JP4040166B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4040166B2 JP4040166B2 JP12068298A JP12068298A JP4040166B2 JP 4040166 B2 JP4040166 B2 JP 4040166B2 JP 12068298 A JP12068298 A JP 12068298A JP 12068298 A JP12068298 A JP 12068298A JP 4040166 B2 JP4040166 B2 JP 4040166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- alignment film
- substrate
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に係わり、特に、1種類の配向膜材料で作製されたハイブリッド配向セルを備えた、表示に焼き付きがほとんど無く優れた画像を提供することのできる液晶表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力という特徴から、ノートブック型コンピュータや携帯情報端末機器、OA機器の表示素子として積極的に利用されている。液晶表示装置のほとんどがネマティック液晶を用いており、その表示方式には旋光モードや電界制御複屈折(ECB:electrically controlled birefingence)モード等が知られている。
【0003】
旋光モード方式には例えば液晶が90゜ねじれた分子配列のツイステッドネマティック(TN)型液晶があり、原理的に白黒表示で、高いコントラスト比を示すが、応答時間が遅い、中間調で視野角が狭い等といった問題がある。
【0004】
液晶層の複屈折を電圧によって制御することにより表示するECBモード方式には上述のTN型液晶の問題を補うモードがいくつか提案されている。
【0005】
ECBモード方式は、オフ状態における分子配列によってDAP(Deformation of vertical alinged phase )形(ホメオトロピック配列)、ホモジニアス形、ハイブリッド(HAN:Hybrid Aligned Nematic)形の3種類に分けられる。
【0006】
DAP形は、負の誘電異方性をもつネマティック液晶(Nn )を用い、液晶分子を基板面に対してほぼ垂直に配列させたものであり、ホモジニアス形は正の誘電異方性をもつネマティック液晶(Np )を用いて液晶分子をガラス基板面に対して配列されたものであり、HAN形は液晶分子を一方のガラス基板面で垂直、他方のガラス基板面で平行に配向させ両基板間で分子配列が連続的に変化するようにしたものである。
【0007】
この3つのモードの中でもHANモードは、DAP形およびホモジニアス形に比べて、低い印加電圧で動作すること、応答時間が速いこと、印加電圧に対して表示色が緩やかに変化し、薄膜トランジスタを用いる液晶表示装置との相性が良いことが特徴である。
【0008】
このHANモードにおいては、2枚のガラス基板の一方側は垂直配向、もう一方の基板は水平配向となるような液晶の分子配列をとるために、垂直配向側と水平配向側でそれぞれ別の配向膜材料を使用しているのが現状である。
【0009】
一般に材料が異なると膜の表面エネルギーやイオンの吸着、解離量が異なることにより電荷が蓄積されやすくなる。実際のデバイスでは液晶セルに印加される直流成分の電荷が蓄積し、オフセット電圧が発生するため表示が焼き付くという問題が生じてしまう。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、HANモードにおいては、一方の基板側は垂直配向、他方の基板側は水平方向となるような液晶の分子配列とするために、それぞれ異なる配向膜材料を用いなければならなかった。材料が異なると、電荷が蓄積しやすくなってオフセット電圧が発生し、表示が焼き付くという問題が生じていた。
【0011】
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたものであり、1種類の配向膜材料により、垂直配向と水平配向とからなるハイブリッド配向セルを作製することによって、電荷の蓄積を低減し、焼き付きのない液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、一主面上に第1の電極および垂直配向膜を有する第1の基板と一主面上に第2の電極および水平配向膜を有する第2の基板とを両主面が対向するように配置して、両基板の間に液晶組成物を狭持させた液晶セルと、液晶セルと平行に配置された偏光子とを有しており、垂直配向膜と水平配向膜とは同一の垂直配向膜材料から形成されていることを特徴としている。
【0013】
本発明の液晶表示装置は、液晶組成物の配向状態を印加電圧の強度によって変化させることによって表示を行うものであり、一方の基板の配向膜が垂直で、他方の基板の配向膜が水平であるハイブリッド配向を有している。
【0014】
上述した通り、従来のハイブリッド配向の液晶セルにおいては、配向膜材料を2種類使用しているため、膜の分子組成、表面エネルギーの違いによりイオンがどちらか一方に片寄りやすくなり、電荷蓄積されると焼き付きの原因となるDCオフセット電圧が発生してしまっていたが、本発明によれば、垂直配向膜と水平配向膜とは同一の垂直配向膜材料、すなわち1種類の配向膜材料から形成されているため、電荷が蓄積されることがなく、表示の焼き付きのない液晶表示装置を得ることができる。
【0015】
本発明において、垂直配向膜とは液晶を垂直に配向させるものであり、水平配向膜とは液晶を平行に配向させるものである。垂直配向膜材料とは、特別な配向処理を施さなくても液晶を垂直に配向させるものである。垂直配向膜材料としては、レシチン、ステアリン酸、一塩基性カルボン酸クロム錯体、有機シラン等がある。また、本明細書において垂直とは90°から70°程度の範囲、および水平とは0°から20°程度の範囲も含まれる。
【0016】
また、本発明の液晶表示装置において、垂直配向膜にp偏光となるように紫外線を照射することによって水平配向膜が形成されていることを特徴としている。
【0017】
垂直配向膜の中には、基板に対してp偏光となる様に斜め方向から配向膜材料のエネルギー吸収帯である約230〜400nmのスペクトルを含む紫外線を照射することにより、そのエネルギーが分子振動を誘発し側鎖や主鎖が分解し、照射条件により液晶配向を垂直から水平まで制御できるものがある。
【0018】
このように、液晶がほぼ垂直とほぼ水平に配向する照射条件で配向処理することにより、1種類の配向膜でハイブリッド配向セルを作製したところ、これらのセルではDCオフセットが従来の2種の配向膜を使用したハイブリッドセルの約1/5となることを見出した。
【0019】
ここで、入射面に対して平行に振動成分を持つ偏光をp偏光といい、入射面に対して垂直な振動成分を持つ偏光をs偏光というが、本発明においてはp偏光となるように紫外線を照射する。
【0020】
さらに、本発明の液晶表示装置において、紫外線で水平配向処理を施すとき紫外線の波長は230〜400nmであって、10〜20J/cm2 の照射量であることを特徴としている。
【0021】
紫外線の波長は好ましくは240〜330nmである。
【0022】
図3に示すように、紫外線照射量が少ない(約10J/cm2 以下)とプレチルト角が高く、実効的なリタデーション(△nd)が小さくなる、面内の配向方向を規定する力が弱いといったことが問題になる。リタデーションとは液晶の長短軸の屈折率の差(屈折率異方性)△nと液晶セルの厚みdの積であり、複屈折率(位相のずれ)を示す。リターデーションは、通常、0.5〜1.3μm程度に設計されている。
【0023】
一方、照射量が多い(約20J/cm2 以上)と高分子の過分解によりプレチルトが低下しリバースツイストディスクリネーションが発生する、面内方向規制力が低下するといったことがおこる。このため紫外線照射量を約10〜20J/cm2 にするのが良い。より好ましくは10〜15Jcm2 である。
【0024】
また、紫外線の入射角は基板に対して0°より大きく90°未満であればよく、好ましくは30°〜60°、最も好ましくは45゜である。
【0025】
また、本発明の液晶表示装置において、垂直配向膜にラビング処理を施すことにより水平配向膜が形成されていることを特徴としている。
【0026】
垂直配向膜の中には、ラビング条件によっては水平配向が得られるものがある。
【0027】
このように、液晶がほぼ垂直とほぼ水平に配向するラビング条件で配向処理することにより、1種類の配向膜でハイブリッド配向セルを作製したところ、これらのセルではDCオフセットが従来の2種の配向膜を使用したハイブリッドセルの約1/5となることを見出した。
【0028】
本発明で適用されるラビング処理は以下のとおりである。ラビング布の材質はナイロン、綿等であり、ラビングローラーの回転速度は100〜500rpm、ラビング回数は1回〜数十回程度、ラビング時の回転トルクは6kgf・cm程度である。ラビング強度が弱すぎると、図4に示すように、プレチルトが高くなりすぎて、配向力が弱くなり、一方、強すぎると膜が剥がれてしまう。
【0029】
また、本発明の液晶表示装置において、第1の基板は、一主面上にマトリクス状に走査線、信号線、スイッチング素子およびスイッチング素子に接続された画素電極を有するスイッチング素子アレイ基板であり、第2の基板は、一主面上に共通電極を有する対向基板である。
【0030】
すなわち、垂直配向膜を有する第1の基板はスイッチング素子アレイ基板であって、水平配向膜を有する第2の基板は対向基板である。ただしこの構成に限られるものではなく、これとは逆に、垂直配向膜を有する第1の基板が対向基板であって、水平配向膜を有する第2の基板がスイッチング素子アレイ基板であってもよい。
【0031】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、一主面上に第1の電極が形成された第1の基板上に垂直配向膜を形成する工程と、第1の基板の一主面に対向するように配置され、一主面上に第2の電極が形成された第2の基板上に水平配向膜を形成する工程と、垂直配向膜と水平配向膜とを対向させるように第1の基板と第2の基板とを間隙を有して配置させて、両基板の周囲を封止して間隙に液晶層を封入する工程とを具備し、垂直配向膜と水平配向膜とは同一の垂直配向膜材料より形成されることを特徴としている。
【0032】
本発明の方法によれば、垂直配向膜と水平配向膜とは同一の垂直配向膜材料、すなわち1種類の配向膜材料から形成されるため、電荷が蓄積されることがなく、表示の焼き付きのない液晶表示装置を得ることができる。
【0033】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法において、垂直配向膜にp偏光となるように紫外線を照射することによって水平配向膜を形成することを特徴としている。
【0034】
このように、液晶がほぼ垂直とほぼ水平に配向する照射条件で配向処理することにより、1種類の配向膜でハイブリッド配向セルを作製したところ、これらのセルではDCオフセットが従来の2種の配向膜を使用したハイブリッドセルの約1/5となることを見出した。
【0035】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法において、紫外線で水平配向処理を施すとき紫外線の波長は230〜400nmであって、10〜20J/cm2 の照射量であることを特徴としている。
【0036】
紫外線の波長は好ましくは240〜330nmである。
【0037】
図3に示すように、紫外線照射量が少ない(約10J/cm2 以下)とプレチルト角が高く、実効的なリタデーション(△nd)が小さくなる、面内の配向方向を規定する力が弱いといったことが問題になる。
【0038】
一方、照射量が多い(約20J/cm2 以上)と高分子の過分解によりプレチルトが低下しリバースツイストディスクリネーションが発生する、面内方向規制力が低下するといったことがおこる。このため紫外線照射量を約10〜20J/cm2 にするのが良い。より好ましくは10〜15Jcm2 である。
【0039】
また、紫外線の入射角は基板に対して0°より大きく90°未満であればよく、好ましくは30°〜60°、最も好ましくは45゜である。
【0040】
さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法において、垂直配向膜にラビング処理を施すことにより水平配向膜を形成することを特徴としている。
【0041】
垂直配向膜の中には、ラビング条件によっては水平配向が得られるものがある。
【0042】
このように、液晶がほぼ垂直とほぼ水平に配向するラビング条件で配向処理することにより、1種類の配向膜でハイブリッド配向セルを作製したところ、これらのセルではDCオフセットが従来の2種の配向膜を使用したハイブリッドセルの約1/5となることを見出した。
【0043】
本発明で適用されるラビングは以下のとおりである。ラビング布の材質はナイロン、綿等であり、ラビングローラーの回転速度は100〜500rpm、ラビング回数は1回〜数十回程度、ラビング時の回転トルクは、6kgf・cm程度である。ラビング強度が弱すぎるとプレチルトが高すぎたり、配向力が弱くなり、強すぎると膜が剥がれてしまう。
【0044】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法において、第1の基板は、一主面上にマトリクス状に走査線、信号線、スイッチング素子およびスイッチング素子に接続された画素電極を有するスイッチング素子アレイ基板であり、第2の基板は、前記一主面上に共通電極を有する対向基板である。
【0045】
すなわち、垂直配向膜を有する第1の基板はスイッチング素子アレイ基板であって、水平配向膜を有する第2の基板は対向基板である。ただしこの構成に限られるものではなく、これとは逆に、垂直配向膜を有する第1の基板が対向基板であって、水平配向膜を有する第2の基板がスイッチング素子アレイ基板であってもよい。
【0046】
以上、垂直配向膜に水平配向処理を施すことによって、垂直配向膜1種類のみを用いる場合について記載してきたが、水平配向膜に垂直配向処理を施すことによって水平配向膜1種類のみを用いてハイブリッド配向を実現することも本発明に含まれるものと考えられる。
【0047】
以上のような構成及び条件で実際の液晶表示デバイスを作製することにより焼き付きが低減でき、良好な表示が得られる。
【0048】
【発明の実施の形態】
[実施例1]
図1は、本発明の一実施例のハイブリット形液晶表示装置の分解図である。
【0049】
この実施例の液晶表示装置は、図1に示すように、透明電極が形成された矩形の対向基板11と、マトリクス状に走査線、信号線、スイッチング素子およびスイッチング素子に接続された画素電極を有する矩形のスイッチング素子アレイガラス基板12とをスペーサの間隔で対向配置させ、両基板間に液晶組成物を封入して液晶セルを作製し、この液晶セルの表側にセルの光学特性を補償する補償板14と偏光板15とを貼り付け、裏面にも偏光板15を貼り付けて構成されている。
【0050】
この液晶表示装置は次のようにして作製された。
【0051】
すなわち、対向基板11上に透明電極を形成し、スイッチング素子アレイ基板12上には、画素サイズ110×330μmのITO電極を基板端に対して平行なマトリクス状に、かつ走査線および信号線に接続させて形成した。
【0052】
これらの対向基板11とスイッチング素子アレイ基板12に、液晶配向膜13として垂直配向用ポリイミド(JALS−204;日本合成ゴム製)を印刷し、180℃で1時間焼成することにより厚さ約850A厚の膜を形成した。
【0053】
次に対向基板11に図2に示すように基板に対しp偏光となるよう主波長313nm、310〜330nmの偏光紫外線を斜め45゜から約10J/cm2 照射した。次に、対向基板11上に直径約5μmのスぺーサ(図示せず)を散布してスイッチング素子アレイ基板12を対向配置し、さらに、スイッチング素子アレイ基板12に印刷された配向膜の周辺に沿って接着剤を、注入口(図示せず)を除いて印刷し、スイッチング素子アレイ基板11から対向電極に電圧を印加するための電極転移材を接着剤の周辺の電極転移材電極上に形成した。
【0054】
しかる後、配向膜どうしが対向するよう対向基板11とスイッチング素子アレイ基板12と重ね合わせ、150℃で1時間加熱して接着剤を硬化させ両基板を貼り合わせた。その後真空注入法によりフッ素系液晶組成物(ZLI−4792メルク社製)を注入し、この後注入口を紫外線硬化樹脂で塞ぎ約3J/cm2 の紫外線で硬化させ封止して液晶セルを作製した。セル内の液晶分子はアレイ基板側が垂直配向、紫外線照射された対向基板側が水平配向のハイブリッド配列が得られた。
【0055】
このセルの表側にセルの光学特性を補償する補償板と偏光板を貼り、裏面に偏光板を貼り付け、液晶モジュールに組み立てた。こうして作製した液晶表示装置では、焼き付きがほとんど無く表示品位は非常に良好であった。
【0056】
[実施例2]
主波長254nm、240〜260nmの紫外線を用いた以外は実施例1と同様にして液晶セルを作製した。このセルでもハイブリッド配向が実現でき、表示も焼き付きが無く表示品位は非常に良好であった。
【0057】
[実施例3]
本実施例では、実施例1と同様の工程で、液晶配向膜13として垂直配向用ポリイミド(SE−7511L日産化学製)(180℃で1時間焼成)を基板上に形成した。次に対向基板11に、通常のTNセルと同程度、すなわちナイロン(材質)製のラビングローラーを用いて300rpm、回転トルク約6kgf・cmで1回ラビングし、その後は実施例1と同じ工程で液晶セルを作製した。この液晶セル内の液晶分子はアレイ基板側が垂直配向、ラビング処理された対向基板側が水平配向のハイブリッド配列が得られた。こうして作製した液晶表示装置では、焼き付きがほとんど無く表示品位は非常に良好であった。
【0058】
[実施例4]
スイッチング素子アレイ基板12に、図1に示した通り、垂直配向を保つようにラビング処理を施した以外は、実施例3と同様にして液晶セルを作製した。このセルでもハイブリッド配向が実現でき、表示も焼き付きがほとんど無く表示品位は非常に良好であった。
【0059】
尚、前述の実施例でのスイッチング素子は、アモルファスシリコンでもポリシリコンでもよく、ポリシリコンの場合アレイ基板上に駆動回路を内蔵してもよい。また、前述の実施例では、透過型液晶表示装置を用いたが反射型液晶表示装置でもよい。さらに、前述の実施例では、スペーサを散布したが、少なくともどちらか一方の基板上にスペーサを形成した基板を使用してもよい。
【0060】
[DCオフセット電圧]
表1に実施例1および2の配向膜と従来の配向膜(垂直配向膜と水平配向膜を組み合わせたもの)におけるDCオフセット電圧値を示す。
【0061】
【表1】
従来の配向膜材料を2種類使用したハイブリッド配向セルでは、膜の分子組成、表面エネルギーの違いによりイオンがどちらか一方に片寄りやすくなり、電荷蓄積され易くなる為焼き付きの原因となるDCオフセット電圧が発生した(表1−A)。
【0062】
一方、本発明の実施例1〜4による1種類の垂直配向膜に所定の紫外線照射とラビング処理を施したハイブリッド配向セルでは、電荷が蓄積されず、焼き付きの原因となるDCオフセット電圧が従来の約1/5となった(表1−BおよびC)。
【0063】
また、実施例4では垂直配向を保つようラビング処理を施しているが、この代わりに紫外線の波長を230〜400nmとして0〜3J/cm2 照射してもよい。
【0064】
また、上記実施例では、誘電率異方性が正の液晶組成物を用いたが、負の液晶組成物でもよい。
【0065】
【発明の効果】
本発明によれば、1種類の配向膜材料を用いて垂直配向と水平配向とからなるハイブリッド配向セルを作製することによって、電荷の蓄積を低減し、焼き付きのないハイブリッド配向の液晶表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるハイブリッド配向モードの液晶表示装置の分解図。
【図2】紫外線照射角を示す図。
【図3】プレチルト角の紫外線照射量依存性を示すグラフ。
【図4】プレチルト角のラビング強度依存性を示すグラフ。
【符号の説明】
11…ガラス基板(対向基板)
12…ガラス基板(スイッチング素子アレイ基板)
13…配向膜
14…光学補償板
15…偏光版
16…液晶
Claims (1)
- 一主面上に第1の電極が形成された第1の基板上に垂直配向膜を形成する工程と、前記第1の基板の一主面に対向するように配置され、一主面上に第2の電極が形成された第2の基板上に水平配向膜を形成する工程と、前記垂直配向膜と前記水平配向膜とを対向させるように前記第1の基板と前記第2の基板とを間隙を有して配置させて、両基板の周囲を封止して前記間隙に液晶層を封入する工程とを具備する液晶表示装置の製造方法において、
前記垂直配向膜と前記水平配向膜とは同一の垂直配向膜材料より形成され、かつ、前記垂直配向膜材料にラビング処理を施すことにより前記水平配向膜が形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12068298A JP4040166B2 (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12068298A JP4040166B2 (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11311788A JPH11311788A (ja) | 1999-11-09 |
JP4040166B2 true JP4040166B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=14792347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12068298A Expired - Fee Related JP4040166B2 (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4040166B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4518292B2 (ja) * | 2000-01-27 | 2010-08-04 | スタンレー電気株式会社 | Hanモード液晶表示装置 |
TW527508B (en) * | 2000-02-10 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device and producing method |
KR100686231B1 (ko) * | 2000-04-17 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP4274713B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置および光学素子、並びにこれらの製造方法 |
JP5698501B2 (ja) * | 2010-11-22 | 2015-04-08 | スタンレー電気株式会社 | 液晶用の配向膜製造方法、液晶素子の製造方法、液晶用の配向膜製造装置、液晶素子 |
-
1998
- 1998-04-30 JP JP12068298A patent/JP4040166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11311788A (ja) | 1999-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11520186B2 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing same | |
US7826019B2 (en) | Liquid crystal display device using nematic liquid crystal and alignment layer favorable for low power consumption | |
JPH08122750A (ja) | 液晶電気光学装置、それを利用した投射型表示装置及びそれらの駆動方法 | |
US6081311A (en) | Liquid crystal display apparatus having high wide visual angle and high contrast | |
JPH11305256A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JP4040166B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP3183647B2 (ja) | パラレル配向液晶表示素子 | |
JP3031812B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH0854629A (ja) | 液晶表示素子並びにその製造方法 | |
US7576819B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2809980B2 (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
JP2000035578A (ja) | 配向膜形成方法及び液晶表示素子 | |
JP2006301466A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2813222B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JP2789595B2 (ja) | 液晶電気光学素子 | |
US20070121043A1 (en) | Liquid crystal display device | |
JPH0933906A (ja) | 液晶素子及び液晶装置 | |
JP2926347B2 (ja) | 液晶装置 | |
JPH1152362A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
JPH07333599A (ja) | 液晶表示素子 | |
JP3308076B2 (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
KR20040036953A (ko) | 액정 표시 장치 | |
JP2002258306A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100506420B1 (ko) | 씨-플레이트를 이용하는 액정 표시 장치 | |
JPH01282519A (ja) | 液晶素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050426 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |