JP4021567B2 - 高耐熱性メソポーラスシリカの製造方法 - Google Patents

高耐熱性メソポーラスシリカの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は高耐熱性メソポーラスシリカの製造方法に関するもので、より詳細には、高温下においても高い比表面積が維持されるメソポーラスシリカの製造方法に関するもので、更に上記メソポーラスシリカを、少ないテンプレートの使用量で、高生産速度でしかも穏和な反応条件で製造できる方法にも関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、メソポーラスシリカと呼ばれる多孔質シリカが知られている。多孔質体の分類によれば、細孔径2nm以下がマイクロポア、細孔径50nm以上がマクロポア、これらの中間の2〜50nmの領域が上記のメソポアの概念になる。
例えば、特公表平5−503499号公報には、焼成後、X線回折パターンの少なくとも一つのピークが約1.8nmよりも大きい間隔を示し、6.7kPa(50Torr)及び25℃で物質100g当たり15g以上のベンゼン吸着能を有する無機質、多孔質の結晶相物質が記載されており、更にこの結晶相物質は、直径が少なくとも1.3nmの均一な寸法の細孔の六角形配列を有し、焼成後、1.8nm以上のd100 値で示される六方晶の電子回折パターンを示すことも記載されている。
【0003】
また、Yanagisawaらの報文、Bull.Chem.Soc.Jpn., 63, 988 - 992 (1990)には、カネマイトと呼ばれる単層ポリシリケートとアルキルトリメチルアンモニウムとを反応させて、有機的インターカレーションにより三次元状のシリカネットワークが形成された複合体を形成し、これを焼成することにより高比表面積のシリカを製造することが報告されている。
【0004】
更に、J.Am. Chem. Soc.1992, 114,10834-10843 にも、非晶質シリカやケイ酸アルカリ等のシリカ系原料を使用して、同様のメソポーラスシリカを製造することが報告されている。
【0005】
メソポーラスシリカの製造法についても、他に多くの提案があり、例えば、特開平8−34607号公報には、ケイ酸ソーダ水溶液をカチオン交換樹脂と接触させて活性シリカを調製する第1工程、次いで活性シリカとカチオン系界面活性剤をアルカリ性領域で混合反応させてシリカとカチオン系界面活性剤との複合体を生成させる第2工程、前記複合体を焼成処理する第3工程を順次施すことを特徴とするメソポーラスシリカの製造方法が記載されている。
【0006】
また、特開平10−17319号公報には、シリカ源と有機物とを酸性条件下において混合してゲル化した後、これに続く晶析反応により有機物を含有するケイ酸高分子を合成し、この高分子に残留する有機物を除去してメソポーラスシリカを得ることを特徴とするメソポーラスシリカの調製方法が記載されている。
【0007】
更に、特開平10−36109号公報には、無機のSi化合物からなるシリカ源の水溶液と有機物の水溶液を温度20〜100℃の条件下に混合し、pH0〜12、温度20〜100℃の条件下でかき混ぜて晶析反応を行わせた後、固形物を濾過水洗、乾燥し、得られた有機物を含有するケイ酸高分子から有機物を除去することを特徴とするメソポーラス無機高分子の製造方法が記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
メソポーラスシリカにおいては、カチオン系界面活性剤のミセル構造に対応してシリカのネットワークが形成されるため、多孔質で比表面積が極めて大きいという特徴を有しているが、高温においてはネットワークの収縮を生じ、これに伴って細孔容積の減少及び比表面積の低下を来す傾向がある。特に、触媒担体等の用途においては、比表面積の低下は活性の低下、強いてはライフの低下につながるので、用いるシリカは高度の耐熱性を有することが要求される。即ち、排ガス処理触媒等の用途においては、高温のガスを取り扱う必要上、高温においても比表面積が大幅に低下せず、表面活性が高く維持されていることが要求されるが、公知のメソポーラスシリカでは、このような要求に対して未だ十分満足しうるものではない。
【0009】
更に、公知のメソポーラスシリカの製造方法では、高価なカチオン系界面活性剤をテンプレートとして大量に使用しなければ、満足できる性能のメソポーラスシリカを製造することができず、更に、反応系中のシリカ濃度を十分に高めることが困難であるため、生産性が未だ低く、製造コストや設備コストが高くならざるを得ないという問題も有している。
【0010】
従って、本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、高温においても高い比表面積が維持され、耐熱性に優れたメソポーラスシリカの製造方法を提供するにある。
本発明の他の目的は、上記高耐熱性メソポーラスシリカを、テンプレートとなるカチオン系界面活性剤の使用量を少なくして、高生産速度でしかも穏和な反応条件で製造できる方法を提供するにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ケイ酸アルカリをカチオン系界面活性剤の存在下に処理することからなる細孔径10〜50Åの範囲で0.1〜0.5cm/gの細孔容積を有するメソポーラスシリカの製造方法において、前記ケイ酸アルカリとして、下記式:
O・mSiO
式中、Mはアルカリ金属であり、
mは2.5乃至3.5の数である、
の組成を有するものを使用し、該ケイ酸アルカリの水溶液とカチオン系界面活性剤とを、pHが12.1乃至13.5のアルカリ性水性媒体中で50乃至75℃の温度で1乃至10時間加熱混合し、得られる溶液に攪拌下に酸を添加してそのpHを8以上で10.5未満に調節し、50乃至75℃の温度に攪拌下に1乃至10時間維持することによりシリカとカチオン系界面活性剤との複合物を沈殿として析出させ、次いで該複合物を熱処理することによりカチオン系界面活性剤を除去することを特徴とする高耐熱性メソポーラスシリカの製造方法が提供される。
本発明の方法においては、
1.カチオン系界面活性剤をSiO基準で50乃至150重量%、特に60乃至100重量%の量で用いること、
2.アルカリ性水性媒体中での加熱混合を溶液が透明な状態に維持されるように行うこと、
が好ましい。
【0012】
【発明の実施形態】
[作用]
本発明の製造方法は、ケイ酸アルカリ溶液とカチオン系界面活性剤とを、pHが12よりも大きいアルカリ性水性媒体中で加熱混合し、得られる溶液に酸を添加してそのpHを8以上で10.5未満に調節し、次いでシリカとカチオン系界面活性剤との複合物を常圧で沈殿として析出させることが特徴であり、これにより、生成する最終メソポーラスシリカ中のアルカリ金属分の含有量を300ppm以下、特に100ppm未満に減少させることが可能となり、またこのメソポーラスシリカは1000℃焼成条件下でも800m2 /g以上の比表面積を示すなど、ソポーラスシリカの耐熱性を顕著に向上させることが可能となる。
図1に、本発明の製造方法の一例を示す。
【0013】
本発明では、先ずケイ酸分原料としてケイ酸アルカリ溶液を選択し、この溶液とカチオン系界面活性剤とを、pHが12よりも大きいアルカリ性媒体中で混合加熱すると、濁りのない透明な混合溶液が安定に生成する。尚、上記pHのアルカリ性媒体を形成させるために、本発明では、ケイ酸アルカリの他にアルカリ水酸化物を加えて、pHの調節を行っている。
このように濁りのない透明な混合溶液を一旦形成させた後、酸の添加によりpHを8以上10.5未満に調節すると、混合溶液からシリカとカチオン系界面活性剤との複合体が沈殿として析出する。
【0014】
この際、pHが12よりも大きいアルカリ性媒体中で両原料を混合することが重要である。即ち、たとえシリカ源としてケイ酸アルカリを使用しても、pHが12以下の条件では、濁りのある混合溶液が生成し、この混合溶液からは、アルカリ金属分の含有量が300ppmを上回り、1000℃焼成条件下での比表面積が800m2 /gを下回るようなメソポーラスシリカが生成する(後述する比較例1参照)。
【0015】
本発明の方法において、上記のようにアルカリ金属分の含有量が少なく、しかも耐熱性に優れたメソポーラスシリカが生成する理由は、これによって本発明を何らかの意味で拘束するものではないが、次のように考えられる。即ち、メソポーラスシリカの生成機構は、溶液中のカチオン系界面活性剤が親油性基を中心及び親水性カチオン性基を表面としたミセル構造を形成し、一方溶液中の負に帯電したシリカのモノマー乃至オリゴマーが上記ミセルと相互作用し、シリカ−界面活性剤メソ構造体のヘキサゴナル相が形成することによると解されるが、本発明の混合溶液系ではケイ酸アルカリの自由度が極めて高く、シリカ−界面活性剤メソ構造体乃至その中間体の形成が全体にわたって均一且つ一様に進行しており、これが均一な多孔質構造の形成及び前記メソ構造体からのアルカリ金属分の吐き出しに有効に作用していると考えられる。
【0016】
混合溶液からのシリカ−界面活性剤複合体を沈殿として高収率で析出させるためには、混合溶液に酸を添加して、そのpHを8以上でしかも10.5未満に調節することも重要である。即ち、pHが10.5以上では、複合体の沈殿の収率が10乃至50%に低下する傾向があり、一方、pHが上記範囲よりも低いと、最終メソポーラスシリカの物性が低下する傾向がある。沈殿の生成は、pHを調節した上記溶液を加熱すること、一般に10乃至95℃の温度に加熱することにより進行し、これによりヘキサゴナル相への転移が円滑に進行すると認められる。
尚、複合体からのカチオン系界面活性剤の除去は、それ自体公知の方法、例えば熱分解処理により容易に行われる。
【0017】
本発明のメソポーラスシリカは、回折角2.2乃至4.4゜(Cu−α)にX線回折ピークを有する。添付図面の図2は、本発明によるメソポーラスシリカの代表的なもの(実施例1)のX線回折像を示す。また、添付図面の図3は、回折角40°(Cu−α)まで測定したX線回折像を示す。上記の回折角のX線回折ピーク(面指数[100])は、用いるカチオン系界面活性剤の種類、即ち界面活性剤中の長鎖アルキル基の長さや、最終メソポーラスシリカの熱処理の程度等により、上記の範囲内で調節することができる。
【0018】
また、このメソポーラスシリカは、細孔径20乃至40オングストロームに細孔容積の極大値を有する。図4は、本発明によるメソポーラスシリカの代表的なもの(実施例1)の細孔分布曲線を示す。上記の細孔容積の極大値も、用いるカチオン系界面活性剤の種類、即ち界面活性剤中の長鎖アルキル基の長さや、最終メソポーラスシリカの熱処理の程度等により、上記の範囲内で調節することができる。
【0019】
本発明のメソポーラスシリカは、アルカリ金属分の含有量が300ppm以下、特に100ppm未満であるという特徴を有する。即ち、本発明の合成法によると、シリカ原料としてケイ酸アルカリを使用し、しかも遊離の水酸化アルカリを添加しているにもかかわらず、アルカリ金属分の含有量を低減させることが可能となるのであって、これは真に予想外の効果であるといえる。一般に、触媒担体の耐熱性は担体中のアルカリ金属分の含有量に左右されることが知られており、アルカリ金属分の含有量が高くなると、耐熱性も低下するといわれている。本発明のメソポーラスシリカが耐熱性に優れている理由も、アルカリ金属分の含有量が低減されていることによると信じられる。
【0020】
また、本発明のメソポーラスシリカは、これに関連して、1000℃焼成条件下においても800m2 /g以上の比表面積(気圧0.1以下での窒素吸着法)を有する。比表面積の測定条件を気圧0.1以下と特定しているのは、単分子層吸着(ラングミュア吸着)の場合の方がメソポーラスシリカの表面吸着の状態を的確に表していると考えられることによる。
従来のメソポーラスシリカでは、通常1000m2 /gの比表面積を示すものでも、1000℃で焼成した後には、300m2 /gの比表面積を示すにすぎないのに対して、本発明のメソポーラスシリカでは、1000℃焼成後にも比表面積の低下が著しく小さく、尚800m2 /g以上の比表面積を維持している。
これは、焼成により細孔径は確かに収縮するが、この収縮に伴ってミクロポアがむしろ増大しているのがその理由であると信じられる。
一般に、本発明のメソポーラスシリカでは、下記式(1)
R=(S1 /S0 )×100 ‥(1)
式中、S0 は650℃で焼成処理後のメソポーラスシリカの比表面積 (m2 /g)であり、
1 は1000℃で焼成処理後のメソポーラスシリカの比表面積 (m2 /g)である、
で定義される比表面積維持率(R)は、80%以上、特に95%以上である。
【0021】
[製造方法]
本発明によれば、先ず、ケイ酸アルカリ溶液とカチオン系界面活性剤とを、pHが12.1乃至13.5以下のアルカリ性水性媒体中で加熱混合する。原料のケイ酸アルカリとしては、式(2)
O・mSiO
式中、Mはアルカリ金属であり、
mは2.5乃至3.5の数である、
の組成を有するケイ酸アルカリの水溶液を使用する。ケイ酸カリウム及びケイ酸ソーダの何れをも使用可能であるが、経済的見地からはケイ酸ソーダが好適である。
【0022】
ケイ酸アルカリは、pHが12.1乃至13.5のアルカリ性媒体中で、カチオン系界面活性剤と混合され、この目的でケイ酸アルカリを水酸化アルカリと組み合わせて使用する。水酸化アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が好適に使用され、媒体のpHが上記範囲となるように用いる。
【0023】
カチオン系界面活性剤としては、それ自体公知の任意の化合物を用いることもできる。カチオン系界面活性剤の適当な例は、これらに限定されないが、次の通りである。
長鎖アルキル第4級アンモニウム塩;特に下記式(3)
Figure 0004021567
式中、R1 、R2 、R3 及びR4 の各々はその内の少なくとも1個が炭素数10乃至24のアルキル基であるという条件下に1価炭化水素基であり、Xは酸アニオンである、
の4級アンモニウム塩。例えばアルキルトリメチルアンモニウムハライド、ジアルキルジメチルアンモニウムハライド、アルキルジメチルベンジルアンモニウムハライド等。一層具体的には、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロリド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルジメチルベンジルアンモニウムクロリド等。
下記式(4)
Figure 0004021567
式中、R5 は炭素数8乃至24のアルキル基であり、(N)はピリジン基を表す、
の4級アンモニウム塩。例えばドデシルピリジニウムクロライドの如きアルキルピリジニウム・クロライド。
【0024】
混合溶液中におけるケイ酸アルカリの濃度は、SiO2 基準で5乃至50g/Lの濃度、特に8乃至20g/Lの範囲にあるのが、生産性や作業性の点で好適である。既に指摘したとおり、本発明の方法によれば、シリカ原料を高濃度で含有する混合溶液を調製し、この混合溶液からメソポーラスシリカを晶出させ得ることが特徴であり、これにより、高い生産性をもってメソポーラスシリカを製造することができる。SiO2 濃度が上記範囲よりも低い場合には、生産性が低下するので好ましくなく、一方上記濃度よりも高い場合には、粘度が高くなり、攪拌による混合溶液の均質化が困難になるなど、作業性の点で好ましくない。
【0025】
混合溶液の作成に当たっては、シリカ−カチオン系界面活性剤のメソ構造体が安定に形成されるように、シリカとカチオン系界面活性剤との量比を選択すべきであるが、本発明によれば、カチオン系界面活性剤をSiO2 基準で50乃至150重量%、特に60乃至100重量%の量で用いることが望ましい。即ち、カチオン系界面活性剤の量が上記範囲よりも少ないと、メソ構造体の安定な生成が困難となる傾向があり、一方上記範囲よりも多い量で使用しても、メソ構造体の安定性や最終メソポーラスシリカの物性の点では格別の利点はなく、経済的には不利であるようになる。なお、SiO2 基準とは、シリカ源として用いるケイ酸アルカリ中のSiO2 分を基準としている。
【0026】
ケイ酸アルカリとカチオン系界面活性剤とのアルカリ性水性媒体中での加熱混合を10乃至95℃、特に50乃至75℃の温度で1乃至10時間攪拌下に行うことが好ましく、特にアルカリ性水性媒体中での加熱混合を溶液が透明な状態に維持されるように行うことが望ましい。
【0027】
透明で均質な混合溶液が形成された後、この混合溶液に酸水溶液を添加し、pHを8以上で10.5未満の範囲、特に8.5乃至10に調節して、シリカとカチオン系界面活性剤との複合物を沈殿として一挙に一段で析出させる。酸としては、硫酸、塩酸、硝酸等の鉱酸類が好適に使用されるが、勿論これに限定されない。この複合物の沈殿の形成は、50乃至75℃の温度で攪拌下に行われ、通常、1乃至10時間かけて行われる。
【0028】
生成する沈殿を、濾過等の固液分離により母液から分離し、イオン交換水或いは純粋等により、水洗し、乾燥し、熱分解処理して製品とする。
乾燥は、複合体中の水分を除去するためのものであって、一般に50乃至150℃の温度で、1乃至50時間程度行うのがよく、また、熱分解処理は、複合体中のカチオン系界面活性剤を分解除去するためのものであって、一般に550乃至1000℃、特に600乃至850℃の温度で、1乃至5時間程度行うのがよい。
【0029】
[メソポーラスシリカ]
本発明によるメソポーラスシリカは、回折角2.2乃至4.4゜(Cu−α)にX線回折ピークを有する。即ち、図2に示すように、X線回折像において、低角度側に1本或いは複数本のX線回折ピークを示す。また、図3からは、非晶質シリカに特有のブロードなハロー(2θ=20〜25゜)も観察される。
この回折ピークの面間隔((d)オングストローム)は用いるカチオン系界面活性剤の長鎖アルキル基の鎖長によって変化し、更に焼成温度によっても変化する。即ち、アルキル基の鎖長が長くなると、メソポーラスシリカのX線回折ピークの面間隔は増大し、一方焼成温度が高くなると、X線回折ピークの面間隔は、細孔の縮小により小さくなる。
X線回折像において、低角側のX線回折ピーク以外のピークが認められないことからみて、このメソポーラスシリカのシリカ骨格は本質的に非晶質であり、前記X線回折ピークは規則正しい細孔壁の配列を反映しているものと認められる。
【0030】
本発明によるメソポーラスシリカの代表的なもの(詳細は後述する実施例1参照)について、おおよそ2θ=4.0゜及び4.6゜のピークについて、焼成温度と、ピーク強度(cps)及び面間隔(オングストローム)との関係を、下記表1に示す。
【0031】
【表1】
Figure 0004021567
【0032】
上記表1から、焼成温度が高くなるにつれて、細孔が収縮すると共に細孔サイズの規則性も低下していることが分かる。また、焼成温度が高くなるにつれて、ピーク強度の値が小さくなることからみて、非晶質化していると推定される。
【0033】
本発明によるメソポーラスシリカは、細孔径20乃至40オングストロームに細孔容積の極大値を有する。既に述べたとおり、図4は本発明によるメソポーラスシリカの代表的なもの(実施例1)の細孔分布曲線であるが、この図4には、焼成温度を変化させたものについての細孔分布をも示している。
図4からは、焼成温度を高くすると、極大値が低くなると共に、細孔径が小径側にシフトしていることが分かる。
【0034】
このメソポーラスシリカの細孔容積は、勿論焼成温度によっても相違するが、一般に、細孔径10〜50オングストロームの範囲において、一般に0.1乃至0.5cm3 /g、特に0.2乃至0.4cm3 /gの範囲内にある。
【0035】
本発明によるメソポーラスシリカは、アルカリ金属分の含有量が300ppm以下、特に100ppm未満に抑制されているという特徴がある。
また、1000℃における灼熱減量は、一般に1乃至3重量%程度であり、この灼熱減量はシラノール基の存在によると考えられる。
【0036】
本発明のメソポーラスシリカは、焼成条件等によっても相違するが、一般に1000乃至1400m2 /g、特に1050乃至1300m2 /gの比表面積(気圧0.1以下での窒素吸着法)を有し、1000℃焼成後においても、尚800m2 /g以上、特に950m2 /g以上の比表面積を維持している。また、前述した式(1)の比表面積維持率(R)が、80%以上、特に95%以上である。
【0037】
本発明のメソポーラスシリカは、取り扱いの容易な粉体であり、レーザ散乱法で求めたメジアン径は一般に1乃至5μmの範囲にあり、その粒子径状は不定形である。添付図面の図5は本発明のメソポーラスシリカの粒子構造を示す走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。
また、このメソポーラスシリカは、多孔質体としては比較的デンスであり、鉄シリンダー法で測定した嵩密度は、0.1乃至0.3g/mlの範囲にある。
【0038】
本発明によるメソポーラスシリカは、大きな比表面積と細孔容積とを有すると共に、優れた耐熱性を有している。このため、このシリカは、触媒、触媒担体、吸着剤、インクジェット用填剤、その他紙用フィラー、塗料用担体、調湿剤、樹脂用フィラー等の各種用途に有用である。
【0039】
【実施例】
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。なお、実施例における測定方法は以下の通りである。
【0040】
(1)XRD測定
理学電機(株)製のRAD−IBシステムを用いて、Cu−Kαにて測定した。
ターゲット Cu
フィルター 湾曲結晶グラファイトモノクロメーター
検出器 SC
電圧 40KVP
電流 20mA
カウントフルスケール 700c/s
スムージングポイント 25
走査速度 1°/min
ステップサンプリング 0.02°
スリット DS1° RS0.15mm SS1°
照角 6°
【0041】
(2)比表面積、細孔容積
カルロエルバ社製Sorptomatic Series 1900を使用し、窒素吸着法により測定した。
【0042】
(3)比表面積維持率(R)
比表面積維持率(R)は下記式(1)
R=(S1 /S0 )×100 ‥(1)
式中、S0 は650℃で焼成後のメソポーラスシリカの比表面積 (m2 /g)であり、
1 は1000℃で焼成処理後のメソポーラスシリカの比表面積 (m2 /g)である、
で定義される式より求めた。
【0043】
(4)化学分析
JIS.M.8852に準拠して測定した。
【0044】
(5)見掛け比重 (嵩密度)
JIS.K.6220.6.8.(鉄シリンダー法)に準拠して測定した。
【0045】
(6)吸油量
JIS.K.5101.19に準拠して測定した。
【0046】
(7)IR
日本分光(株)製のA−302型赤外吸収スペクトル分析装置を用いて測定を行った。
【0047】
(界面活性剤の調整)
界面活性剤として、ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(以下、HDTMAと記す。)400gをブタノール600gに溶解し濃度40%のHDTMAブタノール溶液を調整した。
【0048】
(実施例1)
1Lの容器に、イオン交換水600gに3号ケイ酸ソーダ(SiO2 =23%、Na2 O=7%)54g、水酸化ナトリウム6g、濃度40%のHDTMAブタノール溶液26.6g(SiO2 基準で85.7%)をこの順に加えて、70℃で3時間、加熱しながら混合した。この時のpHは12.5で、溶液は透明であった(これを第1工程とする)。次に、得られた溶液に2NのHClを加えてpHを8.0に調整し、70℃で3時間加熱しながら混合した(これを第2工程とする)。その後、混合物を濾過、水洗し、60℃で2日間乾燥し、その乾燥物を650℃で4時間焼成し、メソポアシリカを得た(この生成品を実−1−1とする)。得られたシリカの物性を測定し、その結果を表2に示す。また、X線回折像を図2及び3に、SEM写真を図5に、IR測定結果を図6にそれぞれ示す。
【0049】
また、得られたシリカの一部をそれぞれ、800、900、1000℃で4時間焼成した(800℃焼成処理品を実−1−2、900℃焼成処理品を実−1−3、100℃焼成処理品を実−1−4とする)。各焼成品の物性を測定し、その結果を表2に、細孔容積分布曲線を図4にそれぞれ示す。
【0050】
(参考例1)
実施例1の第2工程において、pH調節を10.7にした以外は、実施例1と同様にして行ったところ、得られた生成物の収率は22%であった。
【0051】
(実施例2)
実施例1の第1工程におけるHDTMAブタノール溶液を21.0g(SiO2 基準で68%)に変えた以外(この時のpHは12.6)は、実施例1と同様にして行い、メソポアシリカを得た(この生成品を実−2−1とする)。また、得られたシリカの一部を1000℃で4時間焼成した(この焼成処理品を実−2−2とする)。得られた生成物について物性を測定し、その結果を表2に示す。
【0052】
(実施例3)
界面活性剤に、オクタデシルトリメチルアンモニウム(以下、ODTMAと記す)を用いた。ODTMA42gをブタノール108gに溶解し濃度28%のODTMAブタノール溶液を調整した。この、ODTMAブタノール溶液124gを用いた以外は、実施例1の第一工程と同様にして行った。この時の溶液のpHは12.5であった。第2工程以降は、実施例1と同様にして行い、メソポアシリカを得た(この生成品を実−3−1とする)。また、得られたシリカの一部を1000℃で4時間焼成した(この焼成処理品を実−3−2とする)。得られた生成物について物性を測定し、その結果を表2に示す。
【0053】
(実施例4)
実施例1の第1工程の攪拌混合時の温度を75℃で2時間混合した以外は、実施例1と同様にして行い、メソポアシリカを得た(この生成品を実−4−1とする)。また、得られたシリカの一部を1000℃で4時間焼成した(この焼成処理品を実−4−2とする)。得られた生成物について物性を測定し、その結果を表2に示す。
【0054】
(実施例5)
実施例1の第1工程の攪拌混合時の温度を50℃で5時間混合した以外は、実施例1と同様にして行い、メソポアシリカを得た(この生成品を実−5−1とする)。また、得られたシリカの一部を1000℃で4時間焼成した(この焼成処理品を実−5−2とする)。得られた生成物について物性を測定し、その結果を表2に示す。
【0055】
(実施例6)
実施例1において、シリカ源として珪酸カリウム(SiO2 =23%、K2 O=10.6%)を用いた以外は、実施例1と同様にして行い、シリカを得た(この生成品を実−6−1とする)。また、得られたシリカの一部を1000℃で4時間焼成した(この焼成処理品を実−6−2とする)。得られた生成物について物性を測定し、その結果を表2に示す。
【0056】
(比較例1)
1Lの容器に、イオン交換水600gに3号ケイ酸ソーダ(SiO2 =23%、Na2 O=7%)54g、濃度40%のHDTMAブタノール溶液26.6g(SiO2 基準で85.7%)をこの順に加えて、70℃で3時間、加熱しながら混合した。この時のpHは11.9で、溶液は白濁していた。次に、得られた溶液に2NのHClを加えてpHを8.0に調整し、70℃で3時間加熱しながら混合した。その後、混合物を濾過、水洗し、60℃で2日間乾燥し、その乾燥物を650℃で4時間焼成した。得られた生成物(これを比−1−1とする)および、得られた生成物の一部を1000℃で4時間焼成した物(この焼成処理品を比−1−2とする)について物性を測定し、その結果を表3に示す。
【0057】
(比較例2)
実施例1の第2工程においての、pH調節を2.0にした以外は、実施例1と同様にして行った。得られた生成物(これを比−2−1とする)および、得られた生成物の一部を1000℃で4時間焼成品した物(この焼成処理品を比−2−2とする)について物性を測定し、その結果を表3に示す。
【0058】
(比較例3)
実施例1の第1工程の、濃度40%のHDTMAブタノール溶液の量を15g(SiO2 基準で49%)にした以外は、実施例1と同様にして行った。得られた生成物得られた生成物(これを比−3−1とする)および、得られた生成物の一部を1000℃で4時間焼成品した物(この焼成処理品を比−3−2とする)について物性を測定し、その結果を表3に示す。
【0059】
【表2】
Figure 0004021567
【0060】
【表3】
Figure 0004021567
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、シリカ源をカチオン系界面活性剤の存在下に処理することからなるメソポーラスシリカの製造方法において、ケイ酸アルカリ溶液とカチオン系界面活性剤とを、pHが12よりも大きいアルカリ性水性媒体中で加熱混合し、得られる溶液に酸を添加してそのpHを8以上で10.5未満に調節し、次いでシリカとカチオン系界面活性剤との複合物を常圧で沈殿として析出させることを特徴とする高耐熱性メソポーラスシリカの製造方法が提供される。これにより、生成する最終メソポーラスシリカ中のアルカリ金属分の含有量を300ppm以下、特に100ppm未満に減少させることが可能となり、またこのメソポーラスシリカは1000℃焼成条件下でも800m2 /g以上の比表面積を示すなど、メソポーラスシリカの耐熱性を顕著に向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるメソポーラスシリカの製造方法の一例を示す図である。
【図2】本発明(実施例1)によるメソポーラスシリカのX線回折像 (回折角(2θ)が2〜10°)である。
【図3】本発明(実施例1)によるメソポーラスシリカのX線回折像(回折角(2θ)が0〜40°)である。
【図4】本発明(実施例1)によるメソポーラスシリカの細孔分布曲線である。
【図5】本発明(実施例1)によるメソポーラスシリカの走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。
【図6】本発明(実施例1)によるメソポーラスシリカのIR図である。

Claims (3)

  1. ケイ酸アルカリをカチオン系界面活性剤の存在下に処理することからなる細孔径10〜50Åの範囲で0.1〜0.5cm/gの細孔容積を有するメソポーラスシリカの製造方法において、前記ケイ酸アルカリとして、下記式:
    O・mSiO
    式中、Mはアルカリ金属であり、
    mは2.5乃至3.5の数である、
    の組成を有するものを使用し、該ケイ酸アルカリの水溶液とカチオン系界面活性剤とを、pHが12.1乃至13.5のアルカリ性水性媒体中で50乃至75℃の温度で1乃至10時間加熱混合し、得られる溶液に攪拌下に酸を添加してそのpHを8以上で10.5未満に調節し、50乃至75℃の温度に攪拌下に1乃至10時間維持することによりシリカとカチオン系界面活性剤との複合物を沈殿として析出させ、次いで該複合物を熱処理することによりカチオン系界面活性剤を除去することを特徴とする高耐熱性メソポーラスシリカの製造方法。
  2. カチオン系界面活性剤をSiO基準で50乃至150重量%の量で用いる請求項1記載の製造方法。
  3. アルカリ性水性媒体中での加熱混合を溶液が透明な状態に維持されるように行う請求項1または2に記載の製造方法。
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JP5322042B2 (ja) * 2004-10-01 2013-10-23 独立行政法人産業技術総合研究所 メソ細孔壁を有する中空シリカマイクロカプセル及びその製造方法
JP5034462B2 (ja) * 2006-11-30 2012-09-26 株式会社デンソー メソポーラス体の製造方法
JP5743638B2 (ja) * 2011-03-28 2015-07-01 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム、およびチップ用保護膜形成用シート
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