JP4035136B2 - 種結晶の固定方法及びその固定方法を用いた単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
前記単結晶の成長温度以下の融点を持つ金属材料を前記黒鉛台座上に配置し、その金属材料の上に前記種結晶を配置し、さらにその種結晶の上に加重を加えるための加圧部材を配置した積層体を形成し、
前記積層体を覆う容器体を前記黒鉛台座上に配置し、前記黒鉛台座の下部温度と前記容器体の上部温度との差を調節しながら、前記黒鉛台座の下部温度が前記金属材料の融点以上、かつ前記単結晶の成長温度以下になるよう加熱処理して前記黒鉛台座と金属材料と種結晶を固定一体化し、
前記容器体と前記積層体とを冷却し、
前記積層体から前記容器体と前記加圧部材を取り除くことを特徴とする。
本発明の種結晶の固定方法に対応する具体的な方法について、図1及び図2を参照して説明する。
本発明の他の種結晶の固定方法に対応する具体的な方法について、図3A−Cを参照して説明する。
本発明における単結晶の製造方法について、具体的に説明する。なお、種結晶として、実施例1で固定されたものを用いて炭化珪素単結晶を成長している。
本発明における他の単結晶の製造方法について、具体的に説明する。なお、種結晶として、実施例2で固定されたものを用いて炭化珪素単結晶を成長している。単結晶の成長手順に関しては、実施例3と同様であるので説明は省略する。
本発明にかかる炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びそれらを用いた単結晶の製造方法は、種結晶裏面からの昇華を防止し、成長結晶中へのマクロ欠陥の導入を抑制できるため、昇華法により成長できる単結晶である硫化カドミウム(CdS)、セレン化カドミウム(CdSe)、硫化亜鉛(ZnS)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ホウ素(BN)などにも適用できる。
2 金属材料
3,17 種結晶
4 加圧部材
5,14 容器体
6 断熱材
7 二重石英容器
8 RFコイル
9,10 パイロメータ
11 金属炭化物層
12,16 SiC粉末
13,18 単結晶
15 蓋体
19 接着層
20 空隙
21 マクロ欠陥
22 炭化層
23 保護層
24 クラック
25 積層体
Claims (14)
- 種結晶を黒鉛台座に固定して前記種結晶から炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法において、
前記単結晶の成長温度以下の融点を持つ金属材料を前記黒鉛台座上に配置し、その金属材料の上に前記種結晶を配置し、さらにその種結晶の上に加重を加えるための加圧部材を配置した積層体を形成し、
前記積層体を覆う容器体を前記黒鉛台座上に配置し、前記黒鉛台座の下部温度と前記容器体の上部温度との差を調節しながら、前記黒鉛台座の下部温度が前記金属材料の融点以上、かつ前記単結晶の成長温度以下になるよう加熱処理して前記黒鉛台座と金属材料と種結晶を固定一体化し、
前記容器体と前記積層体とを冷却し、
前記積層体から前記容器体と前記加圧部材を取り除くことを特徴とする種結晶の固定方法。 - 前記種結晶の面積は、前記黒鉛台座の種結晶を固定する部分の面積よりも大きく、且つ前記加圧部材は、前記種結晶の周辺部のみに接触して加重を加えることができる形状である請求項1に記載の種結晶の固定方法。
- 前記種結晶の周辺部は、前記種結晶の面積を前記黒鉛台座の種結晶を固定する部分の面積よりも大きくし、前記黒鉛台座の種結晶を固定する部分の面積よりはみ出した種結晶領域の少なくとも一部分である請求項2に記載の種結晶の固定方法。
- 前記黒鉛台座の下部温度と前記容器体の上部温度との関係が、
(下部温度−上部温度)≦0
の関係を満たす請求項1に記載の種結晶の固定方法。 - 前記金属材料は、チタン、バナジウム及びジルコニウムから選ばれる少なくとも一つの材料である請求項1に記載の種結晶の固定方法。
- 前記金属材料の厚さは、20μm以上200μm以下の範囲である請求項1に記載の種結晶の固定方法。
- 前記加熱工程における加熱温度は、金属材料がチタンの場合、黒鉛台座の下部温度が1700℃以上2000℃以下の範囲である請求項5に記載の種結晶の固定方法。
- 前記加熱工程における加熱温度は、金属材料がバナジウムの場合、黒鉛台座の下部温度が1900℃以上2200℃以下の範囲である請求項5に記載の種結晶の固定方法。
- 前記加熱工程における加熱温度は、金属材料がジルコニウムの場合、黒鉛台座の下部温度が1900℃以上2200℃以下の範囲である請求項5に記載の種結晶の固定方法。
- 前記加熱工程の加熱時間は、1時間以上6時間以下の範囲である請求項1に記載の種結晶の固定方法。
- 前記加圧部材は、前記種結晶に対して7.84kPa以上87.5kPa以下の範囲の圧力を加えられる重量を持つ請求項1に記載の種結晶の固定方法。
- 前記加圧部材は、黒鉛、タンタル、ニオブ、モリブデン、タンタル炭化物、ニオブ炭化物及びモリブデン炭化物から選ばれる少なくとも一つの材料で構成される請求項1に記載の種結晶の固定方法。
- 前記冷却工程は、前記加熱工程の加熱温度より1100℃まで降下する間は、5〜15℃/minの速度で降温し、その後は室温に達するまで室温で放置する請求項1に記載の種結晶の固定方法。
- 黒鉛台座に保持された種結晶上に炭化珪素原料からの昇華ガスを供給し、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる製造方法において、請求項1乃至13いずれかに記載の固定方法により固定された種結晶を用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
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