JP4051204B2 - 投影露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光源の発する光束を所定のパターンが形成されたマスクに透過させたうえで感光剤が塗布されたプリント配線基板に投射し、前記所定のパターンを前記プリント配線基板に転写する、投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント配線基板の配線パターンや液晶パネルの透明薄膜電極などを描画する方法として、従来より投影露光装置等が利用されている。投影露光装置は超高圧水銀灯などの高出力の光源から発せられる光束を所定のパターンがかかれたマスクに投射し、さらにこの光束を感光剤の塗布されたプリント配線基板や集積回路、液晶パネルなどの被露光体上で結像させてマスクのパターンを被露光体に転写するものである。
【0003】
一般にプリント配線基板は、スルーホールを穿孔した後、銅メッキし、次いで整面処理を行って銅表面の酸化膜を除去し、最後に感光剤が塗布される。この整面処理、温度変化、積層工程によりプリント配線基板は最大0.2%程度伸縮する。プリント配線基板が伸縮することによってスルーホールの位置も変動するため、このような投影露光装置はプリント配線基板上に結像するマスクのパターンの像の伸縮率を変更可能とすることが望まれている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題に鑑み、マスクの像の伸縮率の変更を可能とした投影露光装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の投影露光装置は、光学系が、光源より発せられマスクを通過した光束を偏向させる第1の平面鏡と、第1の平面鏡によって偏向した光束が入射されるレンズユニットと、レンズユニットから射出された光束を反射させてレンズユニットに再度入射させ、その反射面が前記マスクに対して垂直に配置されている反射手段と、反射手段によって反射されたのち、レンズユニットから射出された光束を偏向させ、マスクと平行に配置されたプリント配線基板上で結像させる第2の平面鏡と、プリント配線基板上で結像したマスクの像のマスクに対する伸縮率を変更可能な像伸縮機構と、を有し、像伸縮機構は、反射手段をレンズユニットの光軸方向に進退させる反射手段駆動機構と、マスクとプリント配線基板とが、レンズユニットに対して互いに共役となる状態を保持しつつ、マスクとプリント配線基板が共にレンズユニットの焦点位置からずれる状態に設定する位置設定手段と、を有する。
【0006】
すなわち、光源からの光束が入射する反射手段をレンズユニットの光軸方向に移動させて投影露光装置のレンズユニットから所定距離だけ移動させることにより、レンズユニットから反射手段に向かう光束の瞳位置がレンズユニットの光軸方向にずれてテレセン性が扇状に崩れる。さらにマスクとプリント配線基板が互いに共役状態を保ちつつ共にレンズユニットの焦点位置からずれるようにすることにより、マスクのパターンの像の伸縮率を変更することができる。
【0007】
また、第1および第2の平面鏡をマスクに対して近接または離間させることによって、マスクとプリント配線基板とが、レンズユニットに対して互いに共役となる状態を保持しつつ、マスクとプリント配線基板が共にレンズユニットの焦点位置からずれる状態に設定する構成としてもよい。
【0008】
また、マスクの像のマスクに対する伸縮率をMgnp、レンズユニットの焦点距離をfとすると、第1および第2の平面鏡のマスクに対して近接または離間させる方向への移動量ΔD1および反射手段の前記レンズユニットから離間又はする方向の移動量ΔL1は、式
|Mgnp−1| = 2 × ΔD1 × ΔL1 / f2
を満たし、
反射手段が前記レンズユニットから離間する場合においてはマスクの像の前記マスクに対する伸縮率が1倍以上の時は第1および第2の平面鏡は前記マスクから離間するように移動し、伸縮率が1倍未満の時は第1および第2の平面鏡はマスクに近づくよう移動する構成としてもよい。また、反射手段が前記レンズユニットに接近する場合においては、前式を満たした状態で、マスクの像の前記マスクに対する伸縮率が1倍以上の時は第1および第2の平面鏡は前記マスクに近づくように移動し、伸縮率が1倍未満の時は第1および第2の平面鏡はマスクから離間するよう移動する構成としてもよい。
【0009】
また、像伸縮機構がプリント配線基板の伸縮率を計測可能な伸縮率計測手段を有する構成としても良い。伸縮率計測手段がプリント配線基板の伸縮率を計測する方法としては、例えばマスクおよびプリント配線基板上の長手方向と短手方向にそれぞれ少なくとも2つ形成されたマーク間の距離をそれぞれ計測し、プリント配線基板のマーク間距離計測結果とマスクのマーク間距離計測結果を比較する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図1は、本実施形態による投影露光装置を模式的に示したものである。なお、以下の説明においては、主走査方向(マスクおよびプリント基板が駆動される方向)をX軸、副走査方向をY軸、光束がプリント基板に入射する方向をZ軸と定義している。また、X軸については図1中左下から右上に向かう方向、Y軸については図1中右下から左上に向かう方向、Z軸については図1中下から上に向かう方向をそれぞれ正としている。図1には光源2は1つしか記載されていないが、実際の投影露光装置はY軸方向に複数個の光源および投影光学系が配置されており、マスクおよびプリント基板を往復させること無くプリント基板全面を露光することができる。
【0011】
本実施形態の投影露光装置1は、光源2、コリメータレンズ3、マスク4、折り返しミラー5、レンズユニット6、ダハミラー7、基板ホルダ8を有する。
【0012】
光源2は例えば超高圧水銀灯のような、プリント基板に塗布された感光剤を感光させるのに充分な波長と出力を有する光源である。光源2から放射されるZ軸負の方向向きの光束はコリメータレンズ3によってマスク4上で矩形状に照明され、次いで折り返しミラー5に入射する。
【0013】
折り返しミラー5は、直角二等辺三角形断面の三角柱形状の部材であり、その高さ方向はY軸に平行である。また、折り返しミラー5の二等辺部側面は反射面であり、その反射面の法線は共に、X軸と45度の角度をなしている。折り返しミラー5はマスク4を通過した光束を反射してX軸正の方向に向かうよう屈曲させてレンズユニット6に入射させるとともに、レンズユニット6からX軸負の方向に折り返しミラー5に投射される光束を反射してZ軸負の方向に向かうよう屈曲させて基板ホルダ8に固定されたプリント基板Bに入射させる。プリント基板Bに入射した光束はプリント基板B上で結像する。すなわち、マスク4の像がプリント基板B上で結像し、プリント基板B上に塗布された感光剤によってこの像はプリント基板B上に転写される。
【0014】
レンズユニット6は複数の光学部材をX軸方向に並べたユニットであり、全体としては凸レンズと同様の働きをする。
【0015】
ダハミラー7は、2つの反射面がXY面上において90度の角度で内側を向くように構成されたミラーであり、レンズユニット6からダハミラー7に投射される光束をXY平面上で入射方向と同じ方向に反射してレンズユニット6に戻す。ダハミラー7は、レンズユニット6の焦点位置付近に配置されている。この構成によりマスク4のパターンは基板B上でXY方向共反転することなく同じ向きに転写される。
【0016】
マスク4および基板ホルダ8はそれぞれマスク駆動機構14、基板ホルダ駆動機構18によって駆動され、X軸方向に移動可能である。同様に、折り返しミラー5は折り返しミラー駆動機構15によって駆動され、X軸方向およびZ軸方向に移動可能である。また、ダハミラー7はダハミラー駆動機構17によってX軸方向およびY軸方向に移動可能である。
【0017】
また、投影露光装置1の各投影光学系にはマスク位置検出手段24および基板位置検出手段28が備えられている。マスク位置検出手段24および基板位置検出手段28はそれぞれプリント基板Bに塗布された感光剤と反応しない波長域および強度のランプと、CCDカメラとを備えている。マスク位置検出手段24はランプによってマスク4を照射すると共に、CCDカメラによってマスク4の全体画像を取得する。同様に、基板位置検出手段28はランプによってプリント基板Bを照射すると共に、CCDカメラによってプリント基板Bの全体画像を取得する。マスク4、プリント基板Bのそれぞれ4隅には位置合わせ用のマークがあり、コントローラ10はマスク位置検出手段24と基板位置検出手段28のそれぞれのCCDカメラによって取得されたマスク4およびプリント基板Bの全体画像を画像処理することにより、マスク4およびプリント基板Bのそれぞれについて、位置合わせ用のマークのそれぞれと光源2から発せられた光束の入射位置との距離を算出することができる。また、コントローラ10はマスク4およびプリント基板Bのそれぞれについて位置合わせ用のマーク間の距離を算出可能であり、マスク4上のマーク間の距離とプリント基板B上のマーク間の距離とを比較することにより、マスク4の像をプリント基板B上に転写するときの倍率を決定する。
【0018】
また高精度な位置合わせと倍率補正が要求される場合はマスク4、プリント基板Bの4隅のマーク位置それぞれにCCDカメラ24,28を配置して倍率を上げて検出する方法がある。この場合、光束の入射位置に対する各々のCCDカメラ位置は認識でき、このCCDカメラ位置からCCDカメラ同士の間隔を算出する事が可能である。したがって、CCDカメラ同士の間隔と各CCDカメラの撮影画像におけるマークの座標とから、位置合わせ用のマークのそれぞれと光源2から発せられた光束の入射位置との距離をより厳密に計測することが可能である。
【0019】
また、投影露光装置1は基板高さ検出機構38を有する。コントローラ10は基板高さ検出機構38を制御して、プリント基板Bの露光面のZ軸方向の位置を検出することができる。基板高さ検出機構38の具体的な構成については後述する。
【0020】
以上のように構成された投影露光装置1によって、マスク4の像をプリント基板Bに露光させる方法を図面を用いて以下に説明する。
【0021】
最初に、プリント基板Bの露光面の位置(Z軸方向)、およびプリント基板B上に結像されるマスク4の像の伸縮比が求められる。
【0022】
図2は、マスク4をZ軸正の方向から見た概略図である。マスク4は4辺のそれぞれがX軸またはY軸と平行である長方形板状の部材である。マスク4の中央部には、プリント配線パターンがかかれているマスク部4aが形成されており、またマスク4の周縁部4bには配線パターンはかかれていない。
【0023】
マスク4の周縁部4bの4隅には位置検出用のマークM1a,M1b,M1c,M1dがパターニングされている。マークM1a,M1b,M1c,M1dは4辺のそれぞれがX軸またはY軸と平行である長方形の4頂点にあり、この長方形の中にマスク部4aがすべて含まれるようになっている。コントローラ10はマスク位置検出手段24を制御して、マークM1aとM1bとの距離l11xと、マークM1cとM1dとの距離l12xと、マークM1bとM1cとの距離l11yと、マークM1aとM1dとの距離l12yとを算出する。次いで、l11xとl12xの平均値l1xと、l11yとl12yの平均値l1yとを求める。l1xおよびl1yは投影光学系のそれぞれが備えるマスク位置検出手段24毎に求められ、コントローラ10はその平均値l1xmおよびl1ymを演算する。
【0024】
図3は、プリント基板BをZ軸正の方向から見た概略図である。マスク4と同様、プリント基板Bの中央部にはプリント配線パターンが転写されるパターン部B1がある。プリント基板Bの周縁部B2の4隅には位置検出用マークまたは穴がありM2a,M2b,M2c,M2dとする。コントローラ10は基板位置検出手段28を制御して、マークM2aとM2bとの距離l21xと、マークM2cとM2dとの距離l22xと、マークM2bとM2cとの距離l21yと、マークM2aとM2dとの距離l22yとを算出する。次いで、l21xとl22xの平均値l2xと、l21yとl22yの平均値l2yとを求める。
【0025】
以上のように、l1x,l2x,l1y,l2yを算出することにより、X軸方向およびY軸方向のそれぞれについて、プリント基板Bがマスク4に比べてどの程度伸縮しているのかを演算することができる。プリント基板Bは整面処理、温度変化、積層工程により伸縮するため伸縮率がX,Y方向で異なる。本実施形態の投影露光装置1は、マスク4の像がプリント基板B上に結像するときの倍率を設定可能となっているが、X軸方向の倍率とY軸方向の倍率とを別個に設定することはできないので、適切な倍率Mgnpを演算する。
【0026】
本実施形態においては、各投影光学系のそれぞれが備えるマスク位置検出手段24および基板位置検出手段28毎にl1x,l2x,l1y,l2yを算出し、l1x,l2x,l1y,l2yそれぞれの平均値l1xm,l2xm,l1ym,l2ymを求める。次いで、適切な倍率Mgnpを式Mgnp=(l2xm+l2ym)/(l1xm+l1ym)を用いて算出する。
【0027】
倍率Mgnpを前述の式によって演算する構成とすると、X軸方向とY軸方向とでは異なる伸縮率で引き伸ばされたプリント基板にマスク4の像が適切な倍率Mgnpで投影されたとき、マスク4の像の投影位置とプリント基板とのずれ量の最大値を最小に保つことが可能となる。
【0028】
なお、本実施形態においては適切な倍率Mgnpを上記の式によって演算しているが、本発明は上記の式に限定されるものではなく、他の方法を用いて倍率Mgnpを演算しても構わない。例えば、Mgnp=(l2xm/l1xm+l2ym/l1ym)/2とする、l2xm/l1xmとl2ym/l1ymのうちいずれかをMgnpとする、或いは適切な定数m,nを用いてMgnp=(ml2xm/l1xm+nl2ym/l1ym)/(m+n)としてもよい。
【0029】
また、本実施の形態においては、投影光学系毎にl1x,l2x,l1y,l2yを算出し、それぞれの平均値l1xm,l2xm,l1ym,l2ymからMgnmを演算しているが、演算時間の短縮化のため、ある投影光学系のマスク位置検出手段24および基板位置検出手段28によって求められたl1x,l2x,l1y,l2yのみを用いて適切な倍率Mgnpを演算する構成としても良い。
【0030】
図4は、基板ホルダ8およびプリント基板BをY軸負の方向から見た概略図である。基板高さ検出機構38はプリント基板B上に塗布された感光剤と反応しない波長および強度のレーザ光LBをプリント基板Bに向けてXZ平面上斜め方向に入射させるレーザ光源38aと、38aより出射した光をプリント基板B上に集光させる凸レンズ38dと、プリント基板B上で反射したレーザ光LBを受光する受光部38bと、凸レンズ38cを有する。凸レンズ38cは受光部38bの受光面の手前に、その光軸が反射したレーザ光LBの光軸と平行になるよう配置されており、プリント基板B上で反射したレーザ光LBを屈折させて受光部38bの受光面内に収める。プリント基板B上の反射位置と受光部38bは凸レンズ38cの共役位置にあり、倍率μの関係になっている。尚、倍率μとはおよそ凸レンズ38cと受光部38b間の光軸方向の長さΛ2と、プリント基板B上反射面と凸レンズ38c間の光軸方向の長さΛ1の比Λ2/Λ1である。プリント基板B上で反射した時点でのレーザ光LBが凸レンズ38cの光軸よりもZ軸負の方向寄り(すなわち、プリント基板B寄り)のときは、レーザ光LBは凸レンズ38cの光軸よりもZ軸正の方向寄りの位置に入射する。
【0031】
受光部38bは受光部38bの受光面のどの位置にレーザ光LBが入射したのかを検出可能であり、この入射位置からプリント基板Bの高さを検出可能である。
【0032】
基板高さ検出機構38を用いたプリント基板Bの高さの検出方法を以下に詳説する。なお、受光部38bの受光面の中心(受光面と凸レンズ38cの光軸とが交差する点)にレーザ光LBが入射したときの基板高さBH0をあらかじめ実験によって算出する。
【0033】
ここで、レーザ光LBの入射位置が凸レンズ38cの光軸と受光部38bの受光面との交点からΔLDだけずれている場合、その時の基板高さBHは数1によって演算される。なお、レーザ光LBの入射位置がプリント基板Bから遠ざかる方向に移動している場合はΔLD>0、プリント基板Bに近づく方向に移動している場合はΔLD<0としている。また、θはレーザ光LBの入射角である。
【0034】
【数1】
【0035】
ここでBHをより精度良く検出する為にはあらかじめ実験等によりBHの変化に対するΔLDを計測しておく方法もある。
【0036】
以上の方法にて算出したプリント基板Bの高さBH、および折り返しミラー5の位置から、マスク4からレンズユニット6に至る光路長とレンズユニット6からプリント基板Bの露光面に至る光路長との和DLを演算可能となっている。
【0037】
マスク4上に形成されたパターンがプリント基板B上にピントが合った状態で結像するようにするためにはレンズユニット6に対してマスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となるように配置されていなければならない。本実施形態においてはレンズユニット6は固定されており、またマスク4および基板ホルダ8はZ軸方向には移動しない。
【0038】
上記のような構成の露光装置1においては、折り返しミラー5をX軸方向に移動させることにより、マスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となるようにしてピント合わせが行われる。距離DLがレンズユニット6の焦点距離の2倍であるとき、マスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となる。以下、折り返しミラー5の移動によってマスク4上に形成されたパターンがプリント基板B上に結像するようにする手順を図5を用いて説明する。
【0039】
図5は、図1の投影露光装置1をY軸方向に投影した側面図である。図5においては、図面の簡略化のためレンズユニット6は一枚の凸レンズとして、またダハミラー7は1枚の平面鏡として記載されている。コントローラ10は距離DLとレンズユニット6の焦点距離fを比較し、プリント基板Bの露光面とマスクのレンズユニット6による結像面との距離の差ΔDL=DL−2fを求める。次いで、ΔDL>0ならばX軸正の方向に、またΔDL<0ならばX軸負の方向に折り返しミラー5を距離|ΔDL|/2だけ移動させる。ここで、図5においてはΔDL>0であり、レンズユニット6による結像面の位置はプリント基板Bの露光面よりもZ軸正の方向に|ΔDL|だけ移動した位置(図5中2点鎖線で図示された位置)となる。折り返しミラー5をX軸正の方向に距離|ΔDL|/2だけ移動させたときの折り返しミラー5を破線で、またその時の光路を一点鎖線で示す。このときのマスク4からレンズユニット6に至る光路長とレンズユニット6からプリント基板Bの露光面に至る光路長との和DL’は折り返しミラー5を動かす前の距離DLよりも|ΔDL|だけ短くなっており、DL’=2fとなる。従ってマスク4とプリント基板Bの露光面とが共役の関係となり、マスク4上に形成されたパターンはプリント基板B上に結像するようになる。従って、上記のように前工程でプリント基板Bの高さを計測し、結像位置を調整することで、投影露光装置1は厚さの異なるプリント基板に対応可能となっている。
【0040】
次いで、マスク4の像がプリント基板B上に結像するときの倍率を上記の演算によって求めた倍率Mgnに設定する。倍率の設定は、コントローラ10がダハミラー駆動機構17を制御してダハミラー7をX軸方向に駆動し、さらにコントローラ10が折り返しミラー駆動機構15を制御して折り返しミラー5をZ軸方向に駆動することによって行われる。
【0041】
図9および図10を用いて倍率の設定の原理について説明する。図9は、レンズユニット6およびダハミラー7をZ軸正の方向から見た概略図である。図示の簡略のため、レンズユニット6およびダハミラー7はそれぞれ一枚の面として描写されている。また、ダハミラー7に向かう光束を2点鎖線で、ダハミラー7で反射した光束を破線で示す。
【0042】
倍率を設定するためには、最初にダハミラー7をレンズユニット6の焦点位置7aからX軸正の方向にΔL1移動させる。ダハミラー7をこのように移動させると、レンズユニット6出射時の瞳位置をX軸正の方向に2ΔL1ずらす事になる。この結果、平行光束である入射光に対して反射光はテレセン性が扇状に崩れた光束となる。
【0043】
しかしながら、基板側焦点位置での像の大きさはテレセン性を崩しただけでは変化しない。そこで、レンズユニット6に対するマスク4およびプリント基板Bの露光面の相対位置を、マスク4とプリント基板Bの露光面とがレンズユニット6に対して共役状態を保つように光学的に移動させる。すなわち、プリント基板Bの露光面がレンズユニット6に対して近づけば、プリント基板Bの露光面状に結像されるマスクの像は拡大される。反対にプリント基板Bの露光面がレンズユニット6に対して遠ざかれば、プリント基板Bの露光面状に結像されるマスクの像は縮小される。
【0044】
レンズユニット6に対するマスク4およびプリント基板Bの露光面の相対位置を、マスク4とプリント基板Bの露光面とがレンズユニット6に対して共役状態を保つように光学的に移動させるために、折り返しミラー5をZ軸の方向にΔD1移動させる。なお、ダハミラー7をX軸正の方向に移動させた場合に、像を拡大するときは折り返しミラー5をZ軸負の方向に移動させ、像を縮小するときは折り返しミラー5をZ軸正の方向に移動させる。また、ダハミラー7をX軸負の方向に移動させた場合に、像を拡大するときは折り返しミラー5をZ軸正の方向に移動させ、像を縮小するときは折り返しミラー5をZ軸負の方向に移動させる。
【0045】
図10は、マスク4、折り返しミラー5、レンズユニット6、ダハミラー7、およびプリント基板BをY軸負の方向から見たものである。図10においては、倍率を設定する前の光束を2点鎖線で、またダハミラー7および折り返しミラー5を移動して倍率を設定した後の光束を破線で示している。なお、図10に示した例においては倍率Mgnp<1とし、折り返しミラー5はZ軸正の方向に移動する。
【0046】
図9、10に示すように、ダハミラー7を位置7aから7bへX軸正の方向にΔL1移動させ、さらに折り返しミラー5をZ軸正の方向にΔD1移動させることにより、マスク4を通過した光束が収縮してプリント基板B上で結像する。このとき、ΔL1およびΔD1は数2を満たす値に設定される。なお、この倍率補正においては、光軸の中心位置は変化しない。
【0047】
【数2】
【0048】
図6は、上記倍率の設定原理によって像の拡大処理が行われた後の光源2、マスク4およびプリント基板BをX軸正の方向から見たものである。なお、実際の投影露光装置においては、コリメータレンズ3、折り返しミラー5、レンズユニット6およびダハミラー7を介してマスク4のパターンがプリント基板B上に結像する構成であるが、図6においては結像状態を明確に示すため光源2、マスク4およびプリント基板Bのみ記載するものとする。図6に示すように、像の拡大処理が行われると、個々の光源2による像のそれぞれは拡大されるものの、それぞれの像のY軸方向の結像位置は変化しない。このため、各光源による像がプリント基板B上で重なり合って、正確にマスク4のパターンがプリント基板B上に転写されない。従って、各像のY軸方向の結像位置を、像同士が重ならないようにそれぞれY軸方向にシフトさせるYシフト処理が行われる。
【0049】
図11および図12は、マスク4、プリント基板B、レンズユニット6およびダハミラー7をZ軸正の方向から見た概略図である。図示の簡略のため、レンズユニット6はそれぞれ一枚の面として描写され、さらに折り返しミラー5を省略して基板面およびマスク面の位置はXY平面上に投影されている。
【0050】
図11は、Yシフト処理を行う前のマスク4、プリント基板B、レンズユニット6およびダハミラー7の状態を示したものである。この時、マスク4およびプリント基板Bは共にレンズユニット6の焦点距離fだけレンズユニット6から離れている。また、ダハミラー7はレンズユニット6の焦点位置OMに配置されている。なお、光束を2点鎖線で示す。
【0051】
この時の光束は、図11のようなマスク4とプリント基板BをXY平面上に投影した図においては、入射光と反射光との光路が等しくなる。
【0052】
Yシフト処理は、コントローラ10がダハミラー駆動機構17を制御してダハミラー7をY軸方向に駆動し、さらにコントローラ10が折り返しミラー駆動機構15を制御して折り返しミラー5をZ軸方向に駆動することによって行われる。
【0053】
図12は、Yシフト処理を行ってプリント基板B上の結像位置をY軸負の方向にΔY移動させたときのマスク4、プリント基板B、レンズユニット6およびダハミラー7の状態を示したものである。なお、図12においては、ダハミラー7によって反射する前の光束を2点鎖線で、また反射後の光束を破線で示す。図11に示すように、ダハミラー7をOMの位置にあるときは、レンズユニット6からダハミラー7に向かう光束の瞳位置はOMである。一方、ダハミラー7をOMからY軸正の方向に距離ΔL2だけ移動させると、図12に示すように上記瞳位置はOMからY軸正の方向に距離2ΔL2だけ移動する。なお、ダハミラー7をOMからY軸負の方向に移動させると、上記瞳位置もOMからY軸負の方向にダハミラー7の移動距離の2倍だけ移動する。
【0054】
この結果、テレセン性が斜めに崩れるが、マスク4およびプリント基板Bは共にレンズユニット6の焦点距離fだけレンズユニット6から離れている状態では、プリント基板B上の結像位置はシフトしない。そこで、折り返しミラー5をZ軸負の方向にΔD2移動させてマスク4とプリント基板Bとが共役状態を保つように両者のレンズユニット6からの光路長を変化させる。折り返しミラー5をZ軸負の方向にΔD2移動させることにより、マスク4からレンズユニット6の光路長はΔD2増加し、レンズユニット6からプリント基板Bへの光路長はΔD2減少する。このとき、ΔL2およびΔD2は数3を満たす値に設定される。
【0055】
【数3】
【0056】
ここで、数2のΔD1、数3のΔD2は共に折り返しミラー5のZ軸方向の移動量を示し、「ΔD1=ΔD2」を満足する状態で数2および数3の他の軸の移動量を求める。
【0057】
なお、投影露光装置1に用いられている光源および投影光学系の数をnLとすると、ΔYの値は数4を用いて求められる。
【0058】
【数4】
【0059】
ここで、aは自然数であり、最もY軸負側の光源の場合はa=1であり、この隣の光源の場合はa=2、さらにその隣の光源の場合はa=3・・、というようにa=amである光源にY軸正側に隣接する光源のaの値はa=am+1となるように設定される。
【0060】
また、定数Wは倍率補正を行なわない時の1つの投影光学系の露光幅である。
【0061】
図7はYシフト処理が行われた後の光源2、マスク4およびプリント基板BをX軸正の方向から見たものである。図7に示すように、上記の手順によってYシフトが行われると、中央の光源2および投影光学系による像はシフトせず、その隣の光源2および投影光学系による像はそれぞれW(Mgn−1)だけ外側にシフトし、さらにその外側に隣接する光源2による像はそれぞれ2W(Mgn−1)だけ外側にシフトする。従って、各像のY軸方向の結像位置は、像同士が重ならないように配置され、マスク4のパターンが正確にプリント基板B上に転写される。
【0062】
次いで、基板ホルダ8の駆動速度が設定される。本実施形態においてはマスク4の駆動速度は所定値VMに固定されている。マスク4のパターンをX軸方向に倍率Mgnだけ拡大された状態でプリント基板B上に転写するためには、基板ホルダ8の駆動速度VBを、VB=Mgn×VMとなるように設定する。
【0063】
次いで、マスク4とプリント基板BとのX軸方向の位置合わせが行われる。図8は、図1の投影露光装置1をY軸方向に投影した側面図である。図8においては、図面の簡略化のためレンズユニット6は一枚の凸レンズとして、またダハミラー7は1枚の平面鏡として記載されている。なお、位置合わせを行うに当たって、マスク4のマスク部4a(図2参照)のX軸正方向の先頭が光源2の直下に来るよう、マスク4は配置されている。
【0064】
コントローラ10はマスク位置検出手段24から得られる画像を処理して、光源2から発せられる光束Lがマスク4に入射する位置I1とマスク4上の4隅に配置された位置合わせ用マークのうち、X軸正方向先頭(図8中右)のマークM1bおよびM1cとの距離のX軸成分d11xおよびd12xを計測可能である。次いで、d11xとd12xの平均値d1xを演算する。この時、距離d1xはマスク4のマスク部4aのX軸正方向の先頭と、マークM1bとM1cを結ぶ線分との距離のX軸成分を示す。同様に、コントローラ10は基板位置検出手段28から得られる画像を処理して、光束Lがプリント基板Bに入射する位置I2とプリント基板B上の4隅に配置された位置合わせ用マークのうち、X軸正方向先頭(図8中右)のマークM2bおよびM2cとの距離のX軸成分d21xおよびd22xを計測可能である。次いで、d21xとd22xの平均値d2xを演算する。
【0065】
また、d1xおよびd2xは投影光学系のそれぞれが備えるマスク位置検出手段24および基板位置検出手段28毎に求められ、コントローラ10はそれぞれの平均値d1xmおよびd2xmを演算する。
【0066】
基板ホルダ8の駆動速度VBは、VB=Mgnp×VMとなるように設定されているので、数5を満たすように基板ホルダ8を移動させる。
【0067】
【数5】
【0068】
この位置関係でM1bからM1aまでマスク4を速度VMで、また基板ホルダ8を速度VBでX軸正の方向に駆動することにより、マスク位置合わせ用マークが基板位置合わせ用マークに対して均等にずれるように転写され、マスク4のマスク部4aのパターンは、正確にプリント基板Bのパターン部B1上に転写されるので、プリント基板Bに形成されたスルーホールと転写された配線パターンがずれることはない。
【0069】
本実施形態における基板ホルダ8の移動手順を以下に示す。最初に、コントローラ10は数6を用いて基板ホルダ8の移動距離Δdを演算する。
【0070】
【数6】
【0071】
次いで、コントローラ10は基板ホルダ駆動機構18を制御して、基板ホルダ8をX軸方向にΔdだけ移動させる。なお、Δd>0であればX軸正の方向に駆動し、Δd<0であればX軸負の方向に駆動する。
【0072】
本例においては、Δd>0であるので、基板ホルダ8はX軸正の方向にΔdだけ移動し、位置合わせ用マークM1Bは破線の位置に移動する。この結果、マスク4とプリント基板Bとの位置関係は数5を満たすようになる。
【0073】
このようにマスク4とプリント基板Bとの位置合わせを行った後、光源2を点灯し、マスク4とプリント基板BとをX軸方向に移動することにより、正確に位置決めされた状態でマスク4にかかれたパターンがプリント基板Bに転写される。
【0074】
なお、マスク4とプリント基板Bとの移動が開始された後も、基板高さ検出機構38を用いてマスク4からレンズユニット6に至る光路長とレンズユニット6からプリント基板Bの露光面に至る光路長との和DLは算出されている。DL=2fが常に成立するように折り返しミラー5をX方向に駆動することにより、厚さが部位によって異なるようなプリント基板であっても、マスク4上に形成されたパターンをプリント基板B上に結像させることができる。
【0075】
【発明の効果】
以上のように、本発明の投影露光装置によれば、プリント配線基板上に結像するマスクのパターンの像の拡大率を変更可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による投影露光装置を模式的に示した概略図である。
【図2】本発明の実施の形態のマスクの概略図である。
【図3】本発明の実施の形態のプリント基板の概略図である。
【図4】本発明の実施の形態のプリント基板基板高さ検出機構の概略図である。
【図5】本発明の実施の形態の投影露光装置のピント合わせ機構を模式的に示した概略図である。
【図6】Yシフト操作を行う前の結像状態を模式的に示したものである。
【図7】Yシフト操作を行った後の結像状態を模式的に示したものである。
【図8】本発明の実施の形態の投影露光装置の位置合わせ機構を模式的に示した概略図である。
【図9】本発明の実施の形態の投影露光装置の、レンズユニットおよびダハミラーをZ軸正の方向から見た概略図である。
【図10】本発明の実施の形態の投影露光装置の、マスク、折り返しミラー、レンズユニット、ダハミラー、およびプリント基板をY軸負の方向から見たものである。
【図11】本発明の実施の形態の投影露光装置の、マスク、折り返しミラー、レンズユニット、ダハミラー、およびプリント基板をZ軸正の方向から見たものである。
【図12】Yシフト操作を行った後の投影露光装置の、マスク、折り返しミラー、レンズユニット、ダハミラー、およびプリント基板をZ軸正の方向から見たものである。
【符号の説明】
1 投影露光装置
2 光源
3 コリメータレンズ
4 マスク
5 折り返しミラー
6 レンズユニット
7 ダハミラー
8 基板ホルダ
10 コントローラ
14 マスク駆動機構
15 折り返しミラー駆動機構
17 ダハミラー駆動機構
18 基板ホルダ駆動機構
24 マスク位置検出手段
28 基板位置検出手段
38 基板高さ検出機構
B プリント基板
Claims (9)
- 所定のパターンが形成されたマスクの像をプリント配線基板に転写して、前記プリント配線基板に前記所定のパターンを形成する、投影露光装置であって、
前記投影露光装置が、
前記マスクを照射する光源手段と、
前記光源手段より発せられ、前記マスクを通過した光束を偏向させる第1の平面鏡と、
前記第1の平面鏡によって偏向した前記光束が入射されるレンズユニットと、
前記レンズユニットから射出された前記光束を反射させて前記レンズユニットに再度入射させ、その反射面が前記マスクに対して垂直に配置されている反射手段と、
前記反射手段によって反射されたのち、前記レンズユニットから射出された前記光束を偏向させ、前記マスクと平行に配置された前記プリント配線基板上で結像させる第2の平面鏡と、
前記プリント配線基板上で結像した前記マスクの像の前記マスクに対する伸縮率を変更可能な像伸縮機構と、を有し、
前記像伸縮機構は、
前記反射手段を前記レンズユニットの光軸方向に進退させる反射手段駆動機構と、
前記マスクと前記プリント配線基板とが、前記レンズユニットに対して互いに共役となる状態を保持しつつ、前記マスクと前記プリント配線基板が共に前記レンズユニットの焦点位置からずれる状態に設定する位置設定手段と、
を有することを特徴とする投影露光装置。 - 前記位置設定手段は、前記第1の平面鏡と前記第2の平面鏡とを前記マスクに対して近接または離間させることによって、前記マスクと前記プリント配線基板とが、前記レンズユニットに対して互いに共役となる状態を保持しつつ、前記マスクと前記プリント配線基板が共に前記レンズユニットの焦点位置からずれる状態に設定すること、を特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
- 前記レンズユニットが正のパワーを持つことを特徴とする、請求項2に記載の投影露光装置。
- 前記伸縮率をMgnp、前記レンズユニットの焦点距離をfとすると、前記第1および第2の平面鏡の前記マスクに対して近接または離間させる方向への移動量ΔD1および前記反射手段の前記レンズユニットから近接または離間する方向の移動量ΔL1は、式
|Mgnp−1| = 2 × ΔD1 × ΔL1 / f2
を満たし、
前記反射手段が前記レンズユニットから離間する方向に移動する場合において、前記伸縮率が1倍以上の時は、前記第1および第2の平面鏡は前記マスクから離間するように移動し、前記伸縮率が1倍未満の時は前記第1および第2の平面鏡は前記マスクに近づくよう移動し、
前記反射手段が前記レンズユニットに近接する方向に移動する場合において、前記伸縮率が1倍以上の時は、前記第1および第2の平面鏡は前記マスクに近づくように移動し、前記伸縮率が1倍未満の時は第1および第2の平面鏡はマスクから離間するよう移動することを特徴とする、請求項3に記載の投影露光装置。 - 前記第1の平面鏡と前記第2の平面鏡は折り返しミラーの一部分を構成することを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれかに記載の投影露光装置。
- 前記折り返しミラーは直角二等辺三角形断面の3角柱形状であり、前記第1の平面鏡と前記第2の平面鏡はそれぞれ前記折り返しミラーの二等辺部側面に形成されていることを特徴とする、請求項5に記載の投影露光装置。
- 前記像伸縮機構は、前記プリント配線基板の伸縮率を計測可能な伸縮率計測手段を有することを特徴とする、請求項1から請求項6のいずれかに記載の投影露光装置。
- 前記伸縮率計測手段が、前記プリント配線基板上の長手方向と短手方向にそれぞれ少なくとも2つ形成されたマーク間の距離をそれぞれ計測する基板観察手段と、前記マスク上の長手方向と短手方向にそれぞれ少なくとも2つ形成されたマーク間の距離をそれぞれ計測するマスク観察手段とを有し、前記伸縮率計測手段は、前記基板観察手段の計測結果と前記マスク観察手段の計測結果を比較することによって前記プリント配線基板の伸縮率を計測することを特徴とする、請求項7に記載の投影露光装置。
- 前記反射手段がダハミラーであり、前記ダハミラーの反射面が前記マスクに対して垂直に配置されていることを特徴とする、請求項1から請求項8のいずれかに記載の投影露光装置。
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