにより、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、液滴が上記親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込み、さらに有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に吐出・充填される。次いで、吐出後の液滴を乾燥処理することにより材料インクに含まれる無極性溶媒を蒸発させ、有機ＥＬ層６０が形成される。なお、各色の有機ＥＬ層６０は、それぞれ各色表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに対応して液滴が滴下される。
【００６９】
ここで、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０をそれぞれインクジェットプロセスにより形成するが、この際、吐出ヘッドは発光ドット間のピッチにより傾き方向を制御している。
【００７０】
次いで、図１０（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０上に電子注入層５２を形成すべく電子注入層形成工程が行われ、この工程においては蒸着法が用いられる。
ここで、蒸着法とは、所定の温度及び圧力に保たれた真空容器内で金属を蒸発させ、金属分子を所望の基板に堆積させて薄膜を形成する方法であり、高品質の薄膜を形成するだけでなく、ナノメートルオーダーの薄膜を容易に形成する方法である。この蒸着法により、電子注入層５２は所定の膜厚に形成される。
【００７１】
続いて、図１０（ｏ）に示すように、陰極５０を形成すべく陰極層形成工程が行われる。陰極５０の材料としては、いわゆるバックエミッション型ＥＬ表示装置の場合には、Ａｌが好適に採用され、Ａｌ以外に例えば、Ａｇ、Ｍｇ−Ａｇ合金などの陰極材料を用いることができ、また、いわゆるトップエミッション型ＥＬ表示装置の場合には、ＩＴＯ等の透明性を有する材料が好適に用いることができる。また、陰極５０はスパッタリング法によって形成される。
【００７２】
最後に、図１０（ｏ）に示すように、封止基板３０を形成すべく封止工程を行う。この封止工程では、封止基板３０の内側に乾燥剤４５を挿入しつつ、封止基板３０と基板２０とを接着剤４０にて封止する。なお、この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００７３】
本実施形態のＥＬ表示装置１によれば、画素電極２３の表面は、正孔注入／輸送層７０を形成する際に用いるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対する溶解性が制御され、所望の耐酸性及び溶解性が得られているので、発光層は良好に発光し、陽極の溶解に起因する発光特性の悪化が抑制され、発光物質の輝度の維持及び電気光学装置の長寿命化を達成することができるという利点がある。
また、この分散溶液に対する溶解性がＵＶ−オゾン処理の諸条件を設定することによって制御されるので、好適な電気光学装置を提供することができるという利点がある。
また、透明電極を用いることによってバックエミッション型ＥＬ表示装置、又はトップエミッション型ＥＬ表示装置を提供することができるという利点がある。
また、正孔注入／輸送層７０は、インクジェット法を用いて、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳにより形成されるので、好適な電気光学装置を提供することができると共に、材料及び製造工程の無駄が低減され、製造が容易になり、製造コストを低減することができるという利点がある。
【００７４】
次に本実施形態の変形例を説明する。
本変形例では、以上に説明したＥＬ表示装置１の製造方法において、正孔注入／輸送層７０をスピンコート法によって形成したものであり、それ以外は上記に説明した製造方法と同様である。
【００７５】
このスピンコート法とは、高速回転可能なスピンナーと呼ばれる支持部に基材を固定し、これを回転させ回転中の基材の中央に液状化された材料の溶液を滴下し、遠心力を利用して基材上に均一な層を一様に形成する方法である。また、この基材を乾燥処理することで材料の溶液に含まれる溶媒又は液体を蒸発させて材料を固着させる工程を含むものとする。
【００７６】
このスピンコート法を用いて、基板２０をスピナーに固定し、回転させ、基板２０の中央に正孔注入／輸送層７０を形成する際に用いるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液を滴下し、滴下した分散溶液は遠心力によって画素電極２３の上に一様に形成され、乾燥処理を施すことで、正孔注入／輸送層７０を形成することができるという利点がある。
このようにスピンコート法を用いることによって、上記と同様の効果を奏する電気光学装置を提供することができるという利点がある。
【００７７】
〔第２の実施形態〕
次に本発明の電気光学装置の第２の実施形態としてのＥＬ表示装置１について説明する。本実施形態は第１の実施形態で説明したＵＶ−オゾン処理に代わってＯ２プラズマ処理を施すものであり、その他は同一の構成を備え、同一の製造方法を行うものである。以下では共通部分の説明は同一の符号を付して省略する。
【００７８】
ここで、Ｏ２プラズマ処理とは、Ｏ２が供給され、かつ、所定の圧力に維持された容器内において、電極が形成された基板が所定の温度に維持され、容器内に設けられた平行平板電極やアンテナ等に印加された高周波電力よってプラズマが生成し、Ｏ２が励起分解され、これが電極上の有機物等の不純物を除去して洗浄効果が促進されると共に、電極表面の物性を変化させるものである。
【００７９】
このようなＯ２プラズマ処理においては、容器内圧力、基板温度、高周波電力量、Ｏ２ガス供給量、処理時間等を所定の条件に設定することによって、画素電極２３のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対する溶解性が制御される。これにより、所望の耐酸性及び溶解性を有する画素電極２３の表面を形成することが可能になり、上記と同様の効果を奏する電気光学装置を提供することができるという利点がある。
【００８０】
〔第３の実施形態〕
次に本発明の電気光学装置の第３の実施形態としてのＥＬ表示装置１について説明する。第１の実施形態で説明したＵＶ−オゾン処理は、基板２０の全面を覆うように透明導電膜を形成した後に施すものであるが、本実施形態のＵＶ−オゾン処理は、有機バンク層２２１を形成した後に施すものであり、その他は同一の構成を備え、同一の製造方法を行うものである。以下では共通部分の説明は同一の符号を付して省略する。
【００８１】
本実施形態において、図９（ｍ）に示すように有機バンク層２２１を形成した後に、上記ＵＶ−オゾン処理を行い、画素電極２３のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対する溶解性が制御され、所望の耐酸性を有する画素電極２３の表面を形成することができると共に、Ｏ２プラズマ処理が有機バンク２２１に与えるダメージが抑制することが可能になる。また、上記と同様の効果を奏する電気光学装置を提供することができるという利点がある。
【００８２】
〔第４の実施形態〕
次に本発明の電気光学装置の第４の実施形態としてのＥＬ表示装置１について説明する。第１の実施形態で説明したＵＶ−オゾン処理は、基板２０の全面を覆うように透明導電膜を形成した後に施すものであるが、本実施形態のＵＶ−オゾン処理は、画素電極２３をパターニングによって形成した後に施すものであり、その他は同一の構成を備え、同一の製造方法を行うものである。以下では共通部分の説明は同一の符号を付して省略する。
【００８３】
本実施形態において、図９（ｋ）に示すように画素電極２３を形成した後に、上記ＵＶ−オゾン処理を行い、画素電極２３のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対する溶解性が制御され、所望の耐酸性を有する画素電極２３の表面を形成することができると共に、上記と同様の効果を奏する電気光学装置を提供することができるという利点がある。
また、第１の実施形態で説明したような電極２３のパターニングの前にＵＶ−オゾン処理を施す場合と比較して、ＵＶ-オゾン処理が施された透明導電膜をエッチングする必要がなく、良好、かつ、所望のパターニングを施すことができるという利点がある。
【００８４】
〔第５の実施形態〕
以下、第１の実施形態のＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について図１１に基づき説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１１（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１１（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
【００８５】
図１１（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態のＥＬ表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態のＥＬ表示装置の特徴を有するので、好適な電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１、２または３の実施形態のＥＬ表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【００８６】
【実施例】
次に、実施例及び比較例により本発明を具体的に示す。
図１２（ａ）及び（ｂ）は、正孔注入／輸送層７０を形成する際に用いるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対して、画素電極２３となるＩＴＯの溶解量（Å／２ｈｒ）を処理温度毎に示した実験結果であり、ＵＶ処理装置によってオゾンを供給した場合と、空気を供給した場合について比較したものである。
なお、共通のＵＶ処理条件としてＰＥＤＯＴ:ＰＳＳ分散溶液の液温は５０℃に設定している。
ここで、図１２（ａ）は画素電極２３に対してＵＶ照射を施していない場合の実験結果であり、また、図１２（ｂ）は、２０分間のＵＶ照射を施した場合の実験結果である。
【００８７】
図１２（ａ）の実験結果から、処理温度を１００℃、２００℃、３００℃に設定してオゾン供給した場合のＩＴＯ膜厚溶解量は、それぞれ、約４０Å／２ｈｒ、約３０Å／２ｈｒ、約２６Å／２ｈｒとなった。また、同様の設定温度で空気を供給した場合のＩＴＯ膜厚溶解量は、それぞれ、約４６Å／２ｈｒ、約４４Å／２ｈｒ、約４０Å／２ｈｒとなった。
従って、ＵＶ照射を施さずに処理温度を上昇させることによってＩＴＯ膜厚溶解量を低減させることができ、また、空気よりもオゾンを供給することによってＩＴＯ膜厚溶解量を低減できることが明らかである。
【００８８】
また、図１２（ｂ）の実験結果から、処理温度を１００℃、２００℃、３００℃に設定してオゾン供給した場合のＩＴＯ膜厚溶解量は、それぞれ、約４７Å／２ｈｒ、約２９Å／２ｈｒ、約２９Å／２ｈｒとなった。また、同様の設定温度で吸気を供給した場合のＩＴＯ膜厚溶解量は、それぞれ、約４１Å／２ｈｒ、約３４Å／２ｈｒ、約３１Å／２ｈｒとなった。
従って、ＵＶ照射を施してオゾンを供給した場合では、処理温度を上昇させることによってＩＴＯ膜厚溶解量を低減させることができるが、処理温度２００℃以上では、ＩＴＯ膜厚溶解量を更に低減させることができないことが明らかである。
また、ＵＶ照射を施して空気を供給した場合では、処理温度を上昇させることによってＩＴＯ膜厚溶解量を低減させることができると共に、処理温度３００℃以上では、オゾンを供給した場合のＩＴＯ膜厚溶解量と同程度にすることができることが明らかである。
【００８９】
図１２（ｃ）は、正孔注入／輸送層７０を形成する際に用いるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの分散溶液に対して、画素電極２３となるＩＴＯの溶解量（Å／２ｈｒ）をＵＶ照射時間毎に示した実験結果である。また、共通の処理条件としてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ分散溶液の液温は５０℃、処理温度３００℃に設定され、オゾンを供給している。
図１２（ｃ）の実験結果から、ＵＶ照射時間を２０分、４０分、６０分、１２０分のＩＴＯ膜厚溶解量は、それぞれ、約２９．１Å／２ｈｒ、約２８．５Å／２ｈｒ、約２７．０Å／２ｈｒ、約２５．２Å／２ｈｒとなった。
従って、長時間のＵＶ照射を施すことで、ＩＴＯの溶解量を低減できることが明らかである。
【００９０】
図１３は、本発明のＥＬ表示装置の寿命評価実験を行った実験結果であり、発光時間（経過時間）に対するＥＬ表示装置の輝度（ｃｄ／ｍ２）示したものである。画素電極２３に対して、（１）ＵＶ−オゾン処理のみを施した場合、（２）ＵＶ−オゾン処理とＯ２プラズマ処理を施した場合、（３）Ｏ２プラズマ処理のみを施した場合について比較したものである。
なお、ＵＶ−オゾン処理の処理条件は、酸素流量１Ｌ／ｍｉｎ、処理温度３００℃、処理時間２時間とした。
【００９１】
図１３の結果から、Ｏ２プラズマ処理のみを施したＥＬ表示装置の輝度が低下しやすく、また、ＵＶ−オゾン処理のみを施した場合及びＵＶ−オゾン処理とＯ２プラズマ処理のみを施した場合では、輝度の低下が同程度であることが明らかである。
【００９２】
また、表１は図１３で挙げた（１）〜（３）についての輝度（ｃｄ／ｍ２）、効率（ｌｍ／Ｗ）、半減寿命を比較したものである。
【００９３】
【表１】

Figure 0004207511
【００９４】
従って、（１）ＵＶ−オゾン処理のみを施した場合及び（２）ＵＶ−オゾン処理とＯ２プラズマ処理を施した場合では、輝度は０．８１（ｃｄ／ｍ２）、効率は、１．１（ｌｍ／Ｗ）、半減寿命は１．４３であった。これに対して、（３）Ｏ２プラズマ処理のみを施した場合では、輝度は１（ｃｄ／ｍ２）、効率は、１（ｌｍ／Ｗ）、半減寿命は１であった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施形態のＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図。
【図２】 第１の実施形態のＥＬ表示装置の構成を示す平面図。
【図３】 図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】 図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】 図３の要部拡大断面図。
【図６】 第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図７】 第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図８】 第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図９】 第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図１０】 第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図１１】 第５の実施形態の電子装置を示す斜視図。
【図１２】 実施例で示した実験結果。
【図１３】 実施例で示した実験結果。
【符号の説明】
１ ＥＬ表示装置（電気光学装置）、２３ 画素電極（電極）、５０ 陰極（電極）、５２ 正孔注入／輸送層７０（正孔輸送層）、６０ 有機ＥＬ層（発光層）、１０００、１１００、１２００ 電子機器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in an electro-optical device such as an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as organic EL) display device, it is formed of a plurality of circuit elements, an anode, a hole transport layer, and an electro-optical material such as an EL material on a substrate. Some have a structure in which a light-emitting layer, a cathode, and the like are stacked and sealed with a sealing substrate between them. Specifically, on a transparent substrate such as a glass substrate, indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO) 2 ), An anode made of a transparent conductive material, a hole transport layer made of a doping material such as a polythiophene derivative (hereinafter abbreviated as PEDOT), a light emitting layer made of a light emitting material such as Alq3, and a high melting point such as Al A cathode made of a metal material or a metal compound is sequentially laminated.
In such an electro-optical device, holes injected from the anode side and electrons injected from the cathode side recombine in the light emitting layer having fluorescence ability and emit light when deactivated from the excited state. The phenomenon is used.
[0003]
In this electro-optical device, PEDOT: PSS doped with PSS (polystyrene sulfonic acid) is used for PEDOT serving as a hole transporting layer, and one such type, BYTRON-p (Bytron-p: manufactured by Bayer), is suitable. Often used for.
This PSS is an acidic material, and when PEDOT: PSS is laminated on the anode, a part of the anode is dissolved, and the anode and PEDOT: PSS are intertwined and intimately joined together.
Since the anode and the PEDOT: PSS are brought into a bonded state in this way, high conductivity is obtained between the anode and the hole transport layer, and sufficient charge transfer is performed. Emits light well.
[0004]
[Patent Document 1]
JP 11-45779 A
[Patent Document 2]
JP 2000-353593 A
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above conventional electro-optical device, high conductivity is obtained by acidic PEDOT: PSS, but metal ions generated by dissolution of the anode diffuse into the light emitting layer, resulting in deterioration of light emitting characteristics, light emitting material There has been a problem in that the luminance is reduced and the life of the electro-optical device is shortened.
[0006]
The present invention has been made in view of such circumstances, and its purpose is to control the solubility of the anode by an acidic solution having PEDOT: PSS or the like, and to prevent the luminescent material from being deteriorated without deteriorating the luminescent properties. An object of the present invention is to provide an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus including such an electro-optical device, which maintain luminance and extend the life of the electro-optical device and reduce the manufacturing cost.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention employs the following means.
That is, in an electro-optical device in which a light emitting layer and a hole transport layer are formed between opposing electrodes, at least one of the electrodes is made of indium tin oxide, and the hole transport layer is made of polythiophene. Polystyrene sulfonic acid is added to the derivative, and the one electrode has controlled solubility in the polystyrene sulfonic acid added to the hole transport layer, and the one electrode is an electro-optical device. Have a dummy pattern in the dummy area for inspection The one electrode is subjected to UV-ozone treatment for 20 to 120 minutes in a temperature range of 100 to 300 ° C. using ultraviolet light having a wavelength of 175 nm to 254 nm. It is characterized by being.
Here, the opposing electrode is composed of an anode and a cathode, which supplies holes and electrons to the light emitting layer, and is formed of a metal material such as a metal oxide having high conductivity. It is.
Further, the hole transport layer efficiently supplies positive holes to the light emitting layer, and is made of, for example, PEDOT: PSS. In addition, this hole transport layer includes the function of a hole injection layer in a broad sense.
Moreover, the acidic solution used when forming a positive hole transport layer is what liquefied by adding the solvent which can be evaporated or volatilized to the material which forms positive hole transport layers, such as PEDOT: PSS. Such an acidic solution is applied to the electrode by a spin coating method to be described later, or discharged by a material discharge method to be described later, and then subjected to a drying treatment, whereby the solvent evaporates and the hole transport layer is formed. Is formed.
Therefore, according to the present invention, since the solubility of the anode in the acidic solution used when forming the hole transport layer is controlled, the desired acid resistance and solubility can be obtained and formed on the substrate. When the anode comes into contact with the acidic solution, an erosion reaction occurs at the interface between the anode and the acidic solution, the metal of the anode is ionized, and the metal ions are uniformly diffused in the acidic solution at a predetermined concentration. . By drying the substrate in this state, the solvent in the acidic solution is evaporated, and a hole transport layer made of PEDOT: PSS or the like having a predetermined concentration of metal atoms is formed. In this way, the anode and the hole transport layer are intertwined and intimately bonded to form a unified state, and conductivity suitable for the hole transport layer is obtained, so that hole transport is preferably performed.
That is, high conductivity is obtained between the anode and the hole transport layer, and sufficient charge transfer is performed, so that the light emitting layer emits light well and suppresses deterioration of the light emitting characteristics due to dissolution of the anode. Thus, the luminance of the luminescent material can be maintained and the life of the electro-optical device can be extended.
[0008]
The electro-optical device of the present invention is the electro-optical device described above, and the electrode is subjected to UV-ozone treatment or O 2 plasma treatment.
Here, in the UV-ozone treatment, a substrate having electrodes is heated to a predetermined temperature in a container supplied with O 2 (oxygen) and maintained at a predetermined pressure, and 175 nm with respect to this substrate. Irradiation with ultraviolet light having a wavelength in the range of ˜254 nm activates O2 to generate ozone, which removes impurities such as organic substances on the electrode and promotes the cleaning effect, and improves the physical properties of the electrode surface. It is something to change. For example, when the electrode is a metal oxide such as ITO, it is considered that the stoichiometry of indium, tin and oxygen, the solubility in ITO acidic solution, the resistance value, and the like change.
The O2 plasma treatment refers to a parallel plate electrode provided in a container in which a substrate on which an electrode is formed is maintained at a predetermined temperature in a container supplied with O2 and maintained at a predetermined pressure. Plasma is generated by high-frequency power applied to an antenna or the like, and O2 is excited and decomposed. This removes impurities such as organic substances on the electrode to promote a cleaning effect and change physical properties of the electrode surface. .
Therefore, according to the present invention, the same effect as that of the electro-optical device described above can be obtained, and the solubility in the acidic solution used when forming the positive hole transport layer can be increased by UV-ozone treatment or O2 plasma treatment. Since it is controlled, desired acid resistance and solubility can be obtained, and a suitable electro-optical device can be provided.
[0009]
An electro-optical device according to the present invention is the electro-optical device described above, wherein the electrode has acid resistance.
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a suitable electro-optical device because the same effect as the electro-optical device described above can be obtained and the anode has acid resistance.
[0010]
The electro-optical device of the present invention is the electro-optical device described above, wherein the hole transport layer is obtained by adding polystyrene sulfonic acid to a polythiophene derivative.
Therefore, according to the present invention, the same effects as those of the electro-optical device described above can be obtained, and a polythiophene derivative added with polystyrene sulfonic acid as a dopant for forming a hole transport layer, that is, PEDOT: PSS Therefore, a suitable electro-optical device can be provided.
[0011]
Further, the electro-optical device manufacturing method of the present invention is the electro-optical device manufacturing method described above, in which the light-emitting layer and the hole transport layer are formed between the opposing electrodes. In the manufacturing method, at least one of the electrodes is formed with indium tin oxide in the actual display region and the dummy region, and the hole transport layer in which polystyrene sulfonic acid is added to the polythiophene derivative is formed. And controlling the solubility of the one electrode with respect to the polystyrene sulfonic acid added to the hole transport layer. Therefore, UV-ozone is used for 20 to 120 minutes in a temperature range of 100 to 300 ° C. using ultraviolet rays having a wavelength of 175 nm to 254 nm. And a step of applying the treatment to the one electrode.
The electro-optical device manufacturing method of the present invention further includes a light emitting layer and a hole transport layer formed between opposing electrodes, at least one of the electrodes, the light emitting layer, and the hole transport layer. In the method of manufacturing an electro-optical device having a bank having an opening formed with at least one of the electrodes made of indium tin oxide, and the polythiophene derivative added with polystyrene sulfonic acid A step of forming a hole transport layer; and controlling solubility of the one electrode with respect to the polystyrene sulfonic acid added to the hole transport layer and suppressing damage to the bank by plasma. Therefore, UV-ozone is used for 20 to 120 minutes in a temperature range of 100 to 300 ° C. using ultraviolet rays having a wavelength of 175 nm to 254 nm. And a step of applying the treatment to the one electrode.
In UV-ozone treatment, UV wavelength is a process parameter 175 nm to 254 nm , Irradiation time For 20-120 minutes , Substrate temperature To 100-300 ° C Set ,purple By irradiating the electrode with an external line, the physical properties of the surface of the electrode can be changed, and the dissolution resistance to the hole transport layer can be increased.
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a suitable electro-optical device while achieving the same effects as the electro-optical device described above.
[0012]
The electro-optical device manufacturing method of the present invention is the electro-optical device manufacturing method described above, wherein the hole transport layer is formed by a spin coating method.
Here, the spin coating method is a method in which a base material is fixed to a support portion called a spinner capable of rotating at high speed, and this is rotated, and a solution of a liquefied material is dropped at the center of the rotating base material, and centrifugal force is applied. Is a method for uniformly forming a uniform layer on a substrate. In addition, it includes a step of fixing the material by evaporating the solvent or liquid contained in the material solution by drying the substrate.
In addition, liquefaction means making into a liquid state by including a predetermined material in the liquid which can be evaporated or volatilized. Therefore, for example, it includes dissolving a material in a solvent to form a liquid, and dispersing the material in a liquid to form a liquid. In the latter case, the material may be formed as a powder, or may be crushed into pieces. Moreover, as long as it can be manufactured by a material discharge method, it may be liquefied by taking other forms.
Therefore, according to the present invention, the same effect as the electro-optical device described above can be obtained, and the liquefied hole transport layer material can be formed by the above spin coating method. Can be provided.
[0013]
The electro-optical device manufacturing method of the present invention is the electro-optical device manufacturing method described above, wherein the hole transport layer is formed by performing a material discharge method. It is.
Here, the material discharge method is to fill the discharge head with liquefied material ink, face the discharge head and the substrate, and discharge the material ink while relatively moving the discharge head and the substrate. A desired pattern is formed. In addition, a step of evaporating the solvent or liquid contained in the material ink by drying the base material to fix the material, a step of applying a plasma treatment to the base material in advance to make the ink lyophobic or repelling ink Since this is a process related to the material discharge method, it includes such a series of processes.
Therefore, according to the present invention, the same effect as the electro-optical device described above can be obtained, and the liquefied hole transport layer material is ejected by the material ejection method described above, so that a pattern is formed. Waste of the material and manufacturing process of forming a uniform layer film and then partially removing the layer film to form a pattern is reduced, manufacturing becomes easy, and manufacturing cost can be reduced.
[0014]
Next, an electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical device according to the present invention.
Examples of such electronic devices include information processing devices such as mobile phones, mobile information terminals, watches, word processors, and personal computers. Thus, by employing the display device of the present invention for the display unit of an electronic device, a suitable electronic device can be provided.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of an electro-optical device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus according to the invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that such an embodiment shows one aspect of the present invention, and is not intended to limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. In each of the drawings shown below, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable on the drawing.
[0016]
[First Embodiment]
As a first embodiment of the electro-optical device of the present invention, an EL display device using an electroluminescent material, particularly an organic electroluminescence (EL) material, which is an example of an electro-optical material will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring structure of an EL display device according to this embodiment.
[0017]
An EL display device (electro-optical device) 1 shown in FIG. 1 is an active matrix EL display device using thin film transistors (hereinafter abbreviated as TFTs) as switching elements.
[0018]
As shown in FIG. 1, the EL display device 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction perpendicular to the scanning lines 101, and parallel to each signal line 102. And a plurality of power supply lines 103 extending in parallel to each other, and pixel regions X are provided near intersections of the scanning lines 101 and the signal lines 102.
[0019]
A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102. Further, a scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.
[0020]
Further, in each pixel region X, a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a storage capacitor for holding a pixel signal shared from the signal line 102 via the switching TFT 112. 113, a driving TFT 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode, and a driving current from the power supply line 103 when electrically connected to the power supply line 103 via the driving TFT 123 And a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 23 and the cathode (electrode) 50 are provided. The pixel electrode 23, the cathode 50, and the functional layer 110 constitute a light emitting element.
[0021]
According to the EL display device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113, and according to the state of the holding capacitor 113. The on / off state of the driving TFT 123 is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 23 through the channel of the driving TFT 123, and further current flows to the cathode 50 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.
[0022]
Next, specific modes of the EL display device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the EL display device 1. 3 is a cross-sectional view taken along line AB in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line CD in FIG. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the main part of FIG.
[0023]
The EL display device 1 according to the present embodiment shown in FIG. 2 includes a substrate 20 having optical transparency and electrical insulation, and pixel electrodes connected to a switching TFT (not shown) arranged in a matrix on the substrate 20. A pixel electrode region (not shown), a power supply line 103 arranged around the pixel electrode region and connected to each pixel electrode, and a pixel portion 3 having a substantially rectangular shape in plan view located at least on the pixel electrode region (FIG. Medium one-dot chain line frame). In addition, the pixel unit 3 includes a real display area 4 (within the two-dot chain line frame in the drawing) in the center part, and a dummy area 5 (area between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the real display area 4. It is divided into.
[0024]
In the actual display area 4, display areas R, G, and B each having a pixel electrode are arranged apart from each other in the AB direction and the CD direction.
Further, scanning line driving circuits 80 and 80 are arranged on both sides of the actual display area 4 in the drawing. The scanning line driving circuits 80 and 80 are provided below the dummy area 5.
[0025]
Further, an inspection circuit 90 is arranged on the upper side of the actual display area 4 in the figure. The inspection circuit 90 is provided below the dummy area 5. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the EL display device 1 and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting inspection results to the outside. It is configured to be able to inspect quality and defects.
[0026]
The driving voltages of the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied from a predetermined power supply unit via the driving voltage conducting unit 310 (see FIG. 3) and the driving voltage conducting unit 340 (see FIG. 4). The drive control signals and drive voltages to the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 are supplied from a predetermined main driver that controls the operation of the EL display device 1 and the drive control signal conduction unit 320 (see FIG. 3) and Transmission and application are performed via the drive voltage conduction unit 350 (see FIG. 4). The drive control signal in this case is a command signal from a main driver or the like related to control when the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 output signals.
[0027]
As shown in FIGS. 3 and 4, the EL display device 1 includes a substrate 20 and a sealing substrate 30 bonded together with a sealing resin 40 interposed therebetween. In a region surrounded by the substrate 20, the sealing substrate 30 and the sealing resin 40, a desiccant 45 is inserted and a nitrogen gas filling layer 46 filled with nitrogen gas is formed. This prevents the penetration of the EL display device 1 into the EL display device 1 and extends the life of the EL display device.
A getter agent may be used in place of the desiccant 45.
[0028]
In the case of a so-called top emission type EL display device, the substrate 20 is configured to extract emitted light from the sealing substrate 30 side, which is the opposite side of the substrate 20, so that both a transparent substrate and an opaque substrate are used. Can do. Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin and a thermoplastic resin in addition to a ceramic sheet such as alumina and a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation.
In the case of a so-called back emission type EL display device, since the emitted light is extracted from the substrate 20 side, a transparent or translucent substrate 20 is employed. For example, glass, quartz, resin (plastic, plastic film) and the like can be mentioned. In particular, an inexpensive soda glass substrate is preferably used.
[0029]
As the sealing substrate 30, for example, a plate-like member having electrical insulation can be adopted. The sealing resin 40 is made of, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin, and is preferably made of an epoxy resin that is a kind of thermosetting resin.
[0030]
Further, on the substrate 20, a circuit unit 11 including a driving TFT 123 for driving the pixel electrode 23 is formed, and a functional layer 110 is provided thereon. As shown in FIG. 5, the functional layer 110 includes a pixel electrode 23, a hole injection / transport layer (hole transport layer) 70 that injects and transports holes from the pixel electrode 23, and one of electro-optic materials. An organic EL layer (light emitting layer) 60 including the organic EL material, an electron injection layer 52 for injecting electrons into the organic EL layer 60, and a cathode 50 are formed in this order.
[0031]
The pixel electrode 23 is composed of a transparent conductive film such as ITO, and injects holes toward the organic EL layer 60 by an applied voltage, and has a high work function and conductivity. The material for forming the pixel electrode 23 is not limited to ITO, and in the case of a so-called top emission type EL display device, it is not particularly necessary to use a material having light transmittance, and a suitable material. If it is. In the case of a so-called back emission type EL display device, a known material having optical transparency can be used. For example, metal oxide can be cited, but indium tin oxide (ITO) or a material containing zinc (Zn) in the metal oxide, for example, indium oxide / zinc oxide based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / I z O (registered trademark)) (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) can be employed.
Further, the surface of the pixel electrode 23 is subjected to UV-ozone treatment or O2 plasma treatment to control the solubility in an acidic solution used when forming the hole injection / transport layer 70, and to have desired acid resistance and dissolution. Sex is obtained.
[0032]
As a material for forming the hole injection / transport layer 70, for example, a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, or a doped body thereof can be employed. More specifically, for example, Vitron-p (Bytron-p: manufactured by Bayer), which is a kind of PEDOT: PSS, can be preferably used. When the hole injection / transport layer 70 is formed using PEDOT: PSS, a dispersion solution having an acidity of ph 4 or less obtained by adding a solvent capable of evaporation or volatilization to PEDOT: PSS is applied to a spin coating method or an inkjet method ( The hole injecting / transporting layer 70 is formed by applying or discharging onto the pixel electrode 23 by a material discharging method and further performing a drying process to evaporate the solvent.
[0033]
As a material for forming the organic EL layer 60, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence can be used. Specifically, (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethyl Polysilanes such as phenylsilane (PMPS) are preferably used.
In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, A low molecular material such as quinacridone can be used after being doped.
[0034]
The electron injection layer 52 plays a role of injecting electrons into the organic EL layer 60. The material for forming the electron injection layer 52 is not particularly limited, and an oxadiazole derivative, anthraquinodimethane and its derivative, benzoquinone and Examples thereof include naphthoquinone and derivatives thereof, anthraquinone and derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane and derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, and metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof. The Specifically, as with the material for forming the hole transport layer, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-209888 are disclosed. And the like described in JP-A-3-379992 and 3-152184, particularly 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4. -Oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum are preferred.
[0035]
As shown in FIGS. 3 to 4, the cathode 50 has an area larger than the total area of the actual display region 4 and the dummy region 5 and is formed so as to cover each. The cathode 50 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 60 as a counter electrode of the pixel electrode 23, and is made of a material having a low work function.
As a material for forming the cathode 50, for example, calcium metal or an alloy containing calcium as a main component is laminated on the organic EL layer 60 side to form a first cathode layer, and aluminum or an alloy containing aluminum as a main component is formed thereon. Alternatively, a laminate in which silver or a silver-magnesium alloy or the like is laminated to form the second cathode layer can be employed. The second cathode layer covers the first cathode layer and is provided to protect from a chemical reaction with oxygen, moisture, etc., and to increase the conductivity of the cathode 50. Therefore, it is chemically stable, has a low work function, may have a single layer structure, and is not limited to a metal material. Further, as a material for forming a so-called top emission type EL display device, ITO is suitably employed as a known material having transparency. Other transparent metals that contain zinc (Zn) in metal oxides, such as indium oxide / zinc oxide amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO) Trademark)) (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) and the like.
[0036]
Next, a configuration in the vicinity of the driving TFT 123 provided in the actual display region 4 will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a cross section of the pixel region X along the direction AB in FIG.
As shown in FIG. 5, the surface of the substrate 20 has SiO 2 2 The base protective layer 281 mainly composed of is used as a base, and a silicon layer 241 is formed thereon. The surface of this silicon layer 241 is made of SiO. 2 And / or a gate insulating layer 282 mainly composed of SiN. In the present specification, the “main component” refers to the component having the highest content ratio among the constituent components.
[0037]
In the silicon layer 241, a region overlapping with the gate electrode 242 with the gate insulating layer 282 interposed therebetween is a channel region 241a. The gate electrode 242 is a part of the scanning line 101 (not shown). On the other hand, the surface of the gate insulating layer 282 covering the silicon layer 241 and having the gate electrode 242 formed thereon is made of SiO 2 2 Is covered with a first interlayer insulating layer 283.
[0038]
Further, in the silicon layer 241, a low concentration source region 241b and a high concentration source region 241S are provided on the source side of the channel region 241a, while a low concentration drain region 241c and a high concentration drain region are provided on the drain side of the channel region 241a. 241D is provided to form a so-called LDD (Light Doped Drain) structure. Among these, the high-concentration source region 241S is connected to the source electrode 243 through a contact hole 243a that opens over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283. The source electrode 243 is configured as a part of the above-described power supply line 103 (see FIG. 1, extending in the direction perpendicular to the paper surface at the position of the source electrode 243 in FIG. 5). On the other hand, the high-concentration drain region 241D is connected to the drain electrode 244 made of the same layer as the source electrode 243 through a contact hole 244a that opens through the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283.
[0039]
The upper layer of the first interlayer insulating layer 283 on which the source electrode 243 and the drain electrode 244 are formed is covered with a second interlayer insulating layer 284 mainly composed of, for example, an acrylic resin component. The second interlayer insulating layer 284 is made of a material other than an acrylic insulating film, for example, SiN, SiO. 2 Etc. can also be used. A pixel electrode 23 made of ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the surface of the second interlayer insulating layer 284, and a drain electrode is provided through a contact hole 23a provided in the second interlayer insulating layer 284. 244. That is, the pixel electrode 23 is connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241 through the drain electrode 244.
[0040]
Note that TFTs (driving circuit TFTs) included in the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90, that is, N-channel type or P-channel type TFTs constituting an inverter included in the shift register among these driving circuits, for example. The structure is the same as that of the driving TFT 123 except that it is not connected to the pixel electrode 23.
[0041]
The surface of the second interlayer insulating layer 284 on which the pixel electrode 23 is formed is connected to the pixel electrode 23 and, for example, SiO 2 2 Are covered with a lyophilic control layer 25 mainly composed of a lyophilic material, and an organic bank layer 221 made of acrylic or polyimide. In the pixel electrode 23, the hole injection / transport layer 70 and the organic EL layer 60 are formed inside the opening 25 a provided in the lyophilic control layer 25 and the opening 221 a provided in the organic bank 221. Are stacked in this order from the pixel electrode 23 side. In addition, “lyophilic” of the lyophilic control layer 25 in this embodiment means that the lyophilic property is higher than at least materials such as acrylic and polyimide constituting the organic bank layer 221. .
The layers from the substrate 20 to the second interlayer insulating layer 284 described above constitute the circuit unit 11.
[0042]
Further, in the EL display device 1 of the present embodiment, each organic EL layer 60 is formed so that the emission wavelength band corresponds to the three primary colors of light in order to perform color display. For example, as the organic EL layer 60, a red organic EL layer 60R whose emission wavelength band corresponds to red, a green organic EL layer 60G corresponding to green, and a blue organic EL layer 60B corresponding to blue correspond to each. One pixel is provided in the display areas R, G, and B, and performs color display using these display areas R, G, and B. In addition, a BM (black matrix) (not shown) in which metallic chromium is formed by sputtering or the like is positioned between the organic bank layer 221 and the lyophilic control layer 25 at the boundary of each color display region. Has been.
[0043]
In the EL display device 1 configured as described above, the surface of the pixel electrode 23 is controlled in solubility in the PEDOT: PSS dispersion solution used when the hole injection / transport layer 70 is formed. When the pixel electrode 23 and the dispersion solution are in contact with each other, an erosion reaction occurs at the interface between the pixel electrode 23 and the acidic solution, and indium and tin are ionized from the ITO, and the indium ions and tin ions are in the PEDOT: PSS dispersion solution. Uniformly diffuse at a predetermined concentration. When the substrate 20 is dried in this state, the solvent in the PEDOT: PSS dispersion solution evaporates, and the hole injection / transport layer 70 made of PEDOT: PSS or the like having a predetermined concentration of indium and tin atoms. Is formed. In this way, the pixel electrode 23 and the hole injection / transport layer 70 are intertwined and in close contact with each other, and a unified state is obtained. Thus, suitable conductivity for the hole injection / transport layer 70 is obtained, and the organic EL layer is preferably formed. Hole injection and hole transport to 60 are performed, and holes and electrons are combined in the organic EL layer 60 to generate emission light.
[0044]
Next, an example of a method for manufacturing the EL display device 1 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. Each of the cross-sectional views shown in FIGS. 6 to 10 corresponds to the cross-sectional view taken along the line AB in FIG. 2 and is shown in the order of each manufacturing process.
[0045]
First, as shown in FIG. 6A, a base protective layer 281 is formed on the surface of the substrate 20. Next, after an amorphous silicon layer 501 is formed on the base protective layer 281 using an ICVD method, a plasma CVD method, or the like, crystal grains are grown by a laser annealing method or a rapid heating method to form a polysilicon layer.
[0046]
Next, as shown in FIG. 6B, the polysilicon layer is patterned by a photolithography method to form island-like silicon layers 241, 251 and 261. Among these, the silicon layer 241 is formed in the display region and constitutes a driving TFT 123 connected to the pixel electrode 23, and the silicon layers 251 and 261 are P-channel type included in the scanning line driving circuit 80. And N-channel type TFTs (driving circuit TFTs).
[0047]
Next, a gate insulating layer 282 is formed of a silicon oxide film having a thickness of about 30 nm to 200 nm on the entire surface of the silicon layers 241, 251 and 261, and the base protective layer 281 by plasma CVD, thermal oxidation, or the like. Here, when the gate insulating layer 282 is formed using a thermal oxidation method, the silicon layers 241, 251 and 261 are also crystallized, and these silicon layers can be made into polysilicon layers.
[0048]
In addition, when channel doping is performed on the silicon layers 241, 251 and 261, for example, about 1 × 10 10 at this timing. 12 cm -2 Boron ions are implanted at a dose of. As a result, the silicon layers 241, 251 and 261 have an impurity concentration (calculated by the impurities after activation annealing) of about 1 × 10. 17 cm -3 This is a low concentration P-type silicon layer.
[0049]
Next, an ion implantation selection mask is formed in part of the channel layer of the P-channel TFT and the N-channel TFT, and in this state, phosphorus ions are about 1 × 10 15 cm -2 Ion implantation is performed with a dose amount of. As a result, high concentration impurities are introduced into the patterning mask in a self-aligned manner, and as shown in FIG. 6C, the high concentration source regions 241S and 261S and the high concentration drain region are formed in the silicon layers 241 and 261. 241D and 261D are formed.
[0050]
Next, as shown in FIG. 6C, a gate electrode forming conductive layer 502 made of a metal film such as doped silicon, a silicide film, or an aluminum film, a chromium film, or a tantalum film is formed on the entire surface of the gate insulating layer 282. Form. The thickness of the conductive layer 502 is approximately 500 nm. Thereafter, as shown in FIG. 6D, a gate electrode 252 for forming a P-channel type driving circuit TFT, a gate electrode 242 for forming a pixel TFT, and an N-channel type driving circuit TFT are formed by patterning. A gate electrode 262 to be formed is formed. Further, the drive control signal conducting portion 320 (350) and the first layer 121 of the cathode power supply wiring are also formed at the same time. In this case, the drive control signal conducting portion 320 (350) is disposed in the dummy region 5.
[0051]
Subsequently, as shown in FIG. 6 (d), the gate electrodes 242, 252 and 262 are used as a mask, and phosphorus ions are about 4 × 10 4 with respect to the silicon layers 241, 251 and 261. 13 cm -2 Ion implantation is performed with a dose amount of. As a result, low-concentration impurities are introduced in a self-aligned manner into the gate electrodes 242, 252 and 262, and as shown in FIGS. 7C and 7D, the low-concentration source region 241b is formed in the silicon layers 241 and 261. 261b and lightly doped drain regions 241c and 261c are formed. In addition, low concentration impurity regions 251S and 251D are formed in the silicon layer 251.
[0052]
Next, as shown in FIG. 7E, an ion implantation selection mask 503 that covers a portion other than the P-channel type driver circuit TFT 252 is formed. Using this ion implantation selection mask 503, boron ions are implanted into the silicon layer 251 by about 1.5 × 10 5. 15 cm -2 Ion implantation is performed with a dose amount of. As a result, since the gate electrode 252 constituting the TFT for the P-channel type drive circuit also functions as a mask, the silicon layer 252 is doped with a high concentration impurity in a self-aligning manner. Accordingly, the low-concentration impurity regions 251S and 251D are counter-doped and become source and drain regions of a P-type channel type driving circuit TFT.
[0053]
Next, as shown in FIG. 7F, a first interlayer insulating layer 283 is formed over the entire surface of the substrate 20, and the first interlayer insulating layer 283 is patterned by using a photolithography method to thereby form each TFT. A contact hole C is formed at a position corresponding to the source electrode and the drain electrode.
[0054]
Next, as shown in FIG. 7G, a conductive layer 504 made of a metal such as aluminum, chromium, or tantalum is formed so as to cover the first interlayer insulating layer 283. The thickness of the conductive layer 504 is approximately 200 nm to 800 nm. Thereafter, in the conductive layer 504, a region 240a where the source electrode and the drain electrode of each TFT are to be formed, a region 310a where the driving voltage conducting portion 310 (340) is to be formed, and a second layer of the cathode power supply wiring are formed. A patterning mask 505 is formed so as to cover the region 122a to be formed, and the conductive layer 504 is patterned so that the source electrodes 243, 253, 263, and the drain electrodes 244, 254, 264 shown in FIG. Form.
[0055]
Next, as shown in FIG. 8I, a second interlayer insulating layer 284 that covers the first interlayer insulating layer 283 on which these are formed is formed of a polymer material such as an acrylic resin. The second interlayer insulating layer 284 is preferably formed to a thickness of about 1 to 2 μm. SiN, SiO 2 It is also possible to form a second interlayer insulating film by using a SiN film thickness of 200 nm, SiO 2 2 The film thickness is desirably 800 nm.
[0056]
Next, as shown in FIG. 8J, a portion of the second interlayer insulating layer 284 corresponding to the drain electrode 244 of the driving TFT is removed by etching to form a contact hole 23a.
Thereafter, a transparent conductive film made of a transparent electrode material such as ITO is formed so as to cover the entire surface of the substrate 20, and the transparent electrode material is subjected to UV-ozone treatment. The solubility in an acidic solution used when forming the injection / transport layer 70 is controlled.
Here, in the UV-ozone treatment, a substrate having electrodes is heated to a predetermined temperature in a container supplied with O2 and maintained at a predetermined pressure, and the substrate has a temperature of 175 nm to 254 nm. Irradiation with ultraviolet light having a wavelength in the range activates O2 to generate ozone, which removes impurities such as organic substances on the electrode and promotes the cleaning effect and changes the physical properties of the electrode surface It is.
In the UV-ozone treatment of the present embodiment, the substrate heated to 300 ° C. is irradiated with ultraviolet rays for 2 hours using a UV irradiation apparatus equipped with a lamp that emits ultraviolet rays having wavelengths of 185 nm and 254 nm, and further O 2 By adjusting the conditions such as the gas supply amount and the power amount of the ultraviolet lamp, the solubility of the PEDOT: PSS in the dispersion solution when forming the pixel electrode 23 is controlled, and desired acid resistance and solubility can be obtained.
Thereby, it becomes possible to form the surface of the pixel electrode 23 having desired acid resistance.
[0057]
Further, by patterning this transparent conductive film with a photoresist, as shown in FIG. 9 (k), a pixel electrode 23 that is electrically connected to the drain electrode 244 through the contact hole 23a of the second interlayer insulating layer 284 is formed. At the same time, a dummy pattern 26 in the dummy region is also formed. In FIGS. 3 and 4, the pixel electrode 23 and the dummy pattern 26 are collectively referred to as the pixel electrode 23.
The dummy pattern 26 is configured not to be connected to the lower metal wiring via the second interlayer insulating layer 284. That is, the dummy pattern 26 is arranged in an island shape and has substantially the same shape as the shape of the pixel electrode 23 formed in the actual display region. Of course, the structure may be different from the shape of the pixel electrode 23 formed in the display region. In this case, the dummy pattern 26 includes at least one located above the drive voltage conducting portion 310 (340).
[0058]
Next, as shown in FIG. 9L, a lyophilic control layer 25 as an insulating layer is formed on the pixel electrode 23, the dummy pattern 26, and the second interlayer insulating film. In the pixel electrode 23, the lyophilic control layer 25 is formed so as to partially open, and holes can be transferred from the pixel electrode 23 in the opening 25a (see also FIG. 3). On the contrary, in the dummy pattern 26 in which the opening 25a is not provided, the insulating layer (lyophilic control layer) 25 serves as a hole movement shielding layer and does not cause hole movement.
[0059]
Next, as shown in FIG. 9L, in the lyophilic control layer 25, a BM is formed in a concave portion formed between two different pixel electrodes 23. Specifically, a film is formed on the concave portion of the lyophilic control layer 25 by sputtering using metallic chromium.
[0060]
Next, as shown in FIG. 9 (m), an organic bank layer 221 is formed so as to cover a predetermined position of the lyophilic control layer 25, specifically, the BM. As a specific method for forming an organic bank layer, for example, an organic layer is formed by applying a resist such as an acrylic resin or a polyimide resin dissolved in a solvent by various coating methods such as a spin coating method or a dip coating method. . The constituent material of the organic layer may be any material as long as it does not dissolve in the ink solvent described later and is easily patterned by etching or the like.
[0061]
Next, the organic layer is simultaneously etched by a photolithography technique or the like to form a bank opening 221a of an organic substance, and an organic bank layer 221 having a wall surface in the opening 221a is formed. In this case, the organic bank layer 221 includes at least one located above the drive control signal conducting unit 320.
[0062]
Next, a region showing lyophilicity and a region showing liquid repellency are formed on the surface of the organic bank layer 221. In the present embodiment, each region is formed by a plasma treatment process. Specifically, the plasma treatment process includes a preheating process, and the upper surface of the organic bank layer 221, the wall surface of the opening 221a, the electrode surface 23c of the pixel electrode 23, and the upper surface of the lyophilic control layer 25 are made lyophilic. An ink repellent process, an ink repellent process for making the upper surface of the organic bank layer and the wall surface of the opening liquid repellent, and a cooling process.
[0063]
That is, the base material (substrate 20 including a bank or the like) is heated to a predetermined temperature, for example, about 70 to 80 ° C., and then plasma treatment using oxygen as a reaction gas (O 2 Plasma treatment) is performed. Next, as an ink repellent process, plasma treatment using CF 4 as a reactive gas (CF Four Plasma treatment) is performed, and then the substrate heated for the plasma treatment is cooled to room temperature, whereby lyophilicity and liquid repellency are imparted to predetermined locations.
[0064]
This CF Four In the plasma processing, the electrode surface 23c of the pixel electrode 23 and the lyophilic control layer 25 are also somewhat affected, but ITO that is a material of the pixel electrode 23 and SiO that is a constituent material of the lyophilic control layer 25. 2 TiO 2 And the like have poor affinity for fluorine, so that the hydroxyl group imparted in the lyophilic step is not substituted with the fluorine group, and the lyophilic property is maintained.
[0065]
Next, a hole injection / transport layer forming step is performed to form the hole injection / transport layer 70 shown in FIG. In the hole injection / transport layer forming step, a material ink containing a hole injection / transport layer material is ejected onto the electrode surface 23c by an ink jet method, and then a drying process is performed to form a hole injection / transport layer on the electrode 23. 70 is formed. In addition, it is preferable to carry out after this hole injection / transport layer formation process in inert gas atmosphere, such as nitrogen atmosphere and argon atmosphere, in order to prevent the oxidation of the hole injection / transport layer 70 and the organic EL layer 60.
According to such an ink jet method, a discharge head (not shown) is filled with a material ink containing PEDOT: PSS, which is a material of the hole injection / transport layer 70, and the discharge nozzle of the discharge head is used as a lyophilic control layer. A liquid in which the amount of liquid per droplet is controlled from the discharge nozzle while moving the discharge head and the base material (substrate 20) relative to the electrode surface 23c positioned in the opening 25a formed in 25. A droplet is discharged to the electrode surface 23c. Next, the hole injection / transport layer 70 is formed by drying the discharged droplets to evaporate the polar solvent contained in the material ink.
As the material ink, for example, PEDOT: PSS dissolved in a polar solvent such as isopropyl alcohol can be used. Here, the discharged liquid droplets spread on the electrode surface 23c that has been subjected to the lyophilic ink, and are filled in the opening 25a of the lyophilic control layer 25. On the other hand, droplets are repelled and do not adhere to the upper surface of the organic bank layer 221 that has been subjected to ink repellent treatment. Therefore, even if the liquid droplet is deviated from the predetermined discharge position and discharged onto the upper surface of the organic bank layer 221, the upper surface is not wetted by the liquid droplet, and the repelled liquid droplet is opened in the lyophilic control layer 25. Roll into part 25a.
[0066]
Next, as shown in FIG. 10 (n), a light emitting layer forming step is performed to form the organic EL layer 60. In the light emitting layer forming step, a material ink containing a light emitting layer material was ejected onto the hole injection / transport layer 70 by the same inkjet method as described above, and then dried and heat-treated to form the organic bank layer 221. An organic EL layer 60 is formed in the opening 221a.
[0067]
In the light emitting layer forming step, a non-polar solvent that is insoluble in the hole injecting / transporting layer 70 is used as a solvent for the material ink used in forming the light emitting layer in order to prevent re-dissolution of the hole injecting / transporting layer 70. Is used.
In this light emitting layer forming step, for example, a discharge head (not shown) is filled with material ink containing the material of the blue (B) light emitting layer, and the discharge nozzle of the discharge head is used as an insulating layer (lyophilic control layer) 25. Opposite to the hole injecting / transporting layer 70 located in the opening 25a, and while discharging the discharge head and the base material relative to each other, the liquid is discharged from the discharge nozzle as a liquid with a controlled liquid amount, This droplet is discharged onto the hole injection / transport layer 70.
[0068]
The ejected droplet spreads on the hole injection / transport layer 70 and fills the opening 25 a of the lyophilic control layer 25. On the other hand, on the upper surface of the organic bank layer 221 subjected to the ink repellent treatment, the droplets are repelled and do not adhere. As a result, even if the liquid droplet is deviated from the predetermined discharge position and is discharged onto the upper surface of the organic bank layer 221, the upper surface is not wetted by the liquid droplet, and the liquid droplet is opened in the opening portion 25a of the lyophilic control layer 25. It rolls in and is discharged and filled into the opening 221a of the organic bank layer 221. Next, by drying the discharged droplets, the nonpolar solvent contained in the material ink is evaporated, and the organic EL layer 60 is formed. Note that droplets are dropped on the organic EL layers 60 of the respective colors corresponding to the color display regions R, G, and B, respectively.
[0069]
Here, the hole injection / transport layer 70 and the organic EL layer 60 are each formed by an inkjet process. At this time, the ejection head controls the tilt direction by the pitch between the light emitting dots.
[0070]
Next, as shown in FIG. 10 (n), an electron injection layer forming step is performed to form an electron injection layer 52 on the organic EL layer 60, and an evaporation method is used in this step.
Here, the vapor deposition method is a method of forming a thin film by evaporating a metal in a vacuum vessel maintained at a predetermined temperature and pressure and depositing metal molecules on a desired substrate to form a high-quality thin film. It is a method for easily forming a thin film of nanometer order. By this vapor deposition method, the electron injection layer 52 is formed in a predetermined film thickness.
[0071]
Subsequently, as shown in FIG. 10 (o), a cathode layer forming step is performed to form the cathode 50. As the material of the cathode 50, in the case of a so-called back emission type EL display device, Al is preferably adopted, and other than Al, for example, a cathode material such as Ag, Mg-Ag alloy can be used. In the case of a top emission type EL display device, a transparent material such as ITO can be preferably used. The cathode 50 is formed by a sputtering method.
[0072]
Finally, as shown in FIG. 10 (o), a sealing process is performed to form the sealing substrate 30. In this sealing step, the sealing substrate 30 and the substrate 20 are sealed with the adhesive 40 while the desiccant 45 is inserted inside the sealing substrate 30. In addition, it is preferable to perform this sealing process in inert gas atmosphere, such as nitrogen, argon, and helium.
[0073]
According to the EL display device 1 of the present embodiment, the solubility of the surface of the pixel electrode 23 in the dispersion solution of PEDOT: PSS used when forming the hole injection / transport layer 70 is controlled, and desired acid resistance and Since the solubility is obtained, the light emitting layer emits light well, the deterioration of the light emission characteristics due to the dissolution of the anode is suppressed, and it is possible to maintain the luminance of the light emitting substance and extend the life of the electro-optical device. There is an advantage that you can.
Moreover, since the solubility with respect to this dispersion solution is controlled by setting various conditions of the UV-ozone treatment, there is an advantage that a suitable electro-optical device can be provided.
Further, there is an advantage that a back emission type EL display device or a top emission type EL display device can be provided by using a transparent electrode.
In addition, since the hole injection / transport layer 70 is formed by PEDOT: PSS using an inkjet method, a suitable electro-optical device can be provided, and waste of materials and manufacturing processes can be reduced and manufacturing can be performed. There is an advantage that the manufacturing cost can be reduced.
[0074]
Next, a modification of this embodiment will be described.
In this modification, in the manufacturing method of the EL display device 1 described above, the hole injection / transport layer 70 is formed by a spin coating method, and the other processes are the same as the manufacturing method described above.
[0075]
In this spin coating method, a base material is fixed to a support portion called a spinner capable of rotating at high speed, and this is rotated, and a liquefied material solution is dropped at the center of the rotating base material, and centrifugal force is used. Thus, a uniform layer is uniformly formed on the substrate. In addition, it includes a step of fixing the material by evaporating the solvent or liquid contained in the material solution by drying the substrate.
[0076]
Using this spin coating method, the substrate 20 is fixed to a spinner, rotated, and a dispersion of PEDOT: PSS used for forming the hole injection / transport layer 70 in the center of the substrate 20 is dropped, and the dropped dispersion is added. The solution is formed uniformly on the pixel electrode 23 by centrifugal force, and has an advantage that the hole injection / transport layer 70 can be formed by performing a drying process.
By using the spin coating method in this way, there is an advantage that an electro-optical device having the same effect as described above can be provided.
[0077]
[Second Embodiment]
Next, an EL display device 1 as a second embodiment of the electro-optical device of the invention will be described. In this embodiment, instead of the UV-ozone treatment described in the first embodiment, an O 2 plasma treatment is performed, and the rest has the same configuration and the same manufacturing method. In the following, description of common parts will be omitted with the same reference numerals.
[0078]
Here, the O2 plasma treatment is a parallel plate electrode provided in a container in which a substrate on which an electrode is formed is maintained at a predetermined temperature in a container supplied with O2 and maintained at a predetermined pressure. Plasma is generated by high-frequency power applied to the antenna, etc., and O2 is excited and decomposed, which removes impurities such as organic substances on the electrode and promotes the cleaning effect and changes the physical properties of the electrode surface. is there.
[0079]
In such O2 plasma processing, dissolution of the pixel electrode 23 in the PEDOT: PSS dispersion solution is performed by setting the internal pressure of the container, the substrate temperature, the amount of high frequency power, the amount of O2 gas supplied, the processing time, and the like. Sex is controlled. Accordingly, it is possible to form the surface of the pixel electrode 23 having desired acid resistance and solubility, and there is an advantage that it is possible to provide an electro-optical device that exhibits the same effect as described above.
[0080]
[Third Embodiment]
Next, an EL display device 1 as a third embodiment of the electro-optical device of the invention will be described. The UV-ozone treatment described in the first embodiment is performed after the transparent conductive film is formed so as to cover the entire surface of the substrate 20, but the UV-ozone treatment of the present embodiment is performed on the organic bank layer 221. It is applied after the formation, and the others have the same configuration and perform the same manufacturing method. In the following, description of common parts will be omitted with the same reference numerals.
[0081]
In this embodiment, after forming the organic bank layer 221 as shown in FIG. 9 (m), the UV-ozone treatment is performed, and the solubility of the pixel electrode 23 in the PEDOT: PSS dispersion solution is controlled. The surface of the pixel electrode 23 having acid resistance can be formed, and damage to the organic bank 221 by the O 2 plasma treatment can be suppressed. Further, there is an advantage that an electro-optical device that exhibits the same effect as described above can be provided.
[0082]
[Fourth Embodiment]
Next, an EL display device 1 as a fourth embodiment of the electro-optical device of the invention will be described. The UV-ozone treatment described in the first embodiment is performed after a transparent conductive film is formed so as to cover the entire surface of the substrate 20, but the UV-ozone treatment of the present embodiment patterns the pixel electrode 23. The others are applied after being formed, and the others are provided with the same configuration and perform the same manufacturing method. In the following, description of common parts will be omitted with the same reference numerals.
[0083]
In the present embodiment, after the pixel electrode 23 is formed as shown in FIG. 9 (k), the UV-ozone treatment is performed to control the solubility of the pixel electrode 23 in the PEDOT: PSS dispersion solution and to achieve a desired acid resistance. There is an advantage that the surface of the pixel electrode 23 having the characteristics can be formed and an electro-optical device having the same effects as described above can be provided.
Further, compared with the case where the UV-ozone treatment is performed before the patterning of the electrode 23 as described in the first embodiment, it is not necessary to etch the transparent conductive film that has been subjected to the UV-ozone treatment. In addition, there is an advantage that desired patterning can be performed.
[0084]
[Fifth Embodiment]
Hereinafter, a specific example of an electronic apparatus including the EL display device according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 11A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 11A, reference numeral 1000 denotes a mobile phone body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the EL display device.
FIG. 11B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 11B, reference numeral 1100 indicates a watch body, and reference numeral 1101 indicates a display unit using the EL display device.
FIG. 11C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 11C, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1201 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1202 denotes a display unit using the EL display device, and reference numeral 1203 denotes an information processing apparatus main body.
[0085]
Each of the electronic devices shown in FIGS. 11A to 11C includes a display unit using the EL display device of the first embodiment, and the EL display of the first embodiment. Since it has the characteristic of an apparatus, it becomes a suitable electronic device.
In order to manufacture these electronic devices, the EL display device 1 according to the first, second, or third embodiment is incorporated in the display unit of various electronic devices such as a mobile phone, a portable information processing device, and a wristwatch type electronic device. Manufactured by.
[0086]
【Example】
Next, the present invention will be specifically described by examples and comparative examples.
12A and 12B show the amount of ITO dissolved in the pixel electrode 23 (） / 2 hr) with respect to the dispersion of PEDOT: PSS used when forming the hole injection / transport layer 70. It is the experimental result shown for every temperature, and compares the case where ozone is supplied with the UV processing apparatus, and the case where air is supplied.
As a common UV treatment condition, the liquid temperature of the PEDOT: PSS dispersion is set to 50 ° C.
Here, FIG. 12A shows an experimental result when the pixel electrode 23 is not irradiated with UV, and FIG. 12B shows an experimental result when the UV irradiation is performed for 20 minutes. is there.
[0087]
From the experimental results of FIG. 12 (a), the dissolved amounts of ITO film when the treatment temperatures are set to 100 ° C., 200 ° C., and 300 ° C. and supplied with ozone are about 40 mm / 2 hr, about 30 mm / 2 hr, and about It became 26cm / 2hr. In addition, when the air was supplied at the same set temperature, the dissolved amounts of the ITO film were about 46 cm / 2 hr, about 44 cm / 2 hr, and about 40 cm / 2 hr, respectively.
Therefore, it is clear that the ITO film thickness dissolution amount can be reduced by raising the processing temperature without UV irradiation, and the ITO film thickness dissolution amount can be reduced by supplying ozone rather than air. .
[0088]
From the experimental results of FIG. 12B, the ITO film thickness dissolution amounts when ozone is supplied with the processing temperatures set to 100 ° C., 200 ° C., and 300 ° C. are about 47 mm / 2 hr and about 29 mm / 2 hr, respectively. It was about 29cm / 2hr. Further, when the intake air was supplied at the same set temperature, the dissolved amounts of the ITO film were about 41 mm / 2 hr, about 34 mm / 2 hr, and about 31 mm / 2 hr, respectively.
Accordingly, when ozone is supplied by UV irradiation, the ITO film thickness dissolution amount can be reduced by increasing the processing temperature. However, when the processing temperature is 200 ° C. or higher, the ITO film thickness dissolution amount is further reduced. Obviously you can't.
When air is supplied after UV irradiation, the ITO film thickness can be reduced by increasing the processing temperature, and at a processing temperature of 300 ° C. or higher, the ITO film thickness when ozone is supplied. Obviously, it can be as much as the amount dissolved.
[0089]
FIG. 12C shows the amount of ITO dissolved in the pixel electrode 23 (Å / 2 hr) for each UV irradiation time with respect to the PEDOT: PSS dispersion used for forming the hole injection / transport layer 70. It is the experimental result shown. Further, as common processing conditions, the liquid temperature of the PEDOT: PSS dispersion solution is set to 50 ° C. and the processing temperature is 300 ° C., and ozone is supplied.
From the experimental results shown in FIG. 12 (c), the ITO film thickness dissolution amounts for the UV irradiation time of 20 minutes, 40 minutes, 60 minutes, and 120 minutes are about 29.1 mm / 2 hr, about 28.5 mm / 2 hr, and about The result was 27.0 kg / 2 hr, about 25.2 kg / 2 hr.
Therefore, it is clear that the amount of ITO dissolved can be reduced by applying UV irradiation for a long time.
[0090]
FIG. 13 shows the results of an experiment for evaluating the lifetime of the EL display device according to the present invention. 2 ) Is shown. The pixel electrode 23 was compared for (1) UV-ozone treatment only, (2) UV-ozone treatment and O2 plasma treatment, and (3) O2 plasma treatment only. Is.
The treatment conditions for the UV-ozone treatment were an oxygen flow rate of 1 L / min, a treatment temperature of 300 ° C., and a treatment time of 2 hours.
[0091]
From the result of FIG. 13, the brightness of the EL display device subjected only to the O2 plasma treatment tends to decrease, and when only the UV-ozone treatment is performed and when only the UV-ozone treatment and the O2 plasma treatment are performed, It is clear that the decrease in brightness is comparable.
[0092]
Table 1 shows the luminance (cd / m) for (1) to (3) shown in FIG. 2 ), Efficiency (lm / W), and half-life.
[0093]
[Table 1]
Figure 0004207511
[0094]
Therefore, when (1) only the UV-ozone treatment is performed and (2) the UV-ozone treatment and the O2 plasma treatment are performed, the luminance is 0.81 (cd / m). 2 ), Efficiency was 1.1 (lm / W), and half-life was 1.43. On the other hand, when (3) only the O2 plasma treatment is performed, the luminance is 1 (cd / m 2 ), The efficiency was 1 (lm / W), and the half-life was 1.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring structure of an EL display device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a plan view showing a configuration of an EL display device according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view taken along the line AB in FIG. 2;
4 is a cross-sectional view taken along line CD in FIG.
5 is an enlarged cross-sectional view of a main part of FIG.
6 is a process chart of a method for manufacturing an EL display device according to the first embodiment; FIG.
FIG. 7 is a process diagram of a method for manufacturing the EL display device according to the first embodiment;
FIG. 8 is a process diagram of a method for manufacturing the EL display device according to the first embodiment;
FIG. 9 is a process diagram of a method for manufacturing the EL display device according to the first embodiment;
FIG. 10 is a process diagram of a method for manufacturing the EL display device according to the first embodiment;
FIG. 11 is a perspective view showing an electronic apparatus according to a fifth embodiment.
FIG. 12 shows experimental results shown in Examples.
FIG. 13 shows experimental results shown in Examples.
[Explanation of symbols]
1 EL display device (electro-optical device), 23 pixel electrode (electrode), 50 cathode (electrode), 52 hole injection / transport layer 70 (hole transport layer), 60 organic EL layer (light emitting layer), 1000, 1100 1200 Electronic equipment

Claims (7)

対向する電極間に、発光層と、正孔輸送層とが形成された電気光学装置において、
前記電極のうち少なくとも一方の電極はインジウム錫酸化物からなり、
前記正孔輸送層は、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加されたものであり、
前記一方の電極は、前記正孔輸送層に添加された前記ポリスチレンスルフォン酸に対する溶解性が制御されており、
前記一方の電極は、電気光学装置の検査を行うためのダミー領域にダミーパターンを有しており、
前記一方の電極は、波長１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの紫外線を用いて、１００〜３００℃の温度範囲で２０〜１２０分間ＵＶ−オゾン処理が施されていることを特徴とする電気光学装置。In an electro-optical device in which a light emitting layer and a hole transport layer are formed between opposing electrodes,
At least one of the electrodes is made of indium tin oxide,
The hole transport layer is a polythiophene derivative to which polystyrene sulfonic acid is added,
The one electrode has controlled solubility in the polystyrene sulfonic acid added to the hole transport layer,
The one electrode has a dummy pattern in a dummy region for inspecting the electro-optical device ,
The electro-optical device , wherein the one electrode is subjected to UV-ozone treatment for 20 to 120 minutes in a temperature range of 100 to 300 ° C. using ultraviolet light having a wavelength of 175 nm to 254 nm . 請求項１記載の電気光学装置において、
前記電極は、耐酸性を有していることを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1 Symbol placement,
The electro-optical device, wherein the electrode has acid resistance. 対向する電極間に、発光層と、正孔輸送層とが形成された電気光学装置の製造方法において、
前記電極のうち少なくとも一方の電極を、実表示領域及びダミー領域にインジウム錫酸化物によって形成する工程と、
ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加された前記正孔輸送層を形成する工程と、
前記正孔輸送層に添加された前記ポリスチレンスルフォン酸に対する、前記一方の電極の溶解性を制御するために、波長１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの紫外線を用いて、１００〜３００℃の温度範囲で２０〜１２０分間ＵＶ−オゾン処理を前記一方の電極に施す工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。In the method for manufacturing an electro-optical device in which a light emitting layer and a hole transport layer are formed between opposing electrodes,
Forming at least one of the electrodes with indium tin oxide in the actual display region and the dummy region; and
Forming a hole transport layer in which polystyrene sulfonic acid is added to a polythiophene derivative;
In order to control the solubility of the one electrode in the polystyrene sulfonic acid added to the hole transport layer, ultraviolet rays having a wavelength of 175 nm to 254 nm are used for 20 to 120 minutes in a temperature range of 100 to 300 ° C. And a step of performing UV-ozone treatment on the one electrode. 対向する電極間に形成された発光層と正孔輸送層と、前記電極のうち少なくとも一方の電極と前記発光層と前記正孔輸送層とが形成された開口部を有するバンクとを有する電気光学装置の製造方法において、
前記電極のうち少なくとも一方の電極をインジウム錫酸化物によって形成する工程と、
ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加された前記正孔輸送層を形成する工程と、
前記正孔輸送層に添加された前記ポリスチレンスルフォン酸に対する、前記一方の電極の溶解性を制御するとともに、前記バンクに対するプラズマによるダメージを抑制するために、波長１７５ｎｍ〜２５４ｎｍの紫外線を用いて、１００〜３００℃の温度範囲で２０〜１２０分間ＵＶ−オゾン処理を前記一方の電極に施す工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。An electro-optic having a light emitting layer formed between opposing electrodes, a hole transport layer, and a bank having an opening in which at least one of the electrodes, the light emitting layer, and the hole transport layer are formed. In the device manufacturing method,
Forming at least one of the electrodes from indium tin oxide;
Forming a hole transport layer in which polystyrene sulfonic acid is added to a polythiophene derivative;
In order to control the solubility of the one electrode with respect to the polystyrene sulfonic acid added to the hole transport layer and to suppress the damage to the bank due to plasma , ultraviolet rays having a wavelength of 175 nm to 254 nm are used. Applying the UV-ozone treatment to the one electrode for 20 to 120 minutes in a temperature range of ~ 300 ° C ;
A method for manufacturing an electro-optical device. 請求項３または４に記載の電気光学装置の製造方法において、
スピンコート法により前記正孔輸送層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 3 or 4 ,
A method of manufacturing an electro-optical device, wherein the hole transport layer is formed by a spin coating method. 請求項３または４に記載の電気光学装置の製造方法において、
材料吐出法を施すことによって、前記正孔輸送層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 3 or 4 ,
A method of manufacturing an electro-optical device, wherein the hole transport layer is formed by performing a material discharge method. 請求項１または２のうちいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1 .
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