JP4178020B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装置と称す)に関する。
【0002】
【従来の技術】
特許文献1に記載の従来の開放型MRI装置では、被検体が撮像のために入る空間の開放性を高めるために、均一な静磁場を発生する静磁場発生源と、均一な磁場領域に傾斜した磁場を発生する円板状の傾斜磁場コイルを均一磁場領域を挟み上下に対向して配置している。
【0003】
開放型MRI装置の傾斜磁場コイルが振動を生じやすいので、特許文献2では傾斜磁場コイルの振動を抑制するために、傾斜磁場コイルの剛性を高めて振動振幅の大きな位置を固定している。また、特許文献3では傾斜磁場コイルの振動が静磁場発生源に伝播するのを抑制するために、静磁場発生源の外側に鉄板と鉄柱を有する磁気シールドを配設し、静磁場発生源と傾斜磁場コイルを鉄板で支持している。
【特許文献1】
特開平9−262223号公報
【特許文献2】
特開2001−149334号公報
【特許文献3】
特開2002−17709号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術の中で特許文献2に記載のMRI装置では、傾斜磁場コイルがボルト等を介して静磁場発生源に取付けられるので、直接傾斜磁場コイルの振動が静磁場発生源に伝播し、静磁場発生源が励振される。特に、傾斜磁場コイルの振動を抑制するために剛に固定すればする程傾斜磁場コイル振動の静磁場発生源への伝播が大きくなる。
【0005】
特許文献3に記載のMRI装置では、傾斜磁場コイル振動が静磁場発生源に直接的に伝播するのを低減できる。しかしながら、傾斜磁場コイルに流す電流の振動数と傾斜磁場コイルの固有振動数と磁気シールドの固有振動数が一致すると、傾斜磁場コイル振動により磁気シールドが励振される。そして、磁気シールドに取り付けられた静磁場発生源も振動されるおそれを生じる。
【0006】
本発明は上記従来技術の不具合に鑑みなされたものであり、その目的はMRI装置の傾斜磁場コイルで発生した振動を低減することにある。本発明の他の目的は、傾斜磁場コイルで発生した振動の静磁場発生源への伝播を低減することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の磁気共鳴イメージング装置は、上下に対向して配置されたリング状の静磁場発生源と、この静磁場発生源の内径側に配置され上下に対向して配置された傾斜磁場コイルおよび高周波コイルと、前記静磁場発生源と傾斜磁場コイルと高周波コイルを保持する一対の磁気プレートと、この磁気プレートを互いに接続する柱状継鉄と、を備え、前記傾斜磁場コイルに振動抑制手段を設け、この振動抑制手段は、傾斜磁場コイルの上下両面に傾斜磁場コイルの剛性よりも高い剛性を有するベースプレートを有し、ベースプレートはボルトを用いて少なくとも傾斜磁場コイルの節円1次モード又は節直径1次モードの腹の位置に固定され、前記傾斜磁場コイルの最低次の固有振動数を、前記磁気プレートと前記柱状継鉄とからなる静磁場発生源支持構造物の最低次の固有振動数より大きくした構成を有するものである。
【0008】
上記構成において、振動抑制手段は、傾斜磁場コイルを磁気プレートから所定距離離隔させるスペーサ手段を有していてもよい。さらに、スペーサ手段は、複数個の円筒または複数のリングであってもよい。また、上記構成において、振動抑制手段は、傾斜磁場コイル上に配置した複数の梁状のベースプレートを含み、このベースプレートはセラミック製であってもよい。
【0009】
また上記構成において、ベースプレートは、平板状または梁状であってもよい。
【0010】
また上記構成において、傾斜磁場コイルの最低次の固有振動数を、磁気プレートと柱状継鉄とからなる静磁場発生源支持構造物の最低次の固有振動数より大きくしてもよい。また、傾斜磁場コイルとベースプレートとの間に減衰材を配置してもよい。
【0011】
また上記構成において、傾斜磁場コイルに流す撮像シーケンス電流を周波数分析した結果に基づき、静磁場発生源支持構造物の固有振動数の電流成分を許容値以下に制御する制御手段を設けてもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
MRI装置では、静磁場強度を高めてMRI画像を高精度化する傾向にある。例えば、静磁場強度を0.5Tまで高めることが可能なMRI装置では、高精度化のために、許容磁場変動量が0.01ppm程度となる。この量を許容振動量に換算すると、10-2μmオーダーに相当する。つまり、高精度なMRI装置では、1/10μm以下の振動しか許容されていない。
【0013】
そこでこのような低振動を実現する本発明に係るMRI装置の一実施例を、以下に示す。図1は、MRI装置の縦断面図、図2は図1に示したMRI装置の斜視図である。なお、図1は図2のA−A断面である。均一磁場領域の中心を原点とし、垂直方向をZ軸、左右方向にX軸、前後方向(奥行方向)をY軸とする。
【0014】
MRI装置では、一対の円柱状の磁気プレート3a,3bを上下に配置し、磁気プレート3a,3bの一部を柱状継鉄4で連結している。図1に示すように、断面コの字型の形状となっている。磁気プレート3a,3bは、対向する面の外径側でリング状の静磁場発生源1a、1bを保持している。静磁場発生源1a,1bの内周側位置で、1対のリング状のポールピース5a,5bが磁気プレート3a、3bに対向して取付けられている。
【0015】
ポールピース5a,5bのさらに内径側の磁気プレート3a,3b面には、円板状のシムトレイ7a,7bと高周波コイル8a,8b間にベースプレート11a,11b,傾斜磁場コイル6a,6b、ベースプレート12a,12bを積層した積層体が、高周波コイル8a,8b面を対向させて取付けられている。ベースプレート11a,11b,12a,12bは円板状をしており、プラスチックやセラミック等の適度な剛性を有する非磁性や非金属の材料である。
【0016】
このように構成した本実施例では、上下に対向して配置された静磁場発生源1a,1bが、このMRI装置の垂直方向(高さ方向)に静磁場を発生させる。なお、上下に配置した静磁場発生源1a,1bの距離を人間の背腹方向厚みよりも大きくし、柱状継鉄4を磁気プレート3a,3bの中心から離して配置して、被検体が入る空間の開放性を高めている。柱状継鉄4は上下の磁気プレート3a,3bを機械的に支持するだけではなく、磁気的に連結する。静磁場発生源1a,1b、磁気プレート3a,3bおよび柱状継鉄4は、上下の静磁場発生源1a,1b間に垂直方向の均一磁場発生領域2を発生可能な磁気回路を構成する。
【0017】
なお上記実施例では、1本の柱状継鉄4で磁気プレート3a,3bを支持しているが、開放性を損なわないなら複数本の柱状継鉄4を用いてもよい。磁気プレート3a,3bおよび柱状継鉄4を一体化した静磁場発生源支持構造物に静磁場発生源1a,1bを取り付けているが、磁気プレートと柱状継鉄を省いて直接上下の静磁場発生源1a,1bを連結支持してもよい。この場合、静磁場発生源1a,1bと静磁場発生源を連結支持する構造物を合わせて、静磁場発生源支持構造物とする。さらに、図3に示すように、ベースプレート11c,11d,12c,12dを梁状とし、周方向に4箇所、ほぼ均等配置する。これにより、図10(a)に示す節直径1次モードの振動を低減できる。また、中央部に円板状のベースプレート11e、12eを配置して、同図(b)に示す節円1次モードの振動を低減する。この構成は、大径の円板をセラミクス製とすることが困難な場合に有効である。
【0018】
上記実施例では、静磁場発生源1a,1bを超電導磁石としたが、常電導磁石や永久磁石でもよい。垂直方向(上下方向)に静磁場が発生するように各構成部材を配置したが、水平方向に静磁場が発生するように各構成部材を配置してもよい。なお図1では、超伝導コイルを極低温状態に保持するクライオスタットのみ図示し、超伝導コイルは図示を省略した。
【0019】
ポールピース5a,5bは、良好な均一磁場を得るためのもので、鉄で構成されリング状をしている。傾斜磁場コイル6a,6bは、MR信号に位置情報を付与するために、傾斜磁場を静磁場に重畳する。傾斜磁場コイル6a,6bは、それぞれX,Y,Z方向に傾斜した磁場を発生するコイル(導体)を樹脂等でモールドして、円板状に一体形成されている。
【0020】
傾斜磁場コイル6a,6bと磁気プレート3a,3bとの間には、所定間隔が形成されている。この間隔には、均一磁場領域の磁場の均一性を調整する図示しない磁場調整用の磁石または磁性材(図示せず。以下、整磁材という)が配置される。整磁材は、シムトレイ7a,7b上もしくはシムトレイ内にネジ止めや接着される。
【0021】
被検体に面して配置される平板状の高周波コイル8a,8bは、被検体の検査部位の原子核を共鳴励起するための高周波磁場を発生させる。高周波コイル8a,8bは、所定機能を果たすため傾斜磁場コイル6a,6bから所定の距離だけ離隔して配置される。
【0022】
本実施例では、傾斜磁場コイル6a,6bにベースプレート11a,11b,12a,12bを取り付けて一体化したので、傾斜磁場コイル6a,6b単体時よりも剛性が大きくなり、傾斜磁場コイル6a,6bの振動を低減できる。ベースプレート11a,11b,12a,12bを傾斜磁場コイル6a,6bと同じ形状にすれば、一体化部の剛性が板厚の3乗に比例して大きくなることより、傾斜磁場コイル6a,6bの振動をさらに低減できる。
【0023】
傾斜磁場コイル6a,6bにベースプレート11a,11b,12a,12bを接触させて一体化しているので、傾斜磁場コイル6a,6bが振動すると傾斜磁場コイル6a,6bとベースプレート11a,11b,12a,12b間に摩擦が発生する。そして、傾斜磁場コイル6a,6bの振動エネルギーが摩擦により熱エネルギーに変換される。
【0024】
これにより、傾斜磁場コイル6a,6bの振動エネルギーが放散されるので傾斜磁場コイル6a,6bの振動が低減する。傾斜磁場コイル6a,6bとベースプレート11a,11b,12a,12bとが摩擦したときに振動減衰させるためには、傾斜磁場コイル6a,6bにベースプレート11a,11b,12a,12bを接着するのではなく、ボルトで固定し一体化するのがよい。また、ベースプレート11a,11b,12a,12bの剛性を傾斜磁場コイル6a,6bの剛性より高くすれば、ベースプレート11a,11b,12a,12bが傾斜磁場コイル6a,6bの変形を抑制するので、さらに傾斜磁場コイル6a,6bの振動を低減できる。
【0025】
本実施例では、ベースプレート11a,11b,12a,12bを、傾斜磁場コイル6a,6bのシムトレイ7a,7b側と高周波コイル8a,8b側の双方の面に取り付けている。ベースプレート11a,11b,12a,12bは、傾斜磁場コイルと同じく平板状が望ましいが、図示したように梁状でもよい。ベースプレート11a,11b,12a,12bをセラミックで製作するときは、加工工程やコストを考慮して梁状とする。その際、ベースプレート11a,11b,12a,12bを、振動の腹を抑えるように傾斜磁場コイル6b上に配置する。図3では、節円1次モードと節直径1次モードの腹の位置にベースプレート11a,11b,12a,12bを配置している。
【0026】
図4に、MRI装置の下部に設けた傾斜磁場コイル6b部の詳細縦断面を示す。整磁材を、シムトレイ7b上に配置する。傾斜磁場コイル6bのシムトレイ7b側にベースプレート11bを取り付けて一体化し、この一体化した傾斜磁場コイル6bをシムトレイ7b上に配置したスペーサ13を介して磁気プレート3bに取り付ける。この取付けには、スタッドと一体化した貫通ボルト14を用いる。
【0027】
貫通ボルト14は、一端側が磁気プレート3bにねじ込まれ他端側に雌ねじが形成されたスタッドと、傾斜磁場コイル6bの下面で結合されている。これにより、貫通ボルト14が傾斜磁場コイル6bと接触するのを防止している。傾斜磁場コイル6bとベースプレート11bを一体化するときは、傾斜磁場コイル6bにベースプレート11bをボルトで固定するようにしてもよい。スペーサ13は、ベースプレート11bをシムトレイ7bから離隔して、整磁材に必要な距離を確保するために用いる。
【0028】
傾斜磁場コイル6bをボルト等で直接磁気プレート3bに固定していないので、傾斜磁場コイル6bの振動が直接磁気プレート3bに伝播する量を低減できる。つまり、傾斜磁場コイル6bとベースプレート11b間の摩擦やボルト固定部のガタ等で振動が減衰し、磁気プレート3bに伝播する振動を低減できる。
【0029】
スペーサ13は円筒状であり、ベースプレート11bとスペーサ13を含む系の剛性が高まるように、図6に示すように、ベースプレート11bの中心部と、外周部と、その中間部とに配置する。スペーサ13の本数が多いほど、また断面積が大きいほど傾斜磁場コイル6bへの取付部材の剛性が高まる。このようにスペーサ13を配置したので、少ないスペーサ13数でベースプレート11bとシムトレイ7b間に形成されるシミング領域を確保できる。また、傾斜磁場コイル6bの取付部材の剛性も確保できる。
【0030】
スペーサ13の他の例を、図7に示す。図6に示した実施例の複数本のスペーサ13の代わりに、リング状のスペーサ13x,13yを外周部および中間位置に配している。本実施例によれば、傾斜磁場コイル6bの取付部材の剛性をさらに高めることができ、傾斜磁場コイル6bの振動を低減できる。
【0031】
銅板に導体パターンに沿って溝を切削加工し、その溝に樹脂等を流し込んで傾斜磁場コイル6bを一体形成する。または円板状の樹脂に溝を切削加工した後、その溝に導体を保持させ、接着剤で固定して一体形成する。傾斜磁場コイル6bを磁気プレート3bに直接取り付けるときは、磁気プレート3bに取り付けたスタッドと一体化した貫通ボルト14を傾斜磁場コイル6bに貫通させ、ナットで固定する。この場合、簡単にシミング領域を確保できる。また、傾斜磁場コイル6bを所定の位置に位置決めできる。
【0032】
ただし、傾斜磁場コイル6bの導体には大電流が流れるので、スタッドを樹脂で固定する。そしてこの固定点に歪が集中するが、樹脂の剛性は導体に比べて低いので傾斜磁場コイル6bとナットを含む系の剛性が低下する。しかしながら、傾斜磁場コイル6bをベースプレート11b面で固定すると、局所的な低剛性部分の影響がなくなり、傾斜磁場コイル6b本来の剛性を維持できる。
【0033】
傾斜磁場コイル6bの固定ボルト穴は、導体部を避けて設けられなければならない。そのため、傾斜磁場コイル6bに形成された導体パターンにより、ボルト穴位置は制約される。傾斜磁場コイル6bをボルトで磁気プレート3bに直接取り付けるときには、必ずしも振動低減上有効な位置にボルトを配置できない、またはボルト位置を優先すると導体パターン設計が制約されるという不具合を生じるおそれがある。
【0034】
本実施例によれば、傾斜磁場コイル6bの導体パターンの制約が少なくなるので、スペーサ13を傾斜磁場コイル6bの振動低減上有効な位置に配置でき、傾斜磁場コイル6bの導体パターン設計の自由度が増す。また、傾斜磁場コイル6bの振動を低減できる。
【0035】
なお、ベースプレート11bとシムトレイ7bの間に、ダッシュポットなどの傾斜磁場コイル6bの面外方向の振動を減衰可能な部材を設けるのがよい。そして、一部のスペーサ13の代わりに、減衰部材を用いて支持するようにする。このようにすれば、減衰部材が傾斜磁場コイルの振動エネルギを消散するので、傾斜磁場コイルの振動が低減する。減衰部材を、傾斜磁場コイル6bと一体化して振動するベースプレート11bの振動が大きくなる位置に取付ける。また本実施例では、傾斜磁場コイル6bと高周波コイル8bの間に、第2のベースプレート12bを設けている。傾斜磁場コイル6bに高周波コイル8bと第2のベースプレート12bの剛性が追加されるので、さらに傾斜磁場コイル6bの剛性が高められる。
【0036】
本発明に係る傾斜磁場コイル部の他の実施例を、図5に示す。本実施例では、整磁材をシムトレイ内7bに収容している。傾斜磁場コイル6b,ベースプレート11b及びシムトレイ7bは積層され、これらを貫通ボルト14で磁気プレート3bに固定する。傾斜磁場コイル6bとベースプレート11bは、他のボルトを用いて一体化されてもよい。
【0037】
本実施例によれば、ベースプレート11bがスペーサの役割を果たす。ベースプレート11bの厚さを所定量に設定することにより、傾斜磁場コイル6bをシムトレイ7bから所定距離だけ離隔できる。傾斜磁場コイル6bにベースプレート11bとシムトレイ7bを積層する構造としたので、ベースプレート11bとシムトレイ7bの剛性が傾斜磁場コイル6bの剛性に付加され、傾斜磁場コイル6bの剛性が増大する。傾斜磁場コイル6bと高周波コイル8bの間には、第2のベースプレート12bを設けて、高周波コイル8bと第2のベースプレート12bも一体化している。これにより、傾斜磁場コイルの剛性がさらに増大する。
【0038】
ところで、傾斜磁場コイル6a,6bでは、図10に示す最低次の面外方向の弾性変形モードが発生する。ここで、同図(a)は節直径1次モードを表し、図中の丸+部が紙面手前側への変形であり、丸−部は紙面奥行き側の変形である。このモードにおいては、左右の変位が紙面前後方向に反対になる。同図(b)は、節円1次モードを表し、丸+部は(a)図同様、紙面手前側への変形である。このモードでは中央部が紙面前後方向に変位する。これらの節円1次モードもしくは節直径1次モードを、傾斜磁場コイルの最低次固有モードと称す。
【0039】
一方、図8に示すように、磁気プレート31a,31bと柱状継鉄32を有する静磁場発生源支持構造物40には、柱状継鉄の曲げ1次モードが発生する。ここで、同図(a)は、図1と同様の方向における曲げ変形を誇張して示したものであり、同図(b)は(a)図の方向に直角な方向における曲げ変形を誇張して示したものである。この図10で示したモードを、静磁場発生源支持構造物40の最低次固有モードと称す。
【0040】
傾斜磁場コイル6a,6bの振動に起因する磁気プレート31a,31bの振動は、傾斜磁場コイル6a,6bに流れる電流の基本振動数と、傾斜磁場コイル6a,6bの最低次固有モードの振動数と、静磁場発生源支持構造物40の最低次固有モードの振動数が一致した時に、極めて大きい。そこで、傾斜磁場コイル6a,6bの最低次固有モードの振動数を、静磁場発生源支持構造物40の最低次固有モードの振動数より大きくして共振を避ける。これにより、傾斜磁場コイル6a,5bが振動して磁気プレート31a,31bの振動が極大化することを回避でき、磁気プレート31a,31bの振動に起因する静磁場発生源の振動を抑制でき、安定したMR画像が得られる。
【0041】
共振を避けるためには、傾斜磁場コイル6a,6bまたは静磁場発生源支持構造物40のいずれかの固有振動数を共振周波数より小さくするか大きくすればよい。しかしながら、固有振動数を小さくすると傾斜磁場コイル6a,6bまたは静磁場発生源支持構造物40の振動が大きくなる。そこで、傾斜磁場コイル6a,6bまたは静磁場発生源支持構造物40のいずれかの固有振動数を大きくする。磁気プレート31a,31bと柱状継鉄32を含む静磁場発生源支持構造物40の固有振動数は、磁場均一度,漏洩磁場,開放性,寸法及び重量等の制約から大きくすることが困難である。
【0042】
これに対し、ベースプレート11a,11bと一体化した傾斜磁場コイル6a,6bの固有振動数は、傾斜磁場コイル6a,6bまたはベースプレート11a,11bの形状と材質を変えれば固有振動数を大きくすることができる。傾斜磁場コイル6a,6bとベースプレート11a,11bが円板状であれば、傾斜磁場コイル6a,6bまたはベースプレート11a,11bの径を小さくするか、板厚を大きくするか、ヤング率を大きくするかまたは密度を小さくすればよい。
【0043】
傾斜磁場コイル6a,6bの最低次固有モードの振動数を、静磁場発生源支持構造物40の最低次固有モード振動数の√2倍以上にすれば、傾斜磁場コイル6a,6bの励振力が静磁場発生源支持構造物40に伝達する振動伝達率が1以下となる。傾斜磁場コイル6a,6bの振動に起因する励振力が静磁場発生源支持構造物40へ伝わるのを防止でき、振動絶縁することができる。これにより、静磁場発生源1a,1bの振動を低減することができる。
【0044】
上下に配置した静磁場発生源1a,1bが相対的に変位すれば磁場変動が生じる。この変動量が大になると、MR画像が劣化する。傾斜磁場コイル6a,6bの振動は磁気プレート3a,3bへの加振力であるから、上下の傾斜磁場コイル6a,6bの固有振動数が同じ場合には、上下の磁気プレート3a,3bが同時に最大の加振力で加振される。このとき、上下の磁気プレート3a,3b間の相対変位が最大になる。上下の傾斜磁場コイル6a,6bの固有振動数を互いに異ならせると、上下の磁気プレート3a,3bが同時に最大加振力で励振されるのを回避でき、静磁場発生源の相対変位が大きくなるのを防止できる。
【0045】
上側の傾斜磁場コイル6aの固有振動数を下側の傾斜磁場コイル6bの固有振動数より大きくすれば、下側の傾斜磁場コイル6bより上側の傾斜磁場コイル6aの振動を小さくすることができる。下側の磁気プレート3bは床面に直接的または間接的に固定される。上側の磁気プレート3aは柱状継鉄4でだけ支持されているので、下側の磁気プレート3bに比べて振動が大きい。振動が大きい上側の磁気プレート3aへの励振力を小さくすれば、上下の静磁場発生源の相対変位を効率良く低減できる。
【0046】
本発明に係るMRI装置の他の実施例を、図11を用いて説明する。図11は、傾斜磁場コイル6b部の縦断面図である。本実施例が上記実施例と異なるのは、傾斜磁場コイル6bとベースプレート11bの間に減衰材15を設けたことにある。具体的には、ペースプレート11bを、ベースプレート固定ボルト18を用いてスペーサ13及びシムトレイ7bを介して磁気プレート3bに固定する。次いで、ベースプレート11bを傾斜磁場コイル6bにゴム16を介してボルト17で固定する。
【0047】
傾斜磁場コイル6bの振動は、減衰材15により低減される。減衰材15の曲げ変形や伸縮変形を利用するよりも減衰材の15せん断変形を利用する方が、減衰効果が大きい。本実施例では、減衰材15を傾斜磁場コイル6bとベースプレート11b間に挟んでいるので、傾斜磁場コイル6bの表面に減衰材15を貼っただけより傾斜磁場コイル6bの振動減衰が大きい。減衰材15を設けたので、傾斜磁場コイル6bの振動がベースプレート3bに伝播するのを低減できる。また、ゴム16により振動絶縁効果が増す。
【0048】
図9を用いて、傾斜磁場コイル6a,6bに流す撮像シーケンス電流の周波数分析をし、静磁場発生源支持構造物40の固有モード振動数の電流成分を予め定めた基準値以下になるようにする本発明の他の実施例を説明する。図9(a)は、撮像シーケンス電流パターンであり、同図(b)はその周波数分析結果である。Tは周期であり、f1,f2,…は固有振動数およびその逓倍値である。
【0049】
磁場変動があっても利用できるMR画像が得られる限界として、磁場発生源支持構造物40の固有モード振動における振動許容値を求める。それとともに、固有モード振動と傾斜磁場コイル6a,6bの電流値との関係を求める。これらの関係から、静磁場発生源支持構造物40の固有モードの振動許容値における傾斜磁場コイル6a,6bの電流値(許容値)を求める。傾斜磁場コイル6a,6bの電流値と静磁場発生源支持構造物40の振幅は、一般に線形である。
【0050】
撮像シーケンス電流を周波数分析し、静磁場発生源支持構造物40の固有モード振動数の電流成分を許容値以下まで低減して、磁場変動によるMR画像の劣化を回避する。
【0051】
図12に、本発明のさらに他の実施例を示す。図12の上側の図は上面図であり、下側の図はそのB−B断面図である。本発明が上記実施例と相違するのは、静磁場発生源1x,1y,41が磁気プレートおよび柱状継鉄の代わりの構造材の役目も果たすようにしたことにある。つまり、円板状の静磁場発生源1x,1yを上下に配置し、この2つの静磁場発生源1x,1y間を平行に配置した2本の垂直部41で連接している。また、撮影空間の開放性を高めるために、連結部41を均一磁場領域2から遠ざけている。本実施例においても、図1等に示した実施例と同様に図8に示した振動モードが発生するおそれがあるが、その量を上記各減衰手段により低減できる。
【0052】
上記各実施例によれば、傾斜磁場コイルの振動に起因する静磁場発生源支持構造物40の振動を低減したので、良質なMR画像が得られる。なお、上記各実施例では下側の傾斜磁場コイル6bについて説明したが、上側の傾斜磁場コイルについても同様に取り扱えることは言うまでもない。また、上記各実施例は例示的なものであり、本発明を限定するものではない。本発明の真の精神および範囲内に存在する変形例は、すべて特許請求の範囲に含まれる。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、傾斜磁場コイルで発生した振動が静磁場発生源に伝播するのを低減するとともに、静磁場発生源支持構造物の振動を低減したので、傾斜磁場コイルの振動に起因するMR画像の劣化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るMRI装置の一実施例の縦断面図である。
【図2】図1に示した実施例の斜視図である。
【図3】図1に示した実施例に用いる傾斜磁場コイル部の上面図である。
【図4】図1に示した実施例の傾斜磁場部の詳細縦断面図である。
【図5】傾斜磁場部の他の実施例の縦断面図である。
【図6】図1に示した実施例に用いるベースプレート部の上面図である。
【図7】ベースプレート部の他の実施例の上面図である。
【図8】静磁場発生源支持構造物の振動を説明する図である。
【図9】撮像シーケンス電流を説明する図である。
【図10】傾斜磁場コイルの振動を説明する図である。
【図11】傾斜磁場部のさらに他の実施例の縦断面図である。
【図12】傾斜磁場部のさらに他の実施例の縦断面図である。
【符号の説明】
1a,1b…静磁場発生源、2…均一磁場領域、3a,3b…磁気プレート、4…柱状継鉄、5a,5b…ポールピース、6a,6b…傾斜磁場コイル、7a,7b…シムトレイ、8a,8b…高周波コイル、11a,11b、12a,12b…ベースプレート、13…スペーサ、15…減衰材、31a,31b…磁気プレート、32…柱状継鉄、40…静磁場発生源支持構造。
Claims (7)
- 上下に対向して配置されたリング状の静磁場発生源と、
この静磁場発生源の内径側に配置され上下に対向して配置された傾斜磁場コイルおよび高周波コイルと、
前記静磁場発生源と傾斜磁場コイルと高周波コイルを保持する一対の磁気プレートと、
この磁気プレートを互いに接続する柱状継鉄と、を備え、
前記傾斜磁場コイルに振動抑制手段を設け、
この振動抑制手段は、前記傾斜磁場コイルの上下両面に配置されるベースプレートを有し、
前記ベースプレートはボルトを用いて少なくとも前記傾斜磁場コイルの節円1次モード又は節直径1次モードの腹の位置に固定され、
前記傾斜磁場コイルの最低次の固有振動数を、前記磁気プレートと前記柱状継鉄とからなる静磁場発生源支持構造物の最低次の固有振動数より大きくしたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。 - 前記傾斜磁場コイルを前記磁気プレートから所定距離離隔させるスペーサ手段を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 前記スペーサ手段は、複数個の円筒または複数のリングであることを特徴とする請求項2に記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 前記ベースプレートは平板状または梁状であることを特徴とする請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 前記傾斜磁場コイルと前記ベースプレートとの間に減衰材を配置したことを特徴とする請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 前記傾斜磁場コイルに流す撮像シーケンス電流を周波数分析した結果に基づき、前記磁気プレートと前記柱状継鉄とからなる静磁場発生源支持構造物の固有振動数の電流成分を許容値以下に制御する制御手段を設けたことを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。
- 上下に対向して配置された静磁場発生源と、
この静磁場発生源の上下方向の内側に配置され上下に対向して配置された傾斜磁場コイルおよび高周波コイルと、
前記静磁場発生源と傾斜磁場コイルと高周波コイルを保持する一対の磁気プレートと、
この磁気プレートを互いに接続する1または2本の柱状継鉄とを備え、
前記傾斜磁場コイルに振動抑制手段を設け、
この振動抑制手段は、前記傾斜磁場コイルの上下両面に配置されるベースプレートを有し、
前記ベースプレートはボルトを用いて少なくとも前記傾斜磁場コイルの節円1次モード又は節直径1次モードの腹の位置に固定され、
前記傾斜磁場コイルの最低次の固有振動数を、前記磁気プレートと前記柱状継鉄とからなる静磁場発生源支持構造物の最低次の固有振動数より大きくしたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
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