JP4005045B2 - コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents
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Description
対向する第1基板と第2の基板にそれぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
前記第1の基板と前記第2の基板間に挟まれている導電性スペーサと、
を有し、
前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、
前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、
前記開口部において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、
前記導電性スペーサは、前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とする。
対向する第1の基板と第2の基板にそれぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
シール材に混入された状態で、前記第1の基板と前記第2の基板間に挟まれている導電性スペーサと、
を有し、
前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、
前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、
前記開口部において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、
前記導電性スペーサは、前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とする。
対向する第1基板と第2の基板にそれぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
前記第1の基板と前記第2の基板間に挟まれている異方性導電膜と、
を有し、
前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、
前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、
前記開口部において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、
前記異方性導電膜は複数の導電性スペーサがシール材に混入されてなり、前記導電性スペーサは、前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とする。
対向する第1及び第2の基板を有し、導電性スペーサにより前記第1の基板に形成された導電膜と前記第2の基板に形成された導電膜とを接続するためのコモンコンタクト部を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
を有し、
前記コモンコンタクト部において、前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、前記開口部において前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、前記導電性スペーサは前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とする。
対向する第1及び第2の基板を有し、シール材に混入された導電性スペーサにより前記第1の基板に形成された導電膜と前記第2の基板に形成された導電膜とを接続するためのコモンコンタクト部とを備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
を有し、
前記コモンコンタクト部において、前記絶縁膜には前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、前記開口部において前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、前記導電性スペーサは前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とする。
対向する第1及び第2の基板を有し、複数の導電性スペーサがシール材に混入されてなる異方性導電膜により、前記第1の基板に形成された導電膜と前記第2の基板に形成された導電膜とを接続するためのコモンコンタクト部とを備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第1の基板上に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
を有し、
前記コモンコンタクト部において、前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、前記開口部において前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、前記導電性スペーサは前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とする。
102 第2の基板
103 第1の導電膜
104 絶縁膜
105 第2の導電膜
106 第3の導電膜
107 導電性スペーサ
200 TFT基板
205 取出し端子
206 コモンコンタクト部
207 内部配線
250 対向基板
252 対向電極
315 第1の層間絶縁膜
318 内部配線
319 第2の層間絶縁膜
322 画素電極
323 導電性パッド
401 導電性スペーサ
402 スペーサ
501、601 接続パッド
Claims (29)
- 対向する第1基板と第2の基板にそれぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
前記第1の基板と前記第2の基板間に挟まれている導電性スペーサと、
を有し、
前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、
前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、
前記開口部において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、
前記導電性スペーサは、前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とするコンタクト構造。 - 対向する第1の基板と第2の基板にそれぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
シール材に混入された状態で、前記第1の基板と前記第2の基板間に挟まれている導電性スペーサと、
を有し、
前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、
前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、
前記開口部において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、
前記導電性スペーサは、前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とするコンタクト構造。 - 対向する第1基板と第2の基板にそれぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
前記第1の基板と前記第2の基板間に挟まれている異方性導電膜と、
を有し、
前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、
前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、
前記開口部において、前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、
前記異方性導電膜は複数の導電性スペーサがシール材に混入されてなり、前記導電性スペーサは、前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とするコンタクト構造。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第1の導電膜は、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜でなる多層膜であることを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記第2の導電膜は透光性を有することを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記第2の導電膜はITO膜であることを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第3の導電膜は透明導電膜であることを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第3の導電膜はITO膜であることを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項1乃至8のいずれか一項において、前記第2の基板と前記第3の導電膜の間には、前記第3の導電膜に接する第4の導電膜を有することを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項9において、前記第2の基板及び前記第3の導電膜は透光性を有し、前記第4の導電膜には少なくとも1つの開口部が形成されていることを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項9又は10において、前記第4の導電膜は前記第3の導電膜よりも電気抵抗が低いことを特徴とするコンタクト構造。
- 請求項9又は10において、前記第4の導電膜はクロム膜であることを特徴とするコンタクト構造。
- 対向する第1及び第2の基板を有し、導電性スペーサにより前記第1の基板に形成された導電膜と前記第2の基板に形成された導電膜とを接続するためのコモンコンタクト部を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
を有し、
前記コモンコンタクト部において、前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、前記開口部において前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、前記導電性スペーサは前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 対向する第1及び第2の基板を有し、シール材に混入された導電性スペーサにより前記第1の基板に形成された導電膜と前記第2の基板に形成された導電膜とを接続するためのコモンコンタクト部とを備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第1の基板に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
を有し、
前記コモンコンタクト部において、前記絶縁膜には前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、前記開口部において前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、前記導電性スペーサは前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 対向する第1及び第2の基板を有し、複数の導電性スペーサがシール材に混入されてなる異方性導電膜により、前記第1の基板に形成された導電膜と前記第2の基板に形成された導電膜とを接続するためのコモンコンタクト部とを備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第1の基板上に形成された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の導電膜と、
前記第2の基板に形成された第3の導電膜と、
を有し、
前記コモンコンタクト部において、前記絶縁膜には、前記第1の導電膜に達する開口部が形成され、前記開口部内に前記絶縁膜が複数箇所部分的に残存しており、前記開口部において前記第1の導電膜と前記第2の導電膜とが接続され、前記導電性スペーサは前記開口部に残存している前記絶縁膜上において前記第2の導電膜と前記第3の導電膜の双方に接していることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。 - 請求項13乃至15のいずれか一項において、前記第1の導電膜は、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜でなる多層膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至16のいずれか一項において、前記第2の導電膜は透光性を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至16のいずれか一項において、前記第2の導電膜はITO膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至18のいずれか一項において、前記第3の導電膜は透明導電膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至18のいずれか一項において、前記第3の導電膜はITO膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至請求項20のいずれか一項において、前記第2の基板と前記第3の導電膜の間には、前記第3の導電膜に接する第4の導電膜を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項21において、前記第2の基板及び前記第3の導電膜は透光性を有し、前記第4の導電膜には少なくとも1つの開口部が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項21又は22において、前記第4の導電膜は前記第3の導電膜よりも電気抵抗が低いことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項21又は22において、前記第4の導電膜はクロム膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至24のいずれか一項において、前記第1の導電膜は酸化珪素膜上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至24のいずれか一項において、前記第1の導電膜は窒化珪素膜上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至24のいずれか一項において、前記第1の導電膜は酸化窒化珪素膜上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項13乃至27のいずれか一項において、前記絶縁膜は有機樹脂膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
- 請求項28において、前記有機樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、アクリルのいずれかであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
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JP2006338656A Division JP3961556B2 (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 液晶表示装置 |
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JP2004100297A Expired - Lifetime JP4005045B2 (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置 |
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CN113589570B (zh) * | 2021-07-23 | 2022-11-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及液晶显示装置 |
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