JP4204970B2 - 偏波制御素子およびその駆動方法 - Google Patents
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(参考文献:1、黒野正裕「偏波状態の高速制御方式の検討」電力中央研究所報告平成8年3月研究報告R95004、2、黒野正裕「光偏波制御装置の開発と実証」電力中央研究所報告平成9年4月 研究報告R96014)
しかし上記参考文献のLN可変回転波長板はバルクであり、フリースペースビームを用いるため大型になり、駆動電圧が高い、さらにLN独自のDCドリフトという問題点がある。
(参考文献:, T. Chiba Y. Ohtera and S. Kawakami,“Liquid Crystal Rotatable Waveplates,”IEEE J. Lightwave Technol. Vol.17,pp. 885-890,1999)
(参考文献:B. R. Acharya, K. W. Baldwin, R. A. MacHarrie, J. A. Rogers, C. C.Hung, and R. Pindak,“In-Fiber nematic liquid crystal optical modulator based on in-plane switching with microsecond response time,”Appl ied Phys Letter, vol. 81, pp. 5243-5245, No.27, 2002.)
(L. Dupont, J. L. de Bougrenet de laTocnaye, M.L. Gall, D. Penninckx“Principle of a compact polarization mode dispersion controller using homeotropic electroclinic liquid crystal confined single mode fiber devices,“ Optics Communications vol. 176, pp. 113-119, 2000.)
(参考)特開2001−264821号公報
(参考)特開2002−068880号公報
(参考)特開2003−140101号公報
これら特許文献(参考)によれば、10μm程度の薄いガラス板をガラスブロックで補強し、中心対称8電極を形成して液晶を充填し、ファイバアレイや導波路アレイに掘った細い溝に挿入する液晶回転波長板である。本素子は前の文献と同様にセルギャップを調整してλ/2、λ/4に設定する必要があり、さらにリセットフリーにするためには、これらの素子を3段接続する必要があった。
1、ルーセント、アルカテルのフェルールに直接作製したものを除き、光ビームを通過させるため、ファイバコリメータが必要であり、光ビームが100μmφと太く、電極間隔を少なくとも50μm以上とする必要があるため、電圧が高くなり、50μmの窓を3回通過するために、ロスが大きくなる。
2、コリメータを必要とする場合には、通過するビーム直径が太いので、その内部に均一に平行電界がかかるようにするため、8電極以上が必要となる。
3、ルーセント、アルカテルの液晶回転波長板はフェルールに直接電極を作製する必要があり、電極のフォト加工が非常に難しい。
4、上記各液晶回転波長板は基本的には単チャンネルしか実現できない
11 第1基板
12 第2基板
13 電極
14,22,24 透明電極
17 ファイバ
19 液晶層
41 配向膜
Claims (12)
- 中心対称となるように3つ以上の複数パターンの電極を、中心部に一定の空間を空けて円周上に配置した配向膜付きの第1基板と、前記第1基板と対向する配向膜付きの第2基板と、前記第1基板および第2基板の間に形成される液晶層と、少なくとも前記第2基板の外側に形成される透明電極とを備え、
前記空間を光が通過可能なように、前記第1基板および第2基板の外側の直近に光ファイバまたは導波路を配置し、
前記第1基板および第2基板の厚さは10μm以上50μm以下であり、
前記液晶層は、ホメオトロピック配向またはホモジニアス配向のネマチック液晶またはスメクチックA液晶から構成され、
前記複数パターンの電極によって、前記第1基板および第2基板の基板面に対して平行でかつ前記電極の中心を中心軸として回転する電界を前記液晶層に印加するとともに、前記第2基板の外側に形成される透明電極によって、前記第1基板および第2基板の基板面に対して垂直な電界を前記液晶層に印加して、前記液晶層の液晶分子の配列方向を制御し、前記液晶層を通過する光の偏波と位相とを制御することを特徴とする偏波制御素子。 - 前記第1基板の外側にも更に透明電極を設けたことを特徴とする請求項1に記載の偏波制御素子。
- 前記透明電極は前記第1基板または第2基板の外側に直接蒸着されることを特徴とする請求項1または2に記載の偏波制御素子。
- 前記透明電極は、前記第2基板には直接形成されておらず、前記第2基板に近接する光ファイバの端面および側面に形成されていて、前記光ファイバの中心が、前記空間を光が通過するように配置されて、前記第2基板の直近に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の偏波制御素子。
- 前記透明電極は、導波路に掘った溝の溝壁面および表面に沿って形成されていて、前記導波路のコアの中心が、前記空間を光が通過するように配置されて、前記第1基板または第2基板の直近に来るように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の偏波制御素子。
- 前記第1基板または第2基板の厚さが20μm以上の場合には、両側に配置される光ファイバはコア拡大ファイバであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の偏波制御素子。
- 前記第1基板または第2基板の光が通過する部分はブロックからはみ出させるように、前記ブロックを前記第1基板または第2基板に張り付けて補強したことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の偏波制御素子。
- 前記第1基板または第2基板には前記電極パターンと前記透明電極がアレイで形成されており、前記透明電極パターンのピッチと同じピッチを持つファイバアレイを組み合わせて多チャンネルとしたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の偏波制御素子。
- 前記配向膜は、垂直配向膜あるいは平行配向膜であり、ラビング処理あるいは光配向など配向処理をしないことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の偏波制御素子。
- 前記第2基板はガラス基板であり、その誘電率は5以上であることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の偏波制御素子。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の偏波制御素子を駆動するための偏波制御素子の駆動方法であって、
前記電極が4つ形成される場合に、
V0 sinωt×cosθ、V0 sinωt×sinθ、V0 sinωt×cosθ、V0 sinωt×sinθ、の電圧がそれぞれの電極に印加されて、交流の電界が、前記電極の中心部分で電界の方向がθ方向となり、その他の数の前記電極の場合も同様に中心部分にθ方向の電界が印加されるようにそれぞれの電極に電圧を印加し、V0 を調整することにより、前記基板の平行方向の電界強度を調整し、さらに前記第2基板の外側の前記透明電極には+aV0 sinωtを印加し、このaの値を調整することにより、前記基板の垂直方向にかかる電界を制御し、前記液晶層を構成する液晶分子の前記基板に対する角度を任意に調整できるようにして位相を可変できることを特徴とする偏波制御素子の駆動方法。 - 前記第1基板1の外側の前記透明電極に印加する電圧が−bV0 sinωtであって、位相を変化させるためにbを調整することを特徴とする請求項11に記載の偏波制御素子の駆動方法。
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