JP4153540B2 - 基板製造装置 - Google Patents
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Description
前記融液を貯留する坩堝を備え、前記坩堝が収容される収容空間を形成するチャンバと、
前記収容空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記収容空間に連通し、かつ冷却体が通過可能な連通孔、排気孔、および外部空間に連なり、かつ冷却体が通過可能な搬送孔が形成され、前記連通孔、排気孔および搬送孔に連通するバッファ空間を形成するバッファ室と、
前記搬送孔を開閉可能なシャッタを備える開閉手段と、
前記連通孔および搬送孔を通って、収容空間に冷却体を搬入し、かつ収容空間から冷却体を搬出する搬送手段と、
バッファ空間に収容され、搬送手段によってバッファ空間を搬送される冷却体に向けて不活性ガスを噴出するガス噴出手段とを含み、
前記収容空間および前記バッファ空間の圧力は、大気圧よりも高く、
前記排気孔からは、前記ガス供給手段から前記収容空間に供給されて、前記連通孔を介して前記バッファ室に流入する不活性ガス、および前記ガス噴出手段によって噴出されたガスが排気されることを特徴とする基板製造装置である。
前記ガス供給手段は、各バッファ室の連通孔を通って各バッファ空間にそれぞれ流入する不活性ガスの流量が等しくなるように前記収容空間に不活性ガスを供給することを特徴とする。
また本発明は、前記ガス噴出手段は、排気孔に向けて不活性ガスを噴出することを特徴とする。
ガスが噴出する方向および前記予め定める方向に垂直な方向の前記噴出孔の幅の寸法は、0.05mm以上かつ0.2mm未満に選ばれることを特徴とする。
Re=UL/ν
Sc=ν/D …(1)
2 坩堝
3 チャンバ
4 下地板
5 運搬手段
6 バッファ室
7 搬送手段
8 排気管
9 収容空間
11 融液
12 基板
15 ガス供給手段
17 連通孔
20 連通管
21 搬送管
22,62 接続管
23 搬送孔
24,67 開閉手段
25,68 バッファ空間
26 連結部
33,66 シャッタ
34 排気孔
35 ガス噴出手段
52 補給手段
53 補給用バッファ室
55 補給用管
57 補給用搬送管
64 ガス噴出手段
65 補給用搬送孔
Claims (9)
- 基板の原料を加熱溶融した融液に冷却体を浸漬し、前記冷却体の表面上に前記原料を凝固成長させて基板を製造する基板製造装置であって、
前記融液を貯留する坩堝を備え、前記坩堝が収容される収容空間を形成するチャンバと、
前記収容空間に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記収容空間に連通し、かつ冷却体が通過可能な連通孔、排気孔、および外部空間に連なり、かつ冷却体が通過可能な搬送孔が形成され、前記連通孔、排気孔および搬送孔に連通するバッファ空間を形成するバッファ室と、
前記搬送孔を開閉可能なシャッタを備える開閉手段と、
前記連通孔および搬送孔を通って、収容空間に冷却体を搬入し、かつ収容空間から冷却体を搬出する搬送手段と、
バッファ空間に収容され、搬送手段によってバッファ空間を搬送される冷却体に向けて不活性ガスを噴出するガス噴出手段とを含み、
前記収容空間および前記バッファ空間の圧力は、大気圧よりも高く、
前記排気孔からは、前記ガス供給手段から前記収容空間に供給されて、前記連通孔を介して前記バッファ室に流入する不活性ガス、および前記ガス噴出手段によって噴出されたガスが排気されることを特徴とする基板製造装置。 - 複数の前記バッファ室を有し、
前記ガス供給手段は、各バッファ室の連通孔を通って各バッファ空間にそれぞれ流入する不活性ガスの流量が等しくなるように前記収容空間に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項1記載の基板製造装置。 - 前記バッファ室の容積は、前記チャンバの容積の0%を超えてかつ10%以下に選ばれることを特徴とする請求項1または2記載の基板製造装置。
- 前記ガス噴出手段は、バッファ空間で搬送孔寄りに近接して設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の基板製造装置。
- 前記開閉手段は、前記搬送孔に近接して設けられることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の基板製造装置。
- 前記ガス噴出手段は、排気孔に向けて不活性ガスを噴出することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の基板製造装置。
- 前記ガス噴出手段は、前記搬送孔に臨む内周面を延長した仮想平面によって囲まれる領域に、前記領域の外方にわたってガスを噴出することを特徴とする請求項6記載の基板製造装置。
- 前記ガス噴出手段は、不活性ガスが噴出する方向に垂直な予め定める方向に延びて形成され、不活性ガスが噴出する噴出孔を有し、
ガスが噴出する方向および前記予め定める方向に垂直な方向の前記噴出孔の幅の寸法は、0.05mm以上かつ0.2mm未満に選ばれることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の基板製造装置。 - 前記ガス噴出手段から噴出される不活性ガスは、希ガスおよび窒素ガスのうちの少なくともいずれか一方に選ばれることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の基板製造装置。
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