JP4000853B2 - 分子膜パターンの形成方法、分子膜パターン、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 title claims description 209
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 114
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 205
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 106
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 84
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 84
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 71
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 64
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 61
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 46
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 42
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 42
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 39
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 37
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 30
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 20
- -1 organosilicon group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 16
- 125000000278 alkyl amino alkyl group Chemical group 0.000 claims 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 8
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 8
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- WRMXRDKCXQQETJ-UHFFFAOYSA-N CCO[Si](CC1=CC=CC=C1)(OCC)OCCC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F Chemical compound CCO[Si](CC1=CC=CC=C1)(OCC)OCCC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F WRMXRDKCXQQETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 4
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OYKVBBRFUUSASW-UHFFFAOYSA-N 2-[benzyl(diethoxy)silyl]oxyethanamine Chemical compound NCCO[Si](OCC)(OCC)CC1=CC=CC=C1 OYKVBBRFUUSASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- APQIUTYORBAGEZ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dibromoethane Chemical compound CC(Br)Br APQIUTYORBAGEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNAUIUNYBGDADX-UHFFFAOYSA-N CCC(C)(CC(C)(C)c1c(C)cccc1)[SiH3] Chemical compound CCC(C)(CC(C)(C)c1c(C)cccc1)[SiH3] YNAUIUNYBGDADX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CODNYICXDISAEA-UHFFFAOYSA-N bromine monochloride Chemical group BrCl CODNYICXDISAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N decyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面あるいは下地層に形成される分子膜、分子膜パターン及びその形成方法に関するものである。さらに、これら分子膜、分子膜パターン及びその形成方法を応用した半導体装置及び電気光学装置とそれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や電気光学装置の製造工程において、重要な工程の一つである薄膜のパターンニングには、フォトリソグラフィ法が用いられている。フォトリソグラフィ法は、サブミクロンオーダーの高精細のパターンニングを可能とする。一般に、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングは次のような工程を経て行われる。まず、パターンニングを行う薄膜を基板全面に形成する。さらに、レジスト膜の形成、露光、現像、リンスなどを経てレジストパターンを形成する。その後に、レジストパターンを耐エッチングマスクとして下地の薄膜のエッチングを行ない不要な部分を除去して所望のパターンを得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようにフォトリソグラフィ法によるパターニングを行うには多くの工程を必要とする。これに対して、最近、レジスト膜に比べて薄い分子膜を用いてパターニングを行うことにより工程数を低減することも試みられていたが、より光分解性に優れた分子膜が望まれていた。
【０００４】
そこで、本発明の第１の目的は光分解性に優れた分子膜により、効率良く分子膜パターンを形成することである。第２の目的は上記の分子膜、分子膜パターン及びその形成方法を利用して半導体装置及び電気光学装置を得ることであり、そして、第４の目的はそれら半導体装置及び電気光学装置の製造方法を適用することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の分子膜パターンの形成方法は、芳香族炭化水素部を含み、光分解性を示す有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の良い芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物により形成されているので、前記分子膜に対して所定のパターン形状で光照射を行うことにより容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。本明細書をとおして、分子膜とは、100nm以下の膜厚を有する膜を指している。理想的には、５ｎｍ以下の膜厚であることが望ましい。ただし、高分子鎖を有する材料からなる分子膜の膜厚は100nm以上となることもある。
【０００６】
本発明の第２の分子膜パターンの形成方法は、下記式（１）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の良い芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物により形成されているので、前記分子膜に対して所定のパターン形状で光照射を行うことにより容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。式（１）中のアリール基（Ar）としては、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、またはフェナントリル基が挙げられる。なお、芳香族炭化水素上の置換基である（CR2）m−Zを介してポリマー主鎖に接続されていても良い。
【０００７】
【化１１】
【０００８】
（但し、式中のn、m、p、Ar、X、Y、及びRはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
p：０以上の整数
Ar：アリール基
R：水素またはフッ素
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基、アリール基または水素原子
Z：アルキル基、ペルフルオロアルキル基、シリル基、シアノ基、アミノ基またはチオール基）
本発明の第３の分子膜パターンの形成方法は、下記式（２）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いベンゼンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。
【０００９】
【化１２】
【００１０】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第４の分子膜パターンの形成方法は、下記式（３）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いナフタレンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを得ることができる。
【００１１】
【化１３】
【００１２】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、X及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第５の分子膜パターンの形成方法は、下記式（４）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対して光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いナフタレンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。
【００１３】
【化１４】
【００１４】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第６の分子膜パターンの形成方法は、下記式（５）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いビフェニルπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。
【００１５】
【化１５】
【００１６】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、R４、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
R４：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第７の分子膜パターンの形成方法は、下記式（６）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いピリジンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを得ることができる。また、ピリジン環の窒素と金属元素などの種々の陽性元素との高い親和性により、これらの元素との錯体を形成しやすいという性質も有しているので、適当な化学的処理を施すことにより、さらなる機能を分子膜パターンに付加することができる。
【００１７】
【化１６】
【００１８】
（但し、式中のn、p、R1、R２、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
P：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第８の分子膜パターンの形成方法は、下記式（７）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いチオフェン、ピロール、またはフランなどの共役電子系複素環を含む有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易の所望の分子膜パターンを形成することができる。また、上記の有機ケイ素化合物はその複素環上にイオウ、窒素及び酸素など官能性を有するヘテロ元素を有しているので、適当な化学的処理を施すことにより、さらなる機能を分子膜パターン付加することができる。
【００１９】
【化１７】
【００２０】
（但し、式中のn、p、R1、R２、X、Y、及びQはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基
Q：水素またはアルキル基を有する窒素（N）、酸素原子（O）、または硫黄原子（S））
本発明の第９の分子膜パターンの形成方法は、下記式（８）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、ベンゼン環上に撥液性に優れたフルオロアルキル基を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、この分子膜は高い光反応性と撥液性とを有している。したがって、この分子膜に対して光照射を行うことにより、撥液性の異なる分子膜パターンを形成することができる。なお、優れた撥液性を得るにはフルオロアルキル基の炭素鎖の原子数が３以上であることが好ましい。
【００２１】
【化１８】
【００２２】
（但し、式中のn、m、r、p、R1、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第１０の分子膜パターンの形成方法は、下記式（９）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いビフェニルπ電子系に加えて、撥液性に優れたフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されているので、この分子膜に対する光照射により、撥液性の異なる分子膜パターンを形成することができる。なお、優れた撥液性を得るにはフルオロアルキル基の炭素鎖の原子数が３以上であることが好ましい。
【００２３】
【化１９】
【００２４】
（但し、式中のn、m、r、p、R1、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第１１の分子膜パターンの形成方法は、下記式（１０）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いビフェニルπ電子系に加えて、撥液性に優れたフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されているので、この分子膜に対する光照射により、容易に撥液性の異なる分子膜パターンを形成することができる。なお、優れた撥液性を得るにはフルオロアルキル基の炭素鎖の原子数が３以上であることが好ましい。
【００２５】
【化２０】
【００２６】
（但し、式中のn、m、r、p、R1、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第１２の分子膜パターンの形成方法は、上記の本発明の第３〜６、９〜１１の分子膜パターンの形成方法のいずれかにおいて、前記有機ケイ素化合物のR1がペルフルオロアルキル基であること、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、有機ケイ素基に対してオルト位にペルフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されている。このような有機ケイ素化合物ではそのケイ素原子とケイ素原子との親和性が高い元素であるフッ素原子が空間的に隣接しているので、フッ素原子のケイ素原子に対する攻撃が容易に起こり、光反応性あるいは光分解性が向上する。したがって、短時間の光照射で分子膜パターンを得ることができる。
【００２７】
本発明の第１３の分子膜パターンの形成方法は、上記の本発明の第３〜６、９〜１１の分子膜パターンの形成方法のいずれかにおいて、前記有機ケイ素化合物のR1がトリフルオロメチル基であること、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、有機ケイ素基に対してオルト位にペルフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されている。このような有機ケイ素化合物ではケイ素原子と、ケイ素原子との親和性が高い元素であるフッ素原子が空間的に隣接しているので、光反応の際にフッ素原子のアシストにより光反応性あるいは光分解性が向上する。したがって、短時間の光照射で分子膜パターンを形成することができる。なお、この分子膜を構成する有機ケイ素化合物としては、下記式（１１）や式（１２）で示される化合物が挙げられる。
【００２８】
【化２１】
【００２９】
（但し、ｎ及びqはそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
q：1以上の整数)
【００３０】
【化２２】
【００３１】
（但し、ｎ及びpはそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
p：1以上の整数)
本発明の第１４の分子膜パターンの形成方法は上記の分子膜パターンの形成方法において、前記分子膜の膜厚が３ ｎｍ以下であること、を特徴とする。係る分子膜は、基板あるいは下地層の表面を改質するのに十分な膜厚を有しており、分子膜パターンを形成した際、表面機能または表面特性の明瞭なコントラストが得られることになる。
【００３２】
本発明の分子膜パターンは、上記のいずれかの分子膜パターン形成方法により得られる。係る分子膜パターンは上述のように、撥液性など種々の機能を有する分子膜をパターニングすることにより得られる分子膜パターンであるので、この分子膜パターンでは機能の異なる表面が露出することになる。
【００３３】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記の分子膜パターンの形成方法により得ること、を特徴とする。係る半導体装置の製造方法において、上記の分子膜パターンの形成方法は、例えばフォトリソグラフィ法を用いる工程に代えて用いることができるので、工程数を低減することが可能となる。係る半導体装置の製造方法は、例えば、トランジスタなどのようにパターン形成を含む工程により製造される半導体装置に対して有効である。例えば、シリコンベースのトランジスタや薄膜トランジスタの他、半導体層が有機材料からなる有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００３４】
本発明の第１の半導体装置は、上記の半導体装置の製造方法によって製造されること、を特徴とする。係る半導体装置の特徴の一つは、膜厚の小さい分子膜を用いて製造されているので、半導体装置の薄型化・小型化という市場の要請に対応することが可能であるという点である。
【００３５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記の分子膜パターンの形成方法により分子膜パターンを得る工程を含むこと、を特徴とする。係る電気光学装置の製造方法において、上記の分子膜パターンの形成方法は、例えばフォトリソグラフィ法を用いる工程に代えて用いることができるので、工程数を低減することが可能となる。したがって、係る電気光学装置の製造方法は、製造時間または製造コストを低減できるという利点を有している。
【００３６】
本発明の第１の電気光学装置は、上記の電気光学装置の製造方法によって製造されること、を特徴とする。
【００３７】
本発明の第２の半導体装置は、上記の半導体装置において、有機材料からなる領域を含むこと、を特徴とする。有機材料が用いられている半導体装置の例としてはいわゆる有機薄膜トランジスタが挙げられるが、その製造工程では高度な装置を必要としないスピンコート法やインクジェット法などの液相プロセスを用いることもできるので、製造コストなどの点で有利である。
【００３８】
本発明の第２の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、有機エレクトロルミネッセンス素子を有すること、を特徴とする。
【００３９】
本発明の電子装置の製造方法は、上記の分子膜パターンの形成方法を用いて行う工程を含むことを特徴とする。電子装置としては例えば、ダイオードなどが挙げられる。
【００４０】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を、表示部として備えている。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
（１）分子膜及び分子膜パターンの形成工程の概略
分子膜及び分子膜パターンの形成工程の概略を図１〜５を参照しながら説明する。
【００４２】
まず、図１に示すように、基板１１表面に芳香族炭化水素を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜１４を形成する。分子膜１４は、原料の有機ケイ素化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れて放置するか、原料の有機ケイ素化合物の溶液に基板の浸した後、溶剤を除去することにより得られる。
【００４３】
次いで、図２に示すように、分子膜１４のパターンニングを行う。本発明における分子膜のパターンニング方法としては、例えば光照射法が用いられる。光照射法では、図３に示すように、薄膜のパターンを形成するための開口が形成されているフォトマスク１９を通して光を分子膜１４に対して照射することにより行われる。分子膜１４の光が照射された領域にある分子膜が分解し、あるいは除去されて、フォトマスク１９に対応した分子膜パターンが形成される。
【００４４】
さらに、図４に示したように分子膜１４の一部が除去された領域にのみ、分子膜１４を構成する有機ケイ素化合物の官能基のものとは異なる性質または機能を有する官能基を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜の領域１５を形成することもできる。このようにすれば、基板表面に分子膜１４とは異なる表面物性を有する領域を形成される。分子膜１５を構成する有機ケイ素化合物の官能基を適宜選択すれば、図５に示すように分子膜１５に対応する部分にのみ、例えば無電解めっき膜１７を形成することもできる。
（２）実施例１
以下に具体的に分子膜及び分子膜パターンの形成工程の例について説明する。
【００４５】
前処理として、石英ガラス基板上に１７２ｎｍの波長の紫外光を１０分間照射し、クリーンニングを行った。用いた紫外光強度は、基板面上で約８ｍＷ／ｃｍ２であった。次いで
撥液性に優れた下記式（８）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物の一つであるヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランと石英ガラス基板とを、同一の密閉容器に入れて９６時間室温で放置することにより第１の分子膜を形成した。そして、さらに、線状パターンが施されたフォトマスクを通して、エキシマランプの３０８ｎｍの波長の紫外光（石英ガラス基板上での光強度：約５ｍＷ／ｃｍ２）をおよそ１５分間照射して、マスクしていない部分の分子膜のみを選択的に光分解させることにより、第１の分子膜パターンの形成が形成された。
【００４６】
なお、光照射による分子膜の分解速度を分子膜の光照射された領域の接触角を観察することにより、ヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランを原料とする第１の分子膜はヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシランを原料とする分子膜に比べて３倍以上の速度で光分解が起こることが確認された。このことから、ベンゼンなどの芳香族を含む有機ケイ素化合物を原料とする分子膜は光分解性を向上させることが示された。
【００４７】
次に、第１の分子膜パターンが形成された基板を、純水、エタノールの順で洗浄した後に、エタノールに、１ｖｏｌ％のアミノベンジルトリエトキシシランを加えた混合液中に５分間浸した。さらに、エタノール、純水の順で基板の洗浄を行ったところ、第１の分子膜が除去された領域に、アミノベンジルトリエトキシシランを原料とする第２の分子膜パターンが形成された。
【００４８】
次に、この第１の分子膜パターンと第２の分子膜パターンとが形成された基板を、室温でｐHが５．８になるように調製された塩化パラジウムを含む水溶液（塩化水素４％ 、パラジウム塩化合物０．２％、を含む３０ｍＬの水溶液をさらに１Lの水に溶かして希釈したもの）に約２分浸した後、流水中で３分間洗浄を行った。次に、無電解ニッケルめっき液（ニッケル塩化合物、次亜リン酸をニッケル塩化合物：３０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム：１０ｇ／Ｌの組成で含むもの）を、７０℃、ｐＨ４．６の条件で保持し、この基板を約１分間浸した。その後、基板を液から取り出した後、流水中で洗浄を行ない、乾燥を行った。乾燥後、光学顕微鏡により観察を行ったところ、基板上の第２の分子膜パターンの領域に対応したニッケルのパターンが形成されたことが確認された。
【００４９】
本発明において、石英ガラス以外にも、分子膜を形成する基板としては、Ｓｉウエハー、ガラス、プラスチックフィルム、金属基板など各種のものを用いることができ、また、基板表面に金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されていても良い。
【００５０】
分子膜のパターンに形成に用いる光照射の光源としては、上述のエキシマランプの他、例えば水銀ランプ、キセノンランプ、ナトリウムランプ、エキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、及びその高調波なども用いることができる。
【００５１】
上述の実施例のように、撥液性の分子膜パターンを形成する場合は、撥液性を有するヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランのような長鎖のフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物を原料として利用することが好ましいが、通常の長鎖のアルキル基を有するものであってもよい。ケイ素上の置換基はヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランのようにエトキシ基には限定されるものではなく、メトキシ基などのアルコキシ基やクロロ、臭素、またはよう素などのハロゲン基、あるいはアミノ基などでもよい。特に分子膜を形成する基板あるいは下地層の表面が水酸基などのカルコゲン元素を有する置換基で被われている場合は 、 上記の置換基をケイ素上に有する有機ケイ素化合物は分子膜を調製する際に、基板あるいは下地層と安定した結合を形成するので、好ましい場合がある。
【００５２】
上述の実施例では、無電解ニッケルめっき膜を選択的に調製するために、第２の分子膜の原料としてニッケルとの親和力の高いアミノ基を有する有機ケイ素化合物を用いているが、これ以外にも、例えば、チオール基、水酸基、ビニル基、ヒドロシリル基またはシアノ基を有する有機ケイ素化合物などを原料とする分子膜を用いても、金や銅など種々の金属薄膜を調製することができる。もちろん、上述の実施例のように撥液性分子膜パターンの形成を必ずしも最初に行う必要はなく、目的に応じて調製する分子膜を適宜選択できる。分子膜のパターンの形成に光照射を用いる場合は、芳香族を有している上記の式（１）〜（１２）に示された化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を用いることが好ましく、さらに、光照射に用いる光の波長に応じて有機ケイ素化合物の芳香族を選択することにより、より効率良く分子膜パターンを形成することができる。
【００５３】
３００ｎｍ程度の波長の光を分子膜パターンの形成に用いる場合は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、及びビフェニルなどの芳香族を有する有機ケイ素化合物が分子膜の原料として好ましく、３００ｎｍ以上の波長の光を用いる場合は、例えば、アントラセン、フェナントレン、ターフェニルなどの芳香族を有する有機ケイ素化合物が分子膜の原料として好ましい。
【００５４】
光分解の効率は有機ケイ素化合物の有する芳香族のみに依存するものではなく、例えば、芳香族上に置換基などにも影響される場合がある。例えば、上記式（１１）や（１２）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物のように有機ケイ素基を有するアルキル基のオルト位にトリフルオロメチル基を有する有機ケイ素化合物では、ケイ素原子との親和性の高いフッ素原子が空間的に隣接するために、ケイ素−炭素結合の結合開裂の際の活性化エネルギーが低下し、光分解反応が効率良く生起する。トリフルオロメチル基以外にもヒドロキシ基、アルコキシ基、アミノ基などのケイ素原子との親和性の高い原子を有する置換基によっても光分解が促進される場合がある。
（３）分子膜の原料となる有機ケイ素化合物の合成
次に分子膜の原料となる有機ケイ素化合物の合成法について述べる。上記の式（１）〜（１２）の化学構造を有する有機ケイ素化合物の代表的な合成法として以下の（i）及び（ii）２つの方法が挙げられる。
（i）下記の一般式（１３）に示したような、対応する臭素や塩素、またはヨウ素などのハロゲンを有する化合物から得られるグリニャール試薬やリチウム試薬とハロゲンやアルコキシを有する有機ケイ素化合物との反応
【００５５】
【化２３】
【００５６】
（但し、ｎ、ｐ、及びＡｒ'はそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
ｐ：０以上の整数
Ａｒ'：芳香族炭化水素またはその誘導体）
（ii）下記の一般式（１４）に示したような対応する炭素−炭素多重結合を有する化合物と少なくとも一つの水素をケイ素上に有する有機ケイ素化合物とを塩化白金酸などの触媒存在下で加熱攪拌することによるハイドロサイレーション反応
【００５７】
【化２４】
【００５８】
（但し、ｎ、ｐ、及びＡｒ'はそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
ｐ：０以上の整数
Ａｒ'：芳香族炭化水素またはその誘導体）
なお、ここでは（i）の方法を用いた合成例について述べる。
（４）ｐ−（CF3CF2CF2CF2CF2CF2CH2 CH2−C6H4−CH2-Si(OEt)3）（化合物A）の合成
フラスコにマグネシウムリボンを入れ、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを流しながら、スターラー兼用のホットプレートで攪拌しながら適度に加熱して、マグネシウムリボン（０．０６モル）を活性化する。この操作を１時間程度行ったら、フラスコを室温まで冷まし、エーテルを５ｍｌ程度加える。さらに、スポイトなどで極少量のジブロモエタンを加えて、マグネシウムリボンの活性面を露出させる。次に０．０５モルのｐ−（CF3CF2CF2CF2CF2CF2CH2CH2−C6H4−CH2−Br）及び０．０７モルのテトラエトキシシランを含むエーテル溶液２０ｍｌをフラスコに備え付けた滴下ロートに入れ、よく攪拌しながら徐々にマグネシウムリボンとエーテルの混合物に滴下する。この時、反応溶液の温度が４０℃程度以上にならないように氷浴などを用いて適度に反応温度を調整する。滴下後、室温で１５時間程度、混合物を攪拌した後、溶媒であるエーテルを溜去し、ヘキサンを少量を加えて、沈殿する塩をハイフロスーパーセルを用いて濾過する。なお、この時、ろ液の濁りがなくなるまで、濾過を繰り返すことが好ましい。次に、ろ液の溶媒をロータリーエバポレーターで溜去し、残ったオイル状の物質をクーゲルロアを用いた減圧蒸留を行うことにより、粗収率がおよそ４０％で化合物Aが得られた。
(５)ｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Si(OEt)3（化合物B）の合成
フラスコにマグネシウムリボンを入れ、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを流しながら、スターラー兼用のホットプレートで攪拌しながら適度に加熱して、マグネシウムリボン（０．０６モル）を活性化した。この操作を１時間程度行ったら、フラスコを室温まで冷却し、エーテル５ｍｌ及び０．０５モルのジメチルクロロシラン（化学式：HMe2SiCl）を加える。次に０．０５モルのジメチルクロロシラン（HMe2SiCl）を加えた。次にｐ−（Br−CH2−C6H4−CH2−Br）のエーテル溶液２０ ｍｌをフラスコに備え付けた滴下ロートに入れ、よく攪拌しながら、ジメチルクロロシランとマグネシウムリボンとエーテルとの混合物に滴下した。この時、反応が過激にならないように氷浴などを用いて適度に反応が進行するようにするように反応温度を調整した。滴下後、室温で１５時間程度、混合物を攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を徐々に加えて、生成したマグネシウム塩を加水分解した。適当量のエーテル及び水を加えて、分液操作により得られたエーテル層に硫酸ナトリウムを加えて、エーテル層を乾燥させた。次に、溶媒であるエーテルなど揮発性不純物をロータリーエバポレーターで溜去し、残ったオイル状の物質をクーゲルロアを用いた減圧蒸留を行うことにより、粗収率８０ ％で、ｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Br）を得た。
【００５９】
以下の合成経路は化合物Aとほぼ同様である。すなわち、フラスコにマグネシウムリボンを入れ、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを流しながら、スターラー兼用のホットプレートで攪拌しながら適度に加熱して、マグネシウムリボン（０．０３モル）を活性化すした。この操作を１時間程度行ったら、フラスコを室温まで冷まし、エーテルを５ｍｌ程度加えた。次に０．０３モルのｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Br）及び０．０５モルのテトラエトキシシランを含むエーテル溶液２０ｍｌをフラスコに備え付けた滴下ロートに入れ、よく攪拌しながら徐々にマグネシウムリボンとエーテルの混合物に滴下した。この時、反応が過激にならないように氷浴などを用いて適度に反応が進行するように反応温度を調整した。滴下後、室温で１５時間程度、混合物を攪拌した後、溶媒であるエーテルを溜去し、ヘキサンを少量を加えて、沈殿する塩をハイフロスーパーセルを用いて濾過した。なお、この時、ろ液の濁りがなくなるまで、濾過を繰り返すことが好ましい。次に、ろ液の溶媒をロータリーエバポレーターで溜去し、残ったオイル状の物質をクーゲルロアを用いた減圧蒸留を行うことにより、ｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Br）を基準にして３０％程度の粗収率で化合物Bを得た。
【００６０】
上述のようにグリニア試薬を用いる合成方法は特に芳香族上にフルオロアルキル基やアルキル基化合物、有機ケイ素基、アルコキシ基などを有する有機ケイ素化合物に特に有効である。もちろん、若干収率は低下するものの、同様な方法で、化合物Aのオルト位にトリフルオロメチル基を有する式１１や式１２で示されたような化合物も得られた。一方、芳香族上にヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、シアノ基などグリニア試薬との反応性が高い置換基を有する有機ケイ素化合物を合成する場合は、対応するオレフィンとヒドロシランとのいわゆるハイドロサイレーション（上記の方法（ii））が有効である。
（６）有機薄膜トランジスタにより駆動されるエレクトロルミネッセンス装置の製造
これまで、述べてきた分子膜及び分子膜パターンを利用して、さらに種々の半導体装置及び電気光学装置を製造することができる。以下に述べる例では、半導体装置として能動層が有機材料により形成されているいわゆる有機薄膜トランジスタ、そして電気光学装置としては、その有機薄膜トランジスタにより駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置について、その製造工程に沿って説明する。図６〜図１６は、有機薄膜トランジスタ及びその有機薄膜トランジスタにより駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の製造工程を示す図である。なお、各図の２つの図のうち、右側の図は平面図であり、左側の図はその平面図のＡＡ線における断面図である。
【００６１】
まず、基板２０上に透明導電膜２１を形成する。基板２０としては、例えば、ガラス、石英、プラスティック（合成樹脂）の透明な材料を用いる。また、透明導電膜２１としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が望ましい。ただし、ＩＴＯ膜に限定されるものではなく、透明で導電性が高ければ、他の材料でも良い。なお、本実施例ではＩＴＯ付きガラスを用いた。
次に、後述する陰極パターン２４（図９）と透明導電膜２１とのリーク電流を防ぐために、透明導電膜２１上に絶縁膜２２を形成する。本実施例ではＳｉＯ2を用いている。原料としては、キシレンにポリシラザンを溶解した液体原料を用い、発光エリアとなる円筒形の孔以外の領域にのみインクジェット（Ｉ／Ｊ）法を用いて形成する。ポリシラザン溶液をＩ／Ｊ法で塗布した後、２５０℃、１０分間加熱して、所望の形状で、膜厚が１５０ｎｍのＳｉ０２膜を選択的に形成する。なお、絶縁性が確保されれば材料はこれに限らず、ポリイミド樹脂等の高分子有機材料も使用できる。
次に、発光層２３は正孔を注入するための正孔注入層と、発光するエレクトロルミネッセンス層との２層から形成しても良い。いずれの材料もＩ／Ｊ法で形成される。スピンコート、蒸着等を使用して形成しても良い。
次に、透明導電膜２１上の絶縁膜２２により区画された領域に発光層２３を形成する。本実施例では、絶縁膜２２の平面形状を円形にすることにより、円筒状の穴を設け、この穴に発光層２３をI/J法により選択的に形成する。具体的には、ポリフルオレン系高分子をキシレン溶媒に溶解した溶液を調製し、Ｉ／Ｊ法により該溶液を塗布し、溶媒を乾燥・除去することにより発光層２３を得る。なお、発光層２３の膜厚は約８０ｎｍとした。この他、発光層には、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）等の有機エレクトロルミネッセンス材料を用いることができる。
次に、絶縁膜２２及び発光層２３上に陰極層パターン２４を金属材料を用いて形成する。金属材料としては、例えば、金、銀、銅を用いる。係る陰極層パターン２４はＩ／Ｊ法により形成するか、または例えば、蒸着法により形成することができる。本実施例では、金錯体をエタノール溶液に溶解した溶液を用いた。具体的には、金錯体として、（ＣＨ3）3−Ｐ−Ａｕ−ＣＨ3で示される材料を用い、その濃度は約２重量％と、この溶液をＩ／Ｊ法により塗布した後に８０℃で加熱し、膜厚が５０ｎｍの良好な伝導特性を示す金膜パターンを得た。
次に、陰極層パターン２４上に層間絶縁膜３０を形成する。層間絶縁膜３０には、例えば、高分子材料であるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミドを用いることができる。他に ＳｉＯ2 等の無機材料を使用しても良い。層間絶縁膜３０の材料として高分子材料を用いる場合は、例えば、スピンコート及びＩ／Ｊ法で成膜できる。本実施例では、ＰＶＡ水溶液をスピンコート法により塗布し、膜厚１．５μｍのＰＶＡ膜を形成した。
【００６２】
次に、層間配線を行うために層間絶縁膜３０にビアホール３１を形成する（図１１）。ビアホールを形成するための詳細なプロセスは、基本的に図１〜３の説明で述べた工程を経て行われる。すなわち、高分子材料であるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミドなどの高分子材料からなる層間絶縁膜３０上に芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物（例えば、撥液性に優れているヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシラン）を原料とする分子膜を形成し、分子膜のビアホールの形成領域に対応する領域のみに光照射を行うと、その領域のみの光分解反応が生起し、撥液性を失う。この撥液性を失った領域を、層間絶縁膜を溶解する溶媒により処理することにより、ビアホールが形成される。
【００６３】
ビアホール３１の形成が完了した後、ビアホール３１中へ液体金材料のトルエン溶液をＩ／Ｊ法で塗布することにより層間配線３２を形成する（図１２）。 次に、ソース４０及びドレイン４１を形成する（図１３）。 この場合、図１３に示されているように、ソース４０及びドレイン４１は櫛形形状と有しており、ソース４０とドレイン４１とは互いに一定距離を隔てて噛み合わさったような状態で形成されている。また、ドレイン４１は陰極層に接続するように形成する。
【００６４】
ソース４０及びドレイン４１の材料には、例えば、金属または導電性高分子材料を使用することができる。ソース４０及びドレイン４１は、上記材料をＩ／Ｊ法により選択的に成膜し、パターンニングとして得ることができる。本実施例では液体金材料のトルエン溶液をＩ／Ｊ法により塗布した。これにより得られた金膜の膜厚は、約５０ｎｍである。
【００６５】
さらに、ソース４０及びドレイン４１上に有機半導体層４２を形成する（図１４）。この有機半導体層４２は、有機材料のスピンコート、蒸着、Ｉ／Ｊ法等で形成できる。
本実施例では、アントラセンをキシレン溶媒に溶解した液体原料をスピンコートして、アントラセンからなる有機半導体膜を形成した。その膜厚は、２００ｎｍである。有機半導体膜を構成する材料としては、テトラセン、ペンタセンなどの縮環系芳香族はもちろんのこと、ヘキサチエニレンなどオリゴチオフェン、ポリアセチレン等の共役系オリゴマーやポリマーなどを使用できる。
【００６６】
次に、有機半導体層４２上にゲート絶縁膜４３を形成する。このゲート絶縁膜４３には、層間絶縁膜３０と同様な材料を用いることができる。本実施形態ではＰＶＡ膜を用い、スピンコート法により１μｍの膜厚で形成した。 さらに、図１５に示されているように、ソース４０及びドレイン４１の屈曲した形状部分を覆うようにゲートライン４４を形成する。このゲートライン４４は、ソース４０及びドレイン４１と同様に、液体金材料のトルエン溶液を用いて塗布法により形成する。この液体金材料の溶媒には、トルエンを用いた。得られた金膜の膜厚は約５０ｎｍである。
【００６７】
次に、ゲート絶縁膜４３及びゲートライン４４上に層間絶縁膜５０を形成し、その後先述したようにビアホール３１を形成する（図１６）。ただし、今回は、ＰＶＡ膜の一部を純水で溶解・除去した後に、キシレンで有機半導体層の一部を溶解・除去して、ソースラインとソース４０との間が電気的に接続可能になるようにする。ビアホールを形成するための詳細なプロセスは、図１〜３の説明で述べた方法と同様である。 分子膜の原料として芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物を用いることにより、短時間の光照射でビアホールが形成される。ここでは、ヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランを用いた。
【００６８】
最後に、層間絶縁膜５０上のビアホール３１に対応する位置にソースライン５５を形成する（図１７）。ソースライン５５はソース４０に接続するように層間配線３２も併せて形成する。材料は、ソース４０及びドレイン４１と同様に液体金材料のトルエン溶液を用いてＩ／Ｊ法により形成する。得られた金膜の膜厚は約５０ｎｍである。以上で基本的なプロセスは終了である。なお、ソースライン５５の上に保護膜等を形成しても良い。
【００６９】
この実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子の作製を有機薄膜トランジスタの作製に先立って行っているが、有機薄膜トランジスタの作製を先に行っても良い。この場合もビアホールの形成に芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物の分子膜を用いることができる。
【００７０】
上述の実施例では、有機薄膜トランジスタを本発明に係る分子膜パターンの形成方法を用いて、製造しているが、本発明に係る分子膜パターンの形成方法は、一般に用いられているトランジスタ、すなわち、シリコンベースのトランジスタや絶縁基板上に作製される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの製造にも有効であることは言うまでもない。
【００７１】
いずれにせよ、従来、半導体装置、電子装置、または電気光学装置などの製造において、フォトリソグラフィーを用いられてきた工程を、本発明に係る分子膜パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法を用いて行うことは基本的に可能である。
【００７２】
つぎに、上記の電気光学装置を適用した電子機器のいくつかの事例について説明する。図５は前述の電気光学装置を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、この表示ユニット１１０６が前述の電気光学装置１００を備えている。
【００７３】
図６は前述の電気光学装置１００をその表示部に適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、前述の電気光学装置１００を備えている。
【００７４】
図７は前述の電気光学装置１００を、そのファインダに適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には外部機器との接続についても簡易的に示している。ここで通常のカメラは、被写体の光像によりフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号を生成する。ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には、前述の電気光学装置１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、電気光学装置１００は被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケース１３０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けられている。
【００７５】
撮影者が電気光学装置１００に表示された被写体像を確認しシャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者のデ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４３０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７６】
なお、本発明の電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図５のパーソナルコンピュータや、図６の携帯電話、図７のディジタルスチルカメラの他にも、テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能なのは言うまでもない。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、簡便で高速な分子膜のパターンニング技術が可能となり、半導体装置や電気光学装置の製造工程の工程数や製造コストを低減することできる
【図面の簡単な説明】
【図１】基板上に分子膜が形成されている状態を示す断面図である。
【図２】分子膜がパターンニングされた状態を示す断面図である。
【図３】分子膜のパターンニングの工程を示す断面図である。
【図４】第１の分子膜が除去された領域に第２の分子膜が形成されている状態を示す断面図である。
【図５】第２の分子膜に覆われている領域に無電解めっき膜が形成されている状態を示す断面図である。
【図６】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１の工程を示す図である。
【図７】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第２の工程を示す図である。
【図８】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第３の工程を示す図である。
【図９】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第４の工程を示す図である。
【図１０】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第５の工程を示す図である。
【図１１】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第６の工程を示す図である。
【図１２】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第７の工程を示す図である。
【図１３】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第８の工程を示す図である。
【図１４】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第９の工程を示す図である。
【図１５】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１０の工程を示す図である。
【図１６】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１１の工程を示す図である。
【図１７】有機薄膜トランジスタを駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１２の工程を示す図である。
【図１８】本発明に係る電気光学装置が実装されたモバイル型のパーソナルコンピュータに適用した場合の一例を示す図である。
【図１９】本発明に係る電気光学装置が実装された携帯電話機の一例を示す図である。
【図２０】本発明に係る電気光学装置がファインダ部分に適用されたディジタルスチルカメラの一例を示す図である。
【符号の説明】
１１ 基板
１１ａ 親液部
１１ｂ 撥液部
１４ 分子膜
１５ 第２の分子膜
１７ 無電解めっき膜
１９ フォトマスク
２０ 基板
２１ 透明電極
２２ 絶縁膜
２３ 発光層
２４ 陰極パターン
３０ 層間絶縁膜
３１ ビアホール
３２ 層間配線
４０ ソース
４１ ドレイン
４２ 半導体層
４３ ゲート絶縁膜
４４ ゲートライン
５０ 層間絶縁膜
５５ ソースライン
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面あるいは下地層に形成される分子膜、分子膜パターン及びその形成方法に関するものである。さらに、これら分子膜、分子膜パターン及びその形成方法を応用した半導体装置及び電気光学装置とそれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や電気光学装置の製造工程において、重要な工程の一つである薄膜のパターンニングには、フォトリソグラフィ法が用いられている。フォトリソグラフィ法は、サブミクロンオーダーの高精細のパターンニングを可能とする。一般に、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングは次のような工程を経て行われる。まず、パターンニングを行う薄膜を基板全面に形成する。さらに、レジスト膜の形成、露光、現像、リンスなどを経てレジストパターンを形成する。その後に、レジストパターンを耐エッチングマスクとして下地の薄膜のエッチングを行ない不要な部分を除去して所望のパターンを得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようにフォトリソグラフィ法によるパターニングを行うには多くの工程を必要とする。これに対して、最近、レジスト膜に比べて薄い分子膜を用いてパターニングを行うことにより工程数を低減することも試みられていたが、より光分解性に優れた分子膜が望まれていた。
【０００４】
そこで、本発明の第１の目的は光分解性に優れた分子膜により、効率良く分子膜パターンを形成することである。第２の目的は上記の分子膜、分子膜パターン及びその形成方法を利用して半導体装置及び電気光学装置を得ることであり、そして、第４の目的はそれら半導体装置及び電気光学装置の製造方法を適用することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の分子膜パターンの形成方法は、芳香族炭化水素部を含み、光分解性を示す有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の良い芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物により形成されているので、前記分子膜に対して所定のパターン形状で光照射を行うことにより容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。本明細書をとおして、分子膜とは、100nm以下の膜厚を有する膜を指している。理想的には、５ｎｍ以下の膜厚であることが望ましい。ただし、高分子鎖を有する材料からなる分子膜の膜厚は100nm以上となることもある。
【０００６】
本発明の第２の分子膜パターンの形成方法は、下記式（１）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の良い芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物により形成されているので、前記分子膜に対して所定のパターン形状で光照射を行うことにより容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。式（１）中のアリール基（Ar）としては、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、またはフェナントリル基が挙げられる。なお、芳香族炭化水素上の置換基である（CR2）m−Zを介してポリマー主鎖に接続されていても良い。
【０００７】
【化１１】
（但し、式中のn、m、p、Ar、X、Y、及びRはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
p：０以上の整数
Ar：アリール基
R：水素またはフッ素
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基、アリール基または水素原子
Z：アルキル基、ペルフルオロアルキル基、シリル基、シアノ基、アミノ基またはチオール基）
本発明の第３の分子膜パターンの形成方法は、下記式（２）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いベンゼンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。
【０００９】
【化１２】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第４の分子膜パターンの形成方法は、下記式（３）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いナフタレンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを得ることができる。
【００１１】
【化１３】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、X及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第５の分子膜パターンの形成方法は、下記式（４）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対して光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いナフタレンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。
【００１３】
【化１４】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第６の分子膜パターンの形成方法は、下記式（５）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いビフェニルπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを形成することができる。
【００１５】
【化１５】
（但し、式中のn、p、R1、R２、R３、R４、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
R４：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第７の分子膜パターンの形成方法は、下記式（６）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いピリジンπ電子系を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易に所望の分子膜パターンを得ることができる。また、ピリジン環の窒素と金属元素などの種々の陽性元素との高い親和性により、これらの元素との錯体を形成しやすいという性質も有しているので、適当な化学的処理を施すことにより、さらなる機能を分子膜パターンに付加することができる。
【００１７】
【化１６】
（但し、式中のn、p、R1、R２、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
P：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第８の分子膜パターンの形成方法は、下記式（７）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いチオフェン、ピロール、またはフランなどの共役電子系複素環を含む有機ケイ素化合物により構成されているので、光照射により容易の所望の分子膜パターンを形成することができる。また、上記の有機ケイ素化合物はその複素環上にイオウ、窒素及び酸素など官能性を有するヘテロ元素を有しているので、適当な化学的処理を施すことにより、さらなる機能を分子膜パターン付加することができる。
【００１９】
【化１７】
（但し、式中のn、p、R1、R２、X、Y、及びQはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基
Q：水素またはアルキル基を有する窒素（N）、酸素原子（O）、または硫黄原子（S））
本発明の第９の分子膜パターンの形成方法は、下記式（８）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、ベンゼン環上に撥液性に優れたフルオロアルキル基を有している有機ケイ素化合物により構成されているので、この分子膜は高い光反応性と撥液性とを有している。したがって、この分子膜に対して光照射を行うことにより、撥液性の異なる分子膜パターンを形成することができる。なお、優れた撥液性を得るにはフルオロアルキル基の炭素鎖の原子数が３以上であることが好ましい。
【００２１】
【化１８】
（但し、式中のn、m、r、p、R1、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第１０の分子膜パターンの形成方法は、下記式（９）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いビフェニルπ電子系に加えて、撥液性に優れたフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されているので、この分子膜に対する光照射により、撥液性の異なる分子膜パターンを形成することができる。なお、優れた撥液性を得るにはフルオロアルキル基の炭素鎖の原子数が３以上であることが好ましい。
【００２３】
【化１９】
（但し、式中のn、m、r、p、R1、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第１１の分子膜パターンの形成方法は、下記式（１０）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、光吸収効率の高いビフェニルπ電子系に加えて、撥液性に優れたフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されているので、この分子膜に対する光照射により、容易に撥液性の異なる分子膜パターンを形成することができる。なお、優れた撥液性を得るにはフルオロアルキル基の炭素鎖の原子数が３以上であることが好ましい。
【００２５】
【化２０】
（但し、式中のn、m、r、p、R1、X、及びYはそれぞれ以下のものを示す。
n：０以上の整数
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基）
本発明の第１２の分子膜パターンの形成方法は、上記の本発明の第３〜６、９〜１１の分子膜パターンの形成方法のいずれかにおいて、前記有機ケイ素化合物のR1がペルフルオロアルキル基であること、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、有機ケイ素基に対してオルト位にペルフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されている。このような有機ケイ素化合物ではそのケイ素原子とケイ素原子との親和性が高い元素であるフッ素原子が空間的に隣接しているので、フッ素原子のケイ素原子に対する攻撃が容易に起こり、光反応性あるいは光分解性が向上する。したがって、短時間の光照射で分子膜パターンを得ることができる。
【００２７】
本発明の第１３の分子膜パターンの形成方法は、上記の本発明の第３〜６、９〜１１の分子膜パターンの形成方法のいずれかにおいて、前記有機ケイ素化合物のR1がトリフルオロメチル基であること、を特徴とする。係る方法によれば前記分子膜は、有機ケイ素基に対してオルト位にペルフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物により構成されている。このような有機ケイ素化合物ではケイ素原子と、ケイ素原子との親和性が高い元素であるフッ素原子が空間的に隣接しているので、光反応の際にフッ素原子のアシストにより光反応性あるいは光分解性が向上する。したがって、短時間の光照射で分子膜パターンを形成することができる。なお、この分子膜を構成する有機ケイ素化合物としては、下記式（１１）や式（１２）で示される化合物が挙げられる。
【００２８】
【化２１】
（但し、ｎ及びqはそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
q：1以上の整数)
【００３０】
【化２２】
（但し、ｎ及びpはそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
p：1以上の整数)
本発明の第１４の分子膜パターンの形成方法は上記の分子膜パターンの形成方法において、前記分子膜の膜厚が３ ｎｍ以下であること、を特徴とする。係る分子膜は、基板あるいは下地層の表面を改質するのに十分な膜厚を有しており、分子膜パターンを形成した際、表面機能または表面特性の明瞭なコントラストが得られることになる。
【００３２】
本発明の分子膜パターンは、上記のいずれかの分子膜パターン形成方法により得られる。係る分子膜パターンは上述のように、撥液性など種々の機能を有する分子膜をパターニングすることにより得られる分子膜パターンであるので、この分子膜パターンでは機能の異なる表面が露出することになる。
【００３３】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記の分子膜パターンの形成方法により得ること、を特徴とする。係る半導体装置の製造方法において、上記の分子膜パターンの形成方法は、例えばフォトリソグラフィ法を用いる工程に代えて用いることができるので、工程数を低減することが可能となる。係る半導体装置の製造方法は、例えば、トランジスタなどのようにパターン形成を含む工程により製造される半導体装置に対して有効である。例えば、シリコンベースのトランジスタや薄膜トランジスタの他、半導体層が有機材料からなる有機薄膜トランジスタが挙げられる。
【００３４】
本発明の第１の半導体装置は、上記の半導体装置の製造方法によって製造されること、を特徴とする。係る半導体装置の特徴の一つは、膜厚の小さい分子膜を用いて製造されているので、半導体装置の薄型化・小型化という市場の要請に対応することが可能であるという点である。
【００３５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記の分子膜パターンの形成方法により分子膜パターンを得る工程を含むこと、を特徴とする。係る電気光学装置の製造方法において、上記の分子膜パターンの形成方法は、例えばフォトリソグラフィ法を用いる工程に代えて用いることができるので、工程数を低減することが可能となる。したがって、係る電気光学装置の製造方法は、製造時間または製造コストを低減できるという利点を有している。
【００３６】
本発明の第１の電気光学装置は、上記の電気光学装置の製造方法によって製造されること、を特徴とする。
【００３７】
本発明の第２の半導体装置は、上記の半導体装置において、有機材料からなる領域を含むこと、を特徴とする。有機材料が用いられている半導体装置の例としてはいわゆる有機薄膜トランジスタが挙げられるが、その製造工程では高度な装置を必要としないスピンコート法やインクジェット法などの液相プロセスを用いることもできるので、製造コストなどの点で有利である。
【００３８】
本発明の第２の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、有機エレクトロルミネッセンス素子を有すること、を特徴とする。
【００３９】
本発明の電子装置の製造方法は、上記の分子膜パターンの形成方法を用いて行う工程を含むことを特徴とする。電子装置としては例えば、ダイオードなどが挙げられる。
【００４０】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を、表示部として備えている。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
（１）分子膜及び分子膜パターンの形成工程の概略
分子膜及び分子膜パターンの形成工程の概略を図１〜５を参照しながら説明する。
【００４２】
まず、図１に示すように、基板１１表面に芳香族炭化水素を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜１４を形成する。分子膜１４は、原料の有機ケイ素化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れて放置するか、原料の有機ケイ素化合物の溶液に基板の浸した後、溶剤を除去することにより得られる。
【００４３】
次いで、図２に示すように、分子膜１４のパターンニングを行う。本発明における分子膜のパターンニング方法としては、例えば光照射法が用いられる。光照射法では、図３に示すように、薄膜のパターンを形成するための開口が形成されているフォトマスク１９を通して光を分子膜１４に対して照射することにより行われる。分子膜１４の光が照射された領域にある分子膜が分解し、あるいは除去されて、フォトマスク１９に対応した分子膜パターンが形成される。
【００４４】
さらに、図４に示したように分子膜１４の一部が除去された領域にのみ、分子膜１４を構成する有機ケイ素化合物の官能基のものとは異なる性質または機能を有する官能基を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜の領域１５を形成することもできる。このようにすれば、基板表面に分子膜１４とは異なる表面物性を有する領域を形成される。分子膜１５を構成する有機ケイ素化合物の官能基を適宜選択すれば、図５に示すように分子膜１５に対応する部分にのみ、例えば無電解めっき膜１７を形成することもできる。
（２）実施例１
以下に具体的に分子膜及び分子膜パターンの形成工程の例について説明する。
【００４５】
前処理として、石英ガラス基板上に１７２ｎｍの波長の紫外光を１０分間照射し、クリーンニングを行った。用いた紫外光強度は、基板面上で約８ｍＷ／ｃｍ２であった。次いで
撥液性に優れた下記式（８）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物の一つであるヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランと石英ガラス基板とを、同一の密閉容器に入れて９６時間室温で放置することにより第１の分子膜を形成した。そして、さらに、線状パターンが施されたフォトマスクを通して、エキシマランプの３０８ｎｍの波長の紫外光（石英ガラス基板上での光強度：約５ｍＷ／ｃｍ２）をおよそ１５分間照射して、マスクしていない部分の分子膜のみを選択的に光分解させることにより、第１の分子膜パターンの形成が形成された。
【００４６】
なお、光照射による分子膜の分解速度を分子膜の光照射された領域の接触角を観察することにより、ヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランを原料とする第１の分子膜はヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシランを原料とする分子膜に比べて３倍以上の速度で光分解が起こることが確認された。このことから、ベンゼンなどの芳香族を含む有機ケイ素化合物を原料とする分子膜は光分解性を向上させることが示された。
【００４７】
次に、第１の分子膜パターンが形成された基板を、純水、エタノールの順で洗浄した後に、エタノールに、１ｖｏｌ％のアミノベンジルトリエトキシシランを加えた混合液中に５分間浸した。さらに、エタノール、純水の順で基板の洗浄を行ったところ、第１の分子膜が除去された領域に、アミノベンジルトリエトキシシランを原料とする第２の分子膜パターンが形成された。
【００４８】
次に、この第１の分子膜パターンと第２の分子膜パターンとが形成された基板を、室温でｐHが５．８になるように調製された塩化パラジウムを含む水溶液（塩化水素４％ 、パラジウム塩化合物０．２％、を含む３０ｍＬの水溶液をさらに１Lの水に溶かして希釈したもの）に約２分浸した後、流水中で３分間洗浄を行った。次に、無電解ニッケルめっき液（ニッケル塩化合物、次亜リン酸をニッケル塩化合物：３０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム：１０ｇ／Ｌの組成で含むもの）を、７０℃、ｐＨ４．６の条件で保持し、この基板を約１分間浸した。その後、基板を液から取り出した後、流水中で洗浄を行ない、乾燥を行った。乾燥後、光学顕微鏡により観察を行ったところ、基板上の第２の分子膜パターンの領域に対応したニッケルのパターンが形成されたことが確認された。
【００４９】
本発明において、石英ガラス以外にも、分子膜を形成する基板としては、Ｓｉウエハー、ガラス、プラスチックフィルム、金属基板など各種のものを用いることができ、また、基板表面に金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されていても良い。
【００５０】
分子膜のパターンに形成に用いる光照射の光源としては、上述のエキシマランプの他、例えば水銀ランプ、キセノンランプ、ナトリウムランプ、エキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、及びその高調波なども用いることができる。
【００５１】
上述の実施例のように、撥液性の分子膜パターンを形成する場合は、撥液性を有するヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランのような長鎖のフルオロアルキル基を有する有機ケイ素化合物を原料として利用することが好ましいが、通常の長鎖のアルキル基を有するものであってもよい。ケイ素上の置換基はヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランのようにエトキシ基には限定されるものではなく、メトキシ基などのアルコキシ基やクロロ、臭素、またはよう素などのハロゲン基、あるいはアミノ基などでもよい。特に分子膜を形成する基板あるいは下地層の表面が水酸基などのカルコゲン元素を有する置換基で被われている場合は 、 上記の置換基をケイ素上に有する有機ケイ素化合物は分子膜を調製する際に、基板あるいは下地層と安定した結合を形成するので、好ましい場合がある。
【００５２】
上述の実施例では、無電解ニッケルめっき膜を選択的に調製するために、第２の分子膜の原料としてニッケルとの親和力の高いアミノ基を有する有機ケイ素化合物を用いているが、これ以外にも、例えば、チオール基、水酸基、ビニル基、ヒドロシリル基またはシアノ基を有する有機ケイ素化合物などを原料とする分子膜を用いても、金や銅など種々の金属薄膜を調製することができる。もちろん、上述の実施例のように撥液性分子膜パターンの形成を必ずしも最初に行う必要はなく、目的に応じて調製する分子膜を適宜選択できる。分子膜のパターンの形成に光照射を用いる場合は、芳香族を有している上記の式（１）〜（１２）に示された化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を用いることが好ましく、さらに、光照射に用いる光の波長に応じて有機ケイ素化合物の芳香族を選択することにより、より効率良く分子膜パターンを形成することができる。
【００５３】
３００ｎｍ程度の波長の光を分子膜パターンの形成に用いる場合は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、及びビフェニルなどの芳香族を有する有機ケイ素化合物が分子膜の原料として好ましく、３００ｎｍ以上の波長の光を用いる場合は、例えば、アントラセン、フェナントレン、ターフェニルなどの芳香族を有する有機ケイ素化合物が分子膜の原料として好ましい。
【００５４】
光分解の効率は有機ケイ素化合物の有する芳香族のみに依存するものではなく、例えば、芳香族上に置換基などにも影響される場合がある。例えば、上記式（１１）や（１２）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物のように有機ケイ素基を有するアルキル基のオルト位にトリフルオロメチル基を有する有機ケイ素化合物では、ケイ素原子との親和性の高いフッ素原子が空間的に隣接するために、ケイ素−炭素結合の結合開裂の際の活性化エネルギーが低下し、光分解反応が効率良く生起する。トリフルオロメチル基以外にもヒドロキシ基、アルコキシ基、アミノ基などのケイ素原子との親和性の高い原子を有する置換基によっても光分解が促進される場合がある。
（３）分子膜の原料となる有機ケイ素化合物の合成
次に分子膜の原料となる有機ケイ素化合物の合成法について述べる。上記の式（１）〜（１２）の化学構造を有する有機ケイ素化合物の代表的な合成法として以下の（i）及び（ii）２つの方法が挙げられる。
（i）下記の一般式（１３）に示したような、対応する臭素や塩素、またはヨウ素などのハロゲンを有する化合物から得られるグリニャール試薬やリチウム試薬とハロゲンやアルコキシを有する有機ケイ素化合物との反応
【００５５】
【化２３】
（但し、ｎ、ｐ、及びＡｒ'はそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
ｐ：０以上の整数
Ａｒ'：芳香族炭化水素またはその誘導体）
（ii）下記の一般式（１４）に示したような対応する炭素−炭素多重結合を有する化合物と少なくとも一つの水素をケイ素上に有する有機ケイ素化合物とを塩化白金酸などの触媒存在下で加熱攪拌することによるハイドロサイレーション反応
【００５７】
【化２４】
（但し、ｎ、ｐ、及びＡｒ'はそれぞれ以下のものを示す。
ｎ：０以上の整数
ｐ：０以上の整数
Ａｒ'：芳香族炭化水素またはその誘導体）
なお、ここでは（i）の方法を用いた合成例について述べる。
（４）ｐ−（CF3CF2CF2CF2CF2CF2CH2 CH2−C6H4−CH2-Si(OEt)3）（化合物A）の合成
フラスコにマグネシウムリボンを入れ、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを流しながら、スターラー兼用のホットプレートで攪拌しながら適度に加熱して、マグネシウムリボン（０．０６モル）を活性化する。この操作を１時間程度行ったら、フラスコを室温まで冷まし、エーテルを５ｍｌ程度加える。さらに、スポイトなどで極少量のジブロモエタンを加えて、マグネシウムリボンの活性面を露出させる。次に０．０５モルのｐ−（CF3CF2CF2CF2CF2CF2CH2CH2−C6H4−CH2−Br）及び０．０７モルのテトラエトキシシランを含むエーテル溶液２０ｍｌをフラスコに備え付けた滴下ロートに入れ、よく攪拌しながら徐々にマグネシウムリボンとエーテルの混合物に滴下する。この時、反応溶液の温度が４０℃程度以上にならないように氷浴などを用いて適度に反応温度を調整する。滴下後、室温で１５時間程度、混合物を攪拌した後、溶媒であるエーテルを溜去し、ヘキサンを少量を加えて、沈殿する塩をハイフロスーパーセルを用いて濾過する。なお、この時、ろ液の濁りがなくなるまで、濾過を繰り返すことが好ましい。次に、ろ液の溶媒をロータリーエバポレーターで溜去し、残ったオイル状の物質をクーゲルロアを用いた減圧蒸留を行うことにより、粗収率がおよそ４０％で化合物Aが得られた。
(５)ｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Si(OEt)3（化合物B）の合成
フラスコにマグネシウムリボンを入れ、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを流しながら、スターラー兼用のホットプレートで攪拌しながら適度に加熱して、マグネシウムリボン（０．０６モル）を活性化した。この操作を１時間程度行ったら、フラスコを室温まで冷却し、エーテル５ｍｌ及び０．０５モルのジメチルクロロシラン（化学式：HMe2SiCl）を加える。次に０．０５モルのジメチルクロロシラン（HMe2SiCl）を加えた。次にｐ−（Br−CH2−C6H4−CH2−Br）のエーテル溶液２０ ｍｌをフラスコに備え付けた滴下ロートに入れ、よく攪拌しながら、ジメチルクロロシランとマグネシウムリボンとエーテルとの混合物に滴下した。この時、反応が過激にならないように氷浴などを用いて適度に反応が進行するようにするように反応温度を調整した。滴下後、室温で１５時間程度、混合物を攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を徐々に加えて、生成したマグネシウム塩を加水分解した。適当量のエーテル及び水を加えて、分液操作により得られたエーテル層に硫酸ナトリウムを加えて、エーテル層を乾燥させた。次に、溶媒であるエーテルなど揮発性不純物をロータリーエバポレーターで溜去し、残ったオイル状の物質をクーゲルロアを用いた減圧蒸留を行うことにより、粗収率８０ ％で、ｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Br）を得た。
【００５９】
以下の合成経路は化合物Aとほぼ同様である。すなわち、フラスコにマグネシウムリボンを入れ、アルゴンまたは窒素などの不活性ガスを流しながら、スターラー兼用のホットプレートで攪拌しながら適度に加熱して、マグネシウムリボン（０．０３モル）を活性化すした。この操作を１時間程度行ったら、フラスコを室温まで冷まし、エーテルを５ｍｌ程度加えた。次に０．０３モルのｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Br）及び０．０５モルのテトラエトキシシランを含むエーテル溶液２０ｍｌをフラスコに備え付けた滴下ロートに入れ、よく攪拌しながら徐々にマグネシウムリボンとエーテルの混合物に滴下した。この時、反応が過激にならないように氷浴などを用いて適度に反応が進行するように反応温度を調整した。滴下後、室温で１５時間程度、混合物を攪拌した後、溶媒であるエーテルを溜去し、ヘキサンを少量を加えて、沈殿する塩をハイフロスーパーセルを用いて濾過した。なお、この時、ろ液の濁りがなくなるまで、濾過を繰り返すことが好ましい。次に、ろ液の溶媒をロータリーエバポレーターで溜去し、残ったオイル状の物質をクーゲルロアを用いた減圧蒸留を行うことにより、ｐ−（HMe２Si−CH2−C6H4−CH2−Br）を基準にして３０％程度の粗収率で化合物Bを得た。
【００６０】
上述のようにグリニア試薬を用いる合成方法は特に芳香族上にフルオロアルキル基やアルキル基化合物、有機ケイ素基、アルコキシ基などを有する有機ケイ素化合物に特に有効である。もちろん、若干収率は低下するものの、同様な方法で、化合物Aのオルト位にトリフルオロメチル基を有する式１１や式１２で示されたような化合物も得られた。一方、芳香族上にヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、シアノ基などグリニア試薬との反応性が高い置換基を有する有機ケイ素化合物を合成する場合は、対応するオレフィンとヒドロシランとのいわゆるハイドロサイレーション（上記の方法（ii））が有効である。
（６）有機薄膜トランジスタにより駆動されるエレクトロルミネッセンス装置の製造
これまで、述べてきた分子膜及び分子膜パターンを利用して、さらに種々の半導体装置及び電気光学装置を製造することができる。以下に述べる例では、半導体装置として能動層が有機材料により形成されているいわゆる有機薄膜トランジスタ、そして電気光学装置としては、その有機薄膜トランジスタにより駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置について、その製造工程に沿って説明する。図６〜図１６は、有機薄膜トランジスタ及びその有機薄膜トランジスタにより駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の製造工程を示す図である。なお、各図の２つの図のうち、右側の図は平面図であり、左側の図はその平面図のＡＡ線における断面図である。
【００６１】
まず、基板２０上に透明導電膜２１を形成する。基板２０としては、例えば、ガラス、石英、プラスティック（合成樹脂）の透明な材料を用いる。また、透明導電膜２１としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が望ましい。ただし、ＩＴＯ膜に限定されるものではなく、透明で導電性が高ければ、他の材料でも良い。なお、本実施例ではＩＴＯ付きガラスを用いた。
次に、後述する陰極パターン２４（図９）と透明導電膜２１とのリーク電流を防ぐために、透明導電膜２１上に絶縁膜２２を形成する。本実施例ではＳｉＯ2を用いている。原料としては、キシレンにポリシラザンを溶解した液体原料を用い、発光エリアとなる円筒形の孔以外の領域にのみインクジェット（Ｉ／Ｊ）法を用いて形成する。ポリシラザン溶液をＩ／Ｊ法で塗布した後、２５０℃、１０分間加熱して、所望の形状で、膜厚が１５０ｎｍのＳｉ０２膜を選択的に形成する。なお、絶縁性が確保されれば材料はこれに限らず、ポリイミド樹脂等の高分子有機材料も使用できる。
次に、発光層２３は正孔を注入するための正孔注入層と、発光するエレクトロルミネッセンス層との２層から形成しても良い。いずれの材料もＩ／Ｊ法で形成される。スピンコート、蒸着等を使用して形成しても良い。
次に、透明導電膜２１上の絶縁膜２２により区画された領域に発光層２３を形成する。本実施例では、絶縁膜２２の平面形状を円形にすることにより、円筒状の穴を設け、この穴に発光層２３をI/J法により選択的に形成する。具体的には、ポリフルオレン系高分子をキシレン溶媒に溶解した溶液を調製し、Ｉ／Ｊ法により該溶液を塗布し、溶媒を乾燥・除去することにより発光層２３を得る。なお、発光層２３の膜厚は約８０ｎｍとした。この他、発光層には、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）等の有機エレクトロルミネッセンス材料を用いることができる。
次に、絶縁膜２２及び発光層２３上に陰極層パターン２４を金属材料を用いて形成する。金属材料としては、例えば、金、銀、銅を用いる。係る陰極層パターン２４はＩ／Ｊ法により形成するか、または例えば、蒸着法により形成することができる。本実施例では、金錯体をエタノール溶液に溶解した溶液を用いた。具体的には、金錯体として、（ＣＨ3）3−Ｐ−Ａｕ−ＣＨ3で示される材料を用い、その濃度は約２重量％と、この溶液をＩ／Ｊ法により塗布した後に８０℃で加熱し、膜厚が５０ｎｍの良好な伝導特性を示す金膜パターンを得た。
次に、陰極層パターン２４上に層間絶縁膜３０を形成する。層間絶縁膜３０には、例えば、高分子材料であるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミドを用いることができる。他に ＳｉＯ2 等の無機材料を使用しても良い。層間絶縁膜３０の材料として高分子材料を用いる場合は、例えば、スピンコート及びＩ／Ｊ法で成膜できる。本実施例では、ＰＶＡ水溶液をスピンコート法により塗布し、膜厚１．５μｍのＰＶＡ膜を形成した。
【００６２】
次に、層間配線を行うために層間絶縁膜３０にビアホール３１を形成する（図１１）。ビアホールを形成するための詳細なプロセスは、基本的に図１〜３の説明で述べた工程を経て行われる。すなわち、高分子材料であるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミドなどの高分子材料からなる層間絶縁膜３０上に芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物（例えば、撥液性に優れているヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシラン）を原料とする分子膜を形成し、分子膜のビアホールの形成領域に対応する領域のみに光照射を行うと、その領域のみの光分解反応が生起し、撥液性を失う。この撥液性を失った領域を、層間絶縁膜を溶解する溶媒により処理することにより、ビアホールが形成される。
【００６３】
ビアホール３１の形成が完了した後、ビアホール３１中へ液体金材料のトルエン溶液をＩ／Ｊ法で塗布することにより層間配線３２を形成する（図１２）。 次に、ソース４０及びドレイン４１を形成する（図１３）。 この場合、図１３に示されているように、ソース４０及びドレイン４１は櫛形形状と有しており、ソース４０とドレイン４１とは互いに一定距離を隔てて噛み合わさったような状態で形成されている。また、ドレイン４１は陰極層に接続するように形成する。
【００６４】
ソース４０及びドレイン４１の材料には、例えば、金属または導電性高分子材料を使用することができる。ソース４０及びドレイン４１は、上記材料をＩ／Ｊ法により選択的に成膜し、パターンニングとして得ることができる。本実施例では液体金材料のトルエン溶液をＩ／Ｊ法により塗布した。これにより得られた金膜の膜厚は、約５０ｎｍである。
【００６５】
さらに、ソース４０及びドレイン４１上に有機半導体層４２を形成する（図１４）。この有機半導体層４２は、有機材料のスピンコート、蒸着、Ｉ／Ｊ法等で形成できる。
本実施例では、アントラセンをキシレン溶媒に溶解した液体原料をスピンコートして、アントラセンからなる有機半導体膜を形成した。その膜厚は、２００ｎｍである。有機半導体膜を構成する材料としては、テトラセン、ペンタセンなどの縮環系芳香族はもちろんのこと、ヘキサチエニレンなどオリゴチオフェン、ポリアセチレン等の共役系オリゴマーやポリマーなどを使用できる。
【００６６】
次に、有機半導体層４２上にゲート絶縁膜４３を形成する。このゲート絶縁膜４３には、層間絶縁膜３０と同様な材料を用いることができる。本実施形態ではＰＶＡ膜を用い、スピンコート法により１μｍの膜厚で形成した。 さらに、図１５に示されているように、ソース４０及びドレイン４１の屈曲した形状部分を覆うようにゲートライン４４を形成する。このゲートライン４４は、ソース４０及びドレイン４１と同様に、液体金材料のトルエン溶液を用いて塗布法により形成する。この液体金材料の溶媒には、トルエンを用いた。得られた金膜の膜厚は約５０ｎｍである。
【００６７】
次に、ゲート絶縁膜４３及びゲートライン４４上に層間絶縁膜５０を形成し、その後先述したようにビアホール３１を形成する（図１６）。ただし、今回は、ＰＶＡ膜の一部を純水で溶解・除去した後に、キシレンで有機半導体層の一部を溶解・除去して、ソースラインとソース４０との間が電気的に接続可能になるようにする。ビアホールを形成するための詳細なプロセスは、図１〜３の説明で述べた方法と同様である。 分子膜の原料として芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物を用いることにより、短時間の光照射でビアホールが形成される。ここでは、ヘプタデカフルオロオクチルベンジルトリエトキシシランを用いた。
【００６８】
最後に、層間絶縁膜５０上のビアホール３１に対応する位置にソースライン５５を形成する（図１７）。ソースライン５５はソース４０に接続するように層間配線３２も併せて形成する。材料は、ソース４０及びドレイン４１と同様に液体金材料のトルエン溶液を用いてＩ／Ｊ法により形成する。得られた金膜の膜厚は約５０ｎｍである。以上で基本的なプロセスは終了である。なお、ソースライン５５の上に保護膜等を形成しても良い。
【００６９】
この実施例では有機エレクトロルミネッセンス素子の作製を有機薄膜トランジスタの作製に先立って行っているが、有機薄膜トランジスタの作製を先に行っても良い。この場合もビアホールの形成に芳香族炭化水素部を有する有機ケイ素化合物の分子膜を用いることができる。
【００７０】
上述の実施例では、有機薄膜トランジスタを本発明に係る分子膜パターンの形成方法を用いて、製造しているが、本発明に係る分子膜パターンの形成方法は、一般に用いられているトランジスタ、すなわち、シリコンベースのトランジスタや絶縁基板上に作製される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの製造にも有効であることは言うまでもない。
【００７１】
いずれにせよ、従来、半導体装置、電子装置、または電気光学装置などの製造において、フォトリソグラフィーを用いられてきた工程を、本発明に係る分子膜パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法を用いて行うことは基本的に可能である。
【００７２】
つぎに、上記の電気光学装置を適用した電子機器のいくつかの事例について説明する。図５は前述の電気光学装置を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、この表示ユニット１１０６が前述の電気光学装置１００を備えている。
【００７３】
図６は前述の電気光学装置１００をその表示部に適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、前述の電気光学装置１００を備えている。
【００７４】
図７は前述の電気光学装置１００を、そのファインダに適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には外部機器との接続についても簡易的に示している。ここで通常のカメラは、被写体の光像によりフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号を生成する。ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には、前述の電気光学装置１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、電気光学装置１００は被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケース１３０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けられている。
【００７５】
撮影者が電気光学装置１００に表示された被写体像を確認しシャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者のデ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４３０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７６】
なお、本発明の電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図５のパーソナルコンピュータや、図６の携帯電話、図７のディジタルスチルカメラの他にも、テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能なのは言うまでもない。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、簡便で高速な分子膜のパターンニング技術が可能となり、半導体装置や電気光学装置の製造工程の工程数や製造コストを低減することできる
【図面の簡単な説明】
【図１】基板上に分子膜が形成されている状態を示す断面図である。
【図２】分子膜がパターンニングされた状態を示す断面図である。
【図３】分子膜のパターンニングの工程を示す断面図である。
【図４】第１の分子膜が除去された領域に第２の分子膜が形成されている状態を示す断面図である。
【図５】第２の分子膜に覆われている領域に無電解めっき膜が形成されている状態を示す断面図である。
【図６】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１の工程を示す図である。
【図７】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第２の工程を示す図である。
【図８】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第３の工程を示す図である。
【図９】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第４の工程を示す図である。
【図１０】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第５の工程を示す図である。
【図１１】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第６の工程を示す図である。
【図１２】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第７の工程を示す図である。
【図１３】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第８の工程を示す図である。
【図１４】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第９の工程を示す図である。
【図１５】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１０の工程を示す図である。
【図１６】有機薄膜トランジスタに駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１１の工程を示す図である。
【図１７】有機薄膜トランジスタを駆動される有機エレクトロルミネッセンス装置の第１２の工程を示す図である。
【図１８】本発明に係る電気光学装置が実装されたモバイル型のパーソナルコンピュータに適用した場合の一例を示す図である。
【図１９】本発明に係る電気光学装置が実装された携帯電話機の一例を示す図である。
【図２０】本発明に係る電気光学装置がファインダ部分に適用されたディジタルスチルカメラの一例を示す図である。
【符号の説明】
１１ 基板
１１ａ 親液部
１１ｂ 撥液部
１４ 分子膜
１５ 第２の分子膜
１７ 無電解めっき膜
１９ フォトマスク
２０ 基板
２１ 透明電極
２２ 絶縁膜
２３ 発光層
２４ 陰極パターン
３０ 層間絶縁膜
３１ ビアホール
３２ 層間配線
４０ ソース
４１ ドレイン
４２ 半導体層
４３ ゲート絶縁膜
４４ ゲートライン
５０ 層間絶縁膜
５５ ソースライン
Claims (15)
- 下記式（１）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
m：０以上の整数
p：０以上の整数
Ar：アリール基
R：水素またはフッ素
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基、アリール基または水素原子
Z：アルキル基、ペルフルオロアルキル基、シリル基、シアノ基、アミノ基またはチオール基 - 下記式（２）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基） - 下記式（３）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基） - 下記式（４）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y： アルキル基またはアリール基） - 下記式（５）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
n：０以上の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基
R３：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
R４：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、有機ケイ素基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基） - 下記式（６）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
P：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基） - 下記式（７）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
R２：ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基、有機ケイ素基、または有機ケイ素基を有するアルキル基、アリール基、またはアリール基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y： アルキル基またはアリール基
Q： 水素またはアルキル基を有する窒素（N）、酸素原子（O）、または硫黄原子（S）） - 下記式（８）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基） - 下記式（９）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基） - 下記式（１０）で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
m：０以上の整数
r：正の整数
p：０以上の整数
R１：水素、ハロゲン、ペルフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基を有するアルキル基、チオール基を有するアルキル基、アミノ基を有するアルキル基、アルキルアミノ基を有するアルキル基
X：クロル基などのハロゲン基、アミノ基またはアルコキシ基
Y：アルキル基またはアリール基） - 請求項２、３、４、５、８、９、及び１０のいずれかに記載の分子膜パターンの形成方法において、
前記有機ケイ素化合物のR1がペルフルオロアルキル基であること、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。 - 請求項２、３、４、５、８、９、及び１０のいずれかに記載の分子膜パターンの形成方法において、
前記有機ケイ素化合物のR1がトリフルオロメチル基であること、
を特徴とする分子膜のパターンの形成方法。 - 請求項１乃至１２のいずれかに記載の分子膜パターンの形成方法において、
前記分子膜の膜厚が３ ｎｍ以下であること、
を特徴とする分子膜パターンの形成方法。 - 請求項１乃至１３のいずれかに記載の分子膜パターンの形成方法により得られる分子膜パターン。
- 請求項１乃至１３のいずれかに記載の分子膜パターンの形成方法により分子膜パターンを得る工程を含むこと、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398537A JP4000853B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | 分子膜パターンの形成方法、分子膜パターン、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000403230 | 2000-12-28 | ||
| JP2000-403230 | 2000-12-28 | ||
| JP2001398537A JP4000853B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | 分子膜パターンの形成方法、分子膜パターン、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002311592A JP2002311592A (ja) | 2002-10-23 |
| JP4000853B2 true JP4000853B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=26607230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398537A Expired - Fee Related JP4000853B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-27 | 分子膜パターンの形成方法、分子膜パターン、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4000853B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027889A1 (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Daikin Industries, Ltd. | パターン表面をテンプレートとして用いる材料とその製法 |
| JP2005108949A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JP4684625B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR101146208B1 (ko) | 2003-11-14 | 2012-05-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5093985B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2012-12-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 膜パターンの形成方法 |
| US8053171B2 (en) | 2004-01-16 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
| JP2007093991A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 表面の改質方法、基板の製造方法および電子装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2888741B2 (ja) * | 1993-09-27 | 1999-05-10 | 日本ペイント株式会社 | 薄膜パターン形成法 |
| JP3430632B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2003-07-28 | ソニー株式会社 | 金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法 |
| JPH0943856A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Asahi Glass Co Ltd | 含フッ素重合体膜にパターンを形成する方法 |
| JP3901893B2 (ja) * | 1998-11-25 | 2007-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP3879312B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2007-02-14 | セイコーエプソン株式会社 | 膜の形成方法、及びデバイスの製造方法 |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001398537A patent/JP4000853B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002311592A (ja) | 2002-10-23 |
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