JP4069036B2

JP4069036B2 - マーク率評価装置

Info

Publication number: JP4069036B2
Application number: JP2003293670A
Authority: JP
Inventors: 敏夫伊藤; 里江子佐藤; 祐史赤津
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2003-08-15
Filing date: 2003-08-15
Publication date: 2008-03-26
Anticipated expiration: 2023-08-15
Also published as: JP2005064953A

Description

本発明は、マーク率評価装置に関するものであり、光信号のマーク率を確実に評価することができるようにしたものである。マーク率を評価することができれば、非線形特性を有する増幅デバイスの増幅度特性の調整をして、光信号の良好な伝送を確保することができる。なお、「マーク率」とは、伝送される光信号の全送信時間の中で「１」符号の占める割合をいう。

図５に想定する光伝送システムを示す。同図において、１００１〜１００３は光信号の送信器、１００４は合波器、１００５は光ファイバアンプ、１００６は光信号を電気信号に変換する受光器で光信号を増幅する機能をもつアバランシュフォトダイオード（ＡＰＤ）、１００７は電気信号を増幅するＡＣアンプ、１００８は光ファイバである。

同図において送信器１００１〜１００３は、例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓのＮＲＺ（non return to zero）光信号を送信し、合波器１００４によって合波されたのちに光ファイバ１００８によって伝送される。伝送中の損失は伝送路中の光ファイバアンプ１００５、受信のアバランシュフォトダイオード１００６、受信後のＡＣアンプ１００７によって補償される。

ここで問題になるのが光信号のマーク率（全送信時間のなかで「１」符号の占める割合）である。当然ながらマーク率が低いほど光強度は低くなる。ところがアバランシュフォトダイオード、ＡＣアンプ、光ファイバアンプ等の増幅機能を持つデバイスは増幅度の非線形性を有し、一般に光強度が低いほど増幅度が高い。すなわち、図６（ａ）に示すような「１」符号の少ない入力光信号に対しては、図６（ｂ）に示すように増幅度が高い反面、図６（ｃ）に示すような「１」符号の多い入力光信号に対しては、図６（ｄ）に示すように増幅度が低い。

しかしながら、伝送光信号で増幅度の高いものと低いものが共存してしまうと受信時のトレランスが減少し、場合によっては受信が不可能になってしまうため、従来の伝送路ではマーク率を固定（例えば１／２）していた。
特開２００２−２９０９４６号公報

しかしながらマーク率を固定することは送信光信号の自由度を減らすとともに、バースト状の光信号を送信することも困難となる。

そこで本発明では、マーク率が変化した場合に（例えばマーク率が１／２から１／４や１／８に変化した場合に）、そのマーク率を測定するマーク率評価装置を提供する。マーク率が求まれば、マーク率が低い場合には各デバイスの増幅度を下げ、マーク率が高い場合には増幅度を上げることが可能になる。

具体的にはアバランシュフォトダイオードやＡＣアンプの場合には印加電圧の増減、光ファイバアンプの場合にはポンプ光の増減によって増幅度を増減することができるため、マーク率の測定結果をフィードバックすることで最適な増幅度を得ることができる。

上記課題を解決するため、本発明のマーク率評価装置は、
入力光信号を２つに分岐する光カプラと、
前記光カプラにて分岐された一方の光信号の光強度を測定し測定した光強度を示す電気信号を送出する第１の受光器と、
前記光カプラにて分岐された他方の光信号の「１」符号を「０」に反転すると共に「０」符号を「１」に反転する符号反転器と、
前記符号反転器にて符号反転された光信号の光強度を測定し測定した光強度を示す電気信号を送出するする第２の受光器と、
第１の受光器から送出された電気信号と、第２の受光器から送出された電気信号とから、前記入力光信号のマーク率を検出する強度比較器とを有することを特徴とする。

また本発明は、上記の構成に加えて、
前記光カプラにて分岐された一方の光信号と他方の光信号のピーク光強度をそれぞれ測定するピーク光強度測定手段と、
一方の光信号と他方の光信号とのピーク光強度を等しくするように、一方の光信号と他方の光信号のうちの少なくとも一つの光信号の光強度を増幅または減衰させるピーク光強度等化手段とを有することを特徴とする。

また本発明は、上記の構成に加えて、
前記符号反転器へ入力される光信号の光強度を予め指定した指定光強度と等しくするように、前記光カプラで分岐されて前記符号反転器に送られる光信号の光強度を増幅または減衰させる符号反転器用光強度等化手段を有することを特徴とする。

また本発明は、上記の構成に加えて、
第１の受光器から前記強度比較器に送出される電気信号及び第２の受光器から前記強度比較器に送出される電気信号に対して、フィルタリング処理をして、前記入力光信号のビットレートに対応する電気周波数よりも低い周波数域の特定の周波数成分の電気信号のみを前記強度比較器に送出させるフィルタ手段を有することを特徴とする。

本発明によれば、光信号のマーク率が変化した場合に（例えばマーク率が１／２から１／４や１／８に変化した場合に）、そのマーク率を測定するマーク率評価装置を提供することができる。マーク率が求まれば、マーク率が低い場合には各デバイスの増幅度を下げ、マーク率が高い場合には増幅度を上げることが可能になり、良好な光伝送システムを構築することができる。

本発明を実施するための最良の形態では、入力光信号を２つに分岐し、分岐した一方の光信号の光強度と、分岐した他方の光信号を符号反転してなる反転光信号の光強度とを求め、求めた両光強度を比較することにより、入力光信号のマーク率を求める。

第１の実施例を図１（ａ）を参照しつつ説明する。同図において、１０１は光カプラ、１０２は符号反転器、１０３，１０４は受光器、１０５は強度比較器、１２０は入力光信号、１２１は入力光信号１２０と異なる波長の連続光、１２２は出力電気信号（マーク率信号）である。また、黒塗りした太線は光ファイバ等の光伝送路を示している（なお、他の図においても、光ファイバや光導波路は黒塗りした太線で示している）。

同図において、入力光信号１２０としては、例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ、ＮＲＺ（non return to zero）符号、波長１５５０ｎｍの光信号を用いる。入力光信号１２０は光カプラ１０１によって２つに分岐され、その一方は受光器１０４によって受光される。ここで低速（例えば帯域１ＭＨｚ）の受光器１０４を用いることで受光された光信号を平均化する。こうして得られた値はもとの光信号１２０の「１」レベルの平均出力(平均の光強度)ｘとなる。受光器１０４からは、平均出力(平均の光強度)ｘを示す電気信号Ｘが出力される。

一方で分岐された他方は符号反転器１０２によって、「１」符号は「０」に反転され、「０」符号は「１」に反転される。光の符号反転器１０２としては光波長変換器がある。光波長変換器は連続光１２１（例えば波長１５５２ｎｍ）を入力することで、光信号１２０の符号を反転すると同時に波長を１５５０ｎｍから１５５２ｎｍへと変換するものであり、例えば以下のようなものが存在する。
（１）相互位相変調（ＸＰＭ：cross phase modulation）型の光波長変換器。
（２）相互利得変調（ＸＧＭ：cross gain modulation)型の光波長変換器。
なお、符号反転器１０２の具体例は、後述する。

反転された光信号は受光器１０３によって受光される。ここで低速（例えば帯域１ＭＨｚ）の受光器１０３を用いることで受光された光信号を平均化する。こうして得られた値はもとの光信号１２０の「０」レベルの平均出力(平均の光強度)ｙとなる。受光器１０３からは、平均出力(平均の光強度)ｙを示す電気信号Ｙが出力される。

さらに強度比較器１０５において、「１」レベルの平均出力(平均の光強度)ｘを示す電気信号Ｘと、「０」レベルの平均出力(平均の光強度)ｙを示す電気信号Ｙを比較することで、もとの入力光信号１２０のマーク率を得る。具体的にはマーク率は以下の式で与えられる。
マーク率＝Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）
このようにして求めたマーク率をデータとして有する電気信号（マーク率信号）１２２が、強度比較器１０５から出力される。

光伝送システムにおいて、非線型増幅特性を有する増幅デバイスを用いている場合には、
上記マーク率信号１２２を基に、マーク率が低い場合には各増幅デバイスの増幅度を下げ、マーク率が高い場合には各増幅デバイスの増幅度を上げることにより、良好な光信号の伝送が可能になる。

ここで、符号反転器１０２を、ＸＰＭ型の光波長変換器により構成した一例を、図１（ｂ）を参照して説明する。

図１（ｂ）において、１３１は連続光１２１が入力する入力ポート、１３２は出力用のポート、１３３は光信号が入力する入力ポート、１３４，１３５，１３６は光カプラ、１３７，１３８は半導体光増幅器（semiconductor optical amplifier :ＳＯＡ）であり、これら部材により、マッハ・ツェンダ型光干渉回路となっている符号反転器（ＸＰＭ型波長変換器）１０２が構成されている。

連続光１２１（波長１５５２ｎｍ）は、ポート１３１から入力され、光カプラ１３４にて二分岐されて２本のアーム導波路に入射する。アーム導波路に入った連続光１２１は半導体光増幅器１３７，１３８にてそれぞれ増幅され、増幅された連続光は光カプラ１３５にて合波されポート１３２から出力される。

一方、波長が１５５０ｎｍとなっている光信号１２０は、ポート１３３から入力され光カプラ１３６を介して、一方の半導体光増幅器１３７に入射される。このため、半導体光増幅器１３７の飽和現象によりキャリア密度が減少し、これによって屈折率変化が生じ、半導体光増幅器１３７を通過する連続光１２１の位相変調を引き起こす。光カプラ１３５では、半導体光増幅器１３７を通過して位相変調を受けた連続光１２１と、半導体光増幅器１３８を通過して位相変調を受けていない連続光１２１とが干渉して、連続光１２１が強度変調される。この結果、ポート１３２からは、反転光信号（信号状態は光信号１２０の信号状態を反転した状態となっており、波長は連続光１２１と同じ１５５２ｎｍとなっている）が出力される。

なお、図１（ａ）の例では、受光器１０３，１０４は、１０Ｇｂｉｔ／ｓのＮＲＺ形式の光信号を受信して光／電気変換することにより、この光信号の光強度に対応した電気強度で、かつ、周波数が５ＧＨｚとなっている電気信号Ｘ，Ｙを出力しているが、受光器１０３，１０４内にて（または受光器１０３，１０４の後段にて）電気的なフィルタリング処理をして、光信号のうち５Ｇｂｉｔ／ｓ成分に対応する２．５ＧＨｚの電気信号Ｘ，Ｙを強度比較器１０５に送出するようにしてもよい。そして、２．５ＧＨｚの電気信号Ｘ，Ｙを強度比較器２０５にて比較することにより、出力電気信号（マーク率信号）２２２を求めるようにしてもよい。
光信号のうち５Ｇｂｉｔ／ｓ成分に対応する２．５ＧＨｚの電気信号Ｘ，Ｙを用いてマーク率を求めるようにすると、強度比較器１０５での信号処理が簡単化する。
かかる手法は、後述する他の実施例においても採用することができる。
なお、５Ｇｂｉｔ／ｓ成分に対応する２．５ＧＨｚの電気信号Ｘ，Ｙを出力するだけでなく、光信号のビットレート（１０ｂｉｔ／ｓ）に対応する電気周波数（５ＧＨｚ）よりも低い周波数域の特定の周波数成分の電気信号を出力するようにしておけば、信号処理の簡単化を図ることができる。

図１（ａ）の構成は光信号１２０のマーク率を得ることが可能であるが、以下のような問題点がある。すなわち、符号反転器１０２より出力され反転され、受光器１０３によって受光される光信号の光強度が、もとの光信号１２０の光強度を反映しないことが起こり得る点である。
これは、符号反転器１０２にて反転されて出力された光信号は、連続光１２１を干渉させ強度変調して形成したものであり、光信号１２０を単に反転させたものではないからである。したがって、符号反転器１０２に入力される光信号１２０の光強度と連続光１２１の光強度がずれてしまうと、上述したように、受光器１０３によって受光される光信号の光強度が、もとの光信号１２０の光強度を反映しないことが起こり得るのである。

図２（ａ）は第２の実施例を説明する図であって、上記の問題点を解決する。同図において（図１（ａ）と同じように）、２０１は光カプラ、２０２は符号反転器、２０３，２０４は受光器、２０５は強度比較器、２２０は入力光信号、２２１は入力光信号２２０と異なる波長の連続光、２２２は出力電気信号である。
また図１（ａ）に加えてレベル等化器２０６、光カプラ２０７，２０８、受光器２０９，２１０、ピークホールド回路２１１，２１２、比較制御器２１３、リセット信号２２３を有する。
レベル等化器２０６及び比較制御器２１３がピーク光強度等化手段を構成し、部材２０７〜２１２がピーク光強度測定手段を構成している。

同図において、入力光信号２２０は光カプラ２０１によって２つに分岐され、その一方は受光器２０４によって受光される。また受光器２０４の前段で光カプラ２０８によって光信号の一部を分岐し、高速な受光器２１０によって電気信号に変換される。さらにピークホールド回路２１２によって電気信号のピーク値α（電気信号の最大レベル＝すなわち「１」のときの光信号２２０のピーク光強度に対応する値）を、リセット信号２２３が入力されるまで保持する。このリセット信号２２３は、通常１００〜１０００ビット周期で繰り返し出される電気パルスである。

一方で符号反転器２０２によって反転させられた光信号は受光器２０３によって受光される。また受光器２０３の前段で光カプラ２０７によって光信号の一部を分岐し、高速な受光器２０９によって電気信号に変換される。さらにピークホールド回路２１１によって電気信号のピーク値β（電気信号の最大レベル＝反転したあとの「１」のときの反転光信号のピーク光強度に対応する値）を、リセット信号２２３が入力されるまで保持する。

比較制御器２１３は、ピークホールド回路２１２のピーク値αと、ピークホールド回路２１１のピーク値βを比較のうえ、以下のようにしてレベル等化器２０６を制御する。
(1) α＞βのとき。
反転していない光信号の光強度が強すぎるため、レベル等化器２０６の損失を増加させる。
(2) α＝βのとき。
正しい状態。したがって、レベル等化器２０６の状態をそのまま保持する。
(3)α＜βのとき。
反転した光信号の光強度が強すぎるため、レベル等化器２０６の損失を減少、あるいはレベル等化器２０６の増幅度を増加する。

なお、レベル等化器２０６ならびにピークホールド回路２１１，２１２の具体例については後述する。

上記の構成によれば、図１とまったく同じ原理で入力光信号２２０のマーク率を得ると同時に、受光器２０３によって受光される反転光信号のピーク光強度と、受光器２０４によって受光される光信号のピーク光強度が同一となるよう、レベル等化器２０６によって調整することができる。これによって、図１の構成で生じ得る問題点を解決することができる。

なお、図２（ａ）の受光器２０３と受光器２０９を共通化すると共に、受光器２０４と受光器２１０を共通化することで、回路の簡単化をはかることも可能である。この場合、光カプラ２０７と光カプラ２０８が不要になる。こうして得られた別な構成となっている変形実施例を図２（ｂ）に示す。

図２（ｂ）に示す実施例は、受光器２０３と受光器２０９並びに受光器２０４と受光器２１０を共通化すると共に、光カプラ２０７，２０８を不要にした以外の点は、図２（ａ）に示す実施例と同一の構成であり、同じ機能を有する。

また、図２（ａ）、図２（ｂ）において、レベル等化器２０６を、符号反転器２０２が介装されている光ファイバ側に備えるようにしてもよい。

ここでレベル等化器２０６の一例を説明する。レベル等化器２０６としては、例えば、半導体光増幅素子を用いた半導体光増幅・減衰素子を採用することができる。比較制御器２１３からこの半導体光増幅・減衰素子に供給する駆動電流の値を制御することにより、半導体光増幅・減衰素子を通過する光信号を増幅させたり減衰させたりすることができ、レベル等化器２０６として機能することができる。例えば、半導体光増幅・減衰素子に供給する駆動電流を１５ｍＡから７０ｍＡまで可変すると、この半導体光増幅・減衰素子の光信号の入出力間の利得を−２０ｄＢから＋１５ｄＢまで幅広く可変させることができる。

次に、ピークホールド回路２１１，２１２の一例を、図２（ｃ）を参照して説明する。この図に示すピークホールド回路は、ダイオードＤとコンデンサＣと電子的なスイッチＳとで構成されている。電子的なスイッチＳにはリセット信号２２３が入力され、リセット信号２２３が入力されるタイミングでスイッチＳは投入状態となり、リセット信号２２３が入力されていない期間ではスイッチＳは開放状態となる。

スイッチＳが開放状態となっている期間において、受光器からダイオードＤに入力される信号のレベルがハイレベルになると、ダイオードＤがオンとなってコンデンサＣに電荷が蓄積され、受光器からダイオードＤに入力される信号のレベルがローレベルになると、ダイオードＤがオフとなる、という動作が繰り返され、コンデンサＣには信号のピーク値に対応するピーク値電圧が保持される。このようにして、受光器から入力される信号のピーク値をホールドすることができる。
リセット信号２２３がスイッチＳに入力されると、スイッチＳが投入されコンデンサＣに蓄積されていた電荷はスイッチＳを通って放出される。

図２（ｂ）の構成によって入力光信号のマーク率を求めると、以下のような問題を生じる可能性がある。すなわち、符号反転器２０２としてＸＰＭ型の波長変換素子を使用した場合、その入力光信号の光強度トレランスが２ｄＢ程度と狭いことである。ＸＧＭ型の波長変換器を用いれば入力光信号のトレランスは１０ｄＢぐらいまで広がるが、強いパワー（例えば５ｄＢｍ）が要求されたり、動作速度が低速（例えば２．５Ｇｂｉｔ／ｓ）であったりと実際的ではない。そこで−１０ｄＢｍの弱いパワーでも高速動作（１０Ｇｂｉｔ／ｓ）するＸＰＭ型の波長変換素子を利用しつつ、入力トレランスを拡大する必要がある。

図３（ａ）は上記の目的にそった構成である。同図において（図２（ｂ）と同じように）、３０１は光カプラ、３０２は符号反転器でＸＰＭ型の波長変換素子、３０３，３０４は受光器、３０５は強度比較器、３０６はレベル等化器、３１１，３１２はピークホールド回路、３１３は比較制御器、３２０は入力光信号、３２１は入力光信号３２０と異なる波長の連続光、３２２は出力電気信号、３２３はリセット信号である。
また図２（ｂ）に加えて、レベル等化器３１４、光カプラ３１５、高速な受光器３１６、比較制御器３１７、ピークホールド回路３１８、指定光強度レベル３２４（例えば−１５ｄＢｍ）を有する。これら部材３１４〜３１８により、符号反転器用光強度等化手段が構成されている。

本構成は図２（ｂ）とまったく同じ原理で入力光信号３２０のマーク率を得る。また同時に、符号反転器３０２に入力される光信号の一部を光カプラ３１５によって分岐し、受光器３１６によって受光し、ピークホールド回路３１８によって光信号のピーク光強度に対応する電気信号のピーク値γを得る。このピーク値γと予め指定した指定光強度レベル３２４を比較制御器３１７に入力する。比較制御器３１７は、ピーク値γが指定光強度レベル３２４より高い場合にはレベル等化器３１４の損失を増加し、ピーク値γが指定光強度レベル３２４よりも低い場合にはレベル等化器３１４の損失を減少させる。このようにすることで、ＸＰＭ型波長変換器（符号反転器３０２）に入力される光信号の光強度を等しく（一定に）することができ、符号反転器３０２の入力光強度トレランスを大きくすることができる。

なお、ＸＰＭ型波長変換器（符号反転器３０２）の最適入力レベルは例えば−１０ｄＢｍ程度であるので、指定光強度レベル３２４としては光カプラ３１５における損失（例えば４ｄＢ）や受光器３１６による結合損失（例えば１ｄＢ）等を勘案して例えば−１５ｄＢｍ程度に設定する。

また、図３（ｂ）にＸＰＭ型波長変換器（符号反転器３０２）の構成例を示す。同図において３３０〜３３３は光カプラ、３３４，３３５は半導体光増幅器（ＳＯＡ）、３３６は光信号入力ポート、３３７は連続光入力ポート、３３８は出力ポート、３３９は入力信号モニタポートである。本構成はいわゆるマッハ・ツェンダ型の干渉計の構造であり、干渉計の片方のアーム（ＳＯＡ３３５を備えたアーム）に光信号を入力することで干渉条件を変化させる波長変換素子である。このＸＰＭ型波長変換器（符号反転器３０２）の構成・動作は、図１（ｂ）に示す符号反転器１０２と同じである。

さて図３（ｂ）に示すように、ＸＰＭ型波長変換器は、ポート３３９に入力光信号のモニタポートを有する。このポートを用いることで、図３（ａ）における光カプラ３１５を省略することができる。図３（ｃ）は本発明の第３の実施例の別の構成例であり、光カプラ３１５を削除し、且つ、ＸＰＭ型波長変換素子（符号反転器３０２）のモニタポート３３９から出力された光信号を受光器３１６で受光するようにした以外は、図３（ａ）と本質的に同一の動作をする。

図３（ｃ）の構成によりマーク率の測定が可能であるが、レベル等化器３０６，３１４、あるいは符号反転器３０２より生じる自然放出光等によるノイズで測定結果に狂いが生じる可能性がある。実施例４はその問題点を解決する構造である。

図４は本発明の第４の実施例を説明する図であって、図３（ｃ）の構成に加えて電気の狭帯域フィルタ４１９，４２５を有する。狭帯域フィルタ４１９，４２５の帯域としては、ビットレートの半分の周波数（例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓの光信号に対しては５ＧＨｚ）に設定する。こうすることで自然放出光によるノイズの除去が可能で、良好な評価結果を得る。

本発明は、光ファイバを用いて光信号を伝搬する光通信、光交換、光情報処理等の光伝送システムに適用され、特にアバランシュフォトダイオード、ＡＣアンプ、光ファイバアンプ等の増幅機能を有する光デバイスを含む光伝送システムに適用すると有効である。

本発明の第１の実施例を示す構成図である。第１の実施例で用いる符号反転器を示す構成図である。本発明の第２の実施例を示す構成図である。第２の実施例の変形例を示す構成図である。第２の実施例で用いるピークホールド回路を示す回路図である。本発明の第３の実施例を示す構成図である。第３の実施例で用いる符号反転器を示す構成図である。第３の実施例の変形例を示す構成図である。本発明の第４の実施例を示す構成図である。想定するシステムを示す構成図である。マーク率と増幅度の関係を特性図である。

符号の説明

１０１，２０１，３０１光カプラ
１０２，２０２，３０２符号反転器
１０３，１０４，２０３，２０４，３０３，３０４受光器
１０５，２０５，３０５強度比較器
１２０，２２０，３２０入力光信号
１２１，２２１，３２１連続光
１２２，２２２，３２２出力電気信号（マーク率信号）
２０６，３０６，３１４レベル等化器
２０７，２０８，３１５光カプラ
２０９，２１０，３１６受光器
２１１，２１２，３１１，３１２，３１８ピークホールド回路
２１３，３１３，３１７比較制御器
４１９，４２５狭帯域フィルタ

Claims

入力光信号を２つに分岐する光カプラと、
前記光カプラにて分岐された一方の光信号の光強度を測定し測定した光強度を示す電気信号を送出する第１の受光器と、
前記光カプラにて分岐された他方の光信号の「１」符号を「０」に反転すると共に「０」符号を「１」に反転する符号反転器と、
前記符号反転器にて符号反転された光信号の光強度を測定し測定した光強度を示す電気信号を送出するする第２の受光器と、
第１の受光器から送出された電気信号と、第２の受光器から送出された電気信号とから、前記入力光信号のマーク率を検出する強度比較器とを有することを特徴とするマーク率評価装置。
請求項１において、
前記光カプラにて分岐された一方の光信号と他方の光信号のピーク光強度をそれぞれ測定するピーク光強度測定手段と、
一方の光信号と他方の光信号とのピーク光強度を等しくするように、一方の光信号と他方の光信号のうちの少なくとも一つの光信号の光強度を増幅または減衰させるピーク光強度等化手段とを有することを特徴とするマーク率評価装置。
請求項１または請求項２において、
前記符号反転器へ入力される光信号の光強度を予め指定した指定光強度と等しくするように、前記光カプラで分岐されて前記符号反転器に送られる光信号の光強度を増幅または減衰させる符号反転器用光強度等化手段を有することを特徴とするマーク率評価装置。
上記請求項１または請求項２または請求項３において、
第１の受光器から前記強度比較器に送出される電気信号及び第２の受光器から前記強度比較器に送出される電気信号に対して、フィルタリング処理をして、前記入力光信号のビットレートに対応する電気周波数よりも低い周波数域の特定の周波数成分の電気信号のみを前記強度比較器に送出させるフィルタ手段を有することを特徴とするマーク率評価装置。