JP4159495B2 - プローブカード及び半導体試験装置 - Google Patents
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Description
11:バンプ(プローブ端子)
11A:バンプ本体
11B:バンプ基部
12:第1のメンブレン
13:異方導電性ゴムプラグ
14:第2のメンブレン
15:ガラスエポキシ樹脂基板
20:測定対象ウエハ
21:電極パッド
Claims (13)
- 測定対象ウエハの電気的特性試験に使用されるプローブカードであって、
前記プローブカードは、
弾性材料から成る第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の表面に配設されるバンプ本体、及び、該バンプ本体を支持し前記第1の絶縁膜を貫通するバンプ基部から成り、前記プローブカードの主面に設けられたプローブ端子と、
前記第1の絶縁膜及びプローブ端子を支持し、前記バンプ基部に電気的に接続される配線パターンを内部に有する支持部材と
を備え、
前記バンプ基部は、前記バンプ本体の底面の一部を支持しており、該バンプ本体の底面の他の部分は、前記第1の絶縁膜に支持されており、
前記プローブ端子と前記測定対象ウエハの電極パッドとを接触せしめて前記試験を行うに際し、前記測定対象ウエハからの押圧力による、前記バンプ基部を介して前記支持部材に支持される底面部分と前記第1の絶縁膜に支持される底面部分との間で異なる支持力によって、前記プローブ端子が、前記プローブカードの主面に対して傾くことを特徴とするプローブカード。 - 前記プローブ端子は、前記試験を行うに際して、前記プローブカードの主面と前記測定対象ウエハの電極パッドとの間に位置する、請求項1に記載のプローブカード。
- 前記測定対象ウエハが半導体装置のウエハである、請求項1又は2に記載のプローブカード。
- プローブカードの主面に設けられたプローブ端子と半導体装置の電極パッドとを接触せしめ、半導体試験装置にて前記半導体装置の電気的特性試験を行うのに使用されるプローブカードであって、
前記プローブカードは、
弾性材料から成る第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の表面に配設されるバンプ本体、及び、該バンプ本体を支持し前記第1の絶縁膜を貫通するバンプ基部から成るプローブ端子と、
前記第1の絶縁膜及びプローブ端子を支持し、前記バンプ基部に電気的に接続される配線パターンを内部に有する支持部材と
を備え、
前記バンプ基部は、前記バンプ本体の底面の一部を支持しており、該バンプ本体の底面の他の部分は、前記第1の絶縁膜に支持されており、
前記半導体装置の前記試験に際し、前記半導体装置からの押圧力による、前記バンプ基部を介して前記支持部材に支持される底面部分と前記第1の絶縁膜に支持される底面部分との間で異なる支持力によって、前記プローブ端子が、前記プローブカードの主面に対して傾くことを特徴とするプローブカード。 - 前記プローブ端子は、前記試験を行うに際して、前記プローブカードの主面と前記半導体装置の電極パッドとの間に位置する、請求項4に記載のプローブカード。
- 前記傾く動作が、前記プローブ端子と前記電極パッドとの間に生じる横方向へのスクラブ動作である、請求項1〜5の何れか一に記載のプローブカード。
- 前記第1の絶縁膜が弾性を有し、かつ、前記配線パターンが前記絶縁膜よりも剛性が高い、請求項1〜6の何れか一に記載のプローブカード。
- 前記第1の絶縁膜はシリコーンゴムより構成され、前記配線パターンは異方導電性ゴムより構成される、請求項1〜7の何れか一に記載のプローブカード。
- 前記スクラブが前記第1の絶縁膜に支持される底面部分と前記配線パターンに支持される底面部分との間の異なる支持力によって生じている、請求項1〜8の何れか一に記載のプローブカード。
- 前記支持部材は、前記第1の絶縁膜を支持し弾性材料から成る第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜中を貫通し、該第2の絶縁膜に比して高い剛性を有して前記プローブ基部の底面を支持する導電性部材と、該導電性部材を介して前記バンプ基部に電気的に接続される前記配線パターンを有し、前記第2の絶縁膜及び導電性部材を支持する基板とを備える、請求項1〜6の何れか一に記載のプローブカード。
- 前記第2の絶縁膜は、シリコーンゴムより構成される、請求項10に記載のプローブカード。
- 前記バンプ本体の底面の略1/2以下が前記バンプ基部に支持されている、請求項1〜11の何れか一に記載のプローブカード。
- プローブカードのプローブ端子と半導体装置の電極パッドとを接触せしめ測定する半導体試験装置であって、
請求項1〜12の何れか一に記載のプローブカードを用いていることを特徴とする半導体試験装置。
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