JP4151096B2 - Method for melting polycrystalline silicon - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、CZ法によりシリコン単結晶を製造する際に、その製造原料である多結晶シリコンをルツボ内で溶解して、シリコン融液を生成する多結晶シリコンの溶解方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
CZ法によりシリコン単結晶を製造する場合、その単結晶の引き上げに先立ってルツボ内に多結晶シリコンからなる粒塊状の原料を装填し、これを溶解して原料融液を生成する。そして、粒塊状の原料間の隙間によって生じる原料融液の不足分を補うべく、ルツボの上方から新たに原料を融液中に供給し、所定量のシリコン融液を得た後、その融液から単結晶の引き上げが開始される。
【0003】
ここで、ルツボ内に事前に装填された原料の溶解は初期メルトと呼ばれており、また、その初期メルトによって生成された原料融液に原料を供給する操作は追加チャージと呼ばれている。
【0004】
従来、この一連の原料溶解操作は、ルツボの周囲に配設されたサイドヒータによって実施されていた。しかし、サイドヒータのみによる原料溶解では、ルツボ底の温度が低いために、原料溶解、特に初期メルトに時間がかかるという問題がある。また、ルツボの側面のみが加熱されるために、その側面のダメージ(軟化変形、酸素の溶出による劣化)が大きいという問題がある。
【0005】
これらの問題を解決するために、出願人はサイドヒータと共に、ルツボの下方に設置したボトムヒータを併用して原料溶解を行う単結晶製造方法を特開平2−221184号公報により提示した。ボトムヒータを使用すると、サイドヒータの出力を低下させることができるので、ルツボ側面のダメージが抑制され、全体としての溶解時間も短縮される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平2−221184号公報により提示された単結晶製造方法を実操業に適用し、その有効性を調査したところ、次のような問題のあることが判明した。
【0007】
初期メルトの際に、ボトムヒータの出力がサイドヒータの出力よりも大きく設定されているために、ルツボ内の底近傍の原料の溶解が進み、上部原料の溶解が遅れてブリッジ形状となり、その溶解が行えない場合がある。即ち、サイドヒータのみによる原料溶解の場合もブリッジは生じるが、これは下部原料が溶け残って上部原料の降下を阻害するることによるブリッジであり、一方、ボトムヒータの出力がサイドヒータの出力より大きい場合に生じるブリッジは、下部原料が早期に溶解し、溶け残った上部原料が宙吊り状態になって上部に残ることによるブリッジである。
【0008】
追加チャージの際のヒータ出力が明らかにされていない。追加チャージ時には、初期に装填された原料は全て溶解されて融液状態にあり、この状態で上方に吊るした棒状の原料がルツボ内の融液に浸漬されるため、その原料の溶解は融液の表面から近いところ(100mm以内)で行われる。このため、追加チャージにおいては、ボトムヒータによる加熱は原料の溶解に有効に寄与せず、電力の浪費を招く原因になる。
【0009】
本出願人は、ルツボ内への初期原料装填量を増大させるために、ルツボ内にカットロッド(棒状の原料)を装填し、その隙間に粒塊状の原料を充填して、装填密度を高めることを企画している。この場合の装填原料の溶解方法として、ボトムヒータを併用する方法は非常に有効であるが、ボトムヒータの出力がサイドヒータの出力より大きいと、カットロッドの溶解が急速に進み、ブリッジが発生する。
【0010】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ルツボ内に初期装填された原料をブリッジが生じることなく効率よく溶解することができる多結晶シリコンの溶解方法を提供することを目的とする。
【0011】
本発明の別の目的は、追加チャージされる原料を経済的かつ効率的に溶解することができ、合わせてルツボのダメージを効果的に抑制することができる多結晶シリコンの溶解方法を提供することにある。
【0012】
本発明の更に別の目的は、ルツボ内にカットロッドを装填する場合にあってもルツボ内の原料をブリッジが生じることなく効率よく溶解することができる多結晶シリコンの溶解方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の多結晶シリコンの溶解方法は、CZ法によりシリコン単結晶を製造する際にその製造原料として使用される多結晶シリコンをルツボ内で溶解する多結晶シリコンの溶解方法において、主としてルツボの周囲を加熱する第1の加熱手段と、主としてルツボの底部を加熱する第2の加熱手段とを配設し、第1の加熱手段への供給電力を第2の加熱手段への供給電力よりも大きくした状態で、ルツボ内に初期装填された多結晶シリコンを溶解することを初期メルトの段階とする。
【0014】
初期メルトにおいて、主としてルツボの周囲を加熱する第1の加熱手段への供給電力を、主としてルツボの底部を加熱する第2の加熱手段への供給電力よりも大きくすることにより、ルツボ底への加熱量が制限され、ブリッジの問題が解決される。しかし、第2の加熱手段への供給電力を極端に制限すると、ルツボ底への加熱量が減少し、第2の加熱手段を設けることの意味が薄れることにより、溶解時間が長くなる。また、第2の加熱手段への供給電力を制限することに伴って、第1の加熱手段への供給電力が相対的に増大することにより、特に石英ルツボの上端部が軟化変形する危険性が生じる。
【0015】
本発明の多結晶シリコンの溶解方法は、初期メルトの段階でルツボ内に初期装填された多結晶シリコンを溶解した後、そのルツボ内に上方から新たに多結晶シリコンを追加し溶解する追加チャージにおいては、追加された原料が融液表面から近いところで溶解されるため、第2の加熱手段を使用する必要がなく、従って第2の加熱手段への供給電力は0とする。そして、第1の加熱手段への供給電力を初期メルト時よりも高めることで、追加原料の積極的な溶解が図られる。しかし、この場合、初期メルト時のルツボ位置で追加チャージ原料の溶解を行うと、高温である第1の加熱手段の影響を受けて石英ルツボの上端部が軟化変形するので、追加チャージ時にはルツボ位置を上昇させて、石英ルツボの軟化変形を抑制する。
【0016】
第1の加熱手段については、これを上下2段に分割したものを使用するのが好ましい。即ち、初期メルトにおいて、第1の加熱手段への供給電力を第2の加熱手段への供給電力よりも大きくした上で、上段の加熱手段への供給電力を下段の加熱手段への供給電力よりも小さくして、ルツボ内に初期装填された多結晶シリコンを溶解することにより、ルツボのR部が積極的に加熱され、溶解時間が一層短縮される。
【0017】
第1の加熱手段を上下2段に分割した場合の追加チャージについては、ルツボを上昇させると共に、第1の加熱手段への供給電力を増大させ、第2の加熱手段への供給電力を0とすることに加え、第1の加熱手段における特に上段の加熱手段への供給電力を増大させることが好ましい。これにより、追加原料がより一層積極的に溶解される。
【0018】
第1の加熱手段への供給電力と第2の加熱手段への供給電力の具体的な電力比としては、第1の加熱手段への供給電力と第2の加熱手段への供給電力の合計に対する、第2の加熱手段への供給電力の比率で表して、20〜40%とするのが好ましい。特に、第1の加熱手段を上下2段に分割しない場合は30〜40%が好ましく、この分割を行った場合は20〜30%が好ましい。第1の加熱手段を上下2段に分割した場合に、第2の加熱手段への供給電力の比率を相対的に低下させるのは、ルツボR部への局部的加熱が過剰になり、石英ルツボ表面がダメージを受け、単結晶育成が阻害される有転位化を防ぐためである。
【0019】
ルツボ内に初期装填するシリコン原料としては、棒状の多結晶シリコンを含むものが好ましい。棒状の多結晶シリコン、即ちカットロッドは熱伝導性がよいので、カットロッドを装填した状態での原料溶解に本発明を適用すると、第2の加熱手段によるルツボ底からの加熱によってカットロッドが優先的に溶解し、ルツボ中心部での温度が上昇することにより、全体としての溶解時間が非常に短くなる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1及び図2は本発明の第1実施形態を示す。
【0021】
ルツボ10は、内側の石英ルツボ11と外側の黒鉛ルツボ12とからなる。このルツボ10は、ペディスタルと呼ばれる支持軸20の上に載置されている。支持軸20は、中心軸回りに回転駆動されると共に軸方向に昇降駆動され、これらの駆動によりルツボ10の回転及び昇降を行う。
【0022】
ルツボ10の周囲には、第1の加熱手段としてサイドヒータ30が設けられている。サイドヒータ30の高さは、ルツボ10の高さより大である。一方、ルツボ10の下方には、第2の加熱手段としてボトムヒータ40が設けられている。ボトムヒータ40は、ルツボ10の外径とほぼ同じ外径の円盤であり、前記支持軸20は、ボトムヒータ40の中心部を貫通している。
【0023】
初期メルトに際しては、図1に示すように、単結晶製造原料である多結晶シリコン50を初期装填する。具体的には、ルツボ10の底面上に塊粒原料51を敷きつめた後、塊粒原料51の上に、3本のカットロッド52,52,52を水平方向に寝かせて横方向に並べる。各カットロッド52は、 シーメンス法により製造された多結晶シリコン棒から切り出したものである。
【0024】
3本のカットロッド52,52,52を並べ終わると、これらがほぼ埋まるように、塊粒原料51を再度装填する。その後、塊粒原料51の上に2本のカットロッド52,52を俵積み上に重ね、その上に所定レベルまで塊粒原料51を装填する。ここで、上段の2本のカットロッド52,52は、下段の3本のカットロッド52,52,52より長尺とされている。これにより、5本のカットロッドは、ルツボ10の内周面と干渉することなく、ルツボ10内に効率よく装填される。
【0025】
ルツボ10内への原料装填が終わると、サイドヒータ30及びボトムヒータ40を作動させて、ルツボ10内の装填原料を溶解する。この溶解では、サイドヒータ30の出力をボトムヒータ40の出力より大きくする。具体的には、例えばトータル出力が85kWの場合、サイドヒータ30の出力を55kW、ボトムヒータ40の出力を30kWとする。また、ルツボ10のレベルは、効率の良い溶解を行うために、サイドヒータ30の上端−下端間にルツボ10が位置するように調整される。
【0026】
このような初期メルトによると、第1に、ルツボ10内に初期装填された原料が、サイドヒータ30及びボトムヒータ40により2方向がら加熱されるので、サイドヒータ30のみを使用する場合と比べて溶解時間が短縮される。
【0027】
第2に、初期装填原料としてカットロッド52を使用しているので、装填密度が上がり、その装填量を多くすることができる。しかも、ボトムヒータ40によるルツボ底からの加熱によってカットロッド52が優先的に溶解し、ルツボ中心部での温度が上昇することにより、全体としての溶解時間が一層短縮される。
【0028】
サイドヒータ30とボトムヒータ40の出力比を、トータル出力に対するボトムヒータ40の出力比で30〜40%に調整しているので、2種類のヒータを併用したことによりメリットが減殺されることなく、ルツボ底への加熱量が制限され、ブリッジの問題が解決される。しかも、サイドヒータ30の出力が相対的に増大することに起因する、石英ルツボ11の上端部の軟化変形も回避される。
【0029】
ちなみに、初期装填原料として塊粒原料51のみを使用するときの装填重量が100kgの場合、カットロッド52を併用することにより、この装填重量は120kgに増大する。
【0030】
塊粒原料51のみを使用する場合、サイドヒータ30のみによる溶解では、ヒータ出力は100kWが限界であり、溶解時間は9時間を要する。サイドヒータ30とボトムヒータ40を使用することにより、トータル出力は前述のように85kWとなり、サイドヒータ30の出力を55kW、ボトムヒータ40の出力を30kWとすることにより、溶解時間は7時間に短縮され、ブリッジも発生しない。そして、ここでカットロッド52を併用すると、装填重量が増大するにもかかわらず、溶解時間は6.5時間まで短縮される。
【0031】
初期メルトが終わると、図2に示す追加チャージを行う。この追加チャージでは、初期装填原料が溶解してルツボ10内に生成された原料融液50′の中に、上方より追加チャージ用のカットロッド53を挿入して、原料融液の不足分を補うが、このときは、ボトムヒータ40の出力を0とし、サイドヒータ30の出力を初期メルトのときより上げて、例えば78kWとする。ただし、トータル出力(この場合はサイドヒータ30の出力)は、溶解量が少ないために初期メルトのときよりも低下する。また、ルツボ10については、石英ルツボ11の上端部がサイドヒータ30の上方に突き出すように、そのレベルを上げる。
【0032】
ボトムヒータ40の出力を0とし、サイドヒータ30の出力を上げることにより、追加チャージ原料が効率よく溶解する。また、ルツボ10のレベルを上げたため、サイドヒータ30の出力を上げるにもかかわらず、石英ルツボ11の上端部の軟化変形が防止される。
【0033】
図3は本発明の第2実施形態を示す。本実施形態は、設備上はサイドヒータ30として、上下2段に分割したものを使用する点が、前述した第1実施形態と相違する。そして、次のような手法で初期メルト及び追加チャージを行う。
【0034】
初期メルトにおいては、トータル出力に対するボトムヒータ40の出力比を20〜30%とする。また、サイドヒータ30の下段部32の出力を上段部31の出力より大きくする。トータル出力は、上下に分割されないサイドヒータ30を使用する場合と基本的に同一である。
【0035】
具体的には、例えば86kWのトータル出力に対して、ボトムヒータ40の出力を20kW、サイドヒータ30の出力を66kWとし、サイドヒータ30の上段部31の出力を28kW、下段部32の出力を38kWとする。
【0036】
サイドヒータ30を上下2段に分割し、下段部32の出力を上段部31の出力より大きくしたため、ルツボ11のR部が積極的に加熱され、溶解時間が一層短縮される。前述した操業例の場合、塊粒原料51のみを使用する場合の溶解時間は7時間となり、カットロッド52を併用する場合の溶解時間は6.5時間となる。
【0037】
また、ボトムヒータ40の出力を更に低下させるために、ブリッジの発生も一層効果的に防止される。
【0038】
追加チャージにおいては、第1実施形態の場合と同様に、ボトムヒータ40の出力を0とし、サイドヒータ30の出力を高める。ただし、トータル出力は低下する。また、ルツボ10を上昇させる。
【0039】
サイドヒータ30における上段部31と下段部32の出力比については、1:1程度、若しくは上段部31の出力を下段部32の出力より上げ気味とする。なぜなら、追加チャージにおける原料の溶解は、融液の液面付近で行われるからである。上段部31の出力を下段部32の出力より上げ気味とした場合は、トータル出力(この場合はサイドヒータ30の出力)を更に低下させることも可能となる。
【0040】
図4は本発明の第3実施形態を示す。本実施形態は、初期メルトに際して複数本のカットロッド52を立てて横方向に並べた点が、前述した第1実施形態及び第2実施形態と相違する。
【0041】
即ち、本実施形態では、まず、ルツボ10の底面上に、塊粒原料51のなかでも特に細かいSSチップと呼ばれるものを、上面が平らになるように敷きつめる。次に、その上に、6本のカットロッド52・・・を垂直に立て、水平方向に俵積み状に組み合わせて並べる。そして、塊粒原料51を隙間に詰め、所定レベルまで装填する。ルツボ10の底面上にSSチップを敷きつめるのは、その上に立てるカットロッド52・・・の転倒を防止するためである。
【0042】
このような原料装填方法によっても、装填密度を高めて、装填重量を増大させることができる。ルツボ10内の原料装填密度を高めることの意義は、ルツボ10のサイズ及びルツボ10内の原料装填レベルを高めることなく、原料装填重量を増大できる点にある。ルツボ10のサイズを大きくした場合は、溶解に要する電力費が嵩むと共に、融液温度の管理が困難となる。ルツボ10の上端付近まで原料を山積みした場合は、一部の装填原料が溶解せずにルツボ10の上端部内面に付着して残るため、その上端部が内側へ変形する危険性がある。
【0043】
本発明の溶解方法は、このようなカットロッド52を含む装填原料の効率的な溶解に特に有効である。
【0044】
【発明の効果】
以上に説明した通り、本発明の多結晶シリコンの溶解方法は、単結晶の製造に際してルツボ内に装填される原料を効率的に溶解することにより、溶解時間の短縮及び電力使用量の低減を図り、合わせてブリッジの発生を防止して安定かつ効率的な溶解操業を実現することができる。特に、装填重量を増大させるためにカットロッドを使用した場合に、装填重量が増大するにもかかわらず短時間で溶解を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態における初期メルトの説明図である。
【図2】本発明の第1実施形態における追加チャージの説明図である。
【図3】本発明の第2実施形態における初期メルトの説明図である。
【図4】本発明の第3実施形態における初期メルトの説明図である。
【符号の説明】
10 ルツボ
30 サイドヒータ(第1の加熱手段)
31 上段部
32 下段部
40 ボトムヒータ(第2の加熱手段)
50 多結晶シリコン(単結晶製造原料)
51 塊粒原料
52 カットロッド[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a polycrystalline silicon melting method in which, when a silicon single crystal is produced by a CZ method, polycrystalline silicon as a production raw material is melted in a crucible to produce a silicon melt.
[0002]
[Prior art]
When a silicon single crystal is produced by the CZ method, prior to pulling up the single crystal, a crucible raw material made of polycrystalline silicon is charged into a crucible and melted to produce a raw material melt. Then, in order to compensate for the shortage of the raw material melt caused by the gaps between the raw materials in the form of agglomerates, the raw material is newly supplied into the melt from above the crucible to obtain a predetermined amount of silicon melt, and then the melt From this, the pulling of the single crystal is started.
[0003]
Here, the melting of the raw material previously loaded in the crucible is called initial melt, and the operation of supplying the raw material to the raw material melt generated by the initial melt is called additional charge.
[0004]
Conventionally, this series of raw material melting operations has been carried out by a side heater disposed around the crucible. However, the melting of the raw material using only the side heater has a problem that it takes time to melt the raw material, particularly the initial melt, because the temperature at the bottom of the crucible is low. Further, since only the side surface of the crucible is heated, there is a problem that damage on the side surface (softening deformation, deterioration due to elution of oxygen) is large.
[0005]
In order to solve these problems, the applicant has proposed a method for producing a single crystal in which a raw material is melted together with a side heater and a bottom heater installed under the crucible, as disclosed in JP-A-2-221184. When the bottom heater is used, the output of the side heater can be reduced, so that damage on the side surface of the crucible is suppressed, and the melting time as a whole is shortened.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the single crystal manufacturing method presented in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 2-221184 is applied to actual operation and the effectiveness thereof is investigated, it has been found that there are the following problems.
[0007]
During the initial melt, the bottom heater output is set to be larger than the side heater output, so the melting of the raw material in the vicinity of the bottom in the crucible advances, and the melting of the upper raw material is delayed, resulting in a bridge shape. It may not be possible. That is, a bridge is generated even when the raw material is melted only by the side heater, but this is a bridge caused by the lower raw material remaining undissolved and hindering the lowering of the upper raw material, while the output of the bottom heater is larger than the output of the side heater. The bridge generated in this case is a bridge formed by the lower raw material being dissolved early and the upper raw material remaining undissolved being suspended in the upper portion.
[0008]
The heater output at the time of additional charge is not clarified. At the time of additional charging, all the initially charged raw materials are dissolved and in a molten state, and in this state, the rod-shaped raw materials suspended upward are immersed in the melt in the crucible, so that the dissolution of the raw materials is Near the surface (within 100 mm). For this reason, in the additional charge, the heating by the bottom heater does not contribute effectively to the melting of the raw material and causes a waste of electric power.
[0009]
In order to increase the initial raw material loading amount into the crucible, the present applicant loads a cut rod (rod-shaped raw material) into the crucible and fills the gap with the raw material in the form of agglomerates to increase the loading density. Is planning. In this case, a method using a bottom heater in combination with the bottom heater is very effective as a method for melting the charged material. However, when the output of the bottom heater is larger than the output of the side heater, the melting of the cut rod proceeds rapidly and a bridge is generated.
[0010]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a polycrystalline silicon melting method capable of efficiently melting a raw material initially loaded in a crucible without causing a bridge. To do.
[0011]
Another object of the present invention is to provide a method for melting polycrystalline silicon that can economically and efficiently dissolve additional charged raw materials, and can effectively suppress crucible damage. It is in.
[0012]
Still another object of the present invention is to provide a method for melting polycrystalline silicon that can efficiently dissolve the raw material in the crucible without causing bridging even when a cut rod is loaded in the crucible. is there.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The polycrystalline silicon melting method of the present invention is a polycrystalline silicon melting method in which polycrystalline silicon used as a raw material for producing a silicon single crystal by the CZ method is melted in a crucible. The first heating means for heating the first heating means and the second heating means for mainly heating the bottom of the crucible are disposed, and the power supplied to the first heating means is larger than the power supplied to the second heating means. In this state, melting the polycrystalline silicon initially loaded in the crucible is an initial melt stage .
[0014]
In the initial melt, the power supplied to the first heating means for mainly heating the periphery of the crucible is set larger than the power supplied to the second heating means for mainly heating the bottom of the crucible, thereby heating the crucible bottom. The amount is limited and the bridging problem is solved. However, if the power supplied to the second heating means is extremely limited, the amount of heating to the bottom of the crucible is reduced, and the meaning of providing the second heating means is diminished, resulting in a longer melting time. In addition, there is a risk that the upper end portion of the quartz crucible may be softened and deformed due to the relative increase in the power supplied to the first heating means as the power supplied to the second heating means is limited. Arise.
[0015]
Dissolution method for polycrystalline silicon of the present invention, after dissolving the polycrystalline silicon initially loaded into the crucible in the initial melt phase in an additional charge to dissolve add a new polycrystalline silicon from above the crucible since the added material is dissolved at near the melt surface, it is not necessary to use a second heating means, thus supplying power to the second heating means shall be the 0. And the active melt | dissolution of an additional raw material is achieved by raising the electric power supplied to a 1st heating means rather than the time of initial stage melting. However, in this case, if the additional charge material is melted at the crucible position at the time of initial melting, the upper end portion of the quartz crucible is softened and deformed due to the influence of the first heating means having a high temperature. the is raised, it suppresses softening deformation of the quartz crucible.
[0016]
About the 1st heating means, it is preferable to use what divided this up and down two steps. That is, in the initial melt, the power supplied to the first heating means is made larger than the power supplied to the second heating means, and then the power supplied to the upper heating means is made higher than the power supplied to the lower heating means. The polycrystalline silicon initially loaded in the crucible is melted and the R portion of the crucible is positively heated, so that the melting time is further shortened.
[0017]
For additional charging when the first heating means is divided into two upper and lower stages, the crucible is raised and the power supplied to the first heating means is increased so that the power supplied to the second heating means is 0. In addition to this, it is preferable to increase the power supplied to the upper heating means in the first heating means. Thereby, an additional raw material is melt | dissolved more actively.
[0018]
As a specific power ratio between the power supplied to the first heating means and the power supplied to the second heating means, the total power supplied to the first heating means and the power supplied to the second heating means Expressed by the ratio of power supplied to the second heating means, it is preferably 20 to 40%. In particular, 30-40% is preferable when the first heating means is not divided into two upper and lower stages, and 20-30% is preferable when this division is performed. When the first heating means is divided into two upper and lower stages, the ratio of the power supplied to the second heating means is relatively reduced because the local heating to the crucible R part becomes excessive, and the quartz crucible This is because the surface is damaged to prevent dislocations that inhibit single crystal growth.
[0019]
As the silicon raw material initially loaded in the crucible, those containing rod-like polycrystalline silicon are preferable. Since the rod-shaped polycrystalline silicon, that is, the cut rod has good thermal conductivity, when the present invention is applied to the melting of the raw material with the cut rod loaded, the cut rod has priority by heating from the crucible bottom by the second heating means. As a result, the temperature at the center of the crucible rises and the melting time as a whole becomes very short.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show a first embodiment of the present invention.
[0021]
The
[0022]
A
[0023]
In the initial melting, as shown in FIG. 1, initial loading is performed with
[0024]
When the three
[0025]
When the raw material charging into the
[0026]
According to such an initial melt, first, the raw material initially loaded in the
[0027]
Second, since the
[0028]
Since the output ratio of the
[0029]
By the way, when the loading weight when only the lump
[0030]
When only the agglomerated
[0031]
When the initial melt is finished, the additional charge shown in FIG. 2 is performed. In this additional charge, a
[0032]
By setting the output of the
[0033]
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment described above in that the
[0034]
In the initial melt, the output ratio of the
[0035]
Specifically, for example, for the total output of 86 kW, the output of the
[0036]
Since the
[0037]
Moreover, since the output of the
[0038]
In the additional charging, the output of the
[0039]
The output ratio of the
[0040]
FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment and the second embodiment described above in that a plurality of
[0041]
That is, in the present embodiment, first, on the bottom surface of the
[0042]
Also by such a raw material loading method, the loading density can be increased and the loading weight can be increased. The significance of increasing the raw material loading density in the
[0043]
The melting method of the present invention is particularly effective for efficient melting of the charged material including such a
[0044]
【The invention's effect】
As described above, the method for melting polycrystalline silicon according to the present invention aims at shortening the melting time and power consumption by efficiently melting the raw material charged in the crucible during the production of the single crystal. In addition, stable and efficient melting operation can be realized by preventing the occurrence of bridges. In particular, when a cut rod is used to increase the loading weight, dissolution can be performed in a short time despite an increase in the loading weight.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of an initial melt in a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of additional charge in the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram of initial melt in a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram of an initial melt in a third embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10
31
50 Polycrystalline silicon (raw material for single crystal)
51
Claims (2)
ルツボの周囲を加熱する第1の加熱手段と、ルツボの底部を加熱する第2の加熱手段とを配設し、第1の加熱手段への供給電力を第2の加熱手段への供給電力よりも大きくした状態で、ルツボ内に初期装填された多結晶シリコンを溶解した後、
そのルツボ内に上方から新たに多結晶シリコンを追加し溶解する際には、ルツボを上昇させると共に、第1の加熱手段への供給電力を増大させ、第2の加熱手段への供給電力を0とした状態でその溶解を行うことを特徴とする多結晶シリコンの溶解方法。 In the method for melting polycrystalline silicon in which polycrystalline silicon used as a raw material for producing a silicon single crystal by the CZ method is melted in a crucible ,
A first heating means for heating the periphery of the crucible and a second heating means for heating the bottom of the crucible are arranged, and the power supplied to the first heating means is more than the power supplied to the second heating means. in a state that was also increased, after dissolving the polycrystalline silicon initially loaded into the crucible,
When newly adding polycrystalline silicon from above into the crucible and melting it, the crucible is raised, the power supplied to the first heating means is increased, and the power supplied to the second heating means is reduced to 0. and the state dissolution method of polycrystalline silicon you and performing its dissolution.
ルツボの周囲を加熱する第1の加熱手段と、ルツボの底部を加熱する第2の加熱手段とを配設し、第1の加熱手段への供給電力を第2の加熱手段への供給電力よりも大きくした状態で、かつ第1の加熱手段を上下2段に分割し、上段の加熱手段への供給電力を下段の加熱手段への供給電力よりも小さくした状態で、ルツボ内に初期装填された多結晶シリコンを溶解した後、
そのルツボ内に上方から新たに多結晶シリコンを追加し溶解する際には、ルツボを上昇させると共に、第1の加熱手段における少なくとも上段の加熱手段への供給電力を増大させ、第2の加熱手段への供給電力を0とした状態でその溶解を行うことを特徴とする多結晶シリコンの溶解方法。 In the method for melting polycrystalline silicon in which polycrystalline silicon used as a raw material for producing a silicon single crystal by the CZ method is melted in a crucible ,
A first heating means for heating the periphery of the crucible and a second heating means for heating the bottom of the crucible are arranged, and the power supplied to the first heating means is more than the power supplied to the second heating means. The first heating means is divided into two upper and lower stages, and the power supplied to the upper heating means is smaller than the power supplied to the lower heating means , and is initially loaded in the crucible. After dissolving the polycrystalline silicon
When newly adding polycrystalline silicon from above into the crucible and melting it, the crucible is raised and the power supplied to at least the upper heating means in the first heating means is increased, so that the second heating means dissolution method polysilicon you and performing the dissolution power supplied while the 0 to.
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