JP4149381B2

JP4149381B2 - 電力充電回路

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Publication number: JP4149381B2
Application number: JP2004009472A
Authority: JP
Inventors: 憲治末松; 恒次堤; 昌孝大塚; 敏久亀丸
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2004-01-16
Filing date: 2004-01-16
Publication date: 2008-09-10
Anticipated expiration: 2024-01-16
Also published as: JP2005204445A

Description

この発明は、変調信号を整流してコンデンサを充電する電力充電回路に関するものである。

例えば、ＲＦＩＤタグなどの非接触ＩＣタグは、電池などの電力源を搭載していない場合、例えば、リーダ・ライタ装置などの電力供給装置から送信されるパルス信号などの変調信号を受信すると、その変調信号を整流してコンデンサを充電する電力充電回路が搭載されている。

従来の電力充電回路は、一対のダイオードと一対のコンデンサが並列に接続され、一対のダイオードが変調信号を全波整流すると、一対のコンデンサが一対のダイオードによる整流電流を充電するようにしている（例えば、非特許文献１参照）。
ＲＦＩＤタグなどの非接触ＩＣタグは、電力充電回路のコンデンサに蓄積された電荷を電力源として利用し、データである変調信号の復調処理などを実施する。

ＭＷＥ２００３ＭｉｃｒｏｗａｖｅＷｏｒｋｓｈｏｐＤｉｇｅｓｔ「超小型ＲＦＩＤチップ：ミューチップ」宇佐美光雄著株式会社日立製作所中央研究所２００３年発行、第２３５頁〜第２３８頁

従来の電力充電回路は以上のように構成されているので、変調信号を送信する電力供給装置までの距離が短い場合、その変調信号の受信電力が大きく、十分なコンデンサの蓄積電圧が得られる。しかし、変調信号を送信する電力供給装置までの距離が長くなると、その変調信号の受信電力が小さくなるため、コンデンサの蓄積電圧が小さくなり、ＲＦＩＤタグなどの非接触ＩＣタグの復調回路等を駆動することができなくなるなどの課題があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、変調信号を送信する電力供給装置までの距離が長くても、大きなコンデンサの蓄積電圧を得ることができる電力充電回路を得ることを目的とする。

この発明に係る電力充電回路は、一対のダイオードの入力側とインピーダンス素子を介して第１のダイオードを接続するとともに、一対のダイオードの出力側とインピーダンス素子を介して第２のダイオードを接続し、第１のダイオードの入力側と第２のダイオードの出力側間に複数の充電用コンデンサを接続するようにしたものである。

この発明によれば、一対のダイオードの入力側とインピーダンス素子を介して第１のダイオードを接続するとともに、一対のダイオードの出力側とインピーダンス素子を介して第２のダイオードを接続し、第１のダイオードの入力側と第２のダイオードの出力側間に複数の充電用コンデンサを接続するように構成したので、変調信号を送信する電力供給装置までの距離が長くても、大きなコンデンサの蓄積電圧を得ることができる効果がある。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による電力充電回路が搭載されたＲＦＩＤタグを示す構成図であり、特に図１（ａ）はＲＦＩＤタグの上面図、（ｂ）はＲＦＩＤタグの断面図、（ｃ）はＲＦＩＤタグの下面図である。
図において、アンテナ１は例えばリーダ・ライタ装置などの電力供給装置から送信されるパルス信号などの変調信号（以下、ＲＦ信号という）を受信するものであり、給電点２がほぼ中央に設けられている。
ＲＦＩＤタグは誘電体基板３ａ，３ｂと地導体４が積層されており、アンテナ１の給電点２から下面に向けてスルーホール５が施されている。電力充電回路７はＲＦＩＤタグの下面に実装され、電力充電回路７はアンテナ１の給電点２から、スルーホール５及びマイクロストリップ線路６（例えば、マイクロストリップ線路６の線路抵抗は５０Ω）を介して、アンテナ１により受信されたＲＦ信号を入力する。

図２はこの発明の実施の形態１による電力充電回路を示す構成図であり、図において、ＲＦ信号入力端子１１はアンテナ１により受信されたＲＦ信号を入力する端子である。ダイオード１２，１３は接続点１４からＲＦ信号が入力されると、そのＲＦ信号を整流する一対のダイオードを構成している。
インピーダンス素子である抵抗１５は一端がダイオード１２の入力側と接続され、ＲＦ信号入力端子１１における入力インピーダンスＺ_０より大きい抵抗値Ｒ_１を有している。第１のダイオードであるダイオード１６は出力側が抵抗１５の他端と接続され、ダイオード１２，１３，１９と伴にＲＦ信号を整流する。
第１の短絡用コンデンサである短絡用コンデンサ１７はダイオード１６の出力側とダイオード１２，１３の接続点１４間に接続されている。

インピーダンス素子である抵抗１８は一端がダイオード１３の出力側と接続され、ＲＦ信号入力端子１１における入力インピーダンスＺ_０より大きい抵抗値Ｒ_１を有している。第２のダイオードであるダイオード１９は入力側が抵抗１８の他端と接続され、ダイオード１２，１３，１６と伴にＲＦ信号を整流する。
第２の短絡用コンデンサである短絡用コンデンサ２０はダイオード１９の入力側とダイオード１２，１３の接続点１４間に接続されている。

第１の充電用コンデンサである充電用コンデンサ２１，２２は相互に直列に接続され、その接続点２７は高周波的にグランドに接続されている。一対の充電用コンデンサ２１，２２は一対のダイオード１２，１３と並列に接続され、ダイオード１２，１３，１６，１９による整流電流を充電する。
第２の充電用コンデンサである充電用コンデンサ２３はダイオード１２の入力側とダイオード１６の入力側間に接続され、ダイオード１２，１３，１６，１９による整流電流を充電する。
第３の充電用コンデンサである充電用コンデンサ２４はダイオード１３の出力側とダイオード１９の出力側間に接続され、ダイオード１２，１３，１６，１９による整流電流を充電する。
出力電圧端子２５，２６は充電用コンデンサ２１〜２４の蓄積電圧を出力する端子である。

次に動作について説明する。
例えばリーダ・ライタ装置などの電力供給装置がＲＦＩＤタグとデータの送受信を実施するに際して、ＲＦＩＤタグに電力を供給するためにＲＦ信号を送信すると、ＲＦＩＤタグのアンテナ１がＲＦ信号を受信する。
そのＲＦ信号は、アンテナ１の給電点２からスルーホール５及びマイクロストリップ線路６を介して、電力充電回路７のＲＦ信号入力端子１１に入力される。

電力充電回路７のＲＦ信号入力端子１１からＲＦ信号が入力されると、ダイオード１２，１３，１６，１９がＲＦ信号を整流するため、図２の矢印が示す方向に整流電流が流れ、充電用コンデンサ２１〜２４に電荷が蓄積される。

この際、ダイオード１６，１９や充電用コンデンサ２３，２４がなく、電力充電回路７がダイオード１２，１３と充電用コンデンサ２１，２２（この場合、充電用コンデンサ２１，２２は短絡用コンデンサを兼ねている）のみからなる場合（図３を参照：従来例に相当）、ＲＦ信号の受信電力によって異なるが、充電用コンデンサ２１，２２の蓄積電圧として出力電圧端子２５，２６には＋Ｖ，−Ｖの電圧が印加される。

しかし、この実施の形態１では、ダイオード１６，１９や充電用コンデンサ２３，２４が電力充電回路７に実装されており、容量が同一（例えば、１ｐＦ）の充電用コンデンサ２１〜２４が積層されているので、充電用コンデンサ２１〜２４の蓄積電圧として出力電圧端子２５，２６には＋２Ｖ，−２Ｖの電圧が印加される。

ＲＦＩＤタグの復調回路等は、電力充電回路７の充電用コンデンサ２１〜２４に蓄積された電荷を電力源として利用する場合、出力電圧端子２５，２６から＋２Ｖ，−２Ｖの電圧を受けることができるため（従来のものより２倍の電圧を受けることができる）、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が長く、ＲＦ信号の受信電力が小さくても、駆動するのに十分な電圧を受けることができる可能性が高まる。

以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、ダイオード１２の入力側と抵抗１５を介してダイオード１６を接続するとともに、ダイオード１３の出力側と抵抗１８を介してダイオード１９を接続し、ダイオード１６の入力側とダイオード１９の出力側間に充電用コンデンサ２１〜２４を接続するように構成したので、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が長くても、出力電圧端子２５，２６から大きな電圧を出力することができる効果を奏する。

この実施の形態１では、整流電流がダイオード１６→ダイオード１２→ダイオード１３→ダイオード１９→充電用コンデンサ２４→充電用コンデンサ２２→充電用コンデンサ２１→充電用コンデンサ２３の経路で流れるようにするため、インピーダンス素子として抵抗１５，１８を実装しているが、図４に示すように、インピーダンス素子としてコイル３１，３２を実装しても、同様の経路で整流電流を流すことができる。

また、この実施の形態１では、一対のダイオード１２，１３と並列に充電用コンデンサ２１，２２を接続しているが、図５に示すように、容量値が充電用コンデンサ２１，２２の半分の充電用コンデンサ３３を１つだけ接続するようにしてもよい。
ただし、この場合、ダイオード１６の入力側とダイオード１９の出力側が高周波的に接地されている必要がある。

実施の形態２．
上記実施の形態１では、４個の充電用コンデンサ２１〜２４が積層されているものについて示したが、２×（Ｎ＋１）の充電用コンデンサが積層されていればよい。ただし、Ｎ＝１，２，３，・・・である。
例えば、６個の充電用コンデンサが積層されている場合、図６に示すように、６個の充電用コンデンサの蓄積電圧として出力電圧端子２５，２６には＋３Ｖ，−３Ｖの電圧が印加される。

実施の形態３．
図７はこの発明の実施の形態３による電力充電回路を示す構成図であり、図において、図２と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
第３の短絡用コンデンサである短絡用コンデンサ４１，４２は相互に直列に接続され、その接続点２７は高周波的にグランドに接続されている。一対の短絡用コンデンサ４１，４２は一対のダイオード１２，１３と並列に接続されている。
第４の短絡用コンデンサである短絡用コンデンサ４３はダイオード１２の入力側とダイオード１６の入力側間に接続されている。
第５の短絡用コンデンサである短絡用コンデンサ４４はダイオード１３の出力側とダイオード１９の出力側間に接続されている。
充電用コンデンサ４５はダイオード１６の入力側とダイオード１９の出力側間に接続され、ダイオード１２，１３，１６，１９による整流電流を充電する。

電力充電回路７のＲＦ信号入力端子１１からＲＦ信号が入力されると、ダイオード１２，１３，１６，１９がＲＦ信号を整流するため、図７の矢印が示す方向に整流電流が流れ、充電用コンデンサ４５に電荷が蓄積される。
この実施の形態３では、短絡用コンデンサ４１〜４４は充電用ではなく、短絡用のコンデンサであるため、上記実施の形態１における充電用コンデンサ２１〜２４より小さな容量値のコンデンサを用いればよい。

この際、図２の充電用コンデンサ２１〜２４の合計容量と同一容量の充電用コンデンサ４５が電力充電回路７に実装されているので、上記実施の形態１と同様に、充電用コンデンサ４５の蓄積電圧として出力電圧端子２５，２６には＋２Ｖ，−２Ｖの電圧が印加される。

ＲＦＩＤタグの復調回路等は、電力充電回路７の充電用コンデンサ４５に蓄積された電荷を電力源として利用する場合、出力電圧端子２５，２６から＋２Ｖ，−２Ｖの電圧を受けることができるため、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が長く、ＲＦ信号の受信電力が小さくても、駆動するのに十分な電圧を受けることができる可能性が高まる。

以上で明らかなように、この実施の形態３によれば、ダイオード１２の入力側と抵抗１５を介してダイオード１６を接続するとともに、ダイオード１３の出力側と抵抗１８を介してダイオード１９を接続し、ダイオード１６の入力側とダイオード１９の出力側間に充電用コンデンサ４５を接続するように構成したので、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が長くても、出力電圧端子２５，２６から大きな電圧を出力することができる効果を奏する。

この実施の形態３では、整流電流がダイオード１６→ダイオード１２→ダイオード１３→ダイオード１９→充電用コンデンサ４５の経路で流れるようにするため、インピーダンス素子として抵抗１５，１８を実装しているが、図８に示すように、インピーダンス素子としてコイル３１，３２を実装しても、同様の経路で整流電流を流すことができる。

また、この実施の形態３では、一対のダイオード１２，１３と並列に短絡用コンデンサ４１，４２を接続しているが、図９に示すように、容量値が短絡用コンデンサ４１，４２の半分の短絡用コンデンサ４６を１つだけ接続するようにしてもよい。
ただし、この場合、ダイオード１６の入力側とダイオード１９の出力側が高周波的に接地されている必要がある。

実施の形態４．
上記実施の形態３では、図２における４個の充電用コンデンサ２１〜２４の合計容量と同一容量の充電用コンデンサ４５が実装されているものについて示したが、２×（Ｎ＋１）の充電用コンデンサの合計容量と同一容量の充電用コンデンサ４５が実装されていてもよい。ただし、Ｎ＝１，２，３，・・・である。
例えば、６個の充電用コンデンサの合計容量と同一容量の充電用コンデンサ４５が実装されている場合、図１０に示すように、充電用コンデンサ４５の蓄積電圧として出力電圧端子２５，２６には＋３Ｖ，−３Ｖの電圧が印加される。

実施の形態５．
上記実施の形態３では、特に言及していないが、図１１に示すように、充電用コンデンサ４５を除く部分をＩＣ化して１つの集積回路８を構成し、その集積回路８に充電用コンデンサ４５を外付けするようにしてもよい。
これにより、集積回路８の小型化を図ることができる効果を奏する。

実施の形態６．
上記実施の形態１〜５では、出力電圧端子２５，２６から充電用コンデンサの蓄積電圧を出力するものについて示したが、図１２及び図１３に示すように、出力電圧端子２５，２６から出力される電圧が基準電圧（例えば、３Ｖ）を超えないように、その出力電圧の上昇を制限するリミッタ５１を出力電圧端子２５と出力電圧端子２６間に接続するようにしてもよい。

これにより、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が短く、ＲＦ信号の受信電力が大き過ぎても、出力電圧端子２５，２６から出力される電圧が基準電圧を超えないように、リミッタ５１がその出力電圧の上昇を制限するので、ダイオードなどのデバイスの破損を防止することができる効果を奏する。

実施の形態７．
上記実施の形態６では、出力電圧端子２５と出力電圧端子２６間にリミッタ５１を接続するものについて示したが、図１４及び図１５に示すように、出力電圧端子２５，２６から出力される電圧が基準電圧（例えば、３Ｖ）を超えないように、その出力電圧の上昇を制限するリミッタ５２をダイオード１２，１３の接続点１４に接続するようにしてもよい。

これにより、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が短く、ＲＦ信号の受信電力が大き過ぎても、出力電圧端子２５，２６から出力される電圧が基準電圧を超えないように、リミッタ５１がその出力電圧の上昇を制限するので、即ち、リミッタ５１がＲＦ信号の振幅が基準振幅を超えないように、ＲＦ信号の振幅を制限するため、ダイオードなどのデバイスの破損を防止することができる効果を奏する。
なお、リミッタ５１とリミッタ５２の双方を実装してもよいことは言うまでもない。

実施の形態８．
上記実施の形態６では、出力電圧端子２５と出力電圧端子２６間にリミッタ５１を接続するものについて示したが、図１６及び図１７に示すように、ＳＷ制御回路６１が出力電圧端子２５，２６から出力される電圧を監視し、その電圧が基準電圧（例えば、３Ｖ）を超えると、スイッチ６２を開いてダイオード１２，１３，１６，１９と充電用コンデンサ２１〜２４，４５を切り離すようにしてもよい。
これにより、上記実施の形態６と同様に、ダイオードなどのデバイスの破損を防止することができる効果を奏する。

実施の形態９．
上記実施の形態８では、ＳＷ制御回路６１が出力電圧端子２５，２６から出力される電圧を監視し、その電圧が基準電圧（例えば、３Ｖ）を超えると、スイッチ６２を開いてダイオード１２，１３，１６，１９と充電用コンデンサ２１〜２４，４５を切り離すものについて示したが、リミッタ５１，５２が実装されている場合（図１２〜図１５を参照）、ＳＷ制御回路６１がリミッタ５１，５２に電流が流れているか否かを監視し、リミッタ５１，５２に電流が流れると、スイッチ６２を開いてダイオード１２，１３，１６，１９と充電用コンデンサ２１〜２４，４５を切り離すようにしてもよい。
これにより、上記実施の形態８と同様に、ダイオードなどのデバイスの破損を防止することができる効果を奏する。

実施の形態１０．
上記実施の形態１では、給電点２がアンテナ１のほぼ中央に設けられているものについて示したが、図１８に示すように、給電点２がアンテナ１の端部に設けられている程、ＲＦ信号入力端子１１における入力インピーダンスＺ_０が大きくなる。
ＲＦ信号入力端子１１における入力インピーダンスＺ_０が大きい程、ダイオード１２，１３，１６，１９による整流電流が多くなるため、ＲＦ信号の受信電力が小さい場合でも、充電用コンデンサ２１〜２４，４５の蓄積電圧を高めることができる。

そこで、この実施の形態１０では、図１９に示すように、アンテナ１の端部近傍に給電点２を設け、その給電点２からスルーホール５及びマイクロストリップ線路６を介して、ＲＦ信号を電力充電回路７のＲＦ信号入力端子１１に入力するようにしている。
これにより、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が長いために、ＲＦ信号の受信電力が小さい場合でも、出力電圧端子２５，２６から大きな電圧を出力することができる効果を奏する。

なお、この実施の形態１０では、アンテナ１の給電点２からスルーホール５及びマイクロストリップ線路６を介して、ＲＦ信号を電力充電回路７のＲＦ信号入力端子１１に入力するものについて示したが、図２０に示すように、マイクロストリップ線路６を介さずに、アンテナ１の給電点２からスルーホール５のみを介して、ＲＦ信号を電力充電回路７のＲＦ信号入力端子１１に入力するようにしてもよい。

また、この実施の形態１０では、電力充電回路７がＲＦＩＤタグの下面に実装されているものについて示したが、図２１に示すように、電力充電回路７がＲＦＩＤタグの上面に実装されていてもよい。
ただし、この場合、給電点２がアンテナ１の端部に設けられるため、ＲＦ信号入力端子１１における入力インピーダンスＺ_０が大きくなり過ぎる場合には、図２２に示すように、アンテナ１に切欠き部１ａを施して、その切欠き部１ａに給電点２を設けるようにすればよい。

実施の形態１１．
上記実施の形態１〜１０では、ダイオード１２，１３，１６，１９の構成成分については言及していないが、例えば、シリコンと白金から構成されている高障壁電位ダイオードを用いる場合、ダイオード１２，１３，１６，１９を流れる整流電流が少なくなり、充電用コンデンサ２１〜２４，４５に対する充電効率が低くなる。

そこで、この実施の形態１１では、ダイオード１２，１３，１６，１９として、シリコンとチタンシリサイド（Titanium Silicide）から構成されている低障壁電位ダイオードを使用して、ダイオード１２，１３，１６，１９を流れる整流電流が多くなるようにしている。
これにより、この実施の形態１１によれば、充電用コンデンサ２１〜２４，４５に対する充電効率が向上し、ＲＦ信号を送信する電力供給装置までの距離が長いために、ＲＦ信号の受信電力が小さい場合でも、出力電圧端子２５，２６から大きな電圧を出力することができる効果を奏する。

この発明の実施の形態１による電力充電回路が搭載されたＲＦＩＤタグを示す構成図である。この発明の実施の形態１による電力充電回路を示す構成図である。一対のダイオードと一対の充電用コンデンサからなる電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態１による他の電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態１による他の電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態２による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態３による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態３による他の電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態３による他の電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態４による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態５による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態６による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態６による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態７による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態７による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態８による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態８による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態１０による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態１０による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態１０による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態１０による電力充電回路を示す構成図である。この発明の実施の形態１０による電力充電回路を示す構成図である。

符号の説明

１アンテナ、２給電点、３ａ，３ｂ誘電体基板、４地導体、５スルーホール、６マイクロストリップ線路、７電力充電回路、８集積回路、１１ＲＦ信号入力端子、１２，１３ダイオード（一対のダイオード）、１４接続点、１５抵抗（インピーダンス素子）、１６ダイオード（第１のダイオード）、１７短絡用コンデンサ（第１の短絡用コンデンサ）、１８抵抗（インピーダンス素子）、１９ダイオード（第２のダイオード）、２０短絡用コンデンサ（第２の短絡用コンデンサ）、２１，２２充電用コンデンサ（第１の充電用コンデンサ）、２３充電用コンデンサ（第２の充電用コンデンサ）、２４充電用コンデンサ（第３の充電用コンデンサ）、２５，２６出力電圧端子、３１，３２コイル、３３充電用コンデンサ（第１の充電用コンデンサ）、４１，４２短絡用コンデンサ（第３の短絡用コンデンサ）、４３短絡用コンデンサ（第４の短絡用コンデンサ）、４４短絡用コンデンサ（第５の短絡用コンデンサ）、４５充電用コンデンサ、４６短絡用コンデンサ（第３の短絡用コンデンサ）、５１リミッタ、５２リミッタ、６１ＳＷ制御回路、６２スイッチ。

Claims

接続点から変調信号が入力されると、その変調信号を整流する一対のダイオードと、上記一対のダイオードの入力側とインピーダンス素子を介して接続され、その変調信号を整流する第１のダイオードと、上記一対のダイオードの出力側とインピーダンス素子を介して接続され、その変調信号を整流する第２のダイオードと、上記第１のダイオードの出力側と上記一対のダイオードの接続点間に接続された第１の短絡用コンデンサと、上記第２のダイオードの入力側と上記一対のダイオードの接続点間に接続された第２の短絡用コンデンサと、上記一対のダイオードと並列に接続され、上記複数のダイオードによる整流電流を充電する第１の充電用コンデンサと、上記一対のダイオードの入力側と上記第１のダイオードの入力側間に接続され、上記複数のダイオードによる整流電流を充電する第２の充電用コンデンサと、上記一対のダイオードの出力側と上記第２のダイオードの出力側間に接続され、上記複数のダイオードによる整流電流を充電する第３の充電用コンデンサとを備えた電力充電回路。
第１及び第２のダイオード、第１及び第２の短絡用コンデンサ、第２及び第３の充電用コンデンサが複数段積層されていることを特徴とする請求項１記載の電力充電回路。
接続点から変調信号が入力されると、その変調信号を整流する一対のダイオードと、上記一対のダイオードの入力側とインピーダンス素子を介して接続され、その変調信号を整流する第１のダイオードと、上記一対のダイオードの出力側とインピーダンス素子を介して接続され、その変調信号を整流する第２のダイオードと、上記第１のダイオードの出力側と上記一対のダイオードの接続点間に接続された第１の短絡用コンデンサと、上記第２のダイオードの入力側と上記一対のダイオードの接続点間に接続された第２の短絡用コンデンサと、上記一対のダイオードと並列に接続された第３の短絡用コンデンサと、上記一対のダイオードの入力側と上記第１のダイオードの入力側間に接続された第４の短絡用コンデンサと、上記一対のダイオードの出力側と上記第２のダイオードの出力側間に接続された第５の短絡用コンデンサと、上記第１のダイオードの入力側と上記第２のダイオードの出力側間に接続され、上記複数のダイオードによる整流電流を充電する充電用コンデンサとを備えた電力充電回路。
第１及び第２のダイオード、第１から第５の短絡用コンデンサが複数段積層されていることを特徴とする請求項３記載の電力充電回路。
一対のダイオード、第１及び第２のダイオード、第１から第５の短絡用コンデンサがＩＣ化されて、１つの集積回路を構成していることを特徴とする請求項３記載の電力充電回路。
基準電圧を超える充電用コンデンサの出力電圧の上昇を制限するリミッタを第１のダイオードの入力側と第２のダイオードの出力側間に接続したことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の電力充電回路。
基準電圧を超える充電用コンデンサの出力電圧の上昇を制限するリミッタを一対のダイオードの接続点に接続したことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の電力充電回路。
充電用コンデンサの出力電圧が基準電圧を超えると、ダイオードと充電用コンデンサを切り離すスイッチを設けたことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の電力充電回路。
リミッタに電流が流れると、ダイオードと充電用コンデンサを切り離すスイッチを設けたことを特徴とする請求項６または請求項７記載の電力充電回路。
一対のダイオードは、アンテナの端部近傍に設けられている給電点から変調信号を入力することを特徴とする請求項１から請求項９のうちのいずれか１項記載の電力充電回路。
ダイオードがシリコンとチタンシリサイド（Titanium Silicide）から構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のうちのいずれか１項記載の電力充電回路。
インピーダンス素子として、一対のダイオードの接続点における入力インピーダンスより大きいインピーダンスを有する抵抗、または、コイルを用いることを特徴とする請求項１から請求項１１のうちのいずれか１項記載の電力充電回路。