JP4080608B2 - 半導体レーザ光源装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザアレイからの光をコリメート・集光して、光ファイバによって出力する半導体レーザ光源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザから出射されるレーザ光の出力・伝送を効率良く行うために光ファイバが用いられるが、このとき、半導体レーザと光ファイバとの結合効率が問題となる。一般に、半導体レーザの出射パラメータと、光ファイバの入射パラメータとは異なるので、このような結合効率を高くするために、半導体レーザと光ファイバとの間にレンズ系を設置する等の方法が用いられている。
【0003】
特に、例えば半導体レーザを固体レーザの励起光源として用いる場合、励起に用いられるレーザ光の高出力化が不可欠であるが、単一の発光点(ストライプ状の活性層など)による半導体レーザではその出力強度に限界があり、より高出力とするためには、複数の発光点からなる半導体レーザアレイと、そのような半導体レーザアレイのそれぞれの発光点から出射されるレーザ光を、光ファイバに効率良く入射させるレンズアレイの実現が必要となる。
【0004】
そのような半導体レーザアレイに適用可能なものとして、例えば特開平4−284401号に示されたレンズアレイがある。このレンズアレイは、例えば単一の半導体レーザに対して球レンズを用いずに、隣り合う円柱レンズの方向が互いに直交するように順次配置された3本の円柱レンズによって、垂直・水平の2方向についての光収束を行うものである。特に半導体レーザアレイを用いた場合に、球レンズが効率的なアレイ化が困難であるのに対して、このような構成による円柱レンズを用いたレンズ系は、3本の円柱レンズを、それぞれ半導体レーザアレイの発光点配列の垂直・水平方向をその配列方向とした複数の円柱レンズからなる3層の円柱レンズアレイとすることによって、単一の半導体レーザの場合と同様に適用することができる。
【0005】
また、特開平6−104516号に示された固体レーザ装置に用いられているレンズアレイがある。この装置では、マルチストライプによる複数の発光点が1次元上に配列された一体のアレイ型半導体レーザに対して、個々の発光点から出射されるレーザ光をそれぞれコリメートするための分布屈折率レンズアレイと、それぞれコリメートされた複数の発光点からのレーザ光を固体レーザ素子の端面に一括して集光させる集光レンズとからなるレンズアレイを用いている。また、このレンズアレイと固体レーザ素子との間に、光伝送手段として単一の光ファイバを介在させる方法についても記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザをさらに高出力化してその利用・適用範囲を広げるためには、2次元的に配列された半導体レーザアレイ、すなわち複数の半導体レーザまたは複数のアレイ型半導体レーザを配列したものと、そのような2次元配列の半導体レーザアレイの複数の発光点から出射されたレーザ光を効率的にコリメート・集光して、光ファイバに入射させることが可能なレンズアレイが必要不可欠である。
【0007】
しかしながら、特開平4−284401号に示されたレンズアレイは、その円柱レンズアレイの構造が、半導体レーザアレイの発光点の構造と個々に対応しており、したがって個々の発光点についてそれぞれコリメートを行って、それぞれに対して設置された半導体レーザアレイの発光点と同数の光ファイバに入射させるものであって、複数の発光点からのレーザ光を1つの光ファイバに集光する機能を有していない。さらに、使用される円柱レンズの数が多く、その組立工程や組立精度の点で問題がある。
【0008】
また、特開平6−104516号に示されたレンズアレイは、1次元に配列された半導体レーザアレイについて、すべての発光点からのレーザ光を単一の光ファイバに集光・入射させるものであるが、半導体レーザアレイを2次元化した場合、それらすべての発光点からのレーザ光を効率良く単一の光ファイバに集光・入射させることは極めて困難であり、レンズアレイ等も複雑なものとなる。
【0009】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、2次元配列された複数の発光点を有する半導体レーザアレイからのレーザ光を効率良くコリメート・集光し光ファイバに入射して、外部に出力することができる高出力の半導体レーザ光源装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による半導体レーザ光源装置は、複数の発光点を有する半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイのそれぞれの発光点から出射されたレーザ光が入射され外部へと出力する光ファイバからなる光ファイバアレイと、レーザ光を光ファイバアレイの光ファイバの入射端にコリメートまたは集光するレンズアレイと、を備えた半導体レーザ光源装置であって、半導体レーザアレイは、複数のアレイ型半導体レーザを垂直方向にスタック・配列することによって構成されるとともに、垂直方向にN0行(N0は2以上の整数)の発光点行、水平方向にM0列(M0は2以上の整数)の発光点列を有するマトリクス状に、2次元配列された最大N0×M0個の複数の発光点を有するスタック型半導体レーザアレイからなり、光ファイバアレイは、複数の発光点よりも少ない本数の複数の光ファイバから構成されて、それぞれの入射端が配列された入射部と、複数の光ファイバが束ねられたバンドル部とからなるとともに、N<N0かつM<M0である垂直方向にN行(Nは1以上の整数)の入射端行、水平方向にM列(Mは1以上の整数、ただしNまたはMの少なくとも一方は2以上の整数)の入射端列を有するマトリクス状に、それぞれの入射端が入射部において1次元または2次元配列されたN×M本の複数の光ファイバを有して構成され、レンズアレイは、複数の発光点の2次元配列の、垂直方向のみについて、レーザ光のコリメートを行うように構成されたコリメートレンズアレイと、複数の発光点の2次元配列の、垂直方向及び水平方向の両方向について、レーザ光の集光を行うように構成された集光レンズアレイと、を有し、コリメートレンズアレイは、垂直方向に配列されたN0行の発光点行に含まれる発光点からのレーザ光を、それぞれ垂直方向にコリメートする複数のコリメートレンズからなる垂直コリメートレンズアレイを有して構成され、集光レンズアレイは、スタック型半導体レーザアレイの最大N0×M0個の複数の発光点を、垂直方向にN行の発光領域行、水平方向にM列の発光領域列を有するマトリクス状に2次元配列されたN×M個の発光領域に区分して、それぞれの発光領域に含まれる発光点からのレーザ光を、N×M本の複数の光ファイバのうち対応する光ファイバの入射端に集光するように、垂直方向に配列されたN行の発光領域行に含まれる発光点からのレーザ光を、N行の入射端行にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからなる垂直集光レンズアレイと、水平方向に配列されたM列の発光領域列に含まれる発光点からのレーザ光を、M列の入射端列にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからなる水平集光レンズアレイとを有して構成され、レンズアレイは、スタック型半導体レーザアレイ側から光ファイバアレイ側へ向けて、垂直コリメートレンズアレイ、垂直集光レンズアレイ、及び水平集光レンズアレイの順で各レンズが配置されていることを特徴とする。
【0012】
単一の発光点を有する半導体レーザ、または複数の発光点を有するアレイ型半導体レーザ、を複数個スタックし、2次元配列して形成されたスタック型半導体レーザアレイと、それに対してこのスタック型半導体レーザアレイの発光点の個数よりも少ない本数の光ファイバからなる光ファイバアレイを用い、コリメートレンズアレイ及び集光レイズアレイによって光ファイバアレイの入射部に向けてそれぞれレーザ光のコリメート・集光を行って、レーザ光が入射された光ファイバをバンドル部において束ねることによって、2次元配列の発光点からのレーザ光を効率的に出力することができる高出力の半導体レーザ光源装置とすることができる。
【0013】
特に、スタック型半導体レーザアレイの発光点の2次元配列から、光ファイバアレイの1次元または2次元配列へ、垂直方向及び水平方向の両方向について集光レンズアレイによって集光を行うことによって、その集光の効率を高め、かつ光源装置のレンズや光ファイバなどの構成要素を減少させて、その製造を容易とすることができる。なお、集光とは、ここでは複数の発光点からのレーザ光を一点に収束させることをいう。
【0014】
このような光源装置は、例えばスタック型半導体レーザアレイの各発光点と、光ファイバアレイの各光ファイバの入射端をそれぞれマトリクス状に配列し、それらの配列に対応して集光レンズアレイを構成することによって、実現することができる。
【0015】
上記のような装置に用いられる、マトリクス状の複数の発光点を有するスタック型半導体レーザアレイは、例えば、水平方向にM0個の発光点を有するアレイ型半導体レーザを、垂直方向にN0個スタック・配列して構成することが好ましい。また、垂直方向にN1行(N1は1以上の整数)、水平方向にM1列(M1は1以上の整数)に2次元配列されたN1×M1個の発光点を有する半導体レーザまたはアレイ型半導体レーザを、垂直方向にN1×N2=N0であるN2個(N2は1以上の整数)、水平方向にM1×M2=M0であるM2個(M2は1以上の整数、ただしN2またはM2の少なくとも一方は2以上の整数)スタック・配列して構成しても良い。
【0016】
集光レンズアレイは、例えば、垂直方向に配列されたN行の発光領域行に含まれる発光点からのレーザ光を、N行の入射端行にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからなる垂直集光レンズアレイと、水平方向に配列されたM列の発光領域列に含まれる発光点からのレーザ光を、M列の入射端列にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからなる水平集光レンズアレイと、の2つのアレイを有して構成することができる。また、垂直方向に配列されたN行の発光領域行に含まれる発光点からのレーザ光を、N行の入射端行にそれぞれ集光し、かつ、水平方向に配列されたM列の発光領域列に含まれる発光点からのレーザ光を、M列の入射端列にそれぞれ集光する複数の集光レンズからなる二方向集光レンズアレイ、の1つのアレイを有して構成しても良い。
【0017】
このように、垂直集光レンズアレイ及び水平集光レンズアレイ、または二方向集光レンズアレイによって集光レンズアレイを構成することによって、上記のような両方向についての集光を実現することができる。
【0018】
また、コリメートレンズアレイは、垂直方向に配列されたN0行の発光点行に含まれる発光点からのレーザ光を、それぞれ垂直方向にコリメートする複数のコリメートレンズからなる垂直コリメートレンズアレイを有して構成することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図面と共に本発明による半導体レーザ光源装置の好適な実施形態について詳細に説明する。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0020】
なお、以下に示す光源装置における座標系については、レーザ光が出射される方向である縦方向をz軸・z方向とし、それ以外の2方向については、垂直方向をx軸・x方向、水平方向をy軸・y方向とする。ここで、以下に示す実施形態においては、この光源装置に関する座標系における垂直方向及び水平方向と、半導体レーザの各発光点であるストライプにおける接合面に対する垂直方向及び平行方向は、それぞれ一致している。
【0021】
また、発光点等の2次元配列における行及び列については、通常の行列の定義と同様に、垂直方向を分割して水平方向を長手方向とするものを行、水平方向を分割して垂直方向を長手方向とするものを列とする。
【0022】
図1は、本発明による半導体レーザ光源装置の一実施形態について、展開して各要素の構成について示す斜視図である。この図においては、近接して設置される要素についてもすべて距離をおいて示してある。本実施形態においては、レーザ光が出射される光源であるスタック型半導体レーザアレイ1は、垂直方向にN0行の発光点行V1〜VN0、及び水平方向にM0列の発光点列H1〜HM0を有して2次元配列されたN0×M0個の発光点を有して構成され、一方、レーザ光が入射され外部への出力を行う光ファイバアレイ2は、水平方向について1次元にそれぞれの入射端が配列されたM本の光ファイバを有して構成されている。
【0023】
スタック型半導体レーザアレイ1は、N0個のアレイ型半導体レーザ111〜11N0が垂直方向にスタック・配列されて構成されている。それぞれのアレイ型半導体レーザ11i(i=1〜N0)には、水平方向に等間隔に配列されたM0個の発光点110i,1〜110i,M0が形成されている。アレイ型半導体レーザ111〜11N0は、それぞれ垂直方向に対応する発光点1101,j〜110N0,jの水平方向の位置が一致するように配置され、これによって、スタック型半導体レーザアレイ1は、垂直方向に、M0個の発光点110i,1〜110i,M0を有するN0行の発光点行Vi(i=1〜N0)、水平方向に、N0個の発光点1101,j〜110N0,jを有するM0列の発光点列Hj(j=1〜M0)から構成されるマトリクス状に配列された、N0×M0個の発光点1101,1〜110N0,M0を有して構成されている。
【0024】
光ファイバアレイ2は、1×M本(ただし、M<M0)の光ファイバ2101,1〜2101,Mから構成され、これらM本の光ファイバとその入射端がそれぞれ配列される入射部21と、M本の光ファイバが束ねられたバンドル部22とからなる。本実施形態の入射部21においては、垂直方向の入射端行は1行(すなわちN=1)、水平方向の入射端列はM列であり、M本の光ファイバ2101,1〜2101,Mは、水平方向に1次元に配列されている。
【0025】
スタック型半導体レーザアレイ1のN0×M0個の発光点1101,1〜110N0,M0からそれぞれ出射されたレーザ光を、光ファイバアレイ2の1×M個の光ファイバ2101,1〜2101,Mに入射させるために、コリメートレンズアレイ3及び集光レンズアレイ4からなるレンズアレイが設置されている。
【0026】
コリメートレンズアレイ3は、スタック型半導体レーザアレイ1のそれぞれの発光点から出射されたレーザ光をコリメートして、その拡散角、すなわちz方向に対する傾き角、を小さくする機能を有して構成・設置される。
【0027】
ここで半導体レーザにおいては、一般にその垂直方向及び水平方向に対してその拡散角の大きさが異なる。垂直方向(x方向)についてはその拡散角θxは大きく、40°程度である。それに対して水平方向(y方向)についてはその拡散角θyは小さく、5〜12°程度である。
【0028】
また、本実施形態のようなスタック型半導体レーザアレイ1の構成においては、垂直方向を分割して水平方向を長手方向として配列されている発光点行Viの発光点110i,1〜110i,M0のそれぞれの垂直方向の位置は、同一のアレイ型半導体レーザ11iに形成されているために精度良く一致している。それに対して、水平方向を分割して垂直方向を長手方向として配列されている発光点列Hjの発光点1101,j〜110N0,jのそれぞれの水平方向の位置は、アレイ型半導体レーザ111〜11N0をスタック・配列する精度によるので、比較的精度が出ない。
【0029】
このため、本実施形態におけるコリメートレンズアレイ3は、垂直方向の拡散角θxのみについてコリメートを行う垂直コリメートレンズアレイ31から構成され、水平方向についてはコリメートを行っていない。ただし、必要があれば、水平方向の拡散角θyについてコリメートを行う水平コリメートレンズアレイをさらに設置する構成としても良い。
【0030】
垂直コリメートレンズアレイ31は、水平方向を長手方向とし断面が円であるN0個のシリンドリカルレンズ3101〜310N0から構成されている。それぞれのシリンドリカルレンズの中心軸の位置は、発光点の位置に対応して設置されている。すなわち、シリンドリカルレンズ310iの中心軸の垂直方向の位置は、発光点110i,1〜110i,M0からなる対応する発光点行Viの垂直方向の位置と一致するようにそれぞれ設置されている。これによってN0個のシリンドリカルレンズ310iは、M0個の発光点110i,1〜110i,M0から出射されたレーザ光に対して、それぞれ垂直方向の拡散角θxについてのコリメートを行う。コリメート後の拡散角θxは、およそ1°程度である。
【0031】
集光レンズアレイ4は、コリメートレンズアレイ3によってコリメートされたレーザ光を、光ファイバアレイ2の各光ファイバの入射端に集光する機能を有して構成・設置される。ここで集光とは、複数の発光点からのレーザ光を一点に収束させることをいう。
【0032】
本実施形態における集光レンズアレイ4は、垂直方向について集光を行う垂直集光レンズアレイ41、及び水平方向について集光を行う水平集光レンズアレイ42から構成されている。ここで、スタック型半導体レーザアレイ1はN0×M0個の発光点1101,1〜110N0,M0からなり、一方、光ファイバアレイ2はN×M本の光ファイバ(ただし、本実施形態においてはN=1)からなってそれぞれ構成されていることに対応して、集光レンズアレイ4は、このN0×M0個の発光点1101,1〜110N0,M0から出射されたレーザ光を、垂直方向にN行の発光領域行、水平方向にM列の発光領域列を有するN×M個の発光領域に区分して、それぞれの区分された発光領域内に含まれる発光点からのレーザ光が、対応する光ファイバにそれぞれ入射されるように構成・設置される。
【0033】
すなわち、垂直方向の集光は、本実施形態における光ファイバアレイ2の入射端行が1行(N=1)であるので、N0行の発光点行Viからのレーザ光を1行の入射端行に集光するように垂直集光レンズアレイ41が構成されている。一方、水平方向の集光は、光ファイバアレイ2の入射端列がM列であるので、M0列の発光点列Hjからのレーザ光をM列の入射端列に分割・集光するように水平集光レンズアレイ42が構成されている。
【0034】
垂直集光レンズアレイ41は、水平方向を長手方向とし断面が楕円である単一のシリンドリカルレンズ410から構成されている。シリンドリカルレンズ410の中心軸の位置は、発光点1101,1〜110N0,M0の垂直方向の中心位置と一致するように設置されている。
【0035】
水平集光レンズアレイ42は、垂直方向を長手方向とし断面が円であるM個のシリンドリカルレンズ4201〜420Mから構成されている。それぞれのシリンドリカルレンズの中心軸の位置は、発光領域の位置に対応して設置されている。すなわち、シリンドリカルレンズ420jの中心軸の水平方向の位置は、対応するj番目の発光領域列の水平方向の中心位置と一致するようにそれぞれ設置されている。
【0036】
本実施形態によるレンズアレイにおける、レーザ光のコリメート及び集光について説明する。図2は、図1に示した半導体レーザ光源装置の側面図、すなわちy方向から見た図であり、x方向(垂直方向)についてのレーザ光のコリメート及び集光が点線によって図示されている。また、図3は、図1に示した半導体レーザ光源装置の上面図、すなわちx方向から見た図であり、y方向(水平方向)についてのレーザ光の集光が点線によって図示されている。
【0037】
垂直方向については、拡散角θxが40°程度と大きいので、レーザ光は垂直コリメートレンズアレイ31によってコリメートされて、拡散角が小さい(1°程度)レーザ光とされ、垂直集光レンズアレイ41によって光ファイバアレイ2の入射部21の、対応する光ファイバ入射端に集光される。また、水平方向については、拡散角θyが5〜12°程度と小さいので、コリメートは行われず、水平集光レンズアレイ42によって光ファイバアレイ2の入射部21の、対応する光ファイバ入射端に集光される。
【0038】
なお、これらのレンズアレイを構成するそれぞれのレンズの焦点距離等は、すべて図2及び図3に示したコリメート及び集光が実現されるように選択されている。
【0039】
特に、垂直集光レンズアレイ41から光ファイバ入射端までの距離(垂直集光レンズアレイ41のレンズの焦点距離)をfx、水平集光レンズアレイ42から光ファイバ入射端までの距離(水平集光レンズアレイ42の各レンズの焦点距離)をfyとすると、光ファイバの入射端におけるx方向及びy方向の集光の幅dx及びdyは、およそdx=fx×θx、dy=fy×θyとなる。ここで、コリメートレンズアレイ3を通過した後の拡散角θx及びθyは、上記したようにθxの方が小さいので、光ファイバへの効率的な集光・入射を行うために、それぞれの焦点距離が、集光の幅dx及びdyが同程度の大きさとなるfx>fyである所定の値となるように、垂直集光レンズアレイ41及び水平集光レンズアレイ42がそれぞれ設置されている。また、一定の開口数を有する光ファイバに対して、x方向及びy方向の入射効率を同程度とするために、垂直集光レンズアレイ41及び水平集光レンズアレイ42を構成する各レンズの幅は、水平集光レンズアレイ42のものの方が小さくなるように構成することが望ましい。なお、光ファイバ入射端の大きさ及び集光の大きさ等の条件によっては、焦点距離やレンズ幅等についてのこれらの条件を満たさない構成としても良い。
【0040】
また、図1、図2及び図3は、具体的には、N0=8、M0=12、N=1、M=6の上記の条件を満たす構成として作図されているが、これらの個数・本数の選択は単に例示に過ぎず、他の構成であっても構わない。特にNについては、2以上の整数として光ファイバが2次元配列される構成とすることも可能である。この場合、垂直集光レンズアレイ41は、例えばN個のシリンドリカルレンズによって構成することができる。
【0041】
図4は、本発明による半導体レーザ光源装置の他の実施形態について、図1と同様に展開して各要素の構成について示す斜視図である。本実施形態においては、レーザ光が出射される光源であるスタック型半導体レーザアレイ1の構成については、図1に示した実施形態のものと同様である。
【0042】
光ファイバアレイ2は、2×M本(ただし、M<M0)の光ファイバ2101,1〜2102,Mから構成され、これら2×M本の光ファイバとその入射端がそれぞれ配列される入射部21と、2×M本の光ファイバが束ねられたバンドル部22とからなる。本実施形態の入射部21においては、垂直方向の入射端行は2行(すなわちN=2)、水平方向の入射端列はM列であり、2×M本の光ファイバ2101,1〜2102,Mは、2次元に配列されている。
【0043】
スタック型半導体レーザアレイ1のN0×M0個の発光点1101,1〜110N0,M0から出射されたレーザ光を、光ファイバアレイ2の2×M本の光ファイバ2101,1〜2102,Mに入射させるために、コリメートレンズアレイ3及び集光レンズアレイ4からなるレンズアレイが設置されている。なお、コリメートレンズアレイ3の垂直コリメートレンズアレイ31の構成については、図1に示した実施形態のものと同様である。
【0044】
本実施形態における集光レンズアレイ4は、垂直方向及び水平方向の二方向について集光を行う二方向集光レンズアレイ40から構成されている。二方向集光レンズアレイ40は、その中心位置がそれぞれ2×M個の光ファイバ2101,1〜2102,Mの位置、及びそれに対応する発光領域の位置、に対応して設置されている2×M個の長方形球面レンズ4001,1〜4002,Mから構成されている。これによって、区分された各発光領域に含まれる発光点からのレーザ光が、対応する光ファイバにそれぞれ入射される。
【0045】
本実施形態によるレンズアレイにおける、レーザ光のコリメート及び集光について説明する。図5は、図4に示した半導体レーザ光源装置の側面図、すなわちy方向から見た図であり、x方向(垂直方向)についてのレーザ光のコリメート及び集光が点線によって図示されている。また、図6は、図4に示した半導体レーザ光源装置の上面図、すなわちx方向から見た図であり、y方向(水平方向)についてのレーザ光の集光が点線によって図示されている。
【0046】
垂直方向について垂直コリメートレンズアレイ31によってコリメートされたレーザ光は、二方向集光レンズアレイ40によって垂直方向及び水平方向の両方向について、光ファイバアレイ2の入射部21の、対応する光ファイバ入射端に集光される。
【0047】
なお、これらのレンズアレイを構成するそれぞれのレンズの焦点距離等は、すべて図5及び図6に示したコリメート及び集光が実現されるように選択されている。また、図4、図5及び図6は、具体的には、N0=8、M0=12、N=2、M=6として作図されている。
【0048】
本発明による半導体レーザ光源装置は、上記した実施形態に限られるものではなく、様々な形態とすることができる。例えば、その光源部分については、図7に示すように、垂直方向及び水平方向をともに分割してアレイ型半導体レーザ、図7においては4個のアレイ型半導体レーザ111,1〜112,2、をスタック・配列してスタック型半導体レーザアレイ1を構成しても良い。アレイ型半導体レーザではなく、単一の発光点を有する半導体レーザをマトリクス状にスタック・配列してスタック型半導体レーザアレイを構成することも可能である。また、発光点の配列が図1に示したような完全なマトリクス状になっていないもの、例えば図8に示すように発光点が交互に配置されているもの、についても同様のレンズアレイを適用するように構成することが可能である。
【0049】
また、図9に示すように、複数のスタック型半導体レーザアレイを用いても良い。図9に示す装置においては、スタック型半導体レーザアレイ1a及び1bはそのそれぞれの発光点の垂直方向の位置が交互になるように配置されており、ストライプ状光学板1cには、スタック型半導体レーザアレイ1aの発光点に対応する位置には光透過膜が、またスタック型半導体レーザアレイ1bの発光点に対応する位置には光反射膜が、水平方向を長手方向として形成されている。これによって2つのスタック型半導体レーザアレイ1a及び1bからのレーザ光をすべて光ファイバアレイ2のそれぞれの光ファイバに入射させて、さらに強度を高めた光源装置とすることができる。
【0050】
また、レンズアレイに用いる各レンズの形状・構成等についても、コリメートまたは集光の機能を有するものであれば、必要に応じて他の形状・構成のものを用いても良い。また、分布屈折率レンズ等を用いることも可能である。
【0051】
【発明の効果】
本発明による半導体レーザ光源装置は、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、N0×M0個のマトリクス状に配列された発光点を有するスタック型半導体レーザアレイから出射されたレーザ光を、コリメートレンズアレイによって必要な方向についてコリメートし、さらに集光レンズアレイによって垂直方向及び水平方向の両方向について集光を行って、N<N0かつM<M0であるN×M本の光ファイバを有する光ファイバアレイのマトリクス状に配列された入射端に集光・入射させ、その光ファイバをバンドルとすることによって、効率的にレーザ光を取り込んた、高出力の半導体レーザ光源装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体レーザ光源装置の一実施形態を展開して示す斜視図である。
【図2】図1に示した半導体レーザ光源装置の側面図である。
【図3】図1に示した半導体レーザ光源装置の上面図である。
【図4】本発明による半導体レーザ光源装置の他の実施形態を展開して示す斜視図である。
【図5】図4に示した半導体レーザ光源装置の側面図である。
【図6】図4に示した半導体レーザ光源装置の上面図である。
【図7】スタック型半導体レーザアレイの他の実施形態を示す斜視図である。
【図8】スタック型半導体レーザアレイの他の実施形態を示す斜視図である。
【図9】本発明による半導体レーザ光源装置の他の実施形態を示す上面図である。
【符号の説明】
1、1a、1b…スタック型半導体レーザアレイ、1c…ストライプ状光学板、111〜11N0、111,1〜112,2…アレイ型半導体レーザ、1101,1〜110N0,M0…発光点、
2…光ファイバアレイ、21…入射部、22…バンドル部、2101,1〜2102,M…光ファイバ、
3…コリメートレンズアレイ、31…垂直コリメートレンズアレイ、3101〜310N0…シリンドリカルレンズ、
4…集光レンズアレイ、40…二方向集光レンズアレイ、4001,1〜4002,M…長方形球面レンズ、41…垂直集光レンズアレイ、410…シリンドリカルレンズ、42…水平集光レンズアレイ、4201〜420M…シリンドリカルレンズ。

Claims (3)

  1. 複数の発光点を有する半導体レーザアレイと、前記半導体レーザアレイのそれぞれの前記発光点から出射されたレーザ光が入射され外部へと出力する光ファイバからなる光ファイバアレイと、前記レーザ光を前記光ファイバアレイの前記光ファイバの入射端にコリメートまたは集光するレンズアレイと、を備えた半導体レーザ光源装置であって、
    前記半導体レーザアレイは、複数のアレイ型半導体レーザを垂直方向にスタック・配列することによって構成されるとともに、垂直方向にN0行(N0は2以上の整数)の発光点行、水平方向にM0列(M0は2以上の整数)の発光点列を有するマトリクス状に、2次元配列された最大N0×M0個の前記複数の発光点を有するスタック型半導体レーザアレイからなり、
    前記光ファイバアレイは、前記複数の発光点よりも少ない本数の複数の光ファイバから構成されて、それぞれの入射端が配列された入射部と、前記複数の光ファイバが束ねられたバンドル部とからなるとともに、N<N0かつM<M0である垂直方向にN行(Nは1以上の整数)の入射端行、水平方向にM列(Mは1以上の整数、ただしNまたはMの少なくとも一方は2以上の整数)の入射端列を有するマトリクス状に、それぞれの前記入射端が前記入射部において1次元または2次元配列されたN×M本の前記複数の光ファイバを有して構成され、
    前記レンズアレイは、
    前記複数の発光点の2次元配列の、垂直方向のみについて、前記レーザ光のコリメートを行うように構成されたコリメートレンズアレイと、
    前記複数の発光点の2次元配列の、垂直方向及び水平方向の両方向について、前記レーザ光の集光を行うように構成された集光レンズアレイと、を有し、
    前記コリメートレンズアレイは、
    垂直方向に配列された前記N0行の発光点行に含まれる前記発光点からの前記レーザ光を、それぞれ垂直方向にコリメートする複数のコリメートレンズからなる垂直コリメートレンズアレイを有して構成され、
    前記集光レンズアレイは、
    前記スタック型半導体レーザアレイの最大N0×M0個の前記複数の発光点を、垂直方向にN行の発光領域行、水平方向にM列の発光領域列を有するマトリクス状に2次元配列されたN×M個の発光領域に区分して、それぞれの前記発光領域に含まれる前記発光点からの前記レーザ光を、N×M本の前記複数の光ファイバのうち対応する前記光ファイバの前記入射端に集光するように、
    垂直方向に配列された前記N行の発光領域行に含まれる前記発光点からの前記レーザ光を、前記N行の入射端行にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからなる垂直集光レンズアレイと、
    水平方向に配列された前記M列の発光領域列に含まれる前記発光点からの前記レーザ光を、前記M列の入射端列にそれぞれ集光する単一または複数の集光レンズからなる水平集光レンズアレイとを有して構成され、
    前記レンズアレイは、前記スタック型半導体レーザアレイ側から前記光ファイバアレイ側へ向けて、前記垂直コリメートレンズアレイ、前記垂直集光レンズアレイ、及び前記水平集光レンズアレイの順で各レンズが配置されていることを特徴とする半導体レーザ光源装置。
  2. 前記スタック型半導体レーザアレイは、水平方向にM0個の前記発光点を有する前記アレイ型半導体レーザを、垂直方向にN0個スタック・配列して、N0×M0個の前記複数の発光点を有して構成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ光源装置。
  3. 前記集光レンズアレイは、前記水平集光レンズアレイを構成する集光レンズの幅が、前記垂直集光レンズアレイを構成する集光レンズの幅よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体レーザ光源装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002232055A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置、及び、半導体レーザ装置のレンズ位置固定方法
JP2002329935A (ja) 2001-05-07 2002-11-15 Toshiba Corp レーザ光源装置、レーザ装置、レーザ出射方法およびレーザ光源装置の製造方法
DE60231037D1 (ja) 2001-05-09 2009-03-19 Hamamatsu Photonics Kk
JP2002335054A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ装置及びレーザ加工装置
JP4197956B2 (ja) 2001-05-09 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 光学レンズの製造方法
US7145724B2 (en) 2001-05-09 2006-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Optical lens and semiconductor laser device
JP3917491B2 (ja) * 2002-03-08 2007-05-23 株式会社ジェイテクト レンズアレイ及びレーザ集光装置
EP1376179A3 (en) * 2002-06-27 2004-04-14 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha Laminated optical waveguide array, optical beam collecting device and laser emission device
WO2005119864A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Trumpf Photonics Inc. Laser diode array mount and stepped mirror for shaping of a symmetric laser beam
DE102004039936A1 (de) 2004-08-17 2006-02-23 Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Homogenisierung von Licht sowie Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
JP4557289B2 (ja) 2005-06-23 2010-10-06 株式会社日立製作所 表示装置
WO2007007766A1 (ja) 2005-07-13 2007-01-18 The Furukawa Electric Co., Ltd. 光照射装置および溶着方法
US7881355B2 (en) * 2005-12-15 2011-02-01 Mind Melters, Inc. System and method for generating intense laser light from laser diode arrays
JP4483840B2 (ja) 2006-09-04 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置
WO2013033099A1 (en) * 2011-08-29 2013-03-07 Tk Holdings Inc. System for non-invasive measurement of an analyte in a vehicle driver
US9343868B2 (en) 2012-08-28 2016-05-17 Optical Engines Inc. Efficient generation of intense laser light from multiple laser light sources using misaligned collimating optical elements
JP2015031814A (ja) * 2013-08-02 2015-02-16 住友電気工業株式会社 レンズ部品および光モジュール。
JP2016218406A (ja) 2015-05-26 2016-12-22 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光変調器モジュール
CN107192378B (zh) * 2017-06-23 2019-09-24 西安工业大学 一种用于高速摄影测量***的光源面装置
WO2020137079A1 (ja) * 2018-12-26 2020-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 ラインビーム走査光学系およびレーザレーダ
JP7151497B2 (ja) * 2019-01-17 2022-10-12 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP2022536487A (ja) 2019-06-12 2022-08-17 オートモーティブ・コーリション・フォー・トラフィック・セーフティ,インコーポレーテッド 車両運転手内の被分析物の非侵襲的測定のためのシステム
KR102153510B1 (ko) * 2020-01-31 2020-09-08 페이브텍 주식회사 빔 균질기 및 이를 채용한 고에너지 레이저 광섬유 빔 전송 시스템
CN111999827A (zh) * 2020-09-24 2020-11-27 武汉锐奥特科技有限公司 一种并行光路结构以及光模块
CN113189780B (zh) * 2021-04-21 2023-03-24 吉林省长光瑞思激光技术有限公司 一种可实现激光圆方光斑变化的光路整形***

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