JP4070196B2

JP4070196B2 - Wavelength stabilized laser

Info

Publication number: JP4070196B2
Application number: JP2002345145A
Authority: JP
Inventors: 拓也田中; 善典日比野; 貴山田; 雅弘柳澤; 亮一笠原; 淳阿部; 栄伸廣田
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2002-11-28
Filing date: 2002-11-28
Publication date: 2008-04-02
Anticipated expiration: 2022-11-28
Also published as: JP2004179465A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は発振波長及び出力が安定化された波長安定化レーザに関し、光通信の波長安定化光源などに適用して有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】
インターネットの爆発的普及とともに、通信ネットワークの容量の増大及び通信コストの低コスト化が急務となっている。このため、現在、１本の光ファイバに異なる波長を多重伝送して、光ファイバ１本当りの伝送容量を増大させる光高密度波長多重伝送（ＤＷＤＭ）方式に通信方式が移行しつつある。光通信に用いられる光源には、低コストで、発振波長及び出力が安定化されたデバイスが求められている。このため、現在、半導体ＤＦＢ−ＬＤ（Distributed Feedback Laser Diode）を用いた波長安定化光源が、光通信の光源として使用されている。
【０００３】
ＤＷＤＭの各波長のグリッドはアンカー周波数１９３．１ＴＨｚ（１５５２．２４ｎｍ）を中心にして、１００ＧＨｚ（０．８ｎｍ）、５０ＧＨｚ（０．４ｎｍ）、２５ＧＨｚ（０．２ｎｍ）等の間隔で決められている。光通信に用いる光源に必要な波長制御精度は、波長間隔の１／10であるので、それぞれ０．０８ｎｍ、０．０４ｎｍ、０．０２ｎｍとなっている。
【０００４】
一方、半導体ＤＦＢレーザ（半導体ＤＦＢ−ＬＤ）は作製する際に目標とした波長から±１ｎｍほど発振波長がずれるため、現在は、発振波長をモニタし、温度制御により（０．１ｎｍ／℃）、発振波長をＤＷＤＭ方式の波長グリッドに制御している。このとき半導体ＤＦＢレーザの光出力を一定にする必要があるが、これは半導体ＤＦＢレーザへの注入電流を制御することで行っている。
【０００５】
上記の部分を一体化したモジュールが波長ロッカーを搭載した波長安定化光源であり、各社より製品化されている。このような波長ロッカ付きＤＦＢレーザとしては、例えば、下記の非特許文献１等がある。本波長安定化光源は、発振波長が高精度に制御されＤＷＤＭ送信用に用いられている。
【０００６】
【非特許文献１】
横山他「波長ロッカー内蔵ＤＦＢ−ＬＤモジュール」、２０００年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ学会 C-3-106，pp．232
【０００７】
図１６に、従来の技術を用いて作製した波長ロッカーを搭載した波長安定化光源の上面図を示す。同図に示すように、半導体ＤＦＢレーザ４の前端面からの出射光はコリメートレンズ６を介して出力される。一方、半導体ＤＦＢレーザ４の後端面からの出射光はコリメートレンズ７を通過した後、ハーフミラー５で反射光と透過光とに分岐される。そして、前記反射光をモニタＰＤ(Photo-Diode：フォトダイオード）２に入射させることにより、モニタＰＤ２で半導体ＤＦＢレーザ４の出力をモニタし、且つ、前記透過光をエタロン（ファブリペロー干渉計）１を通過させた後にモニタＰＤ３に入射させることにより、モニタＰＤ３で半導体ＤＦＢレーザ４の発振波長をモニタする。
【０００８】
モニタＰＤ２では、入射光強度に比例した光電流が流れ、入射する光の強度をモニタできる。従って、モニタＰＤ２の出力から半導体ＤＦＢレーザ４の出力をモニタし、これを半導体ＤＦＢレーザ４の注入電流にフィードバックすれば半導体ＤＦＢレーザ４の光出力強度を制御することが可能である。エタロン１を通した光は図１７に示したように波長の変化に対して周期的に強めあうので適当な光出力をモニタ点とすれば、波長モニタが可能である。モニタＰＤ３の出力を半導体ＤＦＢレーザ４の温度にフィードバックすれば半導体ＤＦＢレーザ４の発振波長を制御することが可能である。なお、半導体ＤＦＢレーザ４の温度は、半導体ＤＦＢレーザ４の下部に設けたペルチェ素子によって制御している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術を用いて作製した波長ロッカーを搭載した波長安定化光源は集積化されておらず、バルク部品の組み立て方式であるため、機械的及び熱的安定性は不十分であった。特に、図１６に示した波長安定化光源では、環境温度が変化する場所で使用する場合、エタロン１も温度依存性があり、温度変化によりエタロン１の波長透過特性が変化するため、発振波長が変化してしまい、熱的安定性が不十分であった。
【００１０】
これを解決するためにはエタロン１の温度を安定化する必要があり、しかも、そのためには半導体ＤＦＢレーザ用のペルチェ素子とは別のペルチェ素子を用いて温度を安定化する必要があった。これは、半導体ＤＦＢレーザ用のペルチェ素子は半導体ＤＦＢレーザ４の発振波長を制御するために室温から±１０度程度ずれた所で温度を安定化する場合があるので、このペルチェ素子を用いてエタロン１の温度調整を行った場合、（室温で波長透過特性を調整した）エタロン１の波長透過特性を変えてしまうからである。また、従来型の波長安定化光源は、バルク部品の組み立て方式であるため部品点数が増え、コストが増加する。そこで、集積化され、発振波長および出力が安定でありかつ低コストな（部品点数が少ない）波長安定化光源（波長安定化レーザ）が求められていた。
【００１１】
従って本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、小型・安定で低コストな波長安定化レーザを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する第１発明の波長安定化レーザは、基板上に搭載した１個の半導体ＤＦＢ−ＬＤ、２個の第１半導体ＰＤ及び第２半導体ＰＤと、前記基板上に作製した石英系ガラス光導波路とをハイブリッド集積してなる波長安定化レーザであって、前記半導体ＤＦＢ−ＬＤの前方または後方からの出射光を、前記石英系ガラス光導波路から構成した分岐回路で前記第１半導体ＰＤ側と前記第２半導体ＰＤ側とに分岐し、前記第１半導体ＰＤ側に分岐された光は前記石英系ガラス光導波路から構成した波長分波回路を通過した後に前記第１半導体ＰＤに入射し、前記第２半導体ＰＤ側に分岐された光は前記波長分波回路を通過せずに直接前記第２半導体ＰＤに入射するように構成し、前記基板の温度を変化させて前記半導体ＤＦＢ−ＬＤの発振波長を制御する手段を備えたことを特徴とする。
【００１４】
また、第２発明の波長安定化レーザは、第１発明の波長安定化レーザにおいて、前記波長分波回路がＭＺ干渉計であることを特徴とする。
【００１５】
また、第３発明の波長安定化レーザは、第１発明の波長安定化レーザにおいて、前記波長分波回路がＡＷＧであることを特徴とする。
【００１６】
また、第４発明の波長安定化レーザは、第１発明の波長安定化レーザにおいて、前記波長分波回路が前記石英系ガラス導波路のコア中にグレーティングを形成してなるものであることを特徴とする。
【００１７】
また、第５発明の波長安定化レーザは、第２発明の波長安定化レーザにおいて、前記ＭＺ干渉計を構成する石英系ガラス導波路の一部において、前記石英系ガラス導波路と逆符号の屈折率温度係数を有する材料を、上部クラッドとコアを除去した部分又は上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分に挿入することにより、前記ＭＺ干渉計を温度無依存化したことを特徴とする。
【００１８】
また、第６発明の波長安定化レーザは、第３発明の波長安定化レーザにおいて、前記ＡＷＧを構成する石英系ガラス導波路の一部において、前記石英系ガラス導波路と逆符号の屈折率温度係数を有する材料を、上部クラッドとコアを除去した部分または上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分に挿入することにより、前記ＡＷＧを温度無依存化したことを特徴とする。
【００１９】
また、第７発明の波長安定化レーザは、第４発明の波長安定化レーザにおいて、前記グレーティング上部の上部クラッドを一部または全部除去した部分に前記石英系ガラス導波路と逆符号の屈折率温度係数を有する材料を挿入することにより、前記グレーティングを温度無依存化したことを特徴とする。
【００２０】
また、第８発明の波長安定化レーザは、第１発明の波長安定化レーザにおいて、前記石英系ガラス導波路を構成する上部クラッド及び下部クラッドを除去した部分、或いは、上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分に吸光剤を挿入し、この吸光剤によって、前記半導体ＤＦＢ−ＬＤからの迷光が前記第１半導体ＰＤ及び第２半導体ＰＤに入射するのを防止する構成としたことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２２】
（第１実施例）
本発明の第１実施例に係る波長安定化レーザの上面図を図１に示す。第１実施例の波長安定化レーザは、１枚の基板上にＬＤとＰＤの半導体チップと光導波路（石英系ガラス導波路）とをハイブリッド集積したものである。
【００２３】
具体的には、図１に示すように第１実施例の波長安定化レーザは、１枚のＳｉ基板上に、半導体チップであるモニタＰＤ１３（第１半導体ＰＤ）、モニタＰＤ１２（第２半導体ＰＤ）及び半導体ＤＦＢレーザ１４（半導体ＤＦＢ−ＬＤ）と、分岐回路としての方向性結合器１６及び波長分波回路としてのＭＺ（Mach-Zehnder：マッハツエンダー）干渉計１７とが、ハイブリッド集積された構成となっている。
【００２４】
方向性結合器１６はＳｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路１８，１９によって構成され、ＭＺ干渉計１７はＳｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路１０，１１によって構成されている。つまり、第１実施例の波長安定化レーザは、方向性結合器１６及びＭＺ干渉計１７を構成する石英系ガラス導波路１０，１１，１８，１９が作製された１枚の基板（ＰＬＣ（Planar Lightguide Circuit ）チップ）１５上に、１個の半導体ＤＦＢレーザ１４と２個のモニタＰＤ１２，１３とを搭載して、ハイブリッド集積化したものである。
【００２５】
半導体ＤＦＢレーザ１４は、石英系ガラス導波路の比屈折率差が０．７５％以下の場合、石英系ガラス導波路との光の結合率を上げるため、石英系ガラス導波路のモードフィールド径に拡大するためのスポットサイズ変換部が集積されたスポットサイズ変換ＤＦＢ−ＬＤが望ましい。また、比屈折率がそれより上の場合には、スポットサイズ変換部が集積されていないＤＦＢ−ＬＤを、半導体ＤＦＢレーザ１４として用いることができる。
【００２６】
この第１実施例の波長安定化レーザでは、半導体ＤＦＢレーザ１４の前方から出力光を出射する。そして、半導体ＤＦＢレーザ１４の後方からの出射光は、方向性結合器１６でモニタＰＤ１３側とモニタＰＤ１２側とに分岐する。モニタＰＤ１３側に分岐された光は、ＭＺ干渉計１７を通過した後にモニタＰＤ１３に入射し、モニタＰＤ１３でモニタされる。一方、モニタＰＤ１２側に分岐された光は、ＭＺ干渉計１７を通過せずに直接、モニタＰＤ１２に入射し、モニタＰＤ１２でモニタされる。
【００２７】
ＭＺ干渉計１７は、図２に示すように光の波長の変化に応じて、ＦＳＲ(free spectral range) の周期で光透過強度が変化する。このため、ＭＺ干渉計１７を通過した光の強度をモニタＰＤ１３でモニタすることにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長をモニタすることができる。ここで、ＭＺ干渉計１７のＦＳＲを４００ＧＨｚ（３．２ｎｍ）ととると、（制御しないでそのまま半導体ＤＦＢレーザ１４を発振させた場合の）半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長と同じ周期の中に目標の波長が入るので、モニタＰＤ１３の出力値をモニタすることで（一意的に）半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長を適切な波長にチューニングすることができるようになる。
【００２８】
モニタＰＤ１２では半導体ＤＦＢレーザ１４の出力に比例した光強度をモニタすることができるので、結局、モニタＰＤ１３とモニタＰＤ１２とにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の出力光の波長と強度とをモニタすることができる。
【００２９】
それでは、ここで実際の動作例について説明する（図１５参照）。半導体ＤＦＢレーザ１４を発振させ、この発振波長をモニタＰＤ１３により室温でモニタしたところ、同発振波長が所望（目標）の波長から０．８ｎｍ程度ずれていた。そこで基板（ＰＬＣチップ）１５の温度、即ち、半導体ＤＦＢレーザ１４の温度をペルチェ素子を用いて８度程度変化させて半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長が目標の波長となるように制御し、また、モニタＰＤ１２で光出力をモニタしながら、目標の出力を得るために半導体ＤＦＢレーザ１４への注入電流を変化させた。
【００３０】
１００個程度の波長安定化レーザ（波長安定化光源）を、第１実施例の構成で作製したが、何れの波長安定化レーザも出力誤差±０．５ｄＢ、波長誤差±０．１５ｎｍに収まった。
【００３１】
この第１実施例の波長安定化レーザは、Ｓｉ基板上に搭載された１個の半導体ＤＦＢレーザ１４及び２個のモニタＰＤ１２，１３と、Ｓｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路（方向性結合器１６、ＭＺ干渉計１０）とが、ハイブリッド集積された構成であるため、従来のバルク部品組み立て方式の波長安定化レーザと比較して、簡易な構成で部品点数が少なく、小型で、機械的及び熱的安定性が高く、波長及び出力が安定であり、安価に生産できる。
【００３２】
なお、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光を分岐する手段としては、方向性結合器１６に限らず、光を分岐する機能のある光回路であればよく、例えば、Ｙ分岐回路や２×２ＭＭＩカプラであってもよい。
【００３３】
（第２実施例）
本発明の第２実施例に係る波長安定化レーザの上面図を図３に示す。第２実施例の波長安定化レーザも、１枚の基板上にＬＤとＰＤの半導体チップと光導波路（石英系ガラス導波路）とをハイブリッド集積したものである。
【００３４】
具体的には、図３に示すように第２実施例の波長安定化レーザは、１枚のＳｉ基板上に、半導体チップであるモニタＰＤ１３、モニタＰＤ１２及び半導体ＤＦＢレーザ１４と、分岐回路としての方向性結合器１６及び波長分波回路としてのアレイ導波路格子（ＡＷＧ(Array-Waveguide-Grating））２１とが、ハイブリッド集積された構成となっている。即ち、第２実施例の波長安定化レーザは、第１実施例のＭＺ干渉計１７（図１参照）に代えてＡＷＧ２１を設けた構成となっており、その他の構成については第１実施例の波長安定化レーザと同様である。
【００３５】
ＡＷＧ２１はＳｉ基板上に作製された複数の石英系ガラス導波路によって図示ように構成されている。具体的には、ＡＷＧ２１は１入力Ｎ出力（１×Ｎ）のものであり、１本の入力導波路２５と、スラブ導波路２２，２３と、これらのスラブ導波路２２，２３の間に設けられたＭ本のアレイ導波路２４−１，２４−２…２４−Ｍと、Ｎ本の出力導波路２６−１，２６−２…２６−Ｎとから構成されている。
【００３６】
この第２実施例の波長安定化レーザでは、半導体ＤＦＢレーザ１４の後方からの出射光を、方向性結合器１６でモニタＰＤ１３側とモニタＰＤ１２側とに分岐する。そして、モニタＰＤ１３側に分岐された光は、ＡＷＧ２１を通過した後にモニタＰＤ１３に入射し、モニタＰＤ１３でモニタされる。即ち、１入力Ｎ出力（１×Ｎ）のＡＷＧ２１を通過した光のうち、適当な出力ポート（図示例では出力導波路２６−１）の光をモニタＰＤ１３でモニタする。モニタＰＤ１２側に分岐された光は、ＡＷＧ２１を通過せずに直接、モニタＰＤ１２に入射し、モニタＰＤ１２でモニタされる。
【００３７】
図４にはモニタＰＤ１３に入射する光のＡＷＧ２１からの透過率の波長依存性（透過スペクトル）を示す。なおここで、ＡＷＧ２１のＦＳＲは半導体ＤＦＢレーザ１４の波長誤差±１ｎｍより１桁以上を広く設計されており、横軸の範囲はＡＷＧのＦＳＲより充分小さくとってある。また、縦軸はリニアスケールである。図４に示すように中心波長λｃの近傍で透過率が高くなり、中心波長λｃで最も透過率が高くなっている。モニタＰＤ１３の受光による電流は光強度に依存するから、中心波長λｃ近傍の波長の光に対し、モニタＰＤ１３の電流をモニタすることで、半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長をモニタすることができる。従って、例えば、中心波長λｃを目標の波長に制御すると、モニタＰＤ１３の出力値をモニタすることで（一意的に）半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長を適切な（目標の）波長にチューニングすることができるようになる。
【００３８】
なお、ＡＷＧからの各ポートへの透過中心波長を制御する方法としては、例えば、紫外線照射による方法がある。この方法は、阿部他、２０００年電子情報通信学会総合大会、Ｃ−３−７５外「レーザ光照射による温度無依存化石英系ＡＷＧの中心波長制御」等に記載されている。図３に示すように広帯域光源の光を導波路１８から入力することでモニタ導波路（図示例では出力導波路２６−Ｎ）からの出力光の透過中心波長をモニタでき、このモニタ導波路からの出力光の透過中心波長から、モニタＰＤ１３に入力するポート（図示例では出力導波路２６−１）からの出力光の透過中心波長が計算できる。従って、ＡＷＧ２１にＵＶ光（紫外線）を照射しながら、ＡＷＧ２１の透過中心波長をモニタすることができるので、ＡＷＧ２１の透過中心波長を目標の波長に制御することができる。
【００３９】
モニタＰＤ１２では半導体ＤＦＢレーザ１４の出力に比例した光強度をモニタすることができるので、結局、モニタＰＤ１３とモニタＰＤ１２とにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の出力光の波長と強度とをモニタすることができる。
【００４０】
それでは、ここで実際の動作例について説明する（図１５参照）。半導体ＤＦＢレーザ１４を発振させ、この発振波長をモニタＰＤ１３により室温でモニタしたところ、同発振波長が所望（目標）の波長から０．５ｎｍ程度ずれていた。そこで基板（ＰＬＣチップ）１５の温度、即ち、半導体ＤＦＢレーザ１４の温度を５度程度変化させて半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長が目標の波長となるように制御し、また、モニタＰＤ１２で光出力をモニタしながら、目標の出力を得るために半導体ＤＦＢレーザ１４への注入電流を変化させた。
【００４１】
１００個程度の波長安定化レーザ（波長安定化光源）を、本第２実施例の構成で作製したが、何れの波長安定化レーザも出力誤差±０．５ｄＢ、波長誤差±０．１５ｎｍに収まった。
【００４２】
この第２実施例の波長安定化レーザは、Ｓｉ基板上に搭載された１個の半導体ＤＦＢレーザ１４及び２個のモニタＰＤ１２，１３と、Ｓｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路（方向性結合器１６、ＡＷＧ２１）とが、ハイブリッド集積された構成であるため、従来のバルク部品組み立て方式の波長安定化レーザと比較して、簡易な構成で部品点数が少なく、小型で、機械的及び熱的安定性が高く、波長及び出力が安定であり、安価に生産できる。
【００４３】
なお、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光を分岐する手段としては、方向性結合器１６に限らず、光を分岐する機能のある光回路であればよく、例えば、Ｙ分岐回路や２×２ＭＭＩカプラであってもよい。
【００４４】
（実施の形態３）
本発明の第３実施例に係る波長安定化レーザの上面図を図５に示す。第３実施例の波長安定化レーザも、１枚の基板上にＬＤとＰＤの半導体チップと光導波路（石英系ガラス導波路）とをハイブリッド集積したものである。
【００４５】
具体的には、図５に示すように第３実施例の波長安定化レーザは、１枚のＳｉ基板上に、半導体チップであるモニタＰＤ１３、モニタＰＤ１２及び半導体ＤＦＢレーザ１４と、分岐回路としての方向性結合器６及び波長分波回路としてのグレーティング３１とが、ハイブリッド集積された構成となっている。即ち、第３実施例の波長安定化レーザは、第１実施例のＭＺ干渉計１７（図１参照）に代えてグレーティング３１を設けた構成となっており、その他の構成については第１実施例の波長安定化レーザと同様である。グレーティング３１はＳｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路３２のコア中に形成された屈折率変調部である（図１１参照）。
【００４６】
この第３実施例の波長安定化レーザでは、半導体ＤＦＢレーザ１４の後方からの出射光を、方向性結合器１６でモニタＰＤ１３側とモニタＰＤ１２側とに分岐する。そして、モニタＰＤ１３側に分岐された光は、グレーティング３１を通過した後にモニタＰＤ１３に入射し、モニタＰＤ１３でモニタされる。モニタＰＤ１２側に分岐された光は、グレーティング３１を通過せずに直接、モニタＰＤ１２に入射し、モニタＰＤ１２でモニタされる。
【００４７】
グレーティング３１の通過スペクトルは図６のように表される。中心波長λｃに近い波長で透過率が下がり、中心波長λｃで透過率が最低になる。グレーティング３１がλ／４位相シフトグレーティング（J.Canning,et al,Electron.Lett.,vol30,No.16,pp1344-1345）である場合、グレーティング３１の透過スペクトルは図７のようになり、中心波長λｃでの透過率は極大になる。
【００４８】
このように中心波長λｃに対して透過率が変化しているので、モニタＦＤ１３からの出力電流をモニタすることで半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長をモニタすることができる。モニタＰＤ１２では半導体ＤＦＢレーザ１４の出力に比例した光強度をモニタすることができるので、結局、モニタＰＤ１３とモニタＰＤ１２とにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の出力光の波長と強度とをモニタすることができる。
【００４９】
それでは、ここで実際の動作例について説明する（図１５参照）。半導体ＤＦＢレーザ１４を発振させ、この発振波長をモニタＰＤ１３により室温でモニタしたところ、同発振波長が所望（目標）の波長から０．３ｎｍ程度ずれていた。そこで基板（ＰＬＣチップ）１５の温度、即ち、半導体ＤＦＢレーザ１４の温度をを３度程度変化させて半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長が目標の波長となるように制御し、また、モニタＰＤ１２で光出力をモニタしながら、目標の出力を得るために注入電流を変化させた。
【００５０】
１００個程度の波長安定化レーザ（波長安定化光源）を、本第３実施例の構成で作製したが、何れの波長安定化レーザも出力誤差±０．５ｄＢ、波長誤差±０．１５ｎｍに収まった。
【００５１】
この第３実施例の波長安定化レーザは、Ｓｉ基板上に搭載された１個の半導体ＤＦＢレーザ１４及び２個のモニタＰＤ１２，１３と、Ｓｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路（方向性結合器１６、グレーティング３１）とが、ハイブリッド集積された構成であるため、従来のバルク部品組み立て方式の波長安定化レーザと比較して、簡易な構成で部品点数が少なく、小型で、機械的及び熱的安定性が高く、波長及び出力が安定であり、安価に生産できる。
【００５２】
なお、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光を分岐する手段としては、方向性結合器１６に限らず、光を分岐する機能のある光回路であればよく、例えば、Ｙ分岐回路や２×２ＭＭＩカプラであってもよい。
【００５３】
（第４実施例）
本発明の第４実施例に係る波長安定化レーザの上面図を図８に示す。第４実施例の波長安定化レーザも、１枚の基板上にＬＤとＰＤの半導体チップと光導波路（石英系ガラス導波路）とをハイブリッド集積したものである。
【００５４】
具体的には、図８に示すように第４実施例の波長安定化レーザは、１枚のＳｉ基板上に、半導体チップであるモニタＰＤ１３、モニタＰＤ１２及び半導体ＤＦＢレーザ１４と、分岐回路としての方向性結合器６及び波長分波回路としてのＭＺ干渉計４１とが、ハイブリッド集積された構成となっており、しかも、ＭＺ干渉計４１が温度無依存化されている。即ち、第４実施例の波長安定化レーザは、第１実施例における通常の石英系ガラス導波路で作製されたＭＺ干渉計１７（図１参照）に代えて温度無依存化されたＭＺ干渉計４１を設けた構成となっており、その他の構成については第１実施例の波長安定化レーザと同様である。本第４実施例では、半導体ＤＦＢレーザ１４の後方からの出射光を方向性結合器１６で分岐し、ＭＺ干渉計４１を通過した光をモニタＰＤ１３でモニタし、ＭＺ干渉計４１を通過していない光をモニタＰＤ１２でモニタする。
【００５５】
そして、ＭＺ干渉計４１は分割した（複数の）溝中にポリマー４２を挿入することにより、温度無依存化されている。詳述すると、ＭＺ干渉計４１はＳｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路１０，１１によって構成されており、ポリマー４２はＭＺ干渉計４１を構成する石英系ガラス導波路１０の一部において、上部クラッドとコアを除去した部分（溝）又は上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分（溝）に挿入されている。ポリマー４２は、石英系ガラス導波路の屈折率の温度係数と逆符号すなわち、温度係数が負の材料であればよい。
【００５６】
例えば、ポリマー４２としてシリコーン樹脂を用いることができる。適切な長さの領域にシリコーン樹脂を挿入することでＭＺ干渉計４１の石英系ガラス導波路１０，１１の光路長差が温度に対して変化しないようにすることができる。即ち、ＭＺ干渉計４１の（透過スペクトルの）温度依存性をなくすことができる。通常の石英系ガラス導波路で作製したＭＺ干渉計の温度係数は０．０１ｎｍ／℃であったが、シリコーン樹脂を挿入することでＭＺ干渉計の温度係数を０．００１ｎｍ／℃以下まで低減することができる。なお、この温度無依存化手法について詳しくは、井上他著「光導波回路」特願平９−３０２５１号に記載されている。ここでポリマー４２は、石英系ガラス導波路１０のみならず石英系ガラス導波路１１の一部において挿入されていてもかまわない。
【００５７】
第４実施例の波長安定化レーザでも、第１実施例と同様にモニタＰＤ１３では半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長に対応した光強度をモニタでき、モニタＰＤ１２では半導体ＤＦＢレーザ１４の出力に比例した光強度をモニタすることができるので、結局モニタＰＤ１３とモニタＰＤ１２とにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の出力光の波長と強度とをモニタすることができる。
【００５８】
それでは、ここで実際の動作について説明する（図１５参照）。半導体ＤＦＢレーザ１４を発振させ、この発振波長をモニタＰＤ１３により室温でモニタしたところ、同発振波長が所望（目標）の波長から０．８ｎｍ程度ずれていた。そこで基板（ＰＬＣチップ）１５の温度、即ち、半導体ＤＦＢレーザ１４の温度をペルチェ素子を用いて８度程度変化させて半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長が目標の波長となるように制御し、また、モニタＰＤ１２で光出力をモニタしながら、目標の出力を得るために半導体ＤＦＢレーザ１４への注入電流を変化させた。
【００５９】
１００個程度の波長安定化レーザ（波長安定化光源）を、第４実施例の構成で作製したが、何れの波長安定化レーザも出力誤差±０．５ｄＢ、波長誤差±０．０１５ｎｍに収まった。波長誤差は第１実施例に比較して１桁小さくなっている。これは、波長安定化レーザ１４の発振波長を変化させるために基板の温度を変化させても、ＭＺ干渉計４１の透過スペクトルが変化することはないからである。ポリマー４２を用いることにより、ＭＺ干渉計１２の透過スペクトルが温度無依存化されている結果である。
【００６０】
なお、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光を分岐する手段としては、方向性結合器１６に限らず、光を分岐する機能のある光回路であればよく、例えば、Ｙ分岐回路や２×２ＭＭＩカプラであってもよい。
【００６１】
（第５実施例）
本発明の第５実施例に係る波長安定化レーザの上面図を図９に示す。第５実施例の波長安定化レーザも、１枚の基板上にＬＤとＰＤの半導体チップと光導波路（石英系ガラス導波路）とをハイブリッド集積したものである。
【００６２】
具体的には、図９に示すように第５実施例の波長安定化レーザは、１枚のＳｉ基板上に、半導体チップであるモニタＰＤ１３、モニタＰＤ１２及び半導体ＤＦＢレーザ１４と、分岐回路としての方向性結合器１６及び波長分波回路としてのＡＷＧ５１とが、ハイブリッド集積された構成となっており、しかも、ＡＷＧ５１が温度無依存化されている。即ち、第５実施例の波長安定化レーザは、第２実施例におけるＡＷＧ２１に代えて温度無依存化されたＡＷＧ５１を設けた構成となっており、その他の構成については第２実施例の波長安定化レーザと同様である。本第５実施例では、半導体ＤＦＢレーザ１４の後方からの出射光を方向性結合器１６で分岐し、ＡＷＧ５１を通過した光をモニタＰＤ１３でモニタし、ＡＷＧ５１を通過していない光をモニタＰＤ１２でモニタする。
【００６３】
ＡＷＧ５１はＳｉ基板上に作製された複数の石英系ガラス導波路、即ち、１本の入力導波路２５と、スラブ導波路２２，２３と、これらのスラブ導波路２２，２３の間に設けられたＭ本のアレイ導波路２４−１，２４−２…２４−Ｍと、Ｎ本の出力導波路２６−１，２６−２…２６−Ｎとから構成された１入力Ｎ出力（１×Ｎ）のものである。そして、このＡＷＧ５１を構成するＭ本のアレイ導波路２４−１，２４−２…２４−Ｍの一部において、上部クラッドとコアとを除去した部分または上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分にシリコーン樹脂５２を挿入することにより、ＡＷＧ５１の透過スペクトルの温度無依存化が行われている。
【００６４】
この場合も第４実施例と同様に、適切な長さの領域に石英系ガラス導波路の温度係数と逆のシリコーン樹脂５２を挿入することで石英系ガラス導波路の温度係数を打ち消すことができる。ＡＷＧ５１は（長さの異なる）アーム導波路（アレイ導波路２４−１，２４−２…２４−Ｍ）からの多光速の干渉で波長を分波しているが、このアーム導波路の長さの差が温度に依存しなくなるようにシリコーン樹脂５２を挿入すればＡＷＧ５１の透過中心波長を温度無依存化できる。
【００６５】
なお、この温度無依存化手法について詳しくは、井上他著「光導波回路」特願平９−３０２５１号に詳しく記載されている。本温度無依存化により、中心波長の温度係数を（従来０．０１ｎｍ／℃であったものを）０．００１ｎｍ／℃まで低減できた。また、ＡＷＧ５１からの各ポートへの透過中心波長を制御する方法としては、第２実施例で説明したように、紫外線照射による方法がある。
【００６６】
第２実施例で説明したように、ＡＷＧ５１を透過してモニタＰＤ１３へ入力する光は波長依存性があるので、この光強度をモニタＰＤ１３でモニタすることで半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長をモニタすることができる。モニタＰＤ１２では半導体ＤＦＢレーザ１４の出力に比例した光強度をモニタすることができるので、結局、モニタＰＤ１３とモニタＰＤ１２とにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の出力光の波長と強度とをモニタすることができる。
【００６７】
それでは、ここで実際の動作例について説明する（図１５参照）。半導体ＤＦＢレーザ１４を発振させ、この発振波長をモニタＰＤ１３により室温でモニタしたところ、同発振波長が所望（目標）の波長から０．５ｎｍ程度ずれていた。そこで基板（ＰＬＣチップ）１５の温度、即ち、半導体ＤＦＢレーザ１４の温度を５度程度変化させて半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長が目標の波長となるように制御し、また、モニタＰＤ１２で光出力をモニタしながら、目標の出力を得るために半導体ＤＦＢレーザ１４への注入電流を変化させた。
【００６８】
１００個程度の波長安定化レーザ（波長安定化光源）を、第５実施例の構成で作製したが、何れの波長安定化レーザも出力誤差±０．５ｄＢ、波長誤差±０．０１５ｎｍに収まった。波長誤差は、ＡＷＧ５１の温度無依存化による効果により、第２実施例に比較して１桁小さくなっている。
【００６９】
なお、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光を分岐する手段としては、方向性結合器１６に限らず、光を分岐する機能のある光回路であればよく、例えば、Ｙ分岐回路や２×２ＭＭＩカプラであってもよい。
【００７０】
（第６実施例）
本発明の第６実施例に係る波長安定化レーザの上面図を図１０に示す。第６実施例の波長安定化レーザも、１枚の基板上にＬＤとＰＤの半導体チップと光導波路（石英系ガラス導波路）とをハイブリッド集積したものである。
【００７１】
具体的には、図１０に示すように第６実施例の波長安定化レーザは、１枚のＳｉ基板上に、半導体チップであるモニタＰＤ１３、モニタＰＤ１２及び半導体ＤＦＢレーザ１４と、分岐回路としての方向性結合器６及び波長分波回路としてのグレーティング６７とが、集積された構成となっており、しかも、グレーティング６７がシリコーン樹脂６２により温度無依存化されている。即ち、第６実施例の波長安定化レーザは、第３実施例におけるグレーティング３１に代えて温度無依存化されたグレーティング６７を設けた構成となっており、その他の構成については第３実施例の波長安定化レーザと同様である。
【００７２】
グレーティング６７はＳｉ基板上に作製された石英系ガラス導波路３２のコア中に形成された屈折率変調部である。本第６実施例では、半導体ＤＦＢレーザ１４の後方からの出射光を方向性結合器１６で分岐し、グレーティング６７を通過した光をモニタＰＤ１３でモニタし、グレーティング６７を通過していない光をモニタＰＤ１２でモニタする。
【００７３】
そして、グレーティング６７は、以下に説明する構成で温度無依存になっている。
【００７４】
図１１は、図１０に示すグレーティング形成部６１の断面図である。図１１において、６３は上部クラッド、６４はコア、６５は下部クラッド、６６はＳｉ基板、６７はコア６４中で屈折率が変調されている部分（グレーティング）である。コア６４を通って導波する光はクラッド６３，６５にもエネルギーの一部がしみだしている。よって、光はコア６４の屈折率とクラッド６３，６５の屈折率の両方の屈折率を感じるので、実効屈折率は両者の屈折率の中間の値になっている。従って、グレーティング６７上部の上部クラッド６３の一部または全部を除去した部分に温度係数調整材料として例えばシリコーン樹脂６２を挿入し、その温度係数が石英系ガラス導波路（特にコア）と逆符号になっていれば実効屈折率の温度係数を調整することができる。以上の構成で、グレーティング６７の反射中心波長の温度係数を、（従来０．０１ｎｍ／℃であったものを）０．００１／℃まで低減できた。
【００７５】
なお、温度無依存グレーティングの構成の詳しくは、Kokubun,et al.,"Temperature-independent narrowband optical filter at 1.3 um wavelength by an athermal waveguide",Election,Lett,vol.32,no.21,pp.1998-1999,1996 及びBosc,et al.,"Temperature and polarization insensitive Bragg gratings realised on silica waveguide on silicon",Electron.Lett.vol.33,no.2,pp.134-136,1997 及び米田他「石英系アサーマル光導波路の設計」電子通信情報学会春季大会予稿集C-3-2,p.187,1997に述べられている。
【００７６】
グレーティング６７の通過スペクトルは、実施例３に示したグレーティング３１と同様に、中心波長近傍で透過率が変化しているので、モニタＰＤ１３からの出力電流をモニタすることで半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長をモニタすることができる。モニタＰＤ１２では半導体ＤＦＢレーザ１４の出力に比例した光強度をモニタすることができるので、結局、モニタＰＤ１３とモニタＰＤ１２とにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の出力光の波長と強度とをモニタすることができる。
【００７７】
それでは、ここで実際の動作例について説明する（図１５参照）。半導体ＤＦＢレーザ１４を発振させ、この発振波長をモニタＰＤ１３により室温でモニタしたところ、同発振波長が所望（目標）の波長から０．３ｎｍ程度ずれていた。そこで基板（ＰＬＣチップ）１５の温度、即ち、半導体ＤＦＢレーザ１４の温度を３度程度変化させて半導体ＤＦＢレーザ１４の発振波長が目標の波長となるように制御し、また、モニタＰＤ１２で光出力をモニタしながら、目標の出力を得るために半導体ＤＦＢレーザ１４への注入電流を変化させた。
【００７８】
１００個程度の波長安定化レーザ（波長安定化光源）を、第６実施例の構成で作製したが、何れの波長安定化レーザも出力誤差±０．５ｄＢ、波長誤差±０．０１５ｎｍに収まった。波長誤差は、グレーティング６７の温度無依存化による効果により、第３実施例に比較して１桁小さくなっている。
【００７９】
なお、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光を分岐する手段としては、方向性結合器１６に限らず、光を分岐する機能のある光回路であればよく、例えば、Ｙ分岐回路や２×２ＭＭＩカプラであってもよい。
【００８０】
（第７実施例）
本発明の第７実施例に係る波長安定化レーザの上面図を図１２に示す。第７実施例の波長安定化レーザも、１枚の基板上にＬＤとＰＤの半導体チップと光導波路（石英系ガラス導波路）とをハイブリッド集積したものである。
【００８１】
具体的には、図１２に示すように第７実施例の波長安定化レーザは、上記第２実施例の波長安定化レーザと同様（図３参照）、１枚のＳｉ基板上に、半導体チップであるモニタＰＤ１３、モニタＰＤ１２及び半導体ＤＦＢレーザ１４と、分岐回路としての方向性結合器１６及び波長分波回路としてのＡＷＧ２１とが、ハイブリッド集積された構成となっている。
【００８２】
そして、第７実施例の波長安定化レーザでは、半導体ＤＦＢレーザ１４の近傍において、石英系ガラス導波路の上部クラッド及び下部クラッドを除去した部分（ＰＬＣチップ１５におけるクラッド層の一部を除去した部分）に吸光剤７１が挿入されている。
【００８３】
動作原理は第２実施例と同じであるが、本第７実施例では、クラッド除去部分に挿入した吸光剤７１により、半導体ＤＦＢレーザ１４からの迷光（ＰＬＣチップのクラッド層（上部クラッド及び下部クラッド）を伝搬する光）が、モニタＰＤ１２及びモニタＰＤ１３に入射するのを防いでいる。迷光がモニタＰＤ１２，１３に入射すると、モニタＰＤ１２及びモニタＰＤ１３が、実際に測定すべき光強度よりも多い光強度をモニタすることになり、その分、本波長安定化レーザの発振波長及び出力が目標値からずれてしまっていた。そこで、本第７実施例では上記のように吸光剤７１をクラッド除去部分に挿入する構成としている。
【００８４】
本第７実施例の構成で１００個程度の波長安定化レーザ（波長安定化光源）を作製したが、何れの波長安定化レーザも出力誤差±０．０５ｄＢ、波長誤差±０．０１０ｎｍに収まった。出力誤差及び波長誤差が、吸光剤７１の効果により、第２実施例に比べて小さくなっている。
【００８５】
なお、図１２においては、吸光剤４１が挿入されている部分は、石英系ガラス導波路１９を横切らないだけでなく、石英系ガラス導波路１８も横切らないように作製されている。即ち、コア部分は除去せず、クラッド部分のみを除去してここに吸光剤４１を挿入している。しかし、これに限定するものではなく、石英系ガラス導波路１８は吸光剤４１によって横切っていてもよい。この場合には上部クラッドとコア（石英系ガラス導波路１８のコア部分）と下部クラッドを除去した部分に吸光剤７１を挿入することになる。但し、図１２の場合には前述のように石英系ガラス導波路１８から広帯域光源の光を入力してＡＷＧ２１の透過中心波長を目標の波長に調整する必要があるため、かかる調整の後に吸光剤７１を挿入すればよい。
【００８６】
また、本第７実施例の構成（吸光剤７１を挿入する構成）を、第１実施例、第３実施例〜第６実施例の構成と組み合わせることで、吸光剤７１の効果により、第１実施例、第３実施例〜第６実施例と比較して、出力誤差はもちろん波長誤差がさらに少ない半導体ＤＦＢレーザ（波長安定化光源）を作製できることは言うまでもない。例として、本第７実施例の構成を第１実施例の構成と組み合わせた例を図１３に示し、本第７実施例の構成を第４実施例の構成と組み合わせて例を図１４に示す。
【００８７】
また、上記第１実施例〜第７実施例の半導体ＤＦＢレーザ１４にＥＡ（electron-absorption ：電界吸収）変調器集積型半導体ＤＦＢレーザを用いることができるのは言うまでもない。この場合、変調を集積されているＥＡ変調器で行えるので、半導体ＤＦＢレーザそのものを直接変調するよりもチャープの少ない変調光を実現できる。
【００８８】
また、上記第１実施例〜第７実施例では半導体ＤＦＢレーザの後方からの出射光を分岐してモニタする構成となっているが、これに限定するものではなく、半導体ＤＦＢレーザの前方からの出射光を分岐してモニタする構成としてもよい。
【００８９】
（第８実施例）
図１５には、上記の第１実施例〜第７実施例で説明した波長安定化レーザのチップを用いた波長安定化レーザモジュールを示している。
【００９０】
図１５に示すように、本波長安定化レーザモジュールは、筐体８１（説明の便宜上透視図としている）の中にペルチェ素子８２と、ペルチェ素子８２上に設置されてペルチェ素子８２に熱接触しているアルミ板で作製された均熱板８３と、均熱板８３に熱接触しているサーミスタ８４と、均熱板８３上に設置されて均熱板８３に熱接触している第１実施例〜第７実施例の何れかの波長安定化レーザチップ８５とを備えた構成となっている。この波長安定化レーザモジュールでは、ペルチェ素子８２の発熱又は吸熱によって半導体ＤＦＢレーザ１４の温度が制御される。このとき、均熱板８３では基板（ＰＬＣチップ）１５全体を均一の温度とし、サーミスタ８４では均熱板８３の温度を測定することにより、半導体ＤＦＢレーザ１４の温度を測定する。
【００９１】
波長安定化レーザチップ８５の前端面にはファイバブロック（ガラスブロック）８６によって光ファイバ８７が接続されており、光ファイバ８７の先端にはファイバコネクタ８８が設けられている。従って、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光は、光ファイバ８７及びファイバコネクタ８８を介して出力される。
【００９２】
また、筺体８１からはバタフライ型に複数の電気端子８９が外部へ延びている。そして、これらの電気端子８９と筺体８１内に設けられたプリント配線基板９０とを介して、ＰＬＣチップ１５上に搭載されたモニタＰＤ１２、モニタＰＤ１３及び半導体ＤＦＢレーザ１４や、ペルチェ素子８２及びサーミスタ８４が、筺体外部に設けられたＰＤ電圧モニタ９１、ＰＤ電圧モニタ９２、ＬＤドライバー９３、温度制御回路９４にそれぞれ接続されており、これらを総括しているＡＰＣ（Auto Power Control）制御回路９５で制御することによって、波長安定化レーザチップ８５（半導体ＤＦＢレーザ１４）の発振波長や出力を安定化させている。
【００９３】
従来の波長ロッカ付きレーザ（図１３）では、レーザモジュール内でのレーザ光は空間を伝搬しており、図１３に示したようにコリメートレンズなどが必要であった。また、空間を光が伝搬するためにエタロンやハーフミラー、二つのＰＤなどの位置合わせが非常に困難であった。これに対し、本波長安定化レーザモジュールでは、レーザ光が石英系ガラス導波路内を伝搬するため上記のような欠点が無く、コリメートレンズも必要ではなくなり、半導体ＤＦＢレーザ１４の出射光も直接光ファイバ８７へ導入することができるため、複雑なレンズ構成が不要である。従って、構成部品点数も少なくて済み、コスト削減や歩留まり向上の効果がある。
【００９４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の波長安定化レーザは、基板上に搭載した１個の半導体ＤＦＢ−ＬＤ、２個の第１半導体ＰＤ及び第２半導体ＰＤと、前記基板上に作製した石英系ガラス光導波路とをハイブリッド集積してなる波長安定化レーザであって、前記半導体ＤＦＢ−ＬＤの前方または後方からの出射光を、前記石英系ガラス光導波路から構成した分岐回路で前記第１半導体ＰＤ側と前記第２半導体ＰＤ側とに分岐し、前記第１半導体ＰＤ側に分岐された光は前記石英系ガラス光導波路から構成した波長分波回路を通過した後に前記第１半導体ＰＤに入射し、前記第２半導体ＰＤ側に分岐された光は前記波長分波回路を通過せずに直接前記第２半導体ＰＤに入射するように構成し、前記基板の温度を変化させて前記半導体ＤＦＢ−ＬＤの発振波長を制御する手段を備えたことを特徴としている。従って、本発明によれば、従来のバルク部品組み立て方式の波長安定化レーザと比較して、簡易な構成で部品点数が少なく、小型であり、機械的及び熱的安定性が高く、波長及び出力が安定で安価な波長安定化レーザを実現することができる。
【００９５】
また、本発明の波長安定化レーザによれば、石英系ガラス導波路と逆符号の屈折率温度係数を有する材料を挿入して、波長分波回路のＭＺ干渉計、ＡＷＧ又はグレーティングを温度無依存化することにより、波長誤差をさらに小さくすることができる。
【００９６】
また、本発明の波長安定化レーザによれば、吸光剤によって、半導体ＤＦＢ−ＬＤからの迷光が第１半導体ＰＤ及び第２半導体ＰＤに入射するのを防止することにより、出力誤差及び波長誤差をさらに小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る波長安定化レーザの構成を示す上面図である。
【図２】ＭＺ干渉計からの透過スペクトルを示す図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る波長安定化レーザの構成を示す上面図である。
【図４】ＡＷＧからモニタＰＤへ接続している出力ポートへの透過スペクトルを示す図である。
【図５】本発明の第３実施例に係る波長安定化レーザの構成を示す上面図である。
【図６】グレーティングの透過スペクトルを示す図である。
【図７】λ／４位相シフトグレーティングの透過スペクトルを示す図である。
【図８】本発明の第４実施例に係る波長安定化レーザの構成を示す上面図である。
【図９】本発明の第５実施例に係る波長安定化レーザの構成を示す上面図である。
【図１０】本発明の第６実施例に係る波長安定化レーザの構成を示す上面図である。
【図１１】温度無依存型グレーティングの構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第７実施例に係る波長安定化レーザの構成を示す上面図である。
【図１３】本発明の第７実施例に係る波長安定化レーザの他の構成を示す上面図である。
【図１４】本発明の第７実施例に係る波長安定化レーザの他の構成を示す上面図である。
【図１５】第１実施例〜第７実施例で示した波長安定化レーザのチップを用いた波長安定化レーザモジュールの構成を示す斜視図である。
【図１６】従来の波長安定化レーザ（波長安定化光源）の構成を示す上面図である。
【図１７】エタロンの透過スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
１０，１１ＭＺ干渉計を構成している石英系ガラス導波路
１２，１３モニタＰＤ
１４半導体ＤＦＢレーザ
１５ＰＬＣチップ
１６方向性結合器
１７ＭＺ干渉計
１８，１９方向性結合器を構成している石英系ガラス導波路
２１ＡＷＧ
２２，２３ＡＷＧを構成しているスラブ導波路
２４−１，２４−２・・・２４−ＭＡＷＧを構成しているアレイ導波路
２６−１，２６−２・・・２６−ＮＡＷＧの出力導波路
３１グレーティング（屈折率変調部）
３２グレーティングが形成された石英系ガラス導波路
４１温度無依存型ＭＺ干渉計
４２ポリマー（シリコーン樹脂）
５１温度無依存型ＡＷＧ
５２シリコーン樹脂
６１グレーティング形成部
６２シリコーン樹脂
６３上部クラッド
６４コア
６５下部クラッド
６６Ｓｉ基板
６７温度無依存型グレーティング（屈折率変調部）
７１吸光剤
８１筺体
８２ペルチェ素子
８３均熱板
８４サーミスタ
８５半導体ＤＦＢレーザチップ
８６ファイバブロック
８７光ファイバ
８８ファイバコネクタ
８９電気端子
９０プリント配線基板
９１，９２ＰＤ電圧モニタ
９３ＬＤドライバ
９４温度制御回路
９５ＡＰＣ制御回路[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wavelength stabilized laser whose oscillation wavelength and output are stabilized, and is useful when applied to a wavelength stabilized light source for optical communication.
[0002]
[Prior art]
With the explosive spread of the Internet, there is an urgent need to increase the capacity of communication networks and reduce communication costs. For this reason, communication systems are currently shifting to an optical high-density wavelength division multiplexing (DWDM) system that multiplexes different wavelengths in one optical fiber and increases the transmission capacity per optical fiber. A light source used for optical communication is required to be a low-cost device with stable oscillation wavelength and output. For this reason, a wavelength-stabilized light source using a semiconductor DFB-LD (Distributed Feedback Laser Diode) is currently used as a light source for optical communication.
[0003]
The grid of each wavelength of DWDM is determined at intervals of 100 GHz (0.8 nm), 50 GHz (0.4 nm), 25 GHz (0.2 nm), etc., centering on the anchor frequency 193.1 THz (1552.24 nm). . Since the wavelength control accuracy required for the light source used for optical communication is 1/10 of the wavelength interval, it is 0.08 nm, 0.04 nm, and 0.02 nm, respectively.
[0004]
On the other hand, since the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser (semiconductor DFB-LD) is shifted by about ± 1 nm from the target wavelength at the time of production, the oscillation wavelength is monitored and temperature control (0.1 nm / ° C.) The oscillation wavelength is controlled to a DWDM wavelength grid. At this time, it is necessary to make the optical output of the semiconductor DFB laser constant, but this is done by controlling the injection current to the semiconductor DFB laser.
[0005]
A module in which the above-mentioned parts are integrated is a wavelength-stabilized light source equipped with a wavelength locker, which has been commercialized by each company. Examples of such a DFB laser with a wavelength locker include the following Non-Patent Document 1. This wavelength stabilized light source is used for DWDM transmission with its oscillation wavelength controlled with high accuracy.
[0006]
[Non-Patent Document 1]
Yokoyama et al. "DFB-LD module with built-in wavelength locker", 2000 IEICE Electronics Society C-3-106, pp. 232
[0007]
FIG. 16 shows a top view of a wavelength-stabilized light source equipped with a wavelength locker manufactured using a conventional technique. As shown in the figure, the light emitted from the front end face of the semiconductor DFB laser 4 is output via a collimator lens 6. On the other hand, the light emitted from the rear end face of the semiconductor DFB laser 4 passes through the collimating lens 7 and then is branched into reflected light and transmitted light by the half mirror 5. The reflected light is incident on a monitor PD (Photo-Diode: photodiode) 2 to monitor the output of the semiconductor DFB laser 4 with the monitor PD 2, and the transmitted light is etalon (Fabry-Perot interferometer) 1. Is allowed to enter the monitor PD3, and the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 4 is monitored by the monitor PD3.
[0008]
In the monitor PD2, a photocurrent proportional to the incident light intensity flows, and the intensity of incident light can be monitored. Therefore, the output power of the semiconductor DFB laser 4 can be controlled by monitoring the output of the semiconductor DFB laser 4 from the output of the monitor PD2 and feeding it back to the injection current of the semiconductor DFB laser 4. The light passing through the etalon 1 periodically intensifies against changes in wavelength as shown in FIG. 17, and therefore wavelength monitoring is possible by using an appropriate light output as a monitoring point. If the output of the monitor PD3 is fed back to the temperature of the semiconductor DFB laser 4, the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 4 can be controlled. The temperature of the semiconductor DFB laser 4 is controlled by a Peltier element provided at the lower part of the semiconductor DFB laser 4.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, the wavelength-stabilized light source equipped with the wavelength locker manufactured by using the conventional technique is not integrated and is an assembly method of bulk parts, so that the mechanical and thermal stability is insufficient. In particular, in the wavelength-stabilized light source shown in FIG. 16, when used in a place where the environmental temperature changes, the etalon 1 is also temperature-dependent, and the wavelength transmission characteristic of the etalon 1 changes due to the temperature change. The thermal stability was insufficient.
[0010]
In order to solve this, it is necessary to stabilize the temperature of the etalon 1, and for that purpose, it is necessary to stabilize the temperature by using a Peltier element different from the Peltier element for the semiconductor DFB laser. This is because the Peltier device for the semiconductor DFB laser may stabilize the temperature at a place deviated by about ± 10 degrees from the room temperature in order to control the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 4. This is because when the temperature adjustment of 1 is performed, the wavelength transmission characteristic of the etalon 1 (which adjusted the wavelength transmission characteristic at room temperature) is changed. Further, since the conventional wavelength stabilized light source is an assembly method of bulk parts, the number of parts increases and the cost increases. Therefore, there has been a demand for a wavelength-stabilized light source (wavelength-stabilized laser) that is integrated, has a stable oscillation wavelength and output, and is low in cost (small number of components).
[0011]
Accordingly, the present invention has been made to solve such problems, and an object thereof is to provide a wavelength-stabilized laser that is small, stable, and low in cost.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The wavelength-stabilized laser according to the first aspect of the present invention that achieves the above object is fabricated on the substrate, one semiconductor DFB-LD mounted on the substrate, two first semiconductor PDs and second semiconductor PDs. Quartz glass A wavelength-stabilized laser obtained by hybrid integration with an optical waveguide, wherein emitted light from the front or rear of the semiconductor DFB-LD Quartz glass A branch circuit composed of an optical waveguide branches to the first semiconductor PD side and the second semiconductor PD side, and the light branched to the first semiconductor PD side Quartz glass Light that has entered the first semiconductor PD after passing through a wavelength demultiplexing circuit composed of an optical waveguide and branched to the second semiconductor PD side directly does not pass through the wavelength demultiplexing circuit, but is directly in the second semiconductor PD. Configured to be incident on And means for controlling the oscillation wavelength of the semiconductor DFB-LD by changing the temperature of the substrate. It is characterized by that.
[0014]
The second 2 The wavelength-stabilized laser of the invention is the first 1 In the wavelength stabilized laser of the invention, the wavelength demultiplexing circuit is an MZ interferometer.
[0015]
The second 3 The wavelength-stabilized laser of the invention is the first 1 In the wavelength stabilized laser of the invention, the wavelength demultiplexing circuit is an AWG.
[0016]
The second 4 The wavelength-stabilized laser of the invention is the first 1 In the wavelength-stabilized laser of the invention, the wavelength demultiplexing circuit is formed by forming a grating in a core of the silica-based glass waveguide.
[0017]
The second 5 The wavelength-stabilized laser of the invention is the first 2 In the wavelength-stabilized laser according to the invention, a material having a refractive index temperature coefficient opposite to that of the silica glass waveguide is removed from a part of the silica glass waveguide constituting the MZ interferometer, and the upper clad and the core are removed. The MZ interferometer is made temperature-independent by inserting it into the part where the upper clad, core and lower clad are removed.
[0018]
The second 6 The wavelength-stabilized laser of the invention is the first 3 In the wavelength-stabilized laser of the invention, a part of the silica-based glass waveguide constituting the AWG, a material having a refractive index temperature coefficient opposite in sign to that of the silica-based glass waveguide, with the upper clad and core removed Alternatively, the AWG is made temperature-independent by inserting it in a portion where the upper cladding, the core, and the lower cladding are removed.
[0019]
The second 7 The wavelength-stabilized laser of the invention is the first 4 In the wavelength-stabilized laser of the invention, the grating is heated to a temperature by inserting a material having a refractive index temperature coefficient opposite to that of the silica-based glass waveguide into a portion where the upper clad on the upper portion of the grating is partially or entirely removed. It is characterized by having become independent.
[0020]
The second 8 The wavelength-stabilized laser of the invention is the first 1 In the wavelength-stabilized laser of the invention, a light absorber is inserted into a portion where the upper clad and the lower clad constituting the silica-based glass waveguide are removed or a portion where the upper clad, the core and the lower clad are removed. A feature is that a stray light from the semiconductor DFB-LD is prevented from entering the first semiconductor PD and the second semiconductor PD by an agent.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0022]
(First embodiment)
FIG. 1 shows a top view of the wavelength stabilized laser according to the first embodiment of the present invention. The wavelength stabilization laser of the first embodiment is obtained by hybridly integrating an LD and PD semiconductor chip and an optical waveguide (quartz glass waveguide) on a single substrate.
[0023]
Specifically, as shown in FIG. 1, the wavelength-stabilized laser according to the first embodiment has a monitor PD13 (first semiconductor PD) and a monitor PD12 (second semiconductor PD) which are semiconductor chips on a single Si substrate. ) And a semiconductor DFB laser 14 (semiconductor DFB-LD), a directional coupler 16 as a branch circuit, and an MZ (Mach-Zehnder) interferometer 17 as a wavelength demultiplexing circuit are hybrid-integrated. It has a configuration.
[0024]
The directional coupler 16 is composed of silica-based glass waveguides 18 and 19 fabricated on a Si substrate, and the MZ interferometer 17 is composed of silica-based glass waveguides 10 and 11 fabricated on a Si substrate. . That is, the wavelength-stabilized laser of the first embodiment has a single substrate (PLC (Planar) on which quartz glass waveguides 10, 11, 18, and 19 constituting the directional coupler 16 and the MZ interferometer 17 are fabricated. One semiconductor DFB laser 14 and two monitor PDs 12 and 13 are mounted on a lightguide circuit (chip) 15 and integrated in a hybrid manner.
[0025]
When the relative refractive index difference of the silica-based glass waveguide is 0.75% or less, the semiconductor DFB laser 14 increases the coupling ratio of light with the silica-based glass waveguide. A spot size conversion DFB-LD in which spot size conversion units for enlargement are integrated is desirable. Further, when the relative refractive index is higher than that, a DFB-LD in which the spot size converter is not integrated can be used as the semiconductor DFB laser 14.
[0026]
In the wavelength stabilization laser of the first embodiment, output light is emitted from the front of the semiconductor DFB laser 14. Then, the emitted light from behind the semiconductor DFB laser 14 is branched by the directional coupler 16 into the monitor PD 13 side and the monitor PD 12 side. The light branched to the monitor PD 13 side enters the monitor PD 13 after passing through the MZ interferometer 17 and is monitored by the monitor PD 13. On the other hand, the light branched to the monitor PD 12 side directly enters the monitor PD 12 without passing through the MZ interferometer 17 and is monitored by the monitor PD 12.
[0027]
As shown in FIG. 2, the MZ interferometer 17 changes its light transmission intensity with a period of FSR (free spectral range) according to the change of the wavelength of light. Therefore, the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 can be monitored by monitoring the intensity of light that has passed through the MZ interferometer 17 with the monitor PD 13. Here, if the FSR of the MZ interferometer 17 is 400 GHz (3.2 nm), the target is within the same period as the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 (when the semiconductor DFB laser 14 is oscillated as it is without control). Therefore, the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 can be tuned to an appropriate wavelength by monitoring the output value of the monitor PD 13 (uniquely).
[0028]
Since the monitor PD 12 can monitor the light intensity proportional to the output of the semiconductor DFB laser 14, the monitor PD 13 and the monitor PD 12 can eventually monitor the wavelength and intensity of the output light of the semiconductor DFB laser 14. .
[0029]
Now, an actual operation example will be described here (see FIG. 15). When the semiconductor DFB laser 14 was oscillated and the oscillation wavelength was monitored by the monitor PD 13 at room temperature, the oscillation wavelength was shifted from the desired (target) wavelength by about 0.8 nm. Therefore, the temperature of the substrate (PLC chip) 15, that is, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is changed by about 8 degrees using a Peltier element so that the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 becomes a target wavelength. While monitoring the optical output with the monitor PD12, the injection current to the semiconductor DFB laser 14 was changed to obtain the target output.
[0030]
About 100 wavelength-stabilized lasers (wavelength-stabilized light sources) were produced with the configuration of the first embodiment, but all the wavelength-stabilized lasers were within an output error of ± 0.5 dB and a wavelength error of ± 0.15 nm. .
[0031]
The wavelength stabilization laser of the first embodiment includes one semiconductor DFB laser 14 and two monitors PD12 and 13 mounted on a Si substrate, and a silica-based glass waveguide (direction) formed on the Si substrate. Since the optic coupler 16 and the MZ interferometer 10) have a hybrid integrated configuration, compared with a conventional wavelength stabilized laser of a bulk component assembly method, the number of components is small and the size is small. High mechanical and thermal stability, stable wavelength and output, and low cost production.
[0032]
The means for branching the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is not limited to the directional coupler 16, and any optical circuit having a function of branching light may be used. For example, a Y branch circuit or a 2 × 2 MMI coupler may be used. There may be.
[0033]
(Second embodiment)
FIG. 3 shows a top view of the wavelength stabilized laser according to the second embodiment of the present invention. The wavelength-stabilized laser of the second embodiment is also a hybrid integrated LD and PD semiconductor chip and optical waveguide (quartz glass waveguide) on a single substrate.
[0034]
Specifically, as shown in FIG. 3, the wavelength stabilization laser according to the second embodiment includes a monitor PD13, a monitor PD12, and a semiconductor DFB laser 14, which are semiconductor chips, on a single Si substrate, and a branch circuit. The directional coupler 16 and an arrayed waveguide grating (AWG (Array-Waveguide-Grating)) 21 as a wavelength demultiplexing circuit are hybrid-integrated. That is, the wavelength stabilization laser of the second embodiment has a configuration in which an AWG 21 is provided instead of the MZ interferometer 17 (see FIG. 1) of the first embodiment, and other configurations are the same as those of the first embodiment. It is the same as the wavelength stabilization laser.
[0035]
The AWG 21 is configured as shown in the figure by a plurality of quartz glass waveguides fabricated on a Si substrate. Specifically, the AWG 21 has one input and N outputs (1 × N), and is provided between one input waveguide 25, slab waveguides 22 and 23, and these slab waveguides 22 and 23. .., 24-M and N output waveguides 26-1, 26-2,..., 26-N.
[0036]
In the wavelength stabilization laser of the second embodiment, the emitted light from the rear of the semiconductor DFB laser 14 is branched by the directional coupler 16 into the monitor PD 13 side and the monitor PD 12 side. Then, the light branched to the monitor PD 13 side enters the monitor PD 13 after passing through the AWG 21 and is monitored by the monitor PD 13. That is, of the light that has passed through the AWG 21 with 1 input and N outputs (1 × N), the light at an appropriate output port (output waveguide 26-1 in the illustrated example) is monitored by the monitor PD 13. The light branched to the monitor PD 12 side enters the monitor PD 12 directly without passing through the AWG 21 and is monitored by the monitor PD 12.
[0037]
FIG. 4 shows the wavelength dependence (transmission spectrum) of the transmittance from the AWG 21 of the light incident on the monitor PD 13. Here, the FSR of the AWG 21 is designed to be one digit or more wider than the wavelength error ± 1 nm of the semiconductor DFB laser 14, and the range of the horizontal axis is sufficiently smaller than the FSR of the AWG. The vertical axis is a linear scale. As shown in FIG. 4, the transmittance is high near the center wavelength λc, and the transmittance is highest at the center wavelength λc. Since the current due to light reception by the monitor PD 13 depends on the light intensity, the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 can be monitored by monitoring the current of the monitor PD 13 for light having a wavelength near the center wavelength λc. Therefore, for example, when the center wavelength λc is controlled to the target wavelength, the oscillation value of the semiconductor DFB laser 14 can be tuned to an appropriate (target) wavelength by monitoring the output value of the monitor PD 13 (uniquely). become able to.
[0038]
As a method for controlling the transmission center wavelength from the AWG to each port, for example, there is a method using ultraviolet irradiation. This method is described in Abe et al., 2000 Annual Conference of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, C-3-75, “Controlling the central wavelength of temperature-independent silica-based AWG by laser light irradiation” and the like. As shown in FIG. 3, the transmission center wavelength of the output light from the monitor waveguide (in the illustrated example, the output waveguide 26-N) can be monitored by inputting the light of the broadband light source from the waveguide 18, and from this monitor waveguide From the transmission center wavelength of the output light, the transmission center wavelength of the output light from the port (output waveguide 26-1 in the illustrated example) input to the monitor PD 13 can be calculated. Accordingly, since the transmission center wavelength of the AWG 21 can be monitored while irradiating the AWG 21 with UV light (ultraviolet light), the transmission center wavelength of the AWG 21 can be controlled to a target wavelength.
[0039]
Since the monitor PD 12 can monitor the light intensity proportional to the output of the semiconductor DFB laser 14, the monitor PD 13 and the monitor PD 12 can eventually monitor the wavelength and intensity of the output light of the semiconductor DFB laser 14. .
[0040]
Now, an actual operation example will be described here (see FIG. 15). When the semiconductor DFB laser 14 was oscillated and this oscillation wavelength was monitored by the monitor PD 13 at room temperature, the oscillation wavelength was shifted from the desired (target) wavelength by about 0.5 nm. Therefore, the temperature of the substrate (PLC chip) 15, that is, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is changed by about 5 degrees to control the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 to a target wavelength, and the monitor PD 12 outputs the light. In order to obtain the target output, the injection current to the semiconductor DFB laser 14 was changed.
[0041]
About 100 wavelength-stabilized lasers (wavelength-stabilized light sources) were produced with the configuration of the second embodiment. However, all the wavelength-stabilized lasers had an output error of ± 0.5 dB and a wavelength error of ± 0.15 nm. It was.
[0042]
The wavelength stabilization laser of the second embodiment includes one semiconductor DFB laser 14 and two monitors PD 12 and 13 mounted on a Si substrate, and a silica-based glass waveguide (direction) formed on the Si substrate. Since the coupler 16 and the AWG 21) have a hybrid integrated configuration, compared with the conventional wavelength stabilized laser of the bulk component assembly method, the number of components is small, the size is small, the mechanical and High thermal stability, stable wavelength and output, and low cost production.
[0043]
The means for branching the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is not limited to the directional coupler 16, and any optical circuit having a function of branching light may be used. For example, a Y branch circuit or a 2 × 2 MMI coupler may be used. There may be.
[0044]
(Embodiment 3)
FIG. 5 shows a top view of a wavelength stabilized laser according to the third embodiment of the present invention. The wavelength-stabilized laser of the third embodiment is also a hybrid integrated LD and PD semiconductor chip and optical waveguide (quartz glass waveguide) on a single substrate.
[0045]
Specifically, as shown in FIG. 5, the wavelength stabilization laser of the third embodiment includes a monitor PD13, a monitor PD12, and a semiconductor DFB laser 14, which are semiconductor chips, on a single Si substrate, and a branch circuit. The directional coupler 6 and the grating 31 as a wavelength demultiplexing circuit are hybrid-integrated. That is, the wavelength stabilized laser of the third embodiment has a configuration in which a grating 31 is provided instead of the MZ interferometer 17 (see FIG. 1) of the first embodiment, and the other configurations are the first embodiment. This is the same as the wavelength stabilized laser. The grating 31 is a refractive index modulation section formed in the core of a silica glass waveguide 32 fabricated on a Si substrate (see FIG. 11).
[0046]
In the wavelength stabilized laser of the third embodiment, the emitted light from the rear of the semiconductor DFB laser 14 is branched by the directional coupler 16 into the monitor PD 13 side and the monitor PD 12 side. The light branched to the monitor PD 13 side enters the monitor PD 13 after passing through the grating 31 and is monitored by the monitor PD 13. The light branched to the monitor PD 12 side directly enters the monitor PD 12 without passing through the grating 31 and is monitored by the monitor PD 12.
[0047]
The pass spectrum of the grating 31 is expressed as shown in FIG. The transmittance decreases at a wavelength close to the center wavelength λc, and the transmittance decreases at the center wavelength λc. When the grating 31 is a λ / 4 phase shift grating (J. Canning, et al, Electron. Lett., Vol30, No.16, pp1344-1345), the transmission spectrum of the grating 31 is as shown in FIG. The transmittance at the wavelength λc is maximized.
[0048]
Since the transmittance changes with respect to the center wavelength λc in this way, the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 can be monitored by monitoring the output current from the monitor FD13. Since the monitor PD 12 can monitor the light intensity proportional to the output of the semiconductor DFB laser 14, the monitor PD 13 and the monitor PD 12 can eventually monitor the wavelength and intensity of the output light of the semiconductor DFB laser 14. .
[0049]
Now, an actual operation example will be described here (see FIG. 15). When the semiconductor DFB laser 14 was oscillated and this oscillation wavelength was monitored by the monitor PD 13 at room temperature, the oscillation wavelength was shifted from the desired (target) wavelength by about 0.3 nm. Therefore, the temperature of the substrate (PLC chip) 15, that is, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is changed by about 3 degrees so that the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 becomes the target wavelength, and the monitor PD 12 While monitoring the output, the injection current was varied to obtain the target output.
[0050]
About 100 wavelength-stabilized lasers (wavelength-stabilized light sources) were produced with the configuration of the third embodiment. All wavelength-stabilized lasers had an output error of ± 0.5 dB and a wavelength error of ± 0.15 nm. It was.
[0051]
The wavelength stabilization laser of the third embodiment includes one semiconductor DFB laser 14 and two monitors PD12 and 13 mounted on a Si substrate, and a silica-based glass waveguide (direction) formed on the Si substrate. Since the coupler 16 and the grating 31) have a hybrid integrated configuration, compared with a conventional wavelength stabilization laser of a bulk component assembly method, the configuration is simple, the number of components is small, and the size is small. In addition, the thermal stability is high, the wavelength and output are stable, and it can be produced at low cost.
[0052]
The means for branching the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is not limited to the directional coupler 16, and any optical circuit having a function of branching light may be used. For example, a Y branch circuit or a 2 × 2 MMI coupler may be used. There may be.
[0053]
(Fourth embodiment)
FIG. 8 shows a top view of a wavelength stabilized laser according to the fourth embodiment of the present invention. The wavelength-stabilized laser of the fourth embodiment is also a hybrid integration of LD and PD semiconductor chips and an optical waveguide (quartz glass waveguide) on a single substrate.
[0054]
Specifically, as shown in FIG. 8, the wavelength stabilization laser of the fourth embodiment includes a monitor PD13, a monitor PD12, and a semiconductor DFB laser 14, which are semiconductor chips, on a single Si substrate, and a branch circuit. The directional coupler 6 and the MZ interferometer 41 as the wavelength demultiplexing circuit are hybrid-integrated, and the MZ interferometer 41 is temperature independent. That is, the wavelength stabilized laser of the fourth embodiment is a temperature-independent MZ interferometer instead of the MZ interferometer 17 (see FIG. 1) made of the normal silica glass waveguide in the first embodiment. The other components are the same as those of the wavelength stabilized laser of the first embodiment. In the fourth embodiment, the light emitted from the rear of the semiconductor DFB laser 14 is branched by the directional coupler 16, the light that has passed through the MZ interferometer 41 is monitored by the monitor PD 13, and passes through the MZ interferometer 41. No light is monitored by the monitor PD12.
[0055]
The MZ interferometer 41 is made temperature-independent by inserting the polymer 42 into the divided groove (s). More specifically, the MZ interferometer 41 is composed of silica-based glass waveguides 10 and 11 manufactured on a Si substrate, and the polymer 42 is part of the silica-based glass waveguide 10 constituting the MZ interferometer 41. The upper clad and the core are removed (groove) or the upper clad, the core and the lower clad are removed (groove). The polymer 42 may be a material having a reverse sign to the temperature coefficient of the refractive index of the silica glass waveguide, that is, a material having a negative temperature coefficient.
[0056]
For example, a silicone resin can be used as the polymer 42. By inserting a silicone resin in a region having an appropriate length, the optical path length difference between the quartz glass waveguides 10 and 11 of the MZ interferometer 41 can be prevented from changing with temperature. That is, the temperature dependence (transmission spectrum) of the MZ interferometer 41 can be eliminated. The temperature coefficient of the MZ interferometer manufactured with a normal silica-based glass waveguide was 0.01 nm / ° C. However, the temperature coefficient of the MZ interferometer is reduced to 0.001 nm / ° C. or less by inserting a silicone resin. be able to. The temperature independence technique is described in detail in Inoue et al., “Optical Waveguide Circuit” Japanese Patent Application No. 9-30251. Here, the polymer 42 may be inserted not only in the silica-based glass waveguide 10 but also in a part of the silica-based glass waveguide 11.
[0057]
Even in the wavelength stabilized laser of the fourth embodiment, the monitor PD 13 can monitor the light intensity corresponding to the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 as in the first embodiment, and the monitor PD 12 can monitor the light proportional to the output of the semiconductor DFB laser 14. Since the intensity can be monitored, the wavelength and intensity of the output light of the semiconductor DFB laser 14 can be monitored by the monitor PD 13 and the monitor PD 12 after all.
[0058]
The actual operation will now be described (see FIG. 15). When the semiconductor DFB laser 14 was oscillated and the oscillation wavelength was monitored by the monitor PD 13 at room temperature, the oscillation wavelength was shifted from the desired (target) wavelength by about 0.8 nm. Therefore, the temperature of the substrate (PLC chip) 15, that is, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is changed by about 8 degrees using a Peltier element so that the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 becomes a target wavelength. While monitoring the optical output with the monitor PD12, the injection current to the semiconductor DFB laser 14 was changed to obtain the target output.
[0059]
About 100 wavelength-stabilized lasers (wavelength-stabilized light sources) were produced with the configuration of the fourth embodiment, but all the wavelength-stabilized lasers were within an output error of ± 0.5 dB and a wavelength error of ± 0.015 nm. . The wavelength error is one digit smaller than that in the first embodiment. This is because even if the temperature of the substrate is changed in order to change the oscillation wavelength of the wavelength stabilizing laser 14, the transmission spectrum of the MZ interferometer 41 does not change. This is a result of using the polymer 42 to make the transmission spectrum of the MZ interferometer 12 temperature independent.
[0060]
The means for branching the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is not limited to the directional coupler 16, and any optical circuit having a function of branching light may be used. For example, a Y branch circuit or a 2 × 2 MMI coupler may be used. There may be.
[0061]
(5th Example)
FIG. 9 shows a top view of the wavelength stabilized laser according to the fifth embodiment of the present invention. The wavelength-stabilized laser of the fifth embodiment is also a hybrid integrated LD and PD semiconductor chip and optical waveguide (quartz glass waveguide) on a single substrate.
[0062]
Specifically, as shown in FIG. 9, the wavelength stabilization laser of the fifth embodiment has a monitor PD13, a monitor PD12, and a semiconductor DFB laser 14 as semiconductor chips on one Si substrate, and a branch circuit. The directional coupler 16 and the AWG 51 as the wavelength demultiplexing circuit are hybrid-integrated, and the AWG 51 is temperature independent. That is, the wavelength stabilized laser of the fifth embodiment has a configuration in which an AWG 51 that is temperature-independent is provided in place of the AWG 21 in the second embodiment, and the other configurations are the wavelength stabilized laser of the second embodiment. This is the same as the laser. In the fifth embodiment, the emitted light from behind the semiconductor DFB laser 14 is branched by the directional coupler 16, the light that has passed through the AWG 51 is monitored by the monitor PD 13, and the light that has not passed through the AWG 51 is monitored by the monitor PD 12. Monitor.
[0063]
The AWG 51 is provided between a plurality of quartz-based glass waveguides fabricated on a Si substrate, that is, one input waveguide 25, slab waveguides 22 and 23, and these slab waveguides 22 and 23. 1-input N-output (1 × N) composed of M arrayed waveguides 24-1, 24-2... 24-M and N output waveguides 26-1, 26-2. belongs to. Then, in a part of the M arrayed waveguides 24-1, 24-2... 24-M constituting the AWG 51, the upper clad and the core are removed or the upper clad, the core and the lower clad are removed. By inserting the silicone resin 52 into the portion, the transmission spectrum of the AWG 51 is made temperature-independent.
[0064]
Also in this case, similarly to the fourth embodiment, the temperature coefficient of the silica-based glass waveguide can be canceled by inserting a silicone resin 52 opposite to the temperature coefficient of the silica-based glass waveguide into a region having an appropriate length. . The AWG 51 demultiplexes the wavelength by multi-speed interference from the arm waveguides (array waveguides 24-1, 24-2,..., 24-M) (different in length). If the silicone resin 52 is inserted so that the difference in temperature does not depend on the temperature, the transmission center wavelength of the AWG 51 can be made temperature-independent.
[0065]
The temperature independence technique is described in detail in Inoue et al., “Optical Waveguide Circuit” Japanese Patent Application No. 9-30251. By making this temperature independence, the temperature coefficient of the center wavelength can be reduced to 0.001 nm / ° C. (what was conventionally 0.01 nm / ° C.). Further, as a method for controlling the transmission center wavelength from the AWG 51 to each port, there is a method using ultraviolet irradiation as described in the second embodiment.
[0066]
As described in the second embodiment, since the light transmitted through the AWG 51 and input to the monitor PD 13 has wavelength dependency, the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 is monitored by monitoring the light intensity with the monitor PD 13. be able to. Since the monitor PD 12 can monitor the light intensity proportional to the output of the semiconductor DFB laser 14, the monitor PD 13 and the monitor PD 12 can eventually monitor the wavelength and intensity of the output light of the semiconductor DFB laser 14. .
[0067]
Now, an actual operation example will be described here (see FIG. 15). When the semiconductor DFB laser 14 was oscillated and this oscillation wavelength was monitored by the monitor PD 13 at room temperature, the oscillation wavelength was shifted from the desired (target) wavelength by about 0.5 nm. Therefore, the temperature of the substrate (PLC chip) 15, that is, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is changed by about 5 degrees to control the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 to a target wavelength, and the monitor PD 12 outputs the light. In order to obtain the target output, the injection current to the semiconductor DFB laser 14 was changed.
[0068]
About 100 wavelength-stabilized lasers (wavelength-stabilized light sources) were produced with the configuration of the fifth embodiment, but all the wavelength-stabilized lasers were within an output error of ± 0.5 dB and a wavelength error of ± 0.015 nm. . The wavelength error is an order of magnitude smaller than that of the second embodiment due to the effect of making the AWG 51 temperature independent.
[0069]
The means for branching the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is not limited to the directional coupler 16, and any optical circuit having a function of branching light may be used. For example, a Y branch circuit or a 2 × 2 MMI coupler may be used. There may be.
[0070]
(Sixth embodiment)
FIG. 10 shows a top view of a wavelength stabilized laser according to the sixth embodiment of the present invention. The wavelength-stabilized laser of the sixth embodiment is also a hybrid integrated LD and PD semiconductor chip and optical waveguide (quartz glass waveguide) on a single substrate.
[0071]
Specifically, as shown in FIG. 10, the wavelength stabilization laser according to the sixth embodiment includes a monitor PD13, a monitor PD12, and a semiconductor DFB laser 14, which are semiconductor chips, on a single Si substrate, and a branch circuit. The directional coupler 6 and a grating 67 as a wavelength demultiplexing circuit are integrated, and the grating 67 is made temperature independent by the silicone resin 62. That is, the wavelength stabilization laser of the sixth embodiment has a configuration in which a grating 67 that is temperature-independent is provided instead of the grating 31 in the third embodiment, and other configurations are the same as those of the third embodiment. It is the same as the wavelength stabilization laser.
[0072]
The grating 67 is a refractive index modulation part formed in the core of the silica-based glass waveguide 32 manufactured on the Si substrate. In the sixth embodiment, the emitted light from behind the semiconductor DFB laser 14 is branched by the directional coupler 16, the light passing through the grating 67 is monitored by the monitor PD 13, and the light not passing through the grating 67 is monitored. Monitor with PD12.
[0073]
The grating 67 is independent of temperature in the configuration described below.
[0074]
FIG. 11 is a cross-sectional view of the grating forming portion 61 shown in FIG. In FIG. 11, 63 is an upper clad, 64 is a core, 65 is a lower clad, 66 is a Si substrate, and 67 is a portion (grating) in which the refractive index is modulated in the core 64. A part of the energy of the light guided through the core 64 oozes out into the clads 63 and 65. Therefore, since light senses both the refractive index of the core 64 and the refractive indexes of the clads 63 and 65, the effective refractive index is an intermediate value between the refractive indexes of the two. Therefore, for example, a silicone resin 62 is inserted as a temperature coefficient adjusting material into a portion where the upper clad 63 on the grating 67 is partially or entirely removed, and the temperature coefficient is opposite to that of the quartz glass waveguide (particularly the core). If so, the temperature coefficient of the effective refractive index can be adjusted. With the above configuration, the temperature coefficient of the reflection center wavelength of the grating 67 can be reduced to 0.001 / ° C. (what was conventionally 0.01 nm / ° C.).
[0075]
For details of the temperature-independent grating configuration, see Kokubun, et al., “Temperature-independent narrowband optical filter at 1.3 um wavelength by an athermal waveguide”, Election, Lett, vol. 32, no. 21, pp. 1998. -1999,1996 and Bosc, et al., "Temperature and polarization insensitive Bragg gratings realised on silica waveguide on silicon", Electron.Lett.vol.33, no.2, pp.134-136,1997 and Yoneda et al. Design of athermal optical waveguide system ", Proceedings of the IEICE Spring Conference C-3-2, p.187, 1997.
[0076]
In the pass spectrum of the grating 67, the transmittance changes in the vicinity of the center wavelength as in the case of the grating 31 shown in the third embodiment. Therefore, the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 is monitored by monitoring the output current from the monitor PD13. Can be monitored. Since the monitor PD 12 can monitor the light intensity proportional to the output of the semiconductor DFB laser 14, the monitor PD 13 and the monitor PD 12 can eventually monitor the wavelength and intensity of the output light of the semiconductor DFB laser 14. .
[0077]
Now, an actual operation example will be described here (see FIG. 15). When the semiconductor DFB laser 14 was oscillated and this oscillation wavelength was monitored by the monitor PD 13 at room temperature, the oscillation wavelength was shifted from the desired (target) wavelength by about 0.3 nm. Therefore, the temperature of the substrate (PLC chip) 15, that is, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is changed by about 3 degrees to control the oscillation wavelength of the semiconductor DFB laser 14 to a target wavelength, and the monitor PD 12 outputs light. In order to obtain the target output, the injection current to the semiconductor DFB laser 14 was changed.
[0078]
About 100 wavelength-stabilized lasers (wavelength-stabilized light sources) were produced with the configuration of the sixth embodiment, but all the wavelength-stabilized lasers were within an output error of ± 0.5 dB and a wavelength error of ± 0.015 nm. . The wavelength error is one digit smaller than that of the third embodiment due to the effect of making the grating 67 temperature independent.
[0079]
The means for branching the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is not limited to the directional coupler 16, and any optical circuit having a function of branching light may be used. For example, a Y branch circuit or a 2 × 2 MMI coupler may be used. There may be.
[0080]
(Seventh embodiment)
FIG. 12 shows a top view of the wavelength stabilized laser according to the seventh embodiment of the present invention. The wavelength stabilized laser of the seventh embodiment is also a hybrid integrated LD and PD semiconductor chip and optical waveguide (quartz glass waveguide) on a single substrate.
[0081]
Specifically, as shown in FIG. 12, the wavelength-stabilized laser of the seventh embodiment is the same as the wavelength-stabilized laser of the second embodiment (see FIG. 3), and a semiconductor chip is formed on one Si substrate. The monitor PD 13, the monitor PD 12, and the semiconductor DFB laser 14, the directional coupler 16 as a branch circuit, and the AWG 21 as a wavelength demultiplexing circuit are hybridly integrated.
[0082]
In the wavelength stabilization laser of the seventh embodiment, in the vicinity of the semiconductor DFB laser 14, a portion where the upper cladding and the lower cladding of the silica-based glass waveguide are removed (a portion where a portion of the cladding layer in the PLC chip 15 is removed). ) Is inserted with a light-absorbing agent 71.
[0083]
Although the operating principle is the same as that of the second embodiment, in the seventh embodiment, stray light from the semiconductor DFB laser 14 (PLC chip cladding layer (upper cladding and lower cladding) is absorbed by the light absorber 71 inserted in the cladding removal portion. ) Is prevented from entering the monitor PD 12 and the monitor PD 13. When the stray light is incident on the monitor PDs 12 and 13, the monitor PD 12 and the monitor PD 13 monitor the light intensity that is larger than the light intensity to be actually measured, and accordingly, the oscillation wavelength and output of the present wavelength stabilized laser are increased. It was out of the target value. Therefore, in the seventh embodiment, the light absorber 71 is inserted into the clad removal portion as described above.
[0084]
About 100 wavelength-stabilized lasers (wavelength-stabilized light sources) were produced with the configuration of the seventh embodiment, but all the wavelength-stabilized lasers were within an output error of ± 0.05 dB and a wavelength error of ± 0.010 nm. . The output error and the wavelength error are smaller than in the second embodiment due to the effect of the light absorber 71.
[0085]
In FIG. 12, the portion where the light absorber 41 is inserted is made not only to cross the quartz glass waveguide 19 but also to not cross the quartz glass waveguide 18. That is, the core portion is not removed, only the clad portion is removed, and the light absorber 41 is inserted here. However, the present invention is not limited to this, and the silica-based glass waveguide 18 may be crossed by the light absorber 41. In this case, the light absorber 71 is inserted into the portion where the upper clad, the core (the core portion of the silica glass waveguide 18) and the lower clad are removed. However, in the case of FIG. 12, it is necessary to adjust the transmission center wavelength of the AWG 21 to the target wavelength by inputting the light of the broadband light source from the silica-based glass waveguide 18 as described above. 71 may be inserted.
[0086]
Further, by combining the configuration of the seventh embodiment (the configuration in which the light absorber 71 is inserted) with the configurations of the first embodiment, the third embodiment to the sixth embodiment, the effect of the light absorber 71 is reduced to the first. It goes without saying that a semiconductor DFB laser (wavelength-stabilized light source) with less wavelength error as well as output error can be manufactured as compared with the examples and the third to sixth examples. As an example, FIG. 13 shows an example in which the configuration of the seventh embodiment is combined with the configuration of the first embodiment, and FIG. 14 shows an example in which the configuration of the seventh embodiment is combined with the configuration of the fourth embodiment. .
[0087]
Needless to say, an EA (electron-absorption) modulator integrated semiconductor DFB laser can be used for the semiconductor DFB lasers 14 of the first to seventh embodiments. In this case, since modulation can be performed by an integrated EA modulator, it is possible to realize modulated light with less chirp than direct modulation of the semiconductor DFB laser itself.
[0088]
In the first to seventh embodiments, the light emitted from the rear side of the semiconductor DFB laser is branched and monitored. However, the present invention is not limited to this. A configuration may be adopted in which the emitted light is branched and monitored.
[0089]
(Eighth embodiment)
FIG. 15 shows a wavelength-stabilized laser module using the wavelength-stabilized laser chip described in the first to seventh embodiments.
[0090]
As shown in FIG. 15, this wavelength stabilized laser module is placed on a Peltier element 82 and a Peltier element 82 in a casing 81 (for convenience of explanation), and is in thermal contact with the Peltier element 82. A soaking plate 83 made of an aluminum plate, a thermistor 84 in thermal contact with the soaking plate 83, and a first embodiment installed on the soaking plate 83 and in thermal contact with the soaking plate 83 The wavelength-stabilized laser chip 85 of any one of the examples to the seventh embodiment is provided. In this wavelength stabilized laser module, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is controlled by heat generation or heat absorption of the Peltier element 82. At this time, the temperature of the semiconductor DFB laser 14 is measured by setting the substrate (PLC chip) 15 as a whole to a uniform temperature in the soaking plate 83 and measuring the temperature of the soaking plate 83 in the thermistor 84.
[0091]
An optical fiber 87 is connected to the front end face of the wavelength stabilization laser chip 85 by a fiber block (glass block) 86, and a fiber connector 88 is provided at the tip of the optical fiber 87. Accordingly, the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is output via the optical fiber 87 and the fiber connector 88.
[0092]
A plurality of electrical terminals 89 extend from the housing 81 to the outside in a butterfly shape. The monitor PD 12, the monitor PD 13 and the semiconductor DFB laser 14 mounted on the PLC chip 15, the Peltier element 82 and the thermistor 84 are connected to the PLC chip 15 through the electrical terminals 89 and the printed wiring board 90 provided in the housing 81. Are connected to a PD voltage monitor 91, a PD voltage monitor 92, an LD driver 93, and a temperature control circuit 94 provided outside the housing, respectively, and are controlled by an APC (Auto Power Control) control circuit 95 that generalizes them. By doing so, the oscillation wavelength and output of the wavelength stabilization laser chip 85 (semiconductor DFB laser 14) are stabilized.
[0093]
In a conventional laser with a wavelength locker (FIG. 13), the laser light in the laser module propagates through space, and a collimator lens or the like is required as shown in FIG. In addition, since light propagates through the space, it is very difficult to align the etalon, the half mirror, and the two PDs. On the other hand, in the present wavelength stabilized laser module, the laser light propagates in the silica glass waveguide, so there is no such disadvantage as described above, no collimating lens is required, and the light emitted from the semiconductor DFB laser 14 is also direct light. Since it can be introduced into the fiber 87, a complicated lens configuration is unnecessary. Accordingly, the number of component parts can be reduced, and there are effects of cost reduction and yield improvement.
[0094]
【The invention's effect】
As described above, the wavelength-stabilized laser according to the present invention is fabricated on the substrate with one semiconductor DFB-LD, two first semiconductor PDs and second semiconductor PDs mounted on the substrate. Quartz glass A wavelength-stabilized laser obtained by hybrid integration with an optical waveguide, wherein emitted light from the front or rear of the semiconductor DFB-LD Quartz glass A branch circuit composed of an optical waveguide branches to the first semiconductor PD side and the second semiconductor PD side, and the light branched to the first semiconductor PD side Quartz glass Light that has entered the first semiconductor PD after passing through a wavelength demultiplexing circuit composed of an optical waveguide and branched to the second semiconductor PD side directly does not pass through the wavelength demultiplexing circuit, but is directly in the second semiconductor PD. Configured to be incident on And means for controlling the oscillation wavelength of the semiconductor DFB-LD by changing the temperature of the substrate. It is characterized by that. Therefore, according to the present invention, compared with the conventional wavelength stabilized laser of the bulk component assembling method, the number of components is small, the size is small, the mechanical and thermal stability is high, the wavelength and the output are high. However, a stable and inexpensive wavelength-stabilized laser can be realized.
[0095]
Also, according to the wavelength stabilized laser of the present invention, a material having a refractive index temperature coefficient opposite to that of the silica-based glass waveguide is inserted, and the wavelength demultiplexing circuit MZ interferometer, AWG or grating is temperature independent. Therefore, the wavelength error can be further reduced.
[0096]
Further, according to the wavelength stabilized laser of the present invention, the stray light from the semiconductor DFB-LD is prevented from entering the first semiconductor PD and the second semiconductor PD by the light absorber, thereby reducing the output error and the wavelength error. It can be further reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a top view showing a configuration of a wavelength stabilized laser according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a transmission spectrum from an MZ interferometer.
FIG. 3 is a top view showing a configuration of a wavelength stabilized laser according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a transmission spectrum from an AWG to an output port connected to a monitor PD.
FIG. 5 is a top view showing a configuration of a wavelength stabilized laser according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing a transmission spectrum of a grating.
FIG. 7 is a diagram showing a transmission spectrum of a λ / 4 phase shift grating.
FIG. 8 is a top view showing a configuration of a wavelength stabilized laser according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a top view showing a configuration of a wavelength stabilized laser according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a top view showing a configuration of a wavelength stabilized laser according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration of a temperature-independent grating.
FIG. 12 is a top view showing a configuration of a wavelength stabilized laser according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a top view showing another configuration of the wavelength stabilized laser according to the seventh embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a top view showing another configuration of the wavelength stabilized laser according to the seventh embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a perspective view showing a configuration of a wavelength stabilized laser module using the wavelength stabilized laser chip shown in the first to seventh embodiments.
FIG. 16 is a top view showing a configuration of a conventional wavelength stabilized laser (wavelength stabilized light source).
FIG. 17 shows a transmission spectrum of etalon.
[Explanation of symbols]
10, 11 Silica-based glass waveguide constituting MZ interferometer
12, 13 Monitor PD
14 Semiconductor DFB laser
15 PLC chip
16 Directional coupler
17 MZ interferometer
18, 19 Silica-based glass waveguide constituting directional coupler
21 AWG
22 and 23 slab waveguide constituting AWG
24-1, 24-2 ... 24-M array waveguides constituting AWG
26-1, 26-2 ... 26-N AWG output waveguide
31 grating (refractive index modulation part)
32 Silica-based glass waveguide with grating
41 Temperature independent MZ interferometer
42 Polymer (silicone resin)
51 Temperature independent AWG
52 Silicone resin
61 Grating forming part
62 Silicone resin
63 Upper cladding
64 core
65 Lower cladding
66 Si substrate
67 Temperature independent grating (refractive index modulation part)
71 Absorber
81 body
82 Peltier element
83 Soaking plate
84 Thermistor
85 Semiconductor DFB laser chip
86 Fiber block
87 Optical fiber
88 Fiber connector
89 Electrical terminal
90 Printed circuit board
91,92 PD voltage monitor
93 LD driver
94 Temperature control circuit
95 APC control circuit

Claims

基板上に搭載した１個の半導体ＤＦＢ−ＬＤ、２個の第１半導体ＰＤ及び第２半導体ＰＤと、前記基板上に作製した石英系ガラス光導波路とをハイブリッド集積してなる波長安定化レーザであって、
前記半導体ＤＦＢ−ＬＤの前方または後方からの出射光を、前記石英系ガラス光導波路から構成した分岐回路で前記第１半導体ＰＤ側と前記第２半導体ＰＤ側とに分岐し、前記第１半導体ＰＤ側に分岐された光は前記石英系ガラス光導波路から構成した波長分波回路を通過した後に前記第１半導体ＰＤに入射し、前記第２半導体ＰＤ側に分岐された光は前記波長分波回路を通過せずに直接前記第２半導体ＰＤに入射するように構成し、
前記基板の温度を変化させて前記半導体ＤＦＢ−ＬＤの発振波長を制御する手段を備えたことを特徴とする波長安定化レーザ。A wavelength-stabilized laser in which one semiconductor DFB-LD mounted on a substrate, two first semiconductor PDs and second semiconductor PDs, and a silica-based glass optical waveguide fabricated on the substrate are hybrid-integrated. There,
The outgoing light from the front or rear of the semiconductor DFB-LD is branched into the first semiconductor PD side and the second semiconductor PD side by a branch circuit composed of the silica-based glass optical waveguide, and the first semiconductor PD The light branched to the side passes through the wavelength demultiplexing circuit composed of the silica glass optical waveguide and then enters the first semiconductor PD, and the light branched to the second semiconductor PD side is the wavelength demultiplexing circuit configured to be incident directly on the second semiconductor PD without passing through the,
A wavelength stabilized laser comprising means for controlling an oscillation wavelength of the semiconductor DFB-LD by changing a temperature of the substrate .

請求項１に記載の波長安定化レーザにおいて、
前記波長分波回路がＭＺ干渉計であることを特徴とする波長安定化レーザ。The wavelength stabilized laser according to claim 1 , wherein
The wavelength stabilization laser, wherein the wavelength demultiplexing circuit is an MZ interferometer.

請求項１に記載の波長安定化レーザにおいて、
前記波長分波回路がＡＷＧであることを特徴とする波長安定化レーザ。The wavelength stabilized laser according to claim 1 , wherein
The wavelength stabilizing laser, wherein the wavelength demultiplexing circuit is an AWG.

請求項１に記載の波長安定化レーザにおいて、
前記波長分波回路が前記石英系ガラス導波路のコア中にグレーティングを形成してなるものであることを特徴とする波長安定化レーザ。The wavelength stabilized laser according to claim 1 , wherein
2. A wavelength-stabilized laser, wherein the wavelength demultiplexing circuit is formed by forming a grating in the core of the silica-based glass waveguide.

請求項２に記載の波長安定化レーザにおいて、
前記ＭＺ干渉計を構成する石英系ガラス導波路の一部において、前記石英系ガラス導波路と逆符号の屈折率温度係数を有する材料を、上部クラッドとコアを除去した部分又は上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分に挿入することにより、前記ＭＺ干渉計を温度無依存化したことを特徴とする波長安定化レーザ。The wavelength-stabilized laser according to claim 2 ,
In a part of the silica glass waveguide constituting the MZ interferometer, a material having a refractive index temperature coefficient opposite in sign to that of the silica glass waveguide is obtained by removing the upper clad and the core, or the upper clad and the core, A wavelength-stabilized laser characterized in that the MZ interferometer is made temperature-independent by inserting it in a portion where the lower cladding is removed.

請求項３に記載の波長安定化レーザにおいて、
前記ＡＷＧを構成する石英系ガラス導波路の一部において、前記石英系ガラス導波路と逆符号の屈折率温度係数を有する材料を、上部クラッドとコアを除去した部分または上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分に挿入することにより、前記ＡＷＧを温度無依存化したことを特徴とする波長安定化レーザ。The wavelength-stabilized laser according to claim 3 ,
In a part of the silica-based glass waveguide constituting the AWG, a material having a refractive index temperature coefficient opposite to that of the silica-based glass waveguide is removed from the upper clad and the core, or the upper clad, the core, and the lower clad. A wavelength-stabilized laser characterized in that the AWG is made temperature-independent by inserting it in a portion from which the above are removed.

請求項４に記載の波長安定化レーザにおいて、
前記グレーティング上部の上部クラッドを一部または全部除去した部分に前記石英系ガラス導波路と逆符号の屈折率温度係数を有する材料を挿入することにより、前記グレーティングを温度無依存化したことを特徴とする波長安定化レーザ。The wavelength stabilized laser according to claim 4 , wherein
The grating is made temperature-independent by inserting a material having a refractive index temperature coefficient opposite to that of the silica-based glass waveguide into a portion where the upper cladding of the upper part of the grating is partially or entirely removed. Wavelength stabilized laser.

請求項１に記載の波長安定化レーザにおいて、
前記石英系ガラス導波路を構成する上部クラッド及び下部クラッドを除去した部分、或いは、上部クラッドとコアと下部クラッドとを除去した部分に吸光剤を挿入し、この吸光剤によって、前記半導体ＤＦＢ−ＬＤからの迷光が前記第１半導体ＰＤ及び第２半導体ＰＤに入射するのを防止する構成としたことを特徴とする波長安定化レーザ。The wavelength stabilized laser according to claim 1 , wherein
A light-absorbing agent is inserted into a portion where the upper clad and lower clad constituting the silica-based glass waveguide are removed, or a portion where the upper clad, the core and the lower clad are removed, and the semiconductor DFB-LD is obtained by using this light-absorbing agent. A wavelength-stabilized laser characterized in that stray light from the laser beam is prevented from entering the first semiconductor PD and the second semiconductor PD.