JP4149909B2 - 誘導結合高密度プラズマ源 - Google Patents
誘導結合高密度プラズマ源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4149909B2 JP4149909B2 JP2003501018A JP2003501018A JP4149909B2 JP 4149909 B2 JP4149909 B2 JP 4149909B2 JP 2003501018 A JP2003501018 A JP 2003501018A JP 2003501018 A JP2003501018 A JP 2003501018A JP 4149909 B2 JP4149909 B2 JP 4149909B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma source
- induction coil
- duct
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
図4を参照して、本発明のコンパクトプラズマ源が以下に詳述される。
図6にまた示すように、プラズマ源100は、前記上面404並びに/もしくは下面406の近くに配設された複数の磁石420をオプション的に有する。これら磁石は、下側磁石リング422と上側磁石リング424とを夫々形成するように、誘導コイルのチャンネル316の上下に環状のリング形状に配置されたブロックの形態となった永久磁石であることが好ましい。これら磁石は、代わって電磁石でも良い。図6では、上側磁石リング422は、8個の磁石であるように示されている。例示的な実施の形態においては、プラズマ源100は、下側磁石リング422と上側磁石リング424とにおいて16ないし24個の磁石を有する。このような磁石は、互いに等間隔もしくは不等間隔で離間し得る。また、これら磁石420は、前記ハウジング400内、もしくは、図4に示されているように、別のシールドされたハウジング430内に設けられ得る。これら磁石420の役割は、所望の結果(例えば、高められた効率、高プラズマ密度、もしくは好ましいプラズマの流れ方向)を果たすためにプラズマ230の振るまいに影響を与えるように、プラズマ発生領域72’の近くに部分的な磁界を発生させることである。磁石420は、1013イオン/cc以上のプラズマ密度を生じさせて、磁石が使用されていない場合と比較すると約3Xのファクターだけプラズマ密度を一般的に増すように、プラズマ源100の一部として代表的に必要とされている。このプラズマ密度の増加は、電子エネルギー分布関数(EEDF)のテールでのエネルギー電子の磁気的拘束の結果であり、これは、中性気体のイオン化に対応可能である。
本発明のプラズマ源の一実施の形態に、以下に説明する整合ネットワークが、また、含まれている。(このような整合ネットワークは、本発明のプラズマ源で使用するのは好ましいけれども、要求されない)。従って、図12並びに再び図1とを参照すると、プラズマ源100は、整合ネットワーク186に接続されている。この整合ネットワークは、RF電力ライン180によって、誘導コイル(即ち、ESRFループアンテナ)340に、また、RF電力供給源182に電気的に接続されている。RF電力供給源182と整合ネットワーク186との間に配設された電力計188は、プラズマ源100に供給され,またこれから反射される電力値を測定する。このプラズマ源100と整合ネットワーク186とは、一緒になってプラズマ源100’を構成している。
比較的小さい直径の単一のループアンテナにとって、アンテナの直列抵抗r(銅コイルの抵抗とプラズマの抵抗とを含む)は、一般的には非常に小さい。そして、抵抗負荷により導かれる電力Pは、P=i2rとなる。ここで、rは、負荷を流れるRMS電流である。明かに、負荷を流れる非常に大きいRF電流が、かなりの大きさの電力を果たすためには必要である。従って、回路抵抗は、出力された電力がプラズマ発生のためにほとんど使用されるように、最少でなければならない。これは、コンデンサーCPを可能な限り負荷に近づけて負荷を横切るように配置させることにより、達成され得る。また、このコンデンサー自身は、可能な限り小さい直列抵抗を含まなければならない。このコンデンサーの値は、ループインダクタンス(プラズマから貢献され得るものを含んでいる)を有する共振回路がRF源の周波数で満足されるように選ばれなければならない。
これは、CSがCPに並列に接続され、かつ両者が負荷に直列であるためである.
前記コンデンサーCPは、また、RF電力発生器と負荷との間のインピーダンス変換のための分枝コンデンサーとして機能する。かくして、CSを流れる電流は以下の通りである。
負荷で消失される電力は、以下の式により与えられる。
ここで、Rは、図15に示された回路の入力インピーダンスである。式(3)を(2)で置換えると、入力インピーダンスRは、以下の式により与えられる。
かくして、印加されるRF周波数ωに対してT−整合ネットワーク540のCSとCPとを同調させて、電力発生器Rgの入力インピーダンスと出力インピーダンスとを整合させることにより、R=Rgとなり、理想的な整合が実現される。
負荷抵抗Rcircuit=(rcircuit+rplasma)は、式(4)による整合入力抵抗Rgに関連されて、以下のように書き換えられる。
ここで、Kは、式(4)での容量比の二乗を示している。rcircuitとrplasmaとを夫々決定するために、コンデンサーのセッテングを乱すことがなく、整合からRF電力発生器をターンオフ並びに切ることができる。アンテナ回路の入力抵抗は、インピーダンスメータにより測定され得る。即ち、
Rcircuit=Krcircuit (7)
従って、以下のような効率を得る。
=Rcircuit/Rg (8)
厳密に言えば、共振周波数は、プラズマがターンオフされると少し変化するので、測定されたインピーダンスRcircuitは、正確には正しくない。しかし、以下の表1から見ることができるように、この周波数の相違は、測定精度に対してほとんど意味がないほどに小さい。
L整合では、大きいRF電流が、LとCsとCpとの直列接続を循環する。ここで、Cs>>Cpである。かくして、この電流は、両コンデンサーを流れるばかりではなく、大きいコンデンサーは,相互接続を比較的長くして、流路に沿って抵抗ロスを生じさせる。一方、T−整合での大きいRF電流は、LとCpとにより形成されたループ中に含まれている。平行コンデンサーが、負荷の直ぐ近くに配置されていれば、リーク長さは、非常に短くされ得る。さららに、コンデンサーCsを流れるRF電流は、負荷を流れるRF電流よりも小さく、かくして、ロスは、非常に小さい。
L整合に対する抵抗変換式は以下のように与えられる。
T−整合に対しては、等価式は以下のように与えられる。
上記式(9)並びに(10)から、L−整合で非常に小さい抵抗rを整合するのには非常に大きいシャントコンデンサーCpを必要とし、反対にT−整合は、非常に小さい直列コンデンサーCsを必要とすることが判ることができる。
Cpは、L並びにT整合ネットワークの両方とも一般にCsよりも非常に大きいので、共振状態は、L−整合ではCsの値により、そしてT−整合ではCpの値により、主として決定される。
これら2つのコンデンサーは、両方の整合ネットワークで比較され得る値を有するので、以下のように書くことができる。
かくして、T−整合は、L−整合よりも小さいコンデンサーを使用している。実際には、3ないし30pFの容量範囲を有するトリマーコンデンサーが、平行コンデンサーCpとして機能するように、8ないし1000pFの容量範囲を有するキャパシターに平行となるように挿入されている。また、3ないし30pFの容量範囲を有するコンデンサーが、直列コンデンサーCsとして使用されている。
プラズマ発生効率を高めるために、回路抵抗が、冷却システム160(図1)を整合ネットワーク186に組入れることにより最少にされている。図12を再び参照すると、冷媒を誘導コイル340の内部344に供給する冷却ライン162が、整合ネットワーク186に組入れられている。図1を参照して前に説明されたように、冷媒は、開口348を介して誘導コイル340の外に流れて冷却チャンネル324を流れる。図12は、覆い体550が、内部552の中にあるプラズマ源100と整合ネットワーク186の一部とを囲んでいる、本発明の好ましい実施の形態を示している。また、この覆い体550は、図4を参照して説明されたハウジング400の代わりとして機能できる。また、好ましいデザインは、プラズマ源100と整合ネットワーク186とを冷却するように内部552の中で冷媒が循環するのを可能にしている。そして、冷媒は、冷却排出ライン164を介して排出される。この好ましい実施の形態の変形例として、整合ネットワーク186は、ハウジング400(図4)にシールされ得る自身のハウジング(図示せず)内に設置され得る。
本発明のプラズマ源100は、例えば、過フルオロ化合物(PFC)の放出を減じるように、浄化システムとしても使用され得る。図17には、側壁624と、上壁626と、下壁630とを有し、プラズマ628を維持することの可能な内部領域626を囲んでいる反応炉チャンバ620を備えたプラズマ反応炉システム600が示されている。このチャンバ620は、図4のチャンバ20と同様である。上側電極630が、ワークピースWを支持可能なチャック634の上方で、内部領域626内に配置されている。この上側電極630は、ガスが上壁626を介して内部領域626の中へと流れることを可能にさせるガス入口640を有する。プラズマ形成システム656の一部である誘導コイル650は、上側電極630を収容しているチャンバ620の一部を囲んでいると共に、RF源660に接続されている。
上述された実施の形態に加えて、他の変形が可能である。このような変形の1つにおいて、一連のプラズマ源(潜在的に各々が少なくとも1セットの対応する磁石を備えている)が、大型のプラズマ源を形成するように互いに積み重ねられている。他の変形において、1巻き以上のアンテナが、少なくとも1つのプラズマ源に使用されている。
Claims (21)
- 内部領域を有するプラズマダクト内にプラズマを形成するための高密度プラズマ源であって、
筒状の内面並びに第1の中心軸を有し、内部に前記第1の中心軸と一致した第2の中心軸を有する環状キャビティが形成された環状の絶縁本体と、
前記環状のキャビティ内に配設され、プラズマダクトの内部領域内に第1の磁界を発生するように動作可能であり、プラズマに誘導結合される誘導コイルと、
前記プラズマ源が前記プラズマダクトの周りに配設されるときに、シールされたスペースが静電シールドと、前記プラズマダクトとの間に存在するように前記環状の絶縁本体の前記筒状の内面に接触する前記静電シールドと、
前記環状キャビティ内の環状の前記誘導コイルのキャビティから延び、前記環状の絶縁本体の内面に向かって径方向に延び、前記シールされたスペースと連通する前記静電シールドを介する複数の冷却流体用のチャンネルと、を具備し、
前記誘導コイルは,冷却流体を移動させることが可能であり、前記誘導コイルと前記冷却流体用のチャンネルとの間に流体的連通を前記シールされたスペースに与えるように位置された、互いに離間した複数のアパァチャを有する、プラズマ源。 - 前記環状の絶縁本体の上面と下面との少なくとも一方の近くで、少なくとも1つの磁石リングの形態で配設され、互いに離間された複数の磁石をさらに具備する請求項1のプラズマ源。
- 前記誘導コイルに電気的に接続されたT−整合ネットワークをさらに具備する請求項1のプラズマ源。
- 前記T−整合ネットワークに電気的に接続されたプラズマ源用RF電力供給源をさらに具備する請求項3のプラズマ源。
- 前記T−整合ネットワークは、前記誘導コイルの第1並びに第2の端部に電気的に接続されている請求項3のプラズマ源。
- 前記T−整合ネットワークは、前記誘導コイルにより規定された面内に配設された第1並びに第2の可変コンデンサーを有する請求項3のプラズマ源。
- 前記T−整合ネットワークは、前記誘導コイルにより規定された面に対して垂直に配設された第1並びに第2の可変コンデンサーを有する請求項3のプラズマ源。
- 前記誘導コイルは、銅コイルを有する請求項1のプラズマ源。
- 前記環状の絶縁本体は、テフロン(登録商標)で形成された本体を有する請求項1のプラズマ源。
- 前記環状の絶縁本体の上面と下面との近くで、第1並びに第2の同心磁石リングの形態で夫々配設され、互いに離間された複数の磁石をさらに具備し、これら第1並びに第2の同心磁石リングは,等しい数の磁石を有する請求項1のプラズマ源。
- 前記磁石は、DC磁界用磁石を有する請求項2のプラズマ源。
- 前記磁石は、リングカプス形態と、ミラー磁界形態と、ダイポール形態との1つに配設された磁石のリングを有する請求項2のプラズマ源。
- 前記プラズマダクト内のプラズマ密度は、前記RF電力供給源により誘導コイルに印加される500Wに対して約5x1012cm−3以上である請求項4のプラズマ源。
- 前記プラズマダクト内のプラズマ密度は、前記RF電力供給源により誘導コイルに印加される500Wに対して約1ないし1.3x1013cm−3以上である請求項4のプラズマ源。
- 前記環状の絶縁本体を囲んでいる接地された導電体ハウジングをさらに具備する請求項1のプラズマ源。
- 前記静電シールドは、前記環状の絶縁本体の内面に近接して配設され、前記導電体ハウジングに接地されている請求項15のプラズマ源。
- 中心軸と、上壁と、側壁とを有し、プラズマを支持可能な第1の内部領域を囲んでいるプラズマ反応炉チャンバと、
この反応炉チャンバの前記上壁並びに/もしくは側壁に装着され、前記第1の内部領域と連通した第2の内部領域を囲んでいるダクト側壁を有する少なくとも1つのプラズマダクトと、
前記上壁と対向し、ワークピースを支持するためのチャックと、
少なくとも前記プラズマダクトの一部を囲んでおり、前記第2の内部領域内にプラズマ発生領域を規定したプラズマ源とを具備し、このプラズマ源は、
前記中心軸と実質的に同軸な、環状の絶縁本体と、
前記環状のキャビティ内に配設され、プラズマダクトの内部領域内に第1の磁界を発生するように動作可能であり、プラズマに誘導結合される誘導コイルと、
前記プラズマ源が前記プラズマダクトの周りに配設されるときに、シールされたスペースが静電シールドと、前記プラズマダクトとの間に存在するように前記環状の絶縁本体の前記筒状の内面に接触する前記静電シールドと、
前記環状キャビティ内の環状の前記誘導コイルのキャビティから延び、前記環状の絶縁本体の内面に向かって径方向に延び、前記シールされたスペースと連通する前記静電シールドを介する複数の冷却流体用のチャンネルと、を具備し、
前記誘導コイルは,冷却流体を移動させることが可能であり、前記誘導コイルと前記冷却流体用のチャンネルとの間に流体的連通を前記シールされたスペースに与えるように位置された、互いに離間した複数のアパァチャを有する、ワークピースを処理するためのプラズマ反応炉システム。 - 前記少なくとも1つのプラズマダクトは、前記上壁と対応するプラズマ源とに夫々装着され、ディスク形状に配設され、互いに離間した複数のプラズマダクトを有する請求項17のプラズマ反応炉システム。
- 前記少なくとも1つのプラズマダクトは、前記側壁と対応するプラズマ源とに夫々装着され、リング形状に配設され、互いに離間した複数のプラズマダクトを有する請求項17のプラズマ反応炉システム。
- i)前記プラズマ発生領域の中にガスを導入するように、前記プラズマダクトと流体的に連通されるガス供給システムと、
ii)前記プラズマダクトと前記プラズマ反応炉チャンバとの少なくとも一方に流体的に連通されるガス分配システムと、
iii)前記誘導コイルに電気的に接続されるT−整合ネットワーク、並びに、このT−整合ネットワークと電気的に接続された第1のRF電力供給源と、
iv)前記誘導コイルに流体的に連通される冷媒供給システムと、
v)前記第1の内部領域に流体的に連通される真空システムと、
vi)前記チャックに電気的に接続される第2のRF電力供給源と、
vii)前記反応炉チャンバの側壁に形成され、前記第1の内部領域に連通された第3の内部領域を囲んでおり、第3の内部領域を介して前記チャックへとワークピースが通ることを可能にしているドアが装着され、前記チャックと共に動作的に関連したワークピース取り扱いシステムをさらに有するロードチャンバと、の少なくとも1つをさらに具備する請求項17のプラズマ反応炉システム。 - 前記反応炉の動作を制御するための制御システムをさらに具備する請求項20のプラズマ反応炉システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US27796501P | 2001-03-23 | 2001-03-23 | |
US27796601P | 2001-03-23 | 2001-03-23 | |
PCT/US2002/022080 WO2002097937A1 (en) | 2001-03-23 | 2002-03-25 | Inductively coupled high-density plasma source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004533096A JP2004533096A (ja) | 2004-10-28 |
JP4149909B2 true JP4149909B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=26958815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003501018A Expired - Fee Related JP4149909B2 (ja) | 2001-03-23 | 2002-03-25 | 誘導結合高密度プラズマ源 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7482757B2 (ja) |
JP (1) | JP4149909B2 (ja) |
WO (1) | WO2002097937A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4405973B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2010-01-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜作製装置 |
US20080047578A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for preventing clogging of reaction chamber exhaust lines |
US7700925B2 (en) * | 2007-12-28 | 2010-04-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
DE102008052216B3 (de) * | 2008-10-17 | 2010-05-20 | Johann Wolfgang Goethe-Universität | Plasma-Induktionsschalter und Verfahren zum Schalten hoher Spannungen |
US8642974B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-02-04 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media for use in conjunction with fluid high voltage isolation |
CN103202105B (zh) * | 2010-09-10 | 2015-11-25 | Emd株式会社 | 等离子处理装置 |
US9398680B2 (en) * | 2010-12-03 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Immersible plasma coil assembly and method for operating the same |
US10225919B2 (en) * | 2011-06-30 | 2019-03-05 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd | Projected plasma source |
US9279722B2 (en) | 2012-04-30 | 2016-03-08 | Agilent Technologies, Inc. | Optical emission system including dichroic beam combiner |
US9655223B2 (en) * | 2012-09-14 | 2017-05-16 | Oregon Physics, Llc | RF system, magnetic filter, and high voltage isolation for an inductively coupled plasma ion source |
KR101448449B1 (ko) | 2014-01-13 | 2014-10-13 | 주식회사 테라텍 | 고밀도 구속 플라즈마 소스를 이용한 과불화탄소 및 유해 가스 분해 장치 |
US9852893B2 (en) * | 2015-04-03 | 2017-12-26 | Tokyo Electron Limited | Dipole ring magnet assisted microwave radial line slot antenna plasma processing method and apparatus |
US10900907B2 (en) * | 2017-02-17 | 2021-01-26 | Radom Corporation | Portable plasma source for optical spectroscopy |
US11037765B2 (en) * | 2018-07-03 | 2021-06-15 | Tokyo Electron Limited | Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5587038A (en) * | 1994-06-16 | 1996-12-24 | Princeton University | Apparatus and process for producing high density axially extending plasmas |
JP3424867B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2003-07-07 | 富士通株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US5589737A (en) * | 1994-12-06 | 1996-12-31 | Lam Research Corporation | Plasma processor for large workpieces |
US6238533B1 (en) * | 1995-08-07 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer |
US5965034A (en) * | 1995-12-04 | 1999-10-12 | Mc Electronics Co., Ltd. | High frequency plasma process wherein the plasma is executed by an inductive structure in which the phase and anti-phase portion of the capacitive currents between the inductive structure and the plasma are balanced |
DE19629967C2 (de) | 1996-07-25 | 2002-04-11 | Kuesters Eduard Maschf | Walze für die Druckbehandlung einer Bahn |
JP3640478B2 (ja) | 1996-09-20 | 2005-04-20 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
JP3343200B2 (ja) * | 1997-05-20 | 2002-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6835279B2 (en) * | 1997-07-30 | 2004-12-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Plasma generation apparatus |
JPH11162697A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Mc Electronics Kk | プラズマ生成用の螺旋共振装置 |
US6273022B1 (en) * | 1998-03-14 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Distributed inductively-coupled plasma source |
JP3676569B2 (ja) | 1998-05-18 | 2005-07-27 | 日本碍子株式会社 | プラズマ発生電極装置およびプラズマ発生装置 |
JP2000208298A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Kokusai Electric Co Ltd | 誘導結合型プラズマ生成装置 |
US6310755B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having gas cavity and method |
JP4021601B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | スパッタ装置および成膜方法 |
US6552295B2 (en) * | 1999-12-20 | 2003-04-22 | Research Triangle Institute | Plasma furnace disposal of hazardous wastes |
US6853141B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-08 | Daniel J. Hoffman | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
US7098599B2 (en) * | 2000-12-27 | 2006-08-29 | Japan Science & Technology Corporation | Plasma generator |
KR100500852B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2005-07-12 | 최대규 | 원격 플라즈마 발생기 |
-
2002
- 2002-03-25 US US10/472,553 patent/US7482757B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-25 WO PCT/US2002/022080 patent/WO2002097937A1/en active Application Filing
- 2002-03-25 JP JP2003501018A patent/JP4149909B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004533096A (ja) | 2004-10-28 |
US20050099133A1 (en) | 2005-05-12 |
WO2002097937A1 (en) | 2002-12-05 |
US7482757B2 (en) | 2009-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101920842B1 (ko) | 플라즈마 소스 디자인 | |
KR100238627B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
EP1632006B1 (en) | Antenna for producing uniform process rates | |
KR100472582B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
US5619103A (en) | Inductively coupled plasma generating devices | |
JP2635267B2 (ja) | Rfプラズマ処理装置 | |
TWI611735B (zh) | 電漿處理裝置(一) | |
US6518705B2 (en) | Method and apparatus for producing uniform process rates | |
WO2010004997A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
EP1727186A1 (en) | Plasma chamber with discharge inducing bridge | |
US20100098882A1 (en) | Plasma source for chamber cleaning and process | |
JP4149909B2 (ja) | 誘導結合高密度プラズマ源 | |
WO2001045134A9 (en) | Method and apparatus for producing uniform process rates | |
KR20080067042A (ko) | 코어 커버를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
US20050051273A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20180308663A1 (en) | Plasma reactor with phase shift applied across electrode array | |
JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
US6824363B2 (en) | Linear inductive plasma pump for process reactors | |
US20180308664A1 (en) | Plasma reactor with filaments and rf power applied at multiple frequencies | |
JP2020521270A (ja) | プラズマ反応器の電極に電力を印加すること | |
KR100743842B1 (ko) | 자속 채널에 결합된 플라즈마 챔버를 구비한 플라즈마반응기 | |
US20180308667A1 (en) | Plasma reactor with groups of electrodes | |
KR20170133995A (ko) | 페라이트 코어의 설치 위치를 변경한 플라즈마 챔버 | |
KR20170134000A (ko) | 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버 | |
IL159935A (en) | Method and apparatus for producing uniform process rates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080626 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |