JP4027373B2 - Spacer and image display device - Google Patents

Description

本発明は、画像表示装置等に大気耐圧用として用いられるスペーサ及びそれを用いた画像表示装置に関する。 The present invention relates to an image display apparatus using the same spacers and that used for the air-voltage to the image display device or the like.

電子放出素子を使用した平面ディスプレイでは、特開平１０−２８４２８６号公報に示されるように、その内部を高真空に保持するために、スペーサあるいはリブと呼ばれる耐大気圧構造支持体であるスペーサが用いられる。   In a flat display using electron-emitting devices, as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 10-284286, a spacer which is an atmospheric pressure structure support member called a spacer or a rib is used to keep the inside of the flat display. It is done.

図７は多数の電子放出素子を使用した画像形成装置の断面模式図である。１０１はリアプレート、１０２は側壁、１０３はフェースプレートであり、リアプレート１０１，側壁１０２，フェースプレート１０３で気密容器が形成される。気密容器の耐大気圧構造支持体であるスペーサ１０７ｂは低抵抗膜１１０が設けられ、導電性フリット１０８により配線１０９と接続される。   FIG. 7 is a schematic sectional view of an image forming apparatus using a large number of electron-emitting devices. Reference numeral 101 denotes a rear plate, reference numeral 102 denotes a side wall, and reference numeral 103 denotes a face plate. The rear plate 101, the side wall 102, and the face plate 103 form an airtight container. The low-resistance film 110 is provided on the spacer 107 b that is an atmospheric pressure resistant structure support of the hermetic container, and is connected to the wiring 109 by the conductive frit 108.

電子放出素子１０４はリアプレート１０１上に形成し、蛍光体１０５とメタルバック１０６はフェースプレート上に形成する。メタルバック１０６を設けた目的は、蛍光体１０５が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上させることや、負イオンの衝突から蛍光体１０５を保護することや、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させることや、蛍光体１０５を励起した電子の導電路として作用させることなどである。   The electron-emitting device 104 is formed on the rear plate 101, and the phosphor 105 and the metal back 106 are formed on the face plate. The purpose of providing the metal back 106 is to improve the light utilization rate by specularly reflecting part of the light emitted from the phosphor 105, to protect the phosphor 105 from negative ion collisions, and to provide an electron beam acceleration voltage. For example, to act as an electrode for applying an electron, or to act as a conductive path for excited electrons of the phosphor 105.

スペーサ１０７ａは、スペーサの帯電状態を示したものであり、近傍の電子源から放出された電子の一部が当たることにより帯電（図中；プラス帯電）を引き起こされている様子を示している。なお、スペーサ１０７ａは帯電防止膜１１２が設けられていない場合のスペーサの帯電状態を示すものであり、低抵抗膜の厚さも、図示の都合上、スペーサ１０７ｂの帯電防止膜１１２と接する低抵抗膜１１０に比べて厚く示されている。   The spacer 107a shows the charged state of the spacer, and shows a state where charging (in the figure; plus charging) is caused by a part of electrons emitted from a nearby electron source. The spacer 107a indicates the charged state of the spacer when the antistatic film 112 is not provided, and the thickness of the low resistance film is also a low resistance film in contact with the antistatic film 112 of the spacer 107b for convenience of illustration. It is shown thicker than 110.

このようにスペーサ１０７ａがプラスに帯電すると、電子源である電子放出素子１０４から放出された電子は、例えば電子軌道１１１ａのように、スペーサ側に引き寄せられ、結果的に表示画像の品位を損なってしまう。   When the spacer 107a is positively charged in this way, electrons emitted from the electron-emitting device 104, which is an electron source, are attracted to the spacer side, for example, as an electron trajectory 111a, resulting in a loss of display image quality. End up.

この問題を解決するために、スペーサ１０７ｂに帯電防止膜１１２を設け、表面に微小電流が流れるようにすることにより除電し、電子軌道１１１ｂのように、電子がスペーサに引き寄せられることなく所定の軌跡を描くようにする提案がなされている。   In order to solve this problem, an antistatic film 112 is provided on the spacer 107b and a small current flows on the surface to eliminate static electricity. There is a proposal to draw.

また、特許文献１に示されるように、スペーサガラス基板表面に凹凸を設けることで、スペーサ表面が平滑である場合よりも実効的な二次電子放出係数を小さくし、スペーサ表面の帯電を効果的に抑えることが提案されている。   In addition, as shown in Patent Document 1, by providing unevenness on the surface of the spacer glass substrate, the effective secondary electron emission coefficient is made smaller than when the spacer surface is smooth, and the spacer surface is effectively charged. It has been proposed to keep it down.

さらに、特許文献２では、アルミニウムターゲットと貴金属ターゲットを用い、成膜時に使用するガスとしてアルゴンおよび窒素あるいは酸素の混合ガスを用いた２元同時スパッタで、アルミ窒化物あるいはアルミ酸化物と金、パラジウム、白金などの貴金属を有する帯電緩和膜を被覆したスペーサが提案されている。
特開２００１−１４３６２０号公報 特開平１０−２８４２８３号公報 Further, in Patent Document 2, aluminum nitride or aluminum oxide and gold, palladium are formed by two-way simultaneous sputtering using an aluminum target and a noble metal target and using a mixed gas of argon, nitrogen, or oxygen as a gas used during film formation. There have been proposed spacers coated with a charge relaxation film having a noble metal such as platinum.
JP 2001-143620 A Japanese Patent Laid-Open No. 10-284283

しかしながら、上記従来例で示されたスペーサにおいて、帯電を除去する機能に性能差のばらつきが生じることが明らかとなった。   However, in the spacers shown in the above conventional example, it has become clear that there is a variation in performance difference in the function of removing charge.

特にスペーサに温度分布がついた場合、帯電防止膜の抵抗温度特性により、比抵抗に分布が生じる。この比抵抗の分布が除電機能のばらつきの要因となる。   In particular, when the spacer has a temperature distribution, the specific resistance is distributed due to the resistance temperature characteristic of the antistatic film. This distribution of specific resistance becomes a factor of variation in the charge removal function.

具体的には、平面ディスプレイパネルにおいて、フェースプレートとリアプレートの温度差から引き起こされるパネル面内の温度分布によって、表示画像の乱れが生じる。   Specifically, in the flat display panel, the display image is disturbed due to the temperature distribution in the panel surface caused by the temperature difference between the face plate and the rear plate.

また、異なる材料ターゲットを複数個同時にスパッタ（例えば２種の材料を用いる２元スパッタ）を行なうことで、複数種の元素組成を有する帯電防止膜を成膜するという従来の方法では、成膜条件（バックグラウンド、スパッタ圧、ガス流量、ターゲット投入電力）を同一にそろえても、成膜バッチごとに帯電防止膜の比抵抗にばらつきが生じる場合があった。   Also, in the conventional method of forming an antistatic film having a plurality of elemental compositions by simultaneously sputtering a plurality of different material targets (for example, binary sputtering using two kinds of materials) Even if the (background, sputtering pressure, gas flow rate, target input power) are the same, the specific resistance of the antistatic film may vary from film formation batch to batch.

比抵抗をそろえるためには、異なる材料ターゲットに供給するターゲット投入電力を各々調整する必要があり、煩雑であってかつ再現性が必ずしも高いとは言えなかった。   In order to make the specific resistance uniform, it is necessary to adjust the target input power supplied to different material targets, which is complicated and not necessarily highly reproducible.

特に２元スパッタにおいて、それぞれのターゲット投入電力に大きな差がある場合では、投入電力の小さいターゲット材料表面に投入電力の大きいターゲット材料がデポされる、いわゆるクロスコンタミが起こることが避けられなかった。   In particular, in the case of binary sputtering, when there is a large difference in power input between targets, it is inevitable that so-called cross contamination occurs in which a target material having a large input power is deposited on the surface of a target material having a small input power.

本発明は、抵抗値の制御性、安定性および再現性にすぐれ、その抵抗温度特性が良好な帯電防止膜を有するスペーサを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a spacer having an antistatic film excellent in resistance value controllability, stability and reproducibility, and having good resistance temperature characteristics.

本発明は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記気密容器内に配置されるスペーサであって、前記スペーサは、基板と前記基板の表面に形成された抵抗膜とを有し、前記抵抗膜が、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、その中に分散配置されている窒化酸化膜を少なくとも有することを特徴とするスペーサである。 The present invention provides an image display apparatus including an airtight container having a first substrate on which an electron source is disposed and a second substrate on which an image display member is disposed to face the electron source. The spacer includes a substrate and a resistance film formed on a surface of the substrate, and the resistance film includes a plurality of conductor particles having a particle diameter of 0.5 nm to 10 nm. Is a spacer having at least a nitrided oxide film dispersedly disposed therein .

また、本発明は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記気密容器内に配置されたスペーサとを備える画像表示装置であって、前記スペーサは、上記に記載のスペーサであることを特徴とする画像表示装置である。 In addition, the present invention provides an airtight container having a first substrate on which an electron source is disposed, and a second substrate on which an image display member is disposed to face the electron source, and is disposed in the airtight container. An image display device comprising a spacer, wherein the spacer is the spacer described above .

本発明は、抵抗値の制御性、安定性および再現性にすぐれ、その抵抗温度特性が良好な、帯電防止膜を有するスペーサを提供することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can provide a spacer having an antistatic film that has excellent controllability, stability, and reproducibility of resistance values, and that has good resistance temperature characteristics.

また、本発明は、気密容器を構成する、一対の基板間の温度差から引き起こされる気密容器内の温度分布が原因で生じる表示画像の乱れを小さく抑える効果があり、表示性能の優れた画像表示装置を提供することができる。   Further, the present invention has an effect of minimizing the disturbance of the display image caused by the temperature distribution in the hermetic container that is caused by the temperature difference between the pair of substrates constituting the hermetic container, and has an excellent display performance. An apparatus can be provided.

本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。   The present invention is an antistatic film characterized by having a structure in which a plurality of conductor particles having a particle size of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing nitride.

また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。   Further, the present invention is an antistatic film characterized in that a plurality of conductor particles having a particle diameter of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing an oxide.

また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物とを含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。   The present invention also provides an antistatic film characterized in that a plurality of conductor particles having a particle diameter of 0.5 to 10 nm have a structure in which they are dispersedly arranged in a medium containing a nitride and an oxide. is there.

また、前記導体粒子が白金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably platinum particles, and the nitride is preferably aluminum nitride.

また、前記導体粒子が白金粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably platinum particles, and the oxide is preferably aluminum oxide.

また、前記導体粒子が白金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウム、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the conductor particles are platinum particles, the nitride is aluminum nitride, and the oxide is aluminum oxide.

また、前記導体粒子が金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably gold particles, and the nitride is preferably aluminum nitride.

また、前記導体粒子が金粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably gold particles, and the oxide is preferably aluminum oxide.

また、前記導体粒子が金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウム、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably gold particles, the nitride is aluminum nitride, and the oxide is aluminum oxide.

また、前記導体粒子が銀粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably silver particles, and the nitride is preferably aluminum nitride.

また、前記導体粒子が銀粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably silver particles and the oxide is preferably aluminum oxide.

また、前記導体粒子が銀粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウム、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。   The conductor particles are preferably silver particles, the nitride is aluminum nitride, and the oxide is aluminum oxide.

また、前記導体粒子の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that content of the said conductor particle is 0.1-10 atomic%.

また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。   In addition, the present invention is an antistatic film characterized by having a structure in which a plurality of semiconductor particles having a particle size of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing nitride.

また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。   In addition, the present invention is an antistatic film characterized by having a structure in which a plurality of semiconductor particles having a particle size of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing an oxide.

また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。   According to another aspect of the present invention, there is provided an antistatic film characterized in that a plurality of semiconductor particles having a particle size of 0.5 to 10 nm are dispersed in a medium containing nitride and oxide. .

また、前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記窒化物が窒化珪素であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the semiconductor particles are germanium particles and the nitride is silicon nitride.

また、前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記酸化物が酸化珪素であることが好ましい。   The semiconductor particles are preferably germanium particles, and the oxide is preferably silicon oxide.

また、前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記窒化物が窒化珪素、前記酸化物が酸化珪素であることが好ましい。   The semiconductor particles are preferably germanium particles, the nitride is silicon nitride, and the oxide is silicon oxide.

また、前記半導体粒子の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that content of the said semiconductor particle is 0.1-10 atomic%.

また、以上述べたいずれの帯電防止膜においても、前記粒径が、１〜９ｎｍであることが好ましく、また、その比抵抗がρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍであることが好ましい。 In any of the antistatic films described above, the particle diameter is preferably 1 to 9 nm, and the specific resistance is preferably ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm. .

また、本発明は、気密容器内に電子源を有する電子発生装置であって、前記気密容器内に、以上述べたいずれかの帯電防止膜を備えていることを特徴とする電子発生装置である。   The present invention also provides an electron generator having an electron source in an airtight container, wherein the airtight container includes any one of the antistatic films described above. .

また、本発明は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記気密容器内の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサとを備える画像表示装置であって、前記スペーサの表面には、以上述べたいずれかの帯電防止膜が配置されていることを特徴とする画像表示装置である。   In addition, the present invention provides an airtight container having a first substrate on which an electron source is disposed, and a second substrate on which an image display member is disposed to face the electron source, and the inside of the airtight container, An image display device comprising a spacer disposed between a first substrate and the second substrate, wherein one of the antistatic films described above is disposed on a surface of the spacer. An image display device characterized by the above.

また、本発明は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサであって、その表面に、以上述べたいずれかの帯電防止膜を有することを特徴とするスペーサである。   According to another aspect of the present invention, there is provided an image display device including an airtight container having a first substrate on which an electron source is disposed and a second substrate on which an image display member is disposed to face the electron source. A spacer disposed between one substrate and the second substrate, the spacer having any of the antistatic films described above on the surface thereof.

以上述べた本発明の帯電防止膜は、温度による比抵抗の変化が小さく、この帯電防止膜を特に、画像表示装置のスペーサ表面に設けた形態においては、上記第１の基板と第２の基板の温度差から引き起こされる気密容器内の温度分布が原因で生じる表示画像の乱れを小さく抑える効果がある。   The antistatic film of the present invention described above has a small change in specific resistance due to temperature. In particular, in the case where the antistatic film is provided on the spacer surface of the image display device, the first substrate and the second substrate are provided. There is an effect of suppressing the disturbance of the display image caused by the temperature distribution in the hermetic container caused by the temperature difference.

また、更に本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とするアルミニウムと白金の混合物ターゲットである。   Furthermore, the present invention is used for forming an antistatic film containing aluminum and platinum by a sputtering method, and contains aluminum and platinum in an amount of 95% by mass or more. It is a mixture target.

また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とする窒化アルミニウムと白金の混合物ターゲットである。   In addition, the present invention is used for forming an antistatic film containing aluminum and platinum by a sputtering method, and contains 95% by mass or more of aluminum and platinum. It is a mixture target.

また更に本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。   Furthermore, the present invention is a method for producing an antistatic film containing aluminum and platinum, wherein the mixture target is sputtered in an atmosphere containing only nitrogen.

また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。   The present invention is also a method for producing an antistatic film containing aluminum and platinum, wherein the mixture target is sputtered in an oxygen-only atmosphere.

また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。   The present invention is also a method for producing an antistatic film containing aluminum and platinum, wherein the mixture target is sputtered in an atmosphere of nitrogen and oxygen.

本発明のターゲットは、上記の通り、特に電子ビーム蒸着装置やスパッタ装置等のＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）装置のターゲットとして好適に用いることができる。ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）装置のターゲットとして本発明のターゲットを用いれば、再現性が高く、抵抗値の制御性にすぐれ、その抵抗温度特性の優れた抵抗膜を作製できる。   As described above, the target of the present invention can be suitably used as a target for a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus such as an electron beam vapor deposition apparatus or a sputtering apparatus. When the target of the present invention is used as a target of a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus, a resistance film having high reproducibility, excellent resistance value controllability, and excellent resistance temperature characteristics can be produced.

また、本発明の帯電防止膜の製造方法においては、２元同時スパッタリングに比べ、その比抵抗のばらつきは小さく、膜特性（比抵抗）の再現性が高いという効果がある。
［発明の実施形態］
まず、本発明の帯電防止膜は、その断面形状をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）によって観察した際の模式図である図１に示すように、０．５〜１０ｎｍの平均粒径を有する粒子１の複数個が媒質２中に分散配置された構造を有した抵抗膜である。ここで平均粒径は、図１のような断面形状の観察から２０粒子の粒径の平均値を算出することで得られる。 In addition, the method for producing an antistatic film of the present invention has an effect that variation in specific resistance is small and reproducibility of film characteristics (specific resistance) is high as compared with binary simultaneous sputtering.
[Embodiment of the Invention]
First, the antistatic film of the present invention is a particle 1 having an average particle diameter of 0.5 to 10 nm, as shown in FIG. 1, which is a schematic diagram when the cross-sectional shape is observed with a TEM (transmission electron microscope). These are resistive films having a structure in which a plurality of are distributed in the medium 2. Here, the average particle diameter is obtained by calculating the average value of the particle diameters of 20 particles from the observation of the cross-sectional shape as shown in FIG.

平均粒径が、０．５ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上であれば、抵抗温度特性の良好な抵抗膜とすることができる。即ち、温度の変化による抵抗の変化量が小さい抵抗膜とすることができる。よってこの抵抗膜を帯電防止膜として備えたスペーサを画像表示装置に用いた場合、スペーサによる画像の乱れを小さくすることができる。   When the average particle size is 0.5 nm or more, preferably 1 nm or more, a resistance film having good resistance temperature characteristics can be obtained. That is, a resistance film with a small amount of change in resistance due to a change in temperature can be obtained. Therefore, when a spacer provided with this resistance film as an antistatic film is used in an image display device, image disturbance due to the spacer can be reduced.

また、上記平均粒径は１０ｎｍ以下、好ましくは９ｎｍ以下であることが、比抵抗が１×１０^６Ωｃｍ以上と高くできるという点で望ましい。 The average particle size is preferably 10 nm or less, and preferably 9 nm or less in that the specific resistance can be as high as 1 × 10 ⁶ Ωcm or more.

以上述べた通り、上記の抵抗膜は、電子源を内包し、しかも、温度変化を伴う気密容器内に配置され、当該気密容器内の帯電を防止するための抵抗膜として、即ち、帯電防止膜として好ましく適用することができる。   As described above, the resistance film includes an electron source and is disposed in an airtight container with a temperature change, and serves as a resistance film for preventing charging in the airtight container, that is, an antistatic film. Can be preferably applied.

以下、本発明の実施形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

まず、第１の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。   First, the first embodiment is a resistive film having a structure in which a plurality of conductor particles having a particle diameter of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing nitride.

また、第２の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。   The second embodiment is a resistive film having a structure in which a plurality of conductive particles having a particle size of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing an oxide.

また、第３の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物とを含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。   The third embodiment is a resistive film having a structure in which a plurality of conductive particles having a particle size of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing nitride and oxide.

以上述べた各実施形態において、前記導体は、白金、金、銀などの貴金属であることが好ましく、これら貴金属の中でも、白金、金が抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、窒化アルミニウムが、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、酸化アルミニウムが、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また前記窒化物と酸化物とを含む媒質としては、窒化酸化アルミニウムが、抵抗値の安定性、制御性、抵抗温度特性の点からもっとも好ましい。   In each of the embodiments described above, the conductor is preferably a noble metal such as platinum, gold, or silver, and among these noble metals, platinum and gold are particularly preferable from the viewpoints of resistance stability and controllability. The nitride is preferably aluminum nitride, germanium nitride, silicon nitride, magnesium nitride, etc. Among them, aluminum nitride is particularly preferable from the viewpoint of stability of resistance value and controllability. The oxide is preferably aluminum oxide, germanium oxide, silicon oxide, magnesium oxide or the like. Among these, aluminum oxide is particularly preferable from the viewpoint of stability of resistance value and controllability. As the medium containing the nitride and oxide, aluminum nitride oxide is most preferable from the viewpoint of resistance stability, controllability, and resistance temperature characteristics.

次に、第４の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。   Next, the fourth embodiment is a resistive film having a structure in which a plurality of semiconductor particles having a particle size of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing nitride.

また、第５の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。   The fifth embodiment is a resistive film having a structure in which a plurality of semiconductor particles having a particle diameter of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing an oxide.

また、第６の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。   Further, the sixth embodiment is a resistive film having a structure in which a plurality of semiconductor particles having a particle diameter of 0.5 to 10 nm are dispersedly arranged in a medium containing nitride and oxide.

以上述べた第４、第５、第６の実施形態において、前記半導体は、ゲルマニウム、珪素などであることが好ましく、これら半導体の中でも、ゲルマニウムが抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、窒化珪素が、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、酸化珪素が、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また前記窒化物と酸化物とを含む媒質としては、窒化酸化珪素が、抵抗値の安定性、制御性、抵抗温度特性の点からもっとも好ましい。   In the fourth, fifth, and sixth embodiments described above, the semiconductor is preferably germanium, silicon, or the like, and among these semiconductors, germanium is particularly preferable from the viewpoint of stability of resistance value and controllability. . The nitride is preferably aluminum nitride, germanium nitride, silicon nitride, magnesium nitride, etc. Among these, silicon nitride is particularly preferable from the viewpoint of stability of resistance value and controllability. The oxide is preferably aluminum oxide, germanium oxide, silicon oxide, magnesium oxide or the like. Among these, silicon oxide is particularly preferable from the viewpoint of stability of resistance value and controllability. As the medium containing the nitride and oxide, silicon nitride oxide is most preferable from the viewpoints of resistance stability, controllability, and resistance temperature characteristics.

また、以上述べた第１〜第６の各実施形態の抵抗膜を、電子発生装置のなかでもとりわけ、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサの表面に帯電防止膜として適用する場合においては、その比抵抗がρ=１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍであることが好ましく、上記各抵抗膜は、導体又は半導体の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。 In addition, the resistance film of each of the first to sixth embodiments described above includes, among other electron generators, a first substrate on which an electron source is disposed, and an image display member facing the electron source. In the case of applying as an antistatic film to the surface of a spacer arranged between the first substrate and the second substrate, in an image display device comprising an airtight container having a second substrate arranged The specific resistance is preferably ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm, and each of the resistance films preferably has a conductor or semiconductor content of 0.1 to 10 atomic%.

次に、以上述べた抵抗膜を得るための方法について説明する。   Next, a method for obtaining the resistance film described above will be described.

以上述べた抵抗膜を得るためには、（１）導体粒子又は半導体粒子を構成する成分と、窒化物又は酸化物を構成する、窒化又は酸化される成分とが少なくとも混合された、混合ターゲットを用いてのスパッタリング法による成膜が好ましく、更には、（２）スパッタリングの際の雰囲気は、窒素分圧が７０％以上である窒素ガス雰囲気、又は、酸素分圧が７０％以上である酸素ガス雰囲気であることが好ましい。もちろん前記分圧範囲内であれば混合ガス雰囲気としても構わない。また、混合ガス雰囲気としては、窒素と酸素の混合ガス雰囲気であることが特に好ましく、この場合には、窒素と酸素とで７０％以上の分圧となるように制御されることが望ましい。   In order to obtain the resistance film described above, (1) a mixed target in which at least a component constituting a conductor particle or a semiconductor particle and a component constituting a nitride or an oxide and being nitrided or oxidized are mixed is used. Further, (2) the atmosphere during sputtering is a nitrogen gas atmosphere having a nitrogen partial pressure of 70% or higher, or an oxygen gas having an oxygen partial pressure of 70% or higher. An atmosphere is preferable. Of course, a mixed gas atmosphere may be used as long as it is within the partial pressure range. The mixed gas atmosphere is particularly preferably a mixed gas atmosphere of nitrogen and oxygen, and in this case, it is desirable to control the partial pressure of nitrogen and oxygen to be 70% or more.

以上述べた（１）及び（２）の条件下において、混合ターゲットの成分組成や組成比率、スパッタ成膜時のガス種、スパッタ圧力、投入電力を適宜変化させることで、０．５〜１０ｎｍの範囲内で粒径を変化させることができ、適用される電子発生装置にとって好ましい抵抗範囲に制御された抵抗膜を得ることが可能である。   By appropriately changing the component composition and composition ratio of the mixed target, the gas type during sputtering film formation, the sputtering pressure, and the input power under the conditions (1) and (2) described above, The particle diameter can be changed within the range, and it is possible to obtain a resistance film controlled in a resistance range preferable for the applied electron generator.

次に、上記実施形態の抵抗膜を成膜に適用されるスパッタ装置について説明する。   Next, a sputtering apparatus applied to form the resistance film of the above embodiment will be described.

（スパッタ装置）
図３に、本実施形態に使用した高周波スパッタ装置の構成を示す。これを用いて上記抵抗膜を成膜するプロセスの概要をのべる。 (Sputtering equipment)
FIG. 3 shows the configuration of the high-frequency sputtering apparatus used in this embodiment. An outline of the process of forming the resistance film using this will be described.

まず、基板２０１を成膜トレイ２０２に載せ、予備排気室２０３に投入する。真空ポンプ２０４を用いて、予備排気室を５×１０^−４［Ｐａ］以下の真空度まで排気を行なったのち、搬送ローラー２０５によって成膜トレイ２０２を成膜室２０６へ移動させる。ここで、成膜室２０６を２×１０^−５［Ｐａ］以下の真空度まで排気を行なう。真空度の到達を確認したのちに、ガス導入管２０７より所定量の、窒素ガス、酸素ガス、窒素とアルゴンの混合ガス、酸素とアルゴンの混合ガス、又は、窒素と酸素の混合ガスを流した。またスパッタガス全圧が所定の圧力になるようオリフィス（不図示）を調整した。雰囲気（スパッタガス全圧、ガス流量）が安定したのち、高周波電源２０８に所定の電力を投入する。基板２０１全面にわたって抵抗膜を成膜するために、スパッタ放電が開始したのちには搬送ローラー２０５によって成膜トレイ２０２を５ｍｍ／ｍｉｎの速度で、混合物ターゲット２０９の直下を横切るように、図中矢印の方向へ搬送を行なった。基板と混合物ターゲットとの距離は２００ｍｍとした。 First, the substrate 201 is placed on the film formation tray 202 and put into the preliminary exhaust chamber 203. After exhausting the preliminary exhaust chamber to a vacuum degree of 5 × 10 ⁻⁴ [Pa] or less using the vacuum pump 204, the film formation tray 202 is moved to the film formation chamber 206 by the transport roller 205. Here, the film formation chamber 206 is evacuated to a vacuum level of 2 × 10 ⁻⁵ [Pa] or less. After confirming that the degree of vacuum was reached, a predetermined amount of nitrogen gas, oxygen gas, mixed gas of nitrogen and argon, mixed gas of oxygen and argon, or mixed gas of nitrogen and oxygen was passed through the gas introduction pipe 207. . In addition, an orifice (not shown) was adjusted so that the total pressure of the sputtering gas became a predetermined pressure. After the atmosphere (total sputtering gas pressure, gas flow rate) is stabilized, predetermined power is supplied to the high-frequency power source 208. In order to form a resistance film over the entire surface of the substrate 201, after the sputter discharge is started, an arrow in the figure crosses the film formation tray 202 directly below the mixture target 209 at a speed of 5 mm / min by the transport roller 205. In the direction of The distance between the substrate and the mixture target was 200 mm.

ここで、混合物ターゲット２０９に印加される直流高電圧は、基板搬送に伴う変動が抑制するよう高周波電源２０８にて調整している。   Here, the high direct-current voltage applied to the mixture target 209 is adjusted by the high-frequency power source 208 so as to suppress fluctuations associated with substrate transport.

基板の搬送方向は一方向に限定されるものではなく、一往復搬送あるいは複数回の往復搬送でも構わない。また装置の構成によっては、ターゲット直下で基板を回転運動させることで、全面にわたる成膜を行なっても良い。   The conveyance direction of the substrate is not limited to one direction, and may be one reciprocal conveyance or a plurality of reciprocal conveyances. Depending on the configuration of the apparatus, film formation may be performed over the entire surface by rotating the substrate directly under the target.

以上の工程で基板上に、抵抗膜が形成できる。   Through the above steps, a resistance film can be formed on the substrate.

また、基板の両面に抵抗膜を形成する場合には、表面（第１面）を成膜したのち、成膜トレイ２０２を予備排気室２０３にもどして、基板２０１を取り出す。次に、基板２０１を表裏反転した後、表面（第１面）と同様に裏面（第２面）にも、上記抵抗膜の成膜を行なう。   Further, in the case of forming resistance films on both surfaces of the substrate, after the surface (first surface) is formed, the film formation tray 202 is returned to the preliminary exhaust chamber 203 and the substrate 201 is taken out. Next, after the substrate 201 is turned upside down, the resistance film is formed on the back surface (second surface) as well as the front surface (first surface).

表面（第１面）と裏面（第２面）の各面に付与する抵抗膜の構成としては、所望の膜厚をもった単層の膜でも良いし、混合物の組成濃度比を変えた複数個のターゲットを用いて作製した複数枚の層構成をもった多層膜にしても構わない。   The configuration of the resistance film applied to each surface of the front surface (first surface) and the back surface (second surface) may be a single-layer film having a desired film thickness, or a plurality of compositions having different composition concentration ratios. A multi-layered film having a plurality of layer structures manufactured using a single target may be used.

次に、上記スパッタ装置で用いられる混合ターゲットについて説明する。   Next, the mixed target used in the sputtering apparatus will be described.

（混合物ターゲット作製方法）
ここで、上記混合焼結体ターゲットの作製方法について述べる。 (Mixture target manufacturing method)
Here, a method for producing the mixed sintered body target will be described.

１）混合
まず、種々の組成濃度比にあわせて検量を行なった上記各成分の粉末を混合する。例えば、ＰｔとＡｌ、又は、ＰｔとＡｌＮの粉末を混合する。混合手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。混合は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。混合後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。 1) Mixing First, the powders of the above components, which have been calibrated according to various composition concentration ratios, are mixed. For example, powders of Pt and Al, or Pt and AlN are mixed. The mixing means is not particularly limited, but may be performed by a ball mill or the like. Mixing is performed in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen gas or Ar gas. After mixing, classification may be performed with a sieve or the like, if necessary.

２）仮焼成
この混合粉末を、窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で仮焼成する。また、水素等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。好ましくは８００〜１５００℃で加熱し、仮焼成とする。 2) Pre-baking This mixed powder is pre-baked in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or Ar gas or in vacuum. Further, it may be pre-baked in a reducing atmosphere such as hydrogen. Preferably it heats at 800-1500 degreeC, and is set as temporary baking.

３）粉砕
こうしてできた固形物を粉砕する。粉砕手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。粉砕は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。粉砕後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。 3) Grinding The solid material thus produced is ground. The pulverizing means is not particularly limited, but may be performed by a ball mill or the like. The pulverization is performed in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen gas or Ar gas. After pulverization, classification may be performed with a sieve or the like, if necessary.

４）本焼成
粉砕により得られた混合粉末を窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。水素等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成してもかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いることが好ましい。スパッタリングに備えて、所定の板厚や形状になるように成形し、好ましくは１〜２ＭＰａの圧力下において８００〜１５００℃で加熱するという本焼成の工程を経て混合物焼結体ターゲットとする。 4) Main firing A sintered body is obtained by subjecting the mixed powder obtained by pulverization to pressure firing in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or Ar gas or in vacuum. It may be fired under pressure in a reducing gas atmosphere such as hydrogen. It is preferable to use a hot press method for the pressure firing. In preparation for sputtering, the mixture is shaped to have a predetermined thickness and shape, and is preferably subjected to a main firing step of heating at 800 to 1500 ° C. under a pressure of 1 to 2 MPa to obtain a mixture sintered body target.

（混合物溶融合金ターゲット作製方法）
ここで、混合物溶融合金ターゲットの作製方法について述べる。 (Mixture of molten alloy target)
Here, a method for producing a mixture molten alloy target will be described.

１）溶解
まず、種々の組成濃度比にあわせて検量を行なった上記各成分の原材料を混合する。例えば、ＰｔとＡｌ、又は、ＰｔとＡｌＮの原材料を混合し、溶解炉にて溶かす。溶解方法は特に限定されないが、大気中の不純物などの混入を防ぐために、真空中で行なうことが望ましい。 1) Dissolution First, the raw materials of the above components that have been calibrated according to various composition concentration ratios are mixed. For example, Pt and Al or Pt and AlN raw materials are mixed and melted in a melting furnace. The dissolution method is not particularly limited, but it is desirable to perform in a vacuum in order to prevent contamination of impurities in the atmosphere.

２）冷却
上記の溶融混合物を組成偏析が生じないように調整しながら温度を下げる。 2) Cooling The temperature is lowered while adjusting the molten mixture so as not to cause compositional segregation.

３）鍛造圧延
こうしてできた固形物を加熱しながら鍛造圧延する。冷却時に発生した鬆（す＝空隙）を埋め、溶解むらや密度むらを均一にする。 3) Forging and rolling Forging and rolling while heating the solid material thus produced. Fills voids (voids) generated at the time of cooling to make the unevenness of dissolution and unevenness of density uniform.

４）焼成
上記工程により得られた固形物をＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより、Ｐｔ-ＡｌあるいはＰｔ-ＡｌＮ混合物溶融合金を得る。水素等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成してもかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いることが好ましい。スパッタリングに備えて、所定の板厚や形状になるように成形し、混合物溶融合金ターゲットとする。 4) Firing Pt—Al or a Pt—AlN mixture molten alloy is obtained by subjecting the solid obtained by the above steps to pressure firing in an inert gas atmosphere such as Ar gas or in vacuum. It may be fired under pressure in a reducing gas atmosphere such as hydrogen. It is preferable to use a hot press method for the pressure firing. In preparation for sputtering, the mixture is formed to have a predetermined plate thickness and shape to obtain a mixture molten alloy target.

以上述べたようにして、例えば、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含む、アルミニウムと白金の混合物ターゲット、又は、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含む、窒化アルミニウムと白金の混合物ターゲットを形成することができる。   As described above, for example, a mixture target of aluminum and platinum containing 95% by mass or more of aluminum and platinum, or a mixture target of aluminum nitride and platinum containing 95% by mass or more of aluminum and platinum is formed. be able to.

次に、上記抵抗膜を形成した基板をスペーサとして用い、このスペーサを挿入した画像表示装置の全体構成について説明する。   Next, the overall configuration of the image display apparatus in which the substrate on which the resistance film is formed is used as a spacer and the spacer is inserted will be described.

（パネル構成）
図２は、本実施形態の画像表示装置の表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠いて示している。 (Panel configuration)
FIG. 2 is a perspective view of the display panel of the image display apparatus according to the present embodiment, and a part of the panel is cut away to show the internal structure.

図中、９１５はリアプレート（背面板）、９１６は側壁、９１７はフェースプレート（前面板）であり、リアプレート９１５，側壁９１６，フェースプレート９１７により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容器を形成している。気密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要があるが、たとえばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、４００〜５００℃で１０分以上焼成することにより封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方法については後述する。   In the figure, reference numeral 915 denotes a rear plate (back plate), 916 denotes a side wall, and 917 denotes a face plate (front plate). The rear plate 915, the side wall 916, and the face plate 917 are airtight for maintaining the inside of the display panel in a vacuum. A container is formed. When assembling the hermetic container, it is necessary to seal the joints of the respective members in order to maintain sufficient strength and airtightness. For example, frit glass is applied to the joints, and the atmosphere is 400 in the air or in a nitrogen atmosphere. Sealing was achieved by baking at ˜500 ° C. for 10 minutes or more. A method for evacuating the inside of the hermetic container will be described later.

また、上記気密容器の内部は１０^-4［Ｐａ］程度の真空に保持されるので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的で、耐大気圧構造体として、スペーサ９２０が設けられている。このスペーサとしては上述した、成膜する際にさまざまな組成濃度比から成る混合物ターゲットを用いて作製した帯電防止膜を有する基板が用いられる。 In addition, since the inside of the hermetic container is maintained at a vacuum of about 10 ⁻⁴ [Pa], the spacer 920 is used as an atmospheric pressure resistant structure for the purpose of preventing destruction of the hermetic container due to atmospheric pressure or unexpected impact. Is provided. As the spacer, the above-described substrate having an antistatic film manufactured using a mixture target having various composition concentration ratios when forming a film is used.

リアプレート９１５には、基板９１１が固定されているが、基板９１１上には表面伝導型電子放出素子９１２がＮ×Ｍ個形成されている。ここで、Ｎ，Ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上の数を設定することが望ましい。本実施形態においては、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。   A substrate 911 is fixed to the rear plate 915, and N × M surface conduction electron-emitting devices 912 are formed on the substrate 911. Here, N and M are positive integers of 2 or more, and are appropriately set according to the target number of display pixels. For example, in a display device for the purpose of displaying high-definition television, it is desirable to set numbers of N = 3000 and M = 1000 or more. In this embodiment, N = 3072, M = 1024.

前記Ｎ×Ｍ個の表面伝導型電子放出素子は、Ｍ本の行方向配線９１３とＮ本の列方向配線９１４により単純マトリクス配線されている。基板９１１、表面伝導型電子放出素子９１２、行方向配線９１３、列方向配線９１４によって構成される部分を電子源基板と呼ぶ。   The N × M surface conduction electron-emitting devices are simply matrix-wired by M row-direction wirings 913 and N column-direction wirings 914. A portion constituted by the substrate 911, the surface conduction electron-emitting device 912, the row direction wiring 913, and the column direction wiring 914 is referred to as an electron source substrate.

また、フェースプレート９１７の下面には、蛍光膜９１８が形成されている。そして、蛍光膜９１８のリアプレート側の面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック９１９を設けてある。   A fluorescent film 918 is formed on the lower surface of the face plate 917. A metal back 919 known in the field of CRT is provided on the surface of the fluorescent film 918 on the rear plate side.

また、Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜ＤｙｎおよびＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子である。   Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn and Hv are electrical connection terminals having an airtight structure provided for electrically connecting the display panel and an electric circuit (not shown).

Ｄｘ１〜Ｄｘｍは表面伝導型電子放出素子の行方向配線９１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎは表面伝導型電子放出素子の列方向配線９１４と、Ｈｖはフェースプレートのメタルバック（金属膜）９１９と電気的に接続している。   Dx1 to Dxm are electrically connected to the row-direction wiring 913 of the surface conduction electron-emitting device, Dy1 to Dyn are column-direction wiring 914 of the surface-conduction electron-emitting device, and Hv is electrically connected to the metal back (metal film) 919 of the face plate. Connected.

また、気密容器内部を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を１０^-5［Ｐａ］以下の真空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、たとえばＢａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１×１０^-3ないしは１×１０^-5［Ｐａ］の真空度に維持される。 In order to evacuate the inside of the hermetic container, after assembling the hermetic container, an exhaust pipe (not shown) and a vacuum pump are connected, and the inside of the hermetic container is evacuated to a vacuum level of 10 ⁻⁵ [Pa] or less. . Thereafter, the exhaust pipe is sealed. In order to maintain the degree of vacuum in the hermetic container, a getter film (not shown) is formed at a predetermined position in the hermetic container immediately before or after sealing. The getter film is a film formed by heating and vapor-depositing a getter material mainly composed of Ba by a heater or high-frequency heating, and the inside of the hermetic container is 1 × 10 ⁻³ or 1 × by the adsorption action of the getter film. The degree of vacuum is maintained at 10 ⁻⁵ [Pa].

以上説明した表示パネルを用いた画像表示装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないしＤｙｎを通じて各表面伝導型電子放出素子９１２に電圧を印加すると、各表面伝導型電子放出素子９１２から電子が放出される。それと同時にメタルバック（金属膜）９１９に容器外端子Ｈｖを通じて数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記放出された電子を加速し、フェースプレート９１７の内面に衝突させる。これにより、蛍光体層９１８をなす各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。   The image display device using the display panel described above emits electrons from each surface conduction electron-emitting device 912 when a voltage is applied to each surface conduction electron-emitting device 912 through the container external terminals Dx1 to Dxm and Dy1 to Dyn. Is done. At the same time, a high voltage of several hundred [V] to several [kV] is applied to the metal back (metal film) 919 through the container outer terminal Hv to accelerate the emitted electrons and collide with the inner surface of the face plate 917. As a result, the phosphors of the respective colors forming the phosphor layer 918 are excited to emit light, and an image is displayed.

通常、本発明の表面伝導型放出素子への９１２への印加電圧は１２〜１６［Ｖ］程度、メタルバック（金属膜）９１９と表面伝導型電子放出素子９１２との距離ｄは０．１［ｍｍ］から８［ｍｍ］程度、メタルバック（金属膜）９１９と表面伝導型電子放出素子９１２間の電圧は０．１［ｋＶ］から１２［ｋＶ］程度である。   Usually, the voltage applied to the surface conduction electron-emitting device 912 of the present invention is about 12 to 16 [V], and the distance d between the metal back (metal film) 919 and the surface conduction electron-emitting device 912 is 0.1 [V]. mm] to about 8 [mm], and the voltage between the metal back (metal film) 919 and the surface conduction electron-emitting device 912 is about 0.1 [kV] to 12 [kV].

以上の説明では、画像表示装置とそれに用いる支持構造体としての、表面に形成された抵抗膜（帯電防止膜）を有するスペーサについて説明したが、本発明の思想によれば、画像表示装置に限るものでなく、感光性ドラムと発光ダイオード等で構成された光プリンタの発光ダイオード等の代替の発光源として用いることもできる。またこの際、上述のｍ本の行方向配線とｎ本の列方向配線を、適宜選択することで、ライン状発光源だけでなく、２次元状の発光源としても応用できる。この場合、電子の被照射体としては、蛍光体のような直接発光する物質に限るものではなく、電子の帯電による潜像画像が形成されるような部材を用いることもできる。また、本発明の思想によれば、例えば電子顕微鏡のように、電子源からの放出電子の被照射体が、蛍光体等の画像形成部材以外のものである場合についても、本発明は電子発生装置として適用できる。   In the above description, the spacer having the resistance film (antistatic film) formed on the surface as the image display device and the support structure used therefor has been described. However, according to the idea of the present invention, the spacer is limited to the image display device. Instead, it can be used as an alternative light source such as a light emitting diode of an optical printer composed of a photosensitive drum and a light emitting diode. At this time, by appropriately selecting the above-mentioned m row-directional wirings and n column-directional wirings, the present invention can be applied not only to a linear light-emitting source but also to a two-dimensional light-emitting source. In this case, the electron irradiation object is not limited to a material that directly emits light, such as a phosphor, and a member that forms a latent image by charging with electrons can also be used. Further, according to the idea of the present invention, the present invention can generate electrons even when the irradiated object of electrons emitted from an electron source is other than an image forming member such as a phosphor, for example, as in an electron microscope. Applicable as a device.

（画像の評価方法）
本発明における抵抗膜を帯電防止膜としてガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。 (Image evaluation method)
The resistance film in the present invention was formed as an antistatic film on a glass substrate to produce a spacer substrate, and used as a spacer of an image display apparatus using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

図８に示すように、スペーサ８０１の除電能力が不十分であると、ビームの軌道が乱され、等間隔で表示されるべき点灯画素の位置が移動する。本来のビーム位置８０２の間隔Ｌを１Ｌとして、ビームがスペーサによって移動した場合８０３との差分である移動量をΔＬで示す。   As shown in FIG. 8, when the neutralization capability of the spacer 801 is insufficient, the trajectory of the beam is disturbed, and the positions of the lit pixels to be displayed at regular intervals move. When the distance L between the original beam positions 802 is 1L, a movement amount which is a difference from the case where the beam is moved by the spacer 803 is denoted by ΔL.

十分に明るい室内に表示装置を設置し、パネル面から１ｍ離れた場所から目視による表示画像の評価を成人男女５０人の被験者に対して実施した。   A display apparatus was installed in a sufficiently bright room, and visual display image evaluation was performed on 50 adult male and female subjects from a place 1 m away from the panel surface.

ビームの移動による画像の乱れを「見えない」「見えるが気にならない」「見えて気になる」の３段階で評価し、ビームの移動量ΔＬとの関係を求めた。被験者の過半数が「見えない」と回答した移動量ΔＬ＝０〜０．０１Ｌ
「見えるが気にならない」と回答した移動量ΔＬ＝０．０１〜０．０３Ｌ
「見える」と回答した移動量ΔＬ＝０．０１Ｌ以上
であった。表１に示す。 The disturbance of the image due to the movement of the beam was evaluated in three stages: “I cannot see it”, “I can see it but I don't care”, and “I can see it and I am interested”, and the relationship with the beam movement amount ΔL was obtained. Amount of movement ΔL = 0 to 0.01L that a majority of subjects answered “I cannot see”
Amount of movement ΔL = 0.01-0.03L replied “I can see but I do n’t care”
The amount of movement ΔL = “0.01L” or more, which was “visible”. Table 1 shows.

本発明の抵抗膜の性能評価は、該抵抗膜を備えたスペーサを表示装置に設置し、該スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価にて行った。   The performance evaluation of the resistance film of the present invention was performed by image evaluation in which a spacer provided with the resistance film was installed in a display device, and a beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer was measured.

以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお原子％（ａｔｏｍｉｃ％）は単原子の原子の個数の割合を示し、Ｐｔ／Ａｌ質量比は（Ｐｔの原子％×Ｐｔの原子量）／（Ａｌの原子％×Ａｌの原子量）で算出される。   Hereinafter, specific examples of the present invention will be described. In addition, atomic% (atomic%) shows the ratio of the number of atoms of a single atom, and Pt / Al mass ratio is calculated by (atomic% of Pt × atomic weight of Pt) / (atomic% of Al × atomic weight of Al). .

(実施例１)
Ｐｔ＝５ ａｔｏｍｉｃ％ Ｐｔ−Ａｌ 溶融合金
組成比 Ｐｔ：５ ａｔｏｍｉｃ％、Ａｌ：９５ ａｔｏｍｉｃ％ となるように検量を行なったＰｔおよびＡｌ原材料を混合する。この混合物を真空溶解炉にて溶解し合金を作製する。冷却後、鍛造圧延を行なうことで組成分布をより均一なものとする。この溶融合金を真空中で加圧焼成し、スパッタリングターゲットとして所定の板厚や形状になるように成形し、Ｐｔ−Ａｌ溶融合金混合物ターゲットとする。このＰｔ−Ａｌ溶融合金の密度は３．６ｇ／ｃｍ^３であった。 (Example 1)
Pt = 5 atomic% Pt—Al molten alloy Composition ratio Pt and Al raw materials that have been calibrated so as to be 5 atomic% and Al: 95 atomic% are mixed. This mixture is melted in a vacuum melting furnace to produce an alloy. After cooling, the composition distribution is made more uniform by performing forge rolling. This molten alloy is subjected to pressure firing in a vacuum, and formed as a sputtering target so as to have a predetermined plate thickness and shape, thereby obtaining a Pt—Al molten alloy mixture target. The density of this Pt—Al molten alloy was 3.6 g / cm ³ .

図３に示した高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このＰｔ−Ａｌ溶融合金を設置し、Ｎ_２流量１００ｓｃｃｍを固定し、全圧を変化させて、Ｐｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜した。得られたＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗は、図４のようであった。 As a target of the high-frequency sputtering device shown in FIG. 3, this Pt—Al molten alloy was installed, a N ₂ flow rate of 100 sccm was fixed, and the total pressure was changed to form a Pt—Al mixture nitride film. The specific resistance of the obtained Pt—Al mixture nitride film was as shown in FIG.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表２のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、３．５ｇ／ｃｍ^３であった。 The composition of the thus produced Pt—Al mixture nitride film was analyzed using the RBS (Rutherford backscattering) method. The composition was as shown in Table 2. The density of the Pt—Al mixture nitride film was 3.5 g / cm ³ .

(実施例２)
Ｐｔ＝３ ａｔｏｍｉｃ％ Ｐｔ−Ａｌ 溶融合金
実施例１と同様に、組成比 Ｐｔ：３ ａｔｏｍｉｃ％、Ａｌ：９７ ａｔｏｍｉｃ％となるように検量し、混合・溶解・冷却・鍛造圧延・加圧焼成を行ない、Ｐｔ−Ａｌ溶融合金混合物ターゲットとする。このＰｔ−Ａｌ溶融合金の密度は３．２ｇ／ｃｍ^３であった。 (Example 2)
Pt = 3 atomic% Pt-Al molten alloy As in Example 1, the composition ratio Pt: 3 atomic%, Al: 97 atomic% was calibrated to perform mixing, melting, cooling, forging rolling, and pressure firing. To obtain a Pt—Al molten alloy mixture target. The density of this Pt—Al molten alloy was 3.2 g / cm ³ .

実施例１と同様にＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜したところ、比抵抗は、図４のようであった。   When a Pt—Al mixture nitride film was formed in the same manner as in Example 1, the specific resistance was as shown in FIG.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表１のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、３．０ｇ／ｃｍ^３であった。 The composition of the Pt—Al mixture nitride film thus prepared was analyzed using the RBS (Rutherford backscattering) method. The composition was as shown in Table 1. The density of the Pt—Al mixture nitride film was 3.0 g / cm ³ .

(実施例３)
Ｐｔ＝５ ａｔｏｍｉｃ％ Ｐｔ−ＡｌＮ 焼結体
金属アルミニウムの代わりに、窒化アルミニウムを原材料として用いる。 Example 3
Pt = 5 atomic% Pt—AlN sintered body Aluminum nitride is used as a raw material instead of metal aluminum.

組成比 Ｐｔ：５ ａｔｏｍｉｃ％、ＡｌＮ：９５ ａｔｏｍｉｃ％ となるように検量を行なったＰｔおよびＡｌＮの粉末を混合する。混合は、窒素ガス下の非酸化性雰囲気中でボールミルを用いて行なう。混合後、ふるいにより分級を行なうことで粒状形状をより均一なものとする。この混合粉末を、真空中で仮焼成する。   The Pt and AlN powders that have been calibrated so that the composition ratios Pt: 5 atomic% and AlN: 95 atomic% are mixed. Mixing is performed using a ball mill in a non-oxidizing atmosphere under nitrogen gas. After mixing, classification is performed with a sieve to make the granular shape more uniform. This mixed powder is temporarily fired in a vacuum.

こうしてできた固形物を粉砕する。粉砕は、窒素ガス下の非酸化性雰囲気中でボールミルを用いて行なう。粉砕後、ふるいにより分級を行なうことで粒状形状をより均一なものとする。   The solid material thus formed is pulverized. The pulverization is performed using a ball mill in a non-oxidizing atmosphere under nitrogen gas. After pulverization, classification is performed with a sieve to make the granular shape more uniform.

粉砕により得られた混合粉末を真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。加圧焼成には、２ＭＰａの圧力下において１５００℃に加熱を行なうというホットプレス法を用いる。スパッタリングターゲットとして所定の板厚や形状になるように成形し、Ｐｔ−ＡｌＮ混合物焼結体ターゲットとする。このＰｔ−ＡｌＮ焼結体の密度は２．４ｇ／ｃｍ^３であった。 The mixed powder obtained by pulverization is subjected to pressure firing in vacuum to obtain a sintered body. For the press firing, a hot press method in which heating is performed at 1500 ° C. under a pressure of 2 MPa is used. It shape | molds so that it may become a predetermined | prescribed plate | board thickness and shape as a sputtering target, and it is set as a Pt-AlN mixture sintered compact target. The density of this Pt—AlN sintered body was 2.4 g / cm ³ .

実施例１と同様にＮ_２流量１００ｓｃｃｍを固定し、全圧を変化させて、Ｐｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜したところ、比抵抗は、図５のようであった。 As in Example 1, the N ₂ flow rate of 100 sccm was fixed and the total pressure was changed to form a Pt—Al mixture nitride film. The specific resistance was as shown in FIG.

このようにして作製したＰｔ−ＡｌＮ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表３のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、３．２ｇ／ｃｍ^３であった。 The composition of the Pt—AlN mixture nitride film thus prepared was analyzed using the RBS (Rutherford backscattering) method. The composition was as shown in Table 3. The density of the Pt—Al mixture nitride film was 3.2 g / cm ³ .

（実施例４）
Ｐｔ＝３ ａｔｏｍｉｃ％ Ｐｔ−ＡｌＮ
実施例３と同様に、金属アルミニウムの代わりに、窒化アルミニウムを原材料として用い、組成比 Ｐｔ：３ ａｔｏｍｉｃ％、ＡｌＮ：９７ ａｔｏｍｉｃ％ となるように検量し、混合・仮焼成・粉砕・加圧焼成を行ない、Ｐｔ−ＡｌＮ混合物焼結体ターゲットとする。このＰｔ−ＡｌＮ焼結体の密度は２．０ｇ／ｃｍ^３であった。 (Example 4)
Pt = 3 atomic% Pt-AlN
In the same manner as in Example 3, aluminum nitride was used as a raw material instead of metallic aluminum, and a composition ratio Pt: 3 atomic% and AlN: 97 atomic% were weighed, mixed, pre-fired, pulverized, and pressure-fired. To obtain a Pt—AlN mixture sintered body target. The density of this Pt—AlN sintered body was 2.0 g / cm ³ .

実施例１と同様にＮ_２流量１００ｓｃｃｍを固定し、全圧を変化させて、Ｐｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜したところ、比抵抗は、図５のようであった。 As in Example 1, the N ₂ flow rate of 100 sccm was fixed and the total pressure was changed to form a Pt—Al mixture nitride film. The specific resistance was as shown in FIG.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表３のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、２．８ｇ／ｃｍ^３であった。 The composition of the Pt—Al mixture nitride film thus prepared was analyzed using the RBS (Rutherford backscattering) method. The composition was as shown in Table 3. The density of the Pt—Al mixture nitride film was 2.8 g / cm ³ .

［比較例１］
２元ターゲットとの比較− Ｐｔ＝５ ａｔｏｍｉｃ％ 窒化膜
Ｐｔ単体、Ａｌ単体のターゲットを別個に用意する。実施例１と同様に、高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このＰｔターゲットおよびＡｌターゲットをそれぞれ設置する。全圧０．２Ｐａ、Ｎ２流量１００ｓｃｃｍの条件下で、これらのターゲットそれぞれに投入する電力を調整した。Ｐｔ＝５ ａｔｏｍｉｃ％ Ｐｔ−Ａｌターゲットを用いて成膜した膜と、Ｐｔ含有量が同じ（Ｐｔ＝２．５ ａｔｏｍｉｃ％）となるようにした。 [Comparative Example 1]
Comparison with binary target-Pt = 5 atomic% Nitride film A single target of Pt and Al are prepared separately. As in Example 1, the Pt target and the Al target are installed as targets of the high-frequency sputtering apparatus. The electric power supplied to each of these targets was adjusted under the conditions of a total pressure of 0.2 Pa and an N2 flow rate of 100 sccm. Pt = 5 atomic% The film was formed using a Pt—Al target so that the Pt content was the same (Pt = 2.5 atomic%).

このように調整した同一条件で繰り返し成膜を行なったところ、作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗は、図６のようにばらついた。   When the film was repeatedly formed under the same conditions adjusted as described above, the specific resistance of the produced Pt—Al mixture nitride film varied as shown in FIG.

［比較例２］
２元ターゲットとの比較− Ｐｔ＝３ ａｔｏｍｉｃ％ 窒化膜
Ｐｔ単体、Ａｌ単体のターゲットを別個に用意する。実施例１と同様に、高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このＰｔターゲットおよびＡｌターゲットをそれぞれ設置する。全圧０．２Ｐａ、Ｎ_２流量１００ｓｃｃｍの条件下で、これらのターゲットそれぞれに投入する電力を調整した。Ｐｔ＝３ ａｔｏｍｉｃ％ Ｐｔ−Ａｌターゲットを用いて成膜した膜と、Ｐｔ含有量が同じ（Ｐｔ＝０．８ ａｔｏｍｉｃ％）になるようにした。 [Comparative Example 2]
Comparison with binary target-Pt = 3 atomic% Nitride film A target of Pt alone and Al alone are prepared separately. As in Example 1, the Pt target and the Al target are installed as targets of the high-frequency sputtering apparatus. The electric power supplied to each of these targets was adjusted under the conditions of a total pressure of 0.2 Pa and an N ₂ flow rate of 100 sccm. Pt = 3 atomic% The film was formed using a Pt—Al target so that the Pt content was the same (Pt = 0.8 atomic%).

このように調整した同一条件で繰り返し成膜を行なったところ、作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗はばらつき、図６のようであった。   When repeated film formation was performed under the same conditions adjusted as described above, the specific resistance of the produced Pt—Al mixture nitride film varied, as shown in FIG.

（実施例５）
図２に示した高周波スパッタリング装置のターゲットとして、実施例１の要領で作製した組成比 Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素/アルゴン混合ガス：Ｎ_２＝７０ｓｃｃｍ Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 5)
As a target of the high-frequency sputtering apparatus shown in FIG. 2, a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 2 atom% and Al: 98 atom% produced in the manner of Example 1 was installed. The gas flow rate was a nitrogen / argon mixed gas: N ₂ = 70 sccm Ar = 30 sccm and a sputtering pressure of 1.0 Pa. The Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、２×１０⁹Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 30 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 2 × 10 ⁹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．４ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was measured using a TEM (Transmission Electron Microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus produced and found to be 0.4 nm. .

（実施例６）
組成比 Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ_２＝７０ｓｃｃｍ Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 6)
Composition ratio Pt: 2 atom%, Al: 98 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was a nitrogen / argon mixed gas: N ₂ = 70 sccm Ar = 30 sccm and a sputtering pressure of 0.5 Pa. The Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０⁹Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 25 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．５ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was determined using a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus prepared, and it was 0.5 nm. .

（実施例７）
組成比 Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ_２＝７０ｓｃｃｍ Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 7)
Composition ratio Pt: 2 atom%, Al: 98 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was a nitrogen / argon mixed gas: N ₂ = 70 sccm Ar = 30 sccm and a sputtering pressure of 0.3 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、８×１０⁸Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 20 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 8 × 10 ⁸ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．６ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was measured using a TEM (Transmission Electron Microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus produced and found to be 0.6 nm. .

（実施例８）
組成比 Ｐｔ：３０ ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ_２＝７０ｓｃｃｍ Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 8)
Composition ratio Pt: 30 atom%, Al: 70 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was nitrogen / argon mixed gas: N ₂ = 70 sccm Ar = 30 sccm, sputtering pressure 1.0 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to input power 2400 W using a high frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^４Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 30 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁴ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was measured with a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus produced, and it was 9 nm.

（実施例９）
組成比 Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ_２＝７０ｓｃｃｍ Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 Example 9
Composition ratio Pt: 30 atom%, Al: 70 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was a nitrogen / argon mixed gas: N ₂ = 70 sccm Ar = 30 sccm and a sputtering pressure of 0.5 Pa. The Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^４Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 25 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁴ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was determined using a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus prepared, and it was 10 nm.

（実施例１０）
組成比 Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ_２＝７０ｓｃｃｍ Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 10)
Composition ratio Pt: 30 atom%, Al: 70 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was a nitrogen / argon mixed gas: N ₂ = 70 sccm Ar = 30 sccm and a sputtering pressure of 0.3 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０⁰Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 20 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁰ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１１ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was measured using a TEM (Transmission Electron Microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus produced and found to be 11 nm.

（実施例１１）
組成比Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ_２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 11)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 2 atom%, Al: 98 atom%, 8 inches φ, and a gas flow rate of nitrogen gas: N ₂ = 100 sccm. The sputtering pressure was 1.0 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０¹¹Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 70 minutes. The specific resistance of this resistive film was 1 × 10 ¹¹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．８ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture nitride film thus produced, the average particle diameter of platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was determined using a TEM (transmission electron microscope) and found to be 0.8 nm.

（実施例１２）
組成比Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ_２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 12)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 2 atom%, Al: 98 atom%, 8 inches φ, and a gas flow rate of nitrogen gas: N ₂ = 100 sccm. The sputtering pressure was 0.5 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０¹¹Ωｃｍであった。 A resistance film having a film thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 65 minutes. The specific resistance of this resistive film was 1 × 10 ¹¹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、1ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture nitride film thus produced, the average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium using a TEM (transmission electron microscope) was found to be 1 nm.

（実施例１３）
組成比Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ_２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 13)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 2 atom%, Al: 98 atom%, 8 inches φ, and a gas flow rate of nitrogen gas: N ₂ = 100 sccm. The sputtering pressure was 0.3 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、８×１０^1０Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 60 minutes. The specific resistance of this resistive film was 8 × 10 ¹⁰ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、2ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture nitride film thus produced, the average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium using a TEM (transmission electron microscope) was found to be 2 nm.

（実施例１４）
組成比Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ_２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 14)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 30 atom%, Al: 70 atom%, 8 inches φ, and a gas flow rate of nitrogen gas: N ₂ = 100 sccm. The sputtering pressure was 1.0 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０^４Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 70 minutes. The specific resistance of this resistive film was 1 × 10 ⁴ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture nitride film thus produced, the average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was determined using TEM (transmission electron microscope), and found to be 9 nm.

（実施例１５）
組成比Ｐｔ：３０ ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ_２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 15)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 30 atom%, Al: 70 atom%, 8 inches φ, and a gas flow rate of nitrogen gas: N ₂ = 100 sccm. The sputtering pressure was 0.5 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０^４Ωｃｍであった。 A resistance film having a film thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 65 minutes. The specific resistance of this resistive film was 1 × 10 ⁴ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was determined using a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus produced and found to be 10 nm.

（実施例１６）
組成比Ｐｔ：３０ ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ_２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 16)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 30 atom%, Al: 70 atom%, 8 inches φ, and a gas flow rate of nitrogen gas: N ₂ = 100 sccm. The sputtering pressure was 0.3 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０^２Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 60 minutes. The specific resistance of this resistive film was 1 × 10 ² Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１１ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride medium was determined to be 11 nm using the TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride film thus prepared.

（実施例１７）
組成比 Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ_２＝１００ｓｃｃｍ スパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 17)
Composition ratio Pt: 2 atom%, Al: 98 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was oxygen gas: O ₂ = 100 sccm, the sputtering pressure was 1.0 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、５×１０^１１Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 70 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 5 × 10 ¹¹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．４ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum oxide medium was determined to be 0.4 nm using the TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture oxide film thus prepared. .

（実施例１８）
組成比 Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ_２＝１００ｓｃｃｍ スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 18)
Composition ratio Pt: 2 atom%, Al: 98 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was oxygen gas: O ₂ = 100 sccm, the sputtering pressure was 0.5 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^１１Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a film thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 65 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ¹¹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．５ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum oxide medium was determined to be 0.5 nm using the TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture oxide film thus prepared. .

（実施例１９）
組成比 Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 Example 19
Composition ratio Pt: 2 atom%, Al: 98 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was oxygen gas: O2 = 100 sccm, the sputtering pressure was 0.3 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^１１Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 60 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ¹¹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．６ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum oxide medium was determined to be 0.6 nm using a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture oxide film thus prepared. .

（実施例２０）
組成比 Ｐｔ：３０ ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ_２＝１００ｓｃｃｍスパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 20)
Composition ratio Pt: 30 atom%, Al: 70 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was oxygen gas: O ₂ = 100 sccm with a sputtering pressure of 1.0 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^８Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 70 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁸ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、８ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum oxide medium was determined to be 8 nm using the TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture oxide film thus produced.

（実施例２１）
組成比 Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ_２＝１００ｓｃｃｍ スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 21)
Composition ratio Pt: 30 atom%, Al: 70 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate was oxygen gas: O ₂ = 100 sccm, the sputtering pressure was 0.5 Pa, and the Pt—Al mixture target was set to an input power of 2400 W using a high-frequency power source.

ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０⁷Ωｃｍであった。 A glass substrate was introduced into the film formation chamber, and film formation was performed on the glass substrate. A resistance film having a film thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 65 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁷ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum oxide medium was determined to be 9 nm for the Pt—Al mixture oxide film thus produced using a TEM (transmission electron microscope).

（実施例２２）
組成比 Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ_２＝１００ｓｃｃｍ スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^６Ωｃｍであった。 (Example 22)
Composition ratio Pt: 30 atom%, Al: 70 atom% An 8-inch φ Pt—Al mixture target was installed. The gas flow rate is oxygen gas: O ₂ = 100 sccm Sputtering pressure is 0.3 Pa. Using the high frequency power source, the above Pt—Al mixture target is introduced into the film formation chamber with a glass substrate with an input power of 2400 W. A film was formed on top. A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 60 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁶ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture oxide film thus produced, the average particle diameter of platinum particles dispersed in an aluminum oxide medium was determined using a TEM (transmission electron microscope), and it was 10 nm.

（実施例２３）
組成比Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ_２＝２ｓｃｃｍ Ｎ_２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 23)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 2 atom% and Al: 98 atom% of 8 inches φ. Film formation was carried out with the gas flow rate of oxygen / nitrogen mixed gas O ₂ = ₂ sccm N ₂ = 98 sccm. The sputtering pressure was 1.0 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間３５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、２×１０^１２Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 35 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 2 × 10 ¹² Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．４ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture nitride oxide film thus produced, the average particle diameter of platinum particles dispersed in an aluminum nitride and aluminum oxide medium was determined using a TEM (transmission electron microscope). It was 4 nm.

（実施例２４）
組成比Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ_２＝２ｓｃｃｍ Ｎ_２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 24)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 2 atom% and Al: 98 atom% of 8 inches φ. Film formation was carried out with the gas flow rate of oxygen / nitrogen mixed gas O ₂ = ₂ sccm N ₂ = 98 sccm. The sputtering pressure was 0.5 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^１１Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 30 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ¹¹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．５ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture nitride oxide film thus produced, the average particle diameter of platinum particles dispersed in an aluminum nitride and aluminum oxide medium was determined using a TEM (transmission electron microscope). It was 5 nm.

（実施例２５）
組成比Ｐｔ：２ ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ_２＝２ｓｃｃｍ Ｎ_２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 25)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 2 atom% and Al: 98 atom% of 8 inches φ. Film formation was carried out with the gas flow rate of oxygen / nitrogen mixed gas O ₂ = ₂ sccm N ₂ = 98 sccm. The sputtering pressure was 0.3 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０^１１Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 25 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ¹¹ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．６ｎｍであった。   With respect to the Pt—Al mixture nitride oxide film thus produced, the average particle diameter of platinum particles dispersed in an aluminum nitride and aluminum oxide medium was determined using a TEM (transmission electron microscope). It was 6 nm.

（実施例２６）
組成比Ｐｔ：３０ ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ_２＝２ｓｃｃｍ Ｎ_２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 26)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 30 atom% and Al: 70 atom%, 8 inches φ. Film formation was carried out with the gas flow rate of oxygen / nitrogen mixed gas O ₂ = ₂ sccm N ₂ = 98 sccm. The sputtering pressure was 1.0 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間３５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０⁵Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 35 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁵ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride and aluminum oxide medium was determined using a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride oxide film thus prepared. there were.

（実施例２７）
組成比Ｐｔ：３０ ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ_２＝２ｓｃｃｍ Ｎ_２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 27)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 30 atom% and Al: 70 atom%, 8 inches φ. Film formation was carried out with the gas flow rate of oxygen / nitrogen mixed gas O ₂ = ₂ sccm N ₂ = 98 sccm. The sputtering pressure was 0.5 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０⁴Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 30 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 1 × 10 ⁴ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride and aluminum oxide medium was determined using a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride oxide film thus produced. there were.

（実施例２８）
組成比Ｐｔ：３０ ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０ ａｔｏｍ％ ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ_２＝２ｓｃｃｍ Ｎ_２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。 (Example 28)
Film formation was performed using a Pt—Al mixture target having a composition ratio of Pt: 30 atom% and Al: 70 atom%, 8 inches φ. Film formation was carried out with the gas flow rate of oxygen / nitrogen mixed gas O ₂ = ₂ sccm N ₂ = 98 sccm. The sputtering pressure was 0.3 Pa and the input power was 2400 W.

スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、５×１０^３Ωｃｍであった。 A resistance film having a thickness of 200 nm was obtained in a sputtering time of 25 minutes. The specific resistance of the obtained resistance film was 5 × 10 ³ Ωcm.

このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１１ｎｍであった。   The average particle diameter of the platinum particles dispersed in the aluminum nitride and aluminum oxide medium was determined using a TEM (transmission electron microscope) for the Pt—Al mixture nitride oxide film thus prepared. there were.

上記の実施例５〜２８で示した、各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Each of the resistance films shown in Examples 5 to 28 is formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, and the spacer of the image display apparatus using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment Used as. Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表４に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 4.

（実施例２９）
組成濃度比を調整して作製した８インチφのＰｔ−Ｇｅ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 29)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Pt—Ge mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の白金粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the platinum particle in a medium was calculated | required using TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment. Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表５に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 5.

（実施例３０）
組成濃度比を調整して作製した８インチφのＰｔ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 30)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Pt—Si mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の白金粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the platinum particle in a medium was calculated | required using TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表６に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 6.

（実施例３１）
組成濃度比を調整して作製した８インチφのＰｔ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 31)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Pt—Mg mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の白金粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the platinum particle in a medium was calculated | required using TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表７に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a platinum particle size of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 7.

（実施例３２）
粒子材料が金、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 32)
Film formation was performed using an 8-inch φ Au—Al mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was gold and the medium was aluminum nitride, aluminum oxide, or aluminum nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the gold particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表８に示す。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle diameter of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less) The image was particularly good. The results are shown in Table 8.

（実施例３３）
粒子材料が金、媒質が窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、あるいは窒化酸化ゲルマニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ｇｅ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 33)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Au—Ge mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was gold and the medium was germanium nitride, germanium oxide, or germanium nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the gold particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表９に示す。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle diameter of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less) The image was particularly good. The results are shown in Table 9.

（実施例３４）
粒子材料が金、媒質が窒化珪素、酸化珪素、あるいは窒化酸化珪素となるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 34)
Film formation was performed using an 8-inch φ Au—Si mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was gold and the medium was silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the gold particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１０に示す。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle diameter of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less) The image was particularly good. The results are shown in Table 10.

（実施例３５）
粒子材料が金、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 35)
Film formation was performed using an 8-inch φ Au—Mg mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was gold and the medium was magnesium nitride, magnesium oxide, or magnesium nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the gold particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１１に示す。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a gold particle diameter of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less) The image was particularly good. The results are shown in Table 11.

（実施例３６）
粒子材料が銀、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 36)
Film formation was performed using an 8-inch φ Ag—Al mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was silver and the medium was aluminum nitride, aluminum oxide, or aluminum nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the silver particle in a medium was calculated | required using TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１２に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 1 to 9 nm, the beam movement amount ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 12.

（実施例３７）
粒子材料が銀、媒質が窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、あるいは窒化酸化ゲルマニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 37)
Film formation was performed using an 8-inch φ Ag—Al mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was silver and the medium was germanium nitride, germanium oxide, or germanium nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the silver particle in a medium was calculated | required using TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１３に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 1 to 9 nm, the beam movement amount ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 13.

（実施例３８）
粒子材料が銀、媒質が窒化珪素、酸化珪素、あるいは窒化酸化珪素となるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 38)
Film formation was carried out using an 8 inch φ Ag—Si mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was silver and the medium was silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the silver particle in a medium was calculated | required using TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１４に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 1 to 9 nm, the beam movement amount ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 14.

（実施例３９）
粒子材料が銀、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 39)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Ag—Mg mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was silver and the medium was magnesium nitride, magnesium oxide, or magnesium nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the silver particle in a medium was calculated | required using TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement amount ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１５に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silver particle size of 1 to 9 nm, the beam movement amount ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 15.

（実施例４０）
粒子材料がゲルマニウム、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＧｅ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 40)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Ge—Al mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was germanium and the medium was aluminum nitride, aluminum oxide, or aluminum nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of deposition gas were used: nitrogen / argon mixed gas, nitrogen gas, oxygen gas, oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure of 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target of 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中のゲルマニウム粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the germanium particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film having a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a germanium particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１６に示す。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a germanium particle size in the range of 1 to 9 nm, the beam movement amount ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 16.

（実施例４１）
粒子材料がゲルマニウム、媒質が窒化珪素、酸化珪素、あるいは窒化酸化珪素となるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＧｅ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 41)
Film formation was performed using an 8-inch φ Ge—Si mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was germanium and the medium was silicon nitride, silicon oxide, or silicon nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中のゲルマニウム粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the germanium particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film having a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a germanium particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１７に示す。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a germanium particle size of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less), The image was particularly good. The results are shown in Table 17.

（実施例４２）
粒子材料がゲルマニウム、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＧｅ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 42)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Ge—Mg mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was germanium and the medium was magnesium nitride, magnesium oxide, or magnesium nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中のゲルマニウム粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the germanium particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film having a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a germanium particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１８に示す。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a germanium particle size in the range of 1 to 9 nm, the beam movement amount ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 18.

（実施例４３）
粒子材料が珪素、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＳｉ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 43)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Si—Al mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was silicon and the medium was aluminum nitride, aluminum oxide, or aluminum nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の珪素粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the silicon particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、珪素粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silicon particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、珪素粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１９に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silicon particle diameter of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 19.

（実施例４４）
粒子材料が珪素、媒質が窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、あるいは窒化酸化ゲルマニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＳｉ−Ｇｅ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 44)
Film formation was carried out using an 8-inch φ Si—Ge mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was silicon and the medium was germanium nitride, germanium oxide, or germanium nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の珪素粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the silicon particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、珪素粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silicon particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、珪素粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表２０に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silicon particle diameter of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 20.

（実施例４５）
粒子材料が珪素、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＳｉ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。 (Example 45)
Film formation was performed using an 8-inch φ Si—Mg mixture target prepared by adjusting the composition concentration ratio so that the particle material was silicon and the medium was magnesium nitride, magnesium oxide, or magnesium nitride oxide.

成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。 The following four types of film forming gas were used: nitrogen / argon mixed gas nitrogen gas oxygen gas oxygen / nitrogen mixed gas, sputtering pressure was 0.3 to 1.5 Pa, and power input to the target was 2400 W.

スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。   The sputtering time was appropriately adjusted so that the film thickness was 200 nm.

これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の珪素粒子の平均粒径を求めた。   The specific resistance of these resistive films was measured. Moreover, the average particle diameter of the silicon particles in the medium was determined using a TEM (transmission electron microscope).

各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。   Each resistive film was formed on a glass substrate to produce a spacer substrate, which was used as a spacer of an image display device using the surface conduction electron-emitting device according to this embodiment.

スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。   Image evaluation was performed to measure the beam movement amount ΔL due to the influence of the spacer.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、珪素粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。 In a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silicon particle size of 0.5 to 10 nm, the beam movement ΔL is 3% or less (0.03 L or less). The displayed image was good.

比抵抗ρ＝１×１０^４〜１×１０^１１Ωｃｍ、珪素粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表２１に示す。 In the case of a spacer having a resistivity film with a specific resistance ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm and a silicon particle diameter of 1 to 9 nm, the beam movement ΔL is 1% or less (0.01 L or less). The image was particularly good. The results are shown in Table 21.

本発明の帯電防止膜は、抵抗値の制御性、安定性および再現性にすぐれ、その抵抗温度特性が良好である。この膜はスペーサ及び画像表示装置の分野での利用が期待される。   The antistatic film of the present invention is excellent in resistance controllability, stability and reproducibility, and has good resistance temperature characteristics. This film is expected to be used in the field of spacers and image display devices.

本発明の帯電防止膜の断面形状をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）によって観察した模式図である。It is the schematic diagram which observed the cross-sectional shape of the antistatic film of this invention with TEM (transmission electron microscope). 本発明による画像表示装置の、表示パネルの一部を切り欠いて示した斜視図である。It is the perspective view which notched and showed a part of display panel of the image display apparatus by this invention. 本発明に係わるターゲットを設置し、スペーサ基材に帯電防止膜を付与するために使用した高周波スパッタ装置の構成図である。It is a block diagram of the high frequency sputtering device which installed the target concerning this invention and used in order to provide an antistatic film | membrane to a spacer base material. 本発明に係わるＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗とスパッタガス全圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the specific resistance of the Pt-Al mixture nitride film concerning this invention, and sputtering gas total pressure. 本発明に係わるＰｔ−ＡｌＮ混合物窒化膜の比抵抗とスパッタガス全圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the specific resistance of the Pt-AlN mixture nitride film concerning this invention, and sputtering gas total pressure. 本発明に係わるＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗はばらつきを示す図である。It is a figure which shows dispersion | variation in the specific resistance of the Pt-Al mixture nitride film concerning this invention. 本発明に係わるスペーサの帯電メカニズムを説明するための電子放出素子を使用した画像形成装置の断面模式図である。1 is a schematic cross-sectional view of an image forming apparatus using an electron-emitting device for explaining a charging mechanism of a spacer according to the present invention. 本発明に係わるスペーサの影響による画像の乱れとして発現するビーム移動量ΔＬを説明する図である。It is a figure explaining beam movement amount (DELTA) L which appears as disturbance of the image by the influence of the spacer concerning this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 粒子
２ 媒質
１０１ リアプレート
１０２ 側壁
１０３ フェースプレート
１０４ 電子放出素子
１０５ 蛍光体
１０６ メタルバック
１０７ａ，１０７ｂ スペーサ
１０８ 導電性フリット
１０９ 配線
１１０ 低抵抗膜
１１１ａ，１１１ｂ 電子軌道
１１２ 帯電防止膜
２０１ 基板
２０２ 成膜トレイ
２０３ 予備排気室
２０４ 真空ポンプ
２０５ 搬送ローラー
２０６ 成膜室
２０７ ガス導入管
２０８ 高周波電源
２０９ 混合物ターゲット
８０１ スペーサ
８０２ 本来のビーム位置
８０３ ビームがスペーサによって移動した場合の位置
９１１ 基板
９１２ 電子放出素子
９１３ 行方向配線
９１４ 列方向配線
９１５ リアプレート
９１６ 側壁
９１７ フェースプレート
９１８ 蛍光膜
９１９ メタルバック
９２０ スペーサ 1 particle 2 medium 101 rear plate 102 side wall 103 face plate 104 electron-emitting device 105 phosphor 106 metal back 107a, 107b spacer 108 conductive frit 109 wiring 110 low resistance film 111a, 111b electron trajectory 112 antistatic film 201 substrate 202 film formation Tray 203 Preliminary exhaust chamber 204 Vacuum pump 205 Transport roller 206 Film forming chamber 207 Gas introduction pipe 208 High frequency power source 209 Mixture target 801 Spacer 802 Original beam position 803 Position when beam is moved by spacer 911 Substrate 912 Electron emitting element 913 rows Direction wiring 914 Column direction wiring 915 Rear plate 916 Side wall 917 Face plate 918 Fluorescent film 919 Metal back 920 Spacer

Claims (10)

電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記気密容器内に配置されるスペーサであって、前記スペーサは、基板と前記基板の表面に形成された抵抗膜とを有し、前記抵抗膜が、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、その中に分散配置されている窒化酸化膜を少なくとも有することを特徴とするスペーサ。 An image display device including an airtight container having a first substrate on which an electron source is disposed and a second substrate on which an image display member is disposed to face the electron source is disposed in the airtight container. A spacer having a substrate and a resistance film formed on a surface of the substrate, wherein the resistance film includes a plurality of conductor particles having a particle size of 0.5 nm to 10 nm; A spacer having at least a nitrided oxide film dispersedly disposed in the spacer . 前記導体粒子は、貴金属であることを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。 The spacer according to claim 1, wherein the conductive particle is a noble metal . 前記窒化酸化膜は、窒化酸化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスペーサ。 The spacer according to claim 1, wherein the nitrided oxide film is an aluminum nitride oxide film . 前記導体粒子が白金粒子であり、前記窒化酸化膜は窒化アルミニウムと酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。 The spacer according to claim 1, wherein the conductor particles are platinum particles, and the nitrided oxide film contains aluminum nitride and aluminum oxide . 前記導体粒子が金粒子であり、前記窒化酸化膜は窒化アルミニウムと酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。 The spacer according to claim 1, wherein the conductive particles are gold particles, and the nitrided oxide film contains aluminum nitride and aluminum oxide . 前記導体粒子が銀粒子であり、前記窒化酸化膜は窒化アルミニウムと酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載のスペーサ。 The spacer according to claim 1, wherein the conductive particles are silver particles, and the nitrided oxide film contains aluminum nitride and aluminum oxide . 前記導体粒子の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のスペーサ。 The spacer according to claim 1, wherein the content of the conductor particles is 0.1 to 10 atomic% . 前記粒径が、１〜９ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のスペーサ。 The spacer according to any one of claims 1 to 7, wherein the particle size is 1 to 9 nm . 前記抵抗膜の比抵抗がρ＝１×１０⁴〜１×１０¹¹Ωｃｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のスペーサ。 The spacer according to claim 1, wherein a specific resistance of the resistance film is ρ = 1 × 10 ⁴ to 1 × 10 ¹¹ Ωcm. 電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記気密容器内に配置されたスペーサとを備える画像表示装置であって、前記スペーサは、請求項１〜９のいずれかに記載のスペーサであることを特徴とする画像表示装置。 An image including an airtight container having a first substrate on which an electron source is disposed, a second substrate on which an image display member is disposed to face the electron source, and a spacer disposed in the airtight container. It is a display apparatus, Comprising: The said spacer is a spacer in any one of Claims 1-9, The image display apparatus characterized by the above-mentioned .