JP4196602B2 - エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有害な重金属不純物を捕獲するゲッタリング能力に優れ、エピタキシャル層中に存在する結晶欠陥が少なく結晶性に優れたエピタキシャルウエーハ（以降単に「エピウエーハ」と言うことがある）、及びそれを製造するためのエピタキシャル成長用シリコンウエーハ、並びにそれらを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エピタキシャルシリコンウエーハは、その優れた特性から広く個別半導体やバイポーラＩＣ等を製造するウエーハとして、古くから用いられてきた。またＭＯＳ ＬＳＩについてもソフトエラーやラッチアップ特性が優れていることから、マイクロプロセッサユニットやフラッシュメモリデバイスに広く用いられている。さらに、シリコン単結晶製造時に導入される、いわゆるグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥によるＤＲＡＭの信頼性不良を低減させるため、エピウエーハの需要はますます拡大している。
【０００３】
このような半導体デバイスに使用されるエピウエーハに重金属不純物が存在すると、半導体デバイスの特性不良を起こす原因となる。特に最先端デバイスに必要とされるクリーン度は、重金属不純物の濃度が１×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下と考えられており、エピウエーハ中に存在する重金属不純物を極力減少させなければならない。
【０００４】
このような重金属不純物を低減させる技術の一つとしてゲッタリング技術があり、このゲッタリング技術の重要性が近年ますます高くなってきている。ゲッタリングの技術として非常に有効な方法の一つが、シリコンウエーハに酸素析出物（ＢＭＤ：Ｂｕｌｋ ｍｉｃｒｏ ｄｅｆｅｃｔ）を形成し、その歪場に重金属不純物を捕らえるイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）と呼ばれる方法である。しかしながら一般にエピウエーハでは、シリコンウエーハ上にエピタキシャル層（以降単に「エピ層」と言うことがある）を堆積させるために高温の熱処理を行うので、結晶育成時の熱環境においてある程度成長した酸素析出核は、このエピタキシャル工程における高温熱処理によって消滅してしまい、ＢＭＤが形成されにくいという問題がある。
【０００５】
そこで、このような問題を解決するために、特開２０００−４４３８９号公報では、エピタキシャル層を形成する基板として窒素をドープしたシリコン単結晶を用いることが提案されている。これは窒素をドープすることにより、シリコン単結晶中に窒素を起因とした酸素析出核(不均一核)が形成され、この酸素析出核はエピ層形成時の熱処理では消滅しにくいため、高いゲッタリング能力を有したエピウエーハを作製できる。
【０００６】
一方で、エピウエーハでは、エピ層上に積層欠陥（ＳＦ：Ｓｔａｃｋｉｎｇ ｆａｕｌｔ）が発生することが知られている。このエピ層に発生したＳＦ上にデバイスが作製されると、電流のリークなどが発生して不良の原因となる。このＳＦは、基板に異物があるとそれを起点としてエピ層を堆積して行く過程で形成されることが知られている。従ってエピ層を形成する際には、通常、基板上にパーティクルなどの異物を存在させない様に管理してエピ層が形成される。
【０００７】
しかしながら、特開２００１−１５１５９６号公報に開示されている様に、エピ層にＳＦが発生する原因はパーティクルなどの異物だけではなく、シリコン単結晶育成時に形成されたウエーハ表面近傍に存在するグローンイン欠陥を起点にしてＳＦが発生することが明らかにされた。しかも、窒素をドープしたエピウエーハの場合、その確率が窒素ノンドープエピウエーハと比較して非常に高いことも明らかにされている。この特開２００１−１５１５９６号公報ではＳＦの発生を防ぐため、表層にグローンイン欠陥が存在しないウエーハを基板に用いることが提案されている。具体的には、結晶育成時に結晶成長速度を厳密に制御する等の特殊な製造条件を用いてグローンイン欠陥を発生させない様にして作製した単結晶から切出したウエーハや、ウエーハにアニール処理を施しウエーハ表層の欠陥を消滅させたウエーハをエピタキシャル成長用基板に用いることが提案されている。
【０００８】
しかしながら、このような方法は、特殊な結晶製造法を用いたり、特別な装置と運転コストが必要なアニール処理を行ってウエーハ表層に結晶欠陥のないウエーハを作製しなければならないため、エピタキシャルウエーハ製造における大幅な生産性の低下や著しいコストアップの要因となっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすＳＦがエピタキシャル層上に極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造することを主たる目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、エピタキシャル成長用シリコンウエーハであって、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウエーハが提供される。
【００１１】
このように、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハであれば、高いゲッタリング能力を有し、かつエピタキシャル成長時にＳＦの発生が抑制されたエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハとなる。
【００１２】
このとき、前記Ｖ領域が、ウエーハ面内の８０％以上の領域で存在することが好ましい。
ボイド型欠陥が発生するＶ領域は、ウエーハ面内のより広い領域を占めることが好ましく、このようにＶ領域がウエーハ面内の８０％以上の領域で存在することによって、ウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下のボイド型欠陥の個数がほぼ全面で確実に０．０２個／ｃｍ２以下となるシリコンウエーハとすることができる。
【００１３】
また、前記シリコン単結晶にドープされた窒素の濃度が、１×１０１３〜１×１０１４／ｃｍ３であることが好ましい。
このように、シリコン単結晶にドープされた窒素の濃度が１×１０１３以上であれば、その後高温でエピタキシャル成長を行ってもウエーハのバルク部において酸素析出核が消滅することがないため、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウエーハが得られるエピタキシャル成長用シリコンウエーハとなる。また、シリコン単結晶にドープされた窒素の濃度が１×１０１４以下であれば、シリコン単結晶を育成する際に単結晶化が妨げられることもないため、高品質のエピタキシャル成長用シリコンウエーハとすることができる。
【００１４】
そして、本発明によれば、上記本発明のエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されていることを特徴とするエピタキシャルウエーハを提供することができ、このとき前記エピタキシャル層上に発生する積層欠陥（ＳＦ）の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるものとすることができる。
このような本発明のエピタキシャルウエーハであれば、高いゲッタリング能力を有し、かつエピタキシャル層に発生するＳＦが極めて少なく、特にＳＦの個数が０．０２個／ｃｍ２以下である高品質のエピタキシャルウエーハとすることができる。
【００１５】
また、本発明によれば、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造する方法において、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成し、その際のシリコン単結晶育成時の結晶成長速度をＦ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、成長界面近傍での温度勾配をＧ（Ｋ／ｍｍ）とした場合に、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／ｍｉｎ・Ｋ）を０．３０以上とし、且つ１１５０〜１０５０℃の通過時間（ｍｉｎ）を４０ｍｉｎ以上として、少なくともウエーハ中心でボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内でシリコン単結晶を育成した後、該育成したシリコン単結晶をスライスすることによってエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法が提供される。
【００１６】
このように、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成し、その際の結晶成長速度Ｆと温度勾配Ｇとの比Ｆ／Ｇを０．３０以上とし、且つ１１５０〜１０５０℃の通過時間を４０ｍｉｎ以上として、少なくともウエーハ中心でＶ領域となる領域内でシリコン単結晶を育成した後、この育成したシリコン単結晶をスライスしてシリコンウエーハを製造することによって、窒素がドープされており、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを特別な処理を行うことなく容易に製造することができ、高いゲッタリング能力を有し、かつエピタキシャル成長時にＳＦの発生が抑制されたエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを優れた生産性かつ低コストで容易に製造することができる。
【００１７】
このとき、前記シリコン単結晶を育成する際に、前記Ｆ／Ｇを０．３５以上とすることが好ましい。
このように、シリコン単結晶を育成する際にＦ／Ｇを０．３５以上とすることによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを高濃度でシリコン単結晶に導入してボイド型欠陥のサイズを容易に大きくすることができるため、シリコンウエーハの表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数を確実に０．０２個／ｃｍ２以下とすることができ、より良好な品質のエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。
【００１８】
またこのとき、前記Ｖ領域が、ウエーハ面内の８０％以上の領域で存在するようにシリコン単結晶を育成することが好ましい。
このように、Ｖ領域がウエーハ面内の８０％以上の領域で存在するようにシリコン単結晶を育成することによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを容易にシリコン単結晶に導入することができるため、シリコンウエーハの表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数をほぼウエーハ全面にわたって確実に０．０２個／ｃｍ２以下とすることができる。
【００１９】
さらに、前記シリコン単結晶にドープする窒素の濃度を、１×１０１３〜１×１０１４／ｃｍ３とすることが好ましい。
このようにシリコン単結晶にドープする窒素の濃度を１×１０１３以上とすることによって、酸素析出核がシリコン単結晶中に確実に形成され、高温でエピタキシャル成長を行っても酸素析出核が消滅しないエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。また、ドープする窒素の濃度を１×１０１４以下とすることによって、シリコン単結を育成する際に単結晶化の妨げとなることもない。
【００２０】
そして、本発明によれば、本発明のエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法によって製造されたエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することができる。
【００２１】
本発明のエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法により製造されたエピタキシャル成長用シリコンウエーハは、上述のように、窒素がドープされており、またウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるため、このエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、高いゲッタリング能力を有し、エピタキシャル層にＳＦが極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００２２】
さらに、本発明によれば、シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成してエピタキシャルウエーハを製造する方法において、前記シリコンウエーハとして、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製されたもので、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるシリコンウエーハを用い、該シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法が提供される。
【００２３】
上記のようなシリコンウエーハを用いて、その表面にエピタキシャル層を形成することによって、高いゲッタリング能力を有し、エピタキシャル層にＳＦが極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
従来、エピタキシャルウエーハのゲッタリング能力向上のために、エピタキシャル成長用基板となるシリコンウエーハに窒素をドープすることが行われていた。しかしながら、このように窒素をドープしたシリコンウエーハ上にエピタキシャル層を形成すると、このエピ層にＳＦが高密度に発生し、デバイス作製時に不良の原因となるという問題があった。
【００２５】
そこで、本発明者等は、エピタキシャル成長用シリコンウエーハに窒素をドープしても、エピ層におけるＳＦの発生が低減したエピタキシャルウエーハを製造するため、実験及び検討を重ねた結果、エピタキシャル成長用の基板として、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるシリコンウエーハを用いることが極めて有効であることを見出し、シリコンウエーハの製造に関する諸条件を精査することによって本発明を完成させた。
【００２６】
本発明者等は、まずどのような場合にグローンイン欠陥を起点として、エピウエーハ上にＳＦが発生するのかを解明することを試みた。その方法として、窒素をドープしてシリコン単結晶を育成する際に、結晶成長速度を徐々に変化させることによって、グローンイン欠陥のサイズを変化させてシリコン単結晶を育成し、グーロンイン欠陥のサイズの異なる種々のシリコンウエーハを作製した。
【００２７】
ここで、グローンイン欠陥について簡単に説明する。一般に、ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶には、結晶成長時にすでに欠陥が発生していることが知られており、グローンイン欠陥と呼ばれている。このグローンイン欠陥には、Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌタイプ(格子間型)の欠陥とＶａｃａｎｃｙタイプ(空孔型)の欠陥（いわゆる、ボイド型欠陥）が存在している。
【００２８】
これらの欠陥の発生は、ＣＺ法によりシリコン単結晶を引き上げる際のシリコン単結晶の結晶成長速度Ｆ（ｍｍ／ｍｉｎ）と固液界面近傍での引上げ軸方向の結晶温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）との関係Ｆ／Ｇから決まることが知られており、このＦ／Ｇが大きければ、例えば図８に示したように、Ｖａｃａｎｃｙ優勢（Ｖ領域）となり、逆にＦ／Ｇが小さければＩｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｓｉｌｉｃｏｎ優勢（Ｉ領域）となることが知られている。
【００２９】
また、このＶ領域とＩ領域の間には、原子の過不足がない（少ない）ニュートラル領域（Ｎｅｕｔｒａｌ領域、以下Ｎ領域）が存在するとともに、Ｖ領域とＩ領域の境界付近には熱酸化を行うことによりＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ：酸化誘起積層欠陥）と呼ばれる欠陥が結晶の成長軸に垂直な断面内においてリング状に発生することが確認されている。
【００３０】
このような各領域で作製されたシリコンウエーハのうち、エピタキシャル成長用基板としてＩ領域で作製されたシリコンウエーハを用いると、特開２０００−２１９５９８号公報で開示されている様に、エピ層上に突起状の欠陥が多く発生する等の弊害が生じる。そのため、このような欠陥の発生を防止し、また生産性の向上等の理由から、Ｖ領域で作製されたシリコンウエーハをエピタキシャル成長用基板として用いることが好ましい。そこで、本発明では、ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成する場合において、以下のような実験を行った。
【００３１】
ボイド型欠陥とエピウエーハ上に発生するＳＦとの関係を調べるために、上述のように、結晶成長速度を徐々に変化させることによって、ボイド型欠陥のサイズを変化させてシリコン単結晶を育成し、シリコンウエーハを作製した。
【００３２】
すなわち、結晶成長界面近傍での温度勾配Ｇを固定した場合、結晶成長速度Ｆを変化させることによってＦ／Ｇを変化させることができる。このとき、Ｖ領域においてＦ／Ｇを変化させることによって、シリコンの結晶化直後に導入される過剰なＶａｃａｎｃｙの濃度を変化させることができ、例えばＶ領域内でＦ／Ｇを大きくすると、シリコン単結晶に導入される過剰なＶａｃａｎｃｙの濃度を高くすることができる。ボイド型欠陥は、この過剰なＶａｃａｎｃｙがその後の熱履歴を経て凝集して形成されるものであり、その後の熱履歴が同じであれば、過剰なＶａｃａｎｃｙが多いほど、つまりＦ／Ｇが大きいほど、ボイド型欠陥の大きさは大きくなる。
【００３３】
そこで、この性質を利用し、ＣＺ法により窒素をドープし、結晶成長速度を徐々に変化させてＦ／Ｇを制御することによって、ボイド型欠陥のサイズを変化させたシリコン単結晶を育成した。この結晶から切出した各シリコンウエーハにエピタキシャル層を形成した後、このエピ層上に現れるＳＦの個数を測定して評価を行った。その結果、単結晶育成時にＦ／Ｇが小さかったシリコンウエーハ、すなわちボイド型欠陥のサイズが小さいシリコンウエーハから作製したエピウエーハほど、エピ層上に発生するＳＦの個数が飛躍的に増加することがわかった。
【００３４】
このことから、ボイド型欠陥に起因してエピ層上に発生するＳＦは、サイズの小さいボイド型欠陥が起点になって発生することがわかった。そこで、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察や計算機シミュレーションＤＥＦＧＥＮ．Ｘ（Ｔ．Ｓｉｎｎｏ ａｎｄ Ｒ．Ａ．Ｂｒｏｗｎ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１４６，ｐｐ２３００（１９９９））などを行い、エピ層上にＳＦを発生させるボイド型欠陥のサイズについて調査した。その結果、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥に起因してＳＦが発生することが明らかになった。
【００３５】
なお、シミュレーション上では、ウエーハ中のＶａｃａｎｃｙが２個、またはそれ以上集まったものは多数存在する。このようなＶａｃａｎｃｙが集まったもののサイズは場合によっては数ｎｍになるが、このようなＶａｃａｎｃｙが数個集まった程度のものがエピ層上にＳＦを形成することはないと考えられる。従って、上記のウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥とは、あくまでもボイド型欠陥として認識されるようなサイズ以上のものであり、内部に内壁酸化膜(物)を伴うようなものを指している。例えば図１０に示すように、窒素をドープしたシリコンウエーハに発生する棒状、板状の欠陥のうち、ウエーハ表面に現われる部分の開口部サイズが２０ｎｍ以下であるものを示している。
【００３６】
以上の結果から、ボイド型欠陥を成長させてウエーハ表面に開口部サイズが２０ｎｍ以下のボイド型欠陥がほとんど存在しないシリコンウエーハにエピタキシャル層を形成することによって、エピ層上にＳＦが発生していないエピタキシャルウエーハを作製することが可能となる。しかしながら、実際には欠陥の大きさには分布があり、またシミュレーション上からもウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数が０個になることは決してなく、どうしてもシリコンウエーハ上には開口部サイズが２０ｎｍ以下のボイド型欠陥が数個程度存在してしまう。
【００３７】
したがって、実際には、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数は０．０２個／ｃｍ２以下であれば良い。このようなボイド型欠陥の個数については、実際の現実的なエピウエーハの品質レベルから規定した。例えば、窒素ノンドープのシリコンウエーハから作製したエピタキシャルウエーハでは、少なくともウエーハ面内に数個程度のＳＦが発生する。しかしながら、このような数個程度のＳＦ、特に０．０２個／ｃｍ２以下程度のＳＦが発生したエピウエーハにデバイスを作製しても、ＳＦに起因してデバイス歩留まりが極端に低下することはなく、この程度のＳＦであれば現状のデバイス作製工程ではほとんど無視することができる。
【００３８】
すなわち、エピタキシャル成長用シリコンウエーハであって、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハであれば、高いゲッタリング能力を有し、かつＳＦがエピタキシャル層に少ない高品質のエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハとすることができる。
【００３９】
次に、このようなエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造するための方法について説明する。
上記のように、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製するためには、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成する際のシリコン単結晶育成時の結晶成長速度Ｆ（ｍｍ／ｍｉｎ）と固液界面近傍での引上げ軸方向の温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）との関係Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／ｍｉｎ・Ｋ）を適切に制御する必要がある。
【００４０】
ここで、本発明で使用したＣＺ法によるシリコン単結晶育成装置の一例を図９に示す。このシリコン単結晶育成装置は、シリコン融液４が充填された石英ルツボ５と、これを保護する黒鉛ルツボ６と、該ルツボ５、６を取り囲むように配置された加熱ヒータ７と断熱材８がメインチャンバ１内に設置されており、該メインチャンバ１の上部には育成した単結晶３を収容し、取り出すための引上げチャンバ２が連接されている。
【００４１】
このような単結晶育成装置を用いてシリコン単結晶３を育成するには、石英ルツボ５中のシリコン融液４に種結晶を浸漬した後、種絞りを経て回転させながら静かに引上げて棒状の単結晶３を成長させる。一方、ルツボ５、６は結晶成長軸方向に昇降可能であり、結晶成長中に結晶化して減少した融液の液面下降分を補うようにルツボを上昇させ、これにより、融液表面の高さを一定に保持している。また、メインチャンバ１の内部には、引上げチャンバ２の上部に設けられたガス導入口１０からアルゴンガス等の不活性ガスが導入され、引上げ中の単結晶３とガス整流筒１１との間を通過し、遮熱部材１２の下部と融液面との間を通過し、ガス流出口９から排出されている。
【００４２】
このようにしてシリコン単結晶を育成する場合、上述のようにＦ／Ｇの値によって単結晶に導入されるＶａｃａｎｃｙの濃度が決まるので、Ｆ／Ｇを制御することはシリコン単結晶に形成されるボイド型欠陥のサイズを制御する上で最重要な要素の一つである。すなわち、このＦ／Ｇが小さければシリコン単結晶に導入される過剰なＶａｃａｎｃｙの濃度も小さくなり、結果的にボイド型欠陥のサイズは小さくなってしまう。従って、ボイド型欠陥のサイズを大きくし、小さいサイズのボイド型欠陥を減らしたシリコン単結晶を育成するためには、Ｆ／Ｇの値をある程度以上大きくしてシリコン単結晶の育成を行うことが重要となる。
【００４３】
そこで、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下となるシリコンウエーハを作製するためのＦ／Ｇを求めるため、Ｆ／Ｇを様々に変化させてシリコン単結晶の育成を行い、得られた各ウエーハの表面を観察することによって、適切なＦ／Ｇの値を実験的に求めた。その結果、Ｆ／Ｇを０．３０以上とすることによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを十分な濃度でシリコン単結晶内に導入することができることがわかった。
【００４４】
このとき、このＦ／Ｇの値は大きければ大きいほど過剰なＶａｃａｎｃｙを高濃度でシリコン単結晶内に導入することができるため好ましいが、通常直径２００ｍｍ以上のシリコン単結晶を安全に成長するための結晶成長速度Ｆの上限が３ｍｍ／ｍｉｎであり、またシリコン単結晶の結晶化を可能とする温度勾配Ｇの最小値が０．３Ｋ／ｍｍ程度であるため、Ｆ／Ｇは大きくても１０．００以下とすることが好ましい。
【００４５】
また上記のように、Ｆ／Ｇを０．３０以上とすることによって過剰なＶａｃａｎｃｙを十分な濃度でシリコン単結晶内に導入することができるものの、過剰なＶａｃａｎｃｙが集まってボイド型欠陥を形成する時間が短ければ、ボイド型欠陥のサイズが小さくなってしまう。そのため、シリコン単結晶育成時に、ボイド型欠陥のサイズに影響を与えると考えられている１１５０〜１０５０℃の温度領域の通過時間をある値以上とすることが重要である。そこで、今回の実験結果やシミュレーションなどから１１５０〜１０５０℃の温度領域の適切な通過時間を求めた結果、４０ｍｉｎ以上が適切であることがわかった。
【００４６】
尚、１１５０〜１０５０℃の通過時間とは、単結晶育成装置の炉内構造によって決定される１１５０〜１０５０℃の温度幅を結晶成長速度で割った値として算出されるものである。そして、この１１５０〜１０５０℃の通過時間は、結晶成長速度Ｆを小さくすれば幾らでも長くさせることができ、可能な範囲で長い方がサイズの大きいボイド型欠陥を形成できるため好ましい。しかしながら、シリコン単結晶の生産性を考慮したり、上記のようにＦ／Ｇが０．３０以上となる条件を満たすような結晶成長速度範囲では、１１５０〜１０５０℃の通過時間の上限が自ずと限られてくる。具体的に示すと、現在、工業的に成立しある程度の生産性を確保できる下限の結晶成長速度が０．１ｍｍ／ｍｉｎであり、また単結晶育成装置における１１５０〜１０５０℃の温度幅は長いもので２００ｍｍ程度であるため、１１５０〜１０５０℃の通過時間は２０００ｍｉｎ以下とすることが好ましい。
【００４７】
すなわち、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造する方法として、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成し、その際のシリコン単結晶育成時の結晶成長速度をＦとし、成長界面近傍での温度勾配をＧとした場合に、Ｆ／Ｇを０．３０以上とし、且つ１１５０〜１０５０℃の通過時間を４０ｍｉｎ以上として、少なくともウエーハ中心でボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内でシリコン単結晶を育成した後、この育成したシリコン単結晶をスライスすることによってエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造するエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法を用いることによって、窒素がドープされており、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを、高温アニール等の特別な処理を行わずに容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００４８】
このとき、シリコン単結晶を育成する際にＦ／Ｇを０．３５以上とすることによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを高濃度でシリコン単結晶に導入してボイド型欠陥のサイズを容易に大きくすることができる。したがって、シリコンウエーハの表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数を確実に０．０２個／ｃｍ２以下とすることができ、より良好な品質のエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。
【００４９】
また、ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、ボイド型欠陥が発生するＶ領域はウエーハ面内のより広い領域を占めること、特にＶ領域がウエーハ面内の８０％以上の領域で存在するようにシリコン単結晶を育成することが好ましい。このようにシリコン単結晶を育成することによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを容易にシリコン単結晶のほぼ全面に導入することができるため、ウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数がほぼ全面で０．０２個／ｃｍ２以下となるシリコンウエーハを得ることができる。
【００５０】
さらに、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成する際、シリコン単結晶にドープする窒素の濃度を１×１０１３／ｃｍ３以上とすることが好ましい。このようにシリコン単結晶にドープする窒素の濃度を１×１０１３以上とすることによって、酸素析出核がシリコン単結晶中に確実に形成され、また形成された酸素析出核は高温でエピタキシャル成長を行っても消滅しないため、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。また一方、シリコン単結晶にドープする窒素の濃度が１×１０１４超えると単結晶を育成する際に単結晶化の妨げとなる恐れがあり、生産性の低下を招くことがあるため、ウエーハの窒素濃度は１×１０１４／ｃｍ３以下とすることが好ましい。
【００５１】
上記のようにして、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した後、このエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することができる。
【００５２】
すなわち、シリコンウエーハとして、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製されたもので、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるシリコンウエーハを用い、このシリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することができる。
【００５３】
このようにエピタキシャルウエーハを製造することによって、高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすＳＦがエピタキシャル層に少ない、特にエピタキシャル層上に発生するＳＦの個数が０．０２個／ｃｍ２以下の高品質のエピタキシャルウエーハを容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００５４】
尚、シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成する方法は特に限定されるものではなく、通常行われているような方法を用いることによってエピタキシャル層を形成することができる。
【００５５】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
まず、直径８００ｍｍの石英ルツボにシリコン原料を３２０ｋｇチャージし、ＭＣＺ法によって、中心磁場強度４０００Ｇの横磁場を印加し、またシリコン単結晶をＶ領域で育成できるように平均結晶成長速度Ｆを０．６８ｍｍ／ｍｉｎに設定して、直径３００ｍｍ、直胴部の長さ１２０ｃｍの窒素をドープしたシリコン単結晶を育成した。このとき、窒素を２×１０１３〜９×１０１３／ｃｍ３の濃度範囲でシリコン単結晶にドープした。
【００５６】
今回の結晶育成に用いたＨＺ（ホットゾーン）における温度勾配Ｇの結晶径方向の分布を調べた結果、図３に示すような分布が得られた。また、結晶径方向におけるＦ／Ｇの分布は、図１のように、中心部のＦ／Ｇの値は０．３０であり、また径方向の８０％以上（１００％）で０．３０以上でＶ領域となっていた。さらに、１１５０〜１０５０℃の通過時間を測定したところ、図２に示すように７６分であった。
【００５７】
このようにして作製したシリコン単結晶からウエーハを切出し、ラッピング、面取り、研磨を施してエピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した。このエピ成長用シリコンウエーハに１１３０℃にて４μｍのエピタキシャル層を形成した。その後、パーティクルカウンターＳｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）にてエピタキシャル層表面のパーティクルカウント（サイズ；０．０９μｍ以上）を行った。その結果、パーティクルは１４個／３００ｍｍφウエーハ（０．０２０個／ｃｍ２）観察された。さらに、マルチレーザーコンフォーカル検査システムＭ３５０（ＭＡＧＩＣＳ、レーザーテック社製)を用いてエピタキシャル層の表面を観察したところ、８個／３００ｍｍφウエーハ（０．０１１個／ｃｍ２）がＳＦであることを確認した。その結果、窒素がドープされているにも関わらずＳＦが非常に少なく、高品質のエピタキシャルウエーハであることがわかった。
【００５８】
（実施例２）
次に、温度勾配Ｇの結晶径方向分布の均一性は損なわれるものの、結晶成長速度Ｆをより高速にでき、結果的にＦ／Ｇを実施例１に比べて大きくできるＨＺを有する単結晶育成装置を用意した。この装置の直径８００ｍｍの石英ルツボにシリコン原料を３２０ｋｇチャージし、ＭＣＺ法によって中心磁場強度３５００Ｇの横磁場を印加し、またシリコン単結晶をＶ領域で育成できるように平均結晶成長速度Ｆを１．１０ｍｍ／ｍｉｎに設定して、直径３００ｍｍ、直胴部の長さ１２０ｃｍの窒素をドープしたシリコン単結晶を育成した。このとき、窒素を２×１０１３〜９×１０１３／ｃｍ３の濃度範囲でシリコン単結晶にドープした。
【００５９】
また、このときの結晶径方向におけるＦ／Ｇの分布は図１のようになり、中心部のＦ／Ｇの値は０．４１であり、また径方向の８０％以上で０．３５以上でＶ領域となっていた。さらに、１１５０〜１０５０℃の通過時間を測定したところ、図２に示すように４７分であった。
【００６０】
このようにして作製したシリコン単結晶から、実施例１と同じ様にして、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した後、１１３０℃にて４μｍのエピタキシャル層を形成した。その後、実施例１と同様に、パーティクルカウンターＳＰ１にてエピタキシャル層表面のパーティクルカウントを行った。その結果、図４に示すように、パーティクルは３個／３００ｍｍφウエーハ（０．００４個／ｃｍ２）観察された。さらに、ＭＡＧＩＣＳを用いて観察を行ったところ、２個／３００ｍｍφウエーハ（０．００３個／ｃｍ２）がＳＦであることを確認し、ＳＦが実施例１よりもさらに少なく、より高品質のエピタキシャルウエーハを得ることができた。
【００６１】
（比較例１〜３）
実施例１と同じホットゾーンを用い、直径８００ｍｍの石英ルツボにシリコン原料を３２０ｋｇチャージし、ＭＣＺ法によって、中心磁場強度４０００Ｇの横磁場を印加し、結晶成長速度Ｆを０．７ｍｍ／ｍｉｎから０．３ｍｍ／ｍｉｎまで徐々に低下させて、直径３００ｍｍ、直胴部の長さ１２０ｃｍの窒素をドープしたシリコン単結晶を育成した。このとき、窒素を２×１０１３〜９×１０１３／ｃｍ３の濃度範囲でシリコン単結晶にドープした。なお、温度勾配Ｇの結晶径方向分布は、実施例１と同じであった。
【００６２】
作製したシリコン単結晶からサンプルウエーハを切出して、単結晶中のＯＳＦの発生位置を調査した。ＯＳＦの発生位置の調査は、１１５０℃で１００ｍｉｎのウェット酸化を行った後、フッ酸・硝酸・酢酸・水からなる選択性のある混酸液で選択エッチングを行い、サンプルウエーハを集光灯下及び顕微鏡下で観察することにより行った。その結果、成長速度０．４０ｍｍ／ｍｉｎに相当する位置で、ウエーハ面内の全面にＯＳＦが発生していた。
【００６３】
そこで、上記で作製したシリコン単結晶において結晶成長速度が０．４０ｍｍ／ｍｉｎ（比較例１）、０．４５ｍｍ／ｍｉｎ（比較例２）、０．６０ｍｍ／ｍｉｎ（比較例３）に相当する部分から、実施例１と同じ様にして、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した。このとき、ウエーハを切り出したシリコン単結晶の各位置におけるＦ／Ｇを求めた結果、図５に示す値であった。各ウエーハの中心におけるＦ／Ｇは、それぞれ０．１８、０．２０、０．２７であった。これらは、本発明の要件を満たすものではなかった。更に、比較例１のエピ成長用シリコンウエーハについてウエーハ表面に存在する欠陥をＴＥＭにて観察したところ、ウエーハ表面での開口部サイズが２０ｎｍ以下の欠陥が見つけやすく、非常に多く存在していることが確認された。
【００６４】
その後、このエピ成長用シリコンウエーハに１１３０℃にて４μｍのエピタキシャル層を形成した後、パーティクルカウンターＳＰ１にてエピタキシャル層表面のパーティクルカウントを行った。その結果、図６に示すように、結晶成長速度が速くなるとともにパーティクル個数が低減しているものの、何れのウエーハにもパーティクルが多数観察され、図６に示した比較例１のエピウエーハでは、パーティクルが多すぎるためパーティクルカウンターの容量をオーバーし、外周部まで測定することができなかった。また比較例２及び３のエピウエーハでは、それぞれ１７３８４個／３００ｍｍφウエーハ（２４．６個／ｃｍ２）、３３個／３００ｍｍφウエーハ（０．０４７個／ｃｍ２）のパーティクルが観察された。さらに、ＭＡＧＩＣＳを用いて観察を行ったところ、比較例３のエピウエーハでは、１８個／３００ｍｍφウエーハ（０．０２５個／ｃｍ２）のＳＦが観察され、低速成長され開口部のサイズが２０ｎｍ以下のものが高密度である比較例１に比べＳＦが激減しているものの、窒素ドープしないものに比べれば品質の低いエピウエーハであることがわかった。
【００６５】
また、上記実施例１、２及び比較例１〜３で作製した各エピタキシャルウエーハで観察されたパーティクル及びＳＦの個数を、ウエーハ中心部でのＦ／Ｇの値を横軸にして図７にプロットした。この図７からも、Ｆ／Ｇを０．３０以上にすることによって、エピタキシャル層上に発生するＳＦの個数が０．０２個／ｃｍ２以下である高品質のエピタキシャルウエーハを得ることができることがわかる。
【００６６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００６７】
例えば、上記実施例では、磁場を印加して直径３００ｍｍのシリコン単結晶を育成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、シリコン単結晶は直径２００ｍｍや３５０ｍｍのもの、あるいはそれ以上の直径を有するものでも良く、またシリコン単結晶を育成する際に磁場を印加しない場合であっても、本発明を適用することができる。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高いゲッタリング能力を有し、かつＳＦがエピタキシャル層に少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１及び２におけるＦ／Ｇの結晶径方向における分布を表した図である。
【図２】実施例１及び２における各温度領域の通過時間を表した図である。
【図３】実施例１及び比較例１〜３で用いたＨＺにおける成長界面近傍での温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）の結晶径方向の分布を表した図である。
【図４】実施例２のエピタキシャルウエーハにおいてＳＰ１でエピタキシャル層上のパーティクルを観察した結果を表した図である。
【図５】比較例１〜３におけるＦ／Ｇの面内分布を表した図である。
【図６】比較例１〜３のエピタキシャルウエーハにおいてＳＰ１でエピタキシャル層上のパーティクルを観察した結果を表した図である。
【図７】実施例１、２及び比較例１〜３のエピタキシャルウエーハにおけるパーティクル（ＬＰＤ；Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）及びＳＦの個数をプロットしたグラフである。
【図８】シリコン単結晶育成時に導入される結晶欠陥とＦ／Ｇとの関係を表した図である。
【図９】本発明で使用した単結晶育成装置の概要図である。
【図１０】窒素をドープしたシリコンウエーハの断面を観察した結果を示した拡大図である。
【符号の説明】
１…メインチャンバ、 ２…引上げチャンバ、 ３…単結晶、
４…シリコン融液、 ５…石英ルツボ、
６…黒鉛ルツボ、 ７…加熱ヒータ、
８…断熱部材、 ９…ガス流出口、 １０…ガス導入口、
１１…ガス整流筒、 １２…遮熱部材。
【発明の属する技術分野】
本発明は、有害な重金属不純物を捕獲するゲッタリング能力に優れ、エピタキシャル層中に存在する結晶欠陥が少なく結晶性に優れたエピタキシャルウエーハ（以降単に「エピウエーハ」と言うことがある）、及びそれを製造するためのエピタキシャル成長用シリコンウエーハ、並びにそれらを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エピタキシャルシリコンウエーハは、その優れた特性から広く個別半導体やバイポーラＩＣ等を製造するウエーハとして、古くから用いられてきた。またＭＯＳ ＬＳＩについてもソフトエラーやラッチアップ特性が優れていることから、マイクロプロセッサユニットやフラッシュメモリデバイスに広く用いられている。さらに、シリコン単結晶製造時に導入される、いわゆるグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥によるＤＲＡＭの信頼性不良を低減させるため、エピウエーハの需要はますます拡大している。
【０００３】
このような半導体デバイスに使用されるエピウエーハに重金属不純物が存在すると、半導体デバイスの特性不良を起こす原因となる。特に最先端デバイスに必要とされるクリーン度は、重金属不純物の濃度が１×１０９ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下と考えられており、エピウエーハ中に存在する重金属不純物を極力減少させなければならない。
【０００４】
このような重金属不純物を低減させる技術の一つとしてゲッタリング技術があり、このゲッタリング技術の重要性が近年ますます高くなってきている。ゲッタリングの技術として非常に有効な方法の一つが、シリコンウエーハに酸素析出物（ＢＭＤ：Ｂｕｌｋ ｍｉｃｒｏ ｄｅｆｅｃｔ）を形成し、その歪場に重金属不純物を捕らえるイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）と呼ばれる方法である。しかしながら一般にエピウエーハでは、シリコンウエーハ上にエピタキシャル層（以降単に「エピ層」と言うことがある）を堆積させるために高温の熱処理を行うので、結晶育成時の熱環境においてある程度成長した酸素析出核は、このエピタキシャル工程における高温熱処理によって消滅してしまい、ＢＭＤが形成されにくいという問題がある。
【０００５】
そこで、このような問題を解決するために、特開２０００−４４３８９号公報では、エピタキシャル層を形成する基板として窒素をドープしたシリコン単結晶を用いることが提案されている。これは窒素をドープすることにより、シリコン単結晶中に窒素を起因とした酸素析出核(不均一核)が形成され、この酸素析出核はエピ層形成時の熱処理では消滅しにくいため、高いゲッタリング能力を有したエピウエーハを作製できる。
【０００６】
一方で、エピウエーハでは、エピ層上に積層欠陥（ＳＦ：Ｓｔａｃｋｉｎｇ ｆａｕｌｔ）が発生することが知られている。このエピ層に発生したＳＦ上にデバイスが作製されると、電流のリークなどが発生して不良の原因となる。このＳＦは、基板に異物があるとそれを起点としてエピ層を堆積して行く過程で形成されることが知られている。従ってエピ層を形成する際には、通常、基板上にパーティクルなどの異物を存在させない様に管理してエピ層が形成される。
【０００７】
しかしながら、特開２００１−１５１５９６号公報に開示されている様に、エピ層にＳＦが発生する原因はパーティクルなどの異物だけではなく、シリコン単結晶育成時に形成されたウエーハ表面近傍に存在するグローンイン欠陥を起点にしてＳＦが発生することが明らかにされた。しかも、窒素をドープしたエピウエーハの場合、その確率が窒素ノンドープエピウエーハと比較して非常に高いことも明らかにされている。この特開２００１−１５１５９６号公報ではＳＦの発生を防ぐため、表層にグローンイン欠陥が存在しないウエーハを基板に用いることが提案されている。具体的には、結晶育成時に結晶成長速度を厳密に制御する等の特殊な製造条件を用いてグローンイン欠陥を発生させない様にして作製した単結晶から切出したウエーハや、ウエーハにアニール処理を施しウエーハ表層の欠陥を消滅させたウエーハをエピタキシャル成長用基板に用いることが提案されている。
【０００８】
しかしながら、このような方法は、特殊な結晶製造法を用いたり、特別な装置と運転コストが必要なアニール処理を行ってウエーハ表層に結晶欠陥のないウエーハを作製しなければならないため、エピタキシャルウエーハ製造における大幅な生産性の低下や著しいコストアップの要因となっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすＳＦがエピタキシャル層上に極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造することを主たる目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、エピタキシャル成長用シリコンウエーハであって、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウエーハが提供される。
【００１１】
このように、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハであれば、高いゲッタリング能力を有し、かつエピタキシャル成長時にＳＦの発生が抑制されたエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハとなる。
【００１２】
このとき、前記Ｖ領域が、ウエーハ面内の８０％以上の領域で存在することが好ましい。
ボイド型欠陥が発生するＶ領域は、ウエーハ面内のより広い領域を占めることが好ましく、このようにＶ領域がウエーハ面内の８０％以上の領域で存在することによって、ウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下のボイド型欠陥の個数がほぼ全面で確実に０．０２個／ｃｍ２以下となるシリコンウエーハとすることができる。
【００１３】
また、前記シリコン単結晶にドープされた窒素の濃度が、１×１０１３〜１×１０１４／ｃｍ３であることが好ましい。
このように、シリコン単結晶にドープされた窒素の濃度が１×１０１３以上であれば、その後高温でエピタキシャル成長を行ってもウエーハのバルク部において酸素析出核が消滅することがないため、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウエーハが得られるエピタキシャル成長用シリコンウエーハとなる。また、シリコン単結晶にドープされた窒素の濃度が１×１０１４以下であれば、シリコン単結晶を育成する際に単結晶化が妨げられることもないため、高品質のエピタキシャル成長用シリコンウエーハとすることができる。
【００１４】
そして、本発明によれば、上記本発明のエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されていることを特徴とするエピタキシャルウエーハを提供することができ、このとき前記エピタキシャル層上に発生する積層欠陥（ＳＦ）の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるものとすることができる。
このような本発明のエピタキシャルウエーハであれば、高いゲッタリング能力を有し、かつエピタキシャル層に発生するＳＦが極めて少なく、特にＳＦの個数が０．０２個／ｃｍ２以下である高品質のエピタキシャルウエーハとすることができる。
【００１５】
また、本発明によれば、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造する方法において、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成し、その際のシリコン単結晶育成時の結晶成長速度をＦ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、成長界面近傍での温度勾配をＧ（Ｋ／ｍｍ）とした場合に、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／ｍｉｎ・Ｋ）を０．３０以上とし、且つ１１５０〜１０５０℃の通過時間（ｍｉｎ）を４０ｍｉｎ以上として、少なくともウエーハ中心でボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内でシリコン単結晶を育成した後、該育成したシリコン単結晶をスライスすることによってエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法が提供される。
【００１６】
このように、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成し、その際の結晶成長速度Ｆと温度勾配Ｇとの比Ｆ／Ｇを０．３０以上とし、且つ１１５０〜１０５０℃の通過時間を４０ｍｉｎ以上として、少なくともウエーハ中心でＶ領域となる領域内でシリコン単結晶を育成した後、この育成したシリコン単結晶をスライスしてシリコンウエーハを製造することによって、窒素がドープされており、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを特別な処理を行うことなく容易に製造することができ、高いゲッタリング能力を有し、かつエピタキシャル成長時にＳＦの発生が抑制されたエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを優れた生産性かつ低コストで容易に製造することができる。
【００１７】
このとき、前記シリコン単結晶を育成する際に、前記Ｆ／Ｇを０．３５以上とすることが好ましい。
このように、シリコン単結晶を育成する際にＦ／Ｇを０．３５以上とすることによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを高濃度でシリコン単結晶に導入してボイド型欠陥のサイズを容易に大きくすることができるため、シリコンウエーハの表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数を確実に０．０２個／ｃｍ２以下とすることができ、より良好な品質のエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。
【００１８】
またこのとき、前記Ｖ領域が、ウエーハ面内の８０％以上の領域で存在するようにシリコン単結晶を育成することが好ましい。
このように、Ｖ領域がウエーハ面内の８０％以上の領域で存在するようにシリコン単結晶を育成することによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを容易にシリコン単結晶に導入することができるため、シリコンウエーハの表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数をほぼウエーハ全面にわたって確実に０．０２個／ｃｍ２以下とすることができる。
【００１９】
さらに、前記シリコン単結晶にドープする窒素の濃度を、１×１０１３〜１×１０１４／ｃｍ３とすることが好ましい。
このようにシリコン単結晶にドープする窒素の濃度を１×１０１３以上とすることによって、酸素析出核がシリコン単結晶中に確実に形成され、高温でエピタキシャル成長を行っても酸素析出核が消滅しないエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。また、ドープする窒素の濃度を１×１０１４以下とすることによって、シリコン単結を育成する際に単結晶化の妨げとなることもない。
【００２０】
そして、本発明によれば、本発明のエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法によって製造されたエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することができる。
【００２１】
本発明のエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法により製造されたエピタキシャル成長用シリコンウエーハは、上述のように、窒素がドープされており、またウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるため、このエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、高いゲッタリング能力を有し、エピタキシャル層にＳＦが極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００２２】
さらに、本発明によれば、シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成してエピタキシャルウエーハを製造する方法において、前記シリコンウエーハとして、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製されたもので、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるシリコンウエーハを用い、該シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法が提供される。
【００２３】
上記のようなシリコンウエーハを用いて、その表面にエピタキシャル層を形成することによって、高いゲッタリング能力を有し、エピタキシャル層にＳＦが極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
従来、エピタキシャルウエーハのゲッタリング能力向上のために、エピタキシャル成長用基板となるシリコンウエーハに窒素をドープすることが行われていた。しかしながら、このように窒素をドープしたシリコンウエーハ上にエピタキシャル層を形成すると、このエピ層にＳＦが高密度に発生し、デバイス作製時に不良の原因となるという問題があった。
【００２５】
そこで、本発明者等は、エピタキシャル成長用シリコンウエーハに窒素をドープしても、エピ層におけるＳＦの発生が低減したエピタキシャルウエーハを製造するため、実験及び検討を重ねた結果、エピタキシャル成長用の基板として、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるシリコンウエーハを用いることが極めて有効であることを見出し、シリコンウエーハの製造に関する諸条件を精査することによって本発明を完成させた。
【００２６】
本発明者等は、まずどのような場合にグローンイン欠陥を起点として、エピウエーハ上にＳＦが発生するのかを解明することを試みた。その方法として、窒素をドープしてシリコン単結晶を育成する際に、結晶成長速度を徐々に変化させることによって、グローンイン欠陥のサイズを変化させてシリコン単結晶を育成し、グーロンイン欠陥のサイズの異なる種々のシリコンウエーハを作製した。
【００２７】
ここで、グローンイン欠陥について簡単に説明する。一般に、ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶には、結晶成長時にすでに欠陥が発生していることが知られており、グローンイン欠陥と呼ばれている。このグローンイン欠陥には、Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌタイプ(格子間型)の欠陥とＶａｃａｎｃｙタイプ(空孔型)の欠陥（いわゆる、ボイド型欠陥）が存在している。
【００２８】
これらの欠陥の発生は、ＣＺ法によりシリコン単結晶を引き上げる際のシリコン単結晶の結晶成長速度Ｆ（ｍｍ／ｍｉｎ）と固液界面近傍での引上げ軸方向の結晶温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）との関係Ｆ／Ｇから決まることが知られており、このＦ／Ｇが大きければ、例えば図８に示したように、Ｖａｃａｎｃｙ優勢（Ｖ領域）となり、逆にＦ／Ｇが小さければＩｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｓｉｌｉｃｏｎ優勢（Ｉ領域）となることが知られている。
【００２９】
また、このＶ領域とＩ領域の間には、原子の過不足がない（少ない）ニュートラル領域（Ｎｅｕｔｒａｌ領域、以下Ｎ領域）が存在するとともに、Ｖ領域とＩ領域の境界付近には熱酸化を行うことによりＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ：酸化誘起積層欠陥）と呼ばれる欠陥が結晶の成長軸に垂直な断面内においてリング状に発生することが確認されている。
【００３０】
このような各領域で作製されたシリコンウエーハのうち、エピタキシャル成長用基板としてＩ領域で作製されたシリコンウエーハを用いると、特開２０００−２１９５９８号公報で開示されている様に、エピ層上に突起状の欠陥が多く発生する等の弊害が生じる。そのため、このような欠陥の発生を防止し、また生産性の向上等の理由から、Ｖ領域で作製されたシリコンウエーハをエピタキシャル成長用基板として用いることが好ましい。そこで、本発明では、ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成する場合において、以下のような実験を行った。
【００３１】
ボイド型欠陥とエピウエーハ上に発生するＳＦとの関係を調べるために、上述のように、結晶成長速度を徐々に変化させることによって、ボイド型欠陥のサイズを変化させてシリコン単結晶を育成し、シリコンウエーハを作製した。
【００３２】
すなわち、結晶成長界面近傍での温度勾配Ｇを固定した場合、結晶成長速度Ｆを変化させることによってＦ／Ｇを変化させることができる。このとき、Ｖ領域においてＦ／Ｇを変化させることによって、シリコンの結晶化直後に導入される過剰なＶａｃａｎｃｙの濃度を変化させることができ、例えばＶ領域内でＦ／Ｇを大きくすると、シリコン単結晶に導入される過剰なＶａｃａｎｃｙの濃度を高くすることができる。ボイド型欠陥は、この過剰なＶａｃａｎｃｙがその後の熱履歴を経て凝集して形成されるものであり、その後の熱履歴が同じであれば、過剰なＶａｃａｎｃｙが多いほど、つまりＦ／Ｇが大きいほど、ボイド型欠陥の大きさは大きくなる。
【００３３】
そこで、この性質を利用し、ＣＺ法により窒素をドープし、結晶成長速度を徐々に変化させてＦ／Ｇを制御することによって、ボイド型欠陥のサイズを変化させたシリコン単結晶を育成した。この結晶から切出した各シリコンウエーハにエピタキシャル層を形成した後、このエピ層上に現れるＳＦの個数を測定して評価を行った。その結果、単結晶育成時にＦ／Ｇが小さかったシリコンウエーハ、すなわちボイド型欠陥のサイズが小さいシリコンウエーハから作製したエピウエーハほど、エピ層上に発生するＳＦの個数が飛躍的に増加することがわかった。
【００３４】
このことから、ボイド型欠陥に起因してエピ層上に発生するＳＦは、サイズの小さいボイド型欠陥が起点になって発生することがわかった。そこで、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察や計算機シミュレーションＤＥＦＧＥＮ．Ｘ（Ｔ．Ｓｉｎｎｏ ａｎｄ Ｒ．Ａ．Ｂｒｏｗｎ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１４６，ｐｐ２３００（１９９９））などを行い、エピ層上にＳＦを発生させるボイド型欠陥のサイズについて調査した。その結果、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥に起因してＳＦが発生することが明らかになった。
【００３５】
なお、シミュレーション上では、ウエーハ中のＶａｃａｎｃｙが２個、またはそれ以上集まったものは多数存在する。このようなＶａｃａｎｃｙが集まったもののサイズは場合によっては数ｎｍになるが、このようなＶａｃａｎｃｙが数個集まった程度のものがエピ層上にＳＦを形成することはないと考えられる。従って、上記のウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥とは、あくまでもボイド型欠陥として認識されるようなサイズ以上のものであり、内部に内壁酸化膜(物)を伴うようなものを指している。例えば図１０に示すように、窒素をドープしたシリコンウエーハに発生する棒状、板状の欠陥のうち、ウエーハ表面に現われる部分の開口部サイズが２０ｎｍ以下であるものを示している。
【００３６】
以上の結果から、ボイド型欠陥を成長させてウエーハ表面に開口部サイズが２０ｎｍ以下のボイド型欠陥がほとんど存在しないシリコンウエーハにエピタキシャル層を形成することによって、エピ層上にＳＦが発生していないエピタキシャルウエーハを作製することが可能となる。しかしながら、実際には欠陥の大きさには分布があり、またシミュレーション上からもウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数が０個になることは決してなく、どうしてもシリコンウエーハ上には開口部サイズが２０ｎｍ以下のボイド型欠陥が数個程度存在してしまう。
【００３７】
したがって、実際には、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数は０．０２個／ｃｍ２以下であれば良い。このようなボイド型欠陥の個数については、実際の現実的なエピウエーハの品質レベルから規定した。例えば、窒素ノンドープのシリコンウエーハから作製したエピタキシャルウエーハでは、少なくともウエーハ面内に数個程度のＳＦが発生する。しかしながら、このような数個程度のＳＦ、特に０．０２個／ｃｍ２以下程度のＳＦが発生したエピウエーハにデバイスを作製しても、ＳＦに起因してデバイス歩留まりが極端に低下することはなく、この程度のＳＦであれば現状のデバイス作製工程ではほとんど無視することができる。
【００３８】
すなわち、エピタキシャル成長用シリコンウエーハであって、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハであれば、高いゲッタリング能力を有し、かつＳＦがエピタキシャル層に少ない高品質のエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハとすることができる。
【００３９】
次に、このようなエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造するための方法について説明する。
上記のように、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製するためには、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成する際のシリコン単結晶育成時の結晶成長速度Ｆ（ｍｍ／ｍｉｎ）と固液界面近傍での引上げ軸方向の温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）との関係Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／ｍｉｎ・Ｋ）を適切に制御する必要がある。
【００４０】
ここで、本発明で使用したＣＺ法によるシリコン単結晶育成装置の一例を図９に示す。このシリコン単結晶育成装置は、シリコン融液４が充填された石英ルツボ５と、これを保護する黒鉛ルツボ６と、該ルツボ５、６を取り囲むように配置された加熱ヒータ７と断熱材８がメインチャンバ１内に設置されており、該メインチャンバ１の上部には育成した単結晶３を収容し、取り出すための引上げチャンバ２が連接されている。
【００４１】
このような単結晶育成装置を用いてシリコン単結晶３を育成するには、石英ルツボ５中のシリコン融液４に種結晶を浸漬した後、種絞りを経て回転させながら静かに引上げて棒状の単結晶３を成長させる。一方、ルツボ５、６は結晶成長軸方向に昇降可能であり、結晶成長中に結晶化して減少した融液の液面下降分を補うようにルツボを上昇させ、これにより、融液表面の高さを一定に保持している。また、メインチャンバ１の内部には、引上げチャンバ２の上部に設けられたガス導入口１０からアルゴンガス等の不活性ガスが導入され、引上げ中の単結晶３とガス整流筒１１との間を通過し、遮熱部材１２の下部と融液面との間を通過し、ガス流出口９から排出されている。
【００４２】
このようにしてシリコン単結晶を育成する場合、上述のようにＦ／Ｇの値によって単結晶に導入されるＶａｃａｎｃｙの濃度が決まるので、Ｆ／Ｇを制御することはシリコン単結晶に形成されるボイド型欠陥のサイズを制御する上で最重要な要素の一つである。すなわち、このＦ／Ｇが小さければシリコン単結晶に導入される過剰なＶａｃａｎｃｙの濃度も小さくなり、結果的にボイド型欠陥のサイズは小さくなってしまう。従って、ボイド型欠陥のサイズを大きくし、小さいサイズのボイド型欠陥を減らしたシリコン単結晶を育成するためには、Ｆ／Ｇの値をある程度以上大きくしてシリコン単結晶の育成を行うことが重要となる。
【００４３】
そこで、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下となるシリコンウエーハを作製するためのＦ／Ｇを求めるため、Ｆ／Ｇを様々に変化させてシリコン単結晶の育成を行い、得られた各ウエーハの表面を観察することによって、適切なＦ／Ｇの値を実験的に求めた。その結果、Ｆ／Ｇを０．３０以上とすることによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを十分な濃度でシリコン単結晶内に導入することができることがわかった。
【００４４】
このとき、このＦ／Ｇの値は大きければ大きいほど過剰なＶａｃａｎｃｙを高濃度でシリコン単結晶内に導入することができるため好ましいが、通常直径２００ｍｍ以上のシリコン単結晶を安全に成長するための結晶成長速度Ｆの上限が３ｍｍ／ｍｉｎであり、またシリコン単結晶の結晶化を可能とする温度勾配Ｇの最小値が０．３Ｋ／ｍｍ程度であるため、Ｆ／Ｇは大きくても１０．００以下とすることが好ましい。
【００４５】
また上記のように、Ｆ／Ｇを０．３０以上とすることによって過剰なＶａｃａｎｃｙを十分な濃度でシリコン単結晶内に導入することができるものの、過剰なＶａｃａｎｃｙが集まってボイド型欠陥を形成する時間が短ければ、ボイド型欠陥のサイズが小さくなってしまう。そのため、シリコン単結晶育成時に、ボイド型欠陥のサイズに影響を与えると考えられている１１５０〜１０５０℃の温度領域の通過時間をある値以上とすることが重要である。そこで、今回の実験結果やシミュレーションなどから１１５０〜１０５０℃の温度領域の適切な通過時間を求めた結果、４０ｍｉｎ以上が適切であることがわかった。
【００４６】
尚、１１５０〜１０５０℃の通過時間とは、単結晶育成装置の炉内構造によって決定される１１５０〜１０５０℃の温度幅を結晶成長速度で割った値として算出されるものである。そして、この１１５０〜１０５０℃の通過時間は、結晶成長速度Ｆを小さくすれば幾らでも長くさせることができ、可能な範囲で長い方がサイズの大きいボイド型欠陥を形成できるため好ましい。しかしながら、シリコン単結晶の生産性を考慮したり、上記のようにＦ／Ｇが０．３０以上となる条件を満たすような結晶成長速度範囲では、１１５０〜１０５０℃の通過時間の上限が自ずと限られてくる。具体的に示すと、現在、工業的に成立しある程度の生産性を確保できる下限の結晶成長速度が０．１ｍｍ／ｍｉｎであり、また単結晶育成装置における１１５０〜１０５０℃の温度幅は長いもので２００ｍｍ程度であるため、１１５０〜１０５０℃の通過時間は２０００ｍｉｎ以下とすることが好ましい。
【００４７】
すなわち、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造する方法として、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成し、その際のシリコン単結晶育成時の結晶成長速度をＦとし、成長界面近傍での温度勾配をＧとした場合に、Ｆ／Ｇを０．３０以上とし、且つ１１５０〜１０５０℃の通過時間を４０ｍｉｎ以上として、少なくともウエーハ中心でボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内でシリコン単結晶を育成した後、この育成したシリコン単結晶をスライスすることによってエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造するエピタキシャル成長用シリコンウエーハの製造方法を用いることによって、窒素がドープされており、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを、高温アニール等の特別な処理を行わずに容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００４８】
このとき、シリコン単結晶を育成する際にＦ／Ｇを０．３５以上とすることによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを高濃度でシリコン単結晶に導入してボイド型欠陥のサイズを容易に大きくすることができる。したがって、シリコンウエーハの表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数を確実に０．０２個／ｃｍ２以下とすることができ、より良好な品質のエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。
【００４９】
また、ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する際に、ボイド型欠陥が発生するＶ領域はウエーハ面内のより広い領域を占めること、特にＶ領域がウエーハ面内の８０％以上の領域で存在するようにシリコン単結晶を育成することが好ましい。このようにシリコン単結晶を育成することによって、過剰なＶａｃａｎｃｙを容易にシリコン単結晶のほぼ全面に導入することができるため、ウエーハ表面に現われる開口部サイズが２０ｎｍ以下であるボイド型欠陥の個数がほぼ全面で０．０２個／ｃｍ２以下となるシリコンウエーハを得ることができる。
【００５０】
さらに、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成する際、シリコン単結晶にドープする窒素の濃度を１×１０１３／ｃｍ３以上とすることが好ましい。このようにシリコン単結晶にドープする窒素の濃度を１×１０１３以上とすることによって、酸素析出核がシリコン単結晶中に確実に形成され、また形成された酸素析出核は高温でエピタキシャル成長を行っても消滅しないため、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウエーハを作製できるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造することができる。また一方、シリコン単結晶にドープする窒素の濃度が１×１０１４超えると単結晶を育成する際に単結晶化の妨げとなる恐れがあり、生産性の低下を招くことがあるため、ウエーハの窒素濃度は１×１０１４／ｃｍ３以下とすることが好ましい。
【００５１】
上記のようにして、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した後、このエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することができる。
【００５２】
すなわち、シリコンウエーハとして、ＣＺ法により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製されたもので、ウエーハ表面に現われるボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるシリコンウエーハを用い、このシリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することができる。
【００５３】
このようにエピタキシャルウエーハを製造することによって、高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすＳＦがエピタキシャル層に少ない、特にエピタキシャル層上に発生するＳＦの個数が０．０２個／ｃｍ２以下の高品質のエピタキシャルウエーハを容易に高生産性かつ低コストで製造することができる。
【００５４】
尚、シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成する方法は特に限定されるものではなく、通常行われているような方法を用いることによってエピタキシャル層を形成することができる。
【００５５】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
まず、直径８００ｍｍの石英ルツボにシリコン原料を３２０ｋｇチャージし、ＭＣＺ法によって、中心磁場強度４０００Ｇの横磁場を印加し、またシリコン単結晶をＶ領域で育成できるように平均結晶成長速度Ｆを０．６８ｍｍ／ｍｉｎに設定して、直径３００ｍｍ、直胴部の長さ１２０ｃｍの窒素をドープしたシリコン単結晶を育成した。このとき、窒素を２×１０１３〜９×１０１３／ｃｍ３の濃度範囲でシリコン単結晶にドープした。
【００５６】
今回の結晶育成に用いたＨＺ（ホットゾーン）における温度勾配Ｇの結晶径方向の分布を調べた結果、図３に示すような分布が得られた。また、結晶径方向におけるＦ／Ｇの分布は、図１のように、中心部のＦ／Ｇの値は０．３０であり、また径方向の８０％以上（１００％）で０．３０以上でＶ領域となっていた。さらに、１１５０〜１０５０℃の通過時間を測定したところ、図２に示すように７６分であった。
【００５７】
このようにして作製したシリコン単結晶からウエーハを切出し、ラッピング、面取り、研磨を施してエピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した。このエピ成長用シリコンウエーハに１１３０℃にて４μｍのエピタキシャル層を形成した。その後、パーティクルカウンターＳｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）にてエピタキシャル層表面のパーティクルカウント（サイズ；０．０９μｍ以上）を行った。その結果、パーティクルは１４個／３００ｍｍφウエーハ（０．０２０個／ｃｍ２）観察された。さらに、マルチレーザーコンフォーカル検査システムＭ３５０（ＭＡＧＩＣＳ、レーザーテック社製)を用いてエピタキシャル層の表面を観察したところ、８個／３００ｍｍφウエーハ（０．０１１個／ｃｍ２）がＳＦであることを確認した。その結果、窒素がドープされているにも関わらずＳＦが非常に少なく、高品質のエピタキシャルウエーハであることがわかった。
【００５８】
（実施例２）
次に、温度勾配Ｇの結晶径方向分布の均一性は損なわれるものの、結晶成長速度Ｆをより高速にでき、結果的にＦ／Ｇを実施例１に比べて大きくできるＨＺを有する単結晶育成装置を用意した。この装置の直径８００ｍｍの石英ルツボにシリコン原料を３２０ｋｇチャージし、ＭＣＺ法によって中心磁場強度３５００Ｇの横磁場を印加し、またシリコン単結晶をＶ領域で育成できるように平均結晶成長速度Ｆを１．１０ｍｍ／ｍｉｎに設定して、直径３００ｍｍ、直胴部の長さ１２０ｃｍの窒素をドープしたシリコン単結晶を育成した。このとき、窒素を２×１０１３〜９×１０１３／ｃｍ３の濃度範囲でシリコン単結晶にドープした。
【００５９】
また、このときの結晶径方向におけるＦ／Ｇの分布は図１のようになり、中心部のＦ／Ｇの値は０．４１であり、また径方向の８０％以上で０．３５以上でＶ領域となっていた。さらに、１１５０〜１０５０℃の通過時間を測定したところ、図２に示すように４７分であった。
【００６０】
このようにして作製したシリコン単結晶から、実施例１と同じ様にして、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した後、１１３０℃にて４μｍのエピタキシャル層を形成した。その後、実施例１と同様に、パーティクルカウンターＳＰ１にてエピタキシャル層表面のパーティクルカウントを行った。その結果、図４に示すように、パーティクルは３個／３００ｍｍφウエーハ（０．００４個／ｃｍ２）観察された。さらに、ＭＡＧＩＣＳを用いて観察を行ったところ、２個／３００ｍｍφウエーハ（０．００３個／ｃｍ２）がＳＦであることを確認し、ＳＦが実施例１よりもさらに少なく、より高品質のエピタキシャルウエーハを得ることができた。
【００６１】
（比較例１〜３）
実施例１と同じホットゾーンを用い、直径８００ｍｍの石英ルツボにシリコン原料を３２０ｋｇチャージし、ＭＣＺ法によって、中心磁場強度４０００Ｇの横磁場を印加し、結晶成長速度Ｆを０．７ｍｍ／ｍｉｎから０．３ｍｍ／ｍｉｎまで徐々に低下させて、直径３００ｍｍ、直胴部の長さ１２０ｃｍの窒素をドープしたシリコン単結晶を育成した。このとき、窒素を２×１０１３〜９×１０１３／ｃｍ３の濃度範囲でシリコン単結晶にドープした。なお、温度勾配Ｇの結晶径方向分布は、実施例１と同じであった。
【００６２】
作製したシリコン単結晶からサンプルウエーハを切出して、単結晶中のＯＳＦの発生位置を調査した。ＯＳＦの発生位置の調査は、１１５０℃で１００ｍｉｎのウェット酸化を行った後、フッ酸・硝酸・酢酸・水からなる選択性のある混酸液で選択エッチングを行い、サンプルウエーハを集光灯下及び顕微鏡下で観察することにより行った。その結果、成長速度０．４０ｍｍ／ｍｉｎに相当する位置で、ウエーハ面内の全面にＯＳＦが発生していた。
【００６３】
そこで、上記で作製したシリコン単結晶において結晶成長速度が０．４０ｍｍ／ｍｉｎ（比較例１）、０．４５ｍｍ／ｍｉｎ（比較例２）、０．６０ｍｍ／ｍｉｎ（比較例３）に相当する部分から、実施例１と同じ様にして、エピタキシャル成長用シリコンウエーハを作製した。このとき、ウエーハを切り出したシリコン単結晶の各位置におけるＦ／Ｇを求めた結果、図５に示す値であった。各ウエーハの中心におけるＦ／Ｇは、それぞれ０．１８、０．２０、０．２７であった。これらは、本発明の要件を満たすものではなかった。更に、比較例１のエピ成長用シリコンウエーハについてウエーハ表面に存在する欠陥をＴＥＭにて観察したところ、ウエーハ表面での開口部サイズが２０ｎｍ以下の欠陥が見つけやすく、非常に多く存在していることが確認された。
【００６４】
その後、このエピ成長用シリコンウエーハに１１３０℃にて４μｍのエピタキシャル層を形成した後、パーティクルカウンターＳＰ１にてエピタキシャル層表面のパーティクルカウントを行った。その結果、図６に示すように、結晶成長速度が速くなるとともにパーティクル個数が低減しているものの、何れのウエーハにもパーティクルが多数観察され、図６に示した比較例１のエピウエーハでは、パーティクルが多すぎるためパーティクルカウンターの容量をオーバーし、外周部まで測定することができなかった。また比較例２及び３のエピウエーハでは、それぞれ１７３８４個／３００ｍｍφウエーハ（２４．６個／ｃｍ２）、３３個／３００ｍｍφウエーハ（０．０４７個／ｃｍ２）のパーティクルが観察された。さらに、ＭＡＧＩＣＳを用いて観察を行ったところ、比較例３のエピウエーハでは、１８個／３００ｍｍφウエーハ（０．０２５個／ｃｍ２）のＳＦが観察され、低速成長され開口部のサイズが２０ｎｍ以下のものが高密度である比較例１に比べＳＦが激減しているものの、窒素ドープしないものに比べれば品質の低いエピウエーハであることがわかった。
【００６５】
また、上記実施例１、２及び比較例１〜３で作製した各エピタキシャルウエーハで観察されたパーティクル及びＳＦの個数を、ウエーハ中心部でのＦ／Ｇの値を横軸にして図７にプロットした。この図７からも、Ｆ／Ｇを０．３０以上にすることによって、エピタキシャル層上に発生するＳＦの個数が０．０２個／ｃｍ２以下である高品質のエピタキシャルウエーハを得ることができることがわかる。
【００６６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００６７】
例えば、上記実施例では、磁場を印加して直径３００ｍｍのシリコン単結晶を育成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、シリコン単結晶は直径２００ｍｍや３５０ｍｍのもの、あるいはそれ以上の直径を有するものでも良く、またシリコン単結晶を育成する際に磁場を印加しない場合であっても、本発明を適用することができる。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高いゲッタリング能力を有し、かつＳＦがエピタキシャル層に少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１及び２におけるＦ／Ｇの結晶径方向における分布を表した図である。
【図２】実施例１及び２における各温度領域の通過時間を表した図である。
【図３】実施例１及び比較例１〜３で用いたＨＺにおける成長界面近傍での温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）の結晶径方向の分布を表した図である。
【図４】実施例２のエピタキシャルウエーハにおいてＳＰ１でエピタキシャル層上のパーティクルを観察した結果を表した図である。
【図５】比較例１〜３におけるＦ／Ｇの面内分布を表した図である。
【図６】比較例１〜３のエピタキシャルウエーハにおいてＳＰ１でエピタキシャル層上のパーティクルを観察した結果を表した図である。
【図７】実施例１、２及び比較例１〜３のエピタキシャルウエーハにおけるパーティクル（ＬＰＤ；Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）及びＳＦの個数をプロットしたグラフである。
【図８】シリコン単結晶育成時に導入される結晶欠陥とＦ／Ｇとの関係を表した図である。
【図９】本発明で使用した単結晶育成装置の概要図である。
【図１０】窒素をドープしたシリコンウエーハの断面を観察した結果を示した拡大図である。
【符号の説明】
１…メインチャンバ、 ２…引上げチャンバ、 ３…単結晶、
４…シリコン融液、 ５…石英ルツボ、
６…黒鉛ルツボ、 ７…加熱ヒータ、
８…断熱部材、 ９…ガス流出口、 １０…ガス導入口、
１１…ガス整流筒、 １２…遮熱部材。
Claims (4)
- エピタキシャルウエーハを製造する方法において、ＣＺ法により窒素をドープしてシリコン単結晶を育成し、その際のシリコン単結晶育成時の結晶成長速度をＦ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、成長界面近傍での温度勾配をＧ（Ｋ／ｍｍ）とした場合に、Ｆ／Ｇ（ｍｍ２／ｍｉｎ・Ｋ）を０．３０以上とし、且つ１１５０〜１０５０℃の通過時間（ｍｉｎ）を４０ｍｉｎ以上として、少なくともウエーハ中心でボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内でシリコン単結晶を育成した後、該育成したシリコン単結晶をスライスすることによって、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であるエピタキシャル成長用シリコンウエーハを製造し、該製造されたエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成することによって、エピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶を育成する際に、前記Ｆ／Ｇを０．３５以上とすることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記Ｖ領域が、ウエーハ面内の８０％以上の領域で存在するようにシリコン単結晶を育成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶にドープする窒素の濃度を、１×１０１３〜１×１０１４／ｃｍ３とすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。
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