JP4122554B2 - Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same - Google Patents

Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高精細のエレクトロルミネッセント（以下ＥＬと略す）素子に関する。さらに詳しくは、高精細な単純マトリックス駆動方式有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
単純マトリックス駆動方式有機ＥＬ素子は、薄型、自発光、高輝度、軽量という利点を有するために、次世代フラットパネルディスプレイとして期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は電流駆動型である。この場合、高精細、大面積になるほど陰極ラインのアスペクト比（長さ／幅）が大きくなり、陰極ラインの電気抵抗が高くなる。その結果十分な輝度を得るために必要な電流を陰極ラインに流すと、陰極ラインの抵抗による電圧降下が大きくなり、その分、駆動電圧が大きくなる問題があり、陰極の電気抵抗を下げる必要が生じる。
【０００４】
単純マトリックス駆動方式ＥＬ素子の場合、陰極に使用されているのはストライプ状の導電性金属である。陰極の電気抵抗を下げるには陰極の膜厚を厚くすればよいが、成膜中の基板温度上昇による有機発光媒体の劣化を招き、好ましくない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこれらの問題点を解決するためになされたものであり、高精細、大面積のＥＬ素子において、陰極の電気抵抗を下げて十分な輝度を得ることを可能としたＥＬ素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記目的を達成するために、まず、請求項１においては、透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子において、
金属バスラインが画素列毎に絶縁層上に電気的に絶縁された２列配列で形成され、
且つ、陰極ラインの縁部が、各画素の両端の金属バスラインに接し、
且つ、前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していること、
を特徴とするエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【０００７】
また、請求項２においては、前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【０００８】
また、請求項３においては、前記金属バスラインに用いる導電性材料が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項１〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【０００９】
また、請求項４においては、前記金属バスラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【００１０】
また、請求項５においては、前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
また、請求項６においては、透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、少なくとも、
（ａ）透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインを形成する第１工程
（ｂ）前記陽極ラインと交差して、絶縁層を形成する第２工程
（ｃ）前記絶縁層上に、電気的に絶縁され、独立した２列配列で、金属バスラインを形成する第３工程
（ｄ）発光媒体を形成する第４工程
（ｅ）各画素の両端の金属バスラインに接して陰極ラインを形成する第５工程
を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項７においては、前記陰極ラインを形成する第５工程が、陰極ラインを斜め蒸着法で形成することを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項８においては、前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していることを特徴とする請求項６〜７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項９においては、前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１０においては、前記金属バスラインに用いる金属が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項６〜９のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項１１においては、前記金属バスラインの高さが０ .1 〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項６〜１０のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項１２においては、前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項６〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項１３においては、前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインをメッキ法を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１４においては、前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、
前記メッキ下地層上にメッキ法で金属層を形成し、
前記レジストパターンを除去する、
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１５においては、前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、
且つ、前記金属層がＣｕ層であることを特徴とする請求項１４に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１６においては、前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、
前記メッキ下地層上にメッキ法で第一金属層を形成し、
前記第一金属層上に蒸着法で第二金属層を形成し、
フォトリソグラフィー法及び第一ウエットエッチング液でのウェットエッチング法で第二金属層をパターニングし、
前記レジストパターンを除去し、
前記第二金属層パターンをマスクとして、前記第一金属層と前記メッキ下地層を前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液でのウエットエッチング法でパターニングする、
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１７においては、前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、
且つ、前記第一金属層がＣｕ層であり、且つ、前記第二金属層がＡｕ層であることを特徴とする請求項１６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１８においては、前記第一ウエットエッチング液が王水であり、且つ、前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液が、硝酸とふっ酸の混合液及び硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液であることを特徴とする１６〜１７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のＥＬ素子を詳細に説明する。
本発明における透光性絶縁基板としては、石英基板、ガラス基板、プラステック基板等が使用できる。
【００１２】
本発明における透明導電膜を含む複数の陽極ラインとしてはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）や酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム等が使用できる。
【００１３】
本発明における金属層を含む複数の陰極ラインとしては、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等が使用できる。
【００１４】
本発明における発光媒体としては、9,10- ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、9,10- ビス（フェニルエチニル）アントラセン、8-キノリノラートリチウム、トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体（以下Ａｌｑと略す）、Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン（以下ＴＰＤと略す）、トリス（5,7-ジクロロ、8-キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（5-クロロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（8-キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（5-フルオロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- トリフルオロメチル-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- シアノ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス〔8-（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,3,4-テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ-2,5- ジヘプチルオキシ-P- フェニレンビニレン、あるいは特開平４―３１４８８号公報、米国特許５１４１６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物質やＮ, Ｎ' ジアリール置換ピロロピロール化合物等があげられるが、上記例に特に限定されるものではない。
【００１５】
本発明の主な特徴である金属バスラインに用いる導電性材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれたものであることが好ましい。
【００１６】
これら材料による金属バスラインはそのラインの両端の抵抗ができるだけ低いことが望ましく、１０００オーム以下であることが望ましく、さらに望ましくは１００オーム以下の抵抗値である。しかし、金属バスラインの幅は、ＥＬ光の透過率を確保するため、画素の最大幅の１／４以下であることが望ましく、さらに望ましくは１／１０以下であることが望ましい。かつ、陰極ラインの幅の１/ ２０以下の線幅ではバスラインの抵抗を十分低くできないため、画素の最大幅の１/ ２０より太いことが望ましい。
【００１７】
例えば、陰極ラインの幅１００μｍに対して、２×１０-6Ω・ｃｍの抵抗率の銅を主体とした金属を用い長さ７ｃｍのバスラインを形成する場合、バスラインの幅を画素幅の１／１０の１０μｍ、高さを４μｍとすると、バスラインの両端の抵抗値は１８オーム程度になり、陰極のみからなる陰極ラインの８分の１の抵抗となり、陰極ラインによる電圧降下による駆動電圧の増加を防ぐことができる。
【００１８】
以下、本発明のＥＬ素子の一例を図１、図２に基づき説明する。
このＥＬ素子は透光性基板１上に透明導電膜２（陽極）、発光媒体５、陰極６および金属バスライン４が形成されている。
【００１９】
以下に、本発明のＥＬ素子の製造方法の一例を示す。
まず、透光性基板１上にスパッタリング法で透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法およびウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニングする。
【００２０】
次に、前記基板上にリフトオフ法で絶縁層３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法等で形成する。
【００２１】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパターニングするためのマスクとする。このレジストパターン７の開孔部の幅は上部が下部に比べて広い形状になるよう形成する。
【００２２】
次に、前記基板上のレジストパターン７の開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地層８とする。ここで、蒸着マスクの開孔部はレジストパターン７の開孔部の下部の寸法と同じにする。これはレジストパターン７の開孔部の壁面に金属が蒸着するのを防ぎ、次のレジストパターン７のリフトオフ工程を速やかに行うためである。また、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の付着力を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地となる。
【００２３】
次に、前記基板上のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上に光沢メッキ法もしくは無電解メッキ法でＣｕの金属バスライン４を形成する。金属バスライン４の高さはレジストパターン７の高さより低く形成する。これは次のレジストパターン７のリフトオフ工程を速やかに行うためである。
【００２４】
次に、剥離液でレジスト７をリフトオフした。
【００２５】
次に、発光媒体５である正孔輸送層、電子輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニングされる。
【００２６】
次に、陰極６を斜め蒸着法で形成する。陰極６となる導電性材料を斜め蒸着することにより、陰極６は金属バスライン４と接続される。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度は金属バスライン４の形状、寸法から任意に設定される。つまり、金属バスライン４は画素列毎に絶縁層上で電気的に絶縁された状態で２列配列して形成されており、陰極を蒸着した場合、隣接する金属バスライン間が接触するように蒸着されず、隣り合う画素列間がショートすることはない。
【００２７】
最後に、保護膜をイオンプレーティング法等で形成し、封止する。
【００２８】
以下、本発明のＥＬ素子の一例を図３、図４に基づき説明する。
このＥＬ素子は透光性基板１上に陽極２、発光媒体５、陰極６および金属バスライン４が形成されている。また、金属バスライン４は２種類の金属を積層した構造である。
【００２９】
以下に、本発明のＥＬ素子の製造方法の一例を示す。
まず、透光性基板１上にスパッタリング法で透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法およびウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニングする。
【００３０】
次に、前記基板上にリフトオフ法で絶縁層３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法等で形成する。
【００３１】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパターニングするためのマスクとする。
【００３２】
次に、前記基板上のレジストパターン７の開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地層８とする。ここで、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の付着力を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地となる。
【００３３】
次に、前記基板上のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上に光沢メッキ法または無電解メッキ法でＣｕの金属バスライン４ａを形成する。
【００３４】
次に、前記基板上にＡｕを真空蒸着する。
【００３５】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニングする。その後、剥離液でレジスト７を剥離する。
【００３６】
次に、前記基板上のＡｕ層４ｂをマスクにしてＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスライン４を形成する。まず、Ｃｕ層を硝酸とふっ酸の混合液でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングする。Ａｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶けず、Ａｕ層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなる。このように、エッチング液の異なる物質の組み合わせや同じエッチング条件でエッチング速度の異なる物質の組み合わせ等を使用して、上部層の幅が下部層の幅に比べて広くなるように金属バスラインを形成する。
【００３７】
次に、発光媒体５である正孔輸送層、電子輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニングされる。
【００３８】
次に、陰極６を斜め蒸着法で形成し、各画素の両端の金属バスライン４と接続する。
【００３９】
最後に、保護膜をイオンプレーティング法等で形成し、封止する。
【００４０】
【実施例】
［実施例１］
以下、実施例１を説明する。
まず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯからなる透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー技術およびウェットエッチング法によってパターンを形成した（図３（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、ＩＴＯを結晶化した。
【００４１】
次に、前記基板上にリフトオフ法によって幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図３（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ形成した。
【００４２】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に上部の幅１０μｍ、下部の幅９μｍの開孔部を有する高さ５μｍのレジストパターン層７を形成した（図３（ｃ）参照）。ＳｉＯ2 膜パターン４上の隣りあうレジストパターンの開孔部間の幅は５μｍとした。
【００４３】
次に、前記基板上のレジストパターンの開孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次マスク蒸着した。蒸着マスクのパターンの開孔部は９μｍである。
【００４４】
次に、光沢Ｃｕメッキ法により、開孔部の中のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上にＣｕ層を４μｍ堆積させて金属バスライン４を形成した（図３（ｄ）参照）。
【００４５】
次に、剥離液でレジスト７をリフトオフした（図３（ｅ）参照）。
【００４６】
次に、前記基板上の所定の位置にマスク蒸着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
【００４７】
次に、陰極６としてＡｌＬｉ合金を斜め一源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着した。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の金属バスラインを接続した（図３（ｆ）参照）。
【００４８】
次に、保護膜としてイオンプレーティング法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
【００４９】
最後に、ガラス基板を張り合わせ封止した。
【００５０】
このように作製したＥＬ素子を点灯させたところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子と比べて、駆動電圧を１４Ｖから１２Ｖに下げることができた。
【００５１】
［実施例２］
以下、実施例２を説明する。
まず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯからなる透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法によってパターンを形成した（図４（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、ＩＴＯを結晶化した。
【００５２】
次に、前記基板上にリフトオフ法によって幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図４（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ形成した。
【００５３】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に幅２５μｍの開孔部を有する高さ４μｍのレジストパターン層７を形成した（図４（ｃ）参照）。
【００５４】
次に、前記基板上のレジストパターン７の開孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次真空蒸着した。
【００５５】
次に、光沢Ｃｕメッキ法により、開孔部の中のＣｒ／Ｃｕ層８上にＣｕ層を３. ２μｍ堆積させて金属バスライン４ａを形成した（図４（ｄ）参照）。
【００５６】
次に、前記基板上にＡｕを５００ｎｍ真空蒸着した。
【００５７】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニングした。Ａｕ層４ｂは王水でエッチングした。その後、剥離液でレジスト７を剥離した（図４（ｅ）参照）。
【００５８】
次に、前記基板上のＡｕ層４ｂをマスクにしてＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスライン４を形成した。まずＣｕ層を硝酸とふっ酸の混合液でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングした。この時、Ａｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶けず、Ａｕ層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなった（図４（ｆ）参照）。
【００５９】
次に、前記基板上の所定の位置にマスク蒸着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
【００６０】
次に、陰極６としてＡｌＬｉ合金を斜め一源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着した。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の金属バスラインを接続した。
【００６１】
次に、保護膜としてイオンプレーティング法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
【００６２】
最後に、ガラス基板を張り合わせ封止した。
【００６３】
このように作製したＥＬ素子を点灯させたところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子の比べて、駆動電圧を１４Ｖから１１Ｖに下げることができた。
【００６４】
本発明の有機薄膜ＥＬ素子の金属バスラインの製造方法は先に述べた実施の形態に限定されるものではなく、ドライエッチングやレーザー加工等の他の方法でも作製する事ができる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、陰極ラインの導電材料と接して金属バスラインを設けることによりＥＬ素子の駆動電圧を下げることができた。
【００６６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例の断面の構造を示す説明図である。
【図２】実施例の有機ＥＬ素子の一実施例の製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の一例の断面の構造を示す説明図である。
【図４】実施例の有機ＥＬ素子の一実施例の製造工程を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 透光性絶縁基板
２ 透明導電膜
３ 絶縁層
４ 金属バスライン
４ａ Ｃｕ層
４ｂ Ａｕ層
５ 発光媒体
６ 陰極
７ レジスト層
８ メッキ下地層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-definition electroluminescent (hereinafter abbreviated as EL) element. More specifically, the present invention relates to a high-definition simple matrix driving type organic EL element.
[0002]
[Prior art]
The simple matrix driving type organic EL element is expected as a next-generation flat panel display because it has the advantages of being thin, self-luminous, high brightness, and lightweight.
[0003]
The organic EL element is a current drive type. In this case, the aspect ratio (length / width) of the cathode line increases and the electrical resistance of the cathode line increases as the resolution becomes higher and the area increases. As a result, if a current necessary for obtaining sufficient luminance is applied to the cathode line, the voltage drop due to the resistance of the cathode line increases, and there is a problem that the drive voltage increases accordingly, and it is necessary to reduce the electrical resistance of the cathode. Arise.
[0004]
In the case of a simple matrix driving type EL element, a striped conductive metal is used for the cathode. In order to reduce the electrical resistance of the cathode, it is sufficient to increase the thickness of the cathode, but this is not preferable because it causes deterioration of the organic light-emitting medium due to an increase in the substrate temperature during film formation.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made to solve these problems, and provides an EL device capable of obtaining sufficient luminance by reducing the electrical resistance of a cathode in an EL device having a high definition and a large area. There is.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object in the present invention, first, in claim 1, a plurality of anode lines including a transparent conductive film and a plurality of cathode lines including a metal layer on a translucent insulating substrate at least narrow a light emitting medium. In an electroluminescent device that is held and crosses each other,
Metal bus lines are formed in a two-row arrangement electrically insulated on an insulating layer for each pixel column,
And the edge of the cathode line is in contact with the metal bus lines at both ends of each pixel,
And both edges of the cathode line reach and contact the upper surface of the metal bus line;
An electroluminescent device characterized by the above.
[0007]
The electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal bus line has a shape in which the upper part is wider than the lower part in the width direction perpendicular to the metal bus line. It is what.
[0008]
Further, in claim 3, the conductive material used for the metal bus line is Mg, Ni, Cu, Cr, Ti, Fe, Co, Au, Ag, Al, Pt, Rh, Pd, Pb, Sn, or these The electroluminescent device according to claim 1, which is selected from alloys containing one or more metal elements.
[0009]
Moreover, in Claim 4, the height of the said metal bus line is 0.1-10 micrometers, The width | variety is 1-100 micrometers, It was set as the electroluminescent element in any one of Claims 1-3. Is.
[0010]
According to a fifth aspect of the present invention, in the electroluminescent element according to any one of the first to fourth aspects, the metal bus line has a multilayer structure.
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an electroluminescent device comprising: a plurality of anode lines including a transparent conductive film and a plurality of cathode lines including a metal layer on a translucent insulating substrate at least sandwiching a light emitting medium and intersecting each other. A method of manufacturing a nescent element, at least,
(A) First step of forming a plurality of anode lines including a transparent conductive film on a translucent insulating substrate
(B) Second step of forming an insulating layer crossing the anode line
(C) A third step of forming metal bus lines on the insulating layer in an electrically insulated and independent two-row arrangement.
(D) Fourth step of forming the light emitting medium
(E) Fifth step of forming cathode lines in contact with metal bus lines at both ends of each pixel
It is set as the manufacturing method of the electroluminescent element characterized by including these.
Further, in the seventh aspect of the invention, in the fifth step of forming the cathode line, the cathode line is formed by an oblique vapor deposition method. .
Moreover, in Claim 8, both the edge parts of the said cathode line reach | attain and contact the upper surface of the said metal bus line, The electroluminescent in any one of Claims 6-7 characterized by the above-mentioned. This is a method for manufacturing an element.
Moreover, in Claim 9, in the width direction perpendicular | vertical to the metal bus line, the said metal bus line is a shape whose width | variety is wider compared with the lower part, The Claim 6-8 characterized by the above-mentioned. This is a method for manufacturing an electroluminescent element.
Further, in claim 10, the metal used for the metal bus line is Mg, Ni, Cu, Cr, Ti, Fe, Co, Au, Ag, Al, Pt, Rh, Pd, Pb, Sn, or a metal thereof. It is set as the manufacturing method of the electroluminescent element in any one of Claims 6-9 chosen from the alloy containing 1 or more elements of an element.
The manufacturing method of an electroluminescent device according to claim 6 , wherein the metal bus line has a height of 0.1 to 10 μm and a width of 1 to 100 μm . It is a method.
Further, in the twelfth aspect of the invention, the metal bus line has a multilayer structure, and the method for manufacturing an electroluminescent element according to any one of the sixth to eleventh aspects.
Moreover, in Claim 13, the 3rd process which forms the said metal bus line forms a metal bus line including a plating method, The electroluminescent element in any one of Claims 6-12 characterized by the above-mentioned. This is a manufacturing method.
Moreover, in Claim 14, the 3rd process of forming the said metal bus line is a metal bus line,
A resist pattern is formed by photolithography,
A plating underlayer is formed by mask vapor deposition,
A metal layer is formed on the plating base layer by a plating method,
Removing the resist pattern;
The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 6, wherein the process includes a process.
Further, in claim 15, the plating base layer is a Cr layer and a Cu layer provided on the Cr layer,
The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 14, wherein the metal layer is a Cu layer.
Moreover, in Claim 16, the 3rd process of forming the said metal bus line is a metal bus line,
A resist pattern is formed by photolithography,
A plating underlayer is formed by mask vapor deposition,
Forming a first metal layer on the plating base layer by a plating method;
Forming a second metal layer on the first metal layer by vapor deposition;
Patterning the second metal layer by photolithography and wet etching with a first wet etchant;
Removing the resist pattern;
Using the second metal layer pattern as a mask, the first metal layer and the plating underlayer are patterned by a wet etching method using a wet etching solution different from the first wet etching solution,
The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 6, wherein the process includes a process.
In claim 17, the plating base layer is a Cr layer and a Cu layer provided on the Cr layer,
The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 16, wherein the first metal layer is a Cu layer, and the second metal layer is an Au layer.
Further, in claim 18, the first wet etching solution is aqua regia, and a wet etching solution different from the first wet etching solution is a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid and ceric ammonium nitrate. The method for producing an electroluminescent element according to any one of 16 to 17, wherein the method is an aqueous solution of perchloric acid.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the EL element of the present invention will be described in detail.
As the translucent insulating substrate in the present invention, a quartz substrate, a glass substrate, a plastic substrate or the like can be used.
[0012]
As the plurality of anode lines including the transparent conductive film in the present invention, ITO (indium tin oxide), indium zinc oxide, zinc aluminum oxide, or the like can be used.
[0013]
As the plurality of cathode lines including the metal layer in the present invention, MgAg, AlLi, CuLi or the like can be used.
[0014]
The luminescent medium in the present invention includes 9,10-diarylanthracene derivatives, salicylates, pyrenes, coronene, perylene, rubrene, tetraphenylbutadiene, 9,10-bis (phenylethynyl) anthracene, 8-quinolinolato lithium, tris (8-quinolinolato) aluminum complex (hereinafter abbreviated as Alq), N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -benzidine (hereinafter abbreviated as TPD), tris (5,7-dichloro, 8-quinolinolato) aluminum complex, tris (5-chloro-8-quinolinolato) aluminum complex, bis (8-quinolinolato) zinc complex, tris (5-fluoro-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5- Trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) Aluminum complexes, bis [8- (paratosyl) aminoquinoline] zinc complexes and cadmium complexes, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy-P-phenylene Examples include vinylene, and fluorescent substances and N, N ′ diaryl-substituted pyrrolopyrrole compounds mentioned in JP-A-4-31488, US Pat. Nos. 5,141,671 and 4,769,292, but are particularly limited to the above examples. is not.
[0015]
The conductive material used for the metal bus line which is the main feature of the present invention includes Ni, Cu, Cr, Ti, Fe, Co, Au, Ag, Al, Pt, Rh, Pd, Pb, Sn, or these metals It is preferably selected from an alloy containing one or more elements.
[0016]
The metal bus lines made of these materials preferably have as low resistance as possible at both ends of the line, preferably 1000 ohms or less, and more preferably 100 ohms or less. However, the width of the metal bus line is preferably 1/4 or less, more preferably 1/10 or less, of the maximum width of the pixel in order to ensure the transmittance of EL light. In addition, since the resistance of the bus line cannot be sufficiently reduced when the line width is 1/20 or less of the width of the cathode line, it is desirable that the line width is larger than 1/20 of the maximum width of the pixel.
[0017]
For example, when a bus line having a length of 7 cm is formed using a metal mainly composed of copper having a resistivity of 2 × 10 −6 Ω · cm for a width of 100 μm of the cathode line, the width of the bus line is set to the pixel width. If 10 μm of 1/10 and the height is 4 μm, the resistance value at both ends of the bus line is about 18 ohms, which is one-eighth the resistance of the cathode line consisting of only the cathode, and the drive voltage due to the voltage drop across the cathode line Can be prevented.
[0018]
Hereinafter, an example of the EL element of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this EL element, a transparent conductive film 2 (anode), a light emitting medium 5, a cathode 6 and a metal bus line 4 are formed on a translucent substrate 1.
[0019]
Below, an example of the manufacturing method of the EL element of this invention is shown.
First, the transparent conductive film 2 is formed on the translucent substrate 1 by a sputtering method, and the transparent conductive film 2 is patterned by a photolithography method and a wet etching method.
[0020]
Next, the insulating layer 3 is patterned on the substrate by a lift-off method. The insulating layer 3 is formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, a sol-gel method, or the like.
[0021]
Next, a resist pattern 7 is formed on the substrate by a photolithography method, and a Cu plating layer is used as a mask for patterning. The width of the opening portion of the resist pattern 7 is formed so that the upper portion is wider than the lower portion.
[0022]
Next, Cr and Cu are sequentially vapor-deposited in the openings of the resist pattern 7 on the substrate to form the plating base layer 8. Here, the opening portion of the vapor deposition mask is set to have the same size as the lower portion of the opening portion of the resist pattern 7. This is to prevent the metal from being deposited on the wall surface of the opening portion of the resist pattern 7 and to quickly perform the next lift-off process of the resist pattern 7. Further, the Cr layer improves the adhesion between the insulating layer and the Cu layer. Further, the Cu layer is a base for Cu plating.
[0023]
Next, a Cu metal bus line 4 is formed on the plating base layer 8 made of a Cr / Cu layer on the substrate by a gloss plating method or an electroless plating method. The height of the metal bus line 4 is formed to be lower than the height of the resist pattern 7. This is because the next lift-off process of the resist pattern 7 is performed quickly.
[0024]
Next, the resist 7 was lifted off with a stripping solution.
[0025]
Next, a hole transport layer and an electron transporting light emitting layer as the light emitting medium 5 are sequentially formed by a vacuum deposition method. At this time, the light emitting medium 5 is patterned using the metal bus line 4 as a mask.
[0026]
Next, the cathode 6 is formed by an oblique vapor deposition method. The cathode 6 is connected to the metal bus line 4 by obliquely depositing a conductive material to be the cathode 6. The angle between the vapor deposition direction of vapor deposition atoms and the axis perpendicular to the adhesion surface of the substrate is arbitrarily set from the shape and dimensions of the metal bus line 4. That is, the metal bus lines 4 are formed by arranging two rows in an electrically insulated state on the insulating layer for each pixel column, and when the cathode is deposited, the adjacent metal bus lines are in contact with each other. No vapor deposition is performed, and there is no short circuit between adjacent pixel columns.
[0027]
Finally, a protective film is formed by ion plating or the like and sealed.
[0028]
Hereinafter, an example of the EL element of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this EL element, an anode 2, a light emitting medium 5, a cathode 6 and a metal bus line 4 are formed on a translucent substrate 1. The metal bus line 4 has a structure in which two kinds of metals are laminated.
[0029]
Below, an example of the manufacturing method of the EL element of this invention is shown.
First, the transparent conductive film 2 is formed on the translucent substrate 1 by a sputtering method, and the transparent conductive film 2 is patterned by a photolithography method and a wet etching method.
[0030]
Next, the insulating layer 3 is patterned on the substrate by a lift-off method. The insulating layer 3 is formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, a sol-gel method, or the like.
[0031]
Next, a resist pattern 7 is formed on the substrate by a photolithography method, and a Cu plating layer is used as a mask for patterning.
[0032]
Next, Cr and Cu are sequentially vapor-deposited in the openings of the resist pattern 7 on the substrate to form the plating base layer 8. Here, the Cr layer improves the adhesion between the insulating layer and the Cu layer. Further, the Cu layer is a base for Cu plating.
[0033]
Next, a Cu metal bus line 4a is formed on the plating base layer 8 made of a Cr / Cu layer on the substrate by a gloss plating method or an electroless plating method.
[0034]
Next, Au is vacuum-deposited on the substrate.
[0035]
Next, the Au layer 4b is patterned on the substrate by photolithography and wet etching. Thereafter, the resist 7 is stripped with a stripping solution.
[0036]
Next, the metal / bus line 4 is formed by wet etching the Cr / Cu layer using the Au layer 4b on the substrate as a mask. First, the Cu layer is etched with a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid, and finally the Cr layer is etched with an aqueous solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid. The Au layer hardly dissolves in a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid, an aqueous solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid, and the width of the Au layer is wider than the width of the Cu layer. In this way, a metal bus line is formed so that the width of the upper layer is wider than the width of the lower layer by using a combination of substances with different etching solutions or a combination of substances with different etching rates under the same etching conditions. To do.
[0037]
Next, a hole transport layer and an electron transporting light emitting layer as the light emitting medium 5 are sequentially formed by a vacuum deposition method. At this time, the light emitting medium 5 is patterned using the metal bus line 4 as a mask.
[0038]
Next, the cathode 6 is formed by oblique vapor deposition and connected to the metal bus lines 4 at both ends of each pixel.
[0039]
Finally, a protective film is formed by ion plating or the like and sealed.
[0040]
【Example】
[Example 1]
Example 1 will be described below.
First, a transparent conductive film 2 made of ITO was formed on a glass substrate 1 by a sputtering method, and a pattern was formed by a photolithography technique and a wet etching method (see FIG. 3A). Further, in order to improve transparency and conductivity, heat treatment was performed in air at 230 ° C. for 1 hour to crystallize ITO.
[0041]
Next, an SiO 2 film pattern 3 having a width of 30 μm was formed on the substrate by a lift-off method (see FIG. 3B). The SiO 2 film 3 was formed to a thickness of 100 nm by a vacuum deposition method.
[0042]
Next, a resist pattern layer 7 having a height of 5 μm and having an opening portion having an upper width of 10 μm and a lower width of 9 μm at a predetermined position on the SiO 2 film pattern 3 was formed on the substrate by photolithography. (Refer FIG.3 (c)). The width between the openings of adjacent resist patterns on the SiO 2 film pattern 4 was 5 μm.
[0043]
Next, Cr 200 nm and Cu 100 nm were sequentially deposited on the openings of the resist pattern on the substrate. The opening portion of the pattern of the vapor deposition mask is 9 μm.
[0044]
Next, a metal bus line 4 was formed by depositing 4 μm of a Cu layer on the plating base layer 8 made of a Cr / Cu layer in the opening by a bright Cu plating method (see FIG. 3D).
[0045]
Next, the resist 7 was lifted off with a stripping solution (see FIG. 3E).
[0046]
Next, 50 nm of TPD as a hole transport layer and 50 nm of Alq as an electron transporting light emitting layer were formed at predetermined positions on the substrate by mask vapor deposition.
[0047]
Next, an AlLi alloy was deposited as the cathode 6 by an oblique one-source deposition method. Vapor deposition was performed by setting the angle formed by the vapor deposition direction of vapor deposition atoms and an axis perpendicular to the adhesion surface of the substrate to 30 degrees. First, AlLi was deposited to a thickness of 100 nm, and the cathode and the metal bus line on one side were connected. Next, the substrate was rotated by 180 ° C., AlLi was deposited to a thickness of 100 nm, and the cathode and the remaining metal bus line on one side were connected (see FIG. 3F).
[0048]
Next, a 1000 nm GeO film was formed as a protective film by an ion plating method.
[0049]
Finally, the glass substrate was bonded and sealed.
[0050]
When the EL element produced in this way was lit, the drive voltage could be lowered from 14V to 12V compared to the EL element without the metal bus line.
[0051]
[Example 2]
Example 2 will be described below.
First, a transparent conductive film 2 made of ITO was formed on a glass substrate 1 by a sputtering method, and a pattern was formed by a photolithography method and a wet etching method (see FIG. 4A). Further, in order to improve transparency and conductivity, heat treatment was performed in air at 230 ° C. for 1 hour to crystallize ITO.
[0052]
Next, an SiO 2 film pattern 3 having a width of 30 μm was formed on the substrate by a lift-off method (see FIG. 4B). The SiO 2 film 3 was formed to a thickness of 100 nm by a vacuum deposition method.
[0053]
Next, a resist pattern layer 7 having a height of 4 μm having an opening portion having a width of 25 μm was formed at a predetermined position on the SiO 2 film pattern 3 on the substrate by photolithography (see FIG. 4C). .
[0054]
Next, Cr was vapor-deposited successively in a thickness of 200 nm and Cu in a thickness of 100 nm in the openings of the resist pattern 7 on the substrate.
[0055]
Next, a metallic bus line 4a was formed by depositing a 3.2 μm Cu layer on the Cr / Cu layer 8 in the aperture by a bright Cu plating method (see FIG. 4D).
[0056]
Next, Au was vacuum-deposited on the substrate by 500 nm.
[0057]
Next, the Au layer 4b was patterned on the substrate by photolithography and wet etching. The Au layer 4b was etched with aqua regia. Thereafter, the resist 7 was stripped with a stripping solution (see FIG. 4E).
[0058]
Next, the metal / bus line 4 was formed by wet etching the Cr / Cu layer using the Au layer 4b on the substrate as a mask. First, the Cu layer was etched with a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid, and finally the Cr layer was etched with an aqueous solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid. At this time, the Au layer was hardly dissolved in a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid, an aqueous solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid, and the width of the Au layer was wider than that of the Cu layer (FIG. 4 ( f)).
[0059]
Next, 50 nm of TPD as a hole transport layer and 50 nm of Alq as an electron transporting light emitting layer were formed at predetermined positions on the substrate by mask vapor deposition.
[0060]
Next, an AlLi alloy was deposited as the cathode 6 by an oblique one-source deposition method. Vapor deposition was performed by setting the angle formed by the vapor deposition direction of vapor deposition atoms and an axis perpendicular to the adhesion surface of the substrate to 30 degrees. First, AlLi was deposited to a thickness of 100 nm, and the cathode and the metal bus line on one side were connected. Next, the substrate was rotated at 180 ° C., AlLi was deposited to a thickness of 100 nm, and the cathode and the remaining metal bus line on one side were connected.
[0061]
Next, a 1000 nm GeO film was formed as a protective film by an ion plating method.
[0062]
Finally, the glass substrate was bonded and sealed.
[0063]
When the EL element produced in this way was lit, the drive voltage could be lowered from 14V to 11V compared to the EL element without the metal bus line.
[0064]
The manufacturing method of the metal bus line of the organic thin film EL element of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be manufactured by other methods such as dry etching and laser processing.
[0065]
【The invention's effect】
According to the present invention, the drive voltage of the EL element can be lowered by providing the metal bus line in contact with the conductive material of the cathode line.
[0066]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing a cross-sectional structure of an example of an organic EL element of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a manufacturing process of an example of the organic EL element of the example.
FIG. 3 is an explanatory view showing a cross-sectional structure of an example of the organic EL element of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a manufacturing process of an example of the organic EL element of the example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Translucent insulated substrate 2 Transparent conductive film 3 Insulating layer 4 Metal bus line 4a Cu layer 4b Au layer 5 Light emitting medium 6 Cathode 7 Resist layer 8 Plating underlayer

Claims (18)

透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子において、
金属バスラインが画素列毎に絶縁層上に電気的に絶縁された２列配列で形成され、
且つ、陰極ラインの縁部が、各画素の両端の金属バスラインに接し、
且つ、前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していること、
を特徴とするエレクトロルミネッセント素子。In an electroluminescent device in which a plurality of anode lines including a transparent conductive film and a plurality of cathode lines including a metal layer on a light-transmitting insulating substrate sandwich at least a light emitting medium and intersect each other.
Metal bus lines are formed in a two-row arrangement electrically insulated on an insulating layer for each pixel column,
And the edge of the cathode line is in contact with the metal bus lines at both ends of each pixel,
And both edges of the cathode line reach and contact the upper surface of the metal bus line;
An electroluminescent device characterized by the above. 前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子。2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal bus line has a shape in which the upper portion is wider than the lower portion in a width direction perpendicular to the metal bus line. 前記金属バスラインに用いる金属が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項１〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子。The metal used for the metal bus line is Mg, Ni, Cu, Cr, Ti, Fe, Co, Au, Ag, Al, Pt, Rh, Pd, Pb, Sn, or an alloy containing one or more of these metal elements. The electroluminescent device according to claim 1, which is selected. 前記金属バスラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項１〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子。The electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal bus line has a height of 0.1 to 10 μm and a width of 1 to 100 μm. 前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子。The electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal bus line has a multilayer structure. 透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、少なくとも、A method for manufacturing an electroluminescent device, wherein a plurality of anode lines including a transparent conductive film and a plurality of cathode lines including a metal layer on a light-transmitting insulating substrate sandwich at least a light-emitting medium and intersect each other. At least,
（ａ）透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインを形成する第１工程(A) First step of forming a plurality of anode lines including a transparent conductive film on a translucent insulating substrate
（ｂ）前記陽極ラインと交差して、絶縁層を形成する第２工程(B) Second step of forming an insulating layer crossing the anode line
（ｃ）前記絶縁層上に、電気的に絶縁され、独立した２列配列で、金属バスラインを形成する第３工程(C) A third step of forming metal bus lines on the insulating layer in an electrically insulated and independent two-row arrangement.
（ｄ）発光媒体を形成する第４工程(D) Fourth step of forming the light emitting medium
（ｅ）各画素の両端の金属バスラインに接して陰極ラインを形成する第５工程(E) Fifth step of forming cathode lines in contact with metal bus lines at both ends of each pixel
を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The manufacturing method of the electroluminescent element characterized by including. 前記陰極ラインを形成する第５工程が、陰極ラインを斜め蒸着法で形成することを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The method according to claim 6, wherein the fifth step of forming the cathode line forms the cathode line by an oblique deposition method. 前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していることを特徴とする請求項６〜７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。8. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 6, wherein both edges of the cathode line reach and contact an upper surface of the metal bus line. 9. 前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。9. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 6, wherein the metal bus line has a shape in which the upper part is wider than the lower part in the width direction perpendicular to the metal bus line. 前記金属バスラインに用いる金属が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項６〜９のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。The metal used for the metal bus line is Mg, Ni, Cu, Cr, Ti, Fe, Co, Au, Ag, Al, Pt, Rh, Pd, Pb, Sn, or an alloy containing one or more of these metal elements. The method for producing an electroluminescent element according to any one of claims 6 to 9, which is selected. 前記金属バスラインの高さが０The height of the metal bus line is 0 .1.1 〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項６〜１０のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。The method for producing an electroluminescent element according to claim 6, wherein the width is 1 to 100 μm. 前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項６〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 6, wherein the metal bus line has a multilayer structure. 前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインをメッキ法を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。13. The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 6, wherein the third step of forming the metal bus line includes forming the metal bus line by a plating method. 前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、The third step of forming the metal bus line includes the metal bus line,
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、A resist pattern is formed by photolithography,
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、A plating underlayer is formed by mask vapor deposition,
前記メッキ下地層上にメッキ法で金属層を形成し、A metal layer is formed on the plating base layer by a plating method,
前記レジストパターンを除去する、Removing the resist pattern;
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。It forms including a process, The manufacturing method of the electroluminescent element in any one of Claims 6-13 characterized by the above-mentioned. 前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、The plating base layer is a Cr layer and a Cu layer provided on the Cr layer,
且つ、前記金属層がＣｕ層であることを特徴とする請求項１４に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 14, wherein the metal layer is a Cu layer. 前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、The third step of forming the metal bus line includes the metal bus line,
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、A resist pattern is formed by photolithography,
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、A plating underlayer is formed by mask vapor deposition,
前記メッキ下地層上にメッキ法で第一金属層を形成し、Forming a first metal layer on the plating base layer by a plating method;
前記第一金属層上に蒸着法で第二金属層を形成し、Forming a second metal layer on the first metal layer by vapor deposition;
フォトリソグラフィー法及び第一ウエットエッチング液でのウェットエッチング法で第二金属層をパターニングし、Patterning the second metal layer by photolithography and wet etching with a first wet etchant;
前記レジストパターンを除去し、Removing the resist pattern;
前記第二金属層パターンをマスクとして、前記第一金属層と前記メッキ下地層を前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液でのウエットエッチング法でパターニングする、Using the second metal layer pattern as a mask, the first metal layer and the plating underlayer are patterned by a wet etching method using a wet etching solution different from the first wet etching solution,
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。It forms including a process, The manufacturing method of the electroluminescent element in any one of Claims 6-13 characterized by the above-mentioned. 前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、The plating base layer is a Cr layer and a Cu layer provided on the Cr layer,
且つ、前記第一金属層がＣｕ層であり、且つ、前記第二金属層がＡｕ層であることを特徴とする請求項１６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 16, wherein the first metal layer is a Cu layer, and the second metal layer is an Au layer. 前記第一ウエットエッチング液が王水であり、且つ、前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液が、硝酸とふっ酸の混合液及び硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液であることを特徴とする１６〜１７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。The first wet etching solution is aqua regia, and the wet etching solution different from the first wet etching solution is a mixed solution of nitric acid and hydrofluoric acid and an aqueous solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid. The manufacturing method of the electroluminescent element in any one of 16-17 characterized by the above-mentioned.
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