JP4062335B2 - Method for adjusting frequency of piezoelectric resonant component - Google Patents
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Description
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧電共振部品の周波数調整方法に関し、より詳細には、イオンビームなどのエネルギー線を照射して電極の厚みを減らすように加工することにより周波数調整が行われる工程を備えた圧電共振部品の周波数調整方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、圧電共振子や圧電発振子を構成するために、様々な圧電共振部品が提案されている。この種の圧電共振部品では、所望とする特性に応じて、共振周波数や発振周波数が高精度に調整される必要がある。
【0003】
下記の特許文献1には、圧電共振部品の周波数調整方法の一例が開示されている。図8は、特許文献1に記載の圧電素子の周波数調整方法を説明するための概略構成図である。この周波数調整方法では、真空排気されたチャンバー内に圧電素子101が配置される。圧電素子101は、圧電体と、圧電体上に設けられたアルミニウムからなる電極とを有する。圧電素子101の電極が設けられている側の面にマスク102が配置される。マスク102は、開口部102aを有する。開口部102aは圧電素子101の電極を露出させるように構成されている。
【0004】
マスク102の前方には、放電電極103が配置されている。真空排気されたチャンバー内において高周波電力を放電電極103に印加することにより、プラズマ104が発生される。このプラズマ104により、圧電素子101の電極がエッチングされて、周波数が調整される。
【特許文献1】
特許第3252542号
【発明の開示】
【0005】
特許文献1に記載されているように、従来、プラズマやイオンビームなどの照射により、圧電素子の電極をエッチングすることにより周波数調整を行う方法が知られている。
【0006】
しかしながら、例えば圧電素子101とマスク102との間には隙間が発生しがちであった。すなわち、周波数調整される圧電素子の高さは製品ごとに異なっているため、必ずしも圧電素子101とマスク102との間を密着させることは困難であり、隙間が生じがちであった。また、圧電素子101のエッチングされる上面の電極が一対の側面の端縁にまで至るように設けられている場合には、圧電素子101の側面とマスク102との間に隙間が生じる。そのため、圧電素子101の電極がプラズマによりエッチングされた場合、飛散した金属粉が隙間から圧電素子101の電極形成面以外の部分に飛び散り、付着しがちであった。すなわち、圧電素子101の電極形成面に連なる側面に上記金属粉が付着することがあった。
【0007】
その結果、圧電素子101の絶縁抵抗値が低下したり、甚だしき場合には短絡不良が生じることがあった。さらに、圧電素子101にバイアス電圧が印加されることにより、圧電素子101の上面の電極と、他の電極との間にマイグレーションが生じるおそれもあった。
【0008】
また、従来、ケース基板上にコンデンサ素子及び圧電素子がこの順序で積層されてなる負荷容量内蔵型圧電共振部品が知られている。この種の負荷容量内蔵型圧電共振部品においてケース基板上にコンデンサ素子及び圧電共振素子を積層した状態で圧電共振素子の上方からエッチングを行い、周波数調整を行おうとすると、やはり、圧電素子の上面の電極と他の電極との間でマイグレーションが生じがちであった。加えて、金属粉が下方に落下し、コンデンサ素子の電極等に付着するおそれもあった。従って、この種の負荷容量内蔵型圧電共振部品において、絶縁抵抗不良や短絡不良などを招くことなく、周波数を高精度に調整することを可能とする構造が望まれていた。
【0009】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、イオンビーム、プラズマまたはレーザー光などのエネルギー線の照射により周波数調整が行われる工程を備えた圧電共振部品の周波数調整方法であって、周波数調整による絶縁抵抗不良や短絡不良などが生じ難く、電極間マイグレーションのおそれが少なく、周波数を高精度に調整することを可能とする圧電共振部品の周波数調整方法を提供することにある。
【0011】
本発明は、圧電体と、前記圧電体の上面に形成された少なくとも1つの振動電極とを有する圧電共振部品の周波数調整方法であって、上面と、下面と、複数の側面とを有する圧電体と、前記圧電体の上面に形成された少なくとも1つの電極とを有し、該電極が少なくとも一対の側面と上面との端縁に至るように形成されている圧電共振部品を用意する工程と、前記圧電共振部品の前記一対の側面を、該側面の上端に比べて下方部分が圧電体の中心側に位置するように傾斜面とする加工工程と、前記加工工程後に、前記圧電共振部品の上方からエネルギー線を照射して電極の厚みを薄くするように加工して周波数を調整する周波数調整工程とを備えることを特徴とする。
【0012】
本発明において、上記圧電共振部品の傾斜面は、平面状であってもよく、曲面状であってもよい。
【0013】
また、本発明に係る圧電共振部品の周波数調整方法のある特定の局面では、前記圧電共振部品が、圧電体の下面に形成された電極をさらに備え、圧電体の上面及び下面に形成された電極が圧電体を介して対向するように配置されており、前記圧電共振部品において圧電体の上面及び下面に形成された電極の対向している部分がエネルギー閉じ込め型の振動部を構成している。
【0014】
本発明に係る圧電共振部品の周波数調整方法のさらに他の特定の局面では、前記エネルギー線を照射するに先立ち前記圧電共振部品がケース基板上に実装される工程がさらに備えられる。
【0019】
【発明の効果】
本発明に係る圧電共振部品の周波数調整方法によれば、圧電共振部品の電極端縁が至っている上記一対の側面が、上端に比べて下方部分が圧電体の中心側に位置する傾斜面とされているため、圧電共振部品の上面に、電極が露出される部分が開口部とされているマスクを配置して、マスクの上方からエネルギー線を照射して電極をエッチングすることにより周波数調整を行った場合、電極を構成している金属粉が飛散したとしても、該金属粉は、上記傾斜面の上端から下方に落下するだけであり、該傾斜面に付着し難い。従って、金属粉の側面への付着による絶縁抵抗の低下や短絡不良が生じ難く、かつ電極間マイグレーションも生じ難い。よって、本発明によれば、絶縁抵抗不良や短絡不良などを生じさせることなく、圧電共振部品の周波数を高精度に調整することが可能となる。
【0020】
圧電共振部品の傾斜面が平面状とされている場合には、圧電体を研磨砥石で研磨したり、ダイシングブレードにより切断することにより容易に形成することができる。もっとも、傾斜面は曲面状であってもよく、その場合には、曲面状の傾斜面が構成されるダイシングブレードなどを用いれば、曲面状の傾斜面を形成することができる。
【0021】
本発明の圧電共振部品の周波数調整方法において、圧電体の下面に形成された電極がさらに備えられており、圧電体の上面及び下面に形成された電極が圧電体を介して対向するように配置されており、該電極対向部分によりエネルギー閉じ込め型の振動部が構成されている場合には、本発明に従って、エネルギー閉じ込め型の圧電共振部品の周波数調整を、短絡不良や絶縁抵抗の低下を招くことなく高精度に行うことができる。従って、周波数ばらつきの少ないエネルギー閉じ込め型の圧電共振部品を容易に提供することができる。
【0022】
上記エネルギー線を照射するに先立ち、圧電共振部品がケース基板上に実装される工程をさらに備える場合には、完成品により近い状態で周波数調整が行われるため、完成品としての圧電共振部品の周波数ばらつきを効果的に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
[図1]図1は本発明の第1の実施形態に係る圧電共振部品の周波数調整方法を説明するための略図的部分切欠横断面図である。
[図2]図2は第1の実施形態で用意される圧電共振部品を説明するための側面図である。
[図3]図3は第1の実施形態で圧電体の側面を傾斜面とする加工方法の一例を説明するための略図的横断面図である。
[図4]図4は第1の実施形態において、圧電体の側面を平面状の傾斜面とする加工方法の他の例を説明するための横断面図である。
[図5]図5は圧電体の側面を+1度の傾斜面とした横断面が逆台形の実施形態、側面を傾斜させなかった場合の構造、及び−1度の傾斜面とした横断面が台形の構造の圧電共振素子を用いた場合の周波数調整後の絶縁抵抗値を示す図である。
[図6]図6は本発明の圧電共振部品の変形例を説明するための横断面図である。
[図7]図7は図6に示した圧電共振部品の傾斜面を形成する加工方法を説明するための横断面図である。
[図8]図8は従来の圧電共振部品の周波数調整方法の一例を説明するための概略構成図である。
【符号の説明】
【0028】
1…圧電共振部品
2…ケース基板
3〜5…電極
6a〜6c…導電性接着剤
7…コンデンサ素子
8…誘電体基板
9,10…第1,第2の容量電極
11…第3の容量電極
12a,12b…導電性接着剤
13…圧電共振素子
14…圧電体
15,16…第1,第2の振動電極
21…研磨砥石
21a…研磨面
22…マスク
22a…開口部
23…保持部材
24,25…ダイシングブレード
26,27…ダイシングブレード
【発明を実施するための最良の形態】
【0029】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【0030】
図1及び図2を参照して、本発明の第1の実施形態に係る圧電共振部品の周波数調整方法を説明する。本実施形態では、図2に示す圧電共振部品が用意される。すなわち、圧電共振部品1は、矩形板状のケース基板2を有する。ケース基板2は、アルミナまたはガラスセラミックスなどの絶縁性セラミックスにより構成されている。ケース基板2には、上面から一対の側面及び下面に至るように電極3〜5が形成されている。電極3〜5上に、導電性接着剤6a〜6cを用いて、コンデンサ素子7が接合されている。
【0031】
コンデンサ素子7は、誘電体基板8と、誘電体基板8の上面に形成された第1,第2の容量電極9,10と、第1,第2の容量電極9,10と対向するように誘電体基板8の下面に形成された第3の容量電極11とを有する。
【0032】
誘電体基板8は、チタン酸バリウム系セラミックスなどの適宜の誘電体セラミックスにより構成され得る。また、容量電極9〜11は、Al、Ag、Cuもしくはこれらの合金などの適宜の導電性材料により構成され得る。上記コンデンサ素子7上に、導電性接着剤12a,12bを用いて、圧電共振素子13が固定されている。
【0033】
圧電共振素子13は、本実施形態では厚み滑りモードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子である。圧電共振素子13は、細長い矩形板状の圧電基板14を有する。圧電基板14は、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスやチタン酸鉛系セラミックスなどの圧電セラミックスにより構成されており、その長さ方向に分極処理されている。
【0034】
圧電基板14の上面には、第1の振動電極15が、下面には第2の振動電極16が形成されている。振動電極15,16は、Ag、Cu、Alもしくはこれらの合金などの適宜の導電性材料により構成されている。第1,第2の振動電極15,16は、圧電基板14の長さ方向中央において圧電基板14を介して対向されている。振動電極15,16が対向している部分がエネルギー閉じ込め型の圧電振動部を構成している。上面の振動電極15は、圧電基板14の上面と一対の側面14a,14bとのなす端縁に至っている。また、該振動電極15は、圧電基板14の端面を経て下面に至るように形成されている。導電性接着剤12a,12bは、振動電極16と、振動電極15の圧電基板14の下面に至っている電極延長部とを、コンデンサ素子の第1,第2の容量電極9,10にそれぞれ接合している。
【0035】
圧電共振部品1では、上記ケース基板2の上面に、図示しないキャップが最終的に固定される。すなわち、下方に開いた開口を有するキャップが、上記コンデンサ素子3及び圧電共振素子7からなる積層体を封止するようにケース基板2上に取り付けられる。
【0036】
もっとも、本実施形態では、上記キャップが固定されるに先立ち、以下に説明する加工工程及び周波数調整工程が行われる。
【0037】
図2に示した積層構造を得るに先立ち、用意される圧電共振素子13においては、圧電体14の一対の側面が傾斜面となるように加工される。すなわち、圧電体14の長さ方向に延びる一対の側面は、上端に比べて下方部分が圧電体14の中心側に位置するように傾斜されている。このような傾斜面は、例えば図3に模式的断面図で示すように、多数の圧電共振素子13を用意した後、該圧電共振素子13の上面を研磨砥石21の研磨面21aに対して直交する方向から傾斜させ、研磨砥石21の研磨面21aにより圧電体14の側面14aを研磨することにより形成され得る。このようにして、図3に示す圧電体14においては、側面14aが傾斜面とされている。なお、側面14aとは反対側の側面14bも同様の研磨処理により傾斜面とされている。
【0038】
第1の実施形態では、上記のように側面14a,14bが平面状の傾斜面とされており、該傾斜面を有するように構成された圧電共振素子13が用意される。そして、図2に示したように、ケース基板2上に、コンデンサ素子7を搭載した後に、該コンデンサ素子7上に、上記傾斜面を有する圧電共振素子13が固定される。
【0039】
しかる後、圧電共振素子13の上方からエネルギー線としてのイオンビームを照射することにより周波数調整が行われる。図1は、周波数調整工程を説明するための略図的部分切欠横断面図である。なお、図1では、ケース基板2の図示は省略してあることを指摘しておく。また、図1に示されている横断面は、上記圧電共振素子13のエネルギー閉じ込め型の振動部の中央部分においてコンデンサ素子と圧電共振素子13とを切断した部分に相当する断面である。
【0040】
図1に示されているように、本実施形態では、上記積層構造を得た後に、圧電共振素子13の上面にマスク22が配置される。マスク22は開口部22aを有する。開口部22aは、圧電共振素子13の上記振動部の平面形状に相当する形状を有する。すなわち、振動電極15,16が対向されている部分に相当する平面形状を有するように開口部22aが形成されている。
【0041】
そして、マスク22の上方からイオンビームが図1の矢印Aで示すように照射され、振動電極15の厚みが低下するようにして周波数調整が行われる。この場合、マスク22の下面と圧電共振素子13の上面との間に隙間が僅かに生じ、イオンビームの照射により振動電極15を構成している金属粒子が飛散し、下方に落下したとしても、図1に矢印Bで示すように、金属粉は下方に落下するだけである。そして、側面14a,14bが上記傾斜面とされているため、金属粉は側面14a,14bに付着し難い。すなわち、側面14a,14bの上端に比べて下方部分が圧電体14の中心側に位置するように側面14a,14bが傾斜されているため、金属粉の側面14a,14bへの付着が生じ難い。従って、圧電共振素子13において、側面への金属粉の付着による絶縁抵抗の低下や短絡不良が生じ難く、かつ振動電極15,16間の電極間マイグレーションも生じ難い。よって、イオンビームの照射により高精度に周波数調整を行うことができるとともに、圧電共振素子の絶縁抵抗不良などを抑制することができるため、信頼性に優れた圧電共振部品を提供することができる。
【0042】
しかも、本実施形態では、上記のように、ケース基板2上にコンデンサ素子7及び圧電共振素子13が搭載された状態で周波数調整が行われるため、言い換えれば最終的な製品に近い状態で周波数調整が行われるため、圧電共振部品の周波数ばらつきをより一層効果的に低減することができる。
【0043】
また、図1に示されているように、本実施形態では、コンデンサ素子7の幅方向寸法は、圧電体14の下面の幅方向寸法と等しくされている。従って、周波数調整に際し金属粉が矢印Bで示すように下方に落下したとしても、該金属粉はコンデンサ素子8の側面にも付着し難い。よって、コンデンサ素子8における絶縁抵抗の低下や短絡不良も生じ難い。
【0044】
さらに、本実施形態では、上記導電性接着剤12a,12bによる接合部分、すなわち圧電共振素子13を実装するための導電性接着剤による接合部分は、平面視したときに、上記エネルギー閉じ込め型の圧電振動部が設けられている領域外に位置されている。従って、金属粉が、導電性接着剤12a,12bによる接合部分に付着し難いため、導電性接着剤12a,12bによる接合部分における短絡等も確実に防止される。
【0045】
なお、上記側面14a,14bを直線状の傾斜面とする加工工程は、図3に示した研磨砥石を用いる方法の他、様々な方法で行われ得る。例えば、図4に示すように、保持部材23上に、圧電共振素子13を配置した状態で、該圧電共振素子の上方から、切断面が傾斜面となるダイシングブレード24,25を用いて圧電共振素子13を切断し、それによって側面14a,14bを傾斜面としてもよい。
【0046】
なお、側面14a,14bは、上端に比べて下方が圧電体14の中心に位置するように傾斜されておればよいが、この傾斜面の傾斜角度、すなわち上面と直交する方向からの傾斜角度については、好ましくは、1度以上とされる。すなわち、傾斜角度が1度未満の場合には、圧電体の側面を傾斜面としたことによる効果が得られ難いことがある。図5は、側面14a,14bの傾斜角度を−1度、0度及び+1度とした3種類の構造について、周波数調整後に絶縁抵抗を測定した結果を示す図である。
【0047】
なお、用意した圧電共振素子は、幅が0.5mm、長さが2.2mm、厚みが0.3mmの圧電体を用いて構成された、目標共振周波数は25MHzのエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子である。この圧電共振素子において、側面14a,14bの下方部分が圧電体内側に位置するように傾斜させ、傾斜角度が−1度、及び+1度の圧電共振素子を作製した。また、傾斜されていない圧電共振素子を別途用意した。これら3種類の圧電共振素子各10個について、絶縁抵抗を測定した結果を図5に示す。
【0048】
図5から明らかなように、傾斜角度が+1度とされている本実施形態では、絶縁抵抗のばらつきが少なく、絶縁抵抗か1012Ω以上であることがわかる。他方、傾斜角度が0、すなわち従来例の場合には、絶縁抵抗が107〜1012Ωの範囲でばらついていることがわかる。また、逆に、逆台形ではなく、横断面が台形になるように傾斜された、−1度の傾斜面を有する構造では、絶縁抵抗か107Ω以下と著しく低くなっていることがわかる。
【0049】
従って、本実施形態によれば、上記のように、横断面が逆台形となるように傾斜面14a,14bを設けたことにより、絶縁抵抗のばらつき及び低下を効果的に防止し得ることがわかる。
【0050】
上記実施形態では、傾斜面は平面状とされていたが、図6に示すように、圧電体14の側面14a,14bは、曲面状の傾斜面であってもよい。図6に示す曲面状の傾斜面14a,14bにおいても、側面14a,14bの上端に比べて下方部分が圧電体14の中心側に位置されている。従って、第1の実施形態の場合と同様に、上方からイオンビームを照射し、振動電極15をエッチングして周波数調整を行った場合、金属粉が側面14a,14bに付着し難い。
【0051】
上記曲面状の側面14a,14bは、例えば図7に示すように、切断面が曲面状のダイシングブレード26,27を用いて圧電共振素子13を切断することにより形成され得る。
【0052】
なお、本発明の周波数調整方法では、マスクを用いて説明したが、マスクを用いることなくイオンビームを直接圧電共振部品1に照射しても同様の作用効果が得られることを付記しておく。
【0053】
さらに、第1の実施形態では、ケース基板2上にコンデンサ素子7及び圧電共振素子13を搭載した状態で周波数調整が行われたが、本発明に係る圧電共振部品の周波数調整方法は、圧電共振素子のみを用意し、該圧電共振素子の上面側にマスクを配置してイオンビームなどのエネルギー線を照射することにより行ってもよい。
【0054】
さらに、また本発明において周波数調整に用いられるエネルギー線としては、イオンビーム以外に、レーザー光などの様々なエネルギー線を用いることができる。【Technical field】
[0001]
The present invention relates to a frequency adjustment how the piezoelectric resonance component, and more particularly, with the step of frequency adjustment is performed by processing to reduce the thickness of irradiating the electrode with energy beams, such as ion beams about the frequency adjustment how the piezoelectric resonance component.
[Background]
[0002]
Conventionally, various piezoelectric resonant components have been proposed in order to constitute a piezoelectric resonator and a piezoelectric oscillator. In this type of piezoelectric resonant component, it is necessary to adjust the resonance frequency and the oscillation frequency with high accuracy in accordance with desired characteristics.
[0003]
[0004]
A
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3252542 [Disclosure of the Invention]
[0005]
As described in
[0006]
However, for example, a gap tends to occur between the
[0007]
As a result, the insulation resistance value of the
[0008]
Conventionally, a load capacitance built-in type piezoelectric resonance component in which a capacitor element and a piezoelectric element are laminated in this order on a case substrate is known. In this type of piezoelectric resonance component with a built-in load capacitance, when the frequency adjustment is performed by performing etching from above the piezoelectric resonance element in a state where the capacitor element and the piezoelectric resonance element are stacked on the case substrate, the upper surface of the piezoelectric element is also changed. Migration tends to occur between the electrode and the other electrode. In addition, the metal powder may fall down and adhere to the electrode of the capacitor element. Therefore, in this type of piezoelectric resonance component with a built-in load capacity, a structure that can adjust the frequency with high accuracy without causing an insulation resistance failure or a short-circuit failure has been desired.
[0009]
An object of the present invention is a method for adjusting the frequency of a piezoelectric resonant component that includes a step of eliminating the above-described drawbacks of the prior art and performing frequency adjustment by irradiation of energy beams such as an ion beam, plasma, or laser light, frequency adjustment by hardly caused and the insulation resistance defect or a short circuit failure, a possibility is small inter-electrode migration is to provide a frequency adjustment how the piezoelectric resonance component which makes it possible to adjust the frequency with high accuracy.
[0011]
This onset Ming, a frequency adjustment method of a piezoelectric resonator component with which the piezoelectric body, and at least one of the vibrating electrode formed on the upper surface of the piezoelectric body, the piezoelectric having a top surface, a bottom surface, and a plurality of side surfaces Preparing a piezoelectric resonant component having a body and at least one electrode formed on the upper surface of the piezoelectric body, wherein the electrode is formed so as to reach an edge between at least a pair of side surfaces and the upper surface; A machining step in which the pair of side surfaces of the piezoelectric resonant component are inclined surfaces such that a lower part is positioned on the center side of the piezoelectric body relative to the upper end of the side surface; and after the machining step, And a frequency adjusting step of adjusting the frequency by irradiating energy rays from above and reducing the thickness of the electrode.
[0012]
In the present invention, the inclined surface of the piezoelectric resonant component may be flat or curved.
[0013]
Moreover, in a specific aspect of the frequency adjusting method for a piezoelectric resonant component according to the present invention, the piezoelectric resonant component further includes an electrode formed on a lower surface of the piezoelectric body, and an electrode formed on the upper and lower surfaces of the piezoelectric body. Are arranged so as to face each other through the piezoelectric body, and in the piezoelectric resonance component, the opposed portions of the electrodes formed on the upper surface and the lower surface of the piezoelectric body constitute an energy confining type vibrating portion.
[0014]
In still another specific aspect of the method for adjusting a frequency of a piezoelectric resonant component according to the present invention, the method further includes a step of mounting the piezoelectric resonant component on a case substrate prior to irradiation with the energy beam.
[0019]
【The invention's effect】
According to the method for adjusting a frequency of a piezoelectric resonant component according to the present invention, the pair of side surfaces to which the electrode edge of the piezoelectric resonant component reaches are inclined surfaces whose lower portions are located on the center side of the piezoelectric body compared to the upper end. Therefore, a frequency adjustment is performed by placing a mask with an opening where the electrode is exposed on the top surface of the piezoelectric resonant component, and etching the electrode by irradiating energy rays from above the mask. In this case, even if the metal powder constituting the electrode is scattered, the metal powder only falls downward from the upper end of the inclined surface, and hardly adheres to the inclined surface. Therefore, a decrease in insulation resistance and short-circuit failure due to adhesion of the metal powder to the side surfaces hardly occur, and migration between electrodes hardly occurs. Therefore, according to the present invention, it is possible to adjust the frequency of the piezoelectric resonant component with high accuracy without causing an insulation resistance failure or a short-circuit failure.
[0020]
When the inclined surface of the piezoelectric resonant component is flat, it can be easily formed by polishing the piezoelectric body with a polishing grindstone or cutting with a dicing blade. However, the inclined surface may be a curved surface, and in that case, a curved inclined surface can be formed by using a dicing blade or the like having a curved inclined surface.
[0021]
In the method for adjusting a frequency of a piezoelectric resonant component according to the present invention, an electrode formed on the lower surface of the piezoelectric body is further provided, and the electrodes formed on the upper surface and the lower surface of the piezoelectric body are arranged to face each other via the piezoelectric body. In the case where the energy confining type vibration part is constituted by the electrode facing part, the frequency adjustment of the energy confining type piezoelectric resonant component according to the present invention causes a short circuit failure or a decrease in insulation resistance. And can be performed with high accuracy. Therefore, it is possible to easily provide an energy confinement type piezoelectric resonant component with little frequency variation.
[0022]
Prior to irradiating the energy beam, when the piezoelectric resonant component is further provided with a process of mounting on the case substrate, the frequency adjustment is performed in a state closer to the finished product. Variation can be effectively reduced.
[Brief description of the drawings]
[0027]
FIG. 1 is a schematic partially cutaway cross-sectional view for explaining a method of adjusting the frequency of a piezoelectric resonant component according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view for explaining the piezoelectric resonant component prepared in the first embodiment.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a processing method in which the side surface of the piezoelectric body is inclined in the first embodiment.
[FIG. 4] FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining another example of the processing method in which the side surface of the piezoelectric body is a flat inclined surface in the first embodiment.
[FIG. 5] FIG. 5 is an embodiment in which the cross section with the side surface of the piezoelectric body having an inclined surface of +1 degree is an inverted trapezoid, the structure when the side surface is not inclined, and the cross section with an inclined surface of −1 degree. It is a figure which shows the insulation resistance value after the frequency adjustment at the time of using the piezoelectric resonance element of a trapezoid structure.
[FIG. 6] FIG. 6 is a transverse sectional view for explaining a modification of the piezoelectric resonant component of the present invention.
[FIG. 7] FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a processing method for forming an inclined surface of the piezoelectric resonant component shown in FIG.
[FIG. 8] FIG. 8 is a schematic configuration diagram for explaining an example of a frequency adjusting method of a conventional piezoelectric resonant component.
[Explanation of symbols]
[0028]
DESCRIPTION OF
[0029]
Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
[0030]
With reference to FIG.1 and FIG.2, the frequency adjustment method of the piezoelectric resonant component which concerns on the 1st Embodiment of this invention is demonstrated. In the present embodiment, the piezoelectric resonant component shown in FIG. 2 is prepared. That is, the piezoelectric
[0031]
[0032]
The
[0033]
In this embodiment, the
[0034]
A
[0035]
In the piezoelectric
[0036]
However, in the present embodiment, before the cap is fixed, a processing step and a frequency adjustment step described below are performed.
[0037]
Prior to obtaining the laminated structure shown in FIG. 2, the prepared
[0038]
In the first embodiment, the side surfaces 14a and 14b are flat inclined surfaces as described above, and the
[0039]
Thereafter, frequency adjustment is performed by irradiating an ion beam as an energy ray from above the
[0040]
As shown in FIG. 1, in the present embodiment, a
[0041]
Then, an ion beam is irradiated from above the
[0042]
In addition, in the present embodiment, as described above, the frequency adjustment is performed in a state where the
[0043]
Further, as shown in FIG. 1, in the present embodiment, the width direction dimension of the
[0044]
Further, in the present embodiment, the joint portion by the
[0045]
In addition, the process which makes the said side surfaces 14a and 14b into a linear inclined surface can be performed by various methods other than the method of using the grinding stone shown in FIG. For example, as shown in FIG. 4, in a state where the
[0046]
The side surfaces 14a and 14b may be inclined so that the lower side is positioned at the center of the
[0047]
In addition, the prepared piezoelectric resonance element is configured by using a piezoelectric body having a width of 0.5 mm, a length of 2.2 mm, and a thickness of 0.3 mm, and an energy confinement type piezoelectric resonance element having a target resonance frequency of 25 MHz. It is. In this piezoelectric resonance element, the piezoelectric resonator element was fabricated so that the lower portions of the side surfaces 14a and 14b are located inside the piezoelectric body, and the inclination angles are -1 degree and +1 degree. In addition, a piezoelectric resonant element that is not inclined is prepared separately. FIG. 5 shows the result of measuring the insulation resistance for each of these three types of piezoelectric resonant elements.
[0048]
As can be seen from FIG. 5, in the present embodiment in which the inclination angle is +1 degree, the variation in the insulation resistance is small, and the insulation resistance is 10 12 Ω or more. On the other hand, when the inclination angle is 0, that is, in the case of the conventional example, it can be seen that the insulation resistance varies in the range of 10 7 to 10 12 Ω. On the other hand, it can be seen that the insulation resistance is remarkably low at 10 7 Ω or less in a structure having an inclined surface of −1 degree that is not an inverted trapezoid but is inclined so that the cross section is trapezoidal.
[0049]
Therefore, according to the present embodiment, as described above, by providing the
[0050]
In the above embodiment, the inclined surface is flat, but as shown in FIG. 6, the side surfaces 14a and 14b of the
[0051]
The
[0052]
Although the frequency adjusting method of the present invention has been described using a mask, it should be noted that the same effect can be obtained even if the ion beam is directly irradiated onto the piezoelectric
[0053]
Furthermore, in the first embodiment, the frequency adjustment is performed in a state where the
[0054]
Furthermore, as the energy beam used for frequency adjustment in the present invention, various energy beams such as a laser beam can be used in addition to the ion beam.
Claims (5)
上面と、下面と、複数の側面とを有する圧電体と、前記圧電体の上面に形成された少なくとも1つの電極とを有し、該電極が少なくとも一対の側面と上面との端縁に至るように形成されている圧電共振部品を用意する工程と、
前記圧電共振部品の前記一対の側面を、該側面の上端に比べて下方部分が圧電体の中心側に位置するように傾斜面とする加工工程と、
前記加工工程後に、前記圧電共振部品の上方からエネルギー線を照射して電極の厚みを薄くするように加工して周波数を調整する周波数調整工程とを備えることを特徴とする、圧電共振部品の周波数調整方法。A method for adjusting the frequency of a piezoelectric resonant component having a piezoelectric body and at least one vibration electrode formed on the upper surface of the piezoelectric body,
A piezoelectric body having an upper surface, a lower surface, and a plurality of side surfaces; and at least one electrode formed on the upper surface of the piezoelectric body, the electrodes reaching at least an edge between the pair of side surfaces and the upper surface. Preparing a piezoelectric resonant component formed in
A machining step in which the pair of side surfaces of the piezoelectric resonant component are inclined surfaces such that a lower portion is located on the center side of the piezoelectric body as compared to the upper end of the side surfaces;
A frequency adjusting step of adjusting the frequency by irradiating an energy ray from above the piezoelectric resonant component to reduce the thickness of the electrode after the processing step; Adjustment method.
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