JP4111703B2 - Wafer lift mechanism - Google Patents
Wafer lift mechanism Download PDFInfo
- Publication number
- JP4111703B2 JP4111703B2 JP2001322364A JP2001322364A JP4111703B2 JP 4111703 B2 JP4111703 B2 JP 4111703B2 JP 2001322364 A JP2001322364 A JP 2001322364A JP 2001322364 A JP2001322364 A JP 2001322364A JP 4111703 B2 JP4111703 B2 JP 4111703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lift
- heater
- wafer
- guide device
- lift mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【0001】
【技術分野】
本発明は、半導体製造装置のウエハリフト機構に関し、リフトピンの中間部の径を上部の径より小さくするかまたはヒーターの下面近傍のガイド孔の径をその上部より大きくすることでリフトピンとガイド孔とのクリアランスを設け、ヒーターがゼロでない角度を有しているときにヒーター下面とリフトピンの接触をなくし、リフトピンがなめらかに移動できるウエハリフト機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1を用いて従来技術による半導体製造装置におけるウエハリフト機構を説明する。同図はウエハリフト機構の横断面を表した概念図である。図1Aはウエハリフト機構の初期位置を表し、リフトピン11はヒーター12を上下に貫通する円柱状部材(以下ガイド装置と称する)を貫通し、リフトプレート13と接触している。リフトプレート13とリフトチューブ14は接続しており、たとえばバネ17によりチャンバー16からバネ17によって弾性支持されている。またヒーター12はヒーター下部のヒータークランプ15によりリフトチューブ14およびリフトプレート13を下に押し下げている。通常該機構はヒーター12の上面が水平でリフトチューブ14が鉛直方向になるように設置されるが、ウエハ処理工程などに関連して該機構全体の角度が微調整できる機構(図示しない)が付属しており、状況によっては前記水平および鉛直方向とは若干ずれた角度に設定されることがある。
【0003】
次に同図Bではウエハが搬送用ロボットアーム(以下ロボットアームと称する、またロボットアームは図示しない)によってヒーター上部に運ばれると、ヒーター12が上方に移動する。このときヒータークランプ15によって押し下げられているリフトチューブ14およびリフトプレート13も、圧縮バネ17によって共に上方に移動しリフトピン11によってウエハが持ち上げられ所定の位置で停止する。ロボットアームが格納されるとヒーター12はさらに上方へ移動する、またリフトプレート13、リフトチューブ14はストッパー(図示しない)によって途中で停止しそれに伴いリフトピンも停止する。
【0004】
同図Cはヒーターがウエハおよびリフトピンを持ち上げている状態を示した図である。この状態で主にCVD処理が行われる。またリフトピンはこのとき該ピンの上端にある「つば」によりヒーターにぶら下がっている状態となる。
【0005】
同図Dにおいて、処理が終了しヒーター12が下がると最初にリフトピン11がリフトプレート13に接触する。さらにヒーター12が下降し、ヒータークランプ15がリフトチューブ14に接触するまではヒーター12のみが下降する。このときウエハはリフトピン11のみで支えられている状態となり、ヒーターとの間に間隙が生じ、該間隙にロボットアームが挿入される。
【0006】
次に同図Eにより、ヒーター12がさらに下降するとヒータークランプ15がリフトチューブ14を押し下げ、ゆえにリフトプレート13、リフトピン11は共に下降する。よってロボットアームにウエハが残り次の工程に進むことができる。
【0007】
以上が従来のウエハリフト機構の一連の動作である。またこの動作に関しては本発明においても同様である。
【0008】
次に従来技術の問題点を示す。図1DおよびEにおいて前記記載の通りリフトピン、リフトプレート、リフトチューブは停止したままヒーターのみ下降する。従ってリフトピンとガイド装置は相対的にスライドする。このときウエハリフト機構が鉛直方向に対して傾いているとき、リフトピンは図2A、Bに示したようにガイド孔内で斜めに位置しこの状態でヒーターが下降する。このときガイド孔の下端とリフトピンの側面までの鉛直方向の距離が次第に小さくなりやがては接触する。
【0009】
通常、半導体製造装置において、CVDの場合にはチャンバー内は約1×10−7Torrの真空(ウエハ処理中は数Torr)であり、ヒーターの熱によってリフトピンは摂氏約450度に熱せられる。従って潤滑作用の効果があるリフトピンおよびガイド孔内壁に付着した水分または不純物等は、蒸発によって離脱するためリフトピンとガイド孔内壁との摩擦は大きくなり、従って図2Bに示したようにリフトピンとガイド孔下端が接触するとリフトピンが「ひっかかる」状態となる。この状態でヒーターが下降するとリフトピン自体がリフトプレートを下に押し下げる結果となる。このとき何らかの原因で「ひっかかり」がはずれると、バネ17と連結しているリフトプレートが急激に上方に戻り、結果的にリフトピン11がウエハ10を「弾く」こととなる。この結果ウエハの位置のずれ、落下および破損などの問題が生じる。また、この問題は半導体製造プロセスにおいて、ウエハ処理枚数が25枚に1回から2回の割合で発生し、これは量産の工程においてはきわめて重大な問題である。
【0010】
この問題は上述したように、リフトピンとガイド孔内壁との摩擦が引き起こす問題である。通常、半導体製造工程において、各工程間では工程区域へのウエハの移動のため、チャンバー内は大気解放環境および室温下にさらされる。このとき、潤滑作用のある大気中の水分および「ちり」等のいわゆる微粒子が可動部材表面に付着する。しかしながら、例えばCVD処理においては、処理前にあらかじめチャンバー内の圧力を約1×10−7Torrに減圧するため、これに伴い各部材表面に付着した水分は蒸発する。またCVD処理中はヒーターによってウエハを摂氏約450度に保つため、各部材表面に付着した前記微粒子は熱により離脱する。従ってリフトピンとガイド孔との間には潤滑作用が働かなくなり、前記大気解放環境および室温下に比べて大きな摩擦が生じ、これが「ひっかかる」原因となる。
【0011】
つまり該「ひっかかり」はチャンバー内の、真空または高温という2つの環境によって生じる特有の問題である。
【0012】
【発明が解決する課題】
本発明は前記問題を解決することを課題とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体製造装置におけるウエハリフト機構であって、ヒーターと、該ヒーターを上下に貫通するガイド装置と、該ガイド装置を貫通して前記ヒーターに対して上下に相対的に移動できるように配置され、上端に有するつばにより前記ヒーターにぶら下がって支持される一体構成のリフトピンとを有し、前記リフトピンは、前記つばと、前記ガイド装置の下端よりも常に上方に位置し、前記つばの下方に位置する上部と、前記ガイド装置に対する相対位置によって前記ガイド装置の下端の上下に位置し、前記上部の下方に位置する中間部とを有し、前記中間部の径は前記上部の径よりも小さいことを特徴とするウエハリフト機構を提供する。
【0015】
【実施例】
図3AからDに本発明によるウエハリフト機構のリフトピン11およびガイド20またはヒーター12との相対的な動作を示した。リフトピン11は前記記載の通り上部33および中間部32を有し、該中間部32は、上部よりテーパー状の部位30を経て径が上部より小さくなっている。またガイド装置下面に対しその上下に位置する。上部33はリフトピンの振動または「がたつき」などを防止し、ガイドとしての機能を有する。図3C、Dを見ると、中間部とガイド孔とのクリアランス31が上部に対して大きいことがわかる。中間部32はガイド孔とのクリアランスを上部より大きくとってあればよく、従って図の例では中間部の一部がテーパー状であるが、中間部から下端にかけて緩やかなテーパー状、つまり錐形であっても良い。また形状はこれらに限定されない。
【0016】
図4に本発明によるウエハリフト機構のガイド装置20とリフトピンとの相対的な動作を示した。図4Aのリフトピンのヒーター下面近傍から下の領域が中間部となり、ガイドにテーパー40がかけられている。図4B、Cではリフトピンの下部とガイド孔が上部より大きいクリアランスを保っている。テーパーの形状は図では放物線状の断面を有しているが、形状はこれに限定されない。
【0017】
次に本発明をより詳細に説明する。図3においてウエハリフト機構が傾いている場合、リフトピンは図3Bに示したようにリフトピンの上端の「つば」によってガイドとの平行を保つ。次にヒーター12が下降し図1Dに示したようにリフトピンがリフトプレートに接触し、該ピンの「つば」がガイドからはずれると図3C、Dに示したようにガイド内でリフトピンが斜めに位置する。さらにヒーターが下降するとガイド孔の下端とリフトピンとの垂直距離が次第に短くなる。このときテーパー30によってリフトピン11とガイド孔との間に十分なクリアランス31が存在すると該ピンがガイドにひっかかることなくヒーター12は所定の位置まで下降することができる。これはまた図4においても同様の議論が成り立つ。
【0018】
またリフトピン上部においてはガイド装置内壁と接触しているために、リフトピンがガイド装置に比して軟質の材料で構成されている場合には、リフトピン上部が削られ粒子等によるウエハの汚染を誘引する。よってリフトピンはガイドに比して硬質な材料を用いる。また詳細は後述するが、半導体製造工程におけるプロセスチャンバー内は高真空であり、ウエハは高温で処理されることを考慮すると通常ガイド装置およびリフトピンには、例えばセラミックス (アルミナ、SiC)、アルミニウム、ステンレス、チタン、石英などの中から上述の条件を満たすものを選択することが考えられる、また熱分解性窒化硼素(PBN:Pyrolytic Boron Nitride)をリフトピン表面にコーティングしても良い。しかしながら、上述の条件を満たす材料はこれらに限定されるものではない。
【0019】
本発明は半導体製造工程において主にCVDで用いられるが、PVD、ウエハクリーニング(ドライクリーニング)など真空チャンバーを用いて高真空および高温で処理を行う工程全てに対しても使用可能である。
【0020】
また本発明は、半導体製造装置の始動初期(装置の立ち上げ時)においては、ウエハの搬送等の動作確認を行う必要があるがこの場合においても有効である。従って、常圧、常温の下でも本発明は用いられる。これらのことを考慮すると、本発明は、気圧が大気圧から1×10−9Torr程度、温度は常温から摂氏500度程度の環境で使用できる。特に、ウエハ温度が摂氏400度以上、例えば摂氏400度〜摂氏500度とされる半導体製造装置において、本発明は有効である。しかしながらこれらに限定されるものではない。
【0021】
本発明の本質はリフトピンの中間部とガイド孔下端近傍とのクリアランスを十分に保つことである。従ってこれを満足する形状であれば本発明の範囲に含まれる。
【0022】
本実施例ではテーパー形状を示したが、別の実施例を図6に示した。図6Aはクリアランスを保つために十分な径を有するガイド孔に対し、リフトピン上部にリング状のスペーサ60を設置したものである。図6Bは同様に十分大きな径を持つガイド孔の内壁に凸状のガイド装置61を有せしめたものである。
【0023】
これらはリフトピン中間部とガイドまたはヒーター下面近傍との十分大きなクリアランスを保つための他の実施例であるが、形状はこれに限定されるものではない。
【0024】
また本記載においてヒーターを上下に貫通する円柱状部材をガイド装置と称したが、ヒーターを上下に連通する連通孔も含まれる。
【0025】
最後に当該ウエハリフト機構の半導体製造装置におけるチャンバーも含めた全体の構成を説明する。図5に真空チャンバー内における本発明の具体的な一例を示した。当該ウエハリフト機構51は図に示したように真空チャンバー50内に設置され、前述した動作を行う。チャンバー上部には半導体製造工程におけるガス導入口55が配置されており、該ウエハリフト機構はウエハに対しガスが適切に導入されるように、角度微調節機構(図示しない)を有している。また該ウエハリフト機構51はリフトチューブ14の上下動作を可能にするスライド部53と、該スライド部53とリフトチューブ14を接続するリフトチューブ支持部材54を有しており、該ウエハリフト機構は、該ウエハリフト機構をチャンバーと接続するためのウエハリフト機構支持部材52に固定されている。またヒーターの上下動作に伴いリフトチューブも上下方向に移動できるようにするためのバネ17が、ウエハリフト機構支持部材52とリフトチューブ支持部材54の間に配置されている。
【0026】
【発明の効果】
上述の記載から、本発明によってリフトピンと、ガイド装置下端との接触をなくし、円滑な動作をするウエハリフト機構を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1はウエハリフト機構の一連の動作を示した図である。
【図2】 図2は傾斜したウエハリフト機構とリフトピンとの相対的な配置、およびヒーターが下降したときのリフト機構とリフトピンとの相対的な配置を示している。
【図3】 図3は本発明のリフトピンおよびリフトピンにテーパーを設けたときのリフトピンとヒーターとの相対的な動作を示した図である。
【図4】 図4はガイド装置にテーパーを設けたときのリフトピンとガイド装置またはヒーターとの相対的な動作を示した図である。
【図5】 図5は真空チャンバー内における本発明の構成である。
【図6】 図6は本発明の他の実施例を示した。
【符号の説明】
10 ウエハ
11 リフトピン
12 ヒーター
13 リフトプレート
14 リフトチューブ
15 ヒータークランプ
16 チャンバ
17 バネ
20 ガイド装置
30 リフトピンのテーパー
31 リフトピントガイド装置とのクリアランス
32 中間部
33 上部
40 ガイド装置のテーパー
50 真空チャンバー
51 ウエハリフト機構
52 ウエハリフト機構支持部材
53 スライド部
54 リフトチューブ支持部材
55 ガス導入用ダクト
60 スペーサ
61 ガイド装置[0001]
【Technical field】
The present invention relates to a wafer lift mechanism of a semiconductor manufacturing apparatus, wherein the diameter of the intermediate portion of the lift pin is made smaller than the upper diameter or the diameter of the guide hole near the lower surface of the heater is made larger than the upper portion so that the lift pin and the guide hole The present invention relates to a wafer lift mechanism in which a clearance is provided and when the heater has a non-zero angle, contact between the lower surface of the heater and the lift pins is eliminated, and the lift pins can move smoothly.
[0002]
[Prior art]
A wafer lift mechanism in a conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIG. This figure is a conceptual diagram showing a cross section of the wafer lift mechanism. FIG. 1A shows the initial position of the wafer lift mechanism, and the lift pins 11 pass through a columnar member (hereinafter referred to as a guide device) penetrating the heater 12 up and down, and are in contact with the lift plate 13. The lift plate 13 and the
[0003]
Next, in FIG. 7B, when the wafer is carried to the upper part of the heater by a transfer robot arm (hereinafter referred to as a robot arm, and the robot arm is not shown), the heater 12 moves upward. At this time, the
[0004]
FIG. 3C is a view showing a state where the heater lifts the wafer and lift pins. In this state, the CVD process is mainly performed. At this time, the lift pin is in a state of being hung from the heater by the "brim" at the upper end of the pin.
[0005]
In FIG. D, when the process is completed and the heater 12 is lowered, the lift pins 11 first come into contact with the lift plate 13. Further, the heater 12 is lowered, and only the heater 12 is lowered until the
[0006]
Next, as shown in FIG. E, when the heater 12 is further lowered, the
[0007]
The above is a series of operations of the conventional wafer lift mechanism. This operation is the same in the present invention.
[0008]
Next, problems of the prior art are shown. As described above in FIGS. 1D and 1E, the lift pins, the lift plate, and the lift tube are lowered and only the heater is lowered. Therefore, the lift pin and the guide device slide relative to each other. At this time, when the wafer lift mechanism is inclined with respect to the vertical direction, the lift pins are positioned obliquely in the guide holes as shown in FIGS. 2A and 2B, and the heater is lowered in this state. At this time, the distance in the vertical direction between the lower end of the guide hole and the side surface of the lift pin gradually decreases and comes into contact.
[0009]
Normally, in a semiconductor manufacturing apparatus, in the case of CVD, the inside of a chamber is a vacuum of about 1 × 10 −7 Torr (several Torr during wafer processing), and the lift pins are heated to about 450 degrees Celsius by the heat of the heater. Therefore, the lift pins and the guide hole inner walls adhering to the lubrication effect are separated by evaporation, so that the friction between the lift pins and the guide hole inner walls is increased. Therefore, as shown in FIG. When the lower end comes into contact, the lift pin enters a “hooked” state. When the heater is lowered in this state, the lift pins themselves push down the lift plate. At this time, if the “catch” is removed for some reason, the lift plate connected to the
[0010]
As described above, this problem is caused by friction between the lift pin and the guide hole inner wall. Usually, in a semiconductor manufacturing process, the chamber is exposed to an open atmosphere and a room temperature due to the movement of a wafer to a process area between processes. At this time, moisture in the atmosphere having a lubricating action and so-called fine particles such as “dust” adhere to the surface of the movable member. However, in the CVD process, for example, since the pressure in the chamber is reduced to about 1 × 10 −7 Torr before the process, moisture attached to each member surface evaporates accordingly. Further, during the CVD process, the wafer is kept at about 450 degrees Celsius by a heater, so that the fine particles adhering to the surface of each member are detached by heat. Therefore, the lubrication action does not work between the lift pin and the guide hole, and a large friction is generated as compared with the atmospheric release environment and the room temperature, which causes “scramble”.
[0011]
In other words, the “stagnation” is a unique problem caused by two environments in the chamber, vacuum or high temperature.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to solve the above problems.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer lift mechanism in a semiconductor manufacturing apparatus, comprising a heater, a guide device penetrating the heater up and down, and penetrating the guide device up and down with respect to the heater. A lift pin that is arranged so as to be relatively movable and is supported by being suspended from the heater by a flange at the upper end, the lift pin being always above the flange and the lower end of the guide device. An upper portion located below the collar, and an intermediate portion located above and below the lower end of the guide device relative to the guide device and located below the upper portion, the diameter of the intermediate portion Provides a wafer lift mechanism that is smaller than the upper diameter.
[0015]
【Example】
3A to 3D show relative operations of the lift pins 11 and the
[0016]
FIG. 4 shows the relative operation of the
[0017]
The present invention will now be described in more detail. When the wafer lift mechanism is tilted in FIG. 3, the lift pins are kept in parallel with the guides by the “ribs” at the upper ends of the lift pins as shown in FIG. 3B. Next, when the heater 12 is lowered and the lift pin comes into contact with the lift plate as shown in FIG. 1D, and the “rib” of the pin is removed from the guide, the lift pin is positioned obliquely in the guide as shown in FIGS. 3C and D. To do. When the heater is further lowered, the vertical distance between the lower end of the guide hole and the lift pin is gradually shortened. At this time, if there is a sufficient clearance 31 between the lift pin 11 and the guide hole due to the
[0018]
Further, since the upper part of the lift pin is in contact with the inner wall of the guide device, when the lift pin is made of a softer material than the guide device, the upper part of the lift pin is shaved to induce contamination of the wafer by particles or the like. . Therefore, the lift pin uses a material harder than the guide. Although details will be described later, in consideration of the fact that the inside of the process chamber in the semiconductor manufacturing process is a high vacuum and the wafer is processed at a high temperature, for example, ceramics (alumina, SiC), aluminum, stainless steel are usually used as guide devices and lift pins. It is conceivable to select a material satisfying the above-mentioned conditions from titanium, quartz, or the like. Alternatively, pyrolytic boron nitride (PBN) may be coated on the surface of the lift pin. However, materials that satisfy the above-mentioned conditions are not limited to these.
[0019]
The present invention is mainly used in the semiconductor manufacturing process by CVD, but can also be used for all processes in which high-vacuum and high-temperature processing is performed using a vacuum chamber such as PVD and wafer cleaning (dry cleaning).
[0020]
In addition, the present invention is effective even in the initial stage of starting the semiconductor manufacturing apparatus (when the apparatus is started up), in which it is necessary to confirm the operation such as wafer transfer. Therefore, the present invention can be used even under normal pressure and normal temperature. Considering these, the present invention can be used in an environment where the atmospheric pressure is from atmospheric pressure to about 1 × 10 −9 Torr and the temperature is from room temperature to about 500 degrees Celsius. In particular, the present invention is effective in a semiconductor manufacturing apparatus in which the wafer temperature is 400 degrees Celsius or higher, for example, 400 degrees Celsius to 500 degrees Celsius. However, it is not limited to these.
[0021]
The essence of the present invention is to maintain a sufficient clearance between the intermediate portion of the lift pin and the vicinity of the lower end of the guide hole. Therefore, any shape satisfying this is included in the scope of the present invention.
[0022]
In this embodiment, a tapered shape is shown, but another embodiment is shown in FIG. In FIG. 6A, a ring-shaped
[0023]
These are other embodiments for maintaining a sufficiently large clearance between the lift pin intermediate portion and the vicinity of the lower surface of the guide or the heater, but the shape is not limited to this.
[0024]
In this description, the cylindrical member that penetrates the heater up and down is referred to as a guide device, but a communication hole that communicates the heater up and down is also included.
[0025]
Finally, the overall structure including the chamber in the semiconductor manufacturing apparatus of the wafer lift mechanism will be described. FIG. 5 shows a specific example of the present invention in a vacuum chamber. The wafer lift mechanism 51 is installed in the vacuum chamber 50 as shown in FIG. A gas introduction port 55 in the semiconductor manufacturing process is disposed in the upper portion of the chamber, and the wafer lift mechanism has an angle fine adjustment mechanism (not shown) so that gas is appropriately introduced into the wafer. The wafer lift mechanism 51 includes a slide portion 53 that enables the
[0026]
【The invention's effect】
From the above description, according to the present invention, it is possible to provide a wafer lift mechanism that eliminates the contact between the lift pins and the lower end of the guide device and operates smoothly.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a series of operations of a wafer lift mechanism.
FIG. 2 shows the relative arrangement of the tilted wafer lift mechanism and lift pins, and the relative arrangement of the lift mechanism and lift pins when the heater is lowered.
FIG. 3 is a view showing a relative operation of a lift pin and a heater when a taper is provided on the lift pin and the lift pin of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a relative operation of a lift pin and a guide device or a heater when a taper is provided in the guide device.
FIG. 5 shows the configuration of the present invention in a vacuum chamber.
FIG. 6 shows another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記リフトピンは、前記つばと、前記ガイド装置の下端よりも常に上方に位置し、前記つばの下方に位置する上部と、前記ガイド装置に対する相対位置によって前記ガイド装置の下端の上下に位置し、前記上部の下方に位置する中間部とを有し、前記中間部の径は前記上部の径よりも小さいことを特徴とするウエハリフト機構。A wafer lift mechanism in a semiconductor manufacturing apparatus, wherein a heater, a guide device penetrating the heater up and down, and a guide device penetrating through the guide device are arranged so as to be movable up and down relative to the heater, A lift pin with an integral structure supported by hanging from the heater by a collar having
The lift pins and the collar, positioned always above the lower end of the guide device, an upper portion located below the collar, located above and below the lower end of the guide device by a relative position with respect to the guide device, wherein And a middle portion located below the upper portion, wherein the diameter of the middle portion is smaller than the diameter of the upper portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001322364A JP4111703B2 (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Wafer lift mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001322364A JP4111703B2 (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Wafer lift mechanism |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003124297A JP2003124297A (en) | 2003-04-25 |
JP4111703B2 true JP4111703B2 (en) | 2008-07-02 |
Family
ID=19139423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001322364A Expired - Fee Related JP4111703B2 (en) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | Wafer lift mechanism |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4111703B2 (en) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100367485C (en) * | 2003-04-21 | 2008-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate |
JP4354243B2 (en) * | 2003-04-21 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Elevating mechanism and processing apparatus for workpiece |
US8033245B2 (en) | 2004-02-12 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support bushing |
US20060016398A1 (en) * | 2004-05-28 | 2006-01-26 | Laurent Dubost | Supporting and lifting device for substrates in vacuum |
US8365682B2 (en) * | 2004-06-01 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for supporting substrates |
JP2006313766A (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Nikon Corp | Substrate holder, stage apparatus and exposure apparatus |
KR101215893B1 (en) | 2005-07-11 | 2012-12-27 | 주성엔지니어링(주) | Substrate supporting device comprising member of going up and down |
CN100440476C (en) * | 2005-09-30 | 2008-12-03 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate placing mechanism and substrate processing device |
KR100945178B1 (en) | 2008-04-24 | 2010-03-03 | 이옥기 | Bushing of removal device |
JP5047883B2 (en) * | 2008-06-05 | 2012-10-10 | 住友重機械工業株式会社 | Suction board |
US20090314211A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-24 | Applied Materials, Inc. | Big foot lift pin |
JP2010016053A (en) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Transfer mechanism for target object to be inspected |
JP5543123B2 (en) * | 2009-03-30 | 2014-07-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Heat treatment susceptor and heat treatment apparatus |
CN103828035B (en) | 2011-10-20 | 2016-11-23 | 应用材料公司 | Substrate supports axle bush |
JP6507573B2 (en) * | 2014-10-31 | 2019-05-08 | 株式会社Sumco | Lift pin, epitaxial growth apparatus using the lift pin and method of manufacturing epitaxial wafer |
JP6451508B2 (en) * | 2015-05-29 | 2019-01-16 | 株式会社Sumco | Epitaxial growth apparatus, epitaxial wafer manufacturing method, and lift pin for epitaxial growth apparatus |
JP6551335B2 (en) * | 2016-08-01 | 2019-07-31 | 株式会社Sumco | Susceptor support shaft and epitaxial growth apparatus |
KR102053593B1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-12-09 | 주식회사 테스 | Movement method of Lift pin and Substrate process apparatus |
-
2001
- 2001-10-19 JP JP2001322364A patent/JP4111703B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003124297A (en) | 2003-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4111703B2 (en) | Wafer lift mechanism | |
US11133210B2 (en) | Dual temperature heater | |
JP6794526B2 (en) | A device for manipulating a semiconductor wafer in an epitaxy reactor and a method for manufacturing a wafer on a semiconductor having an epitaxy layer. | |
JP4669606B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate support method | |
JP4729160B2 (en) | Device to prevent edge accumulation | |
US7922440B2 (en) | Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber | |
JP4669476B2 (en) | Holder for supporting wafers during semiconductor manufacturing | |
US6146463A (en) | Apparatus and method for aligning a substrate on a support member | |
US5605574A (en) | Semiconductor wafer support apparatus and method | |
JP2000294620A (en) | Semiconductor processing device | |
KR20070091332A (en) | Wafer support pin assembly | |
TW200816347A (en) | Bernoulli wand | |
KR20010082657A (en) | Fastening device for a purge ring | |
JP7290739B2 (en) | Replaceable end effector contact pads, end effectors and maintenance methods | |
EP1184894A1 (en) | Susceptor for semiconductor wafers | |
TW202145420A (en) | Wafer lift pin mechanism for preventing local backside deposition | |
CN113241312A (en) | Process chamber of semiconductor process equipment and semiconductor process equipment | |
JP7021969B2 (en) | Vacuum suction member and vacuum suction method | |
WO2001031700A1 (en) | Wafer holder and epitaxial growth device | |
CN214271039U (en) | Substrate tray and reactor with same | |
JP2971818B2 (en) | Wafer heat treatment equipment | |
JP5060916B2 (en) | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and substrate processing method | |
KR100855091B1 (en) | Reaction chamber for processing semiconductor wafers | |
CN114686857A (en) | Substrate tray and reactor with same | |
JPH0610689Y2 (en) | CVD equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070511 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070516 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070613 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070925 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20071106 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071225 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080408 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |