JP4204641B2 - 粒子配置装置および粒子配置方法 - Google Patents
粒子配置装置および粒子配置方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4204641B2 JP4204641B2 JP2008521464A JP2008521464A JP4204641B2 JP 4204641 B2 JP4204641 B2 JP 4204641B2 JP 2008521464 A JP2008521464 A JP 2008521464A JP 2008521464 A JP2008521464 A JP 2008521464A JP 4204641 B2 JP4204641 B2 JP 4204641B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- dispersion
- container
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 321
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 169
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 132
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 102
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 63
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 52
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 41
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 25
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 22
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- SEQRDAAUNCRFIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichlorobutane Chemical compound CCCC(Cl)Cl SEQRDAAUNCRFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGEVTVXEERFABN-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichloropentane Chemical compound CCCCC(Cl)Cl PGEVTVXEERFABN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 1-chlorobutane Chemical compound CCCCCl VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXQSCYIVCSCSES-UHFFFAOYSA-N 3-chloropentane Chemical compound CCC(Cl)CC CXQSCYIVCSCSES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Description
本発明の粒子配置装置は、基板上に粒子(以下、「粒子(A)」という場合がある)を配置するための装置である。この装置は、容器と、回転手段と、塗布手段とを含む。容器は、粒子(A)の分散液を保持する。回転手段は、容器内において基板を回転させることによって、分散液への基板の浸漬と分散液からの基板の取り出しとを行う。塗布手段は、基板が分散液と接触していないときに、分散液とは異なる液体(以下、「液体(B)」という場合がある)を基板の表面に塗布する。
本発明の粒子配置方法は、本発明の粒子配置装置を用いることによって容易に実施できる。本発明の粒子配置装置について説明した事項は、以下の粒子配置方法に適用することが可能である。したがって、上述した事項については、重複する説明を省略する場合がある。また逆に、以下の粒子配置装置について説明した事項は、本発明の粒子配置装置に適用することが可能である。
本発明の配置装置の一例を、図1A、1B、2Aおよび2Bに模式的に示す。図1Aは斜視図であり、図1Bは分解斜視図である。図2Aは、図1Aの配置装置10をX方向からみた図であり、図2Bは、図2Aの線IIB−IIBにおける断面図である。
本発明の配置装置の他の一例を、図5、6Aおよび6Bに模式的に示す。図5は分解斜視図である。図6Aは、図5の配置装置50を図5のX方向から見た図である。図6Bは、図6Aの線VIB−VIBにおける断面図である。
本発明の配置装置の他の一例を、図7A、7Bおよび8に模式的に示す。図7Aは斜視図であり、図7Bは分解斜視図である。図8は、図7Aの装置70の断面図である。図7Aおよび7Bでは、図8に示す水供給部81の図示を省略している。
実施形態4では、実施形態1で示した配置装置を用いてシリコンナノワイヤを基板に配置する方法の一例について説明する。なお、実施形態2に示した配置装置においても、実施形態4と同様の方法でシリコンナノワイヤを基板上に配置できる。また、実施形態3に示した配置装置においても、水の塗布方法を除き、実施形態4と同様の方法でシリコンナノワイヤを基板上に配置できる。
図9Aに示すように、親液性の第1の領域91とこれを取り囲む撥液性の第2の領域92とを有する基板100を準備する。基板100には、柔軟性のあるものを選ぶ。たとえば、樹脂基板や、厚さが0.01〜0.1mmのステンレス基板を用いる。
まず、金などの触媒をあらかじめシリコン基板等の表面に形成する。次に、その基板の表面において、CVD法によってシリコンナノワイヤを成長させる。次に、その基板を分散媒に浸漬し、超音波を印加する。超音波の印加は、分散媒を入れた容器を超音波洗浄機の槽に入れることによって行う。この超音波印加によって、シリコン基板からシリコンナノワイヤが脱離する。このようにして、シリコンナノワイヤの分散液を作製できる。
図3Aに示す形状の基板100を、図3Bに示すように円筒状にして、図1に示す円筒形のタンク11の内側に固定する。固定は、たとえば、ネジ止めによって行うことができる。ネジ止めをする場合、たとえば、基板100の数カ所に直径1mm程度の孔を開け、タンク11の内壁には、基板100の孔に対応する位置にネジ孔を作っておけばよい。
図12は、図1Aの配置装置10をXの方向から見た模式図であり、ふた17およびシール18の図示は省略している。タンク11の内壁に貼り付けられた基板100は、円筒形の軸を中心に、矢印20の向きに回転する。図12の(a)〜(g)は、基板100の第1の領域91(親水性領域)近傍の模式断面図である。基板100の回転に伴い、基板100の第1の領域91近傍の状態は、(a)、(b)、(c)、(d)という順に推移し、最終的に(g)の状態になる。第1の空間15は、タンク11の一方の開口部側から他方の開口部側へ水蒸気(湿度100%)をゆっくり流すことによって、高湿度雰囲気にする。第2の空間16は、タンク11の一方の開口部側から他方の開口部側へ乾燥窒素ガスをゆっくり流すことによって、低湿度の雰囲気にする。
Claims (21)
- 基板上に粒子を配置するための粒子配置方法であって、
ここで、前記基板は、親液性を有する第1の領域と、撥液性を有する第2の領域とを有しており、
容器内の一部に、前記粒子の分散液を配置する工程(i)と、
前記基板の表面に前記分散液とは異なる液体を塗布することによって、前記第1の領域に前記液体を付着させる工程(ii)と、
ここで、前記液体に対する前記粒子のぬれ性が、前記分散液の分散媒に対する前記粒子のぬれ性よりも高く、
前記容器内において前記基板を回転させることによって、前記分散液への前記基板の浸漬と前記分散液からの前記基板の取り出しとを複数回行い、これによって前記粒子を前記基板の前記第1の領域上に配置する工程(iii)とを含む、粒子配置方法。 - 前記液体は水であり、
前記分散媒は、25℃における水の溶解度が10g以下の液体である請求項1に記載の粒子配置方法。 - 前記第1の領域は前記第2の領域に囲まれており、
前記第1の領域の表面エネルギーが前記第2の領域の表面エネルギーよりも高い請求項1に記載の粒子配置方法。 - 前記粒子がシリコンナノワイヤである請求項1に記載の粒子配置方法。
- 前記容器内において、前記分散液から取り出された前記基板を乾燥する工程をさらに有する、請求項1に記載の粒子配置方法。
- 前記容器が、内部に柱状の空間を有し、
前記柱状の空間のうち前記分散液を除いた空間を、前記柱状の空間の軸方向に沿って第1の空間と第2の空間とに分けるように仕切り板が配置されており、
前記第1の空間における相対湿度を80%以上とし、
前記第2の空間における相対湿度を40%未満とすることによって、
前記工程(ii)において、前記基板の表面に前記分散液とは異なる液体が塗布される、請求項1に記載の粒子配置方法。 - 前記容器が、内部に柱状の空間を有し、
前記柱状の空間の部分における前記容器の内壁に前記基板が固定されており、
前記工程(iii)において、前記容器の内壁と前記基板とを共に回転させる、請求項1に記載の粒子配置方法。 - 前記基板は、前記内壁に沿って曲げて固定される請求項7に記載の粒子配置方法。
- 前記容器が、内部に柱状の空間を有し、
前記基板と前記容器との間に前記分散液が配置されており、
前記基板は前記容器に固定されておらず、
前記工程(iii)において、前記容器とは独立に前記基板を回転させる、請求項1に記載の粒子配置方法。 - 前記基板と前記容器との間に形成されている前記柱状の空間のうち前記分散液を除いた空間を、前記柱状の空間の軸方向に沿って第1の空間と第2の空間とに分けるように仕切り板が配置されており、
前記第1の空間における相対湿度を80%以上とし、
前記第2の空間における相対湿度を40%未満とすることによって、
前記工程(ii)において、前記基板の表面に前記分散液とは異なる液体が塗布される、請求項9に記載の粒子配置方法。 - 前記容器が、内部に柱状の空間を有し、
前記容器は板状のスキージおよび液体供給部を備え、
前記スキージの側面と前記基板の表面とは平行であり、
前記液体供給部から前記スキージの表面を通って前記液体を前記基板の表面に供給することによって、前記工程(ii)において、前記基板の表面に前記分散液とは異なる液体が塗布される、請求項1に記載の粒子配置方法。 - 基板上に粒子を配置するための粒子配置装置であって、
ここで、前記基板は、親液性を有する第1の領域と、撥液性を有する第2の領域とを有しており、
前記粒子の分散液を保持する容器と、
前記容器内において前記基板を回転させることによって、前記分散液への前記基板の浸漬と前記分散液からの前記基板の取り出しとを行う回転手段と、
前記基板が前記分散液と接触していないときに、前記分散液とは異なる液体を前記基板の表面に塗布することによって、前記第1の領域に前記液体を付着させる塗布手段とを含み、
ここで、前記液体は、前記粒子に対するぬれ性が、前記分散液の分散媒よりも高い液体であり、
前記回転手段によって前記粒子が前記基板の前記第1の領域上に配置される、粒子配置装置。 - 前記液体は水であり、
前記分散液の分散媒は、25℃における水の溶解度が10g以下である請求項12に記載の粒子配置装置。 - 前記容器が、内部に柱状の空間を有する容器である請求項12に記載の粒子配置装置。
- 前記塗布手段は、前記柱状の空間のうち前記分散液を除いた空間を、前記柱状の空間の軸方向に沿って第1の空間と第2の空間とに分ける仕切り板を含み、さらに前記第1の空間における相対湿度を80%以上とし、かつ前記第2の空間における相対湿度を40%未満とする、請求項14に記載の粒子配置装置。
- 前記柱状の空間の部分における前記容器の内壁に前記基板が固定されており、
前記回転手段は、前記容器の内壁と前記基板とを共に回転させる請求項14に記載の粒子配置装置。 - 前記基板は、前記内壁に沿って曲げて固定される請求項16に記載の粒子配置装置。
- 前記基板の回転の軸と重力の方向とが75°〜90°の角度をなすように前記基板が回転される請求項12に記載の粒子配置装置。
- 前記基板は前記容器に固定されておらず、
前記回転手段は、前記容器とは独立に前記基板を回転させる請求項12に記載の粒子配置装置。 - 前記分散液の体積が、前記容器内部の体積の50%以下である請求項12に記載の粒子配置装置。
- 前記容器が、内部に柱状の空間を有し、
前記塗布手段は、液体供給部および前記容器の内部に設けられた板状のスキージを含み、
前記スキージの側面と前記基板の表面とは平行であり、
前記液体供給部は、前記液体を前記スキージの表面から前記基板の表面に供給する、請求項12に記載の粒子配置装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006305226 | 2006-11-10 | ||
JP2006305226 | 2006-11-10 | ||
PCT/JP2007/071127 WO2008056571A1 (fr) | 2006-11-10 | 2007-10-30 | Dispositif et procédé de mise en place de particules |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4204641B2 true JP4204641B2 (ja) | 2009-01-07 |
JPWO2008056571A1 JPWO2008056571A1 (ja) | 2010-02-25 |
Family
ID=39364391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008521464A Expired - Fee Related JP4204641B2 (ja) | 2006-11-10 | 2007-10-30 | 粒子配置装置および粒子配置方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7635500B2 (ja) |
JP (1) | JP4204641B2 (ja) |
WO (1) | WO2008056571A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7814648B2 (en) | 2008-11-26 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Method of disposing an electronic device on an electrode formed on substrate |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2931813B1 (fr) * | 2008-05-30 | 2011-01-07 | Commissariat Energie Atomique | Nanofils a base de silicium et procede de dispersion de ces nanofils. |
US8178154B2 (en) * | 2010-03-15 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Method for disposing a component |
WO2011114696A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | Panasonic Corporation | Method for disposing a component |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6041711B2 (ja) * | 1981-02-10 | 1985-09-18 | 本田技研工業株式会社 | 金属容器内面処理方法及び装置 |
JPS5870860A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | コ−テイング方法 |
US7252749B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-08-07 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Deposition method for nanostructure materials |
US6872645B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
US6969690B2 (en) | 2003-03-21 | 2005-11-29 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles |
US20050118338A1 (en) * | 2003-05-02 | 2005-06-02 | Johns Hopkins University | Control of the spatial distribution and sorting of micro-or nano-meter or molecular scale objects on patterned surfaces |
US7592269B2 (en) * | 2003-11-04 | 2009-09-22 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for depositing charge and/or nanoparticles |
JP2005254094A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Hitachi Housetec Co Ltd | 表面に微粒子が配列された基板の製造法、その方法により製造された基板及びその表面構造が転写された物品 |
JP2006035129A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Sony Corp | 微粒子配列方法、スクリーン及びデバイス |
JP2006176362A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Fuji Xerox Co Ltd | カーボンナノチューブ薄膜の製造方法 |
-
2007
- 2007-10-30 JP JP2008521464A patent/JP4204641B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-30 WO PCT/JP2007/071127 patent/WO2008056571A1/ja active Application Filing
-
2008
- 2008-06-30 US US12/164,821 patent/US7635500B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7814648B2 (en) | 2008-11-26 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Method of disposing an electronic device on an electrode formed on substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008056571A1 (fr) | 2008-05-15 |
US20080260951A1 (en) | 2008-10-23 |
JPWO2008056571A1 (ja) | 2010-02-25 |
US7635500B2 (en) | 2009-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100873765B1 (ko) | 전자 회로 구성 부재의 마운트 방법 및 마운트 장치 | |
US7709291B2 (en) | Method of disposing selectively two types of substances on surface of substrate | |
CN1976869B (zh) | 用于维持微细结构体的结构体、半导体装置、tft驱动电路、面板、显示器、传感器及它们的制造方法 | |
TWI390082B (zh) | 選擇性置放奈米碳管於氧化物表面上的方法 | |
JP4325555B2 (ja) | パターン表面をテンプレートとして用いる材料とその製法 | |
JP4865999B2 (ja) | 電界効果トランジスタの作製方法 | |
US7795145B2 (en) | Patterning crystalline compounds on surfaces | |
US20070269924A1 (en) | Patterning nanowires on surfaces for fabricating nanoscale electronic devices | |
JP4204641B2 (ja) | 粒子配置装置および粒子配置方法 | |
Pick et al. | Patterned growth of organic semiconductors: Selective nucleation of perylene on self-assembled monolayers | |
KR20100094090A (ko) | 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법 및 이에 의해 형성된 나노구조체를 포함하는 나노-분자 소자 | |
US9748507B2 (en) | Single electron transistor having nanoparticles of uniform pattern arrangement | |
JP2020512257A (ja) | 制限流路内でのカーボンナノチューブの整列 | |
Liu et al. | Generating one-dimensional micro-or nano-structures with in-plane alignment by vapor-driven wetting kinetics | |
JP2008229489A (ja) | 微粉末の塗布装置及びそれを用いた微粉末の塗布方法 | |
US20230028346A1 (en) | Two-dimensional carbon nanotube liquid crystal films for wafer-scale electronics | |
WO2021043235A1 (zh) | 一种制备高密度顺排碳纳米管薄膜的方法 | |
Corzo Diaz | Patterning of Perovskite Single Crystals | |
TWI395775B (zh) | 製造微奈米結構之自組裝方法 | |
JP2006287069A (ja) | 半導体装置の製造方法、および電子機器の製造方法 | |
JP2008284459A (ja) | 溶液塗布用パターン製膜用マスクとその製造方法、パターン膜の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080919 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081014 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131024 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |