JP4137835B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、高速書き込みに対応した追記型ＤＶＤディスクシステムに好適な光記録媒体（以下、「光情報記録媒体」、「情報記録媒体」と称することもある）に関する。

従来より、色素を記録材料として記録層に用いた追記型光記録媒体としては、例えば、ポリメチン色素又はポリメチン色素と光安定化材を記録材料として用いるもの（特許文献１及び２参照）、テトラアザポルフィリン（ポルフィラジン）色素又はシアニン色素、及びアゾ金属キレート色素（塩形成色素）からなる層と反射層を記録層とするもの（特許文献３及び４参照）、ホルマザン（金属キレート）色素、及びその他の色素を記録材料として用いるもの（特許文献５参照）、ジピロメテン（金属キレート）色素、及びその他の色素を記録材料として用いるもの（特許文献６及び７参照）、５５０〜６５０ｎｍに最大吸収波長を持つスクアリリウム化合物又はスクアリリウム金属キレート化合物（特許文献８〜１０参照）、などの種々の提案がなされている。

現在、次世代大容量光ディスクとして追記型ＤＶＤメディアの開発が進められており、更なる記録容量の増大が検討されている。そこで、記録容量の増大を目指して、記録ピット微少化のための記録材料の開発、Ｍｏｖｉｎｇ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｅｘｐｅｒｔｓ Ｇｒｏｕｐ−２（ＭＰＥＧ２）に代表される画像圧縮技術の採用、及び記録ピット読み取りのための半導体レーザ（ＬＤ）の短波長化、等の技術開発が進められている。

したがって前記ＤＶＤ系の光ディスクについても、ＣＤ−Ｒのように高速書き込みが可能であり、保存信頼性が高く、優れた記録性能を有するものが要求されてきているが、現在までのところ、十分満足できる性能を有する光記録媒体は未だ得られておらず、その速やかな提供が望まれているのが現状である。

特開２００１−０２３２３５号公報 特開２００２−２８３７２２号公報 特開平１０−８５６号公報 特開２００２−８３４４４号公報 特開２００２−２８３７１９号公報 特開２００２−８３４４４号公報 特開２００２−１１７５８９号公報 特開２００１−３２２３５６号公報 特開２００２−２３４２５９号公報 特開２００２−３７０４５１号公報

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、半導体レーザを用いる高速書き込みに対応した追記型ＤＶＤディスクシステムに好適な光記録媒体を提供することを目的とする。

前記課題を解決するため本発明者等が鋭意検討を重ねた結果、特定構造のアゾ金属キレート化合物を含有する記録層を有する光記録媒体が、高速書き込みに対応した追記型ＤＶＤディスクシステムに適用可能であることを知見した。

本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、該記録層が下記構造式（１）で表されるアゾ金属キレート化合物を含有することを特徴とする光記録媒体である。

ただし、前記構造式（１）中、Ｘは、カルコゲンから選択される原子を表す。環Ａは、隣接するＸ原子と窒素原子とが一緒になって形成される５員環を表し、該５員環は更に置換基で置換されていてもよい。Ｒ^１〜Ｒ^５は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、及びアリールスルホニルアミノ基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^１〜Ｒ^５の中で隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。Ｍは、金属原子を表す。ｎは、２〜３の整数を表す。
＜２＞ Ｒ^３が、下記構造式（２）で表される前記＜１＞に記載の光記録媒体である。

ただし、前記構造式（２）中、Ｒ^６及びＲ^７は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、互いに連結して環を形成していてもよい。
＜３＞ 環Ａが、下記構造式で表されるいずれかである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光記録媒体である。

ただし、前記構造式中、Ｒ^８〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^１０とＲ^１１とは互いに連結して環を形成していてもよい。ｑは０〜４の整数を表し、ｑが２以上の場合には、隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。
＜４＞ 金属原子が、ニッケル及び銅のいずれかである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜５＞ 記録層材料の熱重量分析における主減量過程での温度に対する減量の傾きが２％／℃以上である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜６＞ 記録層材料の熱重量分析における主減量過程での総減量が３０％以上であり、かつ減量開始温度が３５０℃以下である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜７＞ 記録再生波長±１０ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であり、かつ消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．２である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の光記録媒体である。
＜８＞ 記録再生波長が６３０〜６９０ｎｍである前記＜７＞に記載の光記録媒体である。
＜９＞ 基板におけるトラックピッチが０．７〜０．８μｍであり、案内溝幅が半値幅で０．１８〜０．３６μｍである前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の光記録媒体である。

本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、該記録層が上記構造式（１）で表されるアゾ金属キレート化合物を含有する。その結果、高速記録に対応でき、熱分解挙動に優れ、６３０〜６９０ｎｍの波長域のレーザ光で記録、再生が可能であり、耐光性、及び保存安定性が向上し、特に、大容量の追記型ＤＶＤメディアとして好適である。

本発明によれば、従来における諸問題を解決でき、新規なアゾ金属キレート化合物を記録層用材料として用いることにより、高速記録に対応でき、熱分解挙動に優れ、６３０〜６９０ｎｍの波長域のレーザ光で安定に記録及び再生が可能であり、耐光性、及び保存安定性に優れた光記録媒体を提供することができる。

（光記録媒体）
本発明の光記録媒体は、基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、反射層、保護層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。

前記記録層は、下記構造式（１）で表されるアゾ金属キレート化合物を含有してなり、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。

ただし、前記構造式（１）中、Ｘは、カルコゲンから選択される原子を表す。環Ａは、隣接するＸ原子と窒素原子とが一緒になって形成される５員環を表し、該５員環は更に置換基で置換されていてもよい。Ｒ^１〜Ｒ^５は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、及びアリールスルホニルアミノ基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^１〜Ｒ^５の中で隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。Ｍは、金属原子を表す。ｎは、２〜３の整数を表す。

前記構造式（１）において、Ｘは、カルコゲンから選択される原子を表し、例えば、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、ポロニウム原子、などが挙げられる。

前記環Ａは、隣接するＸ原子と窒素原子とが一緒になって形成される５員環を表し、該５員環としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、オキサトリアゾール、チアトリアゾール、などが挙げられ、これらは更に置換基で置換されていてもよく、これらは縮合環を有していてもよく、具体的には、下記構造式で表されるいずれかが好ましい。

ただし、前記構造式中、Ｒ^８〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^１０とＲ^１１とは互いに連結して環を形成していてもよい。ｑは０〜４の整数を表し、ｑが２以上の場合には、隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。

前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、等が挙げられる。

前記アルキル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の一級アルキル基；イソブチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１,２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１,３−ジメチルブチル基、１,２−ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級アルキル基；ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の三級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、アダマンタン基、等のシクロアルキル基、などが挙げられ、これら一級及び二級アルキル基は、更に置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の複素環残基等を以て置換されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アルキル基で置換されていてもよい。

前記酸素を介して置換されているアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、モルホリノ基、等が挙げられる。前記硫黄を介して置換されているアルキル基としては、例えば、メチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基、等が挙げられる。前記窒素を介して置換されているアルキル基としては、例えば、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、等が挙げられる。前記複素環残基としては、例えば、インドリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基、ピロリル基、等が挙げられる。

前記アリール基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、等が挙げられ、該アリール基は更に置換基で置換されていてもよい。

前記アルケニル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−１−プロペニル基、１，３−ブタジエニル基、１−ブテン−３−イニル基、１−ペンテニル基、１−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニル基、１，２−ジメチル−１−ブテニル基、２，２−ジメチル−１−ブテニル基、１，３−ペンタジエニル基、１，４−ペンタジエニル基、１−ペンテン−３−イニル基、１−ペンテン−４−イニル基、等が挙げられ、該アルケニル基は更に置換基で置換されていてもよい。

前記アルキルオキシ基としては、酸素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基としては前述の具体例等が挙げられ、該アルキルオキシ基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アリールオキシ基としては、酸素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基としては前述の具体例等が挙げられ、該アリールオキシ基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アルキルアミノ基としては、アミノ基の窒素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基としては前述の具体例等が挙げられ、該アルキルアミノ基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アリールアミノ基としては、アミノ基の窒素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基としては前述の具体例等が挙げられ、該アリールアミノ基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アルキルカルボニルアミノ基としては、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基としては前述の具体例等が挙げられ、該アルキルカルボニルアミノ基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アリールカルボニルアミノ基としては、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基としては前述の具体例等が挙げられ、該アリールカルボニルアミノ基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アルキルカルバモイル基としては、カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基としては前述の具体例等が挙げられ、該アルキルカルバモイル基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アリールカルバモイル基としては、カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基としては前述の具体例等が挙げられ、該アリールカルバモイル基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アルキルスルホニルアミノ基としては、スルホニルアミノ基の硫黄原子に直接置換もしくは未置換のアルキル基が結合されているものであればよく、アルキル基としては前述の具体例等が挙げられ、該アルキルスルホニルアミノ基は更に置換基で置換されていてもよい。
前記アリールスルホニルアミノ基としては、スルホニルアミノ基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されているものであればよく、アリール基としては前述の具体例等が挙げられ、該アリールスルホニルアミノ基は更に置換基で置換されていてもよい。

前記構造式（１）におけるＲ^３は、下記構造式（２）で表されるものが好ましい。

ただし、前記構造式（２）中、Ｒ^６及びＲ^７は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、互いに連結して環を形成していてもよい。なお、置換基の具体例は、前述のものと同じである。

なお、前記アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、複素環及び炭化水素環等は、置換基を有することができるが、この場合の置換基には、慣用の置換基、例えば、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、置換又は未置換のアミノ基等が挙げられる。ハロゲン原子、アルキル基及びアルコキシ基におけるアルキル部分としては、前記と同様なものが挙げられる。

前記金属原子としては、例えば、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、等が挙げられ、これらの中でも、耐光性、屈折率等の光学特性が優れている点でニッケル、銅が特に好ましい。

前記アゾ金属キレート化合物としては、例えば、下記構造式（３）〜（５）で表されるものが好適である。

ただし、前記構造式（３）中、Ｒ^８及びＲ^９は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｒ^１０〜Ｒ^１５は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^８〜Ｒ^１５の中で隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。Ｍは、金属原子を表す。ｎは、２〜３の整数を表す。なお、置換基の具体例は、前述のものと同じである。

ただし、前記構造式（４）中、Ｒ^１６及びＲ^１７は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｒ^１８〜Ｒ^２２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^１６〜Ｒ^２２の中で隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。Ｍは、金属原子を表す。ｎは、２〜３の整数を表す。なお、置換基の具体例は、前述のものと同じである。

ただし、前記構造式（５）中、Ｒ^２３及びＲ^２４は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｒ^２５〜Ｒ^３０は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^２３〜Ｒ^３０の中で隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。Ｍは、金属原子を表す。ｎは、２〜３の整数を表す。なお、置換基の具体例は、前述のものと同じである。

前記アゾ金属キレート化合物は、例えば、下記構造式（１−１）で表されるアゾ置換インドール化合物と金属塩とを反応させて得られる。

ただし、前記構造式（１−１）中、Ｘ、環Ａ、Ｒ^１〜Ｒ^５は、上記と同じ意味を表す。

前記アゾ置換インドール化合物の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法の中から適宜選択することができ、例えば、４位に電子供与性基を有するインドール類と、２位に未置換のアミノ基を有する複素５員環類とを、常法のアゾカップリングにより容易に合成することができ、具体的には、塩酸、硫酸、酢酸、リン酸等の酸に２位にアミノ基を有する複素５員環類を加熱溶解し、氷浴にて急冷する。その後、適当な温度にて亜硝酸を作用させてジアゾ化する。次に、４位に電子供与性基を有するインドール類とカップリングすることで目的とするアゾ置換インドール化合物を合成することができる。
前記電子供与性基のうち、アミノ基、置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基は、穏やかな反応条件で副生成物が少なく目的物を得られることから特に好ましい。

前記アゾ置換インドール化合物を構成する複素５員環としては、良好な分解挙動が得られ、かつ原料の入手が容易である点で、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾールが特に好ましい。
前記アゾ置換インドール化合物は、金属塩等と作用させることで容易に前記構造式（１）で表されるアゾ金属キレート化合物を生成することができる。
前記アゾ金属キレート化合物の合成には、メタノール、ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）、グリセリン等の溶剤中に、前記構造式（１−１）で表されるアゾ置換インドール化合物と、金属塩を加える。場合により、水酸化ナトリウム溶液、アンモニア水等のアルカリ成分を加えたり、室温〜溶剤の沸点の温度に加温する場合もある。

次に、光記録媒体における記録層を構成するのに必要な項目として、光学特性と熱的特性が挙げられる。
前記光学特性に必要な条件としては、記録再生波長である６３０〜６９０ｎｍに対して短波長側に大きな吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長波長端近傍にあることが好ましい。これは、記録再生波長である６３０〜６９０ｎｍで大きな屈折率と消衰係数を有することを意味する。
具体的には、記録再生波長近傍の長波長近傍の波長域光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５〜３．０であり、消衰係数ｋが０．０２〜０．２の範囲が好ましい。前記屈折率ｎが１．５未満であると、十分な光学的変化が得られにくいため、記録変調度が低くなることがあり、３．０を超えると波長依存性が高くなり過ぎるため、記録再生波長領域であってもエラーとなってしまうことがある。また、前記消衰係数ｋが０．０２未満であると記録感度が悪くなることがあり、０．２を超えると５０％以上の反射率を得ることが困難となることがある。

前記熱的に必要な条件としては、熱重量分析（Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ；ＴＧ）における主減量過程での重量減量が、温度に対して急であることが好ましい。主減量過程により記録層材料は分解し、膜厚の減少と光学定数の変化を起こし、光学的な意味での記録部が形成されるからである。したがって、主減量過程の重量減量が温度に対して穏やかな場合、これは広い温度範囲にわたって形成されてしまうため、高密度の記録部を形成させる場合は極めて不利となる。同様な理由で重量減量の過程が複数存在する記録層材料を用いた場合も高密度対応には不利である。
本発明では、いくつかの重量減量過程のうちで、減量率が最大のものを主減量過程と呼ぶ。前記重量減量の傾きは下記のようにして求めることができる。

図１に示すように、重量ｍ０の記録層材料を窒素雰囲気下中で、１０℃／ｍｉｎで昇温させる。この昇温に従って記録層材料の重量は微量ずつ減少し、重量減量線（ほぼ直線ａ−ｂ）を示す。ある温度に達すると記録層材料は急激な重量減少を起こし、ほぼ直線ｃ−ｄに沿った重量の減量を起こす。これが主減量過程である。さらに温度を上げ続けると質量の急激な減量は終了し、ほぼ直線ｅ−ｆに沿った重量減少を起こす。
図１中、直線ａ−ｂと直線ｃ−ｄとの交点における温度をＴ１(℃)、初期重量ｍ０に対する残存重量減量率をｍ１（％）、直線ｃ−ｄと直線ｅ−ｆとの交点における温度をＴ２(℃)、初期質量ｍ０に対する残存重量減量率をｍ２（％）とする。急激な減量開始温度はＴ１、急激な減量終了温度はＴ２となり、急激な重量減少を発現するときの重量減量の傾きは、次式、（ｍ１−ｍ２）（％）／（Ｔ２−Ｔ１）（℃）で示される値であり、初期重量に対する重量減量率は（ｍ１−ｍ２）（％）で示される。
ここで、図１中、「ＴＧ％」とは、被測定記録層材料の重量減量率を表す。昇温前の記録層材料の質量ｍ０を１００％と表し、計測器に物質がない状態を０％とする。
上記定義に基づくと光記録媒体に用いる記録材料としては、主減量過程における重量減量の傾きが２％／℃以上が好ましい。前記重量減量の傾きが２％／℃未満であると、記録部の広がりが大きくなり、短い記録部を形成することが困難となることがある。
また、主減量過程における重量減少率は、３０％以上が好ましい。前記重量減少率が３０％未満であると、良好な記録変調度、記録感度が得られないことがある。更に、熱的特性に必要な条件は、減量開始温度Ｔ１が一定の温度範囲にあることが好ましい。具体的には、前記減量開始温度は３５０℃以下が好ましく、２００〜３５０℃がより好ましい。前記減量開始温度が３５０℃を超えると、記録レーザ光のパワーが高くなり実用的でなくなることがあり、２００℃未満であると再生劣化を起こすなど記録安定性が悪化することがある。

本発明の光記録媒体は、その記録再生波長は６３０〜６９０ｎｍが好ましく、高速書き換えが可能であり、優れた記録特性を有し、特に大容量のＤＶＤ＋Ｒ、及びＤＶＤ−Ｒのいずれかに好適に用いられる。

次に、本発明の光記録媒体の構成について図面を参照して説明する。
図２は、本発明の光記録媒体に適用し得る層構成例を示す概略断面図であり、これは追記型光ディスクの例である。図２（Ａ）は、基板１／記録層２からなる追記型光ディスクを示す。図２（Ｂ）は、基板１／下引き層３／記録層２からなる追記型光ディスクを示す。図２（Ｃ）は、基板１／下引き層３／記録層２／保護層４からなる追記型光ディスクを示す。図２（Ｄ）は、ハードコート層５／基板１／下引き層３／記録層２／保護層４からなる追記型光ディスクを示す。

図３は、本発明の光記録媒体に適用し得る追記型光記録媒体（ＣＤ−Ｒ型）の層構成例を示す概略断面図であり、これは追記型光ディスクの例である。図３（Ａ）は、基板１／記録層２／反射層６／保護層４からなるＣＤ−Ｒを示す。図３（Ｂ）は、基板１／下引き層３／記録層２／反射層６／保護層４からなるＣＤ−Ｒを示す。図３（Ｃ）は、ハードコート層５／基板１／下引き層３／記録層２／反射層６／保護層４からなるＣＤ−Ｒを示す。
なお、図２若しくは図３を２枚貼合わせたいわゆるエアーサンドイッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよい。

図４は、本発明の光記録媒体に適用し得る追記型光記録媒体（ＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒ）の層構成例を示す概略断面図である。図４（Ａ）は、基板１／記録層２／反射層６／保護層４からなるＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒを示す。図４（Ｂ）は、基板１／記録層２／反射層６／保護層４／接着層８／保護基板７からなるＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒを示す。図４（Ｃ）は、ハードコート層５／基板１／下引き層３／記録層２／反射層６／保護層４／接着層８／保護基板７からなるＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒを示す。

本発明の光記録媒体を追記型ＤＶＤメディアとして適用する場合の光記録媒体の構成としては、第１の基板と第２の基板（以下、第１基板、第２基板と称することがある）とを記録層を介して接着剤で張り合わせた構造を基本構造とする。記録層は反射率を高めるため記録層と反射層との積層である必要がある。記録層と基板間は下引き層、又は保護層を介して層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構成でもよい。最も通常に用いられるのは、第１基板／記録層（有機色素層）／反射層／保護層／接着層／第２基板の構造である。

−基板−
前記基板としては、基板側より記録及び再生の少なくともいずれかを行う場合には使用レーザ光に対して透明でなければならず、記録層側から記録及び再生の少なくともいずれかを行う場合には、基板は透明である必要はない。従って、本発明において、基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は、例えば、一方の基板（第２の基板）のみが透明であれば、他方の基板（第１の基板）の透明、不透明は問わない。

前記基板材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチックス、ガラス、セラミックス、金属、等を用いることができる。
なお、基板を１層しか用いない場合はその基板表面に、また基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は第１基板の表面に、トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信号等のプレフォーマットが形成されていることが好ましい。

前記基板は、円盤状であり、通常、深さ１０００〜２５００Å（１００〜２５０ｎｍ）の案内溝を有している。また、溝幅は、半値幅で０．１８〜０．３６μｍが好ましい。前記半値幅が０．１８μｍ以上であると、十分なトラッキングエラー信号強度を得やすいので好ましい。一方、０．３６μｍ以下であると、記録したときに記録部が横に広がりにくいので好ましい。
また、トラックピッチは、通常、０．７〜１．０μｍが好ましく、高容量化の用途には０．７〜０．８μｍが好ましい。

−記録層−
前記記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報を記録できるものであって、この記録層中には本発明の色素が含有されていることが必要であり、記録層の形成にあたっては本発明の色素（前記構造式（１）で表されるアゾ金属キレート化合物）から選択される少なくとも１種を組合せて用いることができる。前記記録層には、光学特性、記録感度、及び信号特性等の向上を目的として他の有機色素、金属、又は金属化合物と、混合或いは積層化してもよい。
前記他の有機色素としては、例えば、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系染料、フタロシアニン系染料、スクアリリウム系染料、クロコニウム系染料、ピリリウム系染料、ナフトキノン系染料、アントラキノン(インダンスレン)系染料、キサンテン系染料、トリフェニルメタン系染料、アズレン系染料、テトレヒドロコリン系染料、フェナンスレン系染料、トリフェノチアジン系染料、金属キレート化合物、等が挙げられ、これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせても構わない。
また、前記染料中に金属、又は金属化合物を添加することもできる。該金属又は金属化合物としては、例えば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ_２、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合、或いは積層の形態で用いることもできる。

また、前記色素中に高分子材料を配合させることもできる。該高分子材料としては、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子化合物、シリコーン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリング剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改良の目的で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を一緒に用いることもできる。

前記記録層の形成は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は溶液塗布法等の通常の手段によって行うことができる。前記塗布法を用いる場合には、前記色素等を有機溶剤等に溶解してスプレー法、ローラーコーティング法、ディッピング法、スピンコーティング等の慣用のコーティング法によって行うことができる。

前記有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、等が挙げられる。
前記記録層の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常１００Å（１０ｎｍ）〜１０μｍが好ましい。

−下引き層−
前記下引き層は、（１）接着性の向上、（２）水又はガス等のバリア、（３）記録層の保存安定性の向上、（４）反射率の向上、（５）溶剤からの基板や記録層の保護、及び（６）案内溝・案内ピット・プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。
前記（１）の目的としては、高分子材料、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の高分子物質、及びシランカップリング剤等を用いることができる。前記（２）及び（３）の目的としては、前記高分子材料以外に無機化合物、例えば、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等、更に金属、又は半金属、例えば、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等を用いることができる。また、前記（４）の目的としては、金属、例えば、Ａｌ、Ａｇ等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチン染料、キサンテン系染料等を用いることができる。前記（５）及び（６）の目的としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。

前記下引き層の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．０１〜３０μｍが好ましく、０．０５〜１０μｍがより好ましい。

−反射層−
前記反射層の材料としては、単体で高反射率の得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好ましく、これらの金属、半金属は単独で使用しても良く、２種の合金としても良い。

前記反射層は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記反射層の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５０〜５０００Å（５〜５００ｎｍ）が好ましく、１００〜３０００Å（１０〜３００ｎｍ）がより好ましい。

−保護層、及び基板表面ハードコート層−
前記保護層、又は基板表面ハードコート層は、（１）記録層（反射吸収層）の傷、ホコリ、汚れ等からの保護、（２）記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（３）反射率の向上等を目的として使用される。これらの目的に対しては、前記中間層に示した材料を用いることができる。また、無機材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２等も用いることができる。有機材料としては、例えば、ポリメチルアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性樹脂、熱溶融性樹脂、紫外線硬化樹脂も用いることができる。前記材料のうち保護層、又は基板表面ハードコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。
前記保護層又は基板表面ハードコート層の膜厚は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．０１〜３０μｍが好ましく、０．０５〜１０μｍがより好ましい。

本発明においては、前記下引き層、前記保護層、及び前記基板表面ハードコート層には記録層の場合と同様に、目的に応じて更に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。

−保護基板−
前記保護基板は、この保護基板側からレーザ光を照射する場合には、使用レーザ光に対し透明でなくてはならず、単なる保護板として用いる場合には、透明性は問わない。前記保護基板として使用可能な基板材料は前記の基板材料と全く同様であり、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等のプラスチックス、ガラス、セラミックス、金属等を用いることができる。

−接着剤、接着層−
前記接着剤としては、２枚の光記録媒体を接着できる材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、生産性を考えると、紫外線硬化型接着剤又はホットメルト型接着剤が好ましい。

本発明の光記録媒体の記録再生方法は、前記本発明の光記録媒体に対し、６３０〜６９０ｎｍの発振波長を有するレーザ光を照射することにより情報の記録及び再生の少なくともいずれかを行うものである。
具体的には、光記録媒体を所定の線速度、又は、所定の定角速度にて回転させながら、表面保護層側から対物レンズを介して半導体レーザ（例えば、６３０〜６９０ｎｍの発振波長）などの記録用の光を照射する。この照射光により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、例えば、ピットが生成してその光学特性を変えることにより情報が記録される。上記のように記録された情報の再生は、光記録媒体を所定の定線速度で回転させながらレーザ光を表面保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
−光記録媒体の作製−
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板を射出成形により作製し、この基板上にフォトポリマーを用いて深さ１６５０Å（１６５ｎｍ）、半値幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝を形成した。
基板上に下記構造式で表される化合物１の２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液をスピンナー塗布し、１００℃にて３０分間乾燥して厚さ８００Å（８０ｎｍ）の記録層を形成した。記録層上に銀（Ａｇ）を厚みが１０００Å（１００ｎｍ）となるようにスパッタ法により成膜して反射層を形成した。次いで、反射層上にアクリル系フォトポリマーを厚みが７μｍとなるように塗布し保護層を形成した。次に、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板をアクリル系フォトポリマーを用いて接着した。以上により、光記録媒体を作製した。

（実施例２）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物２を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例３）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物３を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例４）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物４を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例５）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物５を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例６）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物６を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例７）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物７を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例８）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物８を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例９）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物９を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１０）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１０を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１１）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１１を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１２）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１２を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１３）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１３を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１４）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１４を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１５）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１５を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１６）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１６を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１７）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１７を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１８）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１８を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

（実施例１９）
−光記録媒体の作製−
実施例１において、化合物１の代わりに下記構造式で表される化合物１９を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製した。

次に、得られた実施例１〜１９の各光記録媒体について、以下のようにして、記録試験耐光試験、及び保存試験を行った。結果を表１に示す。

＜記録試験＞
作製した各光記録媒体に対し光ディスク評価装置（パルステック社製、ＤＤＵ−１０００）を用いて、レーザ発振波長６５８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながらＥＦＭ信号(線速１４ｍ／ｓｅｃ．)を記録し、発振波長６７０ｎｍの半導体レーザの連続光(再生パワー０．７ｍＷ)で再生し、再生波形を観察し、反射率、変調度、及びジッタを測定した。
＜耐光試験＞
各光記録媒体について、５万Ｌｕｘのキセノン（Ｘｅ）光を２０時間連続照射し、その後の反射率、変調度、及びジッタを上記同様に測定した。
＜保存試験＞
各光記録媒体について、６０℃、相対湿度９０％の環境下に６００時間保存し、その後の反射率、変調度、及びジッタを上記同様に測定した。

表１の結果から、実施例５〜１０は、金属原子が異なる以外は共通するアゾ金属キレート化合物（化合物５〜１０）を用いており、これらの評価結果から、いずれも初期特性は良好であり、特に金属原子がニッケル、銅、及び亜鉛である実施例８〜１０（化合物８〜１０）が優れていることが認められる。
また、金属原子がニッケル及び銅である実施例８及び９（化合物８及び９）は、実施例５〜７及び１０に比べて優れた耐光性及び保存安定性を有することが認められる。
これらの結果から見て、総合的に優れた特性を有するのは、金属原子がニッケル及び銅のアゾ金属キレート化合物を用いたものである。なお、実施例１０（化合物１０）は、金属原子がＺｎであるため、初期特性は優れているが、耐光性及び保存安定性には劣るものである。この場合、実施例１０は、包装材料及び包装方法を工夫することにより問題なく使用できる可能性がある。

本発明の光記録媒体は、優れた記録特性を有し、高速書き換えが可能であり、大容量の追記型ＤＶＤディスクシステム、例えば、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−Ｒなどに幅広く用いることができる。

図１は、アゾ金属キレート化合物の主減量過程、及び重量減量率を求める方法を説明する図である。 図２の（Ａ）〜（Ｄ）は、通常の追記型光記録媒体の層構成の一例を表す図である。 図３（Ａ）〜（Ｃ）は、ＣＤ−Ｒ用の光記録媒体の層構成の一例を表す図である。 図４（Ａ）〜（Ｃ）は、ＤＶＤ＋Ｒ又はＤＶＤ−Ｒ用の光記録媒体の層構成の一例を表す図である。

符号の説明

１ 基板
２ 記録層
３ 下引き層
４ 保護層
５ ハードコート層
６ 反射層
７ 保護基板
８ 接着層

Claims (9)

1. 基板と、該基板上に少なくとも記録層を設けてなり、該記録層が下記構造式（１）で表されるアゾ金属キレート化合物を含有することを特徴とする光記録媒体。
   

   

   ただし、前記構造式（１）中、Ｘは、カルコゲンから選択される原子を表す。環Ａは、隣接するＸ原子と窒素原子とが一緒になって形成される５員環を表し、該５員環は更に置換基で置換されていてもよい。Ｒ^１〜Ｒ^５は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、及びアリールスルホニルアミノ基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^１〜Ｒ^５の中で隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。Ｍは、金属原子を表す。ｎは、２〜３の整数を表す。
2. Ｒ^３が、下記構造式（２）で表される請求項１に記載の光記録媒体。
   

   

   ただし、前記構造式（２）中、Ｒ^６及びＲ^７は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、及びアリール基のいずれかを表し、これらは更に置換基により置換されていてもよく、互いに連結して環を形成していてもよい。
3. 環Ａが、下記構造式で表されるいずれかである請求項１から２のいずれかに記載の光記録媒体。
   

   

   ただし、前記構造式中、Ｒ^８〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基のいずれかを表し、これらは更に置換基で置換されていてもよく、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^１０とＲ^１１とは互いに連結して環を形成していてもよい。ｑは０〜４の整数を表し、ｑが２以上の場合には、隣接するものどうしが互いに連結して環を形成していてもよい。
4. 金属原子が、ニッケル及び銅のいずれかである請求項１から３のいずれかに記載の光記録媒体。
5. 記録層材料の熱重量分析における主減量過程での温度に対する減量の傾きが２％／℃以上である請求項１から４のいずれかに記載の光記録媒体。
6. 記録層材料の熱重量分析における主減量過程での総減量が３０％以上であり、かつ減量開始温度が３５０℃以下である請求項１から５のいずれかに記載の光記録媒体。
7. 記録再生波長±１０ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であり、かつ消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．２である請求項１から６のいずれかに記載の光記録媒体。
8. 記録再生波長が６３０〜６９０ｎｍである請求項７に記載の光記録媒体。
9. 基板におけるトラックピッチが０．７〜０．８μｍであり、案内溝幅が半値幅で０．１８〜０．３６μｍである請求項１から８のいずれかに記載の光記録媒体。
   

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