JP3988794B2 - 画素回路、表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
より具体的には例えば、各画素には、スイッチング用TFTが設けられ、そのゲートに走査線から走査信号が供給されると、そのソース及びドレインを介して信号線からのデータ信号を駆動用TFTのゲートに供給する。駆動用TFTのソース及びドレイン間のコンダクタンスは、このようにゲートに供給されたデータ信号の電圧(即ち、ゲート電圧)に応じて制御(変化)される。この際、ゲート電圧は、当該ゲートに接続された保持容量によりデータ信号が供給された期間よりも長い期間に亘って保持される。そして、このようにコンダクタンスが制御されるソース及びドレインを介して駆動電流を有機EL素子等に供給することにより、有機EL素子等を駆動電流に応じて駆動するように構成されている。
る電圧に対して、電流量が低下する劣化である。もう一つは、有機EL素子に印加される電圧或いは有機EL素子を流れる電流に対して発光量が低下する劣化である。また、これらの経時劣化は、有機EL素子毎にバラツキをもって発生する。更に、TFT−OELでは、駆動素子としてのTFTを流れる電流によりTFTの経時劣化が発生することもある。
より具体的には、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合には、図13に示した通りに、カレントTFT223と同じnチャネル型の第3の補正用TFT233は、そのゲート電極が有機EL素子224の第1給電線側の電極に接続され、ソース電極およびドレイン電極を保持容量222と第1給電線213間に接続されるように付加されている。この構成によれば、有機EL素子224の抵抗が増加すると、第3の補正用TFT233のゲート電圧が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。このため、カレントTFT223のゲート電圧が上昇して、そのソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
より具体的には、第1給電線213の電位が第2給電線215よりも高電位である場合には、図16に示した通りに、nチャネル型のカレントTFT223に対し、第2の補正用薄膜フォトダイオード242が、保持容量222と第2給電線215間に接続されている。この構成によれば、有機EL素子224の発光量が減少すると、第2の補正用薄膜フォトダイオード242の抵抗が増加する。このため、カレントTFT223は、そのゲート電圧が上昇され、ソース電極とドレイン電極間の抵抗が減少する。
なる。なお、本実施例では、有機EL素子224の発光に対するしきい値電圧の劣化も考慮されている。
次に、以上各実施例において詳細に説明した表示装置を備えた電子機器の実施例について図23から図26を参照して説明する。
、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが図23に示した電子機器の例として挙げられる。
222 保持容量、223 第1薄膜トランジスタ、224 発光素子、
231〜234 補正用薄膜ダイオード
Claims (14)
- 少なくともデータ信号が供給される信号配線並びに駆動電流を流すための電源が供給される第1及び第2給電線が設けられた表示装置の表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素の各々に設けられる画素回路であって、
前記第1及び第2給電線間に接続された電流駆動型の発光素子と、
前記第1及び第2給電線間に前記発光素子と直列に接続されたソース及びドレインを介して前記発光素子を流れる前記駆動電流を、ゲートに供給される前記データ信号の電圧に応じて制御する第1薄膜トランジスタ素子と、
前記発光素子の抵抗値の増大に基づいて変動する電圧値に基づいて、前記第1給電線と前記第2給電線との間の抵抗値を減少させて、前記駆動電流の低下を補償する駆動電流補償素子と、
を備えたことを特徴とする画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第2給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたnチャネル型の第1の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第2給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたpチャネル型の第1の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第2給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第1給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたpチャネル型の第2の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第2給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記発光素子と前記第1給電線との間に前記発光素子と直列に接続されたnチャネル型の第2の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 少なくともデータ信号が供給される信号配線並びに駆動電流を流すための電源が供給される第1及び第2給電線が設けられた表示装置の表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素の各々に設けられる画素回路であって、
前記第1及び第2給電線間に接続された電流駆動型の発光素子と、
前記第1及び第2給電線間に前記発光素子と直列に接続されたソース及びドレインを介して前記発光素子を流れる前記駆動電流を、ゲートに供給される前記データ信号の電圧に応じて制御する第1薄膜トランジスタ素子と、
前記第1薄膜トランジスタのゲートに接続されており、前記第1薄膜トランジスタのゲート電圧を保持する保持容量と、
前記発光素子の抵抗値の増大に基づいて変動する電圧値に基づいて、前記第1及び第2給電線の一方と前記保持容量との間の抵抗を減少または増加させて、前記駆動電流の電流量の低下を補償する駆動電流補償素子と、
を備えたことを特徴とする画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第1給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと同じn又はpチャネル型の第3の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項6に記載の画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第1給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと同じn又はpチャネル型の第3の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項6に記載の画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも高電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと反対のn又はpチャネル型の第4の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項6に記載の画素回路。 - 前記第1給電線の電位は、前記第2給電線よりも低電位に設定されており、
前記駆動電流補償素子は、ゲートが前記発光素子の前記第1給電線側の電極に接続され、ソース及びドレインが前記保持容量と前記第2給電線との間に接続された、前記第1薄膜トランジスタと反対のn又はpチャネル型の第4の補正用薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項6に記載の画素回路。 - 前記駆動電流補償素子は、前記第1薄膜トランジスタと同一の製造工程により形成されることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の画素回路。
- 前記信号配線は、前記データ信号が供給される信号線及び走査信号が供給される走査線を含み、
前記走査信号がゲートに供給されると共にソース及びドレインを介して前記データ信号が前記第1薄膜トランジスタのゲートに供給されるように接続された第2薄膜トランジスタを更に備えたことを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の画素回路。 - 請求項1乃至12のいずれかに記載の画素回路を画素毎に備えたことを特徴とする表示装置。
- 請求項13に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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