JP4073251B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して所定の液処理とこの液処理に伴う熱的処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造においては、配線用の導体材料として銅が広く使用されており、例えば、銅配線が形成されたウエハの表面に塗布法（Spin On Deposition）によって層間絶縁膜を形成する場合には、ウエハをスピンチャックに保持してウエハの略中心に所定量の塗布液を供給し、スピンチャックを所定の回転数で回転させることによって塗布液をウエハの周縁に拡げ、その後に塗布膜が形成されたウエハを熱処理している。
【０００３】
ここで、銅は固体中を拡散しやすい性質を有しているために、このような処理の過程でスピンチャックにはウエハを介して銅が拡散する。したがって、その後にこのスピンチャックに銅配線が形成されていないウエハを保持させると、スピンチャックからこのウエハへの銅の拡散が生じることによって、半導体デバイスの絶縁特性が低下する。
【０００４】
そこで、半導体製造メーカーでは、銅配線が形成されているウエハに所定の処理を施し、または銅を含む材料を使用してウエハを処理し、或いは銅配線が形成されているウエハを検査する（以下このような処理等を「銅使用プロセス」という）ために使用される各種処理ユニットおよび検査ユニット等からなる製造装置（以下「銅使用プロセス用製造装置」という）と、銅配線を有していないウエハに銅を用いない所定の処理を施し、または銅配線が形成されていないウエハを検査する（以下このような処理等を「銅不使用プロセス」という）ために使用される各種処理ユニットおよび検査ユニット等からなる製造装置（以下「銅不使用プロセス用製造装置」という）を、別々に用意して使い分けており、これによって、銅配線を有していないウエハへの銅の拡散を防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように、銅使用プロセス用製造装置と銅不使用プロセス用製造装置を別々に準備した場合には、装置コストが嵩む問題がある。また、これらの製造装置を配置するために広いスペースのクリーンルームが必要となる問題もある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、１台の装置で、銅の拡散を抑制して銅使用プロセスと銅不使用プロセスとを並行して行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックに対して、その境界面について鉛直方向からみて対称となるように水平方向に並べて配置され、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの境界面に配置され、第１搬送アームと第２搬送アームとを内部に有する基板搬送装置であって、前記第１搬送アームと前記第２搬送アームとは基板搬送装置内部の空間内を移動し、かつ前記第１搬送アームは、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行い、前記第２の搬送アームは、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う基板搬送装置と、
を具備し、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックに対して、その境界面について鉛直方向からみて対称となるように水平方向に並べて配置され、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの境界面に配置され、第１搬送アームと第２搬送アームとを内部に有する第１の基板搬送装置であって、前記第１搬送アームと前記第２搬送アームとは当該第１の基板搬送装置内部の空間内を移動し、かつ前記第１搬送アームは、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行い、前記第２の搬送アームは、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１の基板搬送装置と、
前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第１容器載置部と、前記第１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの間で基板を搬送する第２基板搬送装置とを有し、前記第１処理ブロックに隣接して設けられた第１基板搬送ステーションと、
前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器載置部と、前記第２容器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板搬送装置とを有し、前記第２処理ブロックに隣接して設けられた第２基板搬送ステーションと、
を具備し、
前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステーションとは、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックを水平方向に挟んで設けられており、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【０００９】
本発明の第３の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックの上側に設けられ、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの内部に上下方向に沿って設けられ、第１基板搬送部および第２基板搬送部を有する基板搬送装置であって、前記第２基板搬送部が前記第１基板搬送部の上側に設けられ、前記第１基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１搬送アームを有し、前記第２基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第２搬送アームを有する基板搬送装置と、
を具備し、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１０】
本発明の第４の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックの上側に設けられ、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの内部に上下方向に沿って設けられ、第１基板搬送部および第２基板搬送部を有する第１の基板搬送装置であって、前記第２基板搬送部が前記第１基板搬送部の上側に設けられ、前記第１基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１搬送アームを有し、前記第２基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第２搬送アームを有する第１の基板搬送装置と、
前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第１容器載置部と、前記第１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの間で基板を搬送する第２基板搬送装置と、を有する第１基板搬送ステーションと、
前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器載置部と、前記第２容器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板搬送装置と、を有する第２基板搬送ステーションと、
を具備し、
前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステーションとは、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックを水平方向に挟んで設けられており、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１１】
このような基板処理装置においては、銅を有する基板の処理を行う第１処理ブロックと、銅を有しない基板を銅を使用せずに処理する第２処理ブロックとに分けてこれらの雰囲気を実質的に分けているので、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの銅の拡散を抑制することができる。また、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置と、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置を区別して用いることによって、基板搬送装置を介した銅の拡散をもまた抑制することができる。これにより第１処理ブロックから第２処理ブロックにおいて処理される基板への銅の拡散による基板の汚染を抑制することができ、第２処理ブロックで処理される基板の絶縁特性の低下を防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、本発明の基板処理装置を、低誘電率層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）を塗布法（Spin On Deposition）によって形成するＳＯＤシステムに適用した場合について説明することとする。図１はＳＯＤシステム１００の概略平面図であり、図２はその概略側面図であり、図３はＳＯＤシステム１００内に装着された処理ユニット群の概略断面図である。
【００１３】
ＳＯＤシステム１００は、大別して、処理ステーション１と、第１搬送ステーション２と、第２搬送ステーション５とを具備している。処理ステーション１は、銅配線を有するウエハＷに所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、銅配線を有していないウエハＷに銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してウエハＷの搬送を行う第１搬送アーム群１９ａおよび第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してウエハＷの搬送を行う第２搬送アーム群１９ｂを有する主ウエハ搬送装置１８と、を具備している。
【００１４】
この第１処理ブロックは、ウエハＷに対してｌｏｗ−ｋ膜（低誘電率層間絶縁膜）の塗布形成を行う２台の絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１が積み重ねられた第１処理ユニット群Ｇ１と、第１処理ユニット群Ｇ１においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの熱的処理を行う第３処理ユニット群Ｇ３とを有している。第１処理ユニット群Ｇ１の下部は、第１処理ユニット群Ｇ１において使用される各種の塗布液等を貯留するための薬液貯留室２０ａとなっている。
【００１５】
また、第３処理ユニット群Ｇ３では、第１処理ユニット群Ｇ１においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの硬化処理を行う２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４と、ウエハＷの加熱処理を行う２台のベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６と、第１搬送ステーション２と主ウエハ搬送装置１８との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３が積み重ねられている。なお、第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３は、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５において処理されたウエハＷの自然冷却ユニットとして使用することもできる。
【００１６】
この第２処理ブロックは、ウエハＷの表面にｌｏｗ−ｋ膜を形成する２台の絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７が積み重ねられた第２処理ユニット群Ｇ２と、第２処理ユニット群Ｇ２において塗布膜が形成されたウエハＷの熱的処理を行う第４処理ユニット群Ｇ４とを有している。第２処理ユニット群Ｇ２の下部は、第２処理ユニット群Ｇ２において使用する各種の塗布液等を貯留するための薬液貯留室２０ｂとなっている。
【００１７】
また、第４処理ユニット群Ｇ４では、第２処理ユニット群Ｇ２においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの硬化処理を行う２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９と、ウエハＷの加熱処理を行う２台のベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１と、第２搬送ステーション５と主ウエハ搬送装置１８との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８が積み重ねられている。なお、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８は、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０において処理されたウエハＷの自然冷却ユニットとして使用することもできる。
【００１８】
このように、第１処理ブロックでは銅配線が形成されたウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する一連の処理（銅使用プロセス）が行われ、第２処理ブロックでは銅を有しないウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する一連の処理（銅不使用プロセス）が行われる。図１から図３の各図に示すように、第１処理ブロックと第２処理ブロックはその境界面（Ｚ−Ｘ面）について略対称となるように水平方向に並べて配置されており、第１処理ブロックと第２処理ブロックの処理雰囲気は実質的に分離されている。
【００１９】
第１処理ブロック側に設けられている第１搬送ステーション２は、第１処理ブロックにおいて処理を行うウエハＷが所定枚数、例えば２５枚収容されたキャリア（ＣＲ）を載置する第１キャリア載置台３と、第１キャリア載置台３に載置されたキャリア（ＣＲ）と第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３との間でウエハＷを搬送するウエハ搬送装置１１が設けられた第１搬送ユニット４と、を有している。
【００２０】
この第１キャリア載置台３には、図１に示すように、図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起１０が形成されており、この位置決め突起１０の位置にキャリア（ＣＲ）が、それぞれのウエハ出入口を第１搬送ユニット４側に向けて１列に載置できるようになっている。キャリア（ＣＲ）においてはウエハＷは略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に所定の間隔で配列されている。
【００２１】
ウエハ搬送装置１１はキャリア配列方向（Ｘ方向）にスライド可能である。また、ウエハ搬送装置１１は、Ｚ方向に移動可能であり、かつ、図１中のＹ方向に進退可能であり、かつ、図１中のθ方向に回転可能であるウエハ搬送ピック１１ａを有している。このような可動機構によって、ウエハ搬送ピック１１ａは、第１キャリア載置台３に載置されたいずれかのキャリア（ＣＲ）に収容された任意のウエハＷおよび第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３に対してアクセス可能であり、これらの間でウエハＷを搬送することができる。
【００２２】
第２処理ブロック側に設けられている第２搬送ステーション５は、第２処理ブロックにおいて処理を行うウエハＷが収容されたキャリア（ＣＲ）を載置する第２キャリア載置台６と、第２キャリア載置台６に載置されたキャリア（ＣＲ）と第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８との間でウエハＷを搬送するウエハ搬送装置１３が設けられた第２搬送ユニット７と、を有している。
【００２３】
第２キャリア載置台６には、図中Ｘ方向に沿って４箇所に位置決め突起１２が形成されており、この位置決め突起１２の位置にキャリア（ＣＲ）が、それぞれのウエハ出入口を第２搬送ユニット７側に向けて１列に載置できるようになっている。キャリア（ＣＲ）においてはウエハＷは略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に所定の間隔で配列されている。第２キャリア載置台６に載置されるキャリア（ＣＲ）に収容されているウエハＷとしては、例えば、アルミニウム配線が形成されているウエハＷ等が挙げられる。
【００２４】
ウエハ搬送装置１３はキャリア配列方向（Ｘ方向）にスライド可能である。また、ウエハ搬送装置１３は、Ｚ方向に移動可能であり、かつ、図１中のＹ方向に進退可能であり、かつ、図１中のθ方向に回転可能であるウエハ搬送ピック１３ａを有している。このような可動機構によって、ウエハ搬送ピック１３ａは、第２キャリア載置台６に載置されたいずれかのキャリア（ＣＲ）に収容された任意のウエハＷおよび第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８に対してアクセス可能であり、これらの間でウエハＷを搬送することができる。
【００２５】
ＳＯＤシステム１００においては、このように、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第１搬送ステーション２と、銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第２搬送ステーション５とが、処理ステーション１を挟んで隔離して配置されている。これにより第１搬送ステーション２と第２搬送ステーション５の雰囲気が実質的に分離されている。
【００２６】
例えば、銅使用プロセスを行うウエハＷと銅不使用プロセスを行うウエハＷを同じウエハ搬送ピックで処理ステーション１に搬送する構造とした場合には、銅使用プロセスを行うウエハＷからウエハ搬送ピックに銅が拡散し、さらにウエハ搬送ピックから銅不使用プロセスを行うウエハＷへ銅が拡散して銅不使用プロセスを行うウエハＷが汚染される事態が生じるおそれがある。しかし、ＳＯＤシステム１００においては、このようなウエハ搬送ピックを介した銅不使用プロセスを行うウエハＷへの銅の拡散が起こらないようになっている。
【００２７】
主ウエハ搬送装置１８は、Ｚ方向に延在し、垂直壁５１ａ・５１ｂおよびこれらの間の側面開口部５１ｃを有する筒状支持体５１と、その内側に筒状支持体５１に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられたウエハ搬送体５２とを有している。筒状支持体５１はモータ５３の回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送体５２も一体的に回転されるようになっている。また、ウエハ搬送体５２は、モータ５８によってベルト５９を駆動させることにより昇降自在となっている。なお、符号４０は駆動プーリー、４１は従動プーリーである。
【００２８】
ウエハ搬送体５２は搬送基台５４を備えており、第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム群１９ｂは搬送基台５４に取り付けられている。第１搬送アーム群１９ａは３本の搬送アーム５５ａ・５５ｂ・５５ｃを有し、第２搬送アーム群１９ｂは３本の搬送アーム５６ａ・５６ｂ・５６ｃを有している。搬送アーム５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃは筒状支持体５１の側面開口部５１ｃを通過可能な大きさを有しており、搬送基台５４内に内蔵されたモータおよびベルト機構によって個々に独立して進退移動することが可能となっている。
【００２９】
筒状支持体５１を所定角度回転させて側面開口部５１ｃを第１処理ユニット群Ｇ１〜第４処理ユニット群Ｇ４に向けることによって、搬送アーム５５ａ〜５５ｃを第１処理ユニット群Ｇ１と第３処理ユニット群Ｇ３を構成する各処理ユニットにアクセスさせることができ、搬送アーム５６ａ〜５６ｃを第２処理ユニット群Ｇ２と第４処理ユニット群Ｇ４を構成する各処理ユニットにアクセスさせることができる。このように、主ウエハ搬送装置１８では、銅使用プロセスを行うウエハＷを搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う搬送アームとを区別しており、これによって搬送アームを介して銅不使用プロセスを行うウエハＷへ銅が拡散することが防止される。
【００３０】
主ウエハ搬送装置１８の上方には、主ウエハ搬送装置１８に清浄な空気をダウンフローとして供給するフィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２が設けられている。図４はフィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からの空気の流れを示す説明図である。
【００３１】
主ウエハ搬送装置１８が設けられている床部には排気口（図示せず）が設けられており、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２から吹き出されるダウンフローの一部は、主ウエハ搬送装置１８にあたった後に、その床部から排気される。第２搬送アーム群１９ｂは第１搬送アーム群１９ａの上側に配置されているために、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第１搬送アーム群１９ａから銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第２搬送アーム群１９ｂへの銅の拡散が抑制される。また、第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム群１９ｂとの間には遮蔽板３３が設けられており、これによっても第１搬送アーム群１９ａから第２搬送アーム群１９ｂへの銅の拡散が抑制される。
【００３２】
フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２から吹き出されるダウンフローの一部は、第３処理ユニット群Ｇ３の各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第１搬送ユニット４へ流出し、また、第４処理ユニット群Ｇ４の各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第２搬送ユニット７へ流出するようになっている。これにより、第３処理ユニット群Ｇ３と第４処理ユニット群Ｇ４の各処理ユニットの内部が清浄に保持され、しかも第３処理ユニット群Ｇ３から第４処理ユニット群Ｇ４への銅の拡散が抑制される。
【００３３】
搬送アーム５５ａと搬送アーム５５ｂとの間には遮熱板３４ａが設けられている。例えば、搬送アーム５５ａを室温および所定の温度に冷却処理されたウエハＷの搬送用に用い、搬送アーム５５ｂ・５５ｃをベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５等で加熱処理されたウエハＷの搬送に用いた場合に、この遮熱板３４ａによって、加熱されたウエハＷからの熱拡散によって搬送アーム５５ａが温められることが抑制される。同様の目的で、搬送アーム５６ａと搬送アーム５６ｂとの間には遮熱板３４ｂが設けられている。また、遮蔽板３３によって、搬送アーム５６ｃから搬送アーム５５ａへの熱拡散が抑制され、搬送アーム５５ａが温められることが抑制される。なお、図１と図３において、遮蔽板３３と遮熱板３４ａ・３４ｂを保持する保持部材は図示していないが、この保持部材は搬送基台５４に設けられている。
【００３４】
上記のように構成されたＳＯＤシステム１００においては、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフィルム法、フォックス法等の各種の方法によってｌｏｗ−ｋ膜を形成することができる。第１処理ブロックにおいて、銅配線が形成されたウエハＷの表面にこれら各種の方法によってｌｏｗ−ｋ膜を形成する場合の基本的なウエハＷの処理は、（１）ウエハ搬送装置１１によるキャリア（ＣＲ）から第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へのウエハＷの搬送、（２）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と温度調整、（３）絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、（５）キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４へのウエハＷの搬送とキュア処理、（６）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、（７）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で行われる。なお、第２処理ブロックにおけるｌｏｗ−ｋ膜の形成処理もこれと同様に行われる。
【００３５】
このようなＳＯＤシステム１００を用いた場合には、従来のように銅使用プロセス用のＳＯＤシステムと銅不使用プロセス用のＳＯＤシステムを２台用いることなく、これらの両プロセスを１台のＳＯＤシステム１００内で並行して行うことができる。また、銅使用プロセスを行うエリアと銅不使用プロセスを行うエリアを分離して、さらに銅使用プロセスを行うウエハを搬送する搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハを搬送する搬送アームを区別させた構成とすることによって、銅不使用プロセスを行うウエハＷの銅による汚染が抑制され、銅不使用プロセスを行うウエハＷの絶縁特性の低下を防止することができる。
【００３６】
ＳＯＤシステム１００においては、主ウエハ搬送装置１８における第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム群１９ｂの構成を、図５の側面図に示すように変更してもよい。図５に示す構成では、第１搬送アーム群１９ａにおいて室温および所定の温度に冷却されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５５ａと第２搬送アーム群１９ａにおいて室温および所定の温度に冷却されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５６ａが遮蔽板３３の上側に配置され、かつ、搬送アーム５６ａが搬送アーム５５ａの上側に配置されている。また、第１搬送アーム群１９ａにおいて加熱されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５５ｂ・５５ｃと第２搬送アーム群１９ａにおいて加熱されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５６ｂ・５６ｃが遮蔽板３３の下側に配置され、かつ、搬送アーム５６ｂ・５６ｃが搬送アーム５５ｂ・５５ｃの上側に配置されている。
【００３７】
主ウエハ搬送装置１８の構成を図５に示すようにした場合には、遮蔽板３３が遮熱板として機能するために、図３に示す構成のように遮熱板３４ａ・３４ｂを設けなくともよい。但し、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う搬送アームとを近接させないようにするか、または搬送アーム５５ａ・５６ａ間と搬送アーム５５ｂ・５６ｃ間のそれぞれに銅の拡散を抑制する遮蔽板または浮遊する銅を吸着する部材を設ける等して、銅の拡散を防止することがより好ましい。
【００３８】
次に、ＳＯＤシステムの別の形態について説明する。図６はＳＯＤシステム１００´の概略平面図であり、図７はその概略側面図であり、図８はＳＯＤシステム１００´内に装着された処理ユニット群の概略断面図である。ＳＯＤシステム１００´は、大別して、処理ステーション１´と、第１搬送ステーション２と、第２搬送ステーション５とを具備している。ＳＯＤシステム１００´の第１搬送ステーション２と第２搬送ステーション５の構成は、先に説明したＳＯＤシステム１００の第１搬送ステーション２および第２搬送ステーション５の構成と同じである。このため第１搬送ステーション２と第２搬送ステーション５の構成についての説明はここでは省略する。
【００３９】
処理ステーション１´は、銅配線を有するウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１が水平方向に２台並べて配置された第１処理ユニット群Ｇ１´と、銅配線を有しないウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７が水平方向に２台並べて配置された第２処理ユニット群Ｇ２´を有し、第２処理ユニット群Ｇ２´は第１処理ユニット群Ｇ１´の上側に配置されている。
【００４０】
処理ステーション１´にはまた、第１処理ユニット群Ｇ１´と第２処理ユニット群Ｇ２´において塗布膜が形成されたウエハＷに対して熱的処理を行う第１ユニットタワーＴ１および第２ユニットタワーＴ２と、銅配線を有するウエハＷを搬送する第１搬送部１８ａおよび銅配線を有しないウエハＷを搬送する第２搬送部１８ｂを有する主ウエハ搬送装置１８´が配置されている。
【００４１】
第１ユニットタワーＴ１は、第３処理ユニット群Ｇ３´と第５処理ユニット群Ｇ５を有し、第５処理ユニット群Ｇ５が第３処理ユニット群Ｇ３´の上側に配置されている。第２ユニットタワーＴ２は、第４処理ユニット群Ｇ４´と第６処理ユニット群Ｇ６を有し、第６処理ユニット群Ｇ６が第４処理ユニット群Ｇ４´の上側に配置されている。
【００４２】
第３処理ユニット群Ｇ３´と第４処理ユニット群Ｇ４´では銅配線を有するウエハＷが取り扱われる。第３処理ユニット群Ｇ３´では、第１搬送ステーション２と主ウエハ搬送装置１８´との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３と、第１処理ユニット群Ｇ１´においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの加熱処理を行うベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、そのウエハＷの硬化処理を行うキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４が積み重ねられている。また、第４処理ユニット群Ｇ４´では、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６と、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４が積み重ねられている。
【００４３】
第５処理ユニット群Ｇ５と第６処理ユニット群Ｇ６では銅配線を有しないウエハＷが取り扱われ、第５処理ユニット群Ｇ５では、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１と、第２処理ユニット群Ｇ２´においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの加熱処理をベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、そのウエハＷの硬化処理を行うキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。また、第６処理ユニット群Ｇ６では、第２搬送ステーション５と主ウエハ搬送装置１８´との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８と、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。
【００４４】
主ウエハ搬送装置１８´では、第２搬送部１８ｂが第１搬送部１８ａの上側に配置されており、主ウエハ搬送装置１８´の上方にフィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２が設けられている。第１搬送部１８ａと第２搬送部１８ｂを仕切る隔壁板３９には孔部（図示せず）が設けられており、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からのダウンフローは第２搬送部１８ｂを通って、第１搬送部１８ａに送られるようになっており、第１搬送部１８ａから第２搬送部１８ｂへ銅が拡散しないようになっている。また、第２搬送部１８ｂにおいて発塵が起こりやすい部分には局所排気装置（図示せず）が設けられており、第１搬送部１８ａへのパーティクルの流入が抑制されるようになっている。
【００４５】
第１搬送部１８ａと第２搬送部１８ｂはそれぞれ、ＳＯＤシステム１００に設けられた主ウエハ搬送装置１８と同等の構造を有しており、独立して駆動可能となっている。第１搬送部１８ａは、搬送アーム５５ａ〜５５ｃを有する第１搬送アーム群１９ａを有し、搬送アーム５５ａ〜５５ｃは、第１処理ユニット群Ｇ１´と、第３処理ユニット群Ｇ３´と、第４処理ユニット群Ｇ４´にアクセス自在である。搬送アーム５５ａと搬送アーム５５ｂとの間には遮熱板３４ａが設けられている。
【００４６】
第２搬送部１８ｂは、搬送アーム５６ａ〜５６ｃを有する第２搬送アーム群１９ｂを有し、搬送アーム５６ａ〜５６ｃは、第２処理ユニット群Ｇ２´と、第５処理ユニット群Ｇ５と第６処理ユニット群Ｇ６にアクセス自在となっている。搬送アーム５６ａと搬送アーム５６ｂとの間には遮熱板３４ｂが設けられている。
【００４７】
フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からのダウンフローの一部は、第６処理ユニット群Ｇ６を構成する各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第２搬送ユニット７へ流出するようになっているが、図示しない排気管によって第４処理ユニット群Ｇ４´を通って第２搬送ステーション５へ流れ出さないようになっている。また、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からのダウンフローの一部は、第３処理ユニット群Ｇ３´と第５処理ユニット群Ｇ５を構成する各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第１搬送ステーション２へ流出するようになっている。これは、銅不使用プロセスを行う処理ユニットから銅使用プロセスを行う処理ブロックへの空気の流れは、銅使用プロセスを行うウエハＷに対して悪影響を与えないためである。
【００４８】
このようにＳＯＤシステム１００´の処理ステーション１´は、銅配線を有するウエハＷに所定の処理を施す処理ユニットおよび銅配線を有するウエハＷを搬送する搬送装置を有する処理ブロックが下側に配置され、銅配線を有していないウエハＷに銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットおよび銅配線を有しないウエハＷを搬送する搬送装置を有する処理ブロックが上側に配置された構造を有している。つまり、銅使用プロセスを行う処理ブロックと銅不使用プロセスを行う処理ブロックが上下に分けられて、処理雰囲気が実質的に分離されている。
【００４９】
また、ＳＯＤシステム１００´においては、銅配線を有するウエハＷを搬送する第１搬送ステーション２と銅配線を有しないウエハＷを搬送する第２搬送ステーション５が処理ステーション１´を介して水平方向で分離して配置されている。このように、ＳＯＤシステム１００´もまた、銅配線を有しないウエハＷの銅による汚染が抑制される構造となっている。
【００５０】
ＳＯＤシステム１００´においては、主ウエハ搬送装置１８´と第１ユニットタワーＴ１と第２ユニットタワーＴ２の構成を図９に示すように変更してもよい。第１ユニットタワーＴ１´は、第３処理ユニット群Ｇ３″と第５処理ユニット群Ｇ５を有し、第３処理ユニット群Ｇ３″の上側に第５処理ユニット群Ｇ５が配置されている。第２ユニットタワーＴ２´は、第４処理ユニット群Ｇ４´と第６処理ユニット群Ｇ６´を有し、第４処理ユニット群Ｇ４´の上側に第６処理ユニット群Ｇ６´が配置されている。第１ユニットタワーＴ１´と第２ユニットタワーＴ２´の間には主ウエハ搬送装置１８″が配置されている。
【００５１】
第３処理ユニット群Ｇ３″と第４処理ユニット群Ｇ４´では銅配線を有するウエハＷが取り扱われる。第３処理ユニット群Ｇ３″では、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４と、第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３が積み重ねられている。第４処理ユニット群Ｇ４´の構成は先に図８に示した構成と同じである。
【００５２】
第５処理ユニット群Ｇ５と第６処理ユニット群Ｇ６´では銅配線を有しないウエハＷが取り扱われる。第５処理ユニット群Ｇ５の構成は先に図８に示した構成と同じである。第６処理ユニット群Ｇ６´では、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８と、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。
【００５３】
主ウエハ搬送装置１８″は、ＳＯＤシステム１００に装備された主ウエハ搬送装置１８に２台の搬送基台５４ａ・５４ｂが設けられた構造を有している。搬送基台５４ａ・５４ｂは、同一のベルト５９に取り付けられており、その間隔は一定であって、ベルト機構の稼働によって同時に昇降する。搬送基台５４ａに設けられた第１搬送アーム群１９ａ（搬送アーム５５ａ〜５５ｃ）は、第３処理ユニット群Ｇ３″と、第４処理ユニット群Ｇ４´と、第６処理ユニット群Ｇ６´に配置された第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８にアクセス可能である。また、搬送基台５４ｂに設けられた第２搬送アーム群１９ｂ（搬送アーム５６ａ〜５６ｃ）は、第５処理ユニット群Ｇ５と、第６処理ユニット群Ｇ６´と、第３処理ユニット群Ｇ３″に配置された第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３にアクセス可能である。
【００５４】
主ウエハ搬送装置１８″では、搬送基台５４ａ・５４ｂの距離が一定であるために、搬送アーム５５ａ〜５５ｃと搬送アーム５６ａ〜５６ｃが同時にアクセスできる処理ユニットが一定の組合せに限定されるが、例えば、処理レシピを最適化することによって、スループットの低下を防止することが可能である。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、ＳＯＤシステム１００に設けられた第３処理ユニット群Ｇ３や第４処理ユニット群Ｇ４、ＳＯＤシステム１００´に設けられた第１ユニットタワーＴ１や第２ユニットタワーＴ２には、塗布膜が形成されたウエハＷの温度を一定にするエージングユニット（ＤＡＣ）や、ベーク処理前にベーク処理温度よりも低い温度で前もって熱処理を行う低温用ホットプレートユニット（ＬＨＰ）を設けることもできる。また、各処理ユニットには銅を含む浮遊物等を吸着する機構（例えば、活性炭層や水槽）や排気する機構を設けることも好ましい。
【００５６】
また、ＳＯＤシステム１００・１００´には、銅の膜を形成するための銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を設けることも可能である。図１０は、例として、ＳＯＤシステム１００に銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を搭載した形態を示す概略側面図である。銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２の横の空きスペースには、銅不使用プロセスにおいて使用する絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７をさらに配置することができる。
【００５７】
ＳＯＤシステム１００の第１処理ブロックに銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を設けて、ウエハＷの表面に銅の膜を形成する例としては、例えば、銅配線上にトレンチが形成されるようにｌｏｗ−ｋ膜が形成されているウエハＷのこのトレンチ部分に銅を充填する塗布処理を行う場合が挙げられる。
【００５８】
この場合の処理は、（１）ウエハ搬送装置１１によるキャリア（ＣＲ）から第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へのウエハＷの搬送、（２）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と温度調整、（３）銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、（５）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、（６）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で行うことができる。このような方法で銅膜を形成した場合には、ＣＶＤ法やメッキ法によってトレンチ部分を銅で埋設する場合と比較して、短時間で処理を行うことができ、かつ、化学機械研磨（ＣＭＰ；chemical mechanical polishing）による処理を省略し、または処理時間を短縮することができる利点がある。
【００５９】
銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２は、ＳＯＤシステム１００´では、例えば、絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１と薬液貯留室２０ａ・２０ｂとの間に設けることができる。
【００６０】
この場合において、さらに主ウエハ搬送装置１８″（図９参照）が配置されている場合には、例えば、（１）ウエハ搬送装置１３によるキャリア（ＣＲ）から第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８へのウエハＷの搬送、（２）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１へのウエハＷの搬送と温度調整、（３）絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０へのウエハＷの搬送と熱処理、（５）キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９へのウエハＷの搬送とキュア処理、（６）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１へのウエハＷの搬送と冷却処理、（７）搬送アーム５６ａ（または５６ｂ、５６ｃ）によるウエハＷの第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３（または第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８）への搬送、（８）搬送アーム５５ａ（または５５ｂ、５５ｃ）による銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（９）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、（１０）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、（１１）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で処理を行うことができる。
【００６１】
このような銅不使用プロセス後に銅使用プロセスを連続して行う処理は、ＳＯＤシステム１００´において、主ウエハ搬送装置１８´が配置されている場合において、さらに、第１ユニットタワーＴ１の背面に、クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１から第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へウエハＷを搬送する搬送装置を設け、および／または、第２ユニットタワーＴ２の背面に、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８からクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へウエハＷを搬送する搬送装置をさらに設けることによっても行うことができる。
【００６２】
例えば、層間絶縁膜が形成されてクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１に載置されたウエハＷを、第１ユニットタワーＴ１の背面に設けた搬送装置によって第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へ搬送し、その後に銅膜を形成することができる。また、層間絶縁膜が形成されて第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８に載置されたウエハＷを、第２ユニットタワーＴ２の背面に設けた搬送装置によってクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へ搬送し、その後に銅膜を形成することも可能である。
【００６３】
このような銅不使用プロセス後に銅使用プロセスを連続して行う処理は、ＳＯＤシステム１００に設けられた主ウエハ搬送装置１８をＳＯＤシステム１００´に主ウエハ搬送装置１８´・１８″に代えて装備させた場合でも行うことができる。また、銅不使用プロセス後に銅使用プロセスの連続処理は、ＳＯＤシステム１００において、主ウエハ搬送装置１８の備える搬送アーム５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃのアクセスの制限を緩和して、例えば、搬送アーム５５ａ〜５５ｃが第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８またはクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１にアクセス可能とすることによっても、行うことができる。
【００６４】
なお、銅不使用プロセス後に銅使用プロセスを連続して行う処理では、例えば、本来は銅不使用プロセスのウエハＷのみを取り扱うべき第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８とクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１に銅使用プロセスで使用する搬送アーム５５ａ〜５５ｃを進入させなければならないか、または、銅使用プロセスで使用する第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２３とクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６に銅不使用プロセスで使用する搬送アーム５６ａ〜５６ｃを進入させるために、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８とクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１または搬送アーム５６ａ〜５６ｃが銅で汚染されやすくなる。したがって、これらの部位については、例えば、定期的なメンテナンスの間隔を縮める等して対処することが好ましい。
【００６５】
上記説明では、基板として半導体ウエハを取り上げたが、基板はこれに限定されるものではなく、本発明は、ＬＣＤガラス基板やセラミックス基板（例えば、強誘電体セラミックス基板等）の他の銅配線が形成される基板の処理にも適用することができる。
【００６６】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、銅を有する基板の処理または基板に銅を使用した処理を行う第１処理ブロックと、銅を有しない基板を銅を使用せずに処理する第２処理ブロックとに分けて、これらの雰囲気が実質的に分かれるようにしているために、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの銅の拡散を抑制することができる。また、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置と、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置を区別して用いることによって、基板搬送装置を介した銅の拡散を抑制することができる。こうして第２処理ブロックで処理される基板の絶縁特性の低下を防止することができるため、基板の品質ひいては製品の品質を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態であるＳＯＤシステムの概略平面図。
【図２】図１に示すＳＯＤシステムの概略側面図。
【図３】図１に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユニット群の概略断面図。
【図４】フィルターファンユニット（ＦＦＵ）からの空気の流れを示す説明図。
【図５】図１に示すＳＯＤシステムに装着された主ウエハ搬送装置の別の実施形態を示す側面図。
【図６】ＳＯＤシステムの別の実施形態を示す概略平面図。
【図７】図６に示すＳＯＤシステムの概略側面図。
【図８】図６に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユニット群の概略断面図。
【図９】図６に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユニット群の別の形態を示す概略断面図。
【図１０】ＳＯＤシステムのさらに別の実施形態を示す概略側面図。
【符号の説明】
１・１´；処理ステーション
２；第１搬送ステーション
５；第２搬送ステーション
１８・１８´・１８″；主ウエハ搬送装置
１９ａ；第１搬送アーム群
１９ｂ；第２搬送アーム群
２１・２７；絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）
２２；銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）
２３；第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）
２４・２９；キュア処理ユニット（ＤＬＣ）
２５・３０；ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）
２６・３１；クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）
２８；第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）
３３；遮蔽板
３４ａ・３４ｂ；遮熱板
５４・５４ａ・５４ｂ；搬送基台
５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃ；搬送アーム
１００・１００´；ＳＯＤシステム
Ｇ１・Ｇ１´；第１処理ユニット群
Ｇ２・Ｇ２´；第２処理ユニット群
Ｇ３・Ｇ３´・Ｇ３″；第３処理ユニット群
Ｇ４・Ｇ４´；第４処理ユニット群
Ｇ５；第５処理ユニット群
Ｇ６・Ｇ６´；第６処理ユニット群
Ｔ１；第１ユニットタワー
Ｔ２；第２ユニットタワー
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して所定の液処理とこの液処理に伴う熱的処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造においては、配線用の導体材料として銅が広く使用されており、例えば、銅配線が形成されたウエハの表面に塗布法（Spin On Deposition）によって層間絶縁膜を形成する場合には、ウエハをスピンチャックに保持してウエハの略中心に所定量の塗布液を供給し、スピンチャックを所定の回転数で回転させることによって塗布液をウエハの周縁に拡げ、その後に塗布膜が形成されたウエハを熱処理している。
【０００３】
ここで、銅は固体中を拡散しやすい性質を有しているために、このような処理の過程でスピンチャックにはウエハを介して銅が拡散する。したがって、その後にこのスピンチャックに銅配線が形成されていないウエハを保持させると、スピンチャックからこのウエハへの銅の拡散が生じることによって、半導体デバイスの絶縁特性が低下する。
【０００４】
そこで、半導体製造メーカーでは、銅配線が形成されているウエハに所定の処理を施し、または銅を含む材料を使用してウエハを処理し、或いは銅配線が形成されているウエハを検査する（以下このような処理等を「銅使用プロセス」という）ために使用される各種処理ユニットおよび検査ユニット等からなる製造装置（以下「銅使用プロセス用製造装置」という）と、銅配線を有していないウエハに銅を用いない所定の処理を施し、または銅配線が形成されていないウエハを検査する（以下このような処理等を「銅不使用プロセス」という）ために使用される各種処理ユニットおよび検査ユニット等からなる製造装置（以下「銅不使用プロセス用製造装置」という）を、別々に用意して使い分けており、これによって、銅配線を有していないウエハへの銅の拡散を防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように、銅使用プロセス用製造装置と銅不使用プロセス用製造装置を別々に準備した場合には、装置コストが嵩む問題がある。また、これらの製造装置を配置するために広いスペースのクリーンルームが必要となる問題もある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、１台の装置で、銅の拡散を抑制して銅使用プロセスと銅不使用プロセスとを並行して行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックに対して、その境界面について鉛直方向からみて対称となるように水平方向に並べて配置され、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの境界面に配置され、第１搬送アームと第２搬送アームとを内部に有する基板搬送装置であって、前記第１搬送アームと前記第２搬送アームとは基板搬送装置内部の空間内を移動し、かつ前記第１搬送アームは、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行い、前記第２の搬送アームは、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う基板搬送装置と、
を具備し、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックに対して、その境界面について鉛直方向からみて対称となるように水平方向に並べて配置され、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの境界面に配置され、第１搬送アームと第２搬送アームとを内部に有する第１の基板搬送装置であって、前記第１搬送アームと前記第２搬送アームとは当該第１の基板搬送装置内部の空間内を移動し、かつ前記第１搬送アームは、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行い、前記第２の搬送アームは、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１の基板搬送装置と、
前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第１容器載置部と、前記第１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの間で基板を搬送する第２基板搬送装置とを有し、前記第１処理ブロックに隣接して設けられた第１基板搬送ステーションと、
前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器載置部と、前記第２容器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板搬送装置とを有し、前記第２処理ブロックに隣接して設けられた第２基板搬送ステーションと、
を具備し、
前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステーションとは、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックを水平方向に挟んで設けられており、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【０００９】
本発明の第３の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックの上側に設けられ、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの内部に上下方向に沿って設けられ、第１基板搬送部および第２基板搬送部を有する基板搬送装置であって、前記第２基板搬送部が前記第１基板搬送部の上側に設けられ、前記第１基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１搬送アームを有し、前記第２基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第２搬送アームを有する基板搬送装置と、
を具備し、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１０】
本発明の第４の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックの上側に設けられ、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの内部に上下方向に沿って設けられ、第１基板搬送部および第２基板搬送部を有する第１の基板搬送装置であって、前記第２基板搬送部が前記第１基板搬送部の上側に設けられ、前記第１基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１搬送アームを有し、前記第２基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第２搬送アームを有する第１の基板搬送装置と、
前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第１容器載置部と、前記第１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの間で基板を搬送する第２基板搬送装置と、を有する第１基板搬送ステーションと、
前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器載置部と、前記第２容器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板搬送装置と、を有する第２基板搬送ステーションと、
を具備し、
前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステーションとは、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックを水平方向に挟んで設けられており、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１１】
このような基板処理装置においては、銅を有する基板の処理を行う第１処理ブロックと、銅を有しない基板を銅を使用せずに処理する第２処理ブロックとに分けてこれらの雰囲気を実質的に分けているので、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの銅の拡散を抑制することができる。また、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置と、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置を区別して用いることによって、基板搬送装置を介した銅の拡散をもまた抑制することができる。これにより第１処理ブロックから第２処理ブロックにおいて処理される基板への銅の拡散による基板の汚染を抑制することができ、第２処理ブロックで処理される基板の絶縁特性の低下を防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、本発明の基板処理装置を、低誘電率層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）を塗布法（Spin On Deposition）によって形成するＳＯＤシステムに適用した場合について説明することとする。図１はＳＯＤシステム１００の概略平面図であり、図２はその概略側面図であり、図３はＳＯＤシステム１００内に装着された処理ユニット群の概略断面図である。
【００１３】
ＳＯＤシステム１００は、大別して、処理ステーション１と、第１搬送ステーション２と、第２搬送ステーション５とを具備している。処理ステーション１は、銅配線を有するウエハＷに所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、銅配線を有していないウエハＷに銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してウエハＷの搬送を行う第１搬送アーム群１９ａおよび第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してウエハＷの搬送を行う第２搬送アーム群１９ｂを有する主ウエハ搬送装置１８と、を具備している。
【００１４】
この第１処理ブロックは、ウエハＷに対してｌｏｗ−ｋ膜（低誘電率層間絶縁膜）の塗布形成を行う２台の絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１が積み重ねられた第１処理ユニット群Ｇ１と、第１処理ユニット群Ｇ１においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの熱的処理を行う第３処理ユニット群Ｇ３とを有している。第１処理ユニット群Ｇ１の下部は、第１処理ユニット群Ｇ１において使用される各種の塗布液等を貯留するための薬液貯留室２０ａとなっている。
【００１５】
また、第３処理ユニット群Ｇ３では、第１処理ユニット群Ｇ１においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの硬化処理を行う２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４と、ウエハＷの加熱処理を行う２台のベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６と、第１搬送ステーション２と主ウエハ搬送装置１８との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３が積み重ねられている。なお、第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３は、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５において処理されたウエハＷの自然冷却ユニットとして使用することもできる。
【００１６】
この第２処理ブロックは、ウエハＷの表面にｌｏｗ−ｋ膜を形成する２台の絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７が積み重ねられた第２処理ユニット群Ｇ２と、第２処理ユニット群Ｇ２において塗布膜が形成されたウエハＷの熱的処理を行う第４処理ユニット群Ｇ４とを有している。第２処理ユニット群Ｇ２の下部は、第２処理ユニット群Ｇ２において使用する各種の塗布液等を貯留するための薬液貯留室２０ｂとなっている。
【００１７】
また、第４処理ユニット群Ｇ４では、第２処理ユニット群Ｇ２においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの硬化処理を行う２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９と、ウエハＷの加熱処理を行う２台のベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１と、第２搬送ステーション５と主ウエハ搬送装置１８との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８が積み重ねられている。なお、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８は、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０において処理されたウエハＷの自然冷却ユニットとして使用することもできる。
【００１８】
このように、第１処理ブロックでは銅配線が形成されたウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する一連の処理（銅使用プロセス）が行われ、第２処理ブロックでは銅を有しないウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する一連の処理（銅不使用プロセス）が行われる。図１から図３の各図に示すように、第１処理ブロックと第２処理ブロックはその境界面（Ｚ−Ｘ面）について略対称となるように水平方向に並べて配置されており、第１処理ブロックと第２処理ブロックの処理雰囲気は実質的に分離されている。
【００１９】
第１処理ブロック側に設けられている第１搬送ステーション２は、第１処理ブロックにおいて処理を行うウエハＷが所定枚数、例えば２５枚収容されたキャリア（ＣＲ）を載置する第１キャリア載置台３と、第１キャリア載置台３に載置されたキャリア（ＣＲ）と第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３との間でウエハＷを搬送するウエハ搬送装置１１が設けられた第１搬送ユニット４と、を有している。
【００２０】
この第１キャリア載置台３には、図１に示すように、図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起１０が形成されており、この位置決め突起１０の位置にキャリア（ＣＲ）が、それぞれのウエハ出入口を第１搬送ユニット４側に向けて１列に載置できるようになっている。キャリア（ＣＲ）においてはウエハＷは略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に所定の間隔で配列されている。
【００２１】
ウエハ搬送装置１１はキャリア配列方向（Ｘ方向）にスライド可能である。また、ウエハ搬送装置１１は、Ｚ方向に移動可能であり、かつ、図１中のＹ方向に進退可能であり、かつ、図１中のθ方向に回転可能であるウエハ搬送ピック１１ａを有している。このような可動機構によって、ウエハ搬送ピック１１ａは、第１キャリア載置台３に載置されたいずれかのキャリア（ＣＲ）に収容された任意のウエハＷおよび第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３に対してアクセス可能であり、これらの間でウエハＷを搬送することができる。
【００２２】
第２処理ブロック側に設けられている第２搬送ステーション５は、第２処理ブロックにおいて処理を行うウエハＷが収容されたキャリア（ＣＲ）を載置する第２キャリア載置台６と、第２キャリア載置台６に載置されたキャリア（ＣＲ）と第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８との間でウエハＷを搬送するウエハ搬送装置１３が設けられた第２搬送ユニット７と、を有している。
【００２３】
第２キャリア載置台６には、図中Ｘ方向に沿って４箇所に位置決め突起１２が形成されており、この位置決め突起１２の位置にキャリア（ＣＲ）が、それぞれのウエハ出入口を第２搬送ユニット７側に向けて１列に載置できるようになっている。キャリア（ＣＲ）においてはウエハＷは略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に所定の間隔で配列されている。第２キャリア載置台６に載置されるキャリア（ＣＲ）に収容されているウエハＷとしては、例えば、アルミニウム配線が形成されているウエハＷ等が挙げられる。
【００２４】
ウエハ搬送装置１３はキャリア配列方向（Ｘ方向）にスライド可能である。また、ウエハ搬送装置１３は、Ｚ方向に移動可能であり、かつ、図１中のＹ方向に進退可能であり、かつ、図１中のθ方向に回転可能であるウエハ搬送ピック１３ａを有している。このような可動機構によって、ウエハ搬送ピック１３ａは、第２キャリア載置台６に載置されたいずれかのキャリア（ＣＲ）に収容された任意のウエハＷおよび第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８に対してアクセス可能であり、これらの間でウエハＷを搬送することができる。
【００２５】
ＳＯＤシステム１００においては、このように、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第１搬送ステーション２と、銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第２搬送ステーション５とが、処理ステーション１を挟んで隔離して配置されている。これにより第１搬送ステーション２と第２搬送ステーション５の雰囲気が実質的に分離されている。
【００２６】
例えば、銅使用プロセスを行うウエハＷと銅不使用プロセスを行うウエハＷを同じウエハ搬送ピックで処理ステーション１に搬送する構造とした場合には、銅使用プロセスを行うウエハＷからウエハ搬送ピックに銅が拡散し、さらにウエハ搬送ピックから銅不使用プロセスを行うウエハＷへ銅が拡散して銅不使用プロセスを行うウエハＷが汚染される事態が生じるおそれがある。しかし、ＳＯＤシステム１００においては、このようなウエハ搬送ピックを介した銅不使用プロセスを行うウエハＷへの銅の拡散が起こらないようになっている。
【００２７】
主ウエハ搬送装置１８は、Ｚ方向に延在し、垂直壁５１ａ・５１ｂおよびこれらの間の側面開口部５１ｃを有する筒状支持体５１と、その内側に筒状支持体５１に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられたウエハ搬送体５２とを有している。筒状支持体５１はモータ５３の回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送体５２も一体的に回転されるようになっている。また、ウエハ搬送体５２は、モータ５８によってベルト５９を駆動させることにより昇降自在となっている。なお、符号４０は駆動プーリー、４１は従動プーリーである。
【００２８】
ウエハ搬送体５２は搬送基台５４を備えており、第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム群１９ｂは搬送基台５４に取り付けられている。第１搬送アーム群１９ａは３本の搬送アーム５５ａ・５５ｂ・５５ｃを有し、第２搬送アーム群１９ｂは３本の搬送アーム５６ａ・５６ｂ・５６ｃを有している。搬送アーム５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃは筒状支持体５１の側面開口部５１ｃを通過可能な大きさを有しており、搬送基台５４内に内蔵されたモータおよびベルト機構によって個々に独立して進退移動することが可能となっている。
【００２９】
筒状支持体５１を所定角度回転させて側面開口部５１ｃを第１処理ユニット群Ｇ１〜第４処理ユニット群Ｇ４に向けることによって、搬送アーム５５ａ〜５５ｃを第１処理ユニット群Ｇ１と第３処理ユニット群Ｇ３を構成する各処理ユニットにアクセスさせることができ、搬送アーム５６ａ〜５６ｃを第２処理ユニット群Ｇ２と第４処理ユニット群Ｇ４を構成する各処理ユニットにアクセスさせることができる。このように、主ウエハ搬送装置１８では、銅使用プロセスを行うウエハＷを搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う搬送アームとを区別しており、これによって搬送アームを介して銅不使用プロセスを行うウエハＷへ銅が拡散することが防止される。
【００３０】
主ウエハ搬送装置１８の上方には、主ウエハ搬送装置１８に清浄な空気をダウンフローとして供給するフィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２が設けられている。図４はフィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からの空気の流れを示す説明図である。
【００３１】
主ウエハ搬送装置１８が設けられている床部には排気口（図示せず）が設けられており、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２から吹き出されるダウンフローの一部は、主ウエハ搬送装置１８にあたった後に、その床部から排気される。第２搬送アーム群１９ｂは第１搬送アーム群１９ａの上側に配置されているために、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第１搬送アーム群１９ａから銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う第２搬送アーム群１９ｂへの銅の拡散が抑制される。また、第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム群１９ｂとの間には遮蔽板３３が設けられており、これによっても第１搬送アーム群１９ａから第２搬送アーム群１９ｂへの銅の拡散が抑制される。
【００３２】
フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２から吹き出されるダウンフローの一部は、第３処理ユニット群Ｇ３の各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第１搬送ユニット４へ流出し、また、第４処理ユニット群Ｇ４の各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第２搬送ユニット７へ流出するようになっている。これにより、第３処理ユニット群Ｇ３と第４処理ユニット群Ｇ４の各処理ユニットの内部が清浄に保持され、しかも第３処理ユニット群Ｇ３から第４処理ユニット群Ｇ４への銅の拡散が抑制される。
【００３３】
搬送アーム５５ａと搬送アーム５５ｂとの間には遮熱板３４ａが設けられている。例えば、搬送アーム５５ａを室温および所定の温度に冷却処理されたウエハＷの搬送用に用い、搬送アーム５５ｂ・５５ｃをベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５等で加熱処理されたウエハＷの搬送に用いた場合に、この遮熱板３４ａによって、加熱されたウエハＷからの熱拡散によって搬送アーム５５ａが温められることが抑制される。同様の目的で、搬送アーム５６ａと搬送アーム５６ｂとの間には遮熱板３４ｂが設けられている。また、遮蔽板３３によって、搬送アーム５６ｃから搬送アーム５５ａへの熱拡散が抑制され、搬送アーム５５ａが温められることが抑制される。なお、図１と図３において、遮蔽板３３と遮熱板３４ａ・３４ｂを保持する保持部材は図示していないが、この保持部材は搬送基台５４に設けられている。
【００３４】
上記のように構成されたＳＯＤシステム１００においては、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフィルム法、フォックス法等の各種の方法によってｌｏｗ−ｋ膜を形成することができる。第１処理ブロックにおいて、銅配線が形成されたウエハＷの表面にこれら各種の方法によってｌｏｗ−ｋ膜を形成する場合の基本的なウエハＷの処理は、（１）ウエハ搬送装置１１によるキャリア（ＣＲ）から第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へのウエハＷの搬送、（２）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と温度調整、（３）絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、（５）キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４へのウエハＷの搬送とキュア処理、（６）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、（７）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で行われる。なお、第２処理ブロックにおけるｌｏｗ−ｋ膜の形成処理もこれと同様に行われる。
【００３５】
このようなＳＯＤシステム１００を用いた場合には、従来のように銅使用プロセス用のＳＯＤシステムと銅不使用プロセス用のＳＯＤシステムを２台用いることなく、これらの両プロセスを１台のＳＯＤシステム１００内で並行して行うことができる。また、銅使用プロセスを行うエリアと銅不使用プロセスを行うエリアを分離して、さらに銅使用プロセスを行うウエハを搬送する搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハを搬送する搬送アームを区別させた構成とすることによって、銅不使用プロセスを行うウエハＷの銅による汚染が抑制され、銅不使用プロセスを行うウエハＷの絶縁特性の低下を防止することができる。
【００３６】
ＳＯＤシステム１００においては、主ウエハ搬送装置１８における第１搬送アーム群１９ａと第２搬送アーム群１９ｂの構成を、図５の側面図に示すように変更してもよい。図５に示す構成では、第１搬送アーム群１９ａにおいて室温および所定の温度に冷却されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５５ａと第２搬送アーム群１９ａにおいて室温および所定の温度に冷却されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５６ａが遮蔽板３３の上側に配置され、かつ、搬送アーム５６ａが搬送アーム５５ａの上側に配置されている。また、第１搬送アーム群１９ａにおいて加熱されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５５ｂ・５５ｃと第２搬送アーム群１９ａにおいて加熱されたウエハＷを取り扱う搬送アーム５６ｂ・５６ｃが遮蔽板３３の下側に配置され、かつ、搬送アーム５６ｂ・５６ｃが搬送アーム５５ｂ・５５ｃの上側に配置されている。
【００３７】
主ウエハ搬送装置１８の構成を図５に示すようにした場合には、遮蔽板３３が遮熱板として機能するために、図３に示す構成のように遮熱板３４ａ・３４ｂを設けなくともよい。但し、銅使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う搬送アームと銅不使用プロセスを行うウエハＷを取り扱う搬送アームとを近接させないようにするか、または搬送アーム５５ａ・５６ａ間と搬送アーム５５ｂ・５６ｃ間のそれぞれに銅の拡散を抑制する遮蔽板または浮遊する銅を吸着する部材を設ける等して、銅の拡散を防止することがより好ましい。
【００３８】
次に、ＳＯＤシステムの別の形態について説明する。図６はＳＯＤシステム１００´の概略平面図であり、図７はその概略側面図であり、図８はＳＯＤシステム１００´内に装着された処理ユニット群の概略断面図である。ＳＯＤシステム１００´は、大別して、処理ステーション１´と、第１搬送ステーション２と、第２搬送ステーション５とを具備している。ＳＯＤシステム１００´の第１搬送ステーション２と第２搬送ステーション５の構成は、先に説明したＳＯＤシステム１００の第１搬送ステーション２および第２搬送ステーション５の構成と同じである。このため第１搬送ステーション２と第２搬送ステーション５の構成についての説明はここでは省略する。
【００３９】
処理ステーション１´は、銅配線を有するウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１が水平方向に２台並べて配置された第１処理ユニット群Ｇ１´と、銅配線を有しないウエハＷにｌｏｗ−ｋ膜を形成する絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７が水平方向に２台並べて配置された第２処理ユニット群Ｇ２´を有し、第２処理ユニット群Ｇ２´は第１処理ユニット群Ｇ１´の上側に配置されている。
【００４０】
処理ステーション１´にはまた、第１処理ユニット群Ｇ１´と第２処理ユニット群Ｇ２´において塗布膜が形成されたウエハＷに対して熱的処理を行う第１ユニットタワーＴ１および第２ユニットタワーＴ２と、銅配線を有するウエハＷを搬送する第１搬送部１８ａおよび銅配線を有しないウエハＷを搬送する第２搬送部１８ｂを有する主ウエハ搬送装置１８´が配置されている。
【００４１】
第１ユニットタワーＴ１は、第３処理ユニット群Ｇ３´と第５処理ユニット群Ｇ５を有し、第５処理ユニット群Ｇ５が第３処理ユニット群Ｇ３´の上側に配置されている。第２ユニットタワーＴ２は、第４処理ユニット群Ｇ４´と第６処理ユニット群Ｇ６を有し、第６処理ユニット群Ｇ６が第４処理ユニット群Ｇ４´の上側に配置されている。
【００４２】
第３処理ユニット群Ｇ３´と第４処理ユニット群Ｇ４´では銅配線を有するウエハＷが取り扱われる。第３処理ユニット群Ｇ３´では、第１搬送ステーション２と主ウエハ搬送装置１８´との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３と、第１処理ユニット群Ｇ１´においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの加熱処理を行うベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、そのウエハＷの硬化処理を行うキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４が積み重ねられている。また、第４処理ユニット群Ｇ４´では、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６と、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４が積み重ねられている。
【００４３】
第５処理ユニット群Ｇ５と第６処理ユニット群Ｇ６では銅配線を有しないウエハＷが取り扱われ、第５処理ユニット群Ｇ５では、ウエハＷの冷却を行うクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１と、第２処理ユニット群Ｇ２´においてｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウエハＷの加熱処理をベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、そのウエハＷの硬化処理を行うキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。また、第６処理ユニット群Ｇ６では、第２搬送ステーション５と主ウエハ搬送装置１８´との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置する第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８と、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。
【００４４】
主ウエハ搬送装置１８´では、第２搬送部１８ｂが第１搬送部１８ａの上側に配置されており、主ウエハ搬送装置１８´の上方にフィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２が設けられている。第１搬送部１８ａと第２搬送部１８ｂを仕切る隔壁板３９には孔部（図示せず）が設けられており、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からのダウンフローは第２搬送部１８ｂを通って、第１搬送部１８ａに送られるようになっており、第１搬送部１８ａから第２搬送部１８ｂへ銅が拡散しないようになっている。また、第２搬送部１８ｂにおいて発塵が起こりやすい部分には局所排気装置（図示せず）が設けられており、第１搬送部１８ａへのパーティクルの流入が抑制されるようになっている。
【００４５】
第１搬送部１８ａと第２搬送部１８ｂはそれぞれ、ＳＯＤシステム１００に設けられた主ウエハ搬送装置１８と同等の構造を有しており、独立して駆動可能となっている。第１搬送部１８ａは、搬送アーム５５ａ〜５５ｃを有する第１搬送アーム群１９ａを有し、搬送アーム５５ａ〜５５ｃは、第１処理ユニット群Ｇ１´と、第３処理ユニット群Ｇ３´と、第４処理ユニット群Ｇ４´にアクセス自在である。搬送アーム５５ａと搬送アーム５５ｂとの間には遮熱板３４ａが設けられている。
【００４６】
第２搬送部１８ｂは、搬送アーム５６ａ〜５６ｃを有する第２搬送アーム群１９ｂを有し、搬送アーム５６ａ〜５６ｃは、第２処理ユニット群Ｇ２´と、第５処理ユニット群Ｇ５と第６処理ユニット群Ｇ６にアクセス自在となっている。搬送アーム５６ａと搬送アーム５６ｂとの間には遮熱板３４ｂが設けられている。
【００４７】
フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からのダウンフローの一部は、第６処理ユニット群Ｇ６を構成する各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第２搬送ユニット７へ流出するようになっているが、図示しない排気管によって第４処理ユニット群Ｇ４´を通って第２搬送ステーション５へ流れ出さないようになっている。また、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）３２からのダウンフローの一部は、第３処理ユニット群Ｇ３´と第５処理ユニット群Ｇ５を構成する各処理ユニットを通って、図示しないフィルターによってパーティクルが除去された後に第１搬送ステーション２へ流出するようになっている。これは、銅不使用プロセスを行う処理ユニットから銅使用プロセスを行う処理ブロックへの空気の流れは、銅使用プロセスを行うウエハＷに対して悪影響を与えないためである。
【００４８】
このようにＳＯＤシステム１００´の処理ステーション１´は、銅配線を有するウエハＷに所定の処理を施す処理ユニットおよび銅配線を有するウエハＷを搬送する搬送装置を有する処理ブロックが下側に配置され、銅配線を有していないウエハＷに銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットおよび銅配線を有しないウエハＷを搬送する搬送装置を有する処理ブロックが上側に配置された構造を有している。つまり、銅使用プロセスを行う処理ブロックと銅不使用プロセスを行う処理ブロックが上下に分けられて、処理雰囲気が実質的に分離されている。
【００４９】
また、ＳＯＤシステム１００´においては、銅配線を有するウエハＷを搬送する第１搬送ステーション２と銅配線を有しないウエハＷを搬送する第２搬送ステーション５が処理ステーション１´を介して水平方向で分離して配置されている。このように、ＳＯＤシステム１００´もまた、銅配線を有しないウエハＷの銅による汚染が抑制される構造となっている。
【００５０】
ＳＯＤシステム１００´においては、主ウエハ搬送装置１８´と第１ユニットタワーＴ１と第２ユニットタワーＴ２の構成を図９に示すように変更してもよい。第１ユニットタワーＴ１´は、第３処理ユニット群Ｇ３″と第５処理ユニット群Ｇ５を有し、第３処理ユニット群Ｇ３″の上側に第５処理ユニット群Ｇ５が配置されている。第２ユニットタワーＴ２´は、第４処理ユニット群Ｇ４´と第６処理ユニット群Ｇ６´を有し、第４処理ユニット群Ｇ４´の上側に第６処理ユニット群Ｇ６´が配置されている。第１ユニットタワーＴ１´と第２ユニットタワーＴ２´の間には主ウエハ搬送装置１８″が配置されている。
【００５１】
第３処理ユニット群Ｇ３″と第４処理ユニット群Ｇ４´では銅配線を有するウエハＷが取り扱われる。第３処理ユニット群Ｇ３″では、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５と、２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２４と、第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３が積み重ねられている。第４処理ユニット群Ｇ４´の構成は先に図８に示した構成と同じである。
【００５２】
第５処理ユニット群Ｇ５と第６処理ユニット群Ｇ６´では銅配線を有しないウエハＷが取り扱われる。第５処理ユニット群Ｇ５の構成は先に図８に示した構成と同じである。第６処理ユニット群Ｇ６´では、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８と、ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０と、２台のキュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９が積み重ねられている。
【００５３】
主ウエハ搬送装置１８″は、ＳＯＤシステム１００に装備された主ウエハ搬送装置１８に２台の搬送基台５４ａ・５４ｂが設けられた構造を有している。搬送基台５４ａ・５４ｂは、同一のベルト５９に取り付けられており、その間隔は一定であって、ベルト機構の稼働によって同時に昇降する。搬送基台５４ａに設けられた第１搬送アーム群１９ａ（搬送アーム５５ａ〜５５ｃ）は、第３処理ユニット群Ｇ３″と、第４処理ユニット群Ｇ４´と、第６処理ユニット群Ｇ６´に配置された第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８にアクセス可能である。また、搬送基台５４ｂに設けられた第２搬送アーム群１９ｂ（搬送アーム５６ａ〜５６ｃ）は、第５処理ユニット群Ｇ５と、第６処理ユニット群Ｇ６´と、第３処理ユニット群Ｇ３″に配置された第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３にアクセス可能である。
【００５４】
主ウエハ搬送装置１８″では、搬送基台５４ａ・５４ｂの距離が一定であるために、搬送アーム５５ａ〜５５ｃと搬送アーム５６ａ〜５６ｃが同時にアクセスできる処理ユニットが一定の組合せに限定されるが、例えば、処理レシピを最適化することによって、スループットの低下を防止することが可能である。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、ＳＯＤシステム１００に設けられた第３処理ユニット群Ｇ３や第４処理ユニット群Ｇ４、ＳＯＤシステム１００´に設けられた第１ユニットタワーＴ１や第２ユニットタワーＴ２には、塗布膜が形成されたウエハＷの温度を一定にするエージングユニット（ＤＡＣ）や、ベーク処理前にベーク処理温度よりも低い温度で前もって熱処理を行う低温用ホットプレートユニット（ＬＨＰ）を設けることもできる。また、各処理ユニットには銅を含む浮遊物等を吸着する機構（例えば、活性炭層や水槽）や排気する機構を設けることも好ましい。
【００５６】
また、ＳＯＤシステム１００・１００´には、銅の膜を形成するための銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を設けることも可能である。図１０は、例として、ＳＯＤシステム１００に銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を搭載した形態を示す概略側面図である。銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２の横の空きスペースには、銅不使用プロセスにおいて使用する絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７をさらに配置することができる。
【００５７】
ＳＯＤシステム１００の第１処理ブロックに銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２を設けて、ウエハＷの表面に銅の膜を形成する例としては、例えば、銅配線上にトレンチが形成されるようにｌｏｗ−ｋ膜が形成されているウエハＷのこのトレンチ部分に銅を充填する塗布処理を行う場合が挙げられる。
【００５８】
この場合の処理は、（１）ウエハ搬送装置１１によるキャリア（ＣＲ）から第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へのウエハＷの搬送、（２）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と温度調整、（３）銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、（５）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、（６）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で行うことができる。このような方法で銅膜を形成した場合には、ＣＶＤ法やメッキ法によってトレンチ部分を銅で埋設する場合と比較して、短時間で処理を行うことができ、かつ、化学機械研磨（ＣＭＰ；chemical mechanical polishing）による処理を省略し、または処理時間を短縮することができる利点がある。
【００５９】
銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２は、ＳＯＤシステム１００´では、例えば、絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２１と薬液貯留室２０ａ・２０ｂとの間に設けることができる。
【００６０】
この場合において、さらに主ウエハ搬送装置１８″（図９参照）が配置されている場合には、例えば、（１）ウエハ搬送装置１３によるキャリア（ＣＲ）から第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８へのウエハＷの搬送、（２）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１へのウエハＷの搬送と温度調整、（３）絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）２７へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（４）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）３０へのウエハＷの搬送と熱処理、（５）キュア処理ユニット（ＤＬＣ）２９へのウエハＷの搬送とキュア処理、（６）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１へのウエハＷの搬送と冷却処理、（７）搬送アーム５６ａ（または５６ｂ、５６ｃ）によるウエハＷの第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３（または第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８）への搬送、（８）搬送アーム５５ａ（または５５ｂ、５５ｃ）による銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）２２へのウエハＷの搬送と塗布膜の形成、（９）ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）２５へのウエハＷの搬送と熱処理、（１０）クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へのウエハＷの搬送と冷却処理、（１１）第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３を介したキャリア（ＣＲ）へのウエハＷの収容、の順序で処理を行うことができる。
【００６１】
このような銅不使用プロセス後に銅使用プロセスを連続して行う処理は、ＳＯＤシステム１００´において、主ウエハ搬送装置１８´が配置されている場合において、さらに、第１ユニットタワーＴ１の背面に、クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１から第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へウエハＷを搬送する搬送装置を設け、および／または、第２ユニットタワーＴ２の背面に、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８からクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へウエハＷを搬送する搬送装置をさらに設けることによっても行うことができる。
【００６２】
例えば、層間絶縁膜が形成されてクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１に載置されたウエハＷを、第１ユニットタワーＴ１の背面に設けた搬送装置によって第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）２３へ搬送し、その後に銅膜を形成することができる。また、層間絶縁膜が形成されて第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８に載置されたウエハＷを、第２ユニットタワーＴ２の背面に設けた搬送装置によってクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６へ搬送し、その後に銅膜を形成することも可能である。
【００６３】
このような銅不使用プロセス後に銅使用プロセスを連続して行う処理は、ＳＯＤシステム１００に設けられた主ウエハ搬送装置１８をＳＯＤシステム１００´に主ウエハ搬送装置１８´・１８″に代えて装備させた場合でも行うことができる。また、銅不使用プロセス後に銅使用プロセスの連続処理は、ＳＯＤシステム１００において、主ウエハ搬送装置１８の備える搬送アーム５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃのアクセスの制限を緩和して、例えば、搬送アーム５５ａ〜５５ｃが第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８またはクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１にアクセス可能とすることによっても、行うことができる。
【００６４】
なお、銅不使用プロセス後に銅使用プロセスを連続して行う処理では、例えば、本来は銅不使用プロセスのウエハＷのみを取り扱うべき第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８とクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１に銅使用プロセスで使用する搬送アーム５５ａ〜５５ｃを進入させなければならないか、または、銅使用プロセスで使用する第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２３とクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）２６に銅不使用プロセスで使用する搬送アーム５６ａ〜５６ｃを進入させるために、第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）２８とクーリングプレートユニット（ＣＰＬ）３１または搬送アーム５６ａ〜５６ｃが銅で汚染されやすくなる。したがって、これらの部位については、例えば、定期的なメンテナンスの間隔を縮める等して対処することが好ましい。
【００６５】
上記説明では、基板として半導体ウエハを取り上げたが、基板はこれに限定されるものではなく、本発明は、ＬＣＤガラス基板やセラミックス基板（例えば、強誘電体セラミックス基板等）の他の銅配線が形成される基板の処理にも適用することができる。
【００６６】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、銅を有する基板の処理または基板に銅を使用した処理を行う第１処理ブロックと、銅を有しない基板を銅を使用せずに処理する第２処理ブロックとに分けて、これらの雰囲気が実質的に分かれるようにしているために、第１処理ブロックから第２処理ブロックへの銅の拡散を抑制することができる。また、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置と、第１処理ブロックを構成する処理ユニットに対する基板の搬送を行う基板搬送装置を区別して用いることによって、基板搬送装置を介した銅の拡散を抑制することができる。こうして第２処理ブロックで処理される基板の絶縁特性の低下を防止することができるため、基板の品質ひいては製品の品質を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態であるＳＯＤシステムの概略平面図。
【図２】図１に示すＳＯＤシステムの概略側面図。
【図３】図１に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユニット群の概略断面図。
【図４】フィルターファンユニット（ＦＦＵ）からの空気の流れを示す説明図。
【図５】図１に示すＳＯＤシステムに装着された主ウエハ搬送装置の別の実施形態を示す側面図。
【図６】ＳＯＤシステムの別の実施形態を示す概略平面図。
【図７】図６に示すＳＯＤシステムの概略側面図。
【図８】図６に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユニット群の概略断面図。
【図９】図６に示すＳＯＤシステムに装着された処理ユニット群の別の形態を示す概略断面図。
【図１０】ＳＯＤシステムのさらに別の実施形態を示す概略側面図。
【符号の説明】
１・１´；処理ステーション
２；第１搬送ステーション
５；第２搬送ステーション
１８・１８´・１８″；主ウエハ搬送装置
１９ａ；第１搬送アーム群
１９ｂ；第２搬送アーム群
２１・２７；絶縁膜塗布処理ユニット（ＳＣＴ）
２２；銅膜塗布処理ユニット（Ｃｕ−ＳＣＴ）
２３；第１ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−１）
２４・２９；キュア処理ユニット（ＤＬＣ）
２５・３０；ベーク処理ユニット（ＤＬＢ）
２６・３１；クーリングプレートユニット（ＣＰＬ）
２８；第２ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ−２）
３３；遮蔽板
３４ａ・３４ｂ；遮熱板
５４・５４ａ・５４ｂ；搬送基台
５５ａ〜５５ｃ・５６ａ〜５６ｃ；搬送アーム
１００・１００´；ＳＯＤシステム
Ｇ１・Ｇ１´；第１処理ユニット群
Ｇ２・Ｇ２´；第２処理ユニット群
Ｇ３・Ｇ３´・Ｇ３″；第３処理ユニット群
Ｇ４・Ｇ４´；第４処理ユニット群
Ｇ５；第５処理ユニット群
Ｇ６・Ｇ６´；第６処理ユニット群
Ｔ１；第１ユニットタワー
Ｔ２；第２ユニットタワー
Claims (15)
- 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックに対して、その境界面について鉛直方向からみて対称となるように水平方向に並べて配置され、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの境界面に配置され、第１搬送アームと第２搬送アームとを内部に有する基板搬送装置であって、前記第１搬送アームと前記第２搬送アームとは基板搬送装置内部の空間内を移動し、かつ前記第１搬送アームは、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行い、前記第２の搬送アームは、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う基板搬送装置と、
を具備し、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックはそれぞれ、
基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニットと、
前記液処理ユニットにおいて塗布膜が形成された基板に熱的処理を施す熱的処理ユニットと、
を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックに対して、その境界面について鉛直方向からみて対称となるように水平方向に並べて配置され、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックとの境界面に配置され、第１搬送アームと第２搬送アームとを内部に有する第１の基板搬送装置であって、前記第１搬送アームと前記第２搬送アームとは当該第１の基板搬送装置内部の空間内を移動し、かつ前記第１搬送アームは、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行い、前記第２の搬送アームは、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１の基板搬送装置と、
前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第１容器載置部と、前記第１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの間で基板を搬送する第２基板搬送装置とを有し、前記第１処理ブロックに隣接して設けられた第１基板搬送ステーションと、
前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器載置部と、前記第２容器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板搬送装置とを有し、前記第２処理ブロックに隣接して設けられた第２基板搬送ステーションと、
を具備し、
前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステーションとは、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックを水平方向に挟んで設けられており、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第１処理ブロックは、
基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニットが多段に積み重ねられた第１液処理ユニット群と、
前記第１基板搬送装置と前記第２基板搬送装置との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第１基板載置ユニット、および前記第１液処理ユニット群において塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが多段に積み重ねられた第１熱的処理ユニット群と、
を有し、
前記第２処理ブロックは、
基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニットが多段に積み重ねられた第２液処理ユニット群と、
前記第１基板搬送装置と前記第３基板搬送装置との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第２基板載置ユニット、および前記第２液処理ユニット群において塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが多段に積み重ねられた第２熱的処理ユニット群と、
を有することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。 - 前記搬送空間内の第１基板搬送装置に対して上側から下側に向けて清浄な空気を供給する送風装置をさらに具備し、
前記第２搬送アームは前記第１搬送アームの上側に配置され、前記第１搬送アームから前記第２搬送アームへの銅の拡散が抑制されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の基板処理装置。 - 前記第１基板搬送装置において、記第１搬送アームと前記第２搬送アームとの間に遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
- 前記第１基板搬送装置は前記第１搬送アームと前記第２搬送アームをそれぞれ複数装備し、
前記複数の第１搬送アームと前記複数の第２搬送アームはそれぞれ、加熱された基板を搬送する高温基板搬送用アームと、室温のまたは冷却された基板を搬送する常温基板搬送用アームとに区別して用いられ、
前記高温基板搬送用アームと前記常温基板搬送用アームとの間に遮熱板が設けられていることを特徴とする請求項３から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記複数の第１搬送アームと前記複数の第２搬送アームの中の前記高温基板搬送用アームは、前記複数の第１搬送アームと前記複数の第２搬送アームの中の前記常温基板搬送用アームの下側に、前記遮熱板を介して配置され、かつ、
前記複数の第１搬送アームの中の高温基板搬送用アームは前記複数の第２搬送アームの中の高温基板搬送用アームの下側に配置され、かつ、
前記複数の第１搬送アームの中の常温基板搬送用アームは前記複数の第２搬送アームの中の常温基板搬送用アームの下側に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックの上側に設けられ、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの内部に上下方向に沿って設けられ、第１基板搬送部および第２基板搬送部を有する基板搬送装置であって、前記第２基板搬送部が前記第１基板搬送部の上側に設けられ、前記第１基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１搬送アームを有し、前記第２基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第２搬送アームを有する基板搬送装置と、
を具備し、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第１処理ブロックと前記第２処理ブロックはそれぞれが、
基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する液処理ユニットと、
前記液処理ユニットにおいて塗布膜が形成された基板に熱的処理を施す熱的処理ユニットと、
を具備することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
銅配線を有する基板に所定の処理を施す処理ユニットを有する第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックの上側に設けられ、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックの内部に上下方向に沿って設けられ、第１基板搬送部および第２基板搬送部を有する第１の基板搬送装置であって、前記第２基板搬送部が前記第１基板搬送部の上側に設けられ、前記第１基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第１処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第１搬送アームを有し、前記第２基板搬送部は、基板搬送装置内部の空間内を上下に移動可能で、前記第２処理ブロックに備えられた処理ユニットに対してのみ基板の搬入出を行う第２搬送アームを有する第１の基板搬送装置と、
前記第１処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第１容器載置部と、前記第１容器載置部に載置された容器と前記第１処理ブロックとの間で基板を搬送する第２基板搬送装置と、を有する第１基板搬送ステーションと、
前記第２処理ブロックにおいて処理を行う基板が収容された容器を載置する第２容器載置部と、前記第２容器載置部に載置された容器と前記第２処理ブロックとの間で基板を搬送する第３基板搬送装置と、を有する第２基板搬送ステーションと、
を具備し、
前記第１基板搬送ステーションと前記第２基板搬送ステーションとは、前記第１処理ブロックおよび前記第２処理ブロックを水平方向に挟んで設けられており、
上記構成により、銅配線を有していない基板に銅を用いない所定の処理を施す処理ユニットを有する前記第２処理ブロックへの銅の拡散が抑制されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記第１処理ブロックは、
基板に対して塗布膜を形成する第１液処理ユニットが水平方向に並べて配置された第１液処理ユニット群と、
前記第１基板搬送装置と前記第２基板搬送装置との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第１基板載置ユニット、および前記第１液処理ユニット群において塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが多段に積み重ねられた第１熱的処理ユニット群と、
前記第１熱的処理ユニット群と離隔して設けられ、前記第１液処理ユニット群において塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが多段に積み重ねられた第２熱的処理ユニット群と、
を有し、
前記第２処理ブロックは、
基板に対して塗布膜を形成する第２液処理ユニットが水平方向に並べて前記第１液処理ユニット群の上側に配置された第２液処理ユニット群と、
前記第１基板搬送装置と前記第３基板搬送装置との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第２基板載置ユニット、および前記第２液処理ユニット群において塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが、前記第２熱的処理ユニット群の上側に多段に積み重ねられた第３熱的処理ユニット群と、
前記第２液処理ユニット群において塗布膜が形成された基板に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニットが前記第１熱的処理ユニット群の上側に多段に積み重ねられた第４熱的処理ユニット群と、
を有することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。 - 前記第１基板搬送装置に対して清浄な空気を上側から下側に向けて供給する送風装置をさらに具備し、
前記第１基板搬送装置において、前記第２基板搬送部は前記第１基板搬送部の上側に配置されて、前記第１基板搬送部から前記第２基板搬送部への銅の拡散が抑制されていることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。 - 前記第１基板搬送装置における前記第１基板搬送部の前記第１搬送アームおよび前記第２搬送部の前記第２搬送アームは、それぞれ加熱された基板を搬送する高温基板搬送用アームと、室温のまたは冷却された基板を搬送する常温基板搬送用アームとを有し、
前記高温基板搬送用アームと前記常温基板搬送用アームとの間に遮熱板が設けられていることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記第１処理ブロックは、基板に施す処理に銅を含む材料を使用する処理ユニットをさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
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