JP4046642B2 - ウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料 - Google Patents
ウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4046642B2 JP4046642B2 JP2003126038A JP2003126038A JP4046642B2 JP 4046642 B2 JP4046642 B2 JP 4046642B2 JP 2003126038 A JP2003126038 A JP 2003126038A JP 2003126038 A JP2003126038 A JP 2003126038A JP 4046642 B2 JP4046642 B2 JP 4046642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- electronic parts
- plating layer
- metal materials
- whisker generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の電子部品用金属材料に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路、高密度集積回路などの半導体装置に使用されるリードフレームは、次のような工程を経て製造される。先ず半導体装置用リードフレームの半導体搭載部に導電性接着剤を塗布した後、半導体素子を搭載した後に導電性接着剤をベーク炉で硬化させる。次に、ボンディング線で半導体素子上の電極部とリードフレームにおける内部リード部を接続する。次に半導体回路を外部環境から保護するため、エポキシ樹脂で封止する。次にリードフレームの内部リードと接続している封止樹脂の外部に出ている外部リード部に半田めっき等の外装めっきを施す。外装メッキは、主に耐食性向上のために行うもので、一般的にはSn−Pb二元素の電解メッキ塗装または、溶融ハンダディップ装置を用いてハンダメッキが施されるが、電解メッキ装置は、溶融ハンダディップ装置よりも、直流電源により外部リード表面に所定の厚さのSn−Pbメッキ層を均一に析出させやすい利点から多く使用されている。シャーシなどの金属材料に対しても以前から電解メッキ装置で、Snの単独メッキがおこなわれていたが、Sn中の内部応力が緩和されてSn原子が自己拡散し、図1で示すひげ結晶と呼ばれる、針状の単結晶であるウイスカが発生、成長し、電気的な短絡を起こして信頼性を保持できない理由からSnにPbを添加した二元素のハンダメッキがおこなわれている。さらに樹脂を堰きとめているダムバーを切断した後、半導体装置個片に分離し、所定のリード長に切断する。そして最後に外部リード部をガルウィング形、J型等の所定の形状にリード成形して半導体装置は完成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置に使用されるリードフレーム、シャーシなどの電子部品に使用される金属材料は、Cu合金、42%Niの鉄合金、鉄の薄板、Al合金などにハンダメッキ層を施した部品が使用されている。しかしながら、ここ数年で国際的な地球環境保全を進めていくための行動が着実にしつつあるなかで、ハンダメッキ層に含まれるPbの規制が必要になり、Pbの使用しないメッキ層の開発が重要な課題となっている。その対策法に二つの方法が検討されている。その一つはPbの代わりにBi成分を使用する、いわゆるSn−Biメッキ層である。Biを使用することによって、有害なPbを使用することなくSnと比較して融点が低下し、ウイスカの発生しないメッキを施すことができる。その反面、BiはPbと比較して加工性が悪いため、メッキ後の成形加工において曲げ加工性に制約を受ける問題があった。他の対策法として、従来からシャーシなどの金属材料に使用されているSn単独メッキ法の転用技術がある。この対策法は、Snの柔軟な性質から上記の加工上の問題はないが、前記したように、ウイスカが発生し短絡事故を引き起こす問題から使用性能の信頼性を欠く問題があった。
【0004】
本発明者らは上記したような問題に鑑み、ウイスカの発生を防止した半導体装置用の電子部品金属材料を提供する事を目的にSnメッキ方法について種々検討した結果、42%Niの鉄合金からなる電子部品用金属の表面にSnメッキ層を施す際、下地としてNiを1.0〜5μm、さらにその上にCuを1.0μm〜5μm施す事によって、NiメッキがCuメッキのウイスカ抑制効果を一層促進する事を知見した。またメッキ後の成型加工についても何ら支障がないことも判った。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明はこの知見に基づいて構成したもので、その要旨は、42%Niの鉄合金からなる電子部品用金属の表面にSnメッキ層を施す際、下地としてNiメッキを1.0〜5μm、さらにその上にCuメッキを1.0μm〜5μm施した事を特徴とするウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料である。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の要旨について詳細に説明する。
本発明は、半導体装置に使用される42%Niの鉄合金からなる電子部品用金属(または基板)の表面に、Niメッキ,その上にCuメッキの下地層を施し、その上にSnメッキを施す。Ni,Cuメッキ層は、Snメッキ層の表面から発生し成長するウイスカを抑制する効果を発揮する。図2は、Snメッキを施した時のNi,Cuメッキの厚さとウイスカ発生との関係を示したもので、Ni層が下地として0.5〜5μm厚みのもとで、Cuメッキ層が0.5μm未満の薄い厚みではウイスカ発生の抑制効果が小さくまた5μmを超える過剰な厚みではその抑制効果が過飽和に達するし、経済的にも不必要である。図2の図中の数字は、ウイスカ発生の程度を示す評点で、実施例中で示す表1の評点と同一である。本発明において、Cuメッキ層の厚みを1.0〜5μmに限定した理由はこの様な実験結果から定めたものである。上層のSnメッキは、外部リードのハンダ濡れ性、耐食性のために施す。尚、両者のメッキ層間においてウイスカの発生を抑制する理由は、現時点で明確ではないが、本発明者らの推測によれば、Snメッキ層の下地層にNi,Cuメッキを薄く施すことによって、Snメッキ層の結晶方向や結晶粒径に影響を与えてウイスカの成長し難い方位にそろえるか、結晶粒を粗大化して粒界エネルギーを低下させるか、Snメッキ層にCuメッキ金属の拡散を促して、ウイスカの発生と成長を抑制するのか、あるいは薄いメッキ層によって界面の密着性が向上するなど、幾多の理由が考えられる。なお、Cuメッキ層の下地にNiメッキ層を施す事によって、前記した電子部品用金属材料表面とCuメッキ層との密着性をNiメッキ層を介して高めると共に、高められた密着性によって何かの衝撃を受けても容易に剥離することなく、Cuメッキ層のウイスカ抑制効果を長期間維持する効果を有する。
【0007】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
表1は、電子部品用金属(基板)に各種メッキ層を施した場合の本発明の電子部品用金属材料と比較材料を−40℃〜120℃の熱サイクルを1000回繰り返した後のメッキ層表面におけるウイスカ発生状況をSEMで観察し、下記の評点付けを行った結果を、比較して示したものである。
1;Sn−Pbよりも良い
2;Sn−Pbと同等レベル
3;実用上問題ないが、従来材よりは悪い。
4;100ピン以下程度なら適用可能
5;どのデバイスにも適用が難しい
その結果、下層にNi,Cuメッキを施した本発明の電子部品用金属材料は、ウイスカの発生が抑制される。またSn単独メッキあるいは過剰な厚みのCuメッキを下層に施した比較材は、ウイスカの発生を抑制することができなかった。
【0008】
【表1】
【0009】
【発明の効果】
以上述べた様に、本発明の電子部品用金属材料は、ウイスカによる短絡不良の問題が解消され、メッキ後の成型加工においても必要な曲げ加工性もあり、また地球環境保全に適した電子部品用金属材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】Snメッキ表面に発生したウイスカの一例を示す顕微鏡写真である。
【図2】Snメッキ層を施した時のNi,Cuメッキ層の厚さとウイスカ発生状況との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 42%Niの鉄合金からなる電子部品用金属の表面にSnメッキ層を施す際、下地としてNiを1.0〜5μm、さらにその上にCuを1.0μm〜5μm施した事を特徴とするウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003126038A JP4046642B2 (ja) | 2003-03-26 | 2003-03-26 | ウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003126038A JP4046642B2 (ja) | 2003-03-26 | 2003-03-26 | ウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004292944A JP2004292944A (ja) | 2004-10-21 |
JP4046642B2 true JP4046642B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=33410263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003126038A Expired - Fee Related JP4046642B2 (ja) | 2003-03-26 | 2003-03-26 | ウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4046642B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2175052A1 (en) | 2007-07-06 | 2010-04-14 | DDK Ltd. | Process for producing electronic component, and electronic component produced by the process |
EP2992553A4 (en) * | 2013-05-03 | 2017-03-08 | Honeywell International Inc. | Lead frame construct for lead-free solder connections |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5937756B2 (ja) * | 1978-02-17 | 1984-09-11 | 三菱電機株式会社 | めつき方法 |
JPS591666A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 錫又は錫合金の連続メツキ方法 |
JP2833026B2 (ja) * | 1989-07-05 | 1998-12-09 | 上村工業株式会社 | 無電解錫めっき方法 |
JPH04165096A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-10 | Kyowa Densen Kk | 電子部品用リード線 |
JPH05183017A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-23 | Hitachi Cable Ltd | Tab用テープキャリア |
JPH09291375A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Noge Denki Kogyo:Kk | 鉄基材に被膜を備えた物品 |
JPH10134869A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Yazaki Corp | 端子材料および端子 |
JPH11135226A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Harness Syst Tech Res Ltd | 嵌合型接続端子の製造方法 |
JP4305699B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2009-07-29 | 協和電線株式会社 | 電子部品用錫系めっき条材とその製造法 |
-
2003
- 2003-03-26 JP JP2003126038A patent/JP4046642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004292944A (ja) | 2004-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4569423B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100720607B1 (ko) | 반도체장치 | |
US20100084765A1 (en) | Semiconductor package having bump ball | |
JP5033197B2 (ja) | Sn−Bメッキ液及びこれを使用したメッキ法 | |
JPH06196349A (ja) | タンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材及びその製造方法 | |
JP5517694B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9233521B2 (en) | Tin whisker mitigation material using thin film metallic glass underlayer | |
CN111435646A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP6685112B2 (ja) | リードフレーム及びリードフレームパッケージ、並びにこれらの製造方法 | |
JP4046642B2 (ja) | ウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料 | |
JP4434669B2 (ja) | 電子部品 | |
JP2008166645A (ja) | めっき部材およびその製造方法 | |
TWI364342B (en) | Whisker-free coating structure and method of fabricating the same | |
JP4307038B2 (ja) | 使用時のウイスカの発生を防止した電子部品用金属材料の製造方法 | |
JP4654895B2 (ja) | 鉛フリーめっき皮膜の形成方法 | |
JPH03295262A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
JP5779666B2 (ja) | 自動車用パワーモジュール、自動車 | |
JP5310309B2 (ja) | はんだコートリッド | |
TWI415978B (zh) | 抑制錫鬚晶生長的方法 | |
JP3989232B2 (ja) | Snめっき方法 | |
TW201114952A (en) | Method for inhibiting growth of tin whiskers | |
JP3403299B2 (ja) | 半導体素子用リードフレームのメッキ方法 | |
TWI571533B (zh) | 可抑制錫鬚晶生長的新穎鍍層結構 | |
JPH10284666A (ja) | 電子部品機器 | |
JPS6142941A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050920 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20050920 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070417 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20070615 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071120 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |