JP4015667B2 - Plating substrate etching equipment - Google Patents

Description

本発明は、メッキ基板のエッチング装置に関する。すなわち、回路基板の製造工程において使用され、コンベヤにて水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングする、エッチング装置に関するものである。   The present invention relates to a plating substrate etching apparatus. In other words, the present invention relates to an etching apparatus that jets an etching solution to a plated substrate material that is used in a circuit board manufacturing process and is horizontally conveyed by a conveyor.

《技術的背景》
電子機器，ＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、その基幹をなすプリント配線基板等の回路基板も、高精度化，ファイン化，極薄化，多様化が進み、形成される回路の高密度化，微細化，精細化が著しい。
そして、このような回路基板の製造工程では、銅張り積層板たる基板材の外表面に、感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けてから、→回路のネガフィルムを当てて、露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現象により溶解除去し、→回路形成部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥膜除去することにより、→基板材の外表面に、銅箔にて回路が形成され、→もって、回路基板が製造されている。 《Technical background》
As electronic devices and IT-related devices become more sophisticated, more functional, and smaller and lighter, circuit boards such as printed wiring boards that form the core of these devices are becoming more accurate, finer, thinner, and more diverse. The density, miniaturization, and refinement of the formed circuit are remarkable.
And in such a circuit board manufacturing process, after applying or pasting a photosensitive resist in the form of a film on the outer surface of the substrate material, which is a copper-clad laminate, → after applying a negative film of the circuit and exposing → The resist other than the circuit forming part is dissolved and removed by the phenomenon, → The copper foil other than the circuit forming part is dissolved and removed by etching, and then the resist of the circuit forming part is removed by stripping → A circuit is formed of copper foil on the outer surface of the substrate material, and thus a circuit board is manufactured.

《従来技術》
図８は、この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
回路基板の製造工程で使用されるこの種のエッチング装置１では、コンベヤにて水平搬送される基板材Ａに対し、スプレー管２に取付けられたスプレーノズルからエッチング液Ｂを噴射して（図８では図示を省略）、エッチングが行われ、もって回路が形成される。
そして、このエッチング装置１に供給される基板材Ａは、図２の（４）図の正（側）断面図にも示したように、絶縁層（コア材）Ｃの外表面に銅箔Ｄが張り付けられた銅張り積層板よりなるが、更に、銅メッキＥされているものも多い。
そして、このようにメッキＥが施された基板材Ａについては、メッキＥの厚み誤差により、メッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、図４の（４）図，（５）図に示したように、その前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなる傾向がある。
すなわち、基板材Ａについて全体的に均一にメッキＥを施すことは、現状では困難視されており、メッキＥのバラツキ発生は不可避な状況にあり、メッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚の誤差は、５％〜１５％程度にも達している。 <Conventional technology>
FIG. 8 shows an etching apparatus of this type of conventional example. (1) FIG. 8 is an explanatory plan view of the example, and (2) is an explanatory plan view of another example.
In this type of etching apparatus 1 used in a circuit board manufacturing process, an etching solution B is sprayed from a spray nozzle attached to a spray tube 2 onto a substrate material A that is horizontally conveyed by a conveyor (FIG. 8). Then, illustration is omitted), and etching is performed to form a circuit.
Then, the substrate material A supplied to the etching apparatus 1 has a copper foil D on the outer surface of the insulating layer (core material) C as shown in the positive (side) sectional view of FIG. Is made of a copper-clad laminate, but many of them are further plated with copper.
And about the board | substrate material A to which the plating E was performed in this way, the thickness of the copper foil D including the plating E is shown in FIGS. 4 (4) and 4 (5) due to the thickness error of the plating E. As described above, the front and rear end portions F and the left and right end portions G, that is, the outer peripheral portions tend to be thick, and the central portion H tends to be thin.
That is, it is considered difficult to uniformly apply the plating E to the substrate material A as a whole at present, and variations in the plating E are inevitable, and an error in the thickness of the copper foil D including the plating E is inevitable. Has reached about 5% to 15%.

その対策として、従来のエッチング装置１では、前後の搬送方向Ｊに沿って配設された複数本のスプレー管２のうち、左右両側のスプレー管２に供給されるエッチング液Ｂの圧力を高く設定し、もって、そのスプレーノズルからエッチング液Ｂを、より高い噴射圧で噴射するようになっていた。
つまり、基板材Ａの銅箔Ｄの肉厚が薄い中央部Ｈに対して噴射されるエッチング液Ｂの噴射圧より、銅箔Ｄの肉厚が厚い左右端部Ｇに対して噴射されるエッチング液Ｂの噴射圧を、より高く設定し、もって、銅箔Ｄのエッチングの平均化が図られていた。
なお、図８の（１）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆるオシレーション方式よりなり、その各スプレー管２が、左右の幅方向Ｋに向け若干傾斜して配設されると共に、左右の幅方向Ｋに首振り揺動される。これに対し、図８の（２）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆる横移動方式よりなり、そのスプレー管２が、左右の幅方向Ｋに若干水平往復動される。 As a countermeasure, in the conventional etching apparatus 1, the pressure of the etching solution B supplied to the left and right spray pipes 2 among the plurality of spray pipes 2 arranged along the front and rear transport direction J is set high. Therefore, the etching solution B is sprayed from the spray nozzle at a higher spray pressure.
That is, the etching sprayed to the left and right end portions G where the thickness of the copper foil D is thicker than the spraying pressure of the etching solution B sprayed to the central portion H where the thickness of the copper foil D of the substrate material A is thin. The jetting pressure of the liquid B was set higher so that the etching of the copper foil D was averaged.
Note that the conventional etching apparatus 1 shown in FIG. 8 (1) has a so-called oscillation system, and each spray tube 2 is disposed slightly inclined in the left-right width direction K. The head is swung in the left-right width direction K. On the other hand, the conventional etching apparatus 1 shown in FIG. 8B is of a so-called lateral movement method, and the spray tube 2 is slightly reciprocated horizontally in the left-right width direction K.

《先行技術文献情報》
このような従来例としては、例えば、次の特許文献１に示されたものが、挙げられる。
特開２０００−２１２７７４号公報 《Information on prior art documents》
As such a conventional example, for example, the one disclosed in Patent Document 1 below can be cited.
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-212774

ところで、このような従来例のエッチング装置１にあっては、次の問題が指摘されていた。
《第１の問題点》
第１に、基板材Ａの前後端部Ｆの銅箔Ｄの肉厚は、依然としてメッキＥにより厚いままであり、もって基板材Ａについて、エッチングが平均的に行われなくなり、高密度，微細，精細な回路が形成困難となる、という問題が指摘されていた。
すなわち、この種従来例のエッチング装置１では、前述したように、左右両側のスプレー管２のスプレーノズルのエッチング液Ｂの噴射圧を、より高く設定したことにより、基板材Ａの左右端部Ｇのエッチング量が増大し、もって左右端部Ｇと中央部Ｈ間では、銅箔Ｄの肉厚そしてエッチングがほぼ均一化，平均化される。
しかしながら、前後端部Ｆの銅箔Ｄの肉厚は、依然として厚いままであり、これが原因となって、エッチングが平均化されず不均一となる。例えば、前後端部Ｆの銅箔Ｄの厚い箇所がエッチング不足となって、形成される回路幅が過大となり、これをカバーすべくエッチング量を増大させると、他の箇所がエッチング過多となって、形成される回路幅が過少となる。
そして、このように銅箔Ｄの平均的エッチングが阻害されるので、銅箔Dにて形成される回路について、回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良が発生し、回路の高密度化，微細化，精細化の障害となり、生産性・歩留まり・品質の低下が指摘されていた。 By the way, the following problems have been pointed out in such a conventional etching apparatus 1.
<First problem>
First, the thickness of the copper foil D at the front and rear end F of the substrate material A is still thick due to the plating E, so that the substrate material A is not etched on average, so that the high density, fineness, A problem has been pointed out that it is difficult to form a fine circuit.
That is, in this type of conventional etching apparatus 1, as described above, the spray pressure of the etching liquid B of the spray nozzles of the spray tubes 2 on both the left and right sides is set higher, so that the left and right end portions G of the substrate material A are set. As a result, the thickness and etching of the copper foil D are substantially uniformed and averaged between the left and right end portions G and the central portion H.
However, the thickness of the copper foil D at the front and rear ends F is still thick, and this causes the etching to be uneven and not uniform. For example, the thick portion of the copper foil D at the front and rear end F becomes insufficiently etched, the circuit width to be formed becomes excessive, and if the etching amount is increased to cover this, the other portion becomes excessively etched. The formed circuit width becomes too small.
And, since the average etching of the copper foil D is inhibited in this way, the circuit formed of the copper foil D causes excessive or insufficient circuit widths, variations, errors, and defects, resulting in higher circuit density. It became an obstacle to miniaturization and refinement, and it was pointed out that productivity, yield, and quality declined.

《第２の問題点》
第２に、そこでこの種従来例のエッチング装置１では、コンベヤの途中に方向転換機構を組み込み、もって途中で基板材Ａを９０度回転させることも、行われていた（前述した特許文献１を参照）。
そして、この種のエッチング装置１では、基板材Ａについて、回転前まで前後端部Fとして、銅箔Ｄの肉厚が厚いままであった箇所を、回転後は左右端部Ｇとして、高い噴射圧のエッチング液Ｂを噴射して、エッチング量を増大せしめる。もって基板材Ａについて、左右端部Ｇ，前後端部Ｆ，中央部Ｈを通し、全体的に銅箔Ｄの肉厚そしてエッチングを均一化，平均化して、前述した第１の問題点を解消せんとすることも試みられていた。
しかしながら、この種のエッチング装置１については，途中に、回転可能かつ上下動可能なターンテーブル等を備えた方向転換機構を組み込むので、コストアップが著しいと共に、装置が長大化し設置スペースを取る、という問題が指摘されていた。
又、エッチング装置１自体も、高圧の左右端部Ｇ用のものを含め各スプレー管２を、首振り揺動させたり横移動させるオシレーション方式や横移動方式よりなり、この面からも、コスト面に問題が指摘されていた。 << Second problem >>
Secondly, in this type of conventional etching apparatus 1, a direction changing mechanism is incorporated in the middle of the conveyor, and the substrate material A is rotated 90 degrees in the middle (see Patent Document 1 described above). reference).
And in this kind of etching apparatus 1, about the board | substrate material A, as the front-and-rear end part F before rotation, the location where the thickness of the copper foil D remained thick is used as the right and left end part G after rotation, and high injection. The etching amount B is sprayed to increase the etching amount. Accordingly, the substrate material A is passed through the left and right end portions G, the front and rear end portions F, and the central portion H, and the thickness and etching of the copper foil D are made uniform and averaged as a whole, thereby eliminating the first problem described above. Attempts have also been made.
However, since this type of etching apparatus 1 incorporates a direction changing mechanism including a turntable that can be rotated and moved up and down in the middle, the cost is remarkably increased and the apparatus becomes longer and takes up installation space. The problem was pointed out.
In addition, the etching apparatus 1 itself includes an oscillation system and a lateral movement system in which each spray pipe 2 including the one for the high-pressure left and right end portions G is swung or laterally moved. The problem was pointed out.

《本発明について》
本発明に係るメッキ基板のエッチング装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべく、発明者の鋭意研究努力の結果なされたものである。
そして本発明は、第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されると共に、第２に、しかもこれが簡単容易に、コスト面やスペース面にも優れて実現される、メッキ基板のエッチング装置を提案することを、目的とする。 << About the present invention >>
In view of such circumstances, the plating substrate etching apparatus according to the present invention has been made as a result of the inventors' diligent research efforts in order to solve the problems of the conventional example.
In the present invention, first, the thickness of the copper foil is made uniform, so that the averaged etching is realized, and secondly, this is easily and easily realized with excellent cost and space. An object of the present invention is to propose an etching apparatus for a plated substrate.

《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず請求項１に
ついては、次のとおり。
請求項１のメッキ基板のエッチング装置は、回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングする。そして、該基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されていること、を特徴とする。
請求項２については、次のとおり。請求項２のメッキ基板のエッチング装置では、請求項１において、供給された該基板材は、銅メッキされており、メッキの厚み誤差により外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部つまり外周部で厚く、中央部で薄くなっている。そして、該エリアでの集中的エッチングにより、該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり均一化されること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。請求項３のメッキ基板のエッチング装置では、請求項２において、該エリアは、該エッチング装置の上流側に追加付設されており、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、該スプレー管に取付けられ該基板材にエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。そして、該スプレー管そしてスプレーノズルは、該基板材の前後端部用のものと左右端部用のものとからなること、を特徴とする。 <About Claim>
The technical means of the present invention for solving such a problem is as follows. First, claim 1 is as follows.
An apparatus for etching a plated substrate according to claim 1 is used in a circuit board manufacturing process, and etches a plated substrate material that is horizontally conveyed by a conveyor by jetting an etching solution. And the area which etches intensively the front-and-rear end part and right-and-left end part of this board | substrate material is provided, It is characterized by the above-mentioned.
About Claim 2, it is as follows. According to a second aspect of the present invention, there is provided an apparatus for etching a plated substrate according to the first aspect, wherein the supplied substrate material is copper plated, and the thickness of the copper foil including the outer surface plating due to the plating thickness error is It is thicker at the center and left and right ends, that is, at the outer periphery, and thinner at the center. Then, the thickness of the copper foil is corrected by intensive etching in the area, and is made uniform over the front and rear end portions, the left and right end portions, and the central portion.
About Claim 3, it is as follows. According to a third aspect of the present invention, there is provided a plating substrate etching apparatus according to the second aspect, wherein the area is additionally provided on the upstream side of the etching apparatus, and is provided in a plurality of width directions perpendicular to the front and rear transport directions. And a spray nozzle attached to the spray tube and spraying an etching solution onto the substrate material. The spray tube and the spray nozzle are characterized by being composed of one for front and rear ends and one for left and right ends of the substrate material.

請求項４については、次のとおり。請求項４のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においてのみ、該前後端部に対し限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。請求項５のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においては、該前後端部に対しエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。請求項６のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管の左右位置のみに少数取付けられ、もって該基板材の左右端部に対向している。そして該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項７については、次のとおり。請求項７のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして、該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向するものが、エッチング液をより高い噴射圧で噴射し、該基板材の中央部に対向するものが、エッチング液をより低い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とする。 About Claim 4, it is as follows. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a plating substrate etching apparatus according to the third aspect, wherein a plurality of spray nozzles of the spray pipe for the front and rear end portions are attached to the spray pipe as a whole at a predetermined pitch interval. The spray nozzle is controlled in timing of the jetting of the etching liquid based on the position information and size information of the substrate material detected by the sensor, so that the front and rear ends only when the substrate material passes through the front and rear ends. It is characterized in that it is controlled so as to spray the etching solution to the part in a limited manner.
About Claim 5, it is as follows. According to a fifth aspect of the present invention, a plurality of spray nozzles of the spray pipe for the front and rear end portions are attached to the spray pipe as a whole at a predetermined pitch interval. The spray nozzle controls the timing of the jetting of the etching solution based on the position information and size information of the substrate material detected by the sensor, so that when the substrate material passes through the front and rear end portions, It is characterized by being controlled so that the etching liquid is sprayed to the part at a higher spray pressure.
About Claim 6, it is as follows. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a plating substrate etching apparatus according to the third aspect, wherein a small number of spray nozzles of the spray tube for the left and right end portions are attached only to the left and right positions of the spray tube. Opposite. The spray nozzle is controlled so as to spray the etching solution limitedly only to the left and right ends of the substrate material.
About Claim 7, it is as follows. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a plating substrate etching apparatus according to the third aspect, wherein a plurality of spray nozzles of the spray pipes for the left and right end portions are attached to the spray pipe as a whole at a predetermined pitch interval. The spray nozzle that opposes the left and right end portions of the substrate material sprays the etching liquid at a higher spray pressure, and the spray nozzle that faces the central portion of the substrate material sprays the etchant at a lower spray pressure. It is controlled so that it may inject with.

請求項８については、次のとおり。請求項８のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送される。そして該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項９については、次のとおり。請求項９のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送される。そして該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項１０については、次のとおり。請求項１０のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度で該スプレー管に取付けられている。
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とする。 About Claim 8, it is as follows. According to an eighth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for etching a plated substrate according to the fourth, fifth, sixth, or seventh aspect, wherein the etching solution is pumped to the spray pipe through a dedicated pump. The pump is controlled as described above, and is further adapted to adjust the jetting pressure of the etching solution based on the width dimension information and the copper foil thickness dimension information about the front and rear ends and the left and right ends of the substrate material. It is controlled.
About Claim 9, it is as follows. According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for etching a plated substrate according to the fourth, fifth, sixth, or seventh aspect, wherein the etching solution is pumped to the spray pipe via a dedicated electromagnetic valve. Then, using the electromagnetic valve, the above control is performed, and furthermore, the jet pressure of the etching solution is controlled based on the width dimension information and the copper foil thickness dimension information about the front and rear ends and the left and right ends of the substrate material. It is characterized by being controlled to adjust the height.
About Claim 10, it is as follows. The apparatus for etching a plated substrate according to claim 10, wherein the spray nozzle is directed in the left-right width direction and attached to the spray tube at an obliquely inclined spray angle. ing.
And a regulating roller for preventing the etching liquid sprayed from the spray nozzle from flowing in the front-rear transport direction and restricting the etchant to flow only in the left-right width direction, the spray tube and the spray nozzle It is characterized in that it is disposed in a pair before and after the region facing the substrate and is in pressure contact with the substrate material to be conveyed.

《作用等》
本発明のメッキ基板のエッチング装置は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）エッチング装置では、搬送される基板材にエッチング液が噴射される。
（２）そして、供給される基板材は銅メッキされており、メッキの厚み誤差により、外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部で厚く中央部で薄くなっている。
（３）そこで、このエッチング装置には、基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されており、同エリアは、前後端部用のものと左右端部用のものとからなり、それぞれ、左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、スプレー管に取付けられエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。 《Action etc.》
Since the plating substrate etching apparatus of the present invention comprises such means, it is as follows.
(1) In the etching apparatus, an etching solution is sprayed onto the substrate material to be conveyed.
(2) The supplied substrate material is copper-plated, and due to the plating thickness error, the thickness of the copper foil including the plating on the outer surface is thicker at the front and rear ends and the left and right ends and thinner at the center. ing.
(3) Therefore, this etching apparatus is provided with areas for intensive etching of the front and rear end portions and the left and right end portions of the substrate material. The areas are for the front and rear end portions and for the left and right end portions. Each having a plurality of spray tubes arranged in the left and right width direction, and spray nozzles attached to the spray tubes and spraying an etching solution.

（４）まず、同エリアの前後端部用のスプレーノズルは、スプレー管に全体的に取付けられており、センサーにて検出された基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御される。そして、基板材の前後端部の通過時において、エッチング液を噴射するか、又はエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御される。 （５）次に、同エリアの左右端部用のスプレーノズルは、スプレー管の左右位置のみに取付けられ、もって基板材の左右端部にエッチング液を噴射するか、又は、スプレー管に全体的に取付けられ、基板材の左右端部に対向するものがエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御される。
（６）そして、スプレー管には、それぞれ専用のポンプ又は電磁弁を介して、エッチング液が圧送される。もって、このポンプにより又はこの電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材の前後端部や左右端部の幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧が高低制御される。
（７）更に、同エリアのスプレーノズルは、左右に向けられ斜めに傾斜してスプレー管に取付けられている。又、搬送される基板材について、スプレーノズル等に対向する領域の前後には、規制ローラーが対をなして配設，圧接されている。
そこでエッチング液は、左右に傾斜した噴射角度で噴射されると共に、規制ローラーにて規制され、もって基板材を左右方向にのみ流れるので、この面からも平均化されたエッチングが実現される。 (4) First, the spray nozzles for the front and rear ends of the same area are attached to the spray pipe as a whole, and the jetting of the etchant is performed based on the position information and size information of the substrate material detected by the sensor. Timing controlled. Then, when passing through the front and rear end portions of the substrate material, it is controlled to inject the etching liquid or to inject the etching liquid at a higher injection pressure. (5) Next, the spray nozzles for the left and right ends of the same area are attached only to the left and right positions of the spray tube, so that the etching solution is sprayed to the left and right ends of the substrate material or the spray tube is entirely And the one opposed to the left and right ends of the substrate material is controlled so as to spray the etchant at a higher spray pressure.
(6) Then, the etching solution is pumped to the spray pipe via a dedicated pump or a solenoid valve. Therefore, the above control is performed by this pump or by using this solenoid valve, and further, based on the width dimension information and the copper foil thickness dimension information of the front and rear ends and the left and right ends of the substrate material, The injection pressure is controlled to be high or low.
(7) Furthermore, the spray nozzles in the same area are attached to the spray pipes so as to be inclined leftward and rightward. Further, with respect to the substrate material to be conveyed, a regulating roller is disposed and pressed in pairs before and after the region facing the spray nozzle or the like.
Therefore, the etching solution is sprayed at a spray angle inclined to the left and right and is regulated by the regulation roller, and thus flows only in the left-right direction through the substrate material. Therefore, etching averaged from this surface is realized.

（８）さて、供給された基板材は、前述したように銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部で厚くなっている。そこで、上述したように付設されたエリアにおいて、この前後端部および左右端部が集中的にエッチングされて、銅箔の肉厚が均一に補正され、もって基板材のエッチングが平均化されるようになる。
（９）しかも、このようなエッチングの平均化は、エッチング装置に、スプレーノズル付のスプレー管が配設された同エリアを追加付設しただけで、簡単な構成により容易に実現される。
（１０）さてそこで、本発明のメッキ基板のエッチング装置は、次の第１，第２の効果を発揮する。 (8) Now, in the supplied substrate material, the thickness of the copper foil is thick at the front and rear end portions and the left and right end portions as described above. Therefore, in the area attached as described above, the front and rear end portions and the left and right end portions are intensively etched, so that the thickness of the copper foil is uniformly corrected, so that the etching of the substrate material is averaged. become.
(9) In addition, such etching averaging can be easily realized with a simple configuration only by adding the same area where the spray pipe with the spray nozzle is provided to the etching apparatus.
(10) Now, the plating substrate etching apparatus of the present invention exhibits the following first and second effects.

《第１の効果》
第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されて、高密度，微細，精細な回路が形成されるようになる。
すなわち、本発明のメッキ基板のエッチング装置では、基板材の前後端部，左右端部，中央部の銅箔の肉厚が均一化され、もって平均化されたエッチングが実現される。
そこで、前述したこの種従来例のエッチング装置のように、エッチング不足やエッチング過多の箇所は発生せず、回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良が解消されて、高密化，微細化，精細化された回路を製造可能となる。もって、生産性・歩留まり・品質が向上する。 << First effect >>
First, the thickness of the copper foil is made uniform, so that the averaged etching is realized, and a high-density, fine, and fine circuit is formed.
That is, in the plating substrate etching apparatus of the present invention, the thicknesses of the copper foils at the front and rear end portions, the left and right end portions, and the central portion of the substrate material are made uniform, thereby achieving an averaged etching.
Therefore, unlike the above-described conventional etching apparatus, there is no occurrence of insufficient etching or excessive etching, eliminating excessive or insufficient circuit width, variation, error, or defect, resulting in higher density, miniaturization, and fineness. It becomes possible to manufacture a circuit that has been made into a circuit. This improves productivity, yield, and quality.

《第２の効果》
第２に、しかもこれは、簡単な構成により容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れている。
すなわち、本発明のメッキ基板のエッチング装置は、スプレーノズル付のスプレー管を備えたエリアを追加付設して、ポンプや電磁弁で制御する方式を採用してなり、簡単な構成により上述した第１の点が容易に実現される。
前述したこの種従来例のエッチング装置のように、エッチングの平均化のため、途中に方向転換機構を組み込んだり、オシレーション方式や横移動方式等を採用する必要もない。もってコスト面に優れると共に、装置が長大化することもなくスペース面にも優れている。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。 << Second effect >>
Secondly, this is easily realized by a simple configuration and is excellent in terms of cost and space.
That is, the plating substrate etching apparatus according to the present invention employs a system in which an area having a spray tube with a spray nozzle is additionally provided and controlled by a pump or a solenoid valve. This point is easily realized.
Unlike the above-described conventional etching apparatus of this type, it is not necessary to incorporate a direction changing mechanism in the middle or to adopt an oscillation method, a lateral movement method, or the like in order to average the etching. Therefore, it is excellent in terms of cost, and the device is also excellent in space without increasing the length.
As described above, the effects exerted by the present invention are remarkably large, such as all the problems existing in this type of conventional example are solved.

《図面について》
以下、本発明に係るメッキ基板のエッチング装置を、図面に示した、発明を実施するための最良の形態に基づいて、詳細に説明する。図１，図２，図３は、本発明を実施するための最良の形態の説明に供する。
そして、図１の（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
図２の（１）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図、（２）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図、（３）図は、左右端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。図２の（４）図は、集中エッチング前の基板材の正（側）断面図、（５）図は、同基板材の平面説明図であり、（６）図は、集中エッチング後の基板材の正（側）断面図、（７）図は、同基板材の平面説明図である。
図３の（１）図は、制御用のブロック図、（２）図は、メッキ装置の正面説明図、（３）図は、その要部拡大図である。
図４，図５，図６は、エッチング装置本体の正面説明図，平面説明図，側面説明図である。図７は、エッチング装置本体等の各要部を示し、（１）図は、正断面図、（２）図は、別の正断面図、（３）図は、側面図、（４）図は、平面図である。図９は、回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。 《About drawing》
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a plating substrate etching apparatus according to the present invention will be described in detail based on the best mode for carrying out the invention shown in the drawings. 1, 2 and 3 are used to explain the best mode for carrying out the present invention.
FIG. 1 (1) is an explanatory plan view of one example, and FIG. 2 (2) is an explanatory plan view of another example.
FIG. 2 (1) is a front view of an example of the spray pipe for the front and rear end (disposed on the upper side), and FIG. 2 (2) is the spray pipe for the front and rear end (disposed on the upper side). FIG. 3 is a front view of an example of a spray tube for left and right ends (arranged on the upper side). (4) in FIG. 2 is a front (side) cross-sectional view of the substrate material before intensive etching, (5) is a plan view of the substrate material, and (6) is a substrate after intensive etching. The front (side) sectional view of the plate material and FIG. 7 (7) are plan explanatory views of the substrate material.
FIG. 3A is a block diagram for control, FIG. 2B is a front explanatory view of the plating apparatus, and FIG.
4, 5, and 6 are a front view, a plane view, and a side view of the etching apparatus main body. FIG. 7 shows each main part of the etching apparatus main body, etc. (1) FIG. Is a front sectional view, (2) FIG. Is another front sectional view, (3) is a side view, (4) FIG. These are plan views. FIG. 9 is a schematic plan view of a circuit board (substrate material).

《回路基板Ｌについて》
本発明のエッチング装置３は、回路基板Ｌの製造工程で使用される。そこでまず、図９を参照して、回路基板Ｌの概略について説明しておく。
回路基板Ｌは、ＡＶ機器，パソコン，携帯電話，デジカメ，その他各種の電子機器，ＩＴ関連機器において、その基幹をなす電気的接続用に用いられており、半導体部品間を接続するための回路Ｍパターンを、絶縁層の外表面や内部に形成してなる。
そして回路基板Ｌは、片面基板と両面基板とに分けられる他、多層基板（含、最近のビルドアップ法のもの）、その他各種のものがあり、又、硬質のリジット系基板とフィルム状のフレキシブル系基板とにも、分けられる。フレキシブル系基板の絶縁層は、ポリイミド製フィルム、その他の樹脂製フィルムよりなる。
又、このような回路基板Ｌの一環として、ＩＣ，ＬＳＩ素子，受動部品，駆動部品，コンデンサー等々の半導体部品が、回路Ｍと一体的に組み込まれたモジュール基板（半導体一体型のパッケージ基板）や、ガラスベースに回路Ｍと共に半導体部品が埋め込まれたガラス基板、つまりプラズマディスプレイＰＤＰ用のガラス基板や液晶ＬＣＤ用のガラス基板、更にはＣＳＰ，ＰＢＧＡ等も出現している。本明細書において回路基板Ｌとは、従来よりのプリント配線基板の外、このようなものも広く包含する。 << About circuit board L >>
The etching apparatus 3 of the present invention is used in the manufacturing process of the circuit board L. First, an outline of the circuit board L will be described with reference to FIG.
The circuit board L is used for the electrical connection that forms the basis in AV equipment, personal computers, mobile phones, digital cameras, other various electronic equipment, and IT-related equipment, and is a circuit M for connecting semiconductor components. A pattern is formed on the outer surface or inside of the insulating layer.
The circuit board L can be divided into a single-sided board and a double-sided board, as well as a multi-layer board (including recent build-up type), and various other types, and a rigid rigid board and a film-like flexible board. It can also be divided into system boards. The insulating layer of the flexible substrate is made of a polyimide film or other resin film.
In addition, as a part of such a circuit board L, a module board (semiconductor integrated package board) in which semiconductor parts such as ICs, LSI elements, passive parts, driving parts, capacitors and the like are integrated with the circuit M, A glass substrate in which a semiconductor component is embedded in the glass base together with the circuit M, that is, a glass substrate for a plasma display PDP, a glass substrate for a liquid crystal LCD, CSP, PBGA, and the like have also appeared. In the present specification, the circuit board L widely includes such a circuit board in addition to the conventional printed wiring board.

そして回路基板Ｌは、電子機器，ＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、高精度化，ファイン化，そして極薄化，柔軟化，フレキシブル化，更には多層化，多様化等が進み、外表面（表面や裏面の一方又は双方）に形成される回路Ｍ、更には内部に形成される回路Ｍの高密度化，微細化，精細化が著しい。
回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、製造に際しての１枚の縦横のカットサイズが、例えば５００ｍｍ×４００ｍｍ程度よりなる。肉厚は、絶縁層（コア材）Ｃ部分が、従来の１．６ｍｍから１．０ｍｍ〜６０μｍ程度、昨今では５０μｍから１０μｍ前後まで、極薄化されている。回路Ｍ部分（銅箔Ｄ部分）の肉厚も、７０μｍ〜３５μｍ、昨今では１２μｍ〜３μｍ前後まで、極薄化されている。
多層基板の場合でも、全体の肉厚が１．０ｍｍ〜０．４ｍｍ程度まで、極薄化されつつある。回路Ｍ幅や回路Ｍ間スペースも、３０μｍ〜１５μｍ程度、昨今では１０μｍ前後まで微細化傾向にある。
回路基板Ｌは、概略このようになっている。 And the circuit board L has become more accurate, finer, ultra-thin, flexible, flexible, multi-layered, as electronic devices and IT-related devices become higher performance, higher functionality, smaller and lighter. As diversification and the like proceed, the density, miniaturization, and refinement of the circuit M formed on the outer surface (one or both of the front surface and the back surface) and further the circuit M formed inside are remarkable.
A circuit board L, for example, a printed wiring board, has a vertical and horizontal cut size of about 500 mm × 400 mm, for example. The thickness of the insulating layer (core material) C portion is extremely thin from the conventional 1.6 mm to about 1.0 mm to 60 μm, and recently from about 50 μm to about 10 μm. The thickness of the circuit M portion (copper foil D portion) is also extremely thin from 70 μm to 35 μm, and recently, around 12 μm to 3 μm.
Even in the case of a multilayer substrate, the overall thickness is being reduced to about 1.0 mm to 0.4 mm. The width of the circuit M and the space between the circuits M are also about 30 μm to 15 μm.
The circuit board L is roughly like this.

《回路基板Ｌの製造方法の１例について》
次に、本発明のエッチング装置３が使用される、回路基板Ｌの製造方法について、図９，図２の（４）図，（６）図等を参照して説明する。まず、第１例の製造方法について述べる。この製造方法において、回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、次のステップを辿って製造される。
最初に、紙フェノール製，ガラスエポキシ製，ガラスクロス製，セラミックス製，又はポリイミド製，その他のフィルム状樹脂製の絶縁層（コア材）Ｃの外表面に、銅箔Ｄが熱プレス，圧延，電解等により張り付けられた、銅張り積層板たる基板材Ａが準備される。
そして、このように準備された基板材Ａについて、張り付けられた銅箔Ｄ表面を粗化する表面粗化処理（ソフトエッチング）が行われた後、短尺のワークサイズの各葉に切断される。表面粗化処理は、従来は、機械研磨によって行われていたが、最近は、表面粗化液の噴射によって行われることが多い。
そして多くの場合、スルホールＮ用の孔あけ加工が、レーザ等を使用して実施される。スルホールＮは、基板材Ａ（回路基板Ｌ）の外表面間の微細な貫通孔よりなり、１枚について、極小径のものが数百個以上形成され、その径は、０．５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度以下のものが多くなっている。そしてスルホールＮは、外表面の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間や多層基板の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間の導通接続用や、回路Ｍに実装される半導体部品の取り付け用として使用される。
なお最近は、孔あけ加工を要するスルホールＮに代えて、小突起状・略円錐台状の接点たるバンプを形成し、もって多層基板等について、このバンプにより、スルホールＮと同様の機能を実現する技術も開発されている。バンプは、回路Ｍに準じ、現像工程，エッチング工程，剥膜工程等の表面処理工程を辿って、製造される。 << One Example of Manufacturing Method of Circuit Board L >>
Next, a method for manufacturing the circuit board L in which the etching apparatus 3 of the present invention is used will be described with reference to FIGS. 9 and 2 (4) and (6). First, the manufacturing method of the first example will be described. In this manufacturing method, the circuit board L, for example, a printed wiring board, is manufactured by following the following steps.
First, copper foil D is hot-pressed, rolled, on the outer surface of an insulating layer (core material) C made of paper phenol, glass epoxy, glass cloth, ceramics, polyimide, or other film-like resin. A substrate material A which is a copper-clad laminate attached by electrolysis or the like is prepared.
And about the board | substrate material A prepared in this way, after the surface roughening process (soft etching) which roughens the surface of the affixed copper foil D is performed, each leaf of a short work size is cut. The surface roughening treatment has been conventionally performed by mechanical polishing, but recently it is often performed by jetting a surface roughening solution.
In many cases, drilling for the through hole N is performed using a laser or the like. The through hole N is composed of fine through-holes between the outer surfaces of the substrate material A (circuit board L), and several hundreds of extremely small diameters are formed per sheet, and the diameter is 0.5 mm to 0.00 mm. The number is about 2 mm or less. The through hole N is used for conductive connection between the circuits M (copper foil D) on the outer surface or between the circuits M (copper foil D) on the multilayer substrate, and for mounting a semiconductor component mounted on the circuit M.
Recently, in place of the through hole N that requires drilling, bumps that are contact points in the form of small protrusions and substantially frustoconical shapes are formed, and the same function as the through hole N is realized by using this bump for a multilayer substrate or the like. Technology is also being developed. The bump is manufactured in accordance with the circuit M by following a surface treatment process such as a development process, an etching process, and a peeling film process.

さてしかる後、基板材Ａの銅箔Ｄの外表面に、感光性のレジストが膜状に塗布又は張り付けられる。それから、回路Ｍのネガフィルムつまり予め回路Ｍ設計された回路Ｍ写真を当て、露光することにより、外表面のレジストは、露光されて硬化した回路Ｍ形成部分を残し、その他の不要部分が、アルカリ性の現像液の噴射により溶解除去される。
それから、このような基板材Ａの銅箔Ｄは、レジストが硬化して被覆された回路Ｍ形成部分（保護膜部分）を残し、現像によりレジストが溶解除去されて露出した不要部分が、エッチング液Ｂ（塩化第二銅系，塩化第二鉄系，アルカリ系，その他の腐食液）の噴射により、溶解除去・エッチングされる。それから、残っていた回路Ｍ形成部分のレジストが、アルカリ性の剥離液の噴射により剥膜除去され、もって、残った回路Ｍ形成部分の銅箔Ｄにて、基板材Ａの外表面に、所定導体パターンの回路Ｍが形成され、回路基板Ｌが製造される。
又、上述した現像工程，エッチング工程，剥膜工程には、それぞれ後処理用に又は剥膜工程の後にまとめて後処理用に、水洗液，中和剤液，その他の洗浄液を噴射する、洗浄工程が付設されている。この洗浄工程では、基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）に付着していた現像液，エッチング液Ｂ，剥離液等の処理液が、洗浄，除去される。
更に、洗浄工程の後には、乾燥工程が付設されている。すなわち、洗浄工程で洗浄された基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）には、水洗液その他の洗浄液や，それらの水分が付着しているので、酸化防止等のためこれらを除去すべく、事後直ちに乾燥工程において乾燥処理される。
第１例の製造方法は、このようなウェットプロセス法よりなる。第１例の製造方法は、このようになっている。 After that, a photosensitive resist is applied or pasted on the outer surface of the copper foil D of the substrate material A in the form of a film. Then, a negative film of the circuit M, that is, a circuit M photograph designed in advance by the circuit M is applied and exposed, so that the resist on the outer surface leaves the exposed and cured circuit M forming part, and other unnecessary parts are alkaline. The developer is dissolved and removed by spraying the developer.
Then, such a copper foil D of the substrate material A leaves a circuit M forming portion (protective film portion) coated with the resist cured, and an unnecessary portion exposed by dissolving and removing the resist by development is etched away. It is dissolved and removed and etched by spraying B (cupric chloride, ferric chloride, alkali, and other corrosive liquids). Then, the remaining resist of the circuit M forming portion is stripped by spraying an alkaline stripping solution, and the predetermined conductor is formed on the outer surface of the substrate material A by the remaining copper foil D of the circuit M forming portion. A circuit M having a pattern is formed, and a circuit board L is manufactured.
In addition, in the development process, etching process, and film removal process described above, a washing solution, a neutralizer solution, and other washing solutions are sprayed for post-treatment or after the film removal step for post-treatment. A process is attached. In this cleaning process, the processing liquid such as the developing solution, the etching solution B, and the stripping solution adhering to the outer surface of the substrate material A (including the inside of the through hole N) is cleaned and removed.
Furthermore, a drying process is attached after the cleaning process. That is, the outer surface (including the inside of the through hole N) of the substrate material A cleaned in the cleaning process is adhered with water and other cleaning liquids and their moisture, so these are removed to prevent oxidation. Therefore, it is dried in the drying process immediately after the fact.
The manufacturing method of the first example includes such a wet process method. The manufacturing method of the first example is as described above.

《回路基板Ｌの製造方法の他の例について》
次に、第２例の製造方法について述べる。回路基板Ｌ例えばプリント配線基板の製造方法としては、上述した第１例のウェットプロセス法が代表的であるが、第２例のセミアディティブ法も多用されつつある。
セミアディティブ法では、まず、予めスルホールＮが形成された基板材Ａの外表面に、無電解銅メッキが施される。→それから、この無電解銅メッキに、感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けた後、→回路Ｍフィルムである回路Ｍ写真を当て、露光する。→そしてレジストは、露光されて硬化した部分を残し、他の部分つまり回路Ｍ形成部分が、現像液の噴射により溶解除去される。
しかる後、→回路Ｍ形成部分、つまり現像によりレジストが溶解除去されたメッキパターン部分、つまり無電解銅メッキが露出した部分に対し、電解銅メッキが施されて、→回路Ｍが形成される。→なお、残っていた硬化した回路Ｍ形成部分以外のレジストは、剥離液の噴射により剥膜除去され、→露出した無電解銅メッキが、エッチング液Ｂの噴射によりクイックエッチングされて、融解除去される。→なお、各工程の後処理用として、前述した所に準じ、洗浄工程や乾燥工程が付設される。
第２例のセミアディティブ法では、このようにして、電解銅メッキにて回路Ｍが形成され、もって回路基板Ｌが製造される。第２例の製造方法は、このようになっている。
ところで、プリント配線基板その他の回路基板Ｌの製造方法は、最近ますます多様化しつつあり、上述した第１例，第２例以外にも、各種方法が開発，使用されている。本発明は勿論、このような各種の製造方法にも適用される。
回路基板Ｌの製造方法は、このようになっている。 << Other Examples of Manufacturing Method of Circuit Board L >>
Next, a manufacturing method of the second example will be described. As a method for manufacturing the circuit board L, for example, a printed wiring board, the wet process method of the first example described above is representative, but the semi-additive method of the second example is also being used frequently.
In the semi-additive method, first, electroless copper plating is performed on the outer surface of the substrate material A on which the through holes N are formed in advance. Then, after applying or pasting a photosensitive resist to the electroless copper plating, a circuit M film as a circuit M film is applied and exposed. → The resist remains exposed and hardened, and the other part, that is, the part where the circuit M is formed, is dissolved and removed by spraying the developer.
Thereafter, electrolytic copper plating is applied to the circuit M formation portion, that is, the plating pattern portion where the resist is dissolved and removed by development, that is, the portion where the electroless copper plating is exposed, and the circuit M is formed. → The remaining resist other than the hardened circuit M forming portion is stripped by spraying a stripping solution, and the exposed electroless copper plating is quickly etched and melted by spraying an etching solution B. The → In addition, a washing step and a drying step are attached for the post-treatment of each step in accordance with the above-mentioned place.
In the semi-additive method of the second example, the circuit M is thus formed by electrolytic copper plating, and thus the circuit board L is manufactured. The manufacturing method of the second example is as described above.
By the way, the manufacturing method of the printed wiring board and other circuit boards L has been increasingly diversified recently, and various methods other than the first and second examples described above have been developed and used. The present invention is of course applicable to such various manufacturing methods.
The manufacturing method of the circuit board L is as described above.

《エッチング装置３の本体４について》
次に、図４，図５，図６，図７等を参照して、本発明の前提となるエッチング装置３の本体４について、説明する。
エッチング装置３は、前述した回路基板Ｌの製造工程中のエッチング工程にて使用され、水平搬送される基板材Ａに対し、エッチング液Ｂを噴射してエッチング処理（薬液処理，表面処理）する。
そして、処理室であるチャンバー５内に、基板材Ａを搬送方向Ｊに水平姿勢で搬送するコンベヤ６と、搬送される基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル７とを、備えている。 << About the body 4 of the etching apparatus 3 >>
Next, the main body 4 of the etching apparatus 3 which is a premise of the present invention will be described with reference to FIGS.
The etching apparatus 3 is used in the above-described etching process during the manufacturing process of the circuit board L, and performs an etching process (chemical process, surface process) by spraying an etchant B onto the substrate material A that is horizontally transported.
And in the chamber 5 which is a process chamber, the conveyor 6 which conveys the board | substrate material A in the horizontal direction to the conveyance direction J, and the spray nozzle 7 which injects the etching liquid B to the board | substrate material A conveyed are provided. .

まず、エッチング装置３のコンベヤ６について述べる。コンベヤ６は、基板材Ａを上下から圧接して挟んで送る搬送ローラー８を備えており（図４，図６を参照）、搬送ローラー８は、スプレーゾーンＰを除き、上下方向Ｐに上下対をなし接触回転すべく組み合わせて配設され、上下共に前後の搬送方向Ｊに向け多数列設されている。少なくとも下位の搬送ローラー８は、回転駆動される駆動ローラーよりなる。
又、図示例の搬送ローラー８はストレートローラーよりなり、上下共に３個置きに、その１個分に相当するスプレーゾーンＰが形成されており（１個分の搬送ローラー８が欠如せしめられており）、上側のスプレーゾーンＰと下側のスプレーゾーンＰとは、対向位置せずに搬送方向Ｊにずれて位置している。
そして、スプレーゾーンＰの前後の搬送ローラー８が、規制ローラー９としても兼用され機能している（図６，図７の（３）図，（４）図を参照）。
すなわち、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂが、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れて、乱流や液溜まりとなることを阻止し、もって左右の幅方向Ｋにのみ流れるように規制する規制ローラー９が、スプレーゾーンＰ（後述するスプレー管１０やスプレーノズル７に対向する領域）の前後に、対をなして配設され、搬送される基板材Ａに圧接している。 First, the conveyor 6 of the etching apparatus 3 will be described. The conveyor 6 includes a transport roller 8 that presses and holds the substrate material A from above and below (see FIGS. 4 and 6). The transport roller 8 is vertically paired in the vertical direction P except for the spray zone P. Are arranged in combination so as to rotate in contact with each other, and a plurality of rows are arranged in the front-rear transport direction J both in the vertical direction. At least the lower transport roller 8 is composed of a drive roller that is rotationally driven.
In addition, the conveyance roller 8 in the illustrated example is a straight roller, and a spray zone P corresponding to one of the three is formed on both the top and bottom (one conveyance roller 8 is missing). ), The upper spray zone P and the lower spray zone P are not positioned to face each other but are shifted in the transport direction J.
The transport rollers 8 before and after the spray zone P also function as the restriction roller 9 (see FIGS. 6 and 7 (3) and (4)).
That is, the etching solution B sprayed from the spray nozzle 7 is prevented from flowing through the substrate material A in the front-rear transport direction J and becoming a turbulent flow or a liquid pool, so that it flows only in the left-right width direction K. A regulating roller 9 for regulating is disposed in a pair before and after a spray zone P (a region facing a spray tube 10 and a spray nozzle 7 to be described later) and is in pressure contact with a substrate material A to be conveyed.

次に、エッチング装置３のスプレーノズル７について述べる。スプレーノズル７は、スプレーゾーンＰにおいて、搬送される基板材Ａの上下に対向配設されており、エッチング液Ｂを噴射する。
スプレーノズル７としては、一般的なフルコーンノズルやスリットノズルが使用され、コンベヤ６の搬送ローラー８にて水平搬送される基板材Ａの真上や真下に、それぞれ上下間隔を存すると共に、前後の搬送方向Ｊと左右の幅方向Ｋにわたって、所定ピッチ間隔を置きつつ多数配列されている。
そしてエッチング液Ｂは、液槽１１からポンプや配管１２を介し、スプレー管１０を経由して、各スプレーノズル７に圧送され、もって基板材Ａに噴射される。そして、基板材Ａの外表面を流れつつ表面処理した後、基板材Ａの左右両サイドから流下されて、液槽１１に回収され、事後も循環使用される。 Next, the spray nozzle 7 of the etching apparatus 3 will be described. In the spray zone P, the spray nozzle 7 is disposed opposite to the upper and lower sides of the substrate material A to be conveyed, and sprays the etching solution B.
As the spray nozzle 7, a general full cone nozzle or slit nozzle is used, and there is a vertical interval directly above and directly below the substrate material A that is horizontally transported by the transport roller 8 of the conveyor 6. A large number are arranged with a predetermined pitch interval in the conveyance direction J and the width direction K on the left and right.
Then, the etching solution B is pumped from the solution tank 11 to each spray nozzle 7 via the pump and the pipe 12 and the spray tube 10 and is then sprayed onto the substrate material A. And after surface-treating, flowing the outer surface of the board | substrate material A, it flows down from both the right and left sides of the board | substrate material A, is collect | recovered by the liquid tank 11, and is used after circulation.

そして、図示例のスプレー管１０は配管１２から分岐された後、左右の幅方向Ｋに平行に沿うと共に、前後の搬送方向Ｊに向け一定ピッチで多数本配設されている（図５を参照）。そして、このような各スプレー管１０に、スプレーノズル７が、幅方向Ｋに一定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。
そこで、チャンバー５内全体において、スプレーノズル７は、前後，左右にそれぞれ一定ピッチ間隔を置きつつ、多数配設されていることになる。
又、スプレーノズル７は、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αでスプレー管１０に取付けられている（図４，図７の（１）図，（２）図を参照）。そこで、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂは、幅方向Ｋの左方向又は右方向に向け斜めに傾斜した噴射角度αで、基板材Ａに対して噴射され、もって基板材Ａの外表面を、左方向又は右方向に向け液溜まりや乱流のない規則的な流れを形成して、エッチングした後、左右両サイドから流下する。
そして、幅方向Ｋの左方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列と、幅方向Ｋの右方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列とが、前後の搬送方向Ｊに順次交互に配されている（図５を参照）。
エッチング装置３の本体４は、このようになっている。 The spray pipe 10 in the illustrated example is branched from the pipe 12, and is parallel to the left and right width direction K and is arranged at a constant pitch in the front and rear transport direction J (see FIG. 5). ). A large number of spray nozzles 7 are attached to each spray tube 10 as a whole at a constant pitch interval in the width direction K.
Therefore, a large number of spray nozzles 7 are arranged in the entire chamber 5 with a constant pitch interval between the front and rear and the left and right.
The spray nozzle 7 is directed to the left and right width direction K and is attached to the spray tube 10 at an obliquely inclined spray angle α (see FIGS. 4 and 7 (1) and 2). reference). Therefore, the etchant B sprayed from the spray nozzle 7 is sprayed onto the substrate material A at an spray angle α inclined obliquely toward the left or right direction in the width direction K, and thus the outer surface of the substrate material A. After forming a regular flow without liquid accumulation or turbulent flow in the left direction or the right direction, it is flowed down from both the left and right sides.
A row of spray nozzles 7 attached to the spray tube 10 toward the left in the width direction K and a row of spray nozzles 7 attached to the spray tube 10 in the right direction in the width direction K Are alternately arranged in the transport direction J (see FIG. 5).
The main body 4 of the etching apparatus 3 is as described above.

《集中エッチング用のエリア１３について》
以下、図１，図２，図３等を参照して、本発明について説明する。このエッチング装置３には、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が，上下にそれぞれ付設されている。
この上下のエリア１３は、図示例ではエッチング装置３のチャンバー５内の上流側に、追加付設されている。そして、前後の搬送方向Ｊと９０度直交する左右の幅方向Ｋに配設された複数本のスプレー管１４，１５と、スプレー管１４，１５に取付けられ基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル１６，１７と、を備えている。
そして、スプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７は、基板材Ａの前後端部Ｆ用のものと、左右端部Ｇ用のものとからなっている。 << Regarding the area 13 for concentrated etching >>
Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. The etching apparatus 3 is provided with areas 13 for vertically etching the front and rear end portions F and the left and right end portions G of the substrate material A, respectively.
The upper and lower areas 13 are additionally provided on the upstream side in the chamber 5 of the etching apparatus 3 in the illustrated example. Then, a plurality of spray tubes 14 and 15 disposed in the left and right width direction K perpendicular to the front and rear transport direction J and the spray solution 14 is sprayed onto the substrate material A attached to the spray tubes 14 and 15. Spray nozzles 16 and 17.
The spray tubes 14 and 15 and the spray nozzles 16 and 17 are for the front and rear end F of the substrate material A and for the left and right end G, respectively.

このような集中エッチング用のエリア１３の概要について、更に詳述する。まず、このエッチング装置３そしてエリア１３に供給される基板材Ａは、銅メッキＥされている。
例えば、回路Ｍの形成前に、スルホールＮ内を層間接続用に導通処理しておく為、その他の理由により、銅張り積層板たる基板材Ａの外表面（例えば表面と裏面の両方）、つまり銅箔Ｄの外表面が、全体的に銅メッキＥされることが多い。
そして銅メッキＥは、例えば、メッキ槽１８に基板材Ａをハンガー１９で保持しつつ浸漬し、メッキ槽１８側を陽極、基板材Ａ側を陰極として通電することにより、実施される（図３の（２）図，（３）図を参照）。
その結果、基板材Ａは、通電度が高い外周部（前後端部Ｆと左右端部Ｇ）が厚くメッキＥされ、通電度が低くなる中央部Ｈが薄くメッキＥされてしまう。基板材Ａについて、全体的に均一にメッキＥを施すことは、現状では困難視されており、メッキＥ厚みのバラツキ発生は、不可避な状況にある。 The outline of the area 13 for concentrated etching will be described in further detail. First, the substrate material A supplied to the etching apparatus 3 and the area 13 is plated with copper E.
For example, before the circuit M is formed, the inside of the through hole N is subjected to conduction treatment for interlayer connection. For other reasons, the outer surface (for example, both the front surface and the back surface) of the substrate material A which is a copper-clad laminate, that is, The outer surface of the copper foil D is often copper-plated E as a whole.
The copper plating E is performed, for example, by immersing the substrate material A in the plating tank 18 with the hanger 19 and energizing the plating tank 18 side as an anode and the substrate material A side as a cathode (FIG. 3). (See Figure 2 and Figure 3).
As a result, the outer peripheral portion (front and rear end portion F and left and right end portion G) with high electrical conductivity is thickly plated E, and the central portion H with low electrical conductivity is thinly plated E. It is considered difficult to uniformly apply the plating E to the substrate material A as a whole, and the occurrence of variations in the thickness of the plating E is inevitable.

そこで、回路基板Ｌの製造工程において、現像工程を経てエッチング工程のエッチング装置３に供給されたメッキ基板の基板材Ａは、このようなメッキＥの厚み誤差により、外表面（表面や裏面）のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
供給される基板材Ａについて、このようなメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚の誤差は、前後端部Ｆや左右端部Ｇと中央部Ｈとでは、５％〜１５％程度にも達している。
そこで、このエッチング装置３では、前述した本体４におけるエッチングに先立ち、エリア１３において、基板材Ａの外表面の前後端部Ｆや左右端部Ｇを、集中的にエッチングして、このような銅箔Ｄの肉厚を補正し、前後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたり均一化してから（図２の（６）図，（７）図を参照）、本体４におけるエッチングを実施する。
なおエリア１３は、図示例ではエッチング装置３のチャンバー５内において、本体４の上流側に追加配設されているが、これによらず、下流側や途中の中間部に追加付設するようにしてもよい。
集中エッチング用のエリア１３は、概略このようになっている。 Therefore, in the manufacturing process of the circuit board L, the substrate material A of the plating substrate supplied to the etching apparatus 3 in the etching process through the development process has an outer surface (front surface or back surface) due to such a thickness error of the plating E. The thickness of the copper foil D including the plating E is thicker at the front and rear end portions F and the left and right end portions G, that is, the outer peripheral portion, and is thinner at the central portion H (see FIGS. 2 (4) and 2 (5)). ).
Regarding the substrate material A to be supplied, the thickness error of the copper foil D including the plating E reaches about 5% to 15% at the front and rear end F, the left and right end G, and the center H. ing.
Therefore, in this etching apparatus 3, prior to the etching in the main body 4 described above, in the area 13, the front and rear end portions F and the left and right end portions G of the outer surface of the substrate material A are intensively etched, and such copper After correcting the thickness of the foil D and making it uniform over the front and rear end portions F, the left and right end portions G, and the central portion H (see FIG. 2 (6) and FIG. 7), the main body 4 is etched. To do.
In addition, in the illustrated example, the area 13 is additionally provided on the upstream side of the main body 4 in the chamber 5 of the etching apparatus 3. However, the area 13 is additionally provided on the downstream side or an intermediate part in the middle. Also good.
The concentrated etching area 13 is roughly as described above.

《前後端部Ｆ用のエリア１３について》
次に、図１の（１）図，（２）図，図２の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照して、このようなエリア１３のうち、基板材Ａの前後端部Ｆの集中エッチング用のエリア１３部分について、説明する。
この前後端部用Ｆ用のエリア１３のスプレー管１４のスプレーノズル１６は、上下のスプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして、センサー２０にて検出された基板材Ａの位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御される。
もって、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においてのみ、上下から前後端部Ｆのみに対し限定的・スポット的に、エッチング液Ｂを噴射すべく制御されるか、又は、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においては、上下から前後端部Ｆに対しエッチング液Ｂを、より高い噴射圧で噴射すべく制御される。 << Regarding the area 13 for the front and rear end F >>
Next, referring to (1), (2), (1), (2), (1), etc. of FIG. The area 13 for concentrated etching at the front and rear end F of the substrate material A will be described.
A large number of spray nozzles 16 of the spray pipes 14 in the front and rear end F area 13 are attached to the upper and lower spray pipes 14 at predetermined pitch intervals as a whole. Then, based on the position information and size information of the substrate material A detected by the sensor 20, the timing of the injection of the etching solution B is controlled.
Therefore, only when passing through the front and rear end portions F of the substrate material A, the etching solution B is controlled to be sprayed in a limited and spot manner only from the upper and lower ends to the front and rear end portions F. When the front and rear end portions F pass, the etching liquid B is controlled to be sprayed to the front and rear end portions F from above and below at a higher spray pressure.

このような前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、更に詳述する。
図示例では、基板材Ａの前端部と後端部つまり前後端部Ｆ用のスプレー管１４が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されている。図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そしてスプレーノズル１６は、スプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４に取付けられている。更に図示例では、２本の内、１本のスプレー管１４に取付けられたスプレーノズル１６は、左方向に向けられ、他の１本に取付けられたスプレーノズル１６は、右方向に向けられている（図２の（１）図，（２）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。スプレーノズル１６の噴射角度αは、例えば１度〜３０度程度の間で可変であり、適宜選択設定される。
なお、このスプレー管１４やスプレーノズル１６について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７について前述した所に準じるので（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）、その説明は省略する。又、このエリア１３におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、本体４において前述した所に準じるので、その説明は省略する。 The spray tube 14 and the spray nozzle 16 in the area 13 for the front and rear end F will be described in further detail.
In the illustrated example, two spray tubes 14 for the front end portion and the rear end portion, that is, the front and rear end portions F of the substrate material A are arranged in parallel in the left and right width direction K. Regardless of the illustrated example, it is possible to dispose one or more than three.
A large number of spray nozzles 16 are generally attached to the spray tube 14 at a predetermined pitch interval, and are directed to the left and right width direction K and attached to the spray tube 14 at an obliquely inclined spray angle α. . Further, in the illustrated example, the spray nozzle 16 attached to one of the two spray tubes 14 is directed leftward, and the spray nozzle 16 attached to the other one is directed rightward. (Refer to FIG. 2, (1) and (2), and also refer to FIG. 7, (1) and (2)). The spray angle α of the spray nozzle 16 is variable, for example, between about 1 degree and 30 degrees, and is appropriately selected and set.
The other configurations and functions of the spray tube 14 and the spray nozzle 16 are the same as those described above for the spray tube 10 and the spray nozzle 7 of the main body 4 of the etching apparatus 3 (for example, FIG. 4, FIG. 5). The description thereof is omitted. The etching solution B, conveyor 6, conveyor roller 8, regulating roller 9, spray zone P, and the like in this area 13 are also the same as those described above in the main body 4 and will not be described.

そしてセンサー２０は、位置センサーよりなり、基板材Ａの先端と後端の通過を検出して、検出された基板材Ａの位置情報やワークサイズ情報を、コントローラー２１に送出する。
コントローラー２１は、入力部２２を利用して予め入力されていた基板材Ａの前後端部Ｆの幅寸法情報（メッキＥ方式により種々変化するが、例えば前端部と後端部それぞれ２０ｍｍ）や、銅箔Ｄの肉厚寸法情報（メッキＥ方式により種々変化するが、例えば５μｍ）をも勘案し、予め読込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号を、図１の（１）図の例では電磁弁２４に対し、図１の（２）図の例ではインバーター２３を介しポンプ２５に送出する。
このような駆動制御信号に基づき、電磁弁２４やポンプ２５が駆動され、もって、基板材Ａの前後端部Ｆ（前端部と後端部）が通過する時間的タイミングで、スプレーノズル７がエッチング液Ｂを、選択された高い噴射圧（０．０２ＭＰａ〜０．３ＭＰａ、例えば
０．１５ＭＰａ）や流量（例えば１Ｌ／ｍｉｎ〜５Ｌ／ｍｉｎ）で噴射する。
なお、前後端部Ｆが通過する間のみエッチング液Ｂを高い噴射圧で噴射するタイプの制御が代表的であるが、これによらず、前後端部Ｆが通過する間は高い噴射圧でエッチング液Ｂを噴射し、中央部Ｈが通過する間は低い噴射圧（例えば０．０１ＭＰａ）でエッチング液Ｂを噴射するタイプの制御も可能である。
又、このような制御は、タイミング制御の部分を除き、例えば噴射圧に関しては、アニアルで段階切換えする方式も可能である。又、２本のスプレー管１４のうち、２本共使用するか１本のみを選択使用するか等、使用本数の選択制御についても、同様である。
前後端部Ｆ用のエリア１３は、このようになっている。 The sensor 20 includes a position sensor, detects passage of the front and rear ends of the substrate material A, and sends the detected position information and workpiece size information of the substrate material A to the controller 21.
The controller 21 uses the input unit 22 to input the width dimension information of the front and rear end portions F of the substrate material A (varies depending on the plating E method, for example, each of the front end portion and the rear end portion is 20 mm), In consideration of the thickness information of the copper foil D (varies depending on the plating E method, for example, 5 μm), the drive control signal is expressed in the example of FIG. In the example shown in FIG. 1B, the electromagnetic valve 24 is sent to the pump 25 via the inverter 23.
Based on such a drive control signal, the solenoid valve 24 and the pump 25 are driven, so that the spray nozzle 7 is etched at the timing when the front and rear end portions F (front end portion and rear end portion) of the substrate material A pass. The liquid B is injected at a selected high injection pressure (0.02 MPa to 0.3 MPa, for example, 0.15 MPa) or a flow rate (for example, 1 L / min to 5 L / min).
In addition, the control of the type in which the etching liquid B is injected at a high injection pressure only while the front and rear end portions F pass is representative, but regardless of this, the etching is performed at a high injection pressure while the front and rear end portions F pass. Control of the type in which the etchant B is sprayed at a low spray pressure (for example, 0.01 MPa) while the liquid B is sprayed and the central portion H passes is also possible.
Further, for such control, except for the timing control part, for example, the injection pressure can be changed in stages by an annulus. The same applies to the selection control of the number of pipes used, such as whether two of the two spray tubes 14 are used together or only one is used.
The area 13 for the front and rear end F is as described above.

《左右端部Ｇ用のエリア１３について》
次に、図１の（１）図，（２）図，図２の（３）図，図３の（１）図等を参照して、エリア１３のうち、基板材Ａの左右端部Ｇの集中エッチング用のエリア１３部分について、説明する。
この左右端部Ｇ用のエリア１３のスプレー管１５のスプレーノズル１７は、図示例では、上下のスプレー管１５の左右位置のみに少数取付けられ、もって基板材Ａの左右端部Ｇに対向している。そして、基板材Ａの左右端部Ｇに対してのみ、上下から限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
又、このような図示例によらず、左右端部Ｇ用のスプレー管１５のスプレーノズル１７は、上下のスプレー管１５に部分的ではなく所定ピッチ間隔で全体的に多数取付け、基板材Ａの左右端部Ｇに対向するものが、上下からエッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、基板材Ａの中央部Ｈに対向するものが、上下からエッチング液Ｂをより低い噴射圧で噴射すべく制御するようにしてもよい。 << Regarding Area 13 for Left and Right End G >>
Next, referring to FIG. 1 (1), FIG. (2), FIG. 2 (3), FIG. 3 (1), etc. The area 13 for concentrated etching will be described.
In the illustrated example, a small number of spray nozzles 17 of the spray tube 15 in the area 13 for the left and right end portions G are attached only to the left and right positions of the upper and lower spray tubes 15, so that they face the left and right end portions G of the substrate material A. Yes. And it controls so that the etching liquid B may be sprayed in a limited and spot manner only from the upper and lower sides only to the left and right end portions G of the substrate material A.
In addition, regardless of the illustrated example, the spray nozzles 17 of the spray pipes 15 for the left and right end portions G are generally attached to the upper and lower spray pipes 15 at a predetermined pitch interval rather than partially, so that the substrate material A The one facing the left and right end portions G injects the etching liquid B from above and below at a higher spray pressure, and the one facing the center portion H of the substrate material A injects the etching liquid B from above and below at a lower spray pressure. You may make it control as much as possible.

このような左右端部Ｇ用のエリア１３のスプレー管１５やスプレーノズル１７について、更に詳述する。まず図示例では、基板材Ａの左端部と右端部つまり左右端部Ｇ用のスプレー管１５が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されている。図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そしてスプレーノズル１７は、図示例では、スプレー管１５の左右位置に２個ずつ取付けられており、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１５に取付けられている（図２の（３）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。更に２本の内、１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、左方向に向けられ、他の１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、右方向に向けられている。
なお、このスプレー管１５やスプレーノズル１７について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７、更には前後端部Ｆ用のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、前述した所に準じるので、その説明は省略する。又、このエリア１３におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、同様である（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）。 The spray tube 15 and the spray nozzle 17 in the area 13 for the right and left end G will be described in further detail. First, in the illustrated example, two spray tubes 15 for the left end portion and the right end portion, that is, the left and right end portions G of the substrate material A are arranged in parallel in the left and right width direction K. Regardless of the illustrated example, it is possible to dispose one or more than three.
In the illustrated example, two spray nozzles 17 are attached to the left and right positions of the spray tube 15 and are directed to the left and right width direction K and attached to the spray tube 15 at an obliquely inclined spray angle α. (See FIG. 2 (3), see FIG. 7 (1) and FIG. 2 (2)). Further, of the two, the spray nozzle 17 attached to one spray pipe 15 is directed leftward, and the spray nozzle 17 attached to the other one spray pipe 15 is directed rightward. Yes.
The spray tube 15 and the spray nozzle 17 have other configurations and functions such as the spray tube 10 and the spray nozzle 7 of the main body 4 of the etching apparatus 3, and the spray tube 14 and the spray nozzle 16 for the front and rear end F. Is the same as described above, and therefore the description thereof is omitted. The same applies to the etching solution B, conveyor 6, conveyor roller 8, regulating roller 9, spray zone P, and the like in this area 13 (see, for example, FIGS. 4, 5, 6, and 7).

そしてコントローラー２１には、基板材Ａの左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔Ｄの肉厚寸法情報が、入力部２２を利用して予め入力されており、予め読み込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号が電磁弁２４又はインバーター２３を介しポンプ２５に送出され、スプレーノズル１７が、選択された高い噴射圧でエッチング液Ｂを噴射する。
この制御内容については、前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレーノズル１６やスプレー管１４について、前述したところに準じるので説明は省略するが、この左右端部Ｇ用のエリア１３の場合は、通常、タイミング制御は実施されず、エッチング液Ｂがスプレーノズル１７から連続的に噴射される。
又、この左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７については、図示例のタイプによらず、スプレー管１５の左右位置のみではなくスプレー管１５に全体的に取付け、基板材Ａの左右端部Ｇに対向位置するメインのスプレーノズル１７の噴射圧を高く、中央部Ｈに対向位置するサブのスプレーノズル１７の噴射圧を低く設定するタイプも可能である。
なお、図１の図示例では、このような左右端部Ｇ用のものが、前後端部Ｆ用のものより、エリア１３の上流側に配されているが、逆の順序で配することも可能である。
左右端部Ｇ用のエリア１３は、このようになっている。 Then, the controller 21 is preliminarily input with the width dimension information of the left and right end portions G of the substrate material A and the thickness dimension information of the copper foil D using the input unit 22, and is based on a program read in advance. The drive control signal is sent to the pump 25 via the electromagnetic valve 24 or the inverter 23, and the spray nozzle 17 injects the etching solution B with the selected high injection pressure.
The details of this control are the same as described above for the spray nozzle 16 and the spray pipe 14 in the area 13 for the front and rear end F, and will not be described. However, in the case of the area 13 for the left and right end G, The timing control is not performed, and the etching solution B is continuously sprayed from the spray nozzle 17.
The spray nozzles 17 for the left and right end portions G are attached not only to the left and right positions of the spray tube 15 but also to the spray tube 15 as a whole, and to the left and right end portions G of the substrate material A. A type is also possible in which the spray pressure of the main spray nozzle 17 positioned opposite is set high and the spray pressure of the sub spray nozzle 17 positioned facing the center H is set low.
In the illustrated example of FIG. 1, the right and left ends G are arranged on the upstream side of the area 13 from the front and rear ends F, but may be arranged in the reverse order. Is possible.
The area 13 for the left and right end G is as described above.

《ポンプ２５や電磁弁２４について》
ここで、図１の（１）図，（２）図や図３の（１）図を参照して、使用されているポンプ２５や電磁弁２４について、説明しておく。
まず、図１の（２）図に示した例では、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用のポンプ２５を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２５は、インバーター２３を介することにより、その吐出力の程度や，駆動オンオフ等がコントロールされ、もってスプレーノズル１６，１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が制御される。
又、図１の（１）図に示した例では、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用の電磁弁２４を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２４は、スプレー管１４，１５をバイパスさせる方式や、径を途中で変更する方式や、弁自体の開度を変更可能とする方式、等々によりコントロールされ、もってスプレーノズル１６，１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が制御される。
ポンプ２５や電磁弁２４は、このようになっている。 << About the pump 25 and the solenoid valve 24 >>
Here, the pump 25 and the electromagnetic valve 24 that are used will be described with reference to FIGS. 1A and 1B and FIG. 3A.
First, in the example shown in FIG. 1B, the etchant B is pumped to the spray pipes 14 and 15 via the dedicated pumps 25, respectively. The pump 25 is controlled by the inverter 23 to control the level of discharge force, driving on / off, and the like, thereby controlling the timing of spraying the etching solution B from the spray nozzles 16 and 17 and the spraying pressure.
Further, in the example shown in FIG. 1A, the etching solution B is pumped to the spray pipes 14 and 15 through the dedicated electromagnetic valves 24, respectively. The solenoid valve 24 is controlled by a method of bypassing the spray pipes 14 and 15, a method of changing the diameter in the middle, a method of changing the opening of the valve itself, and so on. The timing of jetting the etchant B, the jet pressure, and the like are controlled.
The pump 25 and the electromagnetic valve 24 are as described above.

《作用等について》
本発明のエッチング装置３は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）回路基板Ｌの製造工程中、エッチング工程のエッチング装置３では、コンベヤ６にて水平搬送される基板材Ａに対しエッチング液Ｂを噴射し、もって基板材Ａの銅箔Ｄをエッチングする（図４，図５，図６を参照）。 <About the action>
The etching apparatus 3 of the present invention is configured as described above. Therefore, it becomes as follows.
(1) During the manufacturing process of the circuit board L, in the etching apparatus 3 in the etching process, the etching solution B is sprayed onto the board material A that is horizontally conveyed by the conveyor 6, thereby etching the copper foil D of the board material A. (See FIGS. 4, 5 and 6).

（２）ところで、このエッチング装置３に供給される基板材Ａは、銅メッキＥされており、メッキＥの厚み誤差により、外表面（表面や裏面）のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。   (2) By the way, the substrate material A supplied to the etching apparatus 3 is copper-plated E, and due to the thickness error of the plating E, the thickness of the copper foil D including the plating E on the outer surface (front surface or back surface) However, it is thick at the front and rear end portions F and the left and right end portions G, that is, the outer peripheral portion, and thin at the central portion H (see FIGS. 2 (4) and 2 (5)).

（３）そこで、このエッチング装置３には、基板材Ａのこのような前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が、上下にそれぞれ付設されている（図１を参照）。
すなわち、このエリア１３は、エッチング装置３本体４の上流側に追加付設されており、左右の幅方向Ｋに配設された上下それぞれ複数本のスプレー管１４，１５と、各スプレー管１４，１５に取付けられて基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル１６，１７と、を備えている。そして、このスプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７は、基板材Ａの前後端部Ｆ専用のものと、左右端部Ｇ専用のものとからなる。 (3) Therefore, the etching apparatus 3 is provided with areas 13 for vertically etching such front and rear end portions F and left and right end portions G of the substrate material A, respectively (see FIG. 1). reference).
That is, this area 13 is additionally provided on the upstream side of the main body 4 of the etching apparatus 3, and a plurality of upper and lower spray tubes 14 and 15 arranged in the left and right width direction K, and each spray tube 14 and 15. And spray nozzles 16 and 17 for spraying an etching solution B onto the substrate material A. The spray pipes 14 and 15 and the spray nozzles 16 and 17 are composed of the one dedicated to the front and rear end F of the substrate material A and the one dedicated to the left and right end G.

（４）まず、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用のスプレー管１４やスプレーノズル１６については、次のとおり（図１の（１）図，（２）図，図２の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照）。
すなわち、この前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレーノズル１６は、そのスプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、センサー２０にて検出された基板材Ａの位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御される。
そして、２つのタイプが可能である。すなわち、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時（前端部の通過時と後端部の通過時）においてのみ、前後端部Ｆに対し限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御されるタイプと、これによらず、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においては、前後端部Ｆに対しエッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、中央部Ｈに対しより低い噴射圧で噴射すべく制御されるタイプとが、可能である。 (4) First, the spray tube 14 and the spray nozzle 16 for the front and rear end F of the same upper and lower area 13 are as follows (FIG. 1 (1), FIG. 2), FIG. 2 (1) (See Figure, (2) Figure, (1) Figure, etc.).
That is, a large number of spray nozzles 16 in the area 13 for the front and rear end F are attached to the spray pipe 14 as a whole at a predetermined pitch interval, and position information and size of the substrate material A detected by the sensor 20. Based on the information, the timing of the injection of the etching solution B is controlled.
And two types are possible. That is, the control is performed so that the etching solution B is sprayed to the front and rear end portions F in a limited and spot manner only when the front and rear end portions F of the substrate material A pass (when the front end portion passes and when the rear end portion passes). Regardless of the type, the etching liquid B is sprayed to the front and rear end portions F at a higher spray pressure and the lower portion is sprayed to the central portion H when the substrate material A passes through the front and rear end portions F. A type controlled to inject with pressure is possible.

（５）次に、上下の同エリア１３の左右端部Ｇ用のスプレー管１５やスプレーノズル１７については、次の２つのタイプが可能である（図１の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照）。
すなわち第１のタイプでは、左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７は、そのスプレー管１５の左右位置のみに少数取付けられて（図２の（３）図を参照）、基板材Ａの左右端部Ｇに対向している。そして、基板材Ａの左右端部Ｇに対してのみ、限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
第２のタイプでは、左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７は、そのスプレー管１５に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そしてその内、基板材Ａの左右端部Ｇに対向するメインのスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、基板材Ａの中央部Ｈに対向するサブのスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂをより低い噴射圧で噴射すべく制御される。 (5) Next, the following two types of spray tubes 15 and spray nozzles 17 for the left and right end portions G of the same upper and lower areas 13 are possible (FIGS. 1A and 1B). (Refer to (1) and the like in FIG. 3).
That is, in the first type, a few spray nozzles 17 for the left and right end portions G are attached only to the left and right positions of the spray tube 15 (see FIG. 2 (3)), and the left and right end portions of the substrate material A Opposite to G. Then, the etching liquid B is controlled to be sprayed in a limited and spot manner only to the left and right end portions G of the substrate material A.
In the second type, a large number of spray nozzles 17 for the left and right end portions G are attached to the spray pipe 15 as a whole at a predetermined pitch interval. Among them, the main spray nozzle 17 facing the left and right end portions G of the substrate material A sprays the etching solution B at a higher spray pressure, and the sub spray nozzle 17 facing the center portion H of the substrate material A The etching liquid B is controlled to be sprayed at a lower spray pressure.

（６）又、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のスプレー管１４，１５やスプレーノズル１６，１７のこのような制御は、ポンプ２５による方式か電磁弁２４を利用する方式にて、行われる。
まず、ポンプ２５による方式の場合は（図１の（２）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用のポンプ２５を介してエッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２５により、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を高低調整すべく制御される。
又、電磁弁２４を利用する方式の場合は（図１の（１）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用の電磁弁２４を介してエッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２４を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を高低調整すべく制御される。 (6) In addition, such control of the spray pipes 14 and 15 and the spray nozzles 16 and 17 for the front and rear end F and the right and left end G of the same upper and lower areas 13 is performed by a system using a pump 25 or an electromagnetic valve 24. It is done by the method used.
First, in the case of the system using the pump 25 (see FIG. 1B), the etching solution B is pumped to the spray pipes 14 and 15 through the dedicated pump 25, respectively. Then, the above control is performed by the pump 25, and the jet pressure of the etching solution B is further adjusted based on the width dimension information and the copper foil thickness dimension information of the front and rear end portions F and left and right end portions G of the substrate material A. It is controlled accordingly.
In the case of a method using the electromagnetic valve 24 (see FIG. 1 (1)), the etching solution B is pumped to the spray pipes 14 and 15 through the dedicated electromagnetic valve 24, respectively. Then, the above-described control is performed using the electromagnetic valve 24, and the jetting of the etchant B is further performed based on the width dimension information and the copper foil thickness dimension information of the front and rear end portions F and left and right end portions G of the substrate material A It is controlled to adjust the pressure level.

（７）そして、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のこのようなスプレー管１４，１５のスプレーノズル１６，１７は、前後の搬送方向Ｊに直交する左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４，１５に取付けられている（図２の（１）図，（２）図，（３）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。
これと共に、搬送される基板材Ａについて、スプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７に対向する領域の前後には、規制ローラー９が、対をなして配設され圧接されている（図７の（３）図，（４）図も参照）。
そこでエッチング液Ｂは、スプレーノズル１６，１７から左右の幅方向Ｋに向け傾斜した噴射角度αで噴射され、もって基板材Ａに噴射された後は、規制ローラー９にて規制されて、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れることがなく、液溜まりが発生することもなく、左右の幅方向Ｋにのみ流れるようになる。もって、この面からも平均化されたエッチングが実現される。 (7) The spray nozzles 16 and 17 of the spray pipes 14 and 15 for the front and rear end F and the right and left end G of the same upper and lower areas 13 have right and left widths orthogonal to the front and rear transport direction J. It is directed to the direction K and is attached to the spray tubes 14 and 15 at an obliquely inclined injection angle α (see FIG. 2, (1), (2), (3), FIG. 7). (See Figure 1 and Figure 2).
At the same time, with respect to the substrate material A to be transported, the regulating rollers 9 are arranged and pressed in pairs before and after the regions facing the spray tubes 14 and 15 and the spray nozzles 16 and 17 (FIG. 7). (See also Fig. 3 and Fig. 4).
Therefore, the etching liquid B is sprayed from the spray nozzles 16 and 17 at a spray angle α inclined in the left-right width direction K, and after being sprayed onto the substrate material A, it is regulated by the regulation roller 9 and is then regulated by the substrate material. It does not flow in the forward and backward conveyance direction J, and no liquid pool is generated, and it flows only in the left and right width direction K. Therefore, averaged etching is realized also from this surface.

（８）さて、供給された基板材Ａは、前述したようにメッキＥの厚み誤差により、外表面のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇで厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
そこで、前述したように、エッチング装置３本体４の上流側に上下のエリア１３が追加付設されており、このエリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のスプレー管１４，１５のスプレーノズル１６，１７から、エッチング液Ｂが噴射される。これにより、エッチング液Ｂがより多く噴射配分されて、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇでのエッチング量が増大し、もって基板材Ａの銅箔Ｄの肉厚が補正される。
基板材Ａは、同エリア１３での集中的エッチングにより、前後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたり、銅箔Ｄの肉厚が均一化され、もって、エッチング装置３本体４でのエッチングが、平均化されるようになる。 (8) In the supplied substrate material A, the thickness of the copper foil D including the plating E on the outer surface is thick at the front and rear end portions F and the left and right end portions G due to the thickness error of the plating E as described above. The thickness is thin at the central portion H (see FIGS. 2 (4) and 2 (5)).
Therefore, as described above, the upper and lower areas 13 are additionally provided on the upstream side of the main body 4 of the etching apparatus 3, and the spray pipes 14 and 15 for the front and rear end F and the right and left end G of the area 13 are sprayed. Etching solution B is sprayed from the nozzles 16 and 17. Thereby, more etchant B is sprayed and distributed, and the etching amount at the front and rear end portions F and the left and right end portions G of the substrate material A is increased, thereby correcting the thickness of the copper foil D of the substrate material A. .
The thickness of the copper foil D is uniform over the front and rear end portions F, the left and right end portions G, and the central portion H due to the intensive etching in the same area 13, so that the substrate material A is formed in the etching apparatus 3 body 4. Etching becomes averaged.

（９）しかも、基板材Ａのこのような銅箔Ｄの肉厚の均一化、そしてエッチングの平均化は、エッチング装置３の上流側に、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを集中的にエッチングするエリア１３を、追加付設しただけで実現される。
そして、このエリア１３には、スプレーノズル１６，１７が取付けられたスプレー管１４，１５が、複数本配設され、ポンプ２５や電磁弁２４にて制御される方式よりなる。
このように、このエッチング装置３では、エッチングの平均化が、簡単な構成により容易に実現される。 (9) Moreover, the thickness of the copper foil D of the substrate material A is uniformized and the etching is averaged on the upstream side of the etching apparatus 3 at the front and rear end portions F and the left and right end portions G of the substrate material A. This is realized simply by adding an additional area 13 for intensive etching.
In this area 13, a plurality of spray pipes 14, 15 to which spray nozzles 16, 17 are attached are arranged and are controlled by a pump 25 and a solenoid valve 24.
As described above, in the etching apparatus 3, the averaging of etching is easily realized with a simple configuration.

（１０）なお、基板材Ａの左右端部Ｇのみについて観察した場合においても、前述した図８のこの種従来例のように、エッチング装置１全体においてその銅箔Ｄの肉厚を調整するよりも、本発明のように、本体４の上流側のエリア１３において、集中的に一括して銅箔Ｄの肉厚を調整した方が、より確実である。つまり、中央部Ｈと左右端部Ｇの銅箔Ｄの肉厚を、より確実に均一化できる。   (10) Even when only the left and right end portions G of the substrate material A are observed, the thickness of the copper foil D is adjusted in the entire etching apparatus 1 as in the above-described conventional example of FIG. However, as in the present invention, it is more certain that the thickness of the copper foil D is adjusted intensively and collectively in the area 13 on the upstream side of the main body 4. That is, the thickness of the copper foil D at the central portion H and the left and right end portions G can be made more uniform.

本発明に係るメッキ基板のエッチング装置について、発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。The plating substrate etching apparatus according to the present invention will be described for the best mode for carrying out the invention. (1) FIG. 1 is an explanatory plan view of one example, and (2) FIG. It is explanatory drawing. 同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図、（２）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図、（３）図は、左右端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。（４）図は、集中エッチング前の基板材の正（側）断面図、（５）図は、同基板材の平面説明図であり、（６）図は、集中エッチング後の基板材の正（側）断面図、（７）図は、同基板材の平面説明図である。For the description of the best mode for carrying out the invention, (1) is a front view of an example of a spray tube for the front and rear end portions (disposed on the upper side), and (2) FIG. Front view of another example of the spray tube for the front and rear ends (disposed on the upper side), (3) FIG. 3 shows an example of the spray tube for the left and right end portions (disposed on the upper side). It is a front view. (4) FIG. 5 is a front (side) cross-sectional view of the substrate material before intensive etching, (5) FIG. 5 is a plan view of the substrate material, and (6) FIG. (Side) sectional view, (7) is a plane explanatory view of the substrate material. 同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、制御用のブロック図、（２）図は、メッキ装置の正面説明図、（３）図は、その要部拡大図である。For the description of the best mode for carrying out the invention, (1) Fig. 1 is a block diagram for control, (2) Fig. 2 is a front view of the plating apparatus, and Fig. 3 (3) is an enlarged view of the main part. FIG. エッチング装置本体の正面説明図である。It is front explanatory drawing of an etching apparatus main body. エッチング装置本体の平面説明図である。It is plane explanatory drawing of an etching apparatus main body. エッチング装置本体の側面説明図である。It is side surface explanatory drawing of an etching apparatus main body. エッチング装置本体等の各要部を示し、（１）図は、正断面図、（２）図は、別の正断面図、（３）図は、側面図、（４）図は、平面図である。Each main part of the etching apparatus main body is shown, (1) Figure is a front sectional view, (2) Figure is another front sectional view, (3) Figure is a side view, (4) Figure is a plan view It is. この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。An etching apparatus of this type of conventional example is shown, wherein FIG. 1A is a plan explanatory view of one example, and FIG. 2B is a plan explanatory view of another example. 回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。It is the plane explanatory view which modeled the circuit board (board material).

符号の説明Explanation of symbols

１ エッチング装置（従来例）
２ スプレー管（従来例）
３ エッチング装置（本発明）
４ 本体
５ チャンバー
６ コンベヤ
７ スプレーノズル
８ 搬送ローラー
９ 規制ローラー
１０ スプレー管
１１ 液槽
１２ 配管
１３ エリア
１４ スプレー管（本発明）
１５ スプレー管（本発明）
１６ スプレーノズル（本発明）
１７ スプレーノズル（本発明）
１８ メッキ槽
１９ ハンガー
２０ センサー
２１ コントローラー
２２ 入力部
２３ インバーター
２４ 電磁弁
２５ ポンプ
Ａ 基板材
Ｂ エッチング液
Ｃ 絶縁層
Ｄ 銅箔
Ｅ メッキ
Ｆ 前後端部
Ｇ 左右端部
Ｈ 中央部
Ｊ 搬送方向
Ｋ 幅方向
Ｌ 回路基板
Ｍ 回路
Ｎ スルホール
Ｐ スプレーゾーン
Ｑ 上下方向
α 噴射角度 1 Etching device (conventional example)
2 Spray tube (conventional example)
3 Etching device (present invention)
4 Body 5 Chamber 6 Conveyor 7 Spray Nozzle 8 Transport Roller 9 Regulating Roller 10 Spray Pipe 11 Liquid Tank 12 Pipe 13 Area 14 Spray Pipe (Invention)
15 Spray tube (present invention)
16 Spray nozzle (present invention)
17 Spray nozzle (present invention)
18 Plating tank 19 Hanger 20 Sensor 21 Controller 22 Input unit 23 Inverter 24 Solenoid valve 25 Pump A Substrate material B Etching solution C Insulating layer D Copper foil E Plating F Front and rear end G Left and right end H Central part J Transport direction K Width direction L Circuit board M Circuit N Through hole P Spray zone Q Vertical direction α Spray angle

Claims (10)

回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングするエッチング装置において、
該基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されていること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 In an etching apparatus that is used in the circuit board manufacturing process and etches by jetting an etching solution to a plated substrate material that is horizontally conveyed by a conveyor,
An etching apparatus for a plating substrate, wherein areas for intensive etching of front and rear end portions and left and right end portions of the substrate material are provided. 請求項１に記載したメッキ基板のエッチング装置において、供給された該基板材は銅メッキされており、メッキの厚み誤差により、外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部つまり外周部で厚く、中央部で薄くなっており、
該エリアでの集中的エッチングにより、該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり均一化されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 2. The apparatus for etching a plated substrate according to claim 1, wherein the supplied substrate material is copper-plated, and the thickness of the copper foil including the plating on the outer surface is changed to the front and rear end portions and the right and left ends due to plating thickness error. It is thick at the end, that is, the outer periphery, and thin at the center.
An apparatus for etching a plated substrate, wherein the thickness of the copper foil is corrected by intensive etching in the area, and is made uniform across the front and rear end portions, the left and right end portions, and the central portion. 請求項２に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該エリアは、該エッチング装置の上流側に追加付設されており、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、該スプレー管に取付けられ該基板材にエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えており、
該スプレー管そしてスプレーノズルは、該基板材の前後端部用のものと左右端部用のものとからなること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 3. The plating substrate etching apparatus according to claim 2, wherein the area is additionally provided on the upstream side of the etching apparatus, and a plurality of sprays arranged in the left and right width directions perpendicular to the front and rear transport directions. A spray nozzle that is attached to the spray tube and sprays an etching solution onto the substrate material,
An apparatus for etching a plated substrate, wherein the spray tube and the spray nozzle comprise one for front and rear ends and one for left and right ends of the substrate material. 請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、 該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においてのみ、該前後端部に対し限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。   The plating substrate etching apparatus according to claim 3, wherein a plurality of spray nozzles of the spray pipe for front and rear end portions are generally attached to the spray pipe at a predetermined pitch interval, and the spray nozzle is attached to the sensor. The timing of jetting of the etchant is controlled based on the detected position information and size information of the substrate material, and the etchant is limited to the front and rear end portions only when passing through the front and rear end portions of the substrate material. An apparatus for etching a plated substrate, wherein the apparatus is controlled so as to spray the substrate. 請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、
該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においては、該前後端部に対しエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 The plating substrate etching apparatus according to claim 3, wherein a plurality of spray nozzles of the spray pipe for front and rear end portions are attached to the spray pipe as a whole at a predetermined pitch interval.
The spray nozzle is controlled in timing of the jetting of the etching solution based on the position information and size information of the substrate material detected by the sensor. An apparatus for etching a plated substrate, wherein the etching liquid is controlled to be sprayed at a higher spray pressure. 請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管の左右位置のみに少数取付けられ、もって該基板材の左右端部に対向しており、
該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 The plating substrate etching apparatus according to claim 3, wherein a small number of spray nozzles of the spray pipe for the left and right end portions are attached only to the left and right positions of the spray pipe so as to face the left and right end portions of the substrate material. And
An apparatus for etching a plated substrate, wherein the spray nozzle is controlled so as to spray an etching solution limitedly only to the left and right ends of the substrate material. 請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、 該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向するものが、エッチング液をより高い噴射圧で噴射し、該基板材の中央部に対向するものが、エッチング液をより低い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。   4. The apparatus for etching a plated substrate according to claim 3, wherein a plurality of spray nozzles of the spray pipe for the left and right end portions are attached to the spray pipe as a whole at a predetermined pitch interval. What is opposed to the left and right ends of the plate material is sprayed with a higher spray pressure, and what is opposed to the central portion of the substrate material is controlled to spray the etchant with a lower spray pressure, An apparatus for etching a plated substrate. 請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送され、
該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 In the etching apparatus for a plated substrate according to claim 4, 5, 6, or 7, an etching solution is pumped to each of the spray pipes through a dedicated pump.
The pump is controlled to adjust the jetting pressure of the etching solution based on the width dimension information and the copper foil thickness dimension information about the front and rear ends and the left and right ends of the substrate material. An apparatus for etching a plated substrate, characterized in that: 請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送され、
該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 In the plating substrate etching apparatus according to claim 4, 5, 6, or 7, an etching solution is pumped to each of the spray pipes via a dedicated electromagnetic valve.
The above-described control is performed using the solenoid valve, and the jet pressure of the etching solution is increased or decreased based on the width dimension information and the copper foil thickness dimension information on the front and rear ends and the left and right ends of the substrate material. An apparatus for etching a plated substrate, wherein the apparatus is controlled to be adjusted. 請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度で該スプレー管に取付けられており、
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。 In the plating substrate etching apparatus according to claim 4, 5, 6, or 7, the spray nozzle is directed to the left and right width direction and attached to the spray pipe at an obliquely inclined spray angle,
And a regulating roller for preventing the etching liquid sprayed from the spray nozzle from flowing in the front-rear transport direction and restricting the etchant to flow only in the left-right width direction, the spray tube and the spray nozzle An apparatus for etching a plated substrate, characterized in that the substrate is disposed in a pair before and after the region facing the substrate and is in pressure contact with the substrate material conveyed.

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