JP4192236B2 - 太陽電池 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、n導電型の有機半導体を用いた半導体デバイスに関し、特に、C60に代表されるフラーレンをn導電型の有機半導体として用いた、太陽電池として有用な半導体デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
有機半導体はそのままでp型になりやすく、p型のものは良好な特性を有するものが多く知られている。これに対し、有機半導体はn型になりにくくその特性がp型のものと比較して大きく劣っていた。比較的良好な特性を有するn型半導体としてはC60に代表されるフラーレンが知られているが、いまだp型有機半導体に匹敵する特性は得られていない。そのため、低コストで作製できることが期待されている有機半導体太陽電池も良好な特性を示すものが得られていない(例えば、特許文献1、2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平6−244440号公報
【特許文献2】
特開平7−74377号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
フラーレンはまたドーピングにより超伝導特性を示す材料として知られ、フラーレンへのドーピングはこの面からの研究が主として行われ、半導体材料としてのドーピングについてはほとんど研究がなされていないのが実情であり、そのためもあって満足のいく特性のn型半導体を得ることができなかった。
本願発明の課題は、良好な特性を有するn型有機半導体を提供することであり、これにより有機半導体太陽電池をはじめとする有機半導体デバイスの特性の向上を図ろうとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本願発明によれば、n導電型のフラーレンとp導電型の有機半導体とが混合された混合有機半導体層と、前記混合有機半導体層の一方の面に形成されたMgを含むn極電極と、前記混合有機半導体層の他方の面に形成されたp極電極とを有する太陽電池であって、該n極電極が、Mg薄層と該Mg薄層上に形成された該Mg薄層より膜厚の厚い金属電極層とを有していることを特徴とする太陽電池、が提供される。
【0007】
上記のMgを含む材料からなる電極は、Mgを含む合金材料により形成された電極であるか、もしくは、Mg薄層と該Mg薄層上に形成された該Mg薄層より膜厚の厚い金属電極層とを有する電極である。
【0008】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1(a)、(b)は、本発明の第1の実施の形態を示す断面図である。同図に示すように、p型有機半導体層1に接してこれとpn接合を形成するn型有機半導体層2が形成されており、各半導体層のpn接合と反対側の表面にはそれぞれの半導体層とオーミックに接触するp側電極3とn側電極4とが形成されている。
p型有機半導体層1の材料としては、無金属フタロシアニン、各種金属フタロシアニン、トリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン系誘導体、スチルベン系誘導体等を用いることができる。また、p型有機半導体層1の形成方法としては、真空蒸着法や溶媒塗布法を挙げることができる。p型有機半導体が特別なドーピング工程を経ることなくp型を呈している場合にはそのまま用いてもよい。
【0009】
n型有機半導体層2のドーパントにはMgが用いられる。このドーパントは、Mgを含む材料から構成される電極からドープされる。そして、その半導体材料には、C60、C70等のフラーレンが有利に用いられる。フラーレン膜の形成方法としては真空蒸着法が用いられる。あるいは、溶媒への溶解度を高めたフラーレン誘導体を形成し、溶媒塗布法を用いて形成する。
【0010】
p側電極3の材料としては、Al、Au、Ni等の金属材料、ITO、SnO2、ZnO等の透明導電材等が用いられるが、太陽電池の応用を考える場合には、透明導電材を用いることが望ましい。金属材料を薄く成膜することにより、透明導電膜として用いることもできる。
n側電極の材料としては、金属材料一般が用い得るが少なくとも半導体層と接触する部分にはMgを含む金属材料が用いられる。すなわち、図1(a)に示すように、単一材料からなる電極を用いる場合には、Mgを構成要素とする合金の電極が用いられ、また、図1(b)に示すように、2層の金属膜により電極を構成する場合には、n側電極4を、膜厚の薄いMg薄層41と、それを覆うAl、Au等の高導電率材料からなる、Mg薄層41より膜厚の厚い低抵抗電極膜42とから構成される。Mg薄層41と低抵抗電極膜42との間にバリア膜や密着層を介在させることができる。
【0011】
本発明においては、電極からの拡散によりn型半導体のドーパントを実現しているため、合金材料電極としては、Mg含有率が85mol%以上99 mol%以下とすることが望ましい。85%以下である場合には半導体への十分なドーパントの供給が期待できなくなるからであり、99%以上では合金としての性質が失われ酸化などの好ましくない現象が現れるからである。また、Mg薄層41を下層としてn側電極4を形成する場合には、Mg薄層の膜厚は2nm以上20nm以下とすることが好ましい。2nm以下では面内均一な膜厚の成膜が困難となり、均一なドーピングが困難となるからであり、20nm以上では側面からの酸化などの好ましくない現象が生じるからである。
【0012】
図1に示される本実施の形態の有機半導体デバイスは、一般的には支持体上に形成される。支持体としては、ガラス、セラミックスなどの無機材料、Alやステンレスなどの金属、ポリエチレンテレフタレートや液晶ポリマーなどの有機材料のものが使用可能である。p側電極、n側電極のいずれの側を支持体側とすることもできる。金属支持体を用いる場合には、支持体により図1(b)に示す低抵抗電極膜42を兼ねるようにしてもよい。p側電極3が透明導電膜であってこれが支持体上に設けられる場合には、支持体はガラスやポリエチレンテレフタレート等の無機または有機の透明基板が用いられる。
【0013】
図2は、本発明の第2の実施の形態を示す断面図である。同図に示すように、n型有機半導体層2の一方の面にはこれとショットキー接合を形成するショットキー電極5が設けられ、n型有機半導体層2の他方の面にはこれとオーミックに接触するオーミック電極6が設けられる。本実施の形態におけるn型有機半導体層2とオーミック電極6とは、図1に示した第1の実施の形態のn型有機半導体層2とn側電極2と同様であるので、これらに関する説明は省略する。ショットキー電極5の材料としては、Al、Au、Ni等の金属材料、ITO、SnO2、ZnO等の透明導電材等が用いられるが、太陽電池の応用を考える場合には、透明導電材を用いることが望ましい。
図2に示される本実施の形態の有機半導体デバイスも、一般的には支持体上に形成される。その支持体は第1の実施の形態の場合と同様である。
【0014】
図3は、本発明の第3の実施の形態を示す断面図である。本実施の形態においては、p型有機半導体とn型有機半導体との混合物が用いられる。すなわち、図3に示すように、p・n有機半導体混合薄膜7が用いられ、その表裏面にn側電極4とp側電極3とが形成される。n側電極4はn型有機半導体とオーミックに接触しており、p側電極3はp型有機半導体とオーミックに接触している。n側電極4とp側電極3の材料、構成は第1の実施の形態の場合と同様であり、また、n型有機半導体のn型ドーパントがMgであり、このドーパントがMgを含む材料から構成される電極からドープされる点も第1の実施の形態の場合と同様である。
p型有機半導体の材料としては、無金属フタロシアニン、各種金属フタロシアニン、トリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン系誘導体、スチルベン系誘導体等を用いることができる。n型有機半導体材料には、C60、C70等のフラーレンが有利に用いられる。
【0015】
また、p・n有機半導体混合薄膜の形成方法としては、真空蒸着法(共蒸着)や溶媒塗布法を挙げることができる。溶媒に溶けにくい材料を塗布法により形成する場合にはその材料について溶媒可溶化処理が行われる。
p・n有機半導体混合薄膜中のn型有機半導体とp型有機半導体の混合比(n型有機半導体/p型有機半導体)は、低分子量分子同士の場合にはmol比で、少なくとも一方が高分子材料であるときには重量比で、0.8以上1.25以下である。この範囲を外れると高い変換効率が得られなくなるからである。一層好ましいmol比または重量比は0.9以上1.11以下である。
【0016】
【実施例】
次に、本発明の具体的な実施例について図面を参照して説明する。
[実施例1]
図4は、本発明の実施例1を示す断面図である。ガラス基板15上に設けられたITO電極13上に、p型半導体層として化1に示されるポリ(2−メトキシ、5−(2’−エチル−ヘキシロキシ)−パラ−フェニレンビニレン(MEH-PPV)をスピンコート法により成膜して、厚さ約15nmのMEH-PPV薄膜11を形成した。
【0017】
【化1】
その上にn型半導体層として、フラーレン(C60)を真空蒸着法により堆積して厚さ約60nmのC60薄膜12を形成した。次に、n型半導体であるC60層へMgによるドーピングを施す目的で、真空蒸着法によりMgAg合金を堆積してMgAg電極14を形成した。MgAg合金のMg含有率は、98mol%であった。このようにして形成されたMgAg電極14からのMgドーピングによりC60層12のn型化が促進される。太陽電池としての有効電極面積は4mm2であった。
このように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm2の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、図5に示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は0.5%であった。
【0018】
[比較例1]
比較例1として、図6に示すように、実施例1と同様の方法でガラス基板上にC60薄膜12までを形成し、MgAg電極に代えて、C60薄膜12上に真空蒸着法によりAl電極24を形成した。このように作製された太陽電池に対し、実施例1と同じ条件で電流−電圧特性を測定したところ、図7に示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は、0.0015%と、実施例1に比較して非常に低い値しか得られなかった。
【0019】
[実施例2]
図8は、本発明の実施例2を示す断面図である。ガラス基板35上に設けられたITO電極33上に、p型半導体層として化2に示されるメロシアニン色素(MC)を厚さ約100nmに真空蒸着法により堆積し、MC薄膜31を形成した。
【0020】
【化2】
その上にn型半導体層となるフラーレン(C60)を真空蒸着法により厚さ約100nmに堆積して、C60薄膜32を形成した。次に、n型半導体であるC60薄膜へのMgドーピングを目的として、C60薄膜32の上にMgを真空蒸着法により約10nmの厚さに堆積してMg薄層36を形成した。その上にさらにAlを真空蒸着して厚さ約50nmのAl電極34を形成した。太陽電池としての有効電極面積は4mm2であった。このように形成されたMg薄層36からのC60薄膜32へのMg拡散により、C60薄膜のn型化が促進される。
図8に示すように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm2の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、図9の示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は0.15%であった。
【0021】
[比較例2]
比較例2として、図10に示すように、実施例2と同様の方法でガラス基板上にC60薄膜32までを形成し、Mg/Al電極に代えて、C60薄膜32上に真空蒸着法により膜厚50nmのAl電極44を形成した。このように作製された太陽電池に対し、実施例2と同じ条件で電流−電圧特性を測定したところ、図11に示す特性が得られ、そのエネルギー変換効率は、0.0028%であった。
【0022】
[実施例3]
図12は、本発明の実施例3を示す断面図である。ガラス基板55上に設けられたITO電極53上に、n型半導体層となるフラーレン(C60)を真空蒸着法により堆積して厚さ約100nmのC60薄膜52を形成した。ITO電極53はC60薄膜52に対してショットキー電極となる。次に、n型半導体であるC60薄膜へのMgドーピングを目的として、C60薄膜52の上にMgを真空蒸着法により約10nmの厚さに堆積してMg薄層56を形成した。その上にさらにAlを真空蒸着して厚さ約50nmのAl電極54を形成した。太陽電池としての有効電極面積は4mm2であった。
図12に示すように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm2の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、そのエネルギー変換効率は0.15%であった。
【0023】
[実施例4]
図13は、本発明の実施例4を示す断面図である。ガラス基板65上に設けられたITO電極63上に、n型半導体であるフラーレン(C60)とp型半導体であるMCとをmol比が1となるように真空蒸着法により共蒸着して厚さ約200nmのC60-MC混合薄膜62を形成した。次に、n型半導体であるC60へのMgドーピングを目的として、C60-MC混合薄膜62の上にMgを真空蒸着法により約10nmの厚さに堆積してMg薄層66を形成した。その上にさらにAlを真空蒸着して厚さ約50nmのAl電極64を形成した。太陽電池としての有効電極面積は4mm2であった。
図13に示すように作製された太陽電池に対し、強度約100mW/cm2の擬似太陽光をITO電極側から照射した状態で、電流−電圧特性を測定したところ、そのエネルギー変換効率は0.45%であった。
【0024】
以上好ましい実施例について説明したが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能なものである。例えば、実施例は太陽電池に係るものであったが、本発明は太陽電池に限定されるものではなく、Mg電極からMgのドーピングを受けたn型有機半導体を備えた他の半導体デバイスについても適用が可能なものである。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、Mgを含有する電極からのMgドーピングによって形成したn導電型有機半導体を用いて半導体デバイスを構成するものであるので、良好な特性を有するn導電型有機半導体を用いた半導体デバイスを提供することができる。したがって、本発明によるn導電型有機半導体を用いて太陽電池を構成する場合には、低コストの有機半導体太陽電池の特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態を示す断面図。
【図2】 本発明の第2の実施の形態を示す断面図。
【図3】 本発明の第3の実施の形態を示す断面図。
【図4】 本発明の実施例1の断面図。
【図5】 本発明の実施例1の電流−電圧特性図。
【図6】 比較例1の断面図。
【図7】 比較例1の電流−電圧特性図。
【図8】 本発明の実施例2の断面図。
【図9】 本発明の実施例2の電流−電圧特性図。
【図10】 比較例2の断面図。
【図11】 比較例2の電流−電圧特性図。
【図12】 本発明の実施例3の断面図。
【図13】 本発明の実施例4の断面図。
【符号の説明】
1 p型有機半導体層
2 n型有機半導体層
3 p側電極
4 n側電極
41 Mg薄層
42 低抵抗電極膜
5 ショットキー電極
6 オーミック電極
7 p・n有機半導体混合薄膜
11 MEH-PPV薄膜
31 MC薄膜
12、32、52 C60薄膜
13、33、53、63 ITO電極
14 MgAg電極
24、34、44、54、64 Al電極
15、35、55、65 ガラス基板
36、56、66 Mg薄層
62 C60-MC混合薄膜
Claims (5)
- n導電型のフラーレンとp導電型の有機半導体とが混合された混合有機半導体層と、前記混合有機半導体層の一方の面に形成されたMgを含むn極電極と、前記混合有機半導体層の他方の面に形成されたp極電極とを有する太陽電池であって、該n極電極が、Mg薄層と該Mg薄層上に形成された該Mg薄層より膜厚の厚い金属電極層とを有していることを特徴とする太陽電池。
- 前記p導電型の有機半導体がMEH−PPVまたはMCにより構成されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記混合有機半導体層のn導電型の有機半導体とp導電型の有機半導体とのmol比または重量比(n導電型の有機半導体/p導電型の有機半導体)が0.8以上1.25以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。
- 前記Mg薄層の膜厚が、2nm以上20nm以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記金属電極層がAl膜であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の太陽電池。
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