JP4054142B2 - スピンバルブ型磁気抵抗効果型素子 - Google Patents
スピンバルブ型磁気抵抗効果型素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4054142B2 JP4054142B2 JP27465999A JP27465999A JP4054142B2 JP 4054142 B2 JP4054142 B2 JP 4054142B2 JP 27465999 A JP27465999 A JP 27465999A JP 27465999 A JP27465999 A JP 27465999A JP 4054142 B2 JP4054142 B2 JP 4054142B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic field
- ferromagnetic
- antiferromagnetic
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁記録媒体からの磁化情報を読取る磁気ヘッドに使用される磁気抵抗効果素子に関し、特に巨大磁気抵抗（giant-magnetoresistive）効果を利用するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子（以下、ＳＶＭＲ型素子とする）に関する。ＳＶＭＲ型素子は非常に微小な外部磁界により生じる磁性層の磁気抵抗値変化を検出する高感度な磁気抵抗効果素子であり、近年において急速に高密度化された磁気記録装置で使用する再生素子として有望である。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＳＶＭＲ型素子１００は図１に示した基本構成を有している。ＳＶＭＲ型素子１００は、強磁性層よりなる自由磁性層１０１、自由磁性層１０１の上に形成された非磁性導電性層１０２、非磁性導電性層１０２の上に形成された強磁性層よりなる固定磁性層１０３及び固定磁性層１０３の上に形成された反強磁性層１０４の４層を含んでいる。なお、図１に示したＳＶＭＲ型素子１００は順方向積層タイプと称されるものあり下側の層から順に薄膜形成技術を用いて形成される積層体である。これとは逆に反強磁性層１０４を下側として逆順に積層する逆方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子も知られている。ここでは、図１の順方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子１００について説明を行なうが逆方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子についても同様である。
【０００３】
図１において、自由磁性層１０１の磁化方向が磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇにより磁気回転し、固定磁性層１０３の磁化方向との相対角が変化することによりＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗は変化する。このＳＶＭＲ型素子１００を再生用の磁気ヘッドに用いる場合には、固定磁性層１０３の磁化方向をＳＶＭＲ型素子１００の素子高さ方向Ｈに固定する。そして、外部磁界が印加されていない状態では自由磁性層１０１の磁化方向を固定磁性層１０３と直交する素子幅方向Ｗとするように設計している。このように固定磁性層１０３の磁化方向と自由磁性層１０１の磁化方向とが直交する状態に維持できれば、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇが固定磁性層１０３の磁化方向に対しては平行又は反平行であり自由磁性層１０１の磁化方向に対しては直交状態で侵入することになるので、ＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗を対称的に検出することができる。このような対称的な磁気抵抗変化は磁気記録再生装置内での後の信号処理を容易にし、感度良く磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを再生できることになる。
【０００４】
しかし、ＳＶＭＲ型素子１００の周辺には自由磁性層１０１の磁化方向を傾けるように作用する漏洩磁界が存在している。自由磁性層１０１に作用する漏洩磁界としては固定磁性層１０３の端面に生じる磁荷により発生する磁界を主なものとして、他に固定磁性層１０３と自由磁性層１０１との間に作用する交換結合磁界、ＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗を検出するために流されるセンス電流が作るセンス電流磁界等がある。これら漏洩磁界の影響を受けるため、信号磁界Ｈｓｉｇが存在しない場合において自由磁性層１０１の磁化方向は素子幅方向Ｗと平行な状態から素子高さ方向Ｈに傾いてしまう。そのために、信号磁界Ｈｓｉｇに応答するＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗変化を対称的に維持できなかった。
【０００５】
そこで、自由磁性層１０１の磁化方向を素子幅方向Ｗと平行とするために、素子高さ方向Ｈに自由磁性層１０１の磁化方向の傾きを修正する新たな修正磁界を印加する方法がある。本明細書では、上記素子高さ方向Ｈで、漏洩磁界を打消すための修正磁界をバイアス磁界と称する。このバイアス磁界は外部磁界が存在しない時に固定磁性層１０３と自由磁性層１０１との磁化方向が略直角を成すように設定される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＳＶＭＲ型素子１００の寸法は再生しようとする磁気記録密度により決定される。最近の急激な高記録密度化により磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇの幅が益々狭くなっている。この信号磁界Ｈｓｉｇを正確に読取るためには素子幅ｗをさらに減少させる必要がある。ところが、ＳＶＭＲ型素子１００の素子幅ｗの長さが素子高さｈの長さよりも短くなると形状異方性から自由磁性層１０１が素子高さ方向Ｈへ傾きやすくなる。さらに、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇが素子高さ方向Ｈには侵入しにくくなることも考慮すると素子幅ｗの減少に伴い素子高さｈの減少も必要となる。
【０００７】
その一方、磁気ヘッドにおいて実際に使用されているＳＶＭＲ型素子１００はサブミクロン単位の寸法である。上記漏洩磁界のうちで素子高さｈが低くなることで固定磁性層１０３からの漏洩磁界の影響が大きくなってくる。磁気記録媒体の高密度化に伴いさらに素子高さｈが減少すると、固定磁性層１０３からの静磁気的な漏洩磁界がさらに強くなり、自由磁性層１０１の磁化方向が傾き固定磁性層１０３と反平行状態になることも予想される。
【０００８】
従来において、素子高さｈを小さくた場合の改善策として、固定磁性層１０３からの漏洩磁界を打消す方向にセンス電流磁界が発生するように電流方向を設定する方法がある。しかし、許容センス電流には限界があり、例えば４５ＭＡ／ｃｍ2 のセンス電流を流した場合に発生する磁界は高々１０Ｏｅと小さい。したがって、センス電流によるバイアス磁界の大きな改善は望めない。
【０００９】
また、固定磁性層１０３の磁化量を低減するという方法も考えられるが、ＳＶＭＲ型素子１００の磁性的な特性を維持するには固定磁性層１０３は一定以上の層厚が必要であり、磁化量を低減することは困難である。
さらに、最近、強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順に積層した積層体を形成して、この積層体を前述した従来の固定磁性層に代えて使用する技術が提案されている（以下、このタイプの固定磁性層を積層型固定磁性層と称す）。この積層型固定磁性層は反平行結合中間層を間に挟んで上下の強磁性層の磁化方向が反平行状態となる。すなわち、上下の強磁性層の磁化方向が平行であり、向きが逆となっている。よって、上下に位置する２つの強磁性層の磁化が互いに打消し合うので、自由磁性層への漏れ磁界の低減が図られている。この積層型固定磁性層は一般に同一の磁性材料で成膜されるため上下の強磁性層の層厚が等しい場合には自由磁性層への漏れ磁界は略ゼロとなり漏洩磁界の防止に効果的である。
【００１０】
しかしながら、ＳＶＭＲ型素子の機能を考慮すると一方向異方性磁界（Ｈｕａ）又は磁気抵抗効果といった磁気的特性を向上させるために上記２つの強磁性層は異なる層厚に形成する必要がある。具体的には、反強磁性層に接する側の強磁性層は薄く、非磁性導電性層に接する側の強磁性層は厚く形成される。そのために、この積層型固定磁性層を使用しても、固定磁性層からの漏洩磁界を完全に打消すことは困難であった。
【００１１】
したがって、本発明の目的は漏洩磁界による問題を解消し、自由磁性層の磁化方向が傾くことがなく、対称的な磁気抵抗変化により磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することが可能なスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子を提供することにある。
なお、本明細書では、磁化の方向に関して前後方向を考慮するときには「向き」の語を、これを考慮しなくてもよいときには「方向」の語を原則として使用している。また反平行とは逆向きかつ平行であることを意味している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、自由磁性層と、非磁性導電性層と、磁化の方向が互いに反平行である２つの強磁性層及び前記２つの強磁性層に挟まれている反平行結合中間層を有する固定磁性層とを含むスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、前記固定磁性層に積層される反強磁性層と、前記反強磁性層の固定磁性層とは反対側に積層される第３の強磁性層とを備え、前記２つの強磁性層のうち、反強磁性層に近い強磁性層は、反強磁性層から遠い強磁性層よりも膜厚が小さいことにより、反強磁性層から遠い強磁性層よりも自由磁性層に印加する漏洩磁界が弱く、かつ第３の強磁性層と磁化の向きが同じであることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子が提供される。
【００１３】
本発明によれば、固定磁性層の２つの強磁性層は、磁化の方向が互いに反平行となるので、固定磁性層からの漏洩磁界の発生が抑制され、さらにその漏洩磁界を打消す方向に第３強磁性層の磁化の方向が設定されているので、漏洩磁界を確実に打消すことができ、自由磁性層の磁化方向が傾くことがない。従って、本発明によれば、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができる、高密度化に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果素子として提供することができる。
【００１４】
本発明の他の観点によれば、自由磁性層と、非磁性導電性層と、固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で積層された積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、前記反強磁性層の上記積層体の側とは反対側に、漏洩磁界を打消すための漏洩磁界打消層を設け、前記固定磁性層（又は前記漏洩磁界打消層）が、反平行結合中間層と、該反平行結合中間層を挟む２つの強磁性層からなり、前記漏洩磁界打消層（又は前記固定磁性層）が、単層であり、該２つの強磁性層のうち、反強磁性層に接する強磁性層は、反強磁性層から遠い強磁性層よりも膜厚が小さく、前記反強磁性層の交換結合磁界により、反強磁性層に接する強磁性層（又は固定磁性層）および漏洩磁界打消層（又は強磁性層）の磁化が同一の向きに固定されてなることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子が提供される。
さらに、前記自由磁性層の非磁性導電性層の反対側に、他の非磁性導電層と、他の固定磁性層と、他の反強磁性層と、他の漏洩磁界打消層とが積層されてなり、前記他の固定磁性層（又は前記他の漏洩磁界打消層）が、他の反平行結合中間層と、該他の反平行結合中間層を挟む２つの他の強磁性層からなり、前記他の漏洩磁界打消層（前記他の固定磁性層）が、単層であり、前記他の反強磁性層の交換結合磁界により、他の反強磁性層に接する他の強磁性層（又は他の固定磁性層）および他の漏洩磁界打消層（又は他の強磁性層）の磁化が同一の向きに固定されてなる構成としてもよい。これにより、デュアル型のＳＶＭＲ型素子についても、自由磁性層に影響を及ぼす漏洩磁界を打消すことが可能であり、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下図に基づいて本発明の実施例について説明する。
本発明は自由磁性層の磁化方向が漏洩磁界により傾くことを防止したＳＶＭＲ型素子を提供するものであり、強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順次積層した積層体を有効に活用している。
【００１９】
第１実施例では、ＳＶＭＲ型素子の固定磁性層として上記積層体を用い積層型固定磁性層とする場合について示す。次に第２実施例では、ＳＶＭＲ型素子の基本構成層は維持し、上記積層体を漏洩磁界を抑制するための第２積層体としてＳＶＭＲ型素子の基本構成層に付加した場合について示す。第１実施例及び第２実施例は自由磁性層へ悪影響を及ぼすような漏洩磁界を打消す手段を有している点で同様な例であるが、上記積層体の用い方が相違する。これについては以下の具体的な説明で明らかにする。さらに、第３実施例では、デュアルタイプのＳＶＭＲ型素子で漏洩磁界を打消す層を設けた場合ついて示す。
【００２０】
図２は本発明の第１実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
図２には順方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子１０が示されている。ＳＶＭＲ型素子１０は、下から順に第１強磁性層となる自由磁性層１１、非磁性導電性層１２、積層型固定磁性層Ａ及び反強磁性層１６によりＳＶＭＲ型素子として機能するための基本構成層を有し、更にその上に漏洩磁界を打消すための第４強磁性層１７を有している。上記積層型固定磁性層Ａは下から順に第２強磁性層（本第１実施例で第２固定磁性層）１３、反平行結合中間層１４及び第３強磁性層（本第１実施例で第１固定磁性層）１５を順次積層した構成となっている。
【００２１】
上記自由磁性層１１としては、例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）、ニッケル−コバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）等の磁性材料を使用することができ、層厚は約２ｎｍから約６ｎｍとすることができる。上記非磁性導電性層１２としては、例えば銅（Ｃｕ）等の非磁性材料を使用することができ、層厚は約２ｎｍから約４ｎｍとすることができる。上記反強磁性層１６としては、例えばマンガン系の合金でニッケル−マンガン（Ｎｉ−Ｍｎ）等の磁性材料を使用することができ、層厚は約１０ｎｍから約３０ｎｍとすることができる。上記積層型固定磁性層Ａとしては、例えば、コバルト−鉄／ルテニウム／コバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ／Ｒｕ／Ｃｏ−Ｆｅ）からなる３層を約４ｎｍから約６ｎｍに形成して使用することができる。
【００２２】
また、第４強磁性層１７としては、例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）等の磁性材料を使用することができ、層厚は約１ｎｍから約５ｎｍとすることができる。
上記ＳＶＭＲ型素子１０の各層を具体的に説明する。第１固定磁性層１５及び第２固定磁性層１３は、同一の磁性材料コバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ 残留磁化密度１．５テスラ（Ｔ））を用い、層厚は第１固定磁性層１５が約１ｎｍ、第２固定磁性層１３が約２ｎｍとした。これら２つの固定磁性層の間に挟まれる反平行結合中間層１４としてはルテニウムを用い約０．８ｎｍとした。反平行結合中間層１４は接する上下の強磁性層の磁化方向を反平行状態とする機能を有している。したがって、図２にも示されるように第１固定磁性層１５の磁化向きと第２固定磁性層１３の磁化向きは平行で逆向きである。
【００２３】
上記第１固定磁性層１５上の反強磁性層１６にはパラジウム−白金−マンガン（Ｐｄ−Ｐｔ−Ｍｎ）を用いた。この反強磁性層１６の層厚が漏洩磁界に及ぼす影響を確認するために、上述した第１固定磁性層１５、第２固定磁性層１３及び反平行結合中間層１４に関して、反強磁性層１６の層厚を１０ｎｍ及び２５ｎｍの２種類準備した。
【００２４】
また、反強磁性層１６上の第４強磁性層１７は、ニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ 残留磁化密度１テスラ（Ｔ））とし、第４強磁性層１７の層厚が漏洩磁界に及ぼす影響を確認するために、同様に上記第１固定磁性層１５、第２固定磁性層１３及び反平行結合中間層１４に関して層厚を０、１、２、３、４、５ｎｍとしてＳＶＭＲ型素子１０を製作した。このときの反強磁性層１６は層厚２５ｎｍとした。なお、第４強磁性層１７の磁化向きは第１固定磁性層１５の磁化向きと同一となっている。
【００２５】
自由磁性層１２は、Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｏ−Ｆｅの積層膜（残留磁化密度１．５テスラ（Ｔ））を用い、層厚は約４ｎｍとし、この自由磁性層１１と第２固定磁性層１３の間の非磁性導電性層１２は銅を用い約３ｎｍとした。
上記構成のＳＶＭＲ型素子１０は素子幅ｗを約１μｍに仕上げ、素子高さは０．２から１μｍまでとした。
【００２６】
上記ＳＶＭＲ型素子１０について、自由磁性層１１に印加される主な漏洩磁界として積層型固定磁性層Ａからのものを測定した。第１固定磁性層１５と第２固定磁性層１３の磁化方向は反平行にあり互いに打消し合い、漏洩磁界が生じないように設計されてはいる。しかし、ＳＶＭＲ型素子として機能させるためは、第２固定磁性層１３の層厚を第１固定磁性層に対し厚く設定しなければならない。そのために第１固定磁性層１５と第２固定磁性層１３との間を完全な閉磁界とすることができず漏洩磁界が発生する。この漏洩磁界が自由磁性層１１の磁化方向を傾ける主な原因であると考えられることからこの漏洩磁界による影響を測定した。
【００２７】
この漏洩磁界の検出点は自由磁性層１１の厚さ方向Ｔの中央位置で素子高さ方向Ｈに０．０２μｍ間隔で配置し、面内での漏洩磁界成分（Ｈｘ）の素子高さ方向Ｈでの平均として平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）を算出した。
まず、図３には上記第４強磁性層１７を設けていない従来の積層型固定磁性層を有するＳＶＭＲ型素子について、平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）と素子高さｈとの関係を示した。比較のために、本実施例のＳＶＭＲ型素子１０の平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）を示す前に、前提として従来型のＳＶＭＲ型素子の場合について示す。平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）は素子高さｈに依存し、素子高さｈの減少に伴い増大する傾向が確認できる。素子高さｈが０．２μｍの場合は平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）は９０Ｏｅ以上にもなり漏洩磁界の影響が極めて大きいことが確認できる。
【００２８】
図４は第１実施例の第１固定磁性層１５上に反強磁性層１６を介して第４強磁性層１７を設けた場合の平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）について示している。ここでは第４強磁性層１７の層厚を０、１、２、３、４、５ｎｍと変化させた。このとき反強磁性層１６の層厚は２５ｎｍ、素子高さｈは０．２μｍとした。
素子高さｈを最も低い０．２μｍに設定しても、第４強磁性層１７の層厚の増加に伴い、平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）は減少し、第４強磁性層１７の層厚が約３ｎｍの時には略ゼロまで減少することが確認できる。この結果から、第４強磁性層１７を反強磁性層１６の上に設け、その層厚（磁化量）を調整することで自由磁性層１１に印加される漏洩磁界を打消すことができることが確認できる。
【００２９】
図５は、他の条件は図４の場合と同様とし反強磁性層１６の層厚を２５ｎｍより薄い１０ｎｍとした場合について示している。平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）がゼロとなる第４強磁性層１７の層厚が、図４の場合と比較して約２．５ｎｍまで減少している。よって、第４強磁性層１７を固定磁性層（積層型固定磁性層Ａ）に近づけて配置することで、第４強磁性層の層厚を薄くしても平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）をゼロとするこができ、第４強磁性層を薄く形成することが可能であることが分かる。
【００３０】
また、一般に磁性層からの磁界は磁性層の層厚に依存すると共に磁性層の磁化量にも依存するため、本実施例で第４強磁性層に用いたニッケル−鉄よりも磁化量の大きな磁性材料を採用すれば、この第４強磁性層１７の層厚をより薄く形成することが可能である。
なお、実際の磁気ヘッドに用いられたＳＶＭＲ型素子に印加される漏洩磁界は、前述したように固定磁性層からの漏洩磁界の他に、固定磁性層と自由磁性層間に作用する強磁性的な交換結合磁界、センス電流によるセンス電流磁界等からのの漏洩磁界も存在する。しかし、第１実施例の説明から明らかなように、第４強磁性層１７に使用する磁性材料とその層厚を適宜選択して、磁化量を設定することで自由磁性層１１に印加される漏洩磁界をゼロにすることが可能である。
【００３１】
上記第１実施例のＳＶＭＲ型素子１０はスパッタ法、蒸着法等の成膜技術とフォトリソグラフィ技術を用いた薄膜形成技術によりアルミナ或いはセラミック基板上に順次成膜する工程により製造することができる。
なお、本実施例では反強磁性層１６として規則系の合金を用いている。したがって、製造工程において反強磁性層１６を規則化するときに第１固定磁性層１５と共に、その反対側で反強磁性層１６に接する第４強磁性層１７の磁化向きを同一に固定することができる。
【００３２】
また、上記第１実施例では順方向に積層したＳＶＭＲ型素子１０について説明したが逆積層タイプのＳＶＭＲ型素子も同様に効果を奏する。
次に本発明の第２実施例について説明する。図６は第２実施例のＳＶＭＲ型素子２０を示している。下側の第１積層体ＸはＳＶＭＲ型素子の基本積層体であり、下から順に自由磁性層２１（第１強磁性層）、非磁性導電性層２２、固定磁性層２３（第２強磁性層）及び反強磁性層２４から成っている。この第１積層体の固定磁性層２３からは、前述したように自由磁性層２１の磁化方向を傾けるような漏洩磁界が発生する。そこで、本第２実施例のＳＶＭＲ型素子２０は反強磁性層２４の上に、この漏洩磁界を打消すためにさらに第２積層体Ｙを有している。
【００３３】
この第２積層体Ｙは、下から第３強磁性層２５、反平行結合中間層２６及び第４強磁性層２７を順次積層して形成されている。
固定磁性層２３の磁化向きと第３強磁性層２５の磁化向きは、反強磁性層２４を間にして同一である。本実施例の場合も反強磁性層２４を規則化するときに、その上下の固定磁性層２３及び第３強磁性層２５の磁化方向を同時に固定できる。だだし、この状態では第３強磁性層２５の磁界が増加した分、自由磁性層２１へ印加される漏洩磁界が却って増加する。
【００３４】
しかし、本第２実施例では第３強磁性層２５上に反平行結合中間層２６及び第４強磁性層２７を順次積層している。第４強磁性層２７の磁化向きは、反平行結合中間層２６を介して第３強磁性層２５（及び固定磁性層２３）と反対である。よって、この第４強磁性層２７の磁化量を適切に設定することで固定磁性層２３及び第３強磁性層２５からの漏洩磁界を打消すことができる。
【００３５】
上記第２積層体Ｙの第４強磁性層２７は、固定磁性層２３及び第３強磁性層２５からの漏洩磁界を打消すために、第３強磁性層２５より強い磁化量を必要とする。よって、第３強磁性層２５と第４強磁性層２７に同一の磁性材料を使用した時には第４強磁性層２７の層厚が厚くなる。
上記ＳＶＭＲ型素子２０は順方向積層タイプであるが、逆方向積層タイプを同様に製作できることは言うまでもない。
【００３６】
本第２実施例のＳＶＭＲ型素子２０も、上記第１実施例のＳＶＭＲ型素子１０で例示した磁性材料を使用し、薄膜形成技術により製造することができる。
図７に本発明の第３実施例のＳＶＭＲ型素子３０を示す。ＳＶＭＲ型素子３０はいわゆるデュアル型と称されるＳＶＭＲ型素子である。
自由磁性層３１を中間位置にして、その上下に対称的に非磁性導電性層３２Ａ、３２Ｂ、固定磁性層３３Ａ、３３Ｂ、反強磁性層３４Ａ、３４Ｂ及び漏洩磁界を打消すための強磁性層３５Ａ、３５Ｂが配置されている。このデュアル型のＳＶＭＲ型素子３０でも強磁性層３５Ａ、３５Ｂのそれぞれの層厚を適宜調整して固定磁性層３３Ａ、３３Ｂ等からの漏洩磁界を打消すようにすることができる。
【００３７】
その際、固定磁性層３３Ａ、３３Ｂのそれぞれは、単層体、又は強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順次積層した積層体で構成することができる。固定磁性層３３Ａ及び３３Ｂは同一の層構成である必要はなく単層体と積層体とすることも可能である。
同様に漏洩磁界を打消すための強磁性層３５Ａ、３５Ｂについても、強磁性層３５Ａ、３５Ｂのそれぞれは、単層体、又は強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順次積層した積層体で構成することができる。強磁性層３５Ａ及び３５Ｂは同一の構成である必要はなく単層体と積層体とすることも可能である。さらに、上記強磁性層３５Ａ及び強磁性層３５Ｂは必ず上下それぞれに配置する必要はなく、どちらか一方で漏洩磁界を打消すようにしてもよい。
【００３８】
ただし、固定磁性層３３Ａ（３３Ｂ）が単層体である時には、反強磁性層３４Ａ（３４Ｂ）を挟んで配置される強磁性層３５Ａ（３５Ｂ）は積層体とする。一方、固定磁性層３３Ａ（３３Ｂ）が積層体である時には、反強磁性層３４Ａ（３４Ｂ）を挟んで配置される強磁性層３５Ａ（３５Ｂ）は単層体とする。これは、前記第１及び第２実施例を参照すれば明らかなように、固定磁性層を積層型固定磁性層とした時には単層型の強磁性層で漏洩磁界を打消す構成とし、固定磁性層を単層体とした時には積層型の強磁性層で漏洩磁界を打消す構成とする組合せにより漏洩磁界を打消す効果が得られるからである。
【００３９】
上記、第３実施例のデュアル型ＳＶＭＲ型素子３０においても、自由磁性層３１の磁化方向を傾けるような漏洩磁界を抑制して、高感度に信号磁界Ｈｓｉｇを検出できる。
最後に、本発明のＳＶＭＲ型素子を用いた読取りヘッドを搭載した磁気記録媒体駆動装置について簡単に説明する。図８は磁気記録媒体駆動装置の要部を示す図である。磁気記録媒体駆動装置４０には磁気記録媒体としてのハードディスク４１が搭載され、回転駆動されるようになっている。このハードディスク４１の表面に対向して所定の浮上量で、例えば第１実施例のＳＶＭＲ型素子１０を読取り側に有する複合型磁気ヘッド５０で磁気再生動作が行われる。なお、複合型磁気ヘッド５０はアーム７０の先端にあるスライダ７１の前端部に固定されている。磁気ヘッド５０の位置決めは、通常のアクチュエータと電磁式微動微動アクチュエータを組合せた２段式アクチュエーが採用できる。
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４１】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１記載の発明によれば、
反平行結合中間層を間に挟んで第２強磁性層と第３強磁性層との磁化方向は反平行となるので積層型固定磁性層からの漏洩磁界の発生が抑制され、さらに第４強磁性層を設けているので確実に漏洩磁界を打消すことができ自由磁性層の磁化方向が素子幅方向に維持される。
【００４２】
よって、本発明によれば磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができ、高密度化に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果素子として提供できる。
また、請求項２記載の発明によれば、
従来タイプのＳＶＭＲ型素子において固定磁性層等から発生する漏洩磁界は、第２積層体により打消すことができる。よって、自由磁性層の磁化方向が傾くことが防止でき、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子として提供できる。
【００４３】
また、請求項３に記載の発明によれば、
デュアル型のＳＶＭＲ型素子についても、自由磁性層に影響を及ぼす漏洩磁界を打消すことが可能であり、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができる。
なお、以上の発明に関して更に以下の項を開示する。
【００４４】
（１） 第１強磁性層となる自由磁性層と、非磁性導電性層と、第２強磁性層、反平行結合中間層及び第３強磁性層を順次積層した積層型固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で積層された積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、
上記反強磁性層の上記積層体の側とは反対側に、漏洩磁界を打消すための第４強磁性層を有する、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
【００４５】
（２） 第１項記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、
前記記第４強磁性層は前記反強磁性層に接し交換結合磁界によりその磁化が前記第３強磁性層と同一の磁化向きに固定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この場合、積層型固定磁性層の第３強磁性層の磁化方向は反強磁性層との交換結合磁界により固定されており、第４強磁性層の磁化方向も反強磁性層との交換結合磁界により同一の向きに固定される。よって、非磁性導電性層に接して強い磁化量を有する第２強磁性層の磁界を第３強磁性層の磁界で打消せなかった場合にも第４強磁性層の磁界により残りの磁界を打消すことができるため、自由磁性層に影響を与えるような漏洩磁界を打消すことができる。
【００４６】
（３） 第１項又は２項記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、 前記第４強磁性層と前記第３強磁性層とが形成する磁界で前記漏洩磁界を打消すように、該第４強磁性層の磁化量が設定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この磁化量の設定は使用する磁性材料、層厚を適宜調整することで、漏洩磁界を略ゼロとすることができる。
【００４７】
（４） 第１強磁性層となる自由磁性層と、非磁性導電性層と、第２強磁性層となる固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で順次積層された第１積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、
上記反強磁性層の上記第１積層体の側とは反対側に、第３強磁性層、反平行結合中間層及び第４強磁性層を順次積層した漏洩磁界を打消すための第２積層体を有する、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
【００４８】
（５） 第４項の記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、
前記第３強磁性層は前記反強磁性層に接し交換結合磁界によりその磁化が前記固定磁性層と同一の磁化向きに固定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この場合、固定磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層からの交換結合磁界を利用して、第２積層体の第３強磁性層の磁化方向も同一向きに固定され、第４強磁性層の磁化方向は反平行結合中間層を介しているので反平行となる。よって、固定磁性層からの漏洩磁界は第４強磁性層の磁化量を調整することにより打消すことができる。したがって、自由磁性層に影響を与えるような漏洩磁界を打消すことができる。
【００４９】
（６） 第４項又は５項記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、 前記第４強磁性層が形成する磁界で前記漏洩磁界を打消すように、該第４強磁性層の磁化量が設定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この磁化量の設定は使用する磁性材料、層厚を適宜調整して行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来のＳＶＭＲ型素子の基本構成について示す図である。
【図２】 本発明の第１実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
【図３】 従来の積層型固定磁性層を有するＳＶＭＲ型素子について、平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）と素子高さｈとの関係を示す図である。
【図４】 第１実施例の第１固定磁性層上に反強磁性層を介して第４強磁性層を設けた場合の平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）について示す図である。
【図５】 他の条件は図４の場合と同様とし反強磁性層の層厚を１０ｎｍとした場合について示す図である。
【図６】 本発明の第２実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
【図７】 本発明の第３実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
【図８】 第１実施例のＳＶＭＲ型素子を用いた磁気記録媒体駆動装置の要部を示す図である。
【符号の説明】
１０ スピンバルブ型磁気抵抗効果素子
１１ 自由磁性層
１２ 非磁性導電性層
Ａ 積層型固定磁性層
（１３ 第２固定磁性層、１４ 反平行結合中間層、 １５第１固定磁性層）
１６ 反強磁性層
１７ 第４強磁性層
【発明の属する技術分野】
本発明は磁記録媒体からの磁化情報を読取る磁気ヘッドに使用される磁気抵抗効果素子に関し、特に巨大磁気抵抗（giant-magnetoresistive）効果を利用するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子（以下、ＳＶＭＲ型素子とする）に関する。ＳＶＭＲ型素子は非常に微小な外部磁界により生じる磁性層の磁気抵抗値変化を検出する高感度な磁気抵抗効果素子であり、近年において急速に高密度化された磁気記録装置で使用する再生素子として有望である。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＳＶＭＲ型素子１００は図１に示した基本構成を有している。ＳＶＭＲ型素子１００は、強磁性層よりなる自由磁性層１０１、自由磁性層１０１の上に形成された非磁性導電性層１０２、非磁性導電性層１０２の上に形成された強磁性層よりなる固定磁性層１０３及び固定磁性層１０３の上に形成された反強磁性層１０４の４層を含んでいる。なお、図１に示したＳＶＭＲ型素子１００は順方向積層タイプと称されるものあり下側の層から順に薄膜形成技術を用いて形成される積層体である。これとは逆に反強磁性層１０４を下側として逆順に積層する逆方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子も知られている。ここでは、図１の順方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子１００について説明を行なうが逆方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子についても同様である。
【０００３】
図１において、自由磁性層１０１の磁化方向が磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇにより磁気回転し、固定磁性層１０３の磁化方向との相対角が変化することによりＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗は変化する。このＳＶＭＲ型素子１００を再生用の磁気ヘッドに用いる場合には、固定磁性層１０３の磁化方向をＳＶＭＲ型素子１００の素子高さ方向Ｈに固定する。そして、外部磁界が印加されていない状態では自由磁性層１０１の磁化方向を固定磁性層１０３と直交する素子幅方向Ｗとするように設計している。このように固定磁性層１０３の磁化方向と自由磁性層１０１の磁化方向とが直交する状態に維持できれば、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇが固定磁性層１０３の磁化方向に対しては平行又は反平行であり自由磁性層１０１の磁化方向に対しては直交状態で侵入することになるので、ＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗を対称的に検出することができる。このような対称的な磁気抵抗変化は磁気記録再生装置内での後の信号処理を容易にし、感度良く磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを再生できることになる。
【０００４】
しかし、ＳＶＭＲ型素子１００の周辺には自由磁性層１０１の磁化方向を傾けるように作用する漏洩磁界が存在している。自由磁性層１０１に作用する漏洩磁界としては固定磁性層１０３の端面に生じる磁荷により発生する磁界を主なものとして、他に固定磁性層１０３と自由磁性層１０１との間に作用する交換結合磁界、ＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗を検出するために流されるセンス電流が作るセンス電流磁界等がある。これら漏洩磁界の影響を受けるため、信号磁界Ｈｓｉｇが存在しない場合において自由磁性層１０１の磁化方向は素子幅方向Ｗと平行な状態から素子高さ方向Ｈに傾いてしまう。そのために、信号磁界Ｈｓｉｇに応答するＳＶＭＲ型素子１００の磁気抵抗変化を対称的に維持できなかった。
【０００５】
そこで、自由磁性層１０１の磁化方向を素子幅方向Ｗと平行とするために、素子高さ方向Ｈに自由磁性層１０１の磁化方向の傾きを修正する新たな修正磁界を印加する方法がある。本明細書では、上記素子高さ方向Ｈで、漏洩磁界を打消すための修正磁界をバイアス磁界と称する。このバイアス磁界は外部磁界が存在しない時に固定磁性層１０３と自由磁性層１０１との磁化方向が略直角を成すように設定される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＳＶＭＲ型素子１００の寸法は再生しようとする磁気記録密度により決定される。最近の急激な高記録密度化により磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇの幅が益々狭くなっている。この信号磁界Ｈｓｉｇを正確に読取るためには素子幅ｗをさらに減少させる必要がある。ところが、ＳＶＭＲ型素子１００の素子幅ｗの長さが素子高さｈの長さよりも短くなると形状異方性から自由磁性層１０１が素子高さ方向Ｈへ傾きやすくなる。さらに、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇが素子高さ方向Ｈには侵入しにくくなることも考慮すると素子幅ｗの減少に伴い素子高さｈの減少も必要となる。
【０００７】
その一方、磁気ヘッドにおいて実際に使用されているＳＶＭＲ型素子１００はサブミクロン単位の寸法である。上記漏洩磁界のうちで素子高さｈが低くなることで固定磁性層１０３からの漏洩磁界の影響が大きくなってくる。磁気記録媒体の高密度化に伴いさらに素子高さｈが減少すると、固定磁性層１０３からの静磁気的な漏洩磁界がさらに強くなり、自由磁性層１０１の磁化方向が傾き固定磁性層１０３と反平行状態になることも予想される。
【０００８】
従来において、素子高さｈを小さくた場合の改善策として、固定磁性層１０３からの漏洩磁界を打消す方向にセンス電流磁界が発生するように電流方向を設定する方法がある。しかし、許容センス電流には限界があり、例えば４５ＭＡ／ｃｍ2 のセンス電流を流した場合に発生する磁界は高々１０Ｏｅと小さい。したがって、センス電流によるバイアス磁界の大きな改善は望めない。
【０００９】
また、固定磁性層１０３の磁化量を低減するという方法も考えられるが、ＳＶＭＲ型素子１００の磁性的な特性を維持するには固定磁性層１０３は一定以上の層厚が必要であり、磁化量を低減することは困難である。
さらに、最近、強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順に積層した積層体を形成して、この積層体を前述した従来の固定磁性層に代えて使用する技術が提案されている（以下、このタイプの固定磁性層を積層型固定磁性層と称す）。この積層型固定磁性層は反平行結合中間層を間に挟んで上下の強磁性層の磁化方向が反平行状態となる。すなわち、上下の強磁性層の磁化方向が平行であり、向きが逆となっている。よって、上下に位置する２つの強磁性層の磁化が互いに打消し合うので、自由磁性層への漏れ磁界の低減が図られている。この積層型固定磁性層は一般に同一の磁性材料で成膜されるため上下の強磁性層の層厚が等しい場合には自由磁性層への漏れ磁界は略ゼロとなり漏洩磁界の防止に効果的である。
【００１０】
しかしながら、ＳＶＭＲ型素子の機能を考慮すると一方向異方性磁界（Ｈｕａ）又は磁気抵抗効果といった磁気的特性を向上させるために上記２つの強磁性層は異なる層厚に形成する必要がある。具体的には、反強磁性層に接する側の強磁性層は薄く、非磁性導電性層に接する側の強磁性層は厚く形成される。そのために、この積層型固定磁性層を使用しても、固定磁性層からの漏洩磁界を完全に打消すことは困難であった。
【００１１】
したがって、本発明の目的は漏洩磁界による問題を解消し、自由磁性層の磁化方向が傾くことがなく、対称的な磁気抵抗変化により磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することが可能なスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子を提供することにある。
なお、本明細書では、磁化の方向に関して前後方向を考慮するときには「向き」の語を、これを考慮しなくてもよいときには「方向」の語を原則として使用している。また反平行とは逆向きかつ平行であることを意味している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、自由磁性層と、非磁性導電性層と、磁化の方向が互いに反平行である２つの強磁性層及び前記２つの強磁性層に挟まれている反平行結合中間層を有する固定磁性層とを含むスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、前記固定磁性層に積層される反強磁性層と、前記反強磁性層の固定磁性層とは反対側に積層される第３の強磁性層とを備え、前記２つの強磁性層のうち、反強磁性層に近い強磁性層は、反強磁性層から遠い強磁性層よりも膜厚が小さいことにより、反強磁性層から遠い強磁性層よりも自由磁性層に印加する漏洩磁界が弱く、かつ第３の強磁性層と磁化の向きが同じであることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子が提供される。
【００１３】
本発明によれば、固定磁性層の２つの強磁性層は、磁化の方向が互いに反平行となるので、固定磁性層からの漏洩磁界の発生が抑制され、さらにその漏洩磁界を打消す方向に第３強磁性層の磁化の方向が設定されているので、漏洩磁界を確実に打消すことができ、自由磁性層の磁化方向が傾くことがない。従って、本発明によれば、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができる、高密度化に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果素子として提供することができる。
【００１４】
本発明の他の観点によれば、自由磁性層と、非磁性導電性層と、固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で積層された積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、前記反強磁性層の上記積層体の側とは反対側に、漏洩磁界を打消すための漏洩磁界打消層を設け、前記固定磁性層（又は前記漏洩磁界打消層）が、反平行結合中間層と、該反平行結合中間層を挟む２つの強磁性層からなり、前記漏洩磁界打消層（又は前記固定磁性層）が、単層であり、該２つの強磁性層のうち、反強磁性層に接する強磁性層は、反強磁性層から遠い強磁性層よりも膜厚が小さく、前記反強磁性層の交換結合磁界により、反強磁性層に接する強磁性層（又は固定磁性層）および漏洩磁界打消層（又は強磁性層）の磁化が同一の向きに固定されてなることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子が提供される。
さらに、前記自由磁性層の非磁性導電性層の反対側に、他の非磁性導電層と、他の固定磁性層と、他の反強磁性層と、他の漏洩磁界打消層とが積層されてなり、前記他の固定磁性層（又は前記他の漏洩磁界打消層）が、他の反平行結合中間層と、該他の反平行結合中間層を挟む２つの他の強磁性層からなり、前記他の漏洩磁界打消層（前記他の固定磁性層）が、単層であり、前記他の反強磁性層の交換結合磁界により、他の反強磁性層に接する他の強磁性層（又は他の固定磁性層）および他の漏洩磁界打消層（又は他の強磁性層）の磁化が同一の向きに固定されてなる構成としてもよい。これにより、デュアル型のＳＶＭＲ型素子についても、自由磁性層に影響を及ぼす漏洩磁界を打消すことが可能であり、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下図に基づいて本発明の実施例について説明する。
本発明は自由磁性層の磁化方向が漏洩磁界により傾くことを防止したＳＶＭＲ型素子を提供するものであり、強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順次積層した積層体を有効に活用している。
【００１９】
第１実施例では、ＳＶＭＲ型素子の固定磁性層として上記積層体を用い積層型固定磁性層とする場合について示す。次に第２実施例では、ＳＶＭＲ型素子の基本構成層は維持し、上記積層体を漏洩磁界を抑制するための第２積層体としてＳＶＭＲ型素子の基本構成層に付加した場合について示す。第１実施例及び第２実施例は自由磁性層へ悪影響を及ぼすような漏洩磁界を打消す手段を有している点で同様な例であるが、上記積層体の用い方が相違する。これについては以下の具体的な説明で明らかにする。さらに、第３実施例では、デュアルタイプのＳＶＭＲ型素子で漏洩磁界を打消す層を設けた場合ついて示す。
【００２０】
図２は本発明の第１実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
図２には順方向積層タイプのＳＶＭＲ型素子１０が示されている。ＳＶＭＲ型素子１０は、下から順に第１強磁性層となる自由磁性層１１、非磁性導電性層１２、積層型固定磁性層Ａ及び反強磁性層１６によりＳＶＭＲ型素子として機能するための基本構成層を有し、更にその上に漏洩磁界を打消すための第４強磁性層１７を有している。上記積層型固定磁性層Ａは下から順に第２強磁性層（本第１実施例で第２固定磁性層）１３、反平行結合中間層１４及び第３強磁性層（本第１実施例で第１固定磁性層）１５を順次積層した構成となっている。
【００２１】
上記自由磁性層１１としては、例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）、ニッケル−コバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）等の磁性材料を使用することができ、層厚は約２ｎｍから約６ｎｍとすることができる。上記非磁性導電性層１２としては、例えば銅（Ｃｕ）等の非磁性材料を使用することができ、層厚は約２ｎｍから約４ｎｍとすることができる。上記反強磁性層１６としては、例えばマンガン系の合金でニッケル−マンガン（Ｎｉ−Ｍｎ）等の磁性材料を使用することができ、層厚は約１０ｎｍから約３０ｎｍとすることができる。上記積層型固定磁性層Ａとしては、例えば、コバルト−鉄／ルテニウム／コバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ／Ｒｕ／Ｃｏ−Ｆｅ）からなる３層を約４ｎｍから約６ｎｍに形成して使用することができる。
【００２２】
また、第４強磁性層１７としては、例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）等の磁性材料を使用することができ、層厚は約１ｎｍから約５ｎｍとすることができる。
上記ＳＶＭＲ型素子１０の各層を具体的に説明する。第１固定磁性層１５及び第２固定磁性層１３は、同一の磁性材料コバルト−鉄（Ｃｏ−Ｆｅ 残留磁化密度１．５テスラ（Ｔ））を用い、層厚は第１固定磁性層１５が約１ｎｍ、第２固定磁性層１３が約２ｎｍとした。これら２つの固定磁性層の間に挟まれる反平行結合中間層１４としてはルテニウムを用い約０．８ｎｍとした。反平行結合中間層１４は接する上下の強磁性層の磁化方向を反平行状態とする機能を有している。したがって、図２にも示されるように第１固定磁性層１５の磁化向きと第２固定磁性層１３の磁化向きは平行で逆向きである。
【００２３】
上記第１固定磁性層１５上の反強磁性層１６にはパラジウム−白金−マンガン（Ｐｄ−Ｐｔ−Ｍｎ）を用いた。この反強磁性層１６の層厚が漏洩磁界に及ぼす影響を確認するために、上述した第１固定磁性層１５、第２固定磁性層１３及び反平行結合中間層１４に関して、反強磁性層１６の層厚を１０ｎｍ及び２５ｎｍの２種類準備した。
【００２４】
また、反強磁性層１６上の第４強磁性層１７は、ニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ 残留磁化密度１テスラ（Ｔ））とし、第４強磁性層１７の層厚が漏洩磁界に及ぼす影響を確認するために、同様に上記第１固定磁性層１５、第２固定磁性層１３及び反平行結合中間層１４に関して層厚を０、１、２、３、４、５ｎｍとしてＳＶＭＲ型素子１０を製作した。このときの反強磁性層１６は層厚２５ｎｍとした。なお、第４強磁性層１７の磁化向きは第１固定磁性層１５の磁化向きと同一となっている。
【００２５】
自由磁性層１２は、Ｎｉ−Ｆｅ／Ｃｏ−Ｆｅの積層膜（残留磁化密度１．５テスラ（Ｔ））を用い、層厚は約４ｎｍとし、この自由磁性層１１と第２固定磁性層１３の間の非磁性導電性層１２は銅を用い約３ｎｍとした。
上記構成のＳＶＭＲ型素子１０は素子幅ｗを約１μｍに仕上げ、素子高さは０．２から１μｍまでとした。
【００２６】
上記ＳＶＭＲ型素子１０について、自由磁性層１１に印加される主な漏洩磁界として積層型固定磁性層Ａからのものを測定した。第１固定磁性層１５と第２固定磁性層１３の磁化方向は反平行にあり互いに打消し合い、漏洩磁界が生じないように設計されてはいる。しかし、ＳＶＭＲ型素子として機能させるためは、第２固定磁性層１３の層厚を第１固定磁性層に対し厚く設定しなければならない。そのために第１固定磁性層１５と第２固定磁性層１３との間を完全な閉磁界とすることができず漏洩磁界が発生する。この漏洩磁界が自由磁性層１１の磁化方向を傾ける主な原因であると考えられることからこの漏洩磁界による影響を測定した。
【００２７】
この漏洩磁界の検出点は自由磁性層１１の厚さ方向Ｔの中央位置で素子高さ方向Ｈに０．０２μｍ間隔で配置し、面内での漏洩磁界成分（Ｈｘ）の素子高さ方向Ｈでの平均として平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）を算出した。
まず、図３には上記第４強磁性層１７を設けていない従来の積層型固定磁性層を有するＳＶＭＲ型素子について、平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）と素子高さｈとの関係を示した。比較のために、本実施例のＳＶＭＲ型素子１０の平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）を示す前に、前提として従来型のＳＶＭＲ型素子の場合について示す。平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）は素子高さｈに依存し、素子高さｈの減少に伴い増大する傾向が確認できる。素子高さｈが０．２μｍの場合は平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）は９０Ｏｅ以上にもなり漏洩磁界の影響が極めて大きいことが確認できる。
【００２８】
図４は第１実施例の第１固定磁性層１５上に反強磁性層１６を介して第４強磁性層１７を設けた場合の平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）について示している。ここでは第４強磁性層１７の層厚を０、１、２、３、４、５ｎｍと変化させた。このとき反強磁性層１６の層厚は２５ｎｍ、素子高さｈは０．２μｍとした。
素子高さｈを最も低い０．２μｍに設定しても、第４強磁性層１７の層厚の増加に伴い、平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）は減少し、第４強磁性層１７の層厚が約３ｎｍの時には略ゼロまで減少することが確認できる。この結果から、第４強磁性層１７を反強磁性層１６の上に設け、その層厚（磁化量）を調整することで自由磁性層１１に印加される漏洩磁界を打消すことができることが確認できる。
【００２９】
図５は、他の条件は図４の場合と同様とし反強磁性層１６の層厚を２５ｎｍより薄い１０ｎｍとした場合について示している。平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）がゼロとなる第４強磁性層１７の層厚が、図４の場合と比較して約２．５ｎｍまで減少している。よって、第４強磁性層１７を固定磁性層（積層型固定磁性層Ａ）に近づけて配置することで、第４強磁性層の層厚を薄くしても平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）をゼロとするこができ、第４強磁性層を薄く形成することが可能であることが分かる。
【００３０】
また、一般に磁性層からの磁界は磁性層の層厚に依存すると共に磁性層の磁化量にも依存するため、本実施例で第４強磁性層に用いたニッケル−鉄よりも磁化量の大きな磁性材料を採用すれば、この第４強磁性層１７の層厚をより薄く形成することが可能である。
なお、実際の磁気ヘッドに用いられたＳＶＭＲ型素子に印加される漏洩磁界は、前述したように固定磁性層からの漏洩磁界の他に、固定磁性層と自由磁性層間に作用する強磁性的な交換結合磁界、センス電流によるセンス電流磁界等からのの漏洩磁界も存在する。しかし、第１実施例の説明から明らかなように、第４強磁性層１７に使用する磁性材料とその層厚を適宜選択して、磁化量を設定することで自由磁性層１１に印加される漏洩磁界をゼロにすることが可能である。
【００３１】
上記第１実施例のＳＶＭＲ型素子１０はスパッタ法、蒸着法等の成膜技術とフォトリソグラフィ技術を用いた薄膜形成技術によりアルミナ或いはセラミック基板上に順次成膜する工程により製造することができる。
なお、本実施例では反強磁性層１６として規則系の合金を用いている。したがって、製造工程において反強磁性層１６を規則化するときに第１固定磁性層１５と共に、その反対側で反強磁性層１６に接する第４強磁性層１７の磁化向きを同一に固定することができる。
【００３２】
また、上記第１実施例では順方向に積層したＳＶＭＲ型素子１０について説明したが逆積層タイプのＳＶＭＲ型素子も同様に効果を奏する。
次に本発明の第２実施例について説明する。図６は第２実施例のＳＶＭＲ型素子２０を示している。下側の第１積層体ＸはＳＶＭＲ型素子の基本積層体であり、下から順に自由磁性層２１（第１強磁性層）、非磁性導電性層２２、固定磁性層２３（第２強磁性層）及び反強磁性層２４から成っている。この第１積層体の固定磁性層２３からは、前述したように自由磁性層２１の磁化方向を傾けるような漏洩磁界が発生する。そこで、本第２実施例のＳＶＭＲ型素子２０は反強磁性層２４の上に、この漏洩磁界を打消すためにさらに第２積層体Ｙを有している。
【００３３】
この第２積層体Ｙは、下から第３強磁性層２５、反平行結合中間層２６及び第４強磁性層２７を順次積層して形成されている。
固定磁性層２３の磁化向きと第３強磁性層２５の磁化向きは、反強磁性層２４を間にして同一である。本実施例の場合も反強磁性層２４を規則化するときに、その上下の固定磁性層２３及び第３強磁性層２５の磁化方向を同時に固定できる。だだし、この状態では第３強磁性層２５の磁界が増加した分、自由磁性層２１へ印加される漏洩磁界が却って増加する。
【００３４】
しかし、本第２実施例では第３強磁性層２５上に反平行結合中間層２６及び第４強磁性層２７を順次積層している。第４強磁性層２７の磁化向きは、反平行結合中間層２６を介して第３強磁性層２５（及び固定磁性層２３）と反対である。よって、この第４強磁性層２７の磁化量を適切に設定することで固定磁性層２３及び第３強磁性層２５からの漏洩磁界を打消すことができる。
【００３５】
上記第２積層体Ｙの第４強磁性層２７は、固定磁性層２３及び第３強磁性層２５からの漏洩磁界を打消すために、第３強磁性層２５より強い磁化量を必要とする。よって、第３強磁性層２５と第４強磁性層２７に同一の磁性材料を使用した時には第４強磁性層２７の層厚が厚くなる。
上記ＳＶＭＲ型素子２０は順方向積層タイプであるが、逆方向積層タイプを同様に製作できることは言うまでもない。
【００３６】
本第２実施例のＳＶＭＲ型素子２０も、上記第１実施例のＳＶＭＲ型素子１０で例示した磁性材料を使用し、薄膜形成技術により製造することができる。
図７に本発明の第３実施例のＳＶＭＲ型素子３０を示す。ＳＶＭＲ型素子３０はいわゆるデュアル型と称されるＳＶＭＲ型素子である。
自由磁性層３１を中間位置にして、その上下に対称的に非磁性導電性層３２Ａ、３２Ｂ、固定磁性層３３Ａ、３３Ｂ、反強磁性層３４Ａ、３４Ｂ及び漏洩磁界を打消すための強磁性層３５Ａ、３５Ｂが配置されている。このデュアル型のＳＶＭＲ型素子３０でも強磁性層３５Ａ、３５Ｂのそれぞれの層厚を適宜調整して固定磁性層３３Ａ、３３Ｂ等からの漏洩磁界を打消すようにすることができる。
【００３７】
その際、固定磁性層３３Ａ、３３Ｂのそれぞれは、単層体、又は強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順次積層した積層体で構成することができる。固定磁性層３３Ａ及び３３Ｂは同一の層構成である必要はなく単層体と積層体とすることも可能である。
同様に漏洩磁界を打消すための強磁性層３５Ａ、３５Ｂについても、強磁性層３５Ａ、３５Ｂのそれぞれは、単層体、又は強磁性層、反平行結合中間層及び強磁性層を順次積層した積層体で構成することができる。強磁性層３５Ａ及び３５Ｂは同一の構成である必要はなく単層体と積層体とすることも可能である。さらに、上記強磁性層３５Ａ及び強磁性層３５Ｂは必ず上下それぞれに配置する必要はなく、どちらか一方で漏洩磁界を打消すようにしてもよい。
【００３８】
ただし、固定磁性層３３Ａ（３３Ｂ）が単層体である時には、反強磁性層３４Ａ（３４Ｂ）を挟んで配置される強磁性層３５Ａ（３５Ｂ）は積層体とする。一方、固定磁性層３３Ａ（３３Ｂ）が積層体である時には、反強磁性層３４Ａ（３４Ｂ）を挟んで配置される強磁性層３５Ａ（３５Ｂ）は単層体とする。これは、前記第１及び第２実施例を参照すれば明らかなように、固定磁性層を積層型固定磁性層とした時には単層型の強磁性層で漏洩磁界を打消す構成とし、固定磁性層を単層体とした時には積層型の強磁性層で漏洩磁界を打消す構成とする組合せにより漏洩磁界を打消す効果が得られるからである。
【００３９】
上記、第３実施例のデュアル型ＳＶＭＲ型素子３０においても、自由磁性層３１の磁化方向を傾けるような漏洩磁界を抑制して、高感度に信号磁界Ｈｓｉｇを検出できる。
最後に、本発明のＳＶＭＲ型素子を用いた読取りヘッドを搭載した磁気記録媒体駆動装置について簡単に説明する。図８は磁気記録媒体駆動装置の要部を示す図である。磁気記録媒体駆動装置４０には磁気記録媒体としてのハードディスク４１が搭載され、回転駆動されるようになっている。このハードディスク４１の表面に対向して所定の浮上量で、例えば第１実施例のＳＶＭＲ型素子１０を読取り側に有する複合型磁気ヘッド５０で磁気再生動作が行われる。なお、複合型磁気ヘッド５０はアーム７０の先端にあるスライダ７１の前端部に固定されている。磁気ヘッド５０の位置決めは、通常のアクチュエータと電磁式微動微動アクチュエータを組合せた２段式アクチュエーが採用できる。
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４１】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１記載の発明によれば、
反平行結合中間層を間に挟んで第２強磁性層と第３強磁性層との磁化方向は反平行となるので積層型固定磁性層からの漏洩磁界の発生が抑制され、さらに第４強磁性層を設けているので確実に漏洩磁界を打消すことができ自由磁性層の磁化方向が素子幅方向に維持される。
【００４２】
よって、本発明によれば磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができ、高密度化に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果素子として提供できる。
また、請求項２記載の発明によれば、
従来タイプのＳＶＭＲ型素子において固定磁性層等から発生する漏洩磁界は、第２積層体により打消すことができる。よって、自由磁性層の磁化方向が傾くことが防止でき、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子として提供できる。
【００４３】
また、請求項３に記載の発明によれば、
デュアル型のＳＶＭＲ型素子についても、自由磁性層に影響を及ぼす漏洩磁界を打消すことが可能であり、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓｉｇを高感度に再生することができる。
なお、以上の発明に関して更に以下の項を開示する。
【００４４】
（１） 第１強磁性層となる自由磁性層と、非磁性導電性層と、第２強磁性層、反平行結合中間層及び第３強磁性層を順次積層した積層型固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で積層された積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、
上記反強磁性層の上記積層体の側とは反対側に、漏洩磁界を打消すための第４強磁性層を有する、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
【００４５】
（２） 第１項記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、
前記記第４強磁性層は前記反強磁性層に接し交換結合磁界によりその磁化が前記第３強磁性層と同一の磁化向きに固定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この場合、積層型固定磁性層の第３強磁性層の磁化方向は反強磁性層との交換結合磁界により固定されており、第４強磁性層の磁化方向も反強磁性層との交換結合磁界により同一の向きに固定される。よって、非磁性導電性層に接して強い磁化量を有する第２強磁性層の磁界を第３強磁性層の磁界で打消せなかった場合にも第４強磁性層の磁界により残りの磁界を打消すことができるため、自由磁性層に影響を与えるような漏洩磁界を打消すことができる。
【００４６】
（３） 第１項又は２項記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、 前記第４強磁性層と前記第３強磁性層とが形成する磁界で前記漏洩磁界を打消すように、該第４強磁性層の磁化量が設定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この磁化量の設定は使用する磁性材料、層厚を適宜調整することで、漏洩磁界を略ゼロとすることができる。
【００４７】
（４） 第１強磁性層となる自由磁性層と、非磁性導電性層と、第２強磁性層となる固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で順次積層された第１積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、
上記反強磁性層の上記第１積層体の側とは反対側に、第３強磁性層、反平行結合中間層及び第４強磁性層を順次積層した漏洩磁界を打消すための第２積層体を有する、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
【００４８】
（５） 第４項の記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、
前記第３強磁性層は前記反強磁性層に接し交換結合磁界によりその磁化が前記固定磁性層と同一の磁化向きに固定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この場合、固定磁性層の磁化方向を固定する反強磁性層からの交換結合磁界を利用して、第２積層体の第３強磁性層の磁化方向も同一向きに固定され、第４強磁性層の磁化方向は反平行結合中間層を介しているので反平行となる。よって、固定磁性層からの漏洩磁界は第４強磁性層の磁化量を調整することにより打消すことができる。したがって、自由磁性層に影響を与えるような漏洩磁界を打消すことができる。
【００４９】
（６） 第４項又は５項記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、 前記第４強磁性層が形成する磁界で前記漏洩磁界を打消すように、該第４強磁性層の磁化量が設定されている、
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
この磁化量の設定は使用する磁性材料、層厚を適宜調整して行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来のＳＶＭＲ型素子の基本構成について示す図である。
【図２】 本発明の第１実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
【図３】 従来の積層型固定磁性層を有するＳＶＭＲ型素子について、平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）と素子高さｈとの関係を示す図である。
【図４】 第１実施例の第１固定磁性層上に反強磁性層を介して第４強磁性層を設けた場合の平均値（Ｈｘ−ａｖｅ．）について示す図である。
【図５】 他の条件は図４の場合と同様とし反強磁性層の層厚を１０ｎｍとした場合について示す図である。
【図６】 本発明の第２実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
【図７】 本発明の第３実施例のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の概要構成を示す図である。
【図８】 第１実施例のＳＶＭＲ型素子を用いた磁気記録媒体駆動装置の要部を示す図である。
【符号の説明】
１０ スピンバルブ型磁気抵抗効果素子
１１ 自由磁性層
１２ 非磁性導電性層
Ａ 積層型固定磁性層
（１３ 第２固定磁性層、１４ 反平行結合中間層、 １５第１固定磁性層）
１６ 反強磁性層
１７ 第４強磁性層
Claims (7)
- 自由磁性層と、非磁性導電性層と、磁化の方向が互いに反平行である２つの強磁性層及び前記２つの強磁性層に挟まれている反平行結合中間層を有する固定磁性層とを含むスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、
前記固定磁性層に積層される反強磁性層と、
前記反強磁性層の固定磁性層とは反対側に積層される第３の強磁性層とを備え、
前記２つの強磁性層のうち、反強磁性層に近い強磁性層は、反強磁性層から遠い強磁性層よりも膜厚が小さいことにより、反強磁性層から遠い強磁性層よりも自由磁性層に印加する漏洩磁界が弱く、かつ第３の強磁性層と磁化の向きが同じであることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。 - 前記２つの強磁性層は、磁化量が互いに異なることを特徴とする請求項１記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
- 前記自由磁性層の固定磁性層とは反対側に、第２の非磁性導電性層と、第２の固定磁性層をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
- 自由磁性層と、非磁性導電性層と、固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で積層された積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、
前記反強磁性層の上記積層体の側とは反対側に、漏洩磁界を打消すための漏洩磁界打消層を設け、
前記固定磁性層が、反平行結合中間層と、該反平行結合中間層を挟む２つの強磁性層からなり、
前記漏洩磁界打消層が、単層であり、
該２つの強磁性層のうち、反強磁性層に接する強磁性層は、反強磁性層から遠い強磁性層よりも膜厚が小さく、
前記反強磁性層の交換結合磁界により、反強磁性層に接する強磁性層および漏洩磁界打消層の磁化が同一の向きに固定されてなることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。 - 自由磁性層と、非磁性導電性層と、固定磁性層と、反強磁性層とが、この順又はその逆順で積層された積層体を含むスピンバルブ型磁気抵抗効果型素子であって、
前記反強磁性層の上記積層体の側とは反対側に、漏洩磁界を打消すための漏洩磁界打消層を設け、
前記漏洩磁界打消層が、反平行結合中間層と、該反平行結合中間層を挟む２つの強磁性層からなり、
前記固定磁性層が、単層であり、
該２つの強磁性層のうち、反強磁性層に接する強磁性層は、反強磁性層から遠い強磁性層よりも膜厚が小さく、
前記反強磁性層の交換結合磁界により、反強磁性層に接する固定磁性層および強磁性層の磁化が同一の向きに固定されてなることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。 - 前記自由磁性層の非磁性導電性層の反対側に、他の非磁性導電層と、他の固定磁性層と、他の反強磁性層と、他の漏洩磁界打消層とが積層されてなり、
前記他の固定磁性層が、他の反平行結合中間層と、該他の反平行結合中間層を挟む２つの他の強磁性層からなり、
前記他の漏洩磁界打消層が、単層であり、
前記他の反強磁性層の交換結合磁界により、他の反強磁性層に接する他の強磁性層および他の漏洩磁界打消層の磁化が同一の向きに固定されてなることを特徴とする請求項４又は５記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。 - 前記自由磁性層の非磁性導電性層の反対側に、他の非磁性導電層と、他の固定磁性層と、他の反強磁性層と、他の漏洩磁界打消層とが積層されてなり、
前記他の漏洩磁界打消層が、他の反平行結合中間層と、該他の反平行結合中間層を挟む２つの他の強磁性層からなり、
前記他の固定磁性層が、単層であり、
前記他の反強磁性層の交換結合磁界により、他の反強磁性層に接する他の固定磁性層および他の強磁性層の磁化が同一の向きに固定されてなることを特徴とする請求項４又は５記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27465999A JP4054142B2 (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | スピンバルブ型磁気抵抗効果型素子 |
| US09/667,136 US6661624B1 (en) | 1999-09-28 | 2000-09-21 | Spin-valve magnetoresistive device having a layer for canceling a leakage magnetic field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27465999A JP4054142B2 (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | スピンバルブ型磁気抵抗効果型素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001101624A JP2001101624A (ja) | 2001-04-13 |
| JP4054142B2 true JP4054142B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=17544778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27465999A Expired - Fee Related JP4054142B2 (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | スピンバルブ型磁気抵抗効果型素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6661624B1 (ja) |
| JP (1) | JP4054142B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020006021A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-17 | Beach Robert S. | Spin valve sensor with an antiferromagnetic layer between two pinned layers |
| JP2006245277A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
| JP2006245274A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
| JP2007273057A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4907113A (en) * | 1987-07-29 | 1990-03-06 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head |
| JP3086731B2 (ja) * | 1991-09-30 | 2000-09-11 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JP2656449B2 (ja) | 1993-09-09 | 1997-09-24 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果ヘッド |
| JPH0877519A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型トランスジューサ |
| JPH08293107A (ja) | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | 横バイアス膜を用いた磁気記録再生装置 |
| JP2812280B2 (ja) | 1996-01-26 | 1998-10-22 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子および外部磁場再生方法 |
| JPH09245318A (ja) | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JP3461999B2 (ja) | 1996-03-28 | 2003-10-27 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子 |
| JP3137580B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2001-02-26 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気変換素子 |
| JP3291208B2 (ja) * | 1996-10-07 | 2002-06-10 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド |
| JPH10198927A (ja) | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Nec Corp | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
| US6038107A (en) * | 1997-10-27 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Antiparallel-pinned spin valve sensor |
| US5898549A (en) * | 1997-10-27 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Anti-parallel-pinned spin valve sensor with minimal pinned layer shunting |
| US5880913A (en) * | 1997-10-27 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned spin valve sensor with read signal symmetry |
| JPH11163438A (ja) | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
| JPH11175925A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型素子及び磁気記録再生装置 |
| JPH11296823A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果センサ，磁気記録システム |
| JP3793669B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2006-07-05 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 巨大磁気抵抗効果ヘッド、薄膜磁気ヘッドならびに磁気記録再生装置 |
| US6594123B1 (en) * | 2000-02-08 | 2003-07-15 | International Business Machines Corporation | AP pinned spin valve read head with a negative ferromagnetic field biased for zero asymmetry |
| US6456469B1 (en) * | 2000-06-05 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Buffer layer of a spin valve structure |
| US6515838B1 (en) * | 2000-06-06 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Biasing correction for simple GMR head |
| US6452763B1 (en) * | 2000-06-06 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | GMR design with nano oxide layer in the second anti-parallel pinned layer |
| US6563680B2 (en) * | 2001-03-08 | 2003-05-13 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with pinned layer and antiparallel (AP) pinned layer structure pinned by a single pinning layer |
| US6418048B1 (en) * | 2001-08-15 | 2002-07-09 | Read-Rite Corporation | Spin-dependent tunneling sensor suitable for a magnetic memory |
| US6600638B2 (en) * | 2001-09-17 | 2003-07-29 | International Business Machines Corporation | Corrosion resistive GMR and MTJ sensors |
-
1999
- 1999-09-28 JP JP27465999A patent/JP4054142B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-21 US US09/667,136 patent/US6661624B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6661624B1 (en) | 2003-12-09 |
| JP2001101624A (ja) | 2001-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6473275B1 (en) | Dual hybrid magnetic tunnel junction/giant magnetoresistive sensor | |
| EP0611033B1 (en) | A magnetoresistive spin valve sensor and magnetic storage system incorporating such a sensor | |
| US6888703B2 (en) | Multilayered structures comprising magnetic nano-oxide layers for current perpindicular to plane GMR heads | |
| US6023395A (en) | Magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor with in-stack biasing | |
| US8179642B2 (en) | Magnetoresistive effect element in CPP structure and magnetic disk device | |
| US5991125A (en) | Magnetic head | |
| JP2786601B2 (ja) | 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム | |
| JP4177954B2 (ja) | 磁気トンネル接合積層型ヘッド及びその製法 | |
| US7130166B2 (en) | CPP GMR with improved synthetic free layer | |
| JP3657875B2 (ja) | トンネル磁気抵抗効果素子 | |
| US7330339B2 (en) | Structure providing enhanced self-pinning for CPP GMR and tunnel valve heads | |
| US20030011939A1 (en) | Dual/differential GMR head with a singlel AFM layer | |
| WO2021162732A1 (en) | Two-dimensional magnetic recording (tdmr) read head structure with different stacked sensors and disk drive incorporating the structure | |
| US8098464B2 (en) | CPP-type magneto resistance element having a pair of free layers and spacer layer sandwiched therebetween | |
| US7019949B2 (en) | Self-pinned spin valve sensor having its first AP pinned layer thicker than its second AP pinned layer to reduce the likelihood of amplitude flip | |
| JP3657487B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子およびその製造方法、およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド | |
| US6542341B1 (en) | Magnetic sensors having an antiferromagnetic layer exchange-coupled to a free layer | |
| US8310791B2 (en) | Magnetoresistive effect element and magnetic disk device | |
| JP3706793B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子及びその製造方法並びにこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド | |
| US7029770B2 (en) | Exchange-coupled film, spin valve film, thin film magnetic head, magnetic head apparatus, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US6738234B1 (en) | Thin film magnetic head and magnetic transducer | |
| US20070097561A1 (en) | Magneto-resistive element having a free layer provided with a ternary alloy layer | |
| US20020044397A1 (en) | Spin valve magnetoresistance effect head and compound magnetic head using it and magnetic recording medium drive unit | |
| US7782576B2 (en) | Exchange-coupling film incorporating stacked antiferromagnetic layer and pinned layer, and magnetoresistive element including the exchange-coupling film | |
| US7268979B2 (en) | Head with thin AFM with high positive magnetostrictive pinned layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050322 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060518 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060731 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070717 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070913 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071112 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071207 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |