JP4104196B2

JP4104196B2 - Flat detector

Info

Publication number: JP4104196B2
Application number: JP01578998A
Authority: JP
Inventors: 真一山田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-01-28
Filing date: 1998-01-28
Publication date: 2008-06-18
Anticipated expiration: 2018-01-28
Also published as: JPH11211837A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＸ線診断装置に用いられる平面検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線診断装置に用いられる平面検出器の従来例として、直接変換方式、又は間接変換方式を採用したＸ線固体平面検出器が幾つか提案されている。前者は、例えば米国特許第５，３１９，２０６号明細書に記載されており、後者は、例えば米国特許第４，６８９，４８７号明細書に記載されている。
【０００３】
図１は直接変換方式のＸ線固体平面検出器の概略構成を示す図、図２は間接変換方式のＸ線固体平面検出器の概略構成を示す図である。
これら平面検出器は、電磁波（Ｘ線）を電荷に変換する手段を具備しており、例えば図１の直接変換方式では、高電界下のＳｅ（セレニウム：フォトコンダクタ）へのＸ線入射が電荷生成に寄与し、画素の容量に蓄積される。また、図２に示す間接変換方式の平面検出器では、増感紙やＣＳＩ結晶などの化学物質（図２に示すシンチレーション層）を介してＸ線を一旦光に変換し、フォトダイオードの作用によって光強度を電荷として画素の容量に蓄積するものとなっている。
【０００４】
また、従来の平面検出器は、電荷量を電圧に変換する手段を具備しており、画素に蓄積された電荷を例えば薄膜トランジスタのスイッチング機能によって選択し、この選択された電荷をチャージ（読み出し）アンプに転送することでアンプの電圧出力を得ている。また、アナログとして得られるチャージアンプからの電圧出力をディジタル値に変換する手段（例えばアナログ値をディジタル値に変換するＡＤＣ（Ａ／Ｄコンバータ））を具備している。図３に、このような平面検出器における信号（電荷）読み出しのための構成を示す。平面検出器は、入射した電磁波に応じた電荷を発生する変換層と、この変換層で発生した電荷を収集する２次元マトリクス状に配列された画素電極と、画素電極で収集された電荷を蓄積するように各画素電極にそれぞれ接続された電荷蓄積素子と、電荷蓄積素子に蓄積された電荷情報を読み出す読出し手段とを備えている。また、読出し手段は、電荷蓄積素子にそれぞれ接続された電荷情報を読み出すことができるように電荷蓄積素子にそれぞれ接続されたスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ）と、同一行のＴＦＴゲートを電気的に接続する制御用信号線と、この制御用信号線に制御電圧を供給することによりスイッチング素子のＯｎ、Ｏｆｆを行単位で制御するスイッチング素子制御手段と、同一列のＴＦＴの出力を電気的に接続する出力用信号線と、各出力用信号線の出力を選択して出力する選択手段とを備えている。
【０００５】
なお、これらの平面検出器は特にＸ線に限らず光の平面検出器として考えることもできる。
ところで、上記直接変換方式の平面検出器においては、フォトコンダクタの上部に金属膜の電極が形成されており、この金属膜に高電圧を供給する必要がある。図４に、従来例に係る高電圧供給の仕方を示す。同図に示すように、従来では、高圧供給用ケーブル４の先端（金属部）を上部電極２にボンディングするようにしていた。
【０００６】
かかる従来例においては、高圧供給用ケーブル４を、画像を検出する領域、すなわち画素マトリックス１上にボンディングするようにしていた。このため、図５に示すように高圧供給用ケーブル４の先端部の陰影がＸ線画像６においてアーティファクト７として出現する。
【０００７】
このような従来の平面検出器がＸ線医用診断システムに用いられる場合、このアーティファクト７が異常陰影として誤診される可能性があるという問題点があった。また、平面検出器の画素領域以外は、基本的に最低限の大きさとし、検出器全体のサイズを小さくすることが望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述した事情を考慮してなされたものであり、その目的は、高電圧を供給するための領域や素子検査のための領域等が画素マトリックスの以外の領域に形成されており、これら領域の存在によって画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止できるような平面検出器を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し目的を達成するために本発明の平面検出器は次のように構成されている。
（１）本発明の平面検出器は、入射した電磁波に応じた電荷を発生する電磁波−電荷変換手段と、前記電磁波−電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁波−電荷変換手段で発生した電荷を収集する複数の画素電極を２次元マトリクス状に配置した画素電極マトリクスと、前記画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段と、前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電極マトリクスが設けられた側面に対向する側面に設けられ、かつ、対向側面側に前記画素電極マトリクスが有る領域と対向側面側に前記画素電極マトリクスが無い領域とを含むように設けられたバイアス印加用電極と、前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前記画素電極マトリクスが無い領域に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給用ケーブルとを備え、前記バイアス電圧供給用ケーブルを接続する領域を前記画素電極マトリクスの四隅に設けたことを特徴とする。
（２）本発明の平面検出器は、基板と、基板上に２次元マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、前記蓄積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段と、前記画素電極上に積層され、入射した電磁波に応じた電荷を発生する電磁波−電荷変換層と、前記電磁波−電荷変換層上に積層され、前記画素電極上の領域と前記画素電極上以外の領域とを含むように設けられたバイアス印加用電極と、前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前記画素電極上以外の領域に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給用ケーブルとを備え、前記バイアス電圧供給用ケーブルを接続する領域を前記画素電極マトリクスの四隅に設けたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、本実施形態の説明において、図１〜図５に示した従来例と同一の構成部分については同一の参照符号を付してある。
【００１１】
（第１実施形態）
図６は本発明に係る平面検出器の第１の実施形態の要部構成を示す図である。同図において、１は画素電極１ａを２次元マトリクス状に配列した画素電極マトリクス、２はバイアス用の高電圧を印加するための上部電極、３は入射した電磁波に応じて電荷を発生する光伝導性を有するＳｅ、４は上部電極３に高電圧を供給するためのバイアス供給用ケーブル、８は平面検出器の周辺回路、９はバイアス供給用ケーブル４を固定するための固定冶具、１３はガラス基板である。
【００１２】
この平面検出器は、ガラス基板１３上に画素電極１ａを積層形成し、画素電極１ａの上部にＳｅ３を積層し、Ｓｅ３の上に上部電極３を積層することにより製造される。なお、上部電極３の上には、絶縁性の保護層が形成されている。また、この平面検出器には、画素電極で収集された電荷を蓄積するように各画素電極にそれぞれ接続された電荷蓄積素子、電荷蓄積素子に蓄積された電荷情報を読み出すことができるように電荷蓄積素子にそれぞれ接続された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）、同一行のＴＦＴゲートを電気的に接続する制御用信号線、同一列のＴＦＴの出力を電気的に接続する出力用信号線が積層プロセスを用いて形成されている。周辺回路８は、制御用信号線に制御電圧を供給することによりスイッチング素子のＯｎ、Ｏｆｆを行単位で制御するスイッチング素子制御手段と、各出力用信号線の出力を選択して出力する選択手段とを備えている。
【００１３】
図６に示すように、本実施形態の平面検出器は、画素マトリックス１以外の領域に、Ｓｅ３の上部電極２に高電圧（バイアス）電圧を供給するための凸部領域Ａを有する。
【００１４】
この凸部領域Ａの実現は、Ｓｅ３や上部電極２を蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔ）するためのマスクを画素マトリックス１よりも拡大して形成すればよい。この凸部領域Ａの面積は、高圧供給用ケーブル４の金属部（ワイヤ部）５を接続するための最小のサイズ（α、βによって示す）によって制限する。あるいは、信号読み出しアンプ（マルチプレクサを含む）やゲート駆動用ＩＣといった周辺回路８のサイズ（α′によって示す）によって制限してもよい。本実施形態では、周辺回路８が、凸部領域Ａの側方に形成される上部電極２の切り欠き領域内に配置され、これにより平面検出器を小型にしている。
【００１５】
なお、高圧供給用ケーブル４を、本実施形態のように固定冶具９によってリードすると共に凸部領域Ａの近傍において強固に固定しても良い。図７はこの固定冶具９の構造を示す図であり、同図（ａ）は固定冶具９を横方向から見た断面図、同図（ｂ）は上方向から見た図である。
【００１６】
固定冶具９は、例えばＡＢＳ樹脂により形成され、同図（ａ）に示すように、高圧供給用ケーブル４を凸部領域Ａに導くための適度な傾斜を有する穴部９１が形成されて成る。
【００１７】
以上のように構成された本実施形態によれば、Ｓｅ３の上部電極２に高電圧（バイアス電圧）を供給するための凸部領域Ａが画素マトリックス１以外の領域に形成されているので、この凸部領域Ａの存在によって画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止できる。また、検出器全体のコンパクト性が損なわれることもない。
【００１８】
なお、本実施形態は次のように変形しても実施可能である。図８は本実施形態の変形例を示す図である。
高電圧供給領域すなわち高電圧供給用ケーブルをボンディングする領域は、図８に示すように画素マトリックス１の辺縁近傍に形成してもよい。この場合、当該領域の幅は高電圧供給用ケーブル４のワイヤ径（αによって示す）によって制限される。
【００１９】
また、上記高電圧供給用領域は平面検出器の一箇所のみならず、複数箇所に設けても良い。図９はこのような変形例を示す図である。領域Ｒによって示される領域が高電圧供給領域である。本変形例においては、この高電圧供給用領域が同図のように平面検出器の左上隅、左下隅、右上隅、右下隅の計４個所（但し、検出器の信号線及びゲート線の引き出し部は除く）に設けられて成る。
【００２０】
検出面が拡大すると、面全体の電圧が均一なものとはならず、画像エリアの局所毎で感度（Sensitivity ）が異なることによるアーチファクトが発生する場合があるが、本変形例のように高電圧供給用領域を画素マトリクス１を挟んで対向するように設けると、上部電極上における電流特性が良好なものとなり好ましい。なお、当然ながら高電圧領域を平面検出器の隅の３箇所、或は２箇所に設けるようにしても良く、配置数は特に限定されない。
【００２１】
（第２実施形態）
次に本発明の第２実施形態について説明する。上述した第１実施形態は、フォトコンダクタの上部電極への高電圧供給領域を画素マトリクス以外の領域に形成するものであった。本実施形態は上記高電圧供給領域と同様に、画素検査（特にここではＳｅ特性のチェック用のＴＥＧ（Test Element Group ））のための電極を画素マトリクス以外の領域に形成したものである。
【００２２】
図１０は本発明に係る平面検出器の第２実施形態の要部構成を示す図である。同図において、１は画素マトリクス、２は上部電極、１０はＳｅ特性のチェック用のＴＥＧ（Ｓｅ−ＴＥＧ）用の電極、１１はＴＥＧ用電極１０からの出力信号を取り出すための端子をそれぞれ示している。
【００２３】
同図から明らかなように、本実施形態の平面検出器は、画素マトリックス１以外の領域にＴＥＧ用電極１０が設けられて成る。なお、ＴＥＧ用電極１０は、第１実施形態において説明した上部電極２の下部にＳｅ３を挟むように配置されている。この上部電極２からＳｅ３を介してＴＥＧ用電極１０に流れる電流を計測することにより、Ｓｅ特性を計測することができる。
【００２４】
また、ＴＥＧ用電極１０の面積は、上記第１の実施形態と同様に種々の条件によって制限される。例えば、信号読み出しアンプ（マルチプレクサを含む）やゲート駆動用ＩＣといった周辺回路（不図示）のサイズによって制限される。
【００２５】
また、このＴＥＧ用電極１０が平面検出器の４隅のいずれかに複数設けられても良いことについても第１実施形態と同様である。図１１にこの場合の構成例を示す。同図に示すように、平面検出器の左上隅にＴＥＧ用電極１０１が設けられており、画素領域を挟んでこれと対向する右下隅にＳｅ−ＴＥＧ１０２が設けられている。また、同検出器の左下隅に高電圧供給用領域２０１が設けられており、画素領域を挟んでこれと対向する右上隅に高電圧供給用領域２０２が設けられている。なお、上述したようにＴＥＧ用電極は高電圧供給用領域の下部に形成されていても良く、図１１においてＳｅ−ＴＥＧ１０１及び同１０２は、高電圧供給用領域の予備領域として用いられる。
【００２６】
以上のように構成された本実施形態によれば、ＴＥＧ用電極１０が画素マトリックス１以外の領域に形成されているので、このＴＥＧ用電極１０の存在によって画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止できる。また、検出器全体のコンパクト性が損なわれることもない。
なお、本発明は上述した実施形態のみに限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施可能である。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高電圧を供給するための領域や素子検査のための領域等が画素マトリックスの以外の領域に形成されているので、これら領域の存在によって画像にアーティファクトが生じることがなく、Ｘ線診断システムの検出器として用いる場合の誤診を防止できる。また、検出器全体のコンパクト性が損なわれることもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来例に係る直接変換方式のＸ線固体平面検出器の概略構成を示す図。
【図２】従来例に係る間接変換方式のＸ線固体平面検出器の概略構成を示す図。
【図３】従来例に係る平面検出器における信号（電荷）読み出しのための構成を示す図。
【図４】従来例に係る高電圧供給の仕方を示す図。
【図５】従来例に係るＸ線画像上のアーティファクトを示す図。
【図６】本発明に係る平面検出器の第１の実施形態の要部構成を示す図。
【図７】第１実施形態に係る固定冶具の構造を示す図。
【図８】第１実施形態の第１の変形例を示す図。
【図９】第１実施形態の第２の変形例を示す図。
【図１０】本発明に係る平面検出器の第２の実施形態の要部構成を示す図。
【図１１】第２の実施形態の全体構成を示す図。
【符号の説明】
１…画素マトリクス
１ａ…画素電極
２…上部電極
３…Ｓｅ（フォトコンダクタ）
４…高電圧供給用ケーブル
５…金属部
６…Ｘ線画像
７…アーチファクト
８…周辺回路
９…固定冶具
１０…ＴＥＧ用電極
１１…Ｓｅ−ＴＥＧ用の端子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a flat detector used in, for example, an X-ray diagnostic apparatus.
[0002]
[Prior art]
Several conventional X-ray solid state flat detectors employing a direct conversion method or an indirect conversion method have been proposed as conventional examples of flat detectors used in X-ray diagnostic apparatuses. The former is described in, for example, US Pat. No. 5,319,206, and the latter is described in, for example, US Pat. No. 4,689,487.
[0003]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a direct conversion type X-ray solid state flat detector, and FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an indirect conversion type X-ray solid state flat detector.
These flat panel detectors have means for converting electromagnetic waves (X-rays) into electric charges. For example, in the direct conversion system shown in FIG. 1, X-rays incident on Se (selenium: photoconductor) under a high electric field are charged. Contributes to generation and accumulates in the pixel capacity. In addition, in the indirect conversion type flat detector shown in FIG. 2, X-rays are once converted into light through a chemical substance (scintillation layer shown in FIG. 2) such as an intensifying screen or a CSI crystal, and the action of the photodiodes. The light intensity is stored in the pixel capacitance as an electric charge.
[0004]
Further, the conventional flat panel detector includes means for converting the amount of charge into a voltage, selects the charge accumulated in the pixel by, for example, a switching function of a thin film transistor, and charges (reads out) the selected charge. The voltage output of the amplifier is obtained by transferring to. In addition, there is provided means for converting the voltage output from the charge amplifier obtained as analog into a digital value (for example, ADC (A / D converter) for converting the analog value into a digital value). FIG. 3 shows a configuration for reading a signal (charge) in such a flat detector. The flat panel detector stores a conversion layer that generates charges according to incident electromagnetic waves, pixel electrodes arranged in a two-dimensional matrix that collects charges generated in the conversion layers, and charges collected by the pixel electrodes. In this way, charge storage elements connected to the respective pixel electrodes and readout means for reading out charge information stored in the charge storage elements are provided. The reading means electrically connects the switching elements (for example, thin film transistors) connected to the charge storage elements and the TFT gates in the same row so that the charge information connected to the charge storage elements can be read out. Electrically connecting the output of the TFTs in the same column to the control signal line for controlling the switching element control means for controlling the On and Off of the switching element in units of rows by supplying a control voltage to the control signal line Output signal lines and selection means for selecting and outputting the output of each output signal line are provided.
[0005]
Note that these flat detectors are not limited to X-rays, and can be considered as light flat detectors.
In the direct conversion type flat panel detector, a metal film electrode is formed above the photoconductor, and it is necessary to supply a high voltage to the metal film. FIG. 4 shows a method of supplying a high voltage according to a conventional example. As shown in the figure, conventionally, the tip (metal part) of the high-voltage supply cable 4 is bonded to the upper electrode 2.
[0006]
In such a conventional example, the high-voltage supply cable 4 is bonded on the image detection area, that is, the pixel matrix 1. For this reason, as shown in FIG. 5, the shadow of the tip of the high-voltage supply cable 4 appears as an artifact 7 in the X-ray image 6.
[0007]
When such a conventional flat panel detector is used in an X-ray medical diagnosis system, there is a problem that this artifact 7 may be misdiagnosed as an abnormal shadow. In addition, it is desirable that the area other than the pixel area of the flat detector is basically the minimum size and the entire detector size is reduced.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances. The purpose of the present invention is to form a region for supplying a high voltage, a region for element inspection, and the like in a region other than the pixel matrix. An object of the present invention is to provide a flat panel detector capable of preventing misdiagnosis when used as a detector of an X-ray diagnostic system without causing artifacts in an image due to the presence of a region.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems and achieve the object, the flat detector of the present invention is configured as follows.
(1) The flat detector of the present invention is generated by the electromagnetic wave-charge converting means that generates a charge corresponding to an incident electromagnetic wave, and the electromagnetic wave-charge converting means on one side of the electromagnetic wave-charge converting means. A pixel electrode matrix in which a plurality of pixel electrodes for collecting charges are arranged in a two-dimensional matrix, storage means for storing charges collected by the pixel electrodes, and readout means for reading out charges stored in the storage means And a region of the electromagnetic wave-charge conversion means that faces the side surface on which the pixel electrode matrix is provided, and a region where the pixel electrode matrix is on the opposite side surface side and no pixel electrode matrix on the opposite side surface side. A bias applying electrode provided so as to include a region, and a region where the pixel electrode matrix is not provided on the opposite side surface side of the bias applying electrode. , And a bias voltage supply cable for supplying a bias voltage, characterized in that the areas connected to the bias voltage supply cable is provided at four corners of the pixel electrode matrix.
(2) The flat panel detector of the present invention includes a substrate, pixel electrodes arranged in a two-dimensional matrix on the substrate, accumulation means for accumulating charges collected by the pixel electrodes, and accumulation in the accumulation means. A readout means for reading out the charged electric charge, an electromagnetic wave-charge conversion layer that is stacked on the pixel electrode and generates a charge in accordance with an incident electromagnetic wave, and is stacked on the electromagnetic wave-charge conversion layer, on the pixel electrode And a bias application electrode provided so as to include a region other than on the pixel electrode, and a bias voltage applied to a region other than the pixel electrode on the opposite side surface of the bias application electrode. A bias voltage supply cable to be supplied, and regions for connecting the bias voltage supply cable are provided at four corners of the pixel electrode matrix .
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description of this embodiment, the same components as those in the conventional example shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals.
[0011]
(First embodiment)
FIG. 6 is a diagram showing a main configuration of the flat detector according to the first embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a pixel electrode matrix in which pixel electrodes 1a are arranged in a two-dimensional matrix, 2 is an upper electrode for applying a high voltage for biasing, and 3 is a photoconductive device that generates charges in response to incident electromagnetic waves. Se 4 has a bias, a bias supply cable for supplying a high voltage to the upper electrode 3, 8 is a peripheral circuit of the flat panel detector, 9 is a fixing jig for fixing the bias supply cable 4, and 13 is glass. It is a substrate.
[0012]
This flat detector is manufactured by laminating the pixel electrode 1a on the glass substrate 13, laminating Se3 on the pixel electrode 1a, and laminating the upper electrode 3 on Se3. Note that an insulating protective layer is formed on the upper electrode 3. In addition, the flat detector has a charge storage element connected to each pixel electrode so as to store the charge collected by the pixel electrode, and the charge information stored in the charge storage element can be read out. A thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) connected to each storage element, a control signal line for electrically connecting TFT gates in the same row, and an output signal line for electrically connecting outputs of TFTs in the same column are stacked. It is formed using a process. The peripheral circuit 8 includes a switching element control means for controlling the On and Off of the switching elements in units of rows by supplying a control voltage to the control signal line, and a selection means for selecting and outputting the output of each output signal line And.
[0013]
As shown in FIG. 6, the flat detector of the present embodiment has a convex region A for supplying a high voltage (bias) voltage to the upper electrode 2 of Se3 in a region other than the pixel matrix 1.
[0014]
In order to realize the convex region A, a mask for depositing Se3 and the upper electrode 2 may be formed larger than the pixel matrix 1. The area of the convex region A is limited by the minimum size (indicated by α and β) for connecting the metal portion (wire portion) 5 of the high-voltage supply cable 4. Alternatively, it may be limited by the size (indicated by α ′) of the peripheral circuit 8 such as a signal read amplifier (including a multiplexer) or a gate driving IC. In the present embodiment, the peripheral circuit 8 is disposed in the cutout region of the upper electrode 2 formed on the side of the convex region A, thereby miniaturizing the flat detector.
[0015]
The high-voltage supply cable 4 may be lead by the fixing jig 9 and firmly fixed in the vicinity of the convex region A as in the present embodiment. 7A and 7B are views showing the structure of the fixing jig 9. FIG. 7A is a cross-sectional view of the fixing jig 9 seen from the lateral direction, and FIG. 7B is a view seen from the upper side.
[0016]
The fixing jig 9 is made of, for example, ABS resin, and is formed with a hole portion 91 having an appropriate slope for guiding the high-voltage supply cable 4 to the convex region A as shown in FIG.
[0017]
According to the present embodiment configured as described above, the convex region A for supplying a high voltage (bias voltage) to the upper electrode 2 of Se3 is formed in a region other than the pixel matrix 1. Artifacts are not generated in the image due to the presence of the convex region A, and misdiagnosis when used as a detector of an X-ray diagnostic system can be prevented. Further, the compactness of the entire detector is not impaired.
[0018]
Note that the present embodiment can be implemented even if it is modified as follows. FIG. 8 is a view showing a modification of the present embodiment.
The high voltage supply region, that is, the region where the high voltage supply cable is bonded may be formed near the edge of the pixel matrix 1 as shown in FIG. In this case, the width of the region is limited by the wire diameter (indicated by α) of the high voltage supply cable 4.
[0019]
The high voltage supply region may be provided not only at one place of the flat detector but also at a plurality of places. FIG. 9 is a diagram showing such a modification. A region indicated by a region R is a high voltage supply region. In this modification, this high voltage supply area has a total of four locations (upper left corner, lower left corner, upper right corner, lower right corner of the flat detector as shown in the figure). Part is excluded).
[0020]
When the detection surface is enlarged, the voltage across the entire surface does not become uniform, and artifacts may occur due to differences in sensitivity (Sensitivity) at each local area of the image area. Providing the supply regions so as to face each other with the pixel matrix 1 in between is preferable because current characteristics on the upper electrode are good. Of course, high voltage regions may be provided at three or two corners of the flat detector, and the number of arrangements is not particularly limited.
[0021]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment described above, the high voltage supply region to the upper electrode of the photoconductor is formed in a region other than the pixel matrix. In this embodiment, similarly to the high voltage supply region, electrodes for pixel inspection (especially, TEG (Test Element Group) for checking Se characteristics) are formed in regions other than the pixel matrix.
[0022]
FIG. 10 is a diagram showing a main configuration of a second embodiment of the flat panel detector according to the present invention. In the figure, 1 is a pixel matrix, 2 is an upper electrode, 10 is a TEG (Se-TEG) electrode for checking Se characteristics, and 11 is a terminal for taking out an output signal from the TEG electrode 10. ing.
[0023]
As can be seen from the figure, the flat detector of the present embodiment is provided with the TEG electrode 10 in a region other than the pixel matrix 1. The TEG electrode 10 is arranged so that Se3 is sandwiched between the lower part of the upper electrode 2 described in the first embodiment. The Se characteristic can be measured by measuring the current flowing from the upper electrode 2 to the TEG electrode 10 via Se3.
[0024]
Further, the area of the TEG electrode 10 is limited by various conditions as in the first embodiment. For example, it is limited by the size of a peripheral circuit (not shown) such as a signal read amplifier (including a multiplexer) or a gate driving IC.
[0025]
The plurality of TEG electrodes 10 may be provided at any one of the four corners of the flat panel detector as in the first embodiment. FIG. 11 shows a configuration example in this case. As shown in the figure, a TEG electrode 101 is provided at the upper left corner of the flat panel detector, and an Se-TEG 102 is provided at the lower right corner facing the pixel region. In addition, a high voltage supply region 201 is provided in the lower left corner of the detector, and a high voltage supply region 202 is provided in the upper right corner opposite to the pixel region. As described above, the TEG electrode may be formed below the high voltage supply region. In FIG. 11, Se-TEGs 101 and 102 are used as spare regions for the high voltage supply region.
[0026]
According to the present embodiment configured as described above, since the TEG electrode 10 is formed in a region other than the pixel matrix 1, the presence of the TEG electrode 10 causes no artifact in the image. Misdiagnosis when used as a detector of a line diagnostic system can be prevented. Further, the compactness of the entire detector is not impaired.
In addition, this invention is not limited only to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation is possible in the range which does not deviate from the summary.
[0027]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, an area for supplying a high voltage, an area for element inspection, and the like are formed in an area other than the pixel matrix. It does not occur, and misdiagnosis when used as a detector of an X-ray diagnostic system can be prevented. Further, the compactness of the entire detector is not impaired.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a direct conversion type X-ray solid state flat detector according to a conventional example.
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an indirect conversion type X-ray solid state flat detector according to a conventional example.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration for reading a signal (charge) in a flat panel detector according to a conventional example.
FIG. 4 is a diagram showing a method of supplying a high voltage according to a conventional example.
FIG. 5 is a diagram showing artifacts on an X-ray image according to a conventional example.
FIG. 6 is a diagram showing a main configuration of the first embodiment of the flat panel detector according to the present invention.
FIG. 7 is a view showing a structure of a fixing jig according to the first embodiment.
FIG. 8 is a diagram showing a first modification of the first embodiment.
FIG. 9 is a diagram showing a second modification of the first embodiment.
FIG. 10 is a diagram showing a main configuration of a flat detector according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing an overall configuration of a second embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pixel matrix 1a ... Pixel electrode 2 ... Upper electrode 3 ... Se (photoconductor)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... High voltage supply cable 5 ... Metal part 6 ... X-ray image 7 ... Artifact 8 ... Peripheral circuit 9 ... Fixing jig 10 ... TEG electrode 11 ... Se-TEG terminal

Claims

入射した電磁波に応じた電荷を発生する電磁波−電荷変換手段と、
前記電磁波−電荷変換手段の一方の側面側に、前記電磁波−電荷変換手段で発生した電荷を収集する複数の画素電極を２次元マトリクス状に配置した画素電極マトリクスと、
前記画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、
前記蓄積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段と、
前記電磁波−電荷変換手段の前記画素電極マトリクスが設けられた側面に対向する側面に設けられ、かつ、対向側面側に前記画素電極マトリクスが有る領域と対向側面側に前記画素電極マトリクスが無い領域とを含むように設けられたバイアス印加用電極と、
前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前記画素電極マトリクスが無い領域に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給用ケーブルとを備え、前記バイアス電圧供給用ケーブルを接続する領域を前記画素電極マトリクスの四隅に設けたことを特徴とする平面検出器。An electromagnetic wave-to-charge converting means for generating an electric charge according to the incident electromagnetic wave;
A pixel electrode matrix in which a plurality of pixel electrodes for collecting charges generated by the electromagnetic wave-charge conversion unit are arranged in a two-dimensional matrix on one side surface of the electromagnetic wave-charge conversion unit;
Accumulating means for accumulating charges collected by the pixel electrode;
Readout means for reading out the electric charge accumulated in the accumulation means;
A region of the electromagnetic wave-charge converting means that is provided on a side surface facing the side surface on which the pixel electrode matrix is provided, and a region in which the pixel electrode matrix is provided on the side surface of the opposing side and a region in which the pixel electrode matrix is not provided on the side surface of the opposing side. A bias applying electrode provided to include:
A bias voltage supply cable for supplying a bias voltage, which is connected to a region where the pixel electrode matrix is not provided on the opposite side surface in the bias application electrode, and the region for connecting the bias voltage supply cable is the pixel A flat detector provided at four corners of an electrode matrix .

基板と、
基板上に２次元マトリクス状に配置された画素電極と、
前記画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積手段と、
前記蓄積手段に蓄積された電荷を読み出すための読み出し手段と、
前記画素電極上に積層され、入射した電磁波に応じた電荷を発生する電磁波−電荷変換層と、
前記電磁波−電荷変換層上に積層され、前記画素電極上の領域と前記画素電極上以外の領域とを含むように設けられたバイアス印加用電極と、
前記バイアス印加用電極の内で対向側面側に前記画素電極上以外の領域に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給用ケーブルとを備え、前記バイアス電圧供給用ケーブルを接続する領域を前記画素電極マトリクスの四隅に設けたことを特徴とする平面検出器。A substrate,
Pixel electrodes arranged in a two-dimensional matrix on the substrate;
Accumulating means for accumulating charges collected by the pixel electrode;
Readout means for reading out the electric charge accumulated in the accumulation means;
An electromagnetic wave-to-charge conversion layer that is stacked on the pixel electrode and generates a charge according to an incident electromagnetic wave;
A bias applying electrode that is laminated on the electromagnetic wave-charge conversion layer and is provided so as to include a region on the pixel electrode and a region other than on the pixel electrode;
Is connected to a region other than on the pixel electrode on the opposite side side of the bias application electrode, and a bias voltage supply cable for supplying a bias voltage, the pixel areas connected to the bias voltage supply cable A flat detector provided at four corners of an electrode matrix .