JP4107654B2 - 高周波スイッチ - Google Patents
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- Electronic Switches (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Transceivers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線機器などに使用される高周波スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３に、例えばアンテナを送受共用とした無線機器の受信側などに使用される従来のマイクロ波スイッチの例として、ダイオードを用いた１入力１出力スイッチ（以下、ＳＰＳＴスイッチと呼ぶ）を示す。
【０００３】
図３において、ダイオード３１をオン状態とし、ダイオード３２をオフ状態とすると、入力端子３４より入力された高周波信号は出力端子３５に出力される。この状態を通過状態と呼ぶことにする。
【０００４】
一方、ダイオード３１をオフ状態とし、ダイオード３２をオン状態とすると入力端子３４より入力された高周波信号は、ダイオード３２を通過し終端抵抗３３に吸収される。この状態を吸収状態と呼ぶことにする。
【０００５】
図３に示すこのＳＰＳＴスイッチでは、吸収状態において、入力端子３４のＶＳＷＲは、入力信号が終端抵抗３３に吸収されているため、十分良好なものとなっている。しかしながら、出力端子３５のＶＳＷＲは、ダイオード３１がオフ状態となっているため、ほぼ全反射に近く、ＶＳＷＲも劣化するという問題があった。
【０００６】
また、従来の高周波スイッチの他の例として、ＦＥＴを用いた１入力多出力スイッチが、特許文献１に記載されている。この高周波スイッチにおいては、あるＦＥＴがオン状態となって入力信号が出力端子に出力されるときに、オフ状態となっている他のＦＥＴのオフ時容量による導通ロスを防止するためインダクタを利用している。しかし、入力端子や出力端子のＶＳＷＲの劣化を改善することについては、考慮されていない。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−１８１６４１号公報（第２頁、図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように、図３に示す従来のＳＰＳＴスイッチでは、スイッチ回路の吸収状態において、入力端子側に終端抵抗を接続することにより入力側のＶＳＷＲを良好にするものの、出力側は全反射に近く、ＶＳＷＲの劣化を招いていた。
【０００９】
そこで、本発明は、従来のこのような点に鑑みて為されたもので、スイッチ回路のオフ状態において、良好な入出力ＶＳＷＲを得ることが可能な高周波スイッチを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る高周波スイッチは、一つの入力端子と複数の出力端子の各々との間の信号経路に複数の第１のダイオードの各々を接続し、第１のダイオードの入力端子側に第２のダイオードの一端を接続し、第２のダイオードの他端に第１の抵抗を接続して終端し、第１のダイオードの各々の出力端子側に複数の第３のダイオードの各々の一端を接続し、複数の第３のダイオードの各々の他端に第２の抵抗をそれぞれ接続して終端することを特徴とする。
【００１１】
このような構成の本発明では、一つの入力端子と複数の出力端子の各々との間の信号経路のダイオードの入力端子側および出力端子側に、信号経路のダイオードと並列になるように、ダイオードと終端抵抗をそれぞれ設けることにより、オフ状態としたスイッチ回路の入力側、出力側とも、良好なＶＳＷＲを形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
本発明に係る高周波スイッチの一実施形態としての、マイクロ波スイッチの１つであるＳＰＳＴスイッチの構成を図１に示す。
【００１５】
図１に示すように、このＳＰＳＴスイッチは、入力端子１６と出力端子１７との間の信号経路に、スイッチング動作を行う第１のダイオード１１を接続し、第１のダイオード１１の入力端子側に、第１のダイオード１１と並列になるように、第２のダイオード１２の一端を接続し、更に第２のダイオード１２の他端に、通常５０Ωで形成される終端抵抗１３を接続する。次に、第１のダイオード１１の出力端子側に、第１のダイオード１１と並列になるように、第３のダイオード１４の一端を接続し、更に第３のダイオード１４の他端に通常５０Ωで形成される終端抵抗１５を接続する。なお、図３では記載を省略しているが、第１乃至第３のダイオード１１、１２、１３のそれぞれをオン・オフさせるために、各ダイオード１１、１２、１３の各端の適宜の位置にコンデンサを接続するとともに、各ダイオード１１、１２、１３に直流バイアスを与えるための回路を接続する。
【００１６】
このように構成されたＳＰＳＴスイッチにおいて、第１のダイオード１１をオン状態とし、第２及び第３のダイオード１２、１４をオフ状態とすると、入力端子１６から入力された高周波信号は出力端子１７に出力される。
【００１７】
一方、第１のダイオード１１をオフ状態とし、第２及び第３のダイオード１２、１４をオン状態とすると、入力端子１６から入力された高周波信号は第２のダイオード１２を通過し、終端抵抗１３に吸収される。このとき、入力端子１６のＶＳＷＲは、終端抵抗１３を、入力側の外部回路のインピーダンスとほぼ等しい５０Ωに選ぶことにより、十分良好な性能を得ることができる。また、出力端子１７のＶＳＷＲについても、第３のダイオード１４をオン状態とし、この第３のダイオード１４に５０Ωの終端抵抗１５を接続することにより、外部回路（インピーダンス５０Ω）と整合をとることができ、良好なＶＳＷＲを得ることができる。
【００１８】
なお、上述の説明では、一実施形態として、ＳＰＳＴスイッチの場合について説明したが、本発明は、これに限らず、ダイオードを用いた１入力多出力スイッチにも適用することができる。
【００１９】
例えば、図２は、本発明の他の実施形態としての、１入力２出力のマイクロ波スイッチの構成を示すものである。図２においては、入力端子１６と複数の出力端子１７1、１７2の各々との間の信号経路に、スイッチング動作を行う複数の第１のダイオード１１1、１１2を接続し、第１のダイオード１１1、１１2の入力端子側に、第１のダイオード１１1、１１2と並列になるように、第２のダイオード１２の一端を接続し、更に第２のダイオード１２の他端に、通常５０Ωで形成される終端抵抗１３を接続する。次に、複数の第１のダイオード１１1、１１2の各々の出力端子側に、第１のダイオード１１1、１１2の各々と並列になるように、複数の第３のダイオード１４1、１４2の各々の一端を接続し、更に第３のダイオード１４1、１４2の各々の他端に通常５０Ωで形成される終端抵抗１５1、１５2をそれぞれ接続する。
【００２０】
この図２に示す１入力２出力スイッチの場合も、複数の第１のダイオード１１1、１１2の少なくとも１つをオン状態にしたときは、第２のダイオード１２をオフ状態とするとともに、オン状態にした第１のダイオードに対応する第３のダイオードをオフ状態とし、オフ状態にした第１のダイオードに対応する第３のダイオードをオン状態とする。また複数の第１のダイオード１１1、１１2の全てをオフ状態にしたときは、第２のダイオード１２および複数の第３のダイオード１４1、１４2の全てをオン状態とする。このようにすることにより、オフ状態としたスイッチ回路の入力側、出力側とも、良好なＶＳＷＲを得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、信号経路のダイオードの入力端子側および出力端子側に、信号経路のダイオードと並列になるように、ダイオードと終端抵抗とをそれぞれ接続することにより、スイッチ回路のオフ状態において、良好な入出力ＶＳＷＲを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る高周波スイッチの一実施形態の構成図。
【図２】 本発明に係る高周波スイッチの他の実施形態の構成図。
【図３】 従来の高周波スイッチの構成図。
【符号の説明】
１１、１１1、１１2…第１のダイオード
１２…第２のダイオード
１３、１５、１５1、１５2…終端抵抗
１４、１４1、１４2…第３のダイオード
１６…入力端子
１７、１７1、１７2…出力端子
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線機器などに使用される高周波スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３に、例えばアンテナを送受共用とした無線機器の受信側などに使用される従来のマイクロ波スイッチの例として、ダイオードを用いた１入力１出力スイッチ（以下、ＳＰＳＴスイッチと呼ぶ）を示す。
【０００３】
図３において、ダイオード３１をオン状態とし、ダイオード３２をオフ状態とすると、入力端子３４より入力された高周波信号は出力端子３５に出力される。この状態を通過状態と呼ぶことにする。
【０００４】
一方、ダイオード３１をオフ状態とし、ダイオード３２をオン状態とすると入力端子３４より入力された高周波信号は、ダイオード３２を通過し終端抵抗３３に吸収される。この状態を吸収状態と呼ぶことにする。
【０００５】
図３に示すこのＳＰＳＴスイッチでは、吸収状態において、入力端子３４のＶＳＷＲは、入力信号が終端抵抗３３に吸収されているため、十分良好なものとなっている。しかしながら、出力端子３５のＶＳＷＲは、ダイオード３１がオフ状態となっているため、ほぼ全反射に近く、ＶＳＷＲも劣化するという問題があった。
【０００６】
また、従来の高周波スイッチの他の例として、ＦＥＴを用いた１入力多出力スイッチが、特許文献１に記載されている。この高周波スイッチにおいては、あるＦＥＴがオン状態となって入力信号が出力端子に出力されるときに、オフ状態となっている他のＦＥＴのオフ時容量による導通ロスを防止するためインダクタを利用している。しかし、入力端子や出力端子のＶＳＷＲの劣化を改善することについては、考慮されていない。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−１８１６４１号公報（第２頁、図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように、図３に示す従来のＳＰＳＴスイッチでは、スイッチ回路の吸収状態において、入力端子側に終端抵抗を接続することにより入力側のＶＳＷＲを良好にするものの、出力側は全反射に近く、ＶＳＷＲの劣化を招いていた。
【０００９】
そこで、本発明は、従来のこのような点に鑑みて為されたもので、スイッチ回路のオフ状態において、良好な入出力ＶＳＷＲを得ることが可能な高周波スイッチを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る高周波スイッチは、一つの入力端子と複数の出力端子の各々との間の信号経路に複数の第１のダイオードの各々を接続し、第１のダイオードの入力端子側に第２のダイオードの一端を接続し、第２のダイオードの他端に第１の抵抗を接続して終端し、第１のダイオードの各々の出力端子側に複数の第３のダイオードの各々の一端を接続し、複数の第３のダイオードの各々の他端に第２の抵抗をそれぞれ接続して終端することを特徴とする。
【００１１】
このような構成の本発明では、一つの入力端子と複数の出力端子の各々との間の信号経路のダイオードの入力端子側および出力端子側に、信号経路のダイオードと並列になるように、ダイオードと終端抵抗をそれぞれ設けることにより、オフ状態としたスイッチ回路の入力側、出力側とも、良好なＶＳＷＲを形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
本発明に係る高周波スイッチの一実施形態としての、マイクロ波スイッチの１つであるＳＰＳＴスイッチの構成を図１に示す。
【００１５】
図１に示すように、このＳＰＳＴスイッチは、入力端子１６と出力端子１７との間の信号経路に、スイッチング動作を行う第１のダイオード１１を接続し、第１のダイオード１１の入力端子側に、第１のダイオード１１と並列になるように、第２のダイオード１２の一端を接続し、更に第２のダイオード１２の他端に、通常５０Ωで形成される終端抵抗１３を接続する。次に、第１のダイオード１１の出力端子側に、第１のダイオード１１と並列になるように、第３のダイオード１４の一端を接続し、更に第３のダイオード１４の他端に通常５０Ωで形成される終端抵抗１５を接続する。なお、図３では記載を省略しているが、第１乃至第３のダイオード１１、１２、１３のそれぞれをオン・オフさせるために、各ダイオード１１、１２、１３の各端の適宜の位置にコンデンサを接続するとともに、各ダイオード１１、１２、１３に直流バイアスを与えるための回路を接続する。
【００１６】
このように構成されたＳＰＳＴスイッチにおいて、第１のダイオード１１をオン状態とし、第２及び第３のダイオード１２、１４をオフ状態とすると、入力端子１６から入力された高周波信号は出力端子１７に出力される。
【００１７】
一方、第１のダイオード１１をオフ状態とし、第２及び第３のダイオード１２、１４をオン状態とすると、入力端子１６から入力された高周波信号は第２のダイオード１２を通過し、終端抵抗１３に吸収される。このとき、入力端子１６のＶＳＷＲは、終端抵抗１３を、入力側の外部回路のインピーダンスとほぼ等しい５０Ωに選ぶことにより、十分良好な性能を得ることができる。また、出力端子１７のＶＳＷＲについても、第３のダイオード１４をオン状態とし、この第３のダイオード１４に５０Ωの終端抵抗１５を接続することにより、外部回路（インピーダンス５０Ω）と整合をとることができ、良好なＶＳＷＲを得ることができる。
【００１８】
なお、上述の説明では、一実施形態として、ＳＰＳＴスイッチの場合について説明したが、本発明は、これに限らず、ダイオードを用いた１入力多出力スイッチにも適用することができる。
【００１９】
例えば、図２は、本発明の他の実施形態としての、１入力２出力のマイクロ波スイッチの構成を示すものである。図２においては、入力端子１６と複数の出力端子１７1、１７2の各々との間の信号経路に、スイッチング動作を行う複数の第１のダイオード１１1、１１2を接続し、第１のダイオード１１1、１１2の入力端子側に、第１のダイオード１１1、１１2と並列になるように、第２のダイオード１２の一端を接続し、更に第２のダイオード１２の他端に、通常５０Ωで形成される終端抵抗１３を接続する。次に、複数の第１のダイオード１１1、１１2の各々の出力端子側に、第１のダイオード１１1、１１2の各々と並列になるように、複数の第３のダイオード１４1、１４2の各々の一端を接続し、更に第３のダイオード１４1、１４2の各々の他端に通常５０Ωで形成される終端抵抗１５1、１５2をそれぞれ接続する。
【００２０】
この図２に示す１入力２出力スイッチの場合も、複数の第１のダイオード１１1、１１2の少なくとも１つをオン状態にしたときは、第２のダイオード１２をオフ状態とするとともに、オン状態にした第１のダイオードに対応する第３のダイオードをオフ状態とし、オフ状態にした第１のダイオードに対応する第３のダイオードをオン状態とする。また複数の第１のダイオード１１1、１１2の全てをオフ状態にしたときは、第２のダイオード１２および複数の第３のダイオード１４1、１４2の全てをオン状態とする。このようにすることにより、オフ状態としたスイッチ回路の入力側、出力側とも、良好なＶＳＷＲを得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、信号経路のダイオードの入力端子側および出力端子側に、信号経路のダイオードと並列になるように、ダイオードと終端抵抗とをそれぞれ接続することにより、スイッチ回路のオフ状態において、良好な入出力ＶＳＷＲを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る高周波スイッチの一実施形態の構成図。
【図２】 本発明に係る高周波スイッチの他の実施形態の構成図。
【図３】 従来の高周波スイッチの構成図。
【符号の説明】
１１、１１1、１１2…第１のダイオード
１２…第２のダイオード
１３、１５、１５1、１５2…終端抵抗
１４、１４1、１４2…第３のダイオード
１６…入力端子
１７、１７1、１７2…出力端子
Claims (2)
- 一つの入力端子と複数の出力端子の各々との間の信号経路に複数の第１のダイオードの各々を接続し、前記第１のダイオードの入力端子側に第２のダイオードの一端を接続し、前記第２のダイオードの他端に第１の抵抗を接続して終端し、前記第１のダイオードの各々の出力端子側に複数の第３のダイオードの各々の一端を接続し、前記複数の第３のダイオードの各々の他端に第２の抵抗をそれぞれ接続して終端することを特徴とする高周波スイッチ。
- 前記第１の抵抗及び前記第２の抵抗はそれぞれ５０Ωであることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ。
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003076175A JP4107654B2 (ja) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 高周波スイッチ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004289281A JP2004289281A (ja) | 2004-10-14 |
| JP2004289281A5 JP2004289281A5 (ja) | 2005-10-20 |
| JP4107654B2 true JP4107654B2 (ja) | 2008-06-25 |
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ID=32984805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003076175A Expired - Fee Related JP4107654B2 (ja) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 高周波スイッチ |
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| US5159296A (en) | 1991-03-28 | 1992-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Four port monolithic gaas pin diode switch |
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| US5777530A (en) * | 1996-01-31 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Switch attenuator |
| JP3094920B2 (ja) * | 1996-10-11 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | 半導体スイッチ |
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2003
- 2003-03-19 JP JP2003076175A patent/JP4107654B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-25 US US10/785,062 patent/US7015770B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004289281A (ja) | 2004-10-14 |
| US7015770B2 (en) | 2006-03-21 |
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