JP4159512B2 - Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method - Google Patents

Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method Download PDF

Info

Publication number
JP4159512B2
JP4159512B2 JP2004160475A JP2004160475A JP4159512B2 JP 4159512 B2 JP4159512 B2 JP 4159512B2 JP 2004160475 A JP2004160475 A JP 2004160475A JP 2004160475 A JP2004160475 A JP 2004160475A JP 4159512 B2 JP4159512 B2 JP 4159512B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
pattern
processing
filter
design
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004160475A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005338666A (en
Inventor
伸一 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2004160475A priority Critical patent/JP4159512B2/en
Publication of JP2005338666A publication Critical patent/JP2005338666A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4159512B2 publication Critical patent/JP4159512B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

本発明は、主として設計画像中のパターンを補正するための画像パターン補正方法、及びそれを適用した模擬画像生成方法、並びに外観検査方法に関する。   The present invention mainly relates to an image pattern correction method for correcting a pattern in a design image, a simulated image generation method to which the image pattern correction method is applied, and an appearance inspection method.

従来、レティクル，フォトマスクといった半導体集積回路に用いられるマスクの外観検査には、パターンの微細化に伴ってより高精度化が要求されている。これらのマスクは、露光の際に光を通す透過面と光を通さない遮光面とから成り、マスク上の画像パターンは２値的に表現することができる。このマスク上の画像パターンの設計データにおいて、透過面を白画素，遮光面を黒画素とする２値画像が設計画像として用いられているが、昨今では検査対象パターンの微細化により両者の境界に相当するパターンのエッジの位置をサブピクセルの精度で多階調画素で表現した画像が設計画像として用いられている。   Conventionally, in the appearance inspection of a mask used in a semiconductor integrated circuit such as a reticle or a photomask, higher precision is required as the pattern becomes finer. These masks include a transmission surface that transmits light and a light-shielding surface that does not transmit light during exposure, and an image pattern on the mask can be expressed in a binary manner. In the design data of the image pattern on the mask, a binary image having a transmission surface as a white pixel and a light-shielding surface as a black pixel is used as a design image. An image in which the position of the edge of the corresponding pattern is expressed by multi-gradation pixels with subpixel accuracy is used as a design image.

図８は、従来の多階調で表現された設計画像を例示した模式図である。この設計画像では、１マスを１画素とし、透過面領域（図８中の画素ｐ３で示される領域）に存在する画素の画素値を１，遮光面領域（図８中の画素ｐ２で示される領域）に存在する画素の画素値を０としており、透過面と遮光面との境界が１画素の中央の位置にある場合には、図８中の画素ｐ１で示される境界線上の画素の画素値が０．５の列となることを示している。上述した半導体集積回路用のマスクは、こうした設計画像に基づいて、半導体基質に対して描画，エッチング等の加工を施すことにより作成される加工済パターンと見做すことができる。この加工済パターンに対してレーザー光や荷電粒子ビームを照射することで採取される実画像に合わせて対応した設計画像から参照画像を作成し、実画像及び参照画像を比較することで加工済パターンの外観検査を実行することができる。   FIG. 8 is a schematic view illustrating a conventional design image expressed in multiple gradations. In this design image, one cell is one pixel, the pixel value of a pixel existing in the transmissive surface region (region indicated by pixel p3 in FIG. 8) is 1, and the light shielding surface region (indicated by pixel p2 in FIG. 8). When the pixel value of the pixel existing in the region is 0 and the boundary between the transmission surface and the light shielding surface is at the center of one pixel, the pixel of the pixel on the boundary line indicated by the pixel p1 in FIG. It shows that the value is a column of 0.5. The above-described mask for a semiconductor integrated circuit can be regarded as a processed pattern created by performing processing such as drawing and etching on a semiconductor substrate based on such a design image. Create a reference image from the design image corresponding to the actual image collected by irradiating the processed pattern with laser light or charged particle beam, and compare the actual image with the reference image Visual inspection can be performed.

即ち、参照画像は設計データ通りにパターンを加工できた場合に採取される画像を表現しており、実画像側にパターンの欠けや寸法の違い等の欠陥がある場合にはその相違が両者の差分となって現れることになる。従って、高精度な外観検査を行うためには、実画像上の正常なパターンとそれに対応した参照画像上のパターンとが正確に一致している必要があり、参照画像の作成の際にはパターン加工の際に生じるパターン変形と、光学系を用いて行われる画像採取での画像のぼけといった画像の劣化とを反映させなければならない。   In other words, the reference image represents an image collected when the pattern can be processed according to the design data, and if there is a defect such as a missing pattern or a difference in dimensions on the actual image side, the difference between them is It will appear as a difference. Therefore, in order to perform a high-accuracy visual inspection, it is necessary that the normal pattern on the actual image and the corresponding pattern on the reference image exactly match each other. It is necessary to reflect pattern deformation that occurs during processing and image degradation such as image blurring in image capturing performed using an optical system.

一般に、設計データからマスクへの加工過程におけるパターン変形には、上述した通りのパターンの描画過程における変形と、エッチング等の化学過程における変形とがある。画像のぼけは、通常検査の際に走査するビームの強度分布を表現した点広がり関数の加工済パターンへの積和演算で表わされる線形劣化過程である。パターンの描画には電子ビームが使われることが多いが、この場合の描画過程におけるパターン変形は、描画に用いるビームの照射量を入力とした描画過程における半導体基質の応答関数である描画過程応答関数の出力で近似することができる。   In general, pattern deformation in a process of processing design data into a mask includes deformation in a pattern drawing process as described above and deformation in a chemical process such as etching. The image blur is a linear deterioration process represented by a product-sum operation on a processed pattern of a point spread function that expresses the intensity distribution of a beam to be scanned in a normal inspection. An electron beam is often used for pattern drawing. In this case, pattern deformation in the drawing process is a drawing process response function that is a response function of the semiconductor substrate in the drawing process with the irradiation dose of the beam used for drawing as an input. Can be approximated by the output of

即ち、電子ビームの強度分布は、ビーム中心からの距離ｒの関数ｆ（ｒ）として、ｆ（ｒ）＝Ａ１ｅｘｐ（−ｒ２／Ｂ１ ２）＋Ａ２ｅｘｐ（−ｒ２／Ｂ２ ２）なる関係式１で表わされ、マスク上の任意の一点における蓄積電荷量ｘは、その点を中心とした領域と関係式１の分布との積和演算で計算される。この蓄積電荷量ｘを入力とする描画過程応答関数の出力値は、描画過程後のその点におけるパターン描画精度を表わしている。描画過程応答関数の形は、図９に示されるような形になることが報告されている（非特許文献１参照）。 That is, the intensity distribution of the electron beam is expressed as f (r) = A 1 exp (−r 2 / B 1 2 ) + A 2 exp (−r 2 / B 2 ) as a function f (r) of the distance r from the beam center. 2 ) The accumulated charge amount x at an arbitrary point on the mask expressed by the relational expression 1 is calculated by the product-sum operation of the region centered on that point and the distribution of the relational expression 1. The output value of the drawing process response function using the accumulated charge amount x as an input represents the pattern drawing accuracy at that point after the drawing process. It has been reported that the shape of the drawing process response function is as shown in FIG. 9 (see Non-Patent Document 1).

図９に示される描画過程応答関数は、横軸が蓄積電荷量，縦軸が描画により取り除かれる遮光物質量を表わしている。設計画像上において画素値０の遮光領域では描画電子ビームが照射されないために除去遮光物質量はゼロであり、画素値１の透過領域では描画電子ビームが十分照射され蓄積電荷量も大きくなり、その結果として遮光物質量が完全に取り除かれることになる。描画過程におけるパターン変形は、特に画像パターンにおけるコーナー部に生じる。その理由は、設計画像上でコーナー部が９０度で表現されていても、描画に用いる電子ビームが有限サイズのビーム口径を持っているため、ビーム口径の分が原理的にどうしても丸まってしまうことによる。従って、実画像におけるコーナー部が丸まって観測されることになり、実画像との一致度が高い参照画像を作成するためには、設計画像のコーナー部も実画像に合わせて補正する必要がある。   In the drawing process response function shown in FIG. 9, the abscissa represents the amount of accumulated charge, and the ordinate represents the amount of light shielding material to be removed by drawing. On the design image, the drawing electron beam is not irradiated in the light shielding region with the pixel value 0, and therefore the amount of the removed light shielding material is zero. In the transmission region with the pixel value 1, the drawing electron beam is sufficiently irradiated and the accumulated charge amount increases. As a result, the amount of light shielding material is completely removed. Pattern deformation in the drawing process occurs particularly at the corners of the image pattern. The reason is that even if the corner portion is represented by 90 degrees on the design image, the electron beam used for drawing has a finite size beam diameter, so the beam diameter is inevitably rounded in principle. by. Accordingly, the corner portion in the actual image is observed to be rounded, and in order to create a reference image having a high degree of coincidence with the actual image, the corner portion of the design image also needs to be corrected according to the actual image. .

そこで、設計画像から実画像に類似した参照画像を作成する際に設計画像中の画像パターンにおけるコーナー部を補正する技術については、幾つかの公知技術が知られている。   Thus, several known techniques are known as techniques for correcting corner portions in an image pattern in a design image when a reference image similar to a real image is created from the design image.

具体的に言えば、公知例１に係るシステムの場合、多階調の設計画像を２値化する際にパターンのコーナー部で生じる量子化誤差に起因したパターン形状の不連続性（１画素分の凹凸の発生）を解消するため、多階調設計画像からテンプレートマッチングによってコーナー部を検出し、予め用意された２値コーナー画像のテンプレートをコーナー部に適用している（特許文献１参照）。   Specifically, in the case of the system according to the known example 1, pattern shape discontinuity (for one pixel) caused by a quantization error generated in a corner portion of a pattern when a multi-tone design image is binarized. In order to eliminate the occurrence of unevenness), a corner portion is detected from the multi-tone design image by template matching, and a template of a binary corner image prepared in advance is applied to the corner portion (see Patent Document 1).

公知例２に係るシステムの場合、２値の設計画像において、パターンのコーナー部のビットを削除することでパターンのコーナー部の補正処理を実現している（特許文献２参照）。図１０は、この特許文献２に係る設計画像中のパターンのコーナー部を補正する技術を説明するために示した模式図であり、同図（ａ−１）は三角形のパターンの２次元マップに関するもの，同図（ａ−２）はそのビット表現に関するもの，同図（ｂ）は走査投影したビット列に関するもの，同図（ｃ−１）は三角形のパターンをコーナー部を変形した２次元マップに関するもの，同図（ｃ−２）はそのビット表現に関するものである。即ち、ここでは図１０（ａ−１）に示すような三角形のパターンがあった場合、そのビット表現は図１０（ａ−２）に示すようになるが、この２次元マップを図１０（ｂ）に示すようにｘ方向，ｙ方向に走査し、１個でも画素があれば「１」、なければ「０」とすることによりパターンをｘ方向，ｙ方向に投影した投影ビット列を得ておき、その投影ビット列の「０」と「１」との境界である図１０（ｂ）中に示した丸印を付した「１」の位置に相当するコーナー部の画素のビットを０とすることにより、図１０（ｃ−１）に示すようなコーナー部が変形された画像となると共に、図１０（ｃ−２）に示すような２次元マップとなる。   In the case of the system according to the known example 2, correction processing for the corner portion of the pattern is realized by deleting the bit at the corner portion of the pattern in the binary design image (see Patent Document 2). FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a technique for correcting a corner portion of a pattern in a design image according to Patent Document 2, and FIG. 10 (a-1) relates to a two-dimensional map of a triangular pattern. (A-2) relates to the bit representation, FIG. (B) relates to a bit string obtained by scanning projection, and (c-1) relates to a two-dimensional map in which a corner portion of a triangular pattern is deformed. The figure (c-2) relates to the bit representation. That is, here, when there is a triangular pattern as shown in FIG. 10 (a-1), the bit representation is as shown in FIG. 10 (a-2). ), Scanning is performed in the x and y directions, and if there is at least one pixel, “1” is set and “0” is obtained otherwise, thereby obtaining a projection bit string obtained by projecting the pattern in the x and y directions. The bit of the pixel at the corner corresponding to the position of “1” with a circle shown in FIG. 10B, which is the boundary between “0” and “1” of the projection bit string, is set to 0. Thus, an image in which the corner portion is deformed as shown in FIG. 10C-1 and a two-dimensional map as shown in FIG. 10C-2 are obtained.

公知例３に係るシステムの場合、設計画像の各画素に対して円形やリング形といったフィルタを用いたフィルタ処理により設計画像の画素値を計算し、コーナー部を補正後の設計画像の画素値にしている（特許文献３参照）。図１１は、この特許文献３に係る設計画像中のパターンのコーナー部を補正する技術を説明するために示した模式図であり、同図（ａ）はフィルタの画素値に関するもの，同図（ｂ）はフィルタの係数和領域に関するものである。即ち、ここでは図１１（ａ）に示すようなフィルタが与えられた場合、フィルタ中心を通る列で分けられた２領域の一方の領域におけるフィルタ係数和をＭ１，中心を通る列におけるフィルタ係数和をＭ２とすると、Ｍ１，Ｍ２はそれぞれ図１１（ｂ）に示される領域での係数和を計算することになり、Ｍ１＝２６，Ｍ２＝２２となる。このフィルタと設計画像との積和演算の結果をＣとしたとき、コーナー部を補正した後の画素値Ｌ（Ｃ）は、Ｃ＜Ｍ１のときには０，（Ｍ１＋Ｍ２）≧Ｃ≧Ｍ１のときには（Ｃ−Ｍ１）／Ｍ２，Ｃ＞（Ｍ１＋Ｍ２）のときには１となる関係式２で計算される。   In the case of the system according to the known example 3, the pixel value of the design image is calculated for each pixel of the design image by filter processing using a filter such as a circle or a ring, and the corner portion is set to the pixel value of the design image after correction. (See Patent Document 3). FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a technique for correcting a corner portion of a pattern in a design image according to Patent Document 3, and FIG. 11A relates to a pixel value of a filter. b) relates to the coefficient sum region of the filter. That is, here, when a filter as shown in FIG. 11A is given, the filter coefficient sum in one region of the two regions divided by the column passing through the filter center is M1, and the filter coefficient sum in the column passing through the center. If M2 is M2, M1 and M2 respectively calculate the coefficient sum in the region shown in FIG. 11B, and M1 = 26 and M2 = 22. When the product-sum operation result of this filter and the design image is C, the pixel value L (C) after correcting the corner portion is 0 when C <M1, and when (M1 + M2) ≧ C ≧ M1 ( When C−M1) / M2 and C> (M1 + M2), the calculation is performed using the relational expression 2 which is 1.

そこで、図８で示したような画素値１で表わされる透過面と画素値０で表わされる遮光面との直線境界が画素０．５で表現されている設計画像における関数Ｌの動作を説明する。但し、図８中では１マスが１画素を表わすものとする。図８中の画素ｐ１での積和演算の結果ＣはＣ＝Ｍ１×１＋Ｍ２×０．５であるので、関係式２よりＬ＝（Ｍ１＋Ｍ２×０．５−Ｍ１）／Ｍ２＝０．５となり、関数Ｌを作用させる前と同じ画素値となる。図８中の画素ｐ２での積和演算の結果ＣはＭ１より小さいためにＬ＝０となり、図８中の画素ｐ３での積和演算の結果Ｃは（Ｍ１＋Ｍ２）より大きいためにＬ＝１となる。即ち、関数Ｌは、直線パターン上の設計画像の画素の画素値を変化させず、コーナー部を構成する画素のみの画素値を変化させる関数となっている。   Therefore, the operation of the function L in the design image in which the linear boundary between the transmission surface represented by the pixel value 1 and the light shielding surface represented by the pixel value 0 as shown in FIG. . However, in FIG. 8, one square represents one pixel. Since the result C of the product-sum operation at the pixel p1 in FIG. 8 is C = M1 × 1 + M2 × 0.5, L = (M1 + M2 × 0.5−M1) /M2=0.5 from the relational expression 2. , The pixel value is the same as before the function L is applied. Since the result C of the product-sum operation at the pixel p2 in FIG. 8 is smaller than M1, L = 0, and since the result C of the product-sum operation at the pixel p3 in FIG. 8 is larger than (M1 + M2), L = 1. It becomes. That is, the function L is a function that changes the pixel value of only the pixels constituting the corner portion without changing the pixel value of the pixel of the design image on the linear pattern.

公知例４に係るシステムの場合も、同様に設計画像中のパターンのコーナー部を補正する技術が開示されている（特許文献４参照）。図１２は、この特許文献４に係る設計画像中のパターンのコーナー部を補正する技術を説明するために示した模式図であり、同図（ａ）は光学近接効果補正マスクのメインパターンのコーナー部にセリフと呼ばれる補助パターンを付加した状態に関するもの，同図（ｂ）はテンプレートを用いたマッチング処理でセリフが検出された状態に関するもの，同図（ｃ）はセリフの検出に際してコーナー部が破線で囲われた状態に関するもの，同図（ｄ）はコーナー部の補正処理後状態に関するものである。即ち、ここでは図１２（ａ）に示されるような光学近接効果補正マスクのメインパターンのコーナー部に付加されるセリフと呼ばれる補助パターンの補正処理として、図１２（ｂ）に示されるようなテンプレートを用いたマッチング処理により図１２（ｃ）に示される破線で囲ったコーナー部のセリフを検出し、検出されたセリフに対してそのサイズ，形状，描画特性に応じた適切な修正を施すことにより、図１２（ｄ）に示されるようなコーナー部に簡易な補正処理が行われることを示している。   Similarly, in the case of the system according to the known example 4, a technique for correcting a corner portion of a pattern in a design image is disclosed (see Patent Document 4). FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a technique for correcting a corner portion of a pattern in a design image according to Patent Document 4, and FIG. 12A shows a corner of a main pattern of an optical proximity effect correction mask. (B) is related to a state in which lines are detected by a matching process using a template, and (c) is a broken line at the corners when detecting lines. FIG. 4D relates to the state after the correction processing of the corner portion. That is, here, a template as shown in FIG. 12B is used as a correction process for an auxiliary pattern called a serif added to the corner portion of the main pattern of the optical proximity effect correction mask as shown in FIG. 12 is detected by the matching process using the, and the appropriate correction according to the size, shape, and drawing characteristics is applied to the detected serif. FIG. 12D shows that a simple correction process is performed on the corner as shown in FIG.

公知例５に係るシステムの場合には、設計画像のコーナー部に対して円，楕円，直線，或いは他の方法で記述した曲線を適用し、実際のパターンのコーナー部の形状に近くなるように補正している（特許文献５参照）。   In the case of the system according to the well-known example 5, a circle, an ellipse, a straight line, or a curve described by another method is applied to the corner portion of the design image so as to be close to the shape of the corner portion of the actual pattern. It is corrected (see Patent Document 5).

公知例６に係るシステムの場合には、パターンのコーナー部の凹凸の別、及び９０度，４５度，１３５度の角度別にコーナー部を補正する度合いを決めることにより、設計画像におけるパターンのコーナー部を補正している（特許文献６参照）。   In the case of the system according to the well-known example 6, the corner portion of the pattern in the design image is determined by determining the degree of correction of the corner portion according to the unevenness of the corner portion of the pattern and the angles of 90 degrees, 45 degrees, and 135 degrees. Is corrected (see Patent Document 6).

Ｙ．Ｃ．パティ他著「アン・エラー・メジャー・ドーズ・コレクション・イン・イービーム・ナノリソグラフィー」ジャーナル・バキューム・サイエンス・テクノロジーＢ８（６）、１９９０年、ｐｐ．１８８２−１８８８（Ｙ．Ｃ．Ｐａｔｉ ｅｔ ａｌ，”ａｎ ｅｒｒｏｒ ｍｅａｓｕｒｅ ｄｏｓｅ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ ｉｎ ｅ−ｂｅａｍ ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ ８（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９０，ｐ．１８８２−ｐ．１８８８）Y. C. Patty et al., “An error major doses collection in e-beam nanolithography”, Journal of Vacuum Science Technology B8 (6), 1990, pp. 1882-1888 (YC Pati et al, “an error measure dose collection in e-beam nanography”, J. Vac. Sci. Technol. B 8 (6), Nov / Dec 1990, p. 18-82. 1888) 特開平５−２０５０４６号公報（要約）Japanese Patent Laid-Open No. 5-205046 (Summary) 特開平５−３４６４０５号公報（要約）JP-A-5-346405 (Abstract) 特開平１１−３０４４５３号公報（要約、第５頁、図８〜図１０）Japanese Patent Laid-Open No. 11-304453 (Summary, page 5, FIGS. 8 to 10) 特開２０００−１０６３３６号公報（要約、第６頁〜第８頁、図４，図７）Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-106336 (Summary, pages 6 to 8, FIGS. 4 and 7) 特開２００１−３３８３０４号公報（要約、第４頁〜第６頁、図７）JP 2001-338304 A (summary, pages 4 to 6, FIG. 7) 特開２００３−１０７６６９号公報（要約、第８頁）JP2003-107669 (Abstract, Page 8)

上述した特許文献１〜特許文献６に係る設計画像中のパターンにおけるコーナー部を補正する技術の場合、何れについても描画ビームの特性に由来するパターン間の隣接関係に依存したパターン変形を適確に表現できないため、結果として設計画像中のパターンを精度良く補正し難いという問題がある。   In the case of the technique for correcting the corner portion in the pattern in the design image according to Patent Document 1 to Patent Document 6 described above, pattern deformation depending on the adjacent relationship between the patterns derived from the characteristics of the drawing beam is appropriately performed. As a result, there is a problem that it is difficult to correct the pattern in the design image with high accuracy.

一般に、描画ビームに電子ビームを用いた場合のパターンの描画精度は、電子ビームがパターンに照射されることによって蓄積される電荷量の和、即ち、設計画像と描画ビーム強度分布との積和の関数となっている。   In general, when an electron beam is used as the drawing beam, the pattern drawing accuracy is the sum of the amount of charge accumulated by irradiating the pattern with the electron beam, that is, the product sum of the design image and the drawing beam intensity distribution. It is a function.

図１３は、光学近接効果補正マスクの加工済パターン走査実画像を例示した模式図である。この光学近接効果補正マスクを例として、特許文献４に係る技術を留意すれば、ここではメインパターンのコーナー部に付与された小矩形のセリフのうち、自身近傍に同じセリフが存在するセリフの方が周囲にセリフが存在しないセリフよりも明瞭に描画されていることが分かる。   FIG. 13 is a schematic view illustrating a processed pattern scanning actual image of the optical proximity effect correction mask. Taking this optical proximity effect correction mask as an example, if attention is paid to the technique according to Patent Document 4, here, among the small rectangular lines given to the corners of the main pattern, the lines where the same lines are present in the vicinity thereof It can be seen that the line is drawn more clearly than the lines where there are no lines around.

図１４は、図１３に示す加工済パターン走査実画像における描画電子ビームとセリフとの関係を示した模式図であり、同図（ａ）は一形態に関するもの，同図（ｂ）は他形態に関するもの，同図（ｃ）は別形態に関するものである。即ち、ここでは描画電子ビームが或る程度広がりを持つため、図１４（ａ）に示されるように近傍に自身とは別のセリフＢが存在するセリフＡは、自身が描画電子ビームの照射を受けるとき以外に図１４（ｂ）に示されるようにセリフＢへのビーム照射の際に描画電子ビームの裾野がセリフＡにかかり、その分が追加されて電荷蓄積されるのに対し、図１４（ｃ）に示されるようなセリフＣは自身がビーム照射を受けるとき以外には電荷を蓄積することがないので、このような蓄積電荷量の差がセリフの観測結果の差となることを示している。   14A and 14B are schematic views showing the relationship between the drawing electron beam and the serif in the processed pattern scanning actual image shown in FIG. 13, where FIG. 14A relates to one embodiment, and FIG. 14B shows another embodiment. FIG. 6C relates to another embodiment. That is, since the drawing electron beam has a certain extent here, as shown in FIG. 14A, a serif A having a serif B other than itself in the vicinity thereof irradiates the drawing electron beam. As shown in FIG. 14B, the bottom of the drawing electron beam is applied to the serif A when the beam is irradiated to the serif B, and the charge is accumulated by adding that amount as shown in FIG. The serif C as shown in (c) does not accumulate charges except when it is irradiated with the beam itself, so that such a difference in the amount of accumulated charges indicates a difference in the serif observation results. ing.

そこで、上述した特許文献１〜特許文献６に係る技術における問題の要点を説明すれば、特許文献１，特許文献２の場合、パターンにおけるコーナー部の補正処理を精度の低い２値の設計画像に対して行うものであり、又パターンにおけるコーナー部の補正に関してもテンプレートとして用意したコーナー部の画像に置き換えたり、或いはパターンにおけるコーナー部の画素に対して一律にビットを削除するだけのものであるので、図１２に示した光学近接効果補正マスクの画像のようなパターン間の隣接関係を考慮に入れる必要があるパターンにおけるコーナー部の補正処理に用いることはできないという問題がある。   Then, if the point of the problem in the technique which concerns on patent document 1-patent document 6 mentioned above is demonstrated, in the case of patent document 1 and patent document 2, the correction process of the corner part in a pattern will be made into a binary design image with low accuracy. As for the correction of the corner portion in the pattern, it is also possible to replace the corner portion image prepared as a template with the image of the corner portion, or to simply delete the bits for the corner portion pixels in the pattern. There is a problem that it cannot be used for correction processing of a corner portion in a pattern that needs to take into consideration the adjacent relationship between patterns such as the image of the optical proximity correction mask shown in FIG.

特許文献３の場合、フィルタ処理であるためにパターン間の隣接関係を考慮することはできても、フィルタの形状が描画に用いる描画電子ビームの特性とは全く無関係な形状のフィルタであることや、フィルタ処理の結果を補正後の画素値に変換する関係式２の関数がＭ１，Ｍ２の値（即ち、フィルタの形状）で一意に決まってしまうことにより、加工済パターン上におけるコーナー部の変形を任意の精度で補正することができないという問題がある。   In the case of Patent Document 3, even though the adjacent relationship between patterns can be taken into account because of the filter processing, the filter has a shape that is completely unrelated to the characteristics of the drawing electron beam used for drawing. The function of the relational expression 2 for converting the filter processing result to the corrected pixel value is uniquely determined by the values of M1 and M2 (that is, the shape of the filter), so that the corner portion on the processed pattern is deformed. Cannot be corrected with an arbitrary accuracy.

特許文献４の場合、パターン間の隣接関係を考慮していない上、セリフの検出にテンプレートマッチングを用いているために任意の角度のコーナー部に任意のサイズでセリフが付加される場合には全部の組み合わせのテンプレートが必要になってしまい、検出処理だけで多大な時間を要してしまうという問題はある。   In the case of Patent Document 4, the adjacency relationship between patterns is not considered, and template matching is used for the detection of lines. There is a problem that a combination of templates is required, and a large amount of time is required only for the detection process.

特許文献５の場合、パターンにおけるコーナー部を何らかの幾何的な形状で置き換えているが、これも描画電子ビームの特性やパターン間の隣接関係が考慮されていないため、実画像のパターンにおけるコーナー部の変形を高精度で表わすことができないという問題がある。   In the case of Patent Document 5, the corner portion of the pattern is replaced with some geometric shape. However, since the characteristics of the drawing electron beam and the adjacent relationship between the patterns are not taken into consideration, the corner portion in the pattern of the actual image is also considered. There is a problem that the deformation cannot be expressed with high accuracy.

特許文献６の場合においても、同様にパターン間の隣接関係を考慮していないため、実画像のパターンにおけるコーナー部の変形を高精度で表わすことができないという問題がある。   In the case of Patent Document 6, similarly, since the adjacent relationship between patterns is not taken into consideration, there is a problem that the deformation of the corner portion in the pattern of the actual image cannot be expressed with high accuracy.

本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、描画ビームの特性に由来するパターン間の隣接関係に依存したパターン変形を適確に表現でき、設計画像中におけるパターン（特にコーナー部）を簡易に精度良く補正し得る画像パターン補正方法、及びそれを適用した高精度な模擬画像生成方法、並びにパターン外観検査方法を提供することにある。   The present invention has been made to solve such problems, and its technical problem is that it can accurately represent pattern deformation depending on the adjacent relationship between patterns derived from the characteristics of the drawing beam, and the design image An object is to provide an image pattern correction method capable of easily and accurately correcting a pattern (especially a corner portion) therein, a high-accuracy simulated image generation method to which the pattern correction method is applied, and a pattern appearance inspection method.

本発明によれば、設計画像中のパターンを補正するための画像パターン補正方法において、パターンの補正を該パターンにあっての基質上への加工過程を表現した特性フィルタを用いた該基質の各箇所で該パターンに基づいてなされる加工と該基質の応答関数とを用いて行う画像パターン補正方法が得られる。 According to the present invention, in an image pattern correction method for correcting a pattern in a design image , each of the substrates using a characteristic filter that expresses a process of applying the pattern correction to the substrate in the pattern. An image pattern correction method can be obtained that is performed using processing performed on the basis of the pattern at a location and the response function of the substrate.

又、本発明によれば、上記画像パターン補正方法において、特性フィルタを表現するための基質上への加工は、描画電子ビームでなされると共に、該描画電子ビームの広がり強度分布を用いた計算により画像パターン補正方法が得られる。 Further, according to the present invention, in the image pattern correction method, processing on a substrate for representing a characteristic filter, as well be made by the drawing electron beam, by calculation using the spreading intensity distribution of image drawing electron beams An image pattern correction method is obtained.

更に、本発明によれば、上記何れかの画像パターン補正方法において、応答関数は、基質の描画電子ビームによる蓄積電荷量に対する該基質に関するものを用いた特性である画像パターン補正方法が得られる。 Further, according to the present invention, in any of the above image pattern correction method, the response function, the image pattern correcting method is obtained a characteristic of using a related to the substrate for storing charge quantity by drawing an electron beam of the substrate.

一方、本発明によれば、設計画像を入力して該設計画像中のパターン補正処理を行った出力画像に対して画像劣化処理を行うことにより模擬画像を生成する模擬画像生成方法において、パターン補正処理として、上記何れか一つの画像パターン補正方法を採用した模擬画像生成方法が得られる。   On the other hand, according to the present invention, in a simulated image generation method for generating a simulated image by inputting a design image and performing an image degradation process on an output image obtained by performing the pattern correction process in the design image, the pattern correction is performed. As a process, a simulated image generation method employing any one of the above image pattern correction methods is obtained.

他方、本発明によれば、加工済パターンをビーム走査して電気信号に変換して得られる実画像，並びに該加工済パターンに対応した設計画像からパターン加工過程と該実画像の取得時の光学系による画像劣化過程とを考慮して得られる参照画像を入力して該実画像及び該参照画像を比較することにより該加工済パターン中の欠陥の有無の判定結果を出力するパターン外観検査方法において、設計画像中のパターンに対するパターン補正処理として上記何れか一つの画像パターン補正方法を適用したパターン外観検査方法が得られる。   On the other hand, according to the present invention, an actual image obtained by beam-scanning a processed pattern and converting it into an electrical signal, and a pattern processing process and an optical at the time of acquisition of the actual image from a design image corresponding to the processed pattern In a pattern appearance inspection method for inputting a reference image obtained in consideration of an image degradation process by a system and comparing the actual image and the reference image to output a determination result of the presence or absence of a defect in the processed pattern As a pattern correction process for the pattern in the design image, a pattern appearance inspection method to which any one of the above image pattern correction methods is applied is obtained.

又、本発明によれば、上記パターン外観検査方法において、パターン補正処理は、設計画像を入力とする特性フィルタの１個のものによる処理、及び該特性フィルタ処理の結果を入力とする応答関数の１個のものにより行われるパターン外観検査方法が得られる。このパターン外観検査方法において、特性フィルタは、描画電子ビーム強度分布で表わされること、或いは応答関数として、蓄積電荷量に対する基質に関するものを用いたことは好ましい。   Further, according to the present invention, in the pattern appearance inspection method, the pattern correction processing includes processing by one of the characteristic filters having the design image as input, and a response function having the result of the characteristic filter processing as input. The pattern appearance inspection method performed by one thing is obtained. In this pattern appearance inspection method, it is preferable that the characteristic filter is represented by a drawing electron beam intensity distribution, or a characteristic filter related to the substrate with respect to the accumulated charge amount is used.

更に、本発明によれば、上記パターン外観検査方法において、パターン補正処理は、設計画像を入力とする特性フィルタの複数個による処理と該特性フィルタの複数個のものの処理結果を入力とする応答関数の複数個による出力値とを統合することによって行われるパターン外観検査方法が得られる。このパターン外観検査方法において、特性フィルタの複数個のもののうちの少なくとも１個のものが描画ビーム電子強度分布で表わされること、或いは応答関数の複数個のもののうちの少なくとも１個のものが蓄積電荷量に対する基質に関するものを用いたことは好ましい。   Furthermore, according to the present invention, in the pattern appearance inspection method, the pattern correction processing includes processing by a plurality of characteristic filters that receive the design image and a response function that receives the processing results of the plurality of characteristic filters as inputs. A pattern appearance inspection method can be obtained by integrating the output values of a plurality of the above. In this pattern appearance inspection method, at least one of the plurality of characteristic filters is represented by the drawing beam electron intensity distribution, or at least one of the plurality of response functions is stored charge. It is preferred to use the one relating to the substrate for the quantity.

加えて、本発明によれば、上記パターン外観検査方法において、特性フィルタと画像劣化過程を再現するためのフィルタとを統合することにより生成された統合フィルタを用いて参照画像を生成するパターン外観検査方法が得られる。尚、上記何れか一つの画像パターン補正方法，上記模擬画像生成方法，上記何れか一つのパターン外観検査方法における基質が半導体製造で用いられるマスクであるマスク処理方法とすることは好ましい。 In addition, according to the present invention, in the pattern appearance inspection method, the pattern appearance inspection generates a reference image using an integrated filter generated by integrating a characteristic filter and a filter for reproducing an image deterioration process. A method is obtained. In addition, it is preferable to use a mask processing method in which the substrate in any one of the image pattern correction method, the simulated image generation method, and the any one of the pattern appearance inspection methods is a mask used in semiconductor manufacturing.

本発明の画像パターン補正方法の場合、設計画像中のパターンを補正する際、パターンの基質上への加工過程を表現した特性フィルタを用いた基質の各箇所でパターンに基づいてなされる加工と基質の応答関数とを用いて行うため、設計画像中のパターン補正処理にパターンの加工過程特性を取り込むことにより、テンプレートマッチングを用いることなくパターン間の隣接関係を考慮した高精度なパターン補正処理を簡易に行うことができるようになる。又、本発明の場合、設計画像を入力して設計画像中のパターン補正処理を行った出力画像に対して画像劣化処理を行うことにより模擬画像を生成する模擬画像生成方法についても、パターン補正処理に同様なパターンの加工過程特性を取り込むことにより、簡易に高精度な模擬画像を生成し得るようになる。更に、本発明の場合、加工済パターンをビーム走査して電気信号に変換して得られる実画像，並びに加工済パターンに対応した設計画像からパターン加工過程と実画像の取得時の光学系による画像劣化過程とを考慮して得られる参照画像を入力して実画像及び参照画像を比較することにより加工済パターン中の欠陥の有無の判定結果を出力するパターン外観検査方法においても、設計画像中のパターンに対するパターン補正処理に同様なパターンの加工過程特性を取り込むことにより、加工済パターンとそれに対応した設計画像中のパターンとの相違が設計画像中のパターンを補正することにより解消されるようになり、実画像で観測されるパターンにおけるコーナー部と一致したパターンにおけるコーナー部を参照画像上で実現することができるため、結果として高精度にパターン外観検査を行うことができるようになる。 In the case of the image pattern correction method of the present invention, when correcting a pattern in a design image, processing and substrate performed based on the pattern at each location of the substrate using a characteristic filter that represents the processing process of the pattern on the substrate By using the pattern processing process characteristics in the pattern correction processing in the design image, it is easy to perform high-precision pattern correction processing that considers the adjacent relationship between patterns without using template matching. To be able to do that. In the case of the present invention, the pattern correction processing is also applied to a simulated image generation method for generating a simulated image by performing image degradation processing on an output image obtained by inputting a design image and performing pattern correction processing in the design image. By incorporating processing process characteristics of a similar pattern, a highly accurate simulated image can be easily generated. Further, in the case of the present invention, an actual image obtained by beam scanning the processed pattern and converting it into an electrical signal, and an image by the optical system at the time of acquiring the pattern processing process and the actual image from the design image corresponding to the processed pattern In the pattern appearance inspection method that outputs the determination result of the presence or absence of defects in the processed pattern by inputting the reference image obtained in consideration of the deterioration process and comparing the actual image and the reference image, By incorporating the same process characteristics of the pattern into the pattern correction process for the pattern, the difference between the processed pattern and the corresponding pattern in the design image can be eliminated by correcting the pattern in the design image. The corner part of the pattern that matches the corner part of the pattern observed in the real image can be realized on the reference image. Kill For, as a result it is possible to perform pattern appearance inspection with high accuracy.

本発明の最良の形態に係る画像パターン補正方法は、設計画像中のパターンを補正する際、パターンの補正をパターンにあっての基質上への加工過程を表現した特性フィルタを用いた基質の各箇所でパターンに基づいてなされる加工と基質の応答関数とを用いて行うものである。但し、特性フィルタを表現するための基質上への加工は、描画電子ビームでなされると共に、描画電子ビームの広がり強度分布を用いた計算により表わされるものとし、応答関数は、基質の描画電子ビームによる蓄積電荷量に対する基質に関するものを用いた特性であることが望ましい。 In the image pattern correction method according to the best mode of the present invention, when correcting a pattern in a design image , each of the substrates using a characteristic filter that expresses the process of applying the pattern correction to the substrate in the pattern. This is performed using processing performed on the basis of the pattern at the location and the response function of the substrate. However, the processing on the substrate for expressing the characteristic filter is performed by the drawing electron beam and is expressed by calculation using the spread intensity distribution of the drawing electron beam, and the response function is the drawing electron beam of the substrate. It is desirable that the characteristics be related to the substrate with respect to the amount of accumulated charge due to .

又、本発明の画像パターン補正方法は、設計画像を入力して設計画像中のパターン補正処理を行った出力画像に対して画像劣化処理を行うことにより模擬画像を生成する模擬画像生成方法において、パターン補正処理として採用したり、或いは、加工済パターンをビーム走査して電気信号に変換して得られる実画像，並びに加工済パターンに対応した設計画像からパターン加工過程と実画像の取得時の光学系による画像劣化過程とを考慮して得られる参照画像を入力して実画像及び参照画像を比較することにより加工済パターン中の欠陥の有無の判定結果を出力するパターン外観検査方法において、設計画像中のパターンに対するパターン補正処理として採用すれば有効である。   The image pattern correction method of the present invention is a simulated image generation method for generating a simulated image by performing an image deterioration process on an output image obtained by inputting a design image and performing a pattern correction process in the design image. Adopted as pattern correction processing, or the actual image obtained by beam-scanning the processed pattern and converting it into an electrical signal, and the pattern processing process and optical at the time of acquiring the actual image from the design image corresponding to the processed pattern A design image in a pattern appearance inspection method in which a reference image obtained in consideration of an image deterioration process by a system is input and a determination result of the presence or absence of defects in a processed pattern is output by comparing an actual image and a reference image It is effective if it is adopted as a pattern correction process for the middle pattern.

但し、後者のパターン外観検査方法については、パターン補正処理を設計画像を入力とする特性フィルタの１個のものによる処理、及び特性フィルタ処理の結果を入力とする応答関数の１個のものにより行われるものとし（この場合には特性フィルタは描画電子ビーム強度分布で表わされ、応答関数として蓄積電荷量に対する基質に関するものを用いる）、或いは設計画像を入力とする特性フィルタの複数個による処理と特性フィルタの複数個のものの処理結果を入力とする応答関数の複数個による出力値とを統合することによって行われるものとする（この場合には特性フィルタの複数個のもののうちの少なくとも１個のものが描画ビーム電子強度分布で表わされ、応答関数の複数個のもののうちの少なくとも１個のものが蓄積電荷量に対する基質に関するものを用いる）ことが望ましい。更に、後者のパターン外観検査方法については、特性フィルタと画像劣化過程を再現するためのフィルタとを統合することにより生成された統合フィルタを用いて参照画像を生成することも望ましい。   However, in the latter pattern appearance inspection method, the pattern correction process is performed by a process using one characteristic filter that receives a design image as input and a response function that receives the result of the characteristic filter process as an input. (In this case, the characteristic filter is represented by a drawn electron beam intensity distribution, and the response function is a substrate related to the accumulated charge amount), or processing by a plurality of characteristic filters that receive a design image as input It is performed by integrating the output values of a plurality of response functions that receive the processing results of a plurality of characteristic filters (in this case, at least one of the plurality of characteristic filters Is represented by the drawing beam electron intensity distribution, and at least one of the plurality of response functions corresponds to the accumulated charge amount. That used relates substrate) is desirable. Furthermore, for the latter pattern appearance inspection method, it is also desirable to generate a reference image using an integrated filter generated by integrating a characteristic filter and a filter for reproducing an image deterioration process.

即ち、本発明の画像パターン補正方法では、従来の技術的課題を解決するため、パターン加工過程の一つである描画過程におけるパターン変形を補正する手法として、描画電子ビームの強度分布を表わすフィルタを描画過程の特性を表わす加工過程特性フィルタとし、且つ図９に示した描画過程応答関数を描画過程の基質の応答を表わす加工過程応答関数と見做し、加工過程特性フィルタと設計画像との積和演算によって各画素における蓄積電荷量を算出し、更に得られた蓄積電荷量を加工過程応答関数に入力して補正後のパターンを出力する。   That is, in the image pattern correction method of the present invention, in order to solve the conventional technical problem, a filter representing the intensity distribution of the drawing electron beam is used as a technique for correcting pattern deformation in the drawing process which is one of the pattern processing processes. The machining process characteristic filter representing the characteristics of the drawing process is used, and the drawing process response function shown in FIG. 9 is regarded as the machining process response function representing the response of the substrate in the drawing process, and the product of the machining process characteristic filter and the design image is obtained. The accumulated charge amount in each pixel is calculated by the sum operation, and the obtained accumulated charge amount is input to the machining process response function to output a corrected pattern.

この画像パターン補正方法を実施するための画像パターン補正装置は、加工過程特性フィルタ処理実行手段と加工過程応答関数計算手段とにより構成される設計画像補正実行手段を有する。   An image pattern correction apparatus for carrying out this image pattern correction method has a design image correction execution means constituted by a machining process characteristic filter processing execution means and a machining process response function calculation means.

加工過程特性フィルタ処理実行手段では、設計画像Ｇ中の各画素に対して関係式１で表わされる描画電子ビーム強度分布と等価の係数を持つ加工過程特性フィルタＦとの積和演算（Ｆ＊Ｇ）を行い、加工過程応答関数計算手段では、図９で示された描画過程応答関数を図１に示されるようなシグモイド関数Ｓ（ｘ）として、Ｓ（ｘ）＝｛１＋ｅｘｐ（−βｘ）｝−１なる関係式３で近似する。即ち、図１は、本発明の画像パターン補正方法で用いる描画過程応答関数に近似されるシグモイド関数を例示したものである。 In the processing process characteristic filter processing execution means, a product-sum operation (F * G) with a processing process characteristic filter F having a coefficient equivalent to the drawing electron beam intensity distribution represented by the relational expression 1 for each pixel in the design image G. In the machining process response function calculation means, the drawing process response function shown in FIG. 9 is set as a sigmoid function S (x) as shown in FIG. 1, and S (x) = {1 + exp (−βx)}. -1 is approximated by the relational expression 3. That is, FIG. 1 illustrates a sigmoid function approximated to a drawing process response function used in the image pattern correction method of the present invention.

更に、加工過程応答関数を関係式３のシグモイド関数Ｓ（ｘ）とし、加工過程特性フィルタ処理実行手段で計算された各画素が持つ積和演算（Ｆ＊Ｇ）の値にバイアスαを足した特徴量ＣをＣ＝（Ｆ＊Ｇ）＋αなる関係式４で得る。これにより、関係式４を加工過程応答関数であるシグモイド関数Ｓ（ｘ）の関係式３の入力とすれば、画像ＨをＨ＝Ｓ（Ｃ）なる関係式５で算出できるので、この関係式５の画像Ｈをパターン補正処理後の設計画像として出力する。 Further, the machining process response function is a sigmoid function S (x) of the relational expression 3, and the bias α is added to the value of the product-sum operation (F * G) of each pixel calculated by the machining process characteristic filter processing execution means. The feature amount C is obtained by the relational expression 4 C = (F * G) + α. Thus, if the relational expression 4 is input to the relational expression 3 of the sigmoid function S (x) that is a machining process response function, the image H can be calculated by the relational expression 5 of H = S (C). 5 is output as a design image after pattern correction processing.

係る画像パターン補正装置の設計画像補正実行手段では、実際の描画電子ビーム強度分布と等価の係数を持つ加工過程特性フィルタと設計画像との積和演算値を補正の際に用いている。このため、各画素で計算される積和演算値は、電子描画ビームを用いた際の各画素における蓄積電荷量に相当したものとなる。光学近接補正マスクにおけるセリフの場合、周辺にパターンが存在しないセリフとフィルタとの積和演算で得られる値は、周辺にパターンがあるセリフに比べてフィルタ内のパターン面積が少ない分だけ小さくなることにより、パターンの疎密をテンプレートを用いることなく積和演算値の相違によって表現することが可能となる。更に、描画電子ビーム強度を表わすフィルタの形状と独立に制御できる加工過程応答関数とにより、パターンの粗密による描画精度の相違を任意の精度で表現することが可能となる。   In the design image correction execution means of the image pattern correction apparatus, the product-sum operation value of the machining process characteristic filter having a coefficient equivalent to the actual drawing electron beam intensity distribution and the design image is used for correction. For this reason, the product-sum calculation value calculated in each pixel corresponds to the amount of accumulated charge in each pixel when the electron drawing beam is used. In the case of serifs in an optical proximity correction mask, the value obtained by the product-sum operation of serifs that do not have a pattern around the filter and the filter is smaller by a smaller pattern area in the filter than in serifs that have a pattern around. Thus, the density of patterns can be expressed by the difference of product-sum operation values without using a template. Further, the difference in the drawing accuracy due to the density of the pattern can be expressed with an arbitrary accuracy by the shape of the filter representing the drawing electron beam intensity and the machining process response function that can be controlled independently.

以下は、本発明の画像パターン補正方法を実施するための画像パターン補正装置について、幾つかの実施例を挙げて具体的に説明する。   In the following, an image pattern correction apparatus for carrying out the image pattern correction method of the present invention will be specifically described with reference to some examples.

図２は、本発明の実施例１に係る画像パターン補正装置の基本機能を示したブロック図である。   FIG. 2 is a block diagram illustrating basic functions of the image pattern correction apparatus according to the first embodiment of the present invention.

この実施例１に係る画像パターン補正装置は、加工済パターンをレーザー光や荷電粒子ビーム等で走査して電気信号へ変換することにより実画像として画像化する加工済パターン走査実画像入力手段１と、設計データを画像として取り込む設計データ入力手段２と、設計画像補正処理に用いる加工過程特性フィルタ形状や加工過程応答関数の形を計算する設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３と、画像劣化再現フィルタ処理に用いる画像劣化再現フィルタ形状を計算する画像劣化再現フィルタ係数計算手段４と、設計画像中のパターンを実画像に合わせて補正する設計画像補正処理実行手段５と、走査に用いた光学系に起因する実画像の劣化を再現するフィルタ処理を設計画像補正処理実行手段５の出力画像に対して行って参照画像として出力する画像劣化再現フィルタ処理実行手段６と、加工済パターン走査実画像入力手段１で得られた実画像と画像劣化再現フィルタ処理実行手段６で得られた参照画像とを比較してパターン外観検査を実行する画像比較手段７と、画像比較手段７における比較結果としてパターン外観検査結果を出力する検査結果出力手段８とを備えて構成される。   The image pattern correction apparatus according to the first embodiment includes a processed pattern scanning actual image input unit 1 that forms a real image by scanning a processed pattern with a laser beam, a charged particle beam, or the like and converting it into an electrical signal. Design data input means 2 for taking in design data as an image, design image correction processing filter coefficient calculation means 3 for calculating the shape of a machining process characteristic filter used for design image correction processing and the shape of a machining process response function, and an image deterioration reproduction filter The image deterioration reproduction filter coefficient calculation means 4 for calculating the image deterioration reproduction filter shape used for the processing, the design image correction processing execution means 5 for correcting the pattern in the design image according to the actual image, and the optical system used for the scanning Filter processing that reproduces the deterioration of the actual image caused by the image processing is performed on the output image of the design image correction processing execution means 5 to obtain a reference image. The pattern appearance inspection is performed by comparing the image degradation reproduction filter processing execution means 6 to be output, the actual image obtained by the processed pattern scanning actual image input means 1 and the reference image obtained by the image degradation reproduction filter processing execution means 6. And an inspection result output means 8 for outputting a pattern appearance inspection result as a comparison result in the image comparison means 7.

この画像パターン補正装置では、図２中の破線で囲まれた設計画像補正実行手段５が新規な機能部分となっている。図３は、この設計画像補正実行手段５の細部機能を示したブロック図である。   In this image pattern correction apparatus, the design image correction execution means 5 surrounded by a broken line in FIG. 2 is a new functional part. FIG. 3 is a block diagram showing detailed functions of the design image correction execution means 5.

図３を参照すれば、設計画像補正実行手段５は、設計データ入力手段２の出力である設計画像に対して加工過程特性フィルタを用いたフィルタ処理を行う加工過程特性フィルタ処理実行手段１１と、そのフィルタ処理の実行結果を加工過程応答関数に入力して出力値を計算する加工過程応答関数計算手段１２とから構成されている。   Referring to FIG. 3, the design image correction execution unit 5 includes a processing process characteristic filter processing execution unit 11 that performs a filtering process using a processing process characteristic filter on the design image that is an output of the design data input unit 2. The machining process response function calculation means 12 is provided for calculating the output value by inputting the execution result of the filter process into the machining process response function.

そこで、以下は、図２及び図３を参照してこの画像パターン補正装置における全体の動作を説明する。尚、以下の説明では、加工過程として描画過程に注目し、描画ビームとして電子ビームを使用する。   Therefore, the overall operation of this image pattern correction apparatus will be described below with reference to FIGS. In the following description, attention is paid to a drawing process as a processing process, and an electron beam is used as a drawing beam.

この画像パターン補正装置において、加工済パターン走査実画像入力手段１では、加工済パターンをレーザー光や荷電粒子ビームで走査して電気信号へ変換することにより実画像として取得し、画像比較手段７へ出力する。   In this image pattern correction apparatus, the processed pattern scanning actual image input means 1 obtains an actual image by scanning the processed pattern with a laser beam or a charged particle beam and converting it into an electrical signal, and sends it to the image comparison means 7. Output.

設計データ入力手段２では、加工済パターン走査実画像入力手段１で走査した加工済パターンに対応した設計データを取り込んで設計画像として設計画像補正処理実行手段５へ出力する。   The design data input means 2 takes in design data corresponding to the processed pattern scanned by the processed pattern scanning actual image input means 1 and outputs it as a design image to the design image correction processing execution means 5.

設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３では、予め用意された関係式１の描画電子ビーム強度分布のパラメータＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２、関係式４のα、及び関係式３のβを補正処理パラメータとして読み込み、描画過程の特性を表わす関係式１の描画電子ビーム強度分布と等価の係数を持つ特性フィルタを加工過程特性フィルタとした上、関係式３の応答関数を加工過程応答関数として計算し、設計画像補正処理実行手段５へ出力する。 In the design image correction processing filter coefficient calculation means 3, parameters A 1 , A 2 , B 1 , B 2 of the drawing electron beam intensity distribution of the relational expression 1 prepared in advance, α of the relational expression 4, and β of the relational expression 3 As a processing parameter, a characteristic filter having a coefficient equivalent to the drawing electron beam intensity distribution of relational expression 1 representing the characteristic of the drawing process is used as a machining process characteristic filter, and the response function of relational expression 3 is the machining process response function. And output to the design image correction processing execution means 5.

設計画像補正処理実行手段５では、設計データ入力手段２から出力された設計画像に対して、設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３で算出された加工過程特性フィルタと加工過程応答関数とを用いてパターンの補正処理を行い、そのパターン補正処理画像を画像劣化再現フィルタ処理実行手段６へ出力する。   The design image correction processing execution means 5 uses the machining process characteristic filter and the machining process response function calculated by the design image correction processing filter coefficient calculation means 3 for the design image output from the design data input means 2. Pattern correction processing is performed, and the pattern correction processing image is output to the image deterioration reproduction filter processing execution means 6.

画像劣化再現フィルタ係数計算手段４では、加工済パターンの走査に用いた光学系に起因する実画像中のぼけを再現するためのぼけ関数の広がりをパラメータとして読み込み、画像劣化再現フィルタの形状を計算して画像劣化再現フィルタ処理実行手段６へ出力する。   The image degradation reproduction filter coefficient calculation means 4 reads, as a parameter, the spread of the blur function for reproducing the blur in the actual image caused by the optical system used for scanning the processed pattern, and calculates the shape of the image degradation reproduction filter. And output to the image deterioration reproduction filter processing execution means 6.

画像劣化再現フィルタ処理実行手段６では、設計画像補正処理実行手段５から出力されるパターン補正処理画像に対して、画像劣化再現フィルタ係数計算手段４で算出された画像劣化再現フィルタの形状に従った画像劣化再現処理が行われ、その結果を参照画像として画像比較手段７へ出力する。   In the image deterioration reproduction filter processing execution means 6, the pattern correction processed image output from the design image correction processing execution means 5 follows the shape of the image deterioration reproduction filter calculated by the image deterioration reproduction filter coefficient calculation means 4. Image degradation reproduction processing is performed, and the result is output to the image comparison means 7 as a reference image.

画像比較手段７では、加工済パターン走査実画像入力手段１で得られた実画像と画像劣化再現フィルタ処理実行手段６で得られた参照画像とが然るべき基準で比較され、その比較結果を検査結果出力手段８へ出力する。そこで、検査結果出力手段８では、画像比較手段７から出力された比較結果であるパターン外観検査の結果を出力する。   In the image comparison means 7, the actual image obtained by the processed pattern scanning actual image input means 1 and the reference image obtained by the image deterioration reproduction filter processing execution means 6 are compared on an appropriate basis, and the comparison result is compared with the inspection result. Output to the output means 8. Therefore, the inspection result output unit 8 outputs the result of the pattern appearance inspection that is the comparison result output from the image comparison unit 7.

ところで、図３を参照すれば、設計画像補正処理実行手段５では、加工過程特性フィルタ処理実行手段１１が設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３で算出された加工過程特性フィルタを用いた積和演算を入力された設計画像の各画素に対して実行し、加工過程応答関数計算手段１２が設計画像中の各画素に対して加工過程特性フィルタ処理実行手段１１で計算した積和演算値に関係式４のαを加えた値を設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３で算出された加工過程応答関数に入力してその出力値をパターン補正処理後の設計画像の画素値（パターン補正処理画像）とする。   By the way, referring to FIG. 3, in the design image correction processing execution means 5, the product-sum operation using the processing process characteristic filter calculated by the design image correction processing filter coefficient calculation means 3 by the processing process characteristic filter processing execution means 11. For each pixel of the inputted design image, and the processing process response function calculation means 12 calculates the relational expression to the product-sum operation value calculated by the processing process characteristic filter processing execution means 11 for each pixel in the design image. 4 is added to the machining process response function calculated by the design image correction processing filter coefficient calculation means 3, and the output value is used as the pixel value (pattern correction processing image) of the design image after the pattern correction processing. To do.

図４は、この実施例１に係る画像パターン補正装置の基本動作を示したフローチャートである。   FIG. 4 is a flowchart showing the basic operation of the image pattern correction apparatus according to the first embodiment.

この画像パターン補正装置の場合、図２及び図３のブロック図を参照すれば、図２の構成との対比でステップＡ１が図２における加工済パターン走査実画像入力手段１、ステップＡ２が設計データ入力手段２、ステップＡ３，Ａ４が設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３、ステップＡ５が画像劣化再現フィルタ係数計算手段４、ステップＡ６〜Ａ１３が設計画像補正処理実行手段５、ステップＡ１４が画像劣化再現フィルタ処理実行手段６、ステップＡ１５が画像比較手段７、ステップＡ１６が検査結果出力手段８のそれぞれの動作を表わし、又図３の構成との対比でステップＡ８が加工過程特性フィルタ処理実行手段１１、ステップＡ９が加工過程応答関数計算手段１２のそれぞれの動作を表わす。   In the case of this image pattern correction apparatus, referring to the block diagrams of FIGS. 2 and 3, in contrast to the configuration of FIG. 2, step A1 is processed pattern scanning actual image input means 1 in FIG. 2, and step A2 is design data. Input means 2, steps A3 and A4 are design image correction processing filter coefficient calculation means 3, step A5 is image deterioration reproduction filter coefficient calculation means 4, steps A6 to A13 are design image correction processing execution means 5, and step A14 is image deterioration reproduction. The filter processing execution means 6, step A15 represents the operation of the image comparison means 7, step A16 represents the operation of the inspection result output means 8, and in contrast to the configuration of FIG. Step A9 represents each operation of the machining process response function calculation means 12.

具体的に言えば、ステップＡ１では、加工済パターンに対してレーザーや荷電粒子ビームによる走査を行って電気信号に変換し、Ａ×Ａの実画像としてＡ×Ａの配列ＲｅａｌＩｍｇ［Ａ］［Ａ］に保存する。ステップＡ２では、ステップＡ１で取り込んだ実画像（加工済パターン）に対応した設計データを画像化し、Ａ×Ａの配列Ｄｅｓｉｇｎ［Ａ］［Ａ］に保存する。ステップＡ３では、加工過程特性フィルタのサイズがＭ×Ｍと設定され、関係式１中のＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２、関係式３中のβ、及び関係式４中のαの値が与えられる。ステップＡ４では、ステップＡ３で入力されたＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２を用い、関係式１の分布と同じ形状のフィルタＦ［Ｍ］［Ｍ］が算出され、配列に保存される。ステップＡ５では、画像劣化再現フィルタのサイズがＮ×Ｎと設定され、加工済パターンの走査に用いた光学系に起因した画像劣化として、パターン走査ビームの広がりをパラメータとして読み込んで画像のぼけを表現（画像劣化過程を再現）するぼかしフィルタＰ［Ｎ］［Ｎ］が算出され、配列に保存される。 Specifically, in step A1, the processed pattern is scanned with a laser or a charged particle beam to convert it into an electrical signal, and an A × A array RealImg [A] [A] as an A × A real image. ]. In step A2, design data corresponding to the actual image (processed pattern) captured in step A1 is imaged and stored in an A × A array Design [A] [A]. In step A3, the size of the process characteristic filter is set to M × M, and A 1 , A 2 , B 1 , B 2 in relational expression 1 , β in relational expression 3 and α in relational expression 4 are set. A value is given. In step A4, a filter F [M] [M] having the same shape as the distribution of relational expression 1 is calculated using A 1 , A 2 , B 1 , B 2 input in step A3 and stored in an array. . In step A5, the size of the image degradation reproduction filter is set to N × N, and image blur is expressed by reading the spread of the pattern scanning beam as a parameter as image degradation caused by the optical system used for scanning the processed pattern. A blur filter P [N] [N] for reproducing the image degradation process is calculated and stored in the array.

ステップＡ６，Ａ７では配列の添字ｊ＝１，ｉ＝１が初期化設定される。ステップＡ８では、設計画像Ｄｅｓｉｇｎ中の画素（ｉ，ｊ）を中心としたＭ×Ｍの領域でフィルタ（配列）Ｆを用いた積和演算が行われ、その結果が積和演算値Ｃとして保存される。ステップＡ９では、ステップＡ８で得られた積和演算値Ｃと、ステップＡ３で得られたパラメータα，βとから補正処理後の画素値Ｃ′をＣ′＝１／（１＋ｅｘｐ｛−β（Ｃ＋α）｝）として算出したものを画素（ｉ，ｊ）のパターン補正処理後の画像値とし、配列Ｄｅｓｉｇｎ′にＤｅｓｉｇｎ′［ｉ］［ｊ］＝Ｃ′として保存する。ステップＡ１０では、ｉ＝Ａであるか否かを判定し、ｉ＝Ａであれば引き続いてステップＡ１１でｊ＝Ａであるか否かを判定するが、ここでｉ＝ＡでなければステップＡ１２でｉ＝ｉ＋１としてからステップＡ７のｉ＝１の後にリターンし、ｊ＝ＡでなければステップＡ１３でｊ＝ｊ＋１としてからステップＡ６のｊ＝１の後にリターンするようにし、画像Ｄｅｓｉｇｎの全画素が補正されるまで、ステップＡ８、Ａ９の処理を繰り返す。   In steps A6 and A7, array subscripts j = 1 and i = 1 are initialized. In step A8, a product-sum operation using the filter (array) F is performed in an M × M region centered on the pixel (i, j) in the design image Design, and the result is stored as a product-sum operation value C. Is done. In step A9, the pixel value C ′ after the correction processing is calculated from the product-sum operation value C obtained in step A8 and the parameters α and β obtained in step A3, and C ′ = 1 / (1 + exp {−β (C + α )}) Is used as an image value after the pattern correction processing of the pixel (i, j), and is stored in the array Design ′ as Design ′ [i] [j] = C ′. In step A10, it is determined whether i = A. If i = A, it is subsequently determined in step A11 whether j = A. If i = A, step A12 is not performed. If i = i + 1, the process returns after i = 1 in step A7. If j = A, the process returns to j = j + 1 in step A13 and then returns after j = 1 in step A6. Until the correction is made, the processes of steps A8 and A9 are repeated.

ｊ＝Ａである場合のステップＡ１４では、補正処理後の設計画像である配列Ｄｅｓｉｇｎ′に対して、ステップＡ５で設定されたフィルタ（配列）Ｐを用いた積和演算処理が行われ、ぼかされたパターン補正処理後の設計画像が参照画像として配列ＲｅｆＩｍｇ［Ａ］［Ａ］に保存される。ステップＡ１５では、ステップＡ１で得られた実画像ＲｅａｌＩｍｇとステップＡ１４で得られた参照画像ＲｅｆＩｍｇとが比較され、然るべき基準によりパターン外観検査を実行する。ステップＡ１６では、ステップＡ１５で行われた検査結果を出力する。   In step A14 in the case of j = A, the product-sum operation process using the filter (array) P set in step A5 is performed on the array Design ′ which is the design image after the correction process, The designed image after the pattern correction processing is stored in the array RefImg [A] [A] as a reference image. In step A15, the actual image RealImg obtained in step A1 is compared with the reference image RefImg obtained in step A14, and a pattern appearance inspection is executed according to an appropriate standard. In step A16, the inspection result performed in step A15 is output.

尚、実施例１に係る画像パターン補正装置の場合、描画ビーム強度分布を得るために電子ビームを使用する場合を説明したが、描画ビーム強度分布は用いる描画ビームの種類に合わせて形を変えるようにしても良い。又、描画過程における応答関数として、描画ビームが電子ビームである場合を想定したシグモイド関数を説明したが、描画ビームが他のビームの場合にはそれに合わせた描画過程応答関数を用いても良い。更に、パターン加工過程として描画過程を例にして説明したが、エッチング等の化学過程を表現する特性フィルタと応答関数とを用いて設計画像の補正を行うようにすることも可能である。   In the image pattern correction apparatus according to the first embodiment, the case where the electron beam is used to obtain the drawing beam intensity distribution has been described. However, the drawing beam intensity distribution may be changed in shape according to the type of the drawing beam used. Anyway. Further, as a response function in the drawing process, the sigmoid function assuming that the drawing beam is an electron beam has been described. However, when the drawing beam is another beam, a drawing process response function corresponding to the sigmoid function may be used. Furthermore, although the drawing process has been described as an example of the pattern processing process, it is also possible to correct the design image using a characteristic filter that expresses a chemical process such as etching and a response function.

図５は、本発明の実施例２に係る画像パターン補正装置に備えられる設計画像補正実行手段５′の細部機能を示したブロック図である。   FIG. 5 is a block diagram showing detailed functions of the design image correction execution means 5 ′ provided in the image pattern correction apparatus according to the second embodiment of the present invention.

実施例２に係る画像パターン補正装置は、加工過程特性フィルタ処理に用いるフィルタがｎ個（ｎ≧１）あると共に、加工過程応答関数の計算に用いる応答関数がｍ個（ｍ≧２）ある場合に設計画像補正処理を実行するものである。   The image pattern correction apparatus according to the second embodiment includes n filters (n ≧ 1) used for the machining process characteristic filter process and m response functions (m ≧ 2) used for calculating the machining process response function. The design image correction process is executed.

ここでの設計画像補正処理実行手段５′の場合、設計データ入力手段２の出力である設計画像に対して１，２，…，ｎ（但し、ｎ≧１）個の加工過程特性フィルタ処理実行手段１１１〜１１ｎにおいてそれぞれ加工過程特性フィルタ１〜ｎによるフィルタ処理が実行され、各加工過程特性フィルタ処理実行手段１１１〜１１ｎの出力結果をそれぞれ１，２，…，ｍ（≧２）個の加工過程応答関数計算手段１２１〜１２ｍに入力し、各加工過程応答関数計算手段１２においてそれぞれ加工過程応答関数１〜ｍの出力値を計算して加工過程応答関数出力値統合手段１３へ出力し、加工過程応答関数出力値統合手段１３において各加工過程応答関数計算手段１２１〜１２ｍの出力を統合してパターン補正処理後の設計画像として出力する。 In the case of the design image correction processing execution means 5 ′ here, 1, 2,..., N (where n ≧ 1) machining process characteristic filter processes are executed on the design image that is the output of the design data input means 2. Filter processes by the machining process characteristic filters 1 to n are respectively executed in the means 11 1 to 11 n , and the output results of the respective machining process characteristic filter processing execution means 11 1 to 11 n are respectively 1, 2,..., M (≧ 2 ) The machining process response function calculation means 12 1 to 12 m are input to each machining process response function calculation means 12 to calculate the output values of the machining process response functions 1 to m , respectively, and machining process response function output value integration means. 13, the machining process response function output value integration means 13 integrates the outputs of the machining process response function calculation means 12 1 to 12 m and outputs it as a design image after pattern correction processing.

即ち、この設計画像補正処理手段５′を図３に示した設計画像補正処理手段５と比較すると、構成上において加工過程特性フィルタ処理実行手段１１がｎ（≧１）個分備えられ、加工過程応答関数計算手段１２がｍ（≧２）個分備えられ、且つ各加工過程応答関数計算手段１２１〜１２ｍの出力を統合するための加工過程応答関数出力値統合手段１３が追加されている点が相違している。 That is, when this design image correction processing means 5 'is compared with the design image correction processing means 5 shown in FIG. 3, there are provided n (≧ 1) machining process characteristic filter processing execution means 11 in the configuration, and the machining process M (≧ 2) response function calculating means 12 are provided, and machining process response function output value integrating means 13 for integrating the outputs of the machining process response function calculating means 12 1 to 12 m is added. The point is different.

以下は、図５を参照してこの画像パターン補正装置における全体の動作を説明する。但し、ここでは説明を簡単にするため、１個の加工過程特性フィルタと２個の加工過程応答関数とを用いてパターンのコーナー部でのみ補正処理を行い、それ以外の部分では補正処理を行わない場合について説明する。   The overall operation of this image pattern correction apparatus will be described below with reference to FIG. However, in order to simplify the description here, correction processing is performed only at the corners of the pattern using one machining process characteristic filter and two machining process response functions, and correction processing is performed at other portions. The case where there is not will be described.

ここでは、関係式２の関数Ｌが積和演算値Ｃに関する折れ線関数となるが、折れ線関数を図９で示した描画過程の応答関数の粗い近似とみなすことにより、関係式２のＬを関係式３のシグモイド関数と共に２個目の応答関数として設計画像のパターン補正処理を実行する。但し、応答関数Ｌを用いるにあたっては、描画電子ビーム強度分布を表わすフィルタのうち、図１１（ｂ）に示したようなフィルタ中心を通る列で分けられる２領域の一方におけるフィルタ係数和をＭ１，フィルタ中心を通る列におけるフィルタ係数和をＭ２とする。尚、関係式１の描画電子ビーム強度分布は対称分布であるため、図１１（ｂ）の左側領域における係数和をＭ１としても同じ結果となる。パターン補正処理前の設計画像上の画素Ｐｉｘにおける画素値をｑ、画素Ｐｉｘにおける加工過程特性フィルタと設計画像との積和演算値（積和演算結果）Ｃとし、関係式４のα、関係式３のβ、及びフィルタ係数和Ｍ１，Ｍ２から関係式３の関数Ｓと関係式２の関数Ｌとを計算し、｛１−ｅｘｐ（−｛ｑ−Ｌ（Ｃ）｝２／γ２｝）｝Ｓ（Ｃ）＋ｅｘｐ（−｛ｑ−Ｌ（Ｃ）｝２／γ２）Ｌ（Ｃ）で表わされるような関係式６の線形結合した結果をパターン補正処理後の画素Ｐｉｘの画素値とする。 Here, the function L of the relational expression 2 is a polygonal line function related to the product-sum operation value C, but the relational expression L is related by regarding the polygonal line function as a rough approximation of the response function of the drawing process shown in FIG. The design image pattern correction process is executed as a second response function together with the sigmoid function of Expression 3. However, when using the response function L, the filter coefficient sum in one of the two regions divided by the column passing through the filter center as shown in FIG. A filter coefficient sum in a column passing through the filter center is M2. Since the drawing electron beam intensity distribution in relational expression 1 is a symmetric distribution, the same result is obtained even when the coefficient sum in the left region of FIG. 11B is M1. The pixel value of the pixel Pix on the design image before the pattern correction processing is q, the product-sum operation value (product-sum operation result) C of the processing process characteristic filter and the design image in the pixel Pix, α in the relational expression 4, and the relational expression 3 and the filter coefficient sums M1 and M2, the function S of the relational expression 3 and the function L of the relational expression 2 are calculated, and {1-exp (− {q−L (C)} 2 / γ 2 }) } S (C) + exp (− {q−L (C)} 2 / γ 2 ) The linear combination of the relational expression 6 as expressed by L (C) is used as the pixel value of the pixel Pix after the pattern correction processing. To do.

この関係式６を用いれば、γの値を調整することでパターンのコーナー部以外のパターンで応答関数Ｌの係数を１、パターンのコーナー部では応答関数Ｓの係数を１とすることができるので、パターンのコーナー部でのみ描画過程特性を反映した補正処理が行われ、直線パターンでは補正が行われないようにすることができる。   Using this relational expression 6, by adjusting the value of γ, the coefficient of the response function L can be set to 1 in the pattern other than the corner portion of the pattern, and the coefficient of the response function S can be set to 1 in the corner portion of the pattern. The correction process that reflects the drawing process characteristics is performed only at the corners of the pattern, and the correction is not performed on the linear pattern.

図５における加工過程特性フィルタ処理実行手段１１１では、図２の設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３において補正処理パラメータから計算された関係式１の描画電子ビーム強度分布と等価の係数を持つ加工過程特性フィルタ１を用い、設計画像に対する積和演算が行われる。１個目の加工過程応答関数計算手段１２１では、加工過程応答関数として、加工過程特性フィルタ処理実行手段１１１の積和演算結果と図２の設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３で入力された補正処理パラメータの関係式３のシグモイド関数のβ、及び関係式４のαとを用いて関係式３の関数Ｓの値を各画素について計算する。 In FIG. Machining process characteristic filter processing executing means 11 1 in 5, working with drawing electron beam intensity distribution and the coefficients of the equivalent of the calculated relational expression 1 from the correction processing parameter in the design image correction filter coefficient calculating unit 3 in FIG. 2 A product-sum operation is performed on the design image using the process characteristic filter 1. In one th machining process response function calculating unit 12 1, as a processing step response function, entered in the course of processing characteristic filter processing executing means 11 1 of the product-sum operation result design image correction processing filter coefficient calculating unit 3 in FIG. 2 The value of the function S of the relational expression 3 is calculated for each pixel using the sigmoid function β of the relational expression 3 of the correction processing parameters and the α of the relational expression 4.

２個目の加工過程応答関数計算手段１２２では、加工過程応答関数として、加工過程特性フィルタ処理実行手段１１１の積和演算結果と関係式２とから関数Ｌの値を各画素について計算する。加工過程応答関数出力値統合手段１３では、各画素における関数Ｓと関数Ｌの値とを関係式６に従って線形結合してパターン補正処理後の設計画像として出力する。 In 2 -th machining process response function calculating unit 12 2, the processing step response function, calculating the values of the function L for each pixel from the processing process characteristic filter processing executing means 11 1 of the product-sum operation result as equation 2 which . The processing process response function output value integration unit 13 linearly combines the values of the function S and the function L in each pixel according to the relational expression 6 and outputs the result as a design image after pattern correction processing.

図６は、この実施例２に係る画像パターン補正装置の基本動作を示したフローチャートである。   FIG. 6 is a flowchart showing the basic operation of the image pattern correction apparatus according to the second embodiment.

この画像パターン補正装置の場合、図２及び図５のブロック図を参照すれば、図２の構成との対比でステップＢ１が加工済パターン走査実画像入力手段１、ステップＢ２が設計データ入力手段２、ステップＢ３〜Ｂ５が設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３、ステップＢ６が画像劣化再現フィルタ係数計算手段４、ステップＢ７〜Ｂ１６が設計画像補正処理実行手段５、ステップＢ１７が画像劣化再現フィルタ処理実行手段６、ステップＢ１８が画像比較手段７、ステップＢ１９が検査結果出力手段８のそれぞれの動作を表わし、又図５の構成との対比でステップＢ９が加工過程特性フィルタ処理実行手段１１１、ステップＢ１０，Ｂ１１が加工過程応答関数計算手段１２１，１２２、ステップＢ１２が加工過程応答関数出力値統合手段１３のそれぞれの動作を表わす。 In the case of this image pattern correction apparatus, referring to the block diagrams of FIGS. 2 and 5, in contrast to the configuration of FIG. 2, step B1 is processed pattern scanning actual image input means 1, and step B2 is design data input means 2. Steps B3 to B5 are design image correction processing filter coefficient calculation means 3, Step B6 is image deterioration reproduction filter coefficient calculation means 4, Steps B7 to B16 are design image correction processing execution means 5, and Step B17 is image deterioration reproduction filter processing execution. Means 6 and step B18 represent the operations of the image comparison means 7 and step B19 represent the respective operations of the inspection result output means 8, and step B9 is a processing process characteristic filter processing execution means 11 1 and step B10 in contrast to the configuration of FIG. , B11 machining process response function calculating unit 12 1, 12 2, step B12 is processed process response function output value integration It represents the operation of each of the stages 13.

尚、図６中のステップＢ１，Ｂ２はそれぞれ図４中のステップＡ１，Ａ２と、図６中のステップＢ４，Ｂ６はそれぞれ図４中のステップＡ４，Ａ５と、図６中のステップＢ７〜Ｂ９はそれぞれ図４中のステップＡ６〜Ａ８と、図６中のステップＢ１３〜Ｂ１９はそれぞれ図４中のステップＡ１０〜Ａ１６と同じ動作を行うので、これらの説明部分は省略する。   Note that steps B1 and B2 in FIG. 6 are steps A1 and A2 in FIG. 4, respectively, steps B4 and B6 in FIG. 6 are steps A4 and A5 in FIG. 4, and steps B7 to B9 in FIG. Steps A6 to A8 in FIG. 4 and Steps B13 to B19 in FIG. 6 perform the same operations as Steps A10 to A16 in FIG.

相違部分について説明すれば、ステップＢ３では、加工過程特性フィルタのサイズをＭ×Ｍとし、関係式１中のＡ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２、関係式３中のβ、関係式４中のαの値、及び応答関数計算結果の統合に用いる関係式６のγが与えられる。ステップＢ５ではフィルタ（配列）Ｆに対して図１１（ｂ）に示したように、フィルタ中心を通る列で分けられるフィルタの２領域の一方の係数和がＭ１、フィルタ中心を通る列におけるフィルタ係数和がＭ２として算出される。ステップＢ１０では、積和演算値Ｃとαとから関係式５に従って応答関数Ｓの出力をＣ１′＝１／（１＋ｅｘｐ｛−β（Ｃ＋α）｝）として計算する。ステップＢ１１では、応答関数Ｌの出力Ｃ２′をフィルタ係数和Ｍ１，Ｍ２と積和演算値Ｃとから関係式２に従って計算する。ステップＢ１２では、δ＝Ｃ２′−Ｄｅｓｉｇｎ［ｉ］［ｊ］とし、γを用いて関係式６に従ってＣ′−（１−ｅｘｐ｛−δ×δ／（γ×γ）｝）×Ｃ１′＋ｅｘｐ｛−δ×δ／（γ×γ）｝×Ｃ２′で得られるＣ′を画素（ｉ，ｊ）におけるパターン補正処理後の画素値（Ｃ１′，Ｃ２′が線形に統合され、その結果がパターン補正処理後の設計画像の画素値となる）とし、配列Ｄｅｓｉｇｎ′［ｉ］［ｊ］＝Ｃ′として保存する。 Will describe the different part, in step B3, the size of the machining process characteristic filter and M × M, A 1 in relation 1, A 2, B 1, B 2, β in relation 3, equation 4 And the value of γ in relational expression 6 used for integrating the response function calculation results. In step B5, as shown in FIG. 11B for the filter (array) F, one coefficient sum of two regions of the filter divided by the column passing through the filter center is M1, and the filter coefficient in the column passing through the filter center The sum is calculated as M2. In step B10, the output of the response function S is calculated as C1 ′ = 1 / (1 + exp {−β (C + α)}) according to the relational expression 5 from the product-sum operation values C and α. In step B11, the output C2 ′ of the response function L is calculated from the filter coefficient sums M1 and M2 and the product-sum operation value C according to the relational expression 2. In step B12, [delta] = C2'-Design [i] [j], and C '-(1-exp {-[delta] * [delta] / ([gamma] * [gamma])}) * C1' + exp according to the relational expression 6 using [gamma]. C ′ obtained by {−δ × δ / (γ × γ)} × C2 ′ is linearly integrated with pixel values (C1 ′, C2 ′) after pattern correction processing in the pixel (i, j), and the result is The pixel value of the design image after the pattern correction processing is stored), and is stored as an array Design ′ [i] [j] = C ′.

尚、この実施例２に係る画像パターン補正装置の場合、１個の加工過程特性フィルタ処理実行手段１１１が加工過程特性フィルタ１を備え、２個の加工過程応答関数計算手段１２１，１２２が加工過程応答関数１，２を有する場合を説明したが、加工過程特性フィルタ処理実行手段（加工過程特性フィルタ）や加工過程応答関数計算手段（加工過程応答関数）の個数はこれに制限されるものでなく、任意に設定することが可能である。又、ここでは特性過程応答関数の出力値の統合方法として線形結合する場合を例に説明したが、これに代えて平均画像を用いたり、或いは差画像を用いたりすることで統合することも可能である。更に、ここでは特性過程応答関数の出力値の統合方法としてパターン補正処理後の設計画像を１個出力する構成として説明したが、画像劣化再現フィルタ処理で複数個のフィルタを用いる場合等に合わせて、補正処理後の設計画像を複数個出力するように構成することも可能である。 In the case of the image pattern correction apparatus according to the second embodiment, one of the processing process characteristic filter processing execution unit 11 1 comprises a machining process characteristic filter 1, two machining processes response function calculating unit 12 1, 12 2 However, the number of machining process characteristic filter processing execution means (machining process characteristic filter) and machining process response function calculation means (machining process response function) is limited to this. It can be set arbitrarily. Also, here, the case of linear combination is described as an example of the method of integrating the output values of the characteristic process response function, but instead of this, it is also possible to integrate by using an average image or using a difference image It is. Further, here, as a method for integrating the output values of the characteristic process response function, a configuration is described in which one design image after pattern correction processing is output. However, according to a case where a plurality of filters are used in image degradation reproduction filter processing, etc. It is also possible to output a plurality of design images after correction processing.

図７は、本発明の実施例３に係る画像パターン補正装置の基本機能を示したブロック図である。   FIG. 7 is a block diagram illustrating basic functions of the image pattern correction apparatus according to the third embodiment of the present invention.

実施例３に係る画像パターン補正装置は、加工過程応答関数が線形関数であり、画像劣化再現フィルタ処理が積和演算のような線形処理である場合に加工過程特性フィルタと画像劣化再現フィルタとを統合することにより、設計画像補正処理と画像劣化再現フィルタ処理とを１つに纏めて行うものである。   The image pattern correction apparatus according to the third embodiment includes a processing process characteristic filter and an image deterioration reproduction filter when the processing process response function is a linear function and the image deterioration reproduction filter process is a linear process such as a product-sum operation. By integrating, the design image correction process and the image deterioration reproduction filter process are performed together.

即ち、この画像パターン補正装置を図２に示した画像パターン補正装置と比較すると、構成上において設計画像補正処理における加工過程特性フィルタ処理で用いるフィルタと画像劣化再現フィルタ処理で用いるフィルタとを統合するフィルタ統合手段２０が存在し、且つ設計画像補正処理実行手段５と画像劣化再現フィルタ処理実行手段６とが統合された統合フィルタ処理実行手段２１とが備えられた点が相違している。   That is, when this image pattern correction apparatus is compared with the image pattern correction apparatus shown in FIG. 2, the filter used in the process characteristic filter process in the design image correction process and the filter used in the image deterioration reproduction filter process are integrated on the configuration. The difference is that there is a filter integration means 20 and an integrated filter processing execution means 21 in which the design image correction processing execution means 5 and the image degradation reproduction filter processing execution means 6 are integrated.

以下は、図７を参照してこの画像パターン補正装置における全体の動作を説明する。但し、ここでは加工過程として描画過程に注目し、描画ビームとして電子ビームを使用する。又、線形の加工過程応答関数として、描画電子ビームの積和演算値をそのまま出力する恒等関数を想定する。従って、設計画像Ｇに描画電子ビーム強度分布と等価の係数を持つ加工過程特性フィルタＦの積和演算を施し、その後に画像劣化再現フィルタＰによる積和演算を施す参照画像生成過程は、Ｐ＊（Ｆ＊Ｇ）＝（Ｐ＊Ｆ）＊Ｇなる関係式７のようになる。これにより、統合されたフィルタはＰ＊Ｆなる関係式８の積和演算を実行するのと同等の処理となる。尚、加工済パターン走査実画像入力手段１，設計データ入力手段２，設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３，及び画像劣化再現フィルタ係数計算手段４と、画像比較手段７，検査結果出力手段８とは、何れも図２に示した画像パターン補正装置に備えられるものと同様であるので、説明は省略する。   The overall operation of the image pattern correction apparatus will be described below with reference to FIG. However, here, attention is paid to the drawing process as the processing process, and an electron beam is used as the drawing beam. Further, an identity function that outputs the product-sum operation value of the drawing electron beam as it is is assumed as a linear machining process response function. Therefore, a reference image generation process in which a product-sum operation of the processing process characteristic filter F having a coefficient equivalent to the drawing electron beam intensity distribution is performed on the design image G, and a product-sum operation by the image deterioration reproduction filter P is performed thereafter is P *. Relational expression 7 is obtained as (F * G) = (P * F) * G. As a result, the integrated filter is equivalent to performing the product-sum operation of the relational expression 8 P * F. The processed pattern scanning actual image input means 1, the design data input means 2, the design image correction processing filter coefficient calculation means 3, the image deterioration reproduction filter coefficient calculation means 4, the image comparison means 7, the inspection result output means 8, Are the same as those provided in the image pattern correction apparatus shown in FIG.

この画像パターン補正装置の場合、フィルタ統合手段２０では、設計画像補正処理フィルタ係数計算手段３で設定された描画電子ビーム強度分布と等価の係数を持つ加工過程特性フィルタＦと画像劣化再現フィルタ係数計算手段４で設定された画像劣化再現フィルタＰとに対して関係式８で表わされる積和演算処理が行われ、統合フィルタＱが作成される。統合フィルタ処理実行手段２１では、設計画像に対して統合フィルタＱを用いた積和演算処理が実行され、統合フィルタ処理後の設計画像として出力される。   In the case of this image pattern correction apparatus, the filter integration means 20 calculates the processing process characteristic filter F and the image deterioration reproduction filter coefficient having coefficients equivalent to the drawing electron beam intensity distribution set by the design image correction processing filter coefficient calculation means 3. The sum-of-products calculation process represented by the relational expression 8 is performed on the image deterioration reproduction filter P set by the means 4, and the integrated filter Q is created. The integrated filter process execution means 21 executes a product-sum operation process using the integrated filter Q on the design image, and outputs it as a design image after the integrated filter process.

本発明の画像パターン補正方法の場合、設計画像を入力して設計画像中のパターン補正処理を行った出力画像に対して画像劣化処理を行うことにより模擬画像を生成する模擬画像生成方法についても有効に適用でき、パターン補正処理に同様にパターンの加工過程特性を取り込めば簡易に高精度な模擬画像を生成し得る他、半導体の製造過程において重要なパターン外観検査において、加工済パターンを走査して得られる実画像と、走査した加工パターンに対応した設計画像を用いて生成される参照画像との比較によってパターン外観検査を行う際、設計データ上のパターンの加工過程で加工パターン上に生じる変形のうち、特にパターンのコーナー部の丸まりを設計画像上に反映させるパターン補正方法に適用すれば非常に好適であり、高精度にパターン外観検査を行うことができる。特に上記した画像パターン補正方法，模擬画像生成方法，パターン外観検査方法は、基質が半導体製造で用いられるマスクである場合のマスク処理方法として適用することが好ましい。 In the case of the image pattern correction method of the present invention, a simulated image generation method is also effective in which a simulated image is generated by performing image degradation processing on an output image obtained by inputting a design image and performing pattern correction processing in the design image. In addition to being able to easily generate high-accuracy simulated images by incorporating the pattern processing characteristics in the pattern correction process as well, the processed pattern can be scanned for pattern appearance inspection, which is important in the semiconductor manufacturing process. When pattern appearance inspection is performed by comparing the actual image obtained with a reference image generated using a design image corresponding to the scanned processing pattern, the deformation that occurs on the processing pattern in the pattern processing process on the design data Of these, it is particularly suitable if applied to a pattern correction method that reflects the roundness of the corners of the pattern on the design image. A pattern can be visual inspection every. In particular, the image pattern correction method, the simulated image generation method, and the pattern appearance inspection method described above are preferably applied as a mask processing method when the substrate is a mask used in semiconductor manufacturing.

本発明の画像パターン補正方法で用いる描画過程応答関数に近似されるシグモイド関数を例示したものである。6 illustrates a sigmoid function approximated to a drawing process response function used in the image pattern correction method of the present invention. 本発明の実施例１に係る画像パターン補正装置の基本機能を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the basic function of the image pattern correction apparatus which concerns on Example 1 of this invention. 図２に示す画像パターン補正装置に備えられる設計画像補正実行手段の細部機能を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the detailed function of the design image correction execution means with which the image pattern correction apparatus shown in FIG. 2 is equipped. 図２に示す画像パターン補正装置の基本動作を示したフローチャートである。3 is a flowchart showing a basic operation of the image pattern correction apparatus shown in FIG. 本発明の実施例２に係る画像パターン補正装置に備えられる設計画像補正実行手段の細部機能を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the detailed function of the design image correction execution means with which the image pattern correction apparatus which concerns on Example 2 of this invention is equipped. 図５で説明した画像パターン補正装置の基本動作を示したフローチャートである。6 is a flowchart showing a basic operation of the image pattern correction apparatus described in FIG. 5. 本発明の実施例３に係る画像パターン補正装置の基本機能を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the basic function of the image pattern correction apparatus which concerns on Example 3 of this invention. 従来の多階調で表現された設計画像を例示した模式図である。It is the schematic diagram which illustrated the design image expressed by the conventional multi-gradation. 従来の非特許文献１に示される参照描画過程応答関数の形を例示した模式図である。It is the schematic diagram which illustrated the form of the reference drawing process response function shown by the conventional nonpatent literature 1. 従来の特許文献２に係る設計画像中のパターンのコーナー部を補正する技術を説明するために示した模式図であり、（ａ−１）は三角形のパターンの２次元マップに関するもの，（ａ−２）はそのビット表現に関するもの，（ｂ）は走査投影したビット列に関するもの，（ｃ−１）は三角形のパターンをコーナー部を変形した２次元マップに関するもの，（ｃ−２）はそのビット表現に関するものである。It is the schematic diagram shown in order to demonstrate the technique which correct | amends the corner part of the pattern in the design image based on the conventional patent document 2, (a-1) is related with the two-dimensional map of a triangular pattern, (a- 2) relates to the bit representation, (b) relates to the scanned and projected bit string, (c-1) relates to a two-dimensional map obtained by transforming a corner portion of a triangular pattern, and (c-2) relates to the bit representation. It is about. 従来の特許文献３に係る設計画像中のパターンのコーナー部を補正する技術を説明するために示した模式図であり、（ａ）はフィルタの画素値に関するもの，（ｂ）はフィルタの係数和領域に関するものである。It is the schematic diagram shown in order to demonstrate the technique which correct | amends the corner part of the pattern in the design image based on the conventional patent document 3, (a) is related with the pixel value of a filter, (b) is the coefficient sum of a filter. It is about the area. 従来の特許文献４に係る設計画像中のパターンのコーナー部を補正する技術を説明するために示した模式図であり、（ａ）は光学近接効果補正マスクのメインパターンのコーナー部にセリフと呼ばれる補助パターンを付加した状態に関するもの，（ｂ）はテンプレートを用いたマッチング処理でセリフが検出された状態に関するもの，（ｃ）はセリフの検出に際してコーナー部が破線で囲われた状態に関するもの，（ｄ）はコーナー部の補正処理後状態に関するものである。It is the schematic diagram shown in order to demonstrate the technique which correct | amends the corner part of the pattern in the design image based on the conventional patent document 4, (a) is called a serif in the corner part of the main pattern of an optical proximity correction mask. (B) relates to a state in which lines are detected by matching processing using a template, (c) relates to a state in which corners are surrounded by broken lines when detecting lines, ( d) relates to the post-correction state of the corner portion. 従来の光学近接効果補正マスクの加工済パターン走査実画像を例示した模式図である。It is the schematic diagram which illustrated the processed pattern scanning real image of the conventional optical proximity effect correction mask. 図１３に示す加工済パターン走査実画像における描画電子ビームとセリフとの関係を示した模式図であり、（ａ）は一形態に関するもの，（ｂ）は他形態に関するもの，（ｃ）は別形態に関するものである。It is the schematic diagram which showed the relationship between the drawing electron beam and serif in the processed pattern scanning real image shown in FIG. 13, (a) is related with one form, (b) is related with another form, (c) is different. It relates to form.

符号の説明Explanation of symbols

１ 加工済パターン走査実画像入力手段
２ 設計データ入力手段
３ 設計画像補正処理フィルタ係数計算手段
４ 画像劣化再現フィルタ係数計算手段
５，５′ 設計画像補正処理実行手段
６ 画像劣化再現フィルタ処理実行手段
７ 画像比較手段
８ 検査結果出力手段
１１，１１１〜１１ｎ 加工過程特性フィルタ処理実行手段
１２，１２１〜１２ｍ 加工過程応答関数計算手段
１３ 加工過程応答関数出力値統合手段
２０ フィルタ統合手段
２１ 統合フィルタ処理実行手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processed pattern scanning real image input means 2 Design data input means 3 Design image correction processing filter coefficient calculation means 4 Image degradation reproduction filter coefficient calculation means 5, 5 'Design image correction processing execution means 6 Image degradation reproduction filter processing execution means 7 Image comparison means 8 Inspection result output means 11, 11 1 to 11 n Machining process characteristic filter processing execution means 12, 12 1 to 12 m Machining process response function calculation means 13 Machining process response function output value integration means 20 Filter integration means 21 Integration Filter processing execution means

Claims (6)

設計画像中のパターンを補正するための画像パターン補正方法において、
前記設計画像中のパターンとマスクに用いられる半導体基質上への描画ビームの強度分布に基づいて加工過程を表現した特性フィルタを用いて生成された前記基質の各箇所における描画ビームの蓄積電荷量と前記基質で定められた前記蓄積電荷量に対する応答関数であるシグモイド関数とを用いて前記設計画像中のパターンの補正を行うことを特徴とする画像パターン補正方法。 In an image pattern correction method for correcting a pattern in a design image,
The accumulated charge amount of the drawing beam at each location of the substrate generated by using the characteristic filter expressing the processing process based on the intensity distribution of the drawing beam on the semiconductor substrate used for the pattern and mask in the design image ; An image pattern correction method, wherein a pattern in the design image is corrected using a sigmoid function that is a response function to the accumulated charge amount determined by the substrate . 設計画像を入力して該設計画像中のパターン補正処理を行った出力画像に対して画像劣化処理を行うことにより模擬画像を生成する模擬画像生成方法において、前記パターン補正処理として、請求項１に記載の画像パターン補正方法を採用したことを特徴とする模擬画像生成方法。   In the simulated image generation method for generating a simulated image by performing an image deterioration process on an output image obtained by inputting a design image and performing a pattern correction process in the design image, the pattern correction process includes: A simulated image generation method using the described image pattern correction method. 加工済パターンをビーム走査して電気信号に変換して得られる実画像，並びに該加工済パターンに対応した設計画像からパターン加工過程と該実画像の取得時の光学系による画像劣化過程とを考慮して得られる参照画像を入力して該実画像及び該参照画像を比較することにより該加工済パターン中の欠陥の有無の判定結果を出力するパターン外観検査方法において、前記設計画像中のパターンに対するパターン補正処理として請求項１に記載の画像パターン補正方法を適用したことを特徴とするパターン外観検査方法。   Considering the actual image obtained by beam scanning the processed pattern and converting it to an electrical signal, and the pattern processing process from the design image corresponding to the processed pattern and the image degradation process by the optical system at the time of acquisition of the actual image In the pattern appearance inspection method for inputting the reference image obtained in this manner and comparing the actual image and the reference image to output the determination result of the presence or absence of defects in the processed pattern, A pattern appearance inspection method, wherein the image pattern correction method according to claim 1 is applied as pattern correction processing. 請求項３記載のパターン外観検査方法において、前記パターン補正処理は、前記設計画像を入力とする前記特性フィルタの１個のものによる処理、及び該特性フィルタ処理の結果を入力とする前記応答関数の１個のものにより行われることを特徴とするパターン外観検査方法。 4. The pattern appearance inspection method according to claim 3 , wherein the pattern correction processing includes processing by one of the characteristic filters having the design image as an input, and a response function having the result of the characteristic filter processing as an input. A pattern appearance inspection method, characterized by being performed by a single object. 請求項３記載のパターン外観検査方法において、前記パターン補正処理は、前記設計画像を入力とする前記特性フィルタの複数個による処理と該特性フィルタの複数個のものの処理結果を入力とする前記応答関数の複数個による出力値とを統合することによって行われることを特徴とするパターン外観検査方法。 4. The pattern appearance inspection method according to claim 3 , wherein the pattern correction processing includes processing by a plurality of the characteristic filters having the design image as an input and a response function having the processing results of the plurality of characteristic filters as inputs. A pattern appearance inspection method characterized in that the pattern appearance inspection method is performed by integrating output values of a plurality of the patterns. 請求項３記載のパターン外観検査方法において、前記特性フィルタと前記画像劣化過程を再現するためのフィルタとを統合することにより生成された統合フィルタを用いて前記参照画像を生成することを特徴とするパターン外観検査方法。


4. The pattern appearance inspection method according to claim 3, wherein the reference image is generated by using an integrated filter generated by integrating the characteristic filter and a filter for reproducing the image deterioration process. Pattern appearance inspection method.


JP2004160475A 2004-05-31 2004-05-31 Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method Expired - Fee Related JP4159512B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004160475A JP4159512B2 (en) 2004-05-31 2004-05-31 Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004160475A JP4159512B2 (en) 2004-05-31 2004-05-31 Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005338666A JP2005338666A (en) 2005-12-08
JP4159512B2 true JP4159512B2 (en) 2008-10-01

Family

ID=35492297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004160475A Expired - Fee Related JP4159512B2 (en) 2004-05-31 2004-05-31 Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4159512B2 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4542164B2 (en) 2008-03-18 2010-09-08 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and program
KR101636523B1 (en) * 2009-05-20 2016-07-06 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. Dual pass scanning
JP5466560B2 (en) * 2010-03-30 2014-04-09 アンリツ産機システム株式会社 X-ray inspection apparatus and operation method thereof
US9965901B2 (en) 2015-11-19 2018-05-08 KLA—Tencor Corp. Generating simulated images from design information
US10395356B2 (en) * 2016-05-25 2019-08-27 Kla-Tencor Corp. Generating simulated images from input images for semiconductor applications
FR3052910B1 (en) 2016-06-16 2018-06-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives METHOD FOR PROJECTING A BEAM OF PARTICLES ON A SUBSTRATE WITH CORRECTION OF BROADCAST EFFECTS

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005338666A (en) 2005-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6328063B2 (en) Detection of fine lines for selective sensitivity during reticle inspection using processed images
JP3028945B2 (en) Multi-tone rounding correction processing method and pattern inspection apparatus
US7633061B2 (en) Method and apparatus for measuring pattern dimensions
US7792357B2 (en) Chromatic aberration correction
US8260031B2 (en) Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and computer-readable recording medium storing a program
JP2984633B2 (en) Reference image creation method and pattern inspection device
JP4154374B2 (en) Pattern matching device and scanning electron microscope using the same
JP2001175857A (en) Reference image generating method, pattern inspecting device, and recording medium with recorded reference image generating program
JP2019008599A (en) Image noise reduction method using forward propagation type neural network
TWI757585B (en) Inspection device, inspection method and inspection program
JP2014521230A (en) Method and apparatus for analyzing and removing defects in EUV photomasks
TW200900880A (en) Method for manufacturing semiconductor devices, and method for forming a pattern onto an exposure mask
JP4159512B2 (en) Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method
JP4193760B2 (en) Image pattern correction method, simulated image generation method using the same, and pattern appearance inspection method
JP2003031469A (en) Pattern evaluation method, alignment method, inspection method of inspection apparatus, and control method of semiconductor-manufacturing process
WO2006073155A1 (en) Pattern defect inspection device, method thereof, and computer-readable recording medium containing program for the same
US8653454B2 (en) Electron-beam image reconstruction
JP6788839B2 (en) Charged particle beam drawing device, charged particle beam drawing system and drawing data generation method
JP2011085536A (en) Review apparatus and inspection apparatus system
JP2009523241A (en) APPARATUS, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR IMPROVING ARTIFICIAL RESOLUTION IN OPTICAL SYSTEM
TW202029270A (en) Drawing data generation method and multi charged particle beam drawing apparatus
US11587223B2 (en) Inspection apparatus that detects defect in image and inspection method and storage medium thereof
JP7237872B2 (en) Inspection device, inspection method, and program
US7420710B2 (en) Optical proximity correction in raster scan printing based on grayscale manipulation of the bitmap
CN114063383A (en) Method for forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method for forming shape on mask

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060511

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060718

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061018

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20061116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20061116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061218

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20061225

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20070117

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20070216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080421

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20080604

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080715

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4159512

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees