JP3983643B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing system - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置および該装置を装備する基板処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置として、例えば基板が載置される回転台の表面から少し浮かせた状態で基板を水平保持し、その基板の両主面のうち上方を向いた一方主面（上面）にフォトレジスト液、洗浄液、リンス液、エッチング液などの処理液を供給して上面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置が知られている。この基板処理装置では、基板が載置される回転台の上に複数個の基板支持ピンを立設し、これらの基板支持ピンで基板の端縁を位置決め保持している。そして、処理液の供給を受けた基板を回転させることで、その処理液が上面全体に広がり均一な表面処理が実行される。
【０００３】
このように従来装置では、基板が回転台の表面から少し浮いた状態で保持されるので、基板が回転台に当接して載置された場合に生じる基板の他方主面（下面）の損傷や汚染を避けることができる。しかしながら、その一方において、基板処理中に飛散した処理液のミストが基板の下面に回り込んで付着し、基板の下面が汚染されるという別異の問題が生じる。そこで、基板と回転台との間に上下移動部材を配設することで上記問題の解決を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１ 参照）。
【０００４】
この特許文献１に記載された基板処理装置では、ミストが発生する基板処理中においては、基板と回転台との間に配設されている上下移動部材が駆動手段によって上方（上昇位置）に駆動される。これによって、基板の下面と上下移動部材の上面の間隔が狭くなるので、発生したミストが基板の下面に回り込むのを防止する。また、ミストが発生しない状態、すなわち基板の搬入／搬出のために回転台が停止しているときには、上下移動部材が下方（下降位置）に駆動され、基板の下面と回転台との間隔が広くなる。その結果、搬送アーム等を使って容易に基板を搬送することができる。
【０００５】
【特許文献１ 】
特許第２８４５７３８号公報（第２−４ 頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板へのミストの回り込みは、基板の下面と上下移動部材の周縁との間に形成される隙間より生じるものである。したがって、この隙間とミストの回り込みとの間には重要な関係が存在する。しかしながら、特許文献１に記載の装置は上下移動部材を基板の下面に近接させることでミストの回込防止を図っているが、隙間の間隔については特段の考慮がなされていない。そのため、必ずしも十分な防止効果が得られるというものではなかった。
【０００７】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理中に発生したミストが基板の他方主面に付着することを効果的に防止して基板処理を良好に行うことができる基板処理装置および基板処理システムを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明は、基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、雰囲気遮断部材の周縁に配置され、基板の端面と当接して基板を支持する少なくとも３つ以上の支持部材を備えた基板支持手段と、基板支持手段により支持されている基板の他方主面に対向させながら基板に近設され、基板よりも小さな径を有する雰囲気遮断部材と、雰囲気遮断部材と基板との間に形成される微小空間に所定流量で雰囲気ガスを圧送するガス供給ユニットとを備え、基板支持手段は、基板の他方主面と、雰囲気遮断部材の周縁とで挟まれた微小隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．８ｍｍの範囲内で、しかも所定流量に対応する値で基板を支持して微小空間を基板の周囲よりも陽圧に保つことを特徴としている。
【０００９】
このように構成された発明では、雰囲気遮断部材が基板の他方主面と対向配置されているため、基板の他方主面が基板周囲のミスト飛散雰囲気から遮断されている。また、雰囲気遮断部材と基板とで挟まれた微小空間に雰囲気ガスが圧送されているため、この微小空間が雰囲気ガスで満たされるとともに、基板周囲（ミスト飛散雰囲気）よりも陽圧となり、基板の他方主面側へのミスト侵入が効果的に防止される。さらに、基板の他方主面と雰囲気遮断部材の周縁との間に形成される隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．８ｍｍとなっているので、基板支持手段により支持されている基板の姿勢を安定させたまま、上記隙間を介してミストが回り込むのを防止している。また、隙間の間隔を０．３ｍｍ〜０．８ｍｍに設定しているため、上記空間に送り込む雰囲気ガスの供給流量を抑えて基板姿勢をより安定して、かつ低ランニングコストで基板処理を行うことができる。
また、ガス供給ユニットは、２００リットル／分未満の所定流量で微小空間に雰囲気ガスを圧送するとしてもよい。
また、ガス供給ユニットは、２０リットル／分以上の所定流量で微小空間に雰囲気ガスを圧送し、基板支持手段は、微小隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲内で、しかも所定流量に対応する値で基板を支持するとしてもよい。
【００１０】
ここで、処理液が供給された基板を回転手段により回転させると、基板の一方主面上の処理液に対して遠心力が加わり、処理液を該一方主面全体に広げて均一な基板処理を行うことができる。このように基板を回転させる際、基板とともに雰囲気遮断部材を回転させるのが望ましい。特に、基板と雰囲気遮断部材とを同一回転数で回転させると、基板に対して余分な外力が作用するのを防止することができ、より良好な基板処理を行うことができる。
【００１１】
上記のようにして基板処理するためには、基板と雰囲気遮断部材とを上記した位置関係に保つのが望ましい。そのためには、例えば雰囲気遮断部材の周縁に少なくとも３つ以上の支持部材を基板支持手段として設け、各支持部材を基板の端面と当接させて基板を支持するのが好適である。
【００１２】
また、支持部材の各々と基板の端面との接触形態は、点接触または線接触させることができるが、特に線接触により基板を支持する接触面を支持部材に設けるのが望ましい。このように線接触により基板を支持した場合、点接触に比べて基板支持の安定化を図ることができ、好適である。また、その接触面の形状については、その幅が線接触部分の幅とほぼ同一であるように構成するのが望ましい。また、支持部材の各々については、線接触方向における幅が基板から離れるにしたがって減少する、あるいは同一となっているものを採用するのが望ましい。このような構成を採用することのメリットについては、後の「発明の実施の形態」の項で図面を参照しながら詳述する。
【００１３】
また、この発明にかかる基板処理システムは、上記目的を達成するため、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、処理ユニットに対して基板を搬送する搬送ユニットとを備えている。これによって基板の他方主面へのミスト付着を効果的に防止しながら、基板の一方主面に対して処理液による基板処理を確実に実行することができる。さらに、基板を反転させる反転ユニットをさらに備えると、必要に応じて基板を反転位置決めすることができ、基板処理システムの汎用性を高めることができる。
【００１４】
また、この発明は、基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、雰囲気遮断部材の周縁に配置され、基板の端面と線接触する接触面を有し、基板を支持する少なくとも３つ以上の支持部材を備え、接触面の幅が線接触部分の幅とほぼ同一である基板支持手段と、基板支持手段により支持されている基板の他方主面に対向させながら基板に近設された雰囲気遮断部材と、雰囲気遮断部材と基板との間に形成される微小空間に所定流量で雰囲気ガスを圧送するガス供給ユニットとを備え、基板支持手段は、基板の他方主面と、雰囲気遮断部材の周縁とで挟まれた微小隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．８ｍｍとなるように、基板を支持することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図２は、図１の基板処理装置を上方から見た部分平面図である。この基板処理装置では、半導体ウエハなどの基板Ｓの両主面のうち一方主面Ｓ1に対して純水や薬液などのリンス液が本発明の「処理液」として供給されて一方主面Ｓ1についてリンス処理が施される一方、他方主面Ｓ2についてはリンス処理中に発生するミストが付着するのを以下のようにして防止している。すなわち、この基板処理装置は、基板Ｓの一方主面Ｓ1のみに対して本発明の「基板処理」としてリンス処理を実行する装置である。
【００１６】
この基板処理装置は、基板Ｓよりも若干大きな平面サイズを有するスピンベース１を有している。このスピンベース１の上面には、基板Ｓよりも若干小さな平面サイズを有する雰囲気遮断部材２が固着されている。また、この雰囲気遮断部材２の周縁には、図２に示すように、８個の支持ピン３がほぼ等角度間隔で配置されている。そして、各支持ピン３が基板Ｓの端部と当接可能となっており、これら８個の支持ピン３によって基板Ｓを一方主面Ｓ1を上方に向けた状態で、かつ略水平状態で支持される。このように、この実施形態では、８個の支持ピン３が本発明の「基板支持手段」として機能しているが、基板支持手段の構成はこれに限定されるものではなく、基板をスピンベースから少し浮いた状態で支持するものであれば、如何なる構成のものを採用してもよい。なお、雰囲気遮断部材２と支持ピン３との構成および特徴点などについては後で詳述する。
【００１７】
また、支持ピン３により支持された基板Ｓが水平方向に移動するのを防止するために、４つの保持部材４ａ〜４ｄがスピンベース１の周縁に設けられている。これら４つの保持部材４ａ〜４ｄのうち保持部材４ａ、４ｂは基板Ｓと当接して保持する保持ピン４１Ａが固定された固定保持部材であるのに対し、保持部材４ｃ、４ｄは保持ピン４１Ｂが可動する可動保持部材である。
【００１８】
図３は保持部材の構成を示す図である。固定保持部材４ａ、４ｂでは、同図（ａ）に示すように、スピンベース１に対してウエイト４２が固定されるとともに、そのウエイト４２の上面に固定ピンホルダ４３が取り付けられている。そして、その固定ピンホルダ４３により固定保持ピン４１Ａが固定的に保持されている。
【００１９】
一方、可動保持部材４ｃ、４ｄでは、同図（ｂ）に示すように、スピンベース１に対してシャフト４４が軸受４５により回動軸心４６回りに回動自在に軸支されている。また、このシャフト４４の上端部に可動ピンホルダ４７が取り付けられるとともに、この可動ピンホルダ４７に可動保持ピン４１Ｂが回動軸心４６から偏心して取り付けられている。このため、装置全体を制御する制御ユニット（図示省略）からの動作信号に応じてマグネット４８が作動すると、このマグネット４８の電磁力を受けてシャフト４４と可動ピンホルダ４７が回動軸心４６回りに回動駆動される。その結果、保持ピン４１Ｂが回動軸心４６に対して偏心移動して基板Ｓの端面に対して離当接する。なお、同図（ｂ）は可動保持ピン４１Ｂが離間した状態を示しており、この状態で支持ピン３に対する基板Ｓの搬入出を行う。そして、基板Ｓが支持ピン３に載置された後、マグネット４８の作動により可動保持ピン４１Ｂを偏心移動させることで基板Ｓの側面と当接する基板保持位置まで位置決めする。これによって、可動保持ピン４１Ｂは基板Ｓを固定保持ピン４１Ａとで挟み込んで水平方向に保持する。このように、この実施形態では、８つの支持ピン３で基板Ｓを略水平状態に支持するとともに、４つの保持ピン４１Ａ、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｂで基板Ｓの水平方向の移動を規制している。
【００２０】
また、スピンベース１には、図１に示すように、本発明の「回転手段」に相当するモータ５１の出力回転軸５２が連結されており、モータ５１の作動に伴って回転する。これによって、スピンベース１の上方で支持ピン３および保持ピン４１Ａ、４１Ｂにより保持されている基板Ｓはスピンベース１および雰囲気遮断部材２とともに回転軸心１１回りに回転する。
【００２１】
こうして回転駆動される基板Ｓの一方主面Ｓ1に対してリンス液を供給すべく、リンス液供給ノズル６が雰囲気遮断部材２の斜め上方位置に配置されている。このリンス液供給ノズル６には、図示を省略するリンス液圧送ユニットが接続されている。そして、後述するようなタイミングでリンス液圧送ユニットからリンス液が圧送されてくると、リンス液供給ノズル６から支持ピン３により支持された基板Ｓの一方主面Ｓ1に向けて吐出される。また、こうしてリンス液が供給された基板Ｓを回転駆動すると、リンス液が遠心力により基板Ｓの一方主面Ｓ1の全体に広がり、リンス処理が実行される。このとき、基板Ｓから振り切られる液体を回収するために、スピンベース１を取り囲むようにカップ部７が設けられている。ここでは、基板Ｓからリンス液を振り切るためには、基板Ｓの回転数を下限回転数よりも高く設定する必要があり、この実施形態では基板Ｓたる半導体ウエハとリンス液たる純水との濡れ性を考慮して基板Ｓの回転数を３００ｒｐｍ以上に設定している。なお、「下限回転数」とは基板から処理液を振り切るために要する最低限の回転数を意味しており、基板の大きさや、基板の一方主面と処理液との濡れ性などに基づき定まる値である。
【００２２】
また、この実施形態では、支持ピン３により基板Ｓを支持しているため、基板Ｓと雰囲気遮断部材２との間隔が狭くなっている。このため、その隙間に搬送ロボットのアームなどを挿入することができない。そこで、リフト機構８を設け、以下の基板搬送、つまり、
・未処理基板Ｓの搬送ロボットからの受け取り、
・受け取った未処理基板Ｓの支持ピン３への載置、
・リンス処理を受けた処理済基板Ｓの支持ピン３からの受け取り、
・受け取った処理済基板Ｓの搬送ロボットへの引渡し
を行う。この実施形態では、リフト機構８は、上下方向に延びる６本のリフタピンスタンド８１と、各リフタピンスタンド８１の上端部に取り付けられた支持部８２と、それらのリフタピンスタンド８１の下端側でリフタピンスタンド８１を相互に連結する連結プレート８３と、連結プレート８３を上下方向に移動させるエアシリンダなどのアクチュエータ８４とを備えている。
【００２３】
そして、制御ユニットからの動作指令に応じてアクチュエータ８４が作動するのに応じて連結プレート８３が上方に移動すると、６本のリフタピンスタンド８１が一体的に上昇する。ここで、支持部８２が支持ピン３よりも高い位置まで移動すると、支持ピン３から基板Ｓを受け取る。このとき、支持部８２は支持ピン３に代わり基板Ｓの周縁部を支持する。また、その上限位置まで移動すると、図１に示すように、支持部８２が処理済基板Ｓを保持したまま、雰囲気遮断部材２から上方に離れた基板受渡し位置Ｐ81まで移動し、搬送ロボットに処理済基板Ｓの引渡しが可能となる。
【００２４】
また、この基板受渡し位置Ｐ81では、搬送ロボットから未処理基板Ｓを受け取ることが可能となっている。そして、未処理基板Ｓを受け取った後、制御ユニットからの動作指令に応じてアクチュエータ８４が逆方向に作動するのに応じて連結プレート８３が下方に移動すると、６本のリフタピンスタンド８１が一体的に下降する。ここで、支持部８２が支持ピン３よりも低い位置まで移動すると、支持ピン３に未処理基板Ｓが載置される。また、その下限位置Ｐ82まで移動すると、カップ部７よりも低い位置に収まり、リンス処理が可能となる。
【００２５】
この実施形態では、リフタピンスタンド８１および支持部８２がカップ部７と干渉するのを防止するために、カップ部７にはリフタピンスタンド８１および支持部８２が通過するための通過孔７１が設けられている。これに対応して通過孔７１の開閉を制御するシャッター８５が設けられている。すなわち、各通過孔７１の近傍にシャッター８５がカップ部７に対して回動軸心８６回りに回動自在に軸支されている。そして、図示を省略するシャッター用アクチュエータの作動に連動してシャッター８５が制御ユニットにより開閉制御される。このため、リンス処理中では、リフタピンスタンド８１および支持部８２がカップ部７よりも低い位置に収まるとともに、各通過孔７１はシャッター８５で塞がれて、カップ部７の内部雰囲気がリフト機構８に流れ込むのを確実に防止することができる。ここで、シャッター８５を開閉駆動するシャッター用アクチュエータとしては、エアシリンダ、ソレノイド、モータなどを用いていることができる。
【００２６】
さらに、この実施形態では、昇降機構９が設けられてカップ部７およびリフト機構８を一体的に昇降可能となっている。この昇降機構９は、リフト機構８のアクチュエータ８４とカップ部７とに連結された昇降テーブル９１を有している。また、この昇降テーブル９１には、複数本のエアシリンダなどのアクチュエータ９２が接続されている。このため、制御ユニットからの昇降指令に応じてアクチュエータ９２が作動すると、昇降テーブル９１が昇降駆動され、カップ部７およびリフト機構８が一体的に昇降移動する。例えば、図１はアクチュエータ９２により昇降テーブル９１が下限位置Ｐ92に移動した状態を示しており、基板Ｓの搬入出が可能となっている。また、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１が同図中の１点鎖線で示す上限位置Ｐ91に移動すると、この昇降テーブル９１の上昇移動に伴ってカップ部７およびリフト機構８が一体的に上昇してリンス処理が可能となる。図４は、そのリンス処理が可能な状態を示している。
【００２７】
このように構成された基板処理装置では、制御ユニットのメモリに予め記憶されているプログラムにしたがって制御ユニットが装置各部を制御して、未処理基板の搬入、リンス処理、および処理済基板の搬出を行う。
【００２８】
まず、昇降テーブル９１が下限位置Ｐ92に位置決めされた状態（図１）で、未処理基板Ｓの搬入が行われる（未処理基板の搬入）。具体的には、図示を省略するシャッター用アクチュエータの作動によりシャッター８５が開いた後、リフタ用アクチュエータ８４の作動によりリフタピンスタンド８１が上昇する。そして、基板受渡し位置Ｐ81で搬送ロボットから未処理基板Ｓを受け取ると、アクチュエータ８４が逆方向に作動して未処理基板Ｓの周縁部を支持部８２で支持しながらリフタピンスタンド８１が一体的に下降する。このため、支持部８２が支持ピン３よりも低い位置まで移動した時点で支持ピン３に未処理基板Ｓが載置される。これに続いて、可動保持部材４ｃ、４ｄの保持ピン４１Ｂが基板保持位置に移動して基板Ｓをしっかりと保持する。なお、リフタピンスタンド８１が下限位置Ｐ82まで移動すると、カップ部７よりも低い位置に収まると、シャッター８５を閉じる。
【００２９】
このシャッター８５の閉成から適当な時間が経過すると、カップ部７をリンス位置まで上昇させた後、リンス処理を実行する。すなわち、図４に示すように、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１を上限位置Ｐ91に移動させた後、リンス液供給ノズル６から支持ピン３により支持された基板Ｓの一方主面Ｓ1に向けてリンス液を吐出するとともに、モータ５１を作動させて基板Ｓを回転軸心１１回りに回転させる。これによってリンス処理が実行される（リンス処理）。
【００３０】
このリンス処理が完了すると、基板Ｓを回転させたままリンス液供給ノズル６からのリンス液の供給を停止して基板Ｓに付着する液体を振り切り、乾燥させる。そして、この回転乾燥処理が完了すると、モータ５１を停止させて基板Ｓを静止させる。さらに、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１を下限位置Ｐ92に移動させた後、シャッター８５の開成とともに、リフタ用アクチュエータ８４の作動によりリフタピンスタンド８１を上昇させる。これにより、支持部８２が支持ピン３よりも高い位置まで移動した時点で、支持ピン３から支持部８２に処理済基板Ｓが移載され、基板受渡位置Ｐ81に位置決めされる。そして、処理済基板Ｓが搬送ロボットに引渡され、装置から搬出される（処理済基板の搬出）。なお、基板搬出が行われると、上記と同様にして、リフタピンスタンド８１をカップ部７よりも低い位置に収めるとともに、シャッター８５を閉じる。
【００３１】
このような一連の動作を繰り返すことで複数の基板Ｓについて、一方主面Ｓ1に対するリンス処理を連続的に行うことができる。
【００３２】
次に、雰囲気遮断部材２の構成について、図１、図２および図５を参照しつつ詳述する。図５は雰囲気遮断部材の周縁付近の構成を示す図であり、同図（ａ）は支持ピン装着部位の近傍を示し、同図（ｂ）は支持ピン未装着部位の近傍を示している。雰囲気遮断部材２はスピンベース１の上面に設けられており、その上面２４を基板対向面として支持ピン３に支持された基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2に対向させながら基板Ｓから離間配置されている。この雰囲気遮断部材２は、円盤状の平板部材２１と、この平板部材２１の周囲を取り囲むように配置されたドーナツ状の円環部材２２とをボルト・ナットなどの締結部材２３で締結してなるものであり、既に上述したように全体の平面サイズは基板Ｓよりも若干小さくなっている。なお、このように平面サイズを設定している理由については後で詳述する。
【００３３】
また、この雰囲気遮断部材２の両主面のうち基板Ｓと対向する基板対向面２４では、基板Ｓの略中央部と対向する中央領域２４１は平面であり、基板Ｓの周縁部と対向する周縁領域２４２は基板対向面２４の周縁に向かうにしたがって基板Ｓに近接する傾斜面となっている。このため、基板Ｓと雰囲気遮断部材２とで挟まれた微小空間ＳＰは中央部で比較的広がっているものの、基板Ｓの周縁に向かう方向Ｒにしたがって徐々に狭まっており、雰囲気遮断部材２の周縁では基板Ｓと雰囲気遮断部材２との微小隙間ＣＬは微小間隔Ｄh、例えば０．３ｍｍ〜１ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍ〜０．８ｍｍとなっている。
【００３４】
以上のように、この実施形態では、雰囲気遮断部材２により基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2を基板Ｓの周囲、つまりミスト飛散雰囲気から遮断しており、リンス処理中に発生したミストが基板Ｓの他方主面Ｓ2側に侵入するのを防止することができる。
【００３５】
また、次に説明するように微小空間ＳＰをミスト飛散雰囲気（基板Ｓの周囲）よりも陽圧にすることでミスト侵入をさらに効果的に防止している。すなわち、この雰囲気遮断部材２の略中央部には、図１および図２に示すように、貫通孔２５が設けられている。この貫通孔２５は出力回転軸５２の中空部に配置された配管５３と接続されており、ガス供給ユニット１０から圧送されてくる窒素ガスや不活性ガスなどの雰囲気ガスが配管５３および貫通孔２５を介して微小空間ＳＰに送られる。これにより、微小空間ＳＰは雰囲気ガスで満たされてミスト飛散雰囲気よりも陽圧となり、基板Ｓの他方主面Ｓ2側へのミスト侵入が防止される。なお、この実施形態では、基板対向面２４はその周縁に向かう方向Ｒに進むにしたがって基板Ｓに近接しているため、貫通孔２５を介して圧送されてきた雰囲気ガスは微小空間ＳＰの周縁付近で圧縮されて圧力が上昇する。その結果、微小空間ＳＰの内圧は単に雰囲気ガスを供給した場合に比べて上昇し、基板Ｓの他方主面Ｓ2側へのミスト侵入がより効果的に防止される。
【００３６】
ここで、微小隙間ＣＬを例えば０．３ｍｍ〜０．５ｍｍに設定した場合、種々の実験やコンピュータ・シミュレーションなどによりミスト侵入を防止するために必要な雰囲気ガスの流量を求めたところ、その必要流量は２０（リットル／ｍｉｎ）以上であった。また、微小隙間ＣＬを例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍに設定した場合、同流量は１００（リットル／ｍｉｎ）以上であった。このように、微小隙間ＣＬが広がるのにつれて、雰囲気ガスの流量を高めればよいのであるが、２００（リットル／ｍｉｎ）以上の雰囲気ガスを供給した場合、基板Ｓが支持ピン３から浮き上がり、基板姿勢が不安定となってしまう。したがって、最大流量としては２００（リットル／ｍｉｎ）程度に止める必要があり、それに対応して微小隙間ＣＬを１ｍｍ以下に設定する必要がある。
【００３７】
一方、微小隙間ＣＬが狭くなると、雰囲気ガスの必要流量は少なくなるのであるが、０．３ｍｍ未満に設定すると、毛細管現象によりリンス液が空間ＳＰ内に侵入してしまう。したがって、微小隙間ＣＬを０．３ｍｍ以上に設定する必要がある。
【００３８】
このように、微小隙間ＣＬが間隔Ｄhが０．３ｍｍ〜１ｍｍとなるように構成することによって、支持ピン３により支持した基板Ｓの姿勢を安定させたまま、微小隙間ＣＬを介してミストが回り込むのを防止することができる。また、微小空間ＳＰに送り込む雰囲気ガスの供給流量を抑えて基板姿勢をより安定して、かつ低ランニングコストで基板処理を行うためには、隙間の間隔を０．３ｍｍ〜０．８ｍｍに設定するのが好ましく、さらに０．３ｍｍ〜０．５ｍｍに設定するのがさらに好適である。
【００３９】
さらに、基板対向面２４を上記のように形成したことで微小隙間ＣＬから噴出する雰囲気ガスの流速は高まり、ミストの飛散速度より速くなる。このことはミスト侵入の防止に有利に作用することとなり、基板Ｓの他方主面Ｓ2へのミスト付着の防止をより確実なものとすることができる。
【００４０】
ここで、雰囲気遮断部材２の平面サイズを基板Ｓよりも若干小さく設定している理由について図６を参照しつつ説明する。まず第１には、雰囲気遮断部材２が基板Ｓよりも大きな平面サイズを有している場合には、水平方向において雰囲気遮断部材２の周縁部が基板Ｓよりもはみ出してしまい、雰囲気遮断部材２の基板対向面２４の一部（傾斜面である周縁領域２４２）がミスト飛散雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。そのため、リンス処理中に発生するミストが周縁領域２４２で跳ね返り、基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2側に飛散してしまう。これに対し、雰囲気遮断部材２の平面サイズを基板Ｓと同一またはそれよりも小さく設定することでミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。この観点のみからいえば、雰囲気遮断部材２を基板Ｓと同一サイズに設定してもよい。
【００４１】
しかしながら、基板Ｓには特殊形状が施されている場合が多く、これを考慮して雰囲気遮断部材２の平面サイズを設定するのが望ましい。例えば基板Ｓとしての半導体ウエハには、図６に示すように、ウエハ面内の結晶学的基準方位を示すためのノッチＮＴが形成されている。したがって、雰囲気遮断部材２を基板Ｓと同一サイズに設定した場合、同図（ａ）に示すように、ノッチＮＴを介して雰囲気遮断部材２の基板対向面２４の一部（周縁領域２４２）がミスト飛散雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。そのため、リンス処理中に発生するミストが周縁領域２４２で跳ね返り、基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ2側に飛散してしまう。これに対し、同図（ｂ）に示すように径方向ＲにおけるノッチＮＴの幅Ｗntだけ雰囲気遮断部材２の平面サイズを小さくすると、ミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。したがって、この点を考慮すると、雰囲気遮断部材２の平面サイズをノッチＮＴの幅Ｗnt以上分だけ基板Ｓよりも小さく設定するのが好ましい。
【００４２】
なお、雰囲気遮断部材２の平面サイズの下限値については、基板Ｓの他方主面Ｓ2の表面状態に応じて設定すればよい。すなわち、他方主面Ｓ2のうちミスト付着を確実に防止しなければならない被保護領域は基板中央部分であるため、雰囲気遮断部材２の周縁が被保護領域の外側に位置するという条件を満足する範囲内で平面サイズの下限値を設定することができる。
【００４３】
また、基板ＳのノッチＮＴの影響を防止するためには、同図（ｃ）に示すように、基板ＳのノッチＮＴに対応して雰囲気遮断部材２の周縁にノッチ２６を形成するとともに、基板ＳのノッチＮＴと雰囲気遮断部材２のノッチ２６とが対向するように配置した状態のままリンス処理を実行するように構成してもよい。こうすることで、同図（ｂ）の場合と同様に、ミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。
【００４４】
さらに、上記したようにリフト機構８のリフタピンスタンド８１および支持部８２が雰囲気遮断部材２を通過して上昇するため、これを考慮して雰囲気遮断部材２の平面サイズを設定するのが望ましい。例えば雰囲気遮断部材２がリフタピンスタンド８１および支持部８２の移動経路と干渉しないように、雰囲気遮断部材２の平面サイズを小さく設定することができる。また、一部を切り欠くように形成することができる。
【００４５】
次に、支持ピンの構成について図５（ａ）、図７および図８を参照しつつ説明する。支持ピン３は、図５（ａ）に示すように、雰囲気遮断部材２の周縁から径方向Ｒに距離Ｄr、例えば０ｍｍ〜１ｍｍだけ突出して設けられている。そして、基板Ｓ側を向いた傾斜支持面３１が基板Ｓの端面と当接することで基板Ｓを支持している。このように、この実施形態では支持ピン３が本発明の「支持部材」に相当しており、本発明の「接触面」である傾斜支持面３１上で基板Ｓの端面と線接触して微小隙間ＣＬが所定の間隔Ｄhとなるように基板Ｓを支持している。
【００４６】
また、傾斜支持面３１の幅Ｗ31は基板Ｓの端面と接触する線接触部分３２の幅Ｗ32とほぼ同一となっている。このため、次のような作用効果が得られる。すなわち、図５（ａ）や図７に示すように支持ピン３の一部が雰囲気遮断部材２の周縁から径方向Ｒに突出している場合、その傾斜支持面３１の一部がミスト飛散雰囲気に露出し、ミストがその露出領域で跳ね返る。ここで、この種の技術分野では、従来、点接触での基板支持が多用されており、例えば図８（ａ）に示すように点接触で基板Ｓを支持することも考えられる。しかしながら、この基板支持では、基板Ｓと支持ピン３との間に隙間が形成されてしまい、傾斜支持面３１の露出領域で跳ね返ったミストが隙間を介して基板Ｓの他方主面（下面）側に侵入してしまうことがある。これに対し、本実施形態では傾斜支持面３１の幅Ｗ31が線接触部分３２の幅Ｗ32とほぼ同一となっているため、上記隙間は発生しない。したがって、傾斜支持面３１の露出領域で跳ね返ったミストが基板Ｓの他方主面（下面）側に侵入するのを確実に防止することができる。
【００４７】
なお、ここでは基板Ｓの端面と線接触する方向Ｑにおける傾斜支持面３１の幅Ｗqが一定値Ｗ31（＝Ｗ32）となるように支持ピン３を構成しているが、支持ピン３の形状についてはこれに限定されるものではなく、幅Ｗqが基板Ｓから離れる、つまり径方向Ｒに進むしたがって減少するように構成してもよく、これによって上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４８】
また、上記においては、基板Ｓとの間で隙間を発生させないための支持ピン３の構成について説明したが、保持ピン４１Ａ、４１Ｂについても全く同様のことがいえる。すなわち、上記実施形態では図３に示すように円柱状の保持ピン４１Ａ、４１Ｂを用いているが、基板Ｓとの間で隙間を発生させないためには、例えば図９に示すような形状の保持ピンを用いるのが望ましい。すなわち、基板Ｓの端面と線接触する方向Ｑにおける保持ピン４１の幅Ｗqが線接触部位４９の幅Ｗ49と同じ（同図（ａ））、または基板Ｓから離れる、つまり径方向Ｒに進むしたがって減少する（同図（ｂ）〜（ｄ））ように、保持ピン４１を構成することができる。なお、本願発明者が種々の実験やコンピュータ・シミュレーションなどを行ったところ、以下の形状・寸法の保持ピンを用いるのが好ましいことがわかった。
【００４９】
(1)保持ピン４１Ａ、４１Ｂとしてはφ１〜３ｍｍの円柱体を用いるのが好ましい。というのも、直径が３ｍｍを超えると、保持ピン４１Ａ、４１Ｂへのリンス液の衝突量が増大してミスト飛散量が多くなる。また。保持ピン４１Ａ、４１Ｂと基板Ｓとの隙間が大きくなり、基板Ｓの他方主面（下面）側にミストが侵入するからである。一方、直径が１ｍｍ未満となると、物理的な強度が不足して基板Ｓの保持が不安定となるからである。
【００５０】
(2)同図（ａ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの直方体が好ましい。というのも、幅Ｗ49が４ｍｍを超えると、保持ピン４１へのリンス液の衝突量が増大してミスト飛散量が多くなるからである。一方、直径が１ｍｍ未満となると、物理的な強度が不足して基板Ｓの保持が不安定となるからである。
【００５１】
(3)同図（ｂ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの半円または半楕円柱体が好ましい。これは上記(2)と同様の理由からである。
【００５２】
(4)同図（ｃ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの三角柱体が好ましい。これは上記(2)と同様の理由からである。
【００５３】
(5)同図（ｄ）の保持ピン４１としては基板Ｓとの線接触部分４９の幅Ｗ49が１ｍｍ〜４ｍｍで、方向Ｒの長さＬ41が１ｍｍ〜５ｍｍの四角柱体が好ましい。これは上記(2)と同様の理由からである。
【００５４】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、中央領域２４１と周縁領域２４２とからなる基板対向面２４を有する雰囲気遮断部材２を用いているが、基板対向面の形状はこれに限定されるものではなく、例えば図１０に示すように、その周縁に向かうにしたがって基板に近接する基板対向面２４を有する雰囲気遮断部材２を用いることができる。すなわち、同図（ａ）の雰囲気遮断部材２では、基板Ｓの略中央部から比較的離れた平面状の中央領域２４１と、基板Ｓの周縁部に比較的近接した平面状の周縁領域２４３とで基板対向面２４が形成されている。また、同図（ｂ）の雰囲気遮断部材２では、基板Ｓの略中央部から比較的離れた平面状の中央領域２４１と、基板Ｓの周縁部に比較的近接した傾斜面状の周縁領域２４４とで基板対向面２４が形成されている。さらに、同図（ｃ）の雰囲気遮断部材２では、基板Ｓの略中央部から比較的離れた平面状の中央領域２４１と、基板Ｓの周縁に行くにしたがって急激に基板Ｓに近接する曲面２４５とで基板対向面２４が形成されている。
【００５５】
また、上記実施形態では、基板対向面２４の略中央部分を平面状の中央領域２４１としているが、略中央部においても周縁に向けて徐々に基板Ｓに近接するように構成してもよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、平板部材２１と円環部材２２とを締結部材２３で締結することで雰囲気遮断部材２を構成しているが、３つ以上の部材により雰囲気遮断部材を構成したり、逆に一の部材により雰囲気遮断部材を構成するようにしてもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、その周縁に向かうにしたがって基板に近接する基板対向面２４を有する雰囲気遮断部材２を用いた基板処理装置に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、雰囲気遮断部材を基板の他方主面に近設させて雰囲気遮断する基板処理装置全般に適用することができる。例えば特許文献１に記載されているように平板状の上下移動部材（本発明の「雰囲気遮断部材」に相当）を用いた基板処理装置に対しても本発明を適用することができる。すなわち、上下移動部材と基板との間に形成される微小空間に雰囲気ガスを供給するとともに、基板の他方主面（下面）と上下移動部材の周縁との隙間の間隔が０．３ｍｍ〜１ｍｍとなるように構成することで上記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００５８】
また、上記実施形態では、スピンベース１上に雰囲気遮断部材２を設けているが、スピンベース１を本発明の「雰囲気遮断部材」として機能するように構成してもよい。この場合、スピンベース１の周縁と基板Ｓの他方主面Ｓ2との間に隙間の間隔が０．３ｍｍ〜１ｍｍとなるように構成すればよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、基板にリンス液を供給してリンス処理する基板処理装置に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、基板の一方主面に処理液を供給して所定の基板処理を行う基板処理装置全般に適用することができる。そして、本発明を適用することで基板処理中に発生したミストが基板の他方主面に付着することを効果的に防止して基板処理を良好に行うことができる。特に、超音波振動を印加した処理液を用いる基板処理装置、気体と液体との混合物を処理液として用いる基板処理装置、あるいは高圧処理液を基板の一方主面に供給する基板処理装置などではミスト発生量が比較的多いため、これらの基板処理装置に本発明を適用することは、基板の他方主面へのミスト付着を防止する上で非常に効果的である。
【００６０】
また、この発明にかかる基板処理装置を単体で使用してもよいが、他の基板処理を実行する基板処理装置、基板を搬送する搬送ユニットやインデクサ部などと組み合わせて基板処理システムを構築してもよい。その一例として、例えば図１１に示す基板処理システムがある。以下、図１１および図１２を参照しつつ、この発明にかかる基板処理システムの一実施形態について説明する。
【００６１】
図１１はこの発明にかかる基板処理システムの一実施形態を示す図である。この基板処理システムは、収容容器１１０に収容されている基板Ｓを取出し、その基板の裏面（回路が形成されていない面）に対してリンス処理を施した後、再び収容容器１１０に戻すシステムである。
【００６２】
この基板処理システムでは、図１１に示すように上手側(図１１の左側)にインデクサ部ＩＤが設けられる一方、インデクサ部ＩＤの下手側（図１１の右手側）に基板Ｓの裏面（本発明の「一方主面」に相当）に対してリンス処理を施すプロセス部ＰＰが設けられている。
【００６３】
このインデクサ部ＩＤでは、基板Ｓを収容するための収容容器１１０が４個Ｘ方向に一列で配置されるとともに、その配列方向Ｘに沿って従来より多用されている基板搬送ロボット１２０が移動し、一の収容容器１１０に収容されているリンス処理前の基板Ｓを取り出してプロセス部ＰＰに搬送したり、プロセス部ＰＰからリンス処理済の基板Ｓを受け取って収容容器１１０に収容する。なお以下の説明便宜のために、各図には、上下方向Ｚと、収容容器１１０の配列方向Ｘとに直交する方向を「Ｙ方向」とするＸＹＺ直角座標軸が示されている。
【００６４】
インデクサ部ＩＤの（＋Ｙ）側に配置されたプロセス部ＰＰでは、その略中央部にセンターロボット２００が配置されている。このセンターロボット２００については従来より多用されている基板搬送ロボットと同一構成を有するものを用いることができ、本発明の「搬送ユニット」として機能する。また、このセンターロボット２００の周囲に、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄおよび反転ユニット４００が配設されている。なお、ここでは、本発明の「処理ユニット」に相当する裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄについての説明は省略する。
【００６５】
図１２は、図１１の基板処理システムに設けられた反転ユニットの構成を示す図であり、同図（ａ）は反転ユニットを上方より見た平面図であり、同図（ｂ)は同図（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。この反転ユニット４００はセンターロボット２００との間で基板Ｓを受渡すための一対の基板チャック４０１、４０１を有している。この基板チャック対４０１、４０１は互いに対向して離間配置されている。また、各基板チャック４０１はロータリーシリンダ４０２のロッド４０３の先端部に取付けられており、ロッド４０３のＸ方向移動に伴いＸ方向に移動し、またロッド４０３の回転動作に伴いロッド４０３回りに１８０゜回転する。
【００６６】
このため、相互に離間している基板チャック対４０１、４０１の間に未処理の基板Ｓがインデクサ部ＩＤの基板搬送ロボット１２０とセンターロボット２００によって搬送されてくると、両ロッド４０３が伸長して同図に示すように基板チャック対４０１、４０１が基板Ｓを挟持した後、センターロボット２００が退避する。そして、両ロッド４０３が１８０゜回転する。これによって、収容容器１１０からそのままローディングされた状態、つまり回路などが形成された表面（本発明の「他方主面」に相当）Ｓ2を上方に向けた状態で搬送されてきた基板Ｓは反転されてフェースダウン状態となり、基板Ｓの裏面Ｓ1が上方を向いた状態となる。そして、このフェースダウン状態のまま反転ユニット４００は基板Ｓをセンターロボット２００に受け渡す。
【００６７】
一方、裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄからフェースダウン状態のままセンターロボット２００により、リンス処理済の基板Ｓが反転ユニット４００に搬送されてくると、未処理基板Ｓに対する反転動作と同様にして、リンス処理済基板Ｓを反転させる。これによって、基板Ｓはフェースアップ状態、つまり回路などが形成された表面Ｓ2を上方に向けた状態に戻る。そして、反転ユニット４００はこの基板Ｓを基板搬送ロボット１２０に受け渡す。
【００６８】
このように構成された基板処理システムに対して、基板表面Ｓ2を上方に向けた状態で複数枚の基板Ｓを収容した収容容器１１０がＡＧＶ(automated guided vehicle)等の運搬装置によりインデクサ部ＩＤに搬送されてくると、以下のようにして各基板Ｓに対して裏面洗浄を行う。ここでは、１枚の基板Ｓに着目して該システムの動作について説明する。
【００６９】
まず、基板搬送ロボット１２０が収容容器１１０からフェースアップ状態のまま基板Ｓを取出し、センターロボット２００に受け渡した後、このセンターロボット２００が基板Ｓを反転ユニット４００に搬送する（ローディング）。そして、この基板Ｓを受けた反転ユニット４００は、基板Ｓを反転させた後、フェースダウン状態でセンターロボット２００に受け渡す。このセンターロボット２００は４つの裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄの一に搬入する。
【００７０】
センターロボット２００から未処理基板Ｓを受け取った裏面洗浄ユニットは、上記した実施形態にかかる基板処理装置と同一動作を実行して基板Ｓの裏面Ｓ1をリンス処理する（裏面洗浄）。このとき、上記基板処理装置と同様に、雰囲気遮断部材２により基板Ｓの表面（他方主面）Ｓ2をミスト飛散雰囲気から遮断するとともに、微小空間ＳＰをミスト飛散雰囲気（基板Ｓの周囲）よりも陽圧にし、しかも微小隙間ＣＬから噴出する雰囲気ガスの流速を高めているので、リンス処理中に発生したミストが基板Ｓの表面Ｓ2に付着するのを効果的に防止することができる。つまり、基板Ｓの表面Ｓ2へのミスト付着を確実に防止しながら、基板Ｓの裏面Ｓ1のみをリンス処理することができ、良好な裏面洗浄を行うことができる。
【００７１】
裏面洗浄が完了すると、センターロボット２００が処理済の基板Ｓを受け取り、反転ユニット４００に搬送する。そして、この反転ユニット４００により基板Ｓをフェースアップ状態にした後、この基板Ｓをセンターロボット２００が受け取り、さらに基板搬送ロボット１２０に受け渡した後、この基板搬送ロボット１２０が収容容器１１０に戻す（アンローディング）。
【００７２】
なお、この実施形態にかかる基板処理システムでは、「処理ユニット」として４つの裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄを装備しているが、その個数や配置などについては任意である。また、基板処理システムとしては、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、該処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットとを少なくとも設けているものであれば、上記作用効果が得られる。したがって、処理ユニットおよび搬送ユニット以外に、他のユニットを追加して基板処理システムを構築するようにしてもよい。
【００７３】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、雰囲気遮断部材を基板の他方主面と対向配置することで基板の他方主面を基板周囲のミスト飛散雰囲気から遮断している。また、雰囲気遮断部材と基板とで挟まれた微小空間に雰囲気ガスを圧送するため、この微小空間が雰囲気ガスで満たされるとともに、基板周囲（ミスト飛散雰囲気）よりも陽圧となり、基板の他方主面側へのミスト侵入が効果的に防止される。さらに、基板の他方主面と雰囲気遮断部材の周縁との間に形成される微小隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．８ｍｍとなるように構成しているので、基板支持手段により支持されている基板の姿勢を安定させたまま、上記微小隙間を介してミストが回り込むのを防止することができ、良好な基板処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置を上方から見た部分平面図である。
【図３】保持部材の構成を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置のリンス動作を示す図である。
【図５】雰囲気遮断部材の周縁付近の構成を示す図である。
【図６】基板のノッチと雰囲気遮断部材との関係を示す図である。
【図７】支持ピンを示す図である。
【図８】支持ピンの傾斜支持面で跳ね返されるミストの飛散状況を示す模式図である。
【図９】保持ピンの変形態様を示す図である。
【図１０】雰囲気遮断部材の変形態様を示す図である。
【図１１】この発明にかかる基板処理システムの一実施形態を示す図である。
【図１２】図１１の基板処理システムに設けられた反転ユニットの構成を示す図である。
【符号の説明】
２…雰囲気遮断部材
３…支持ピン（支持部材、基板支持手段）
１０…ガス供給ユニット
３１…傾斜支持面（接触面）
３２…線接触部分
５１…モータ（回転手段）
２００…センターロボット（搬送ユニット）
３００Ａ〜３００Ｄ…裏面洗浄ユニット（処理ユニット）
４００…反転ユニット
ＣＬ…微小隙間
Ｑ…（線接触）方向
Ｒ…（径）方向
Ｓ1…（基板の）一方主面
Ｓ2…（基板の）他方主面
Ｓ…基板
ＳＰ…微小空間[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, a processing liquid is supplied to one main surface of various substrates (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, and an optical disk substrate. The present invention also relates to a substrate processing apparatus that performs a predetermined substrate processing on the one main surface and a substrate processing system equipped with the apparatus.
[0002]
[Prior art]
As this type of substrate processing apparatus, for example, the substrate is horizontally held in a state of being slightly lifted from the surface of the turntable on which the substrate is placed, and on one main surface (upper surface) facing upward of both main surfaces of the substrate. 2. Description of the Related Art There is known a substrate processing apparatus that supplies a processing liquid such as a photoresist liquid, a cleaning liquid, a rinsing liquid, and an etching liquid to perform a predetermined substrate processing on an upper surface. In this substrate processing apparatus, a plurality of substrate support pins are erected on a turntable on which a substrate is placed, and the edge of the substrate is positioned and held by these substrate support pins. Then, by rotating the substrate that has been supplied with the processing liquid, the processing liquid spreads over the entire upper surface and a uniform surface treatment is performed.
[0003]
As described above, in the conventional apparatus, since the substrate is held in a state of being slightly lifted from the surface of the turntable, damage to the other main surface (lower surface) of the substrate that occurs when the substrate is placed in contact with the turntable, Contamination can be avoided. On the other hand, however, another problem arises in that the mist of the processing solution scattered during the substrate processing wraps around and adheres to the lower surface of the substrate, and the lower surface of the substrate is contaminated. In view of this, a technique for solving the above problem by arranging a vertically moving member between the substrate and the turntable has been proposed (for example, see Patent Document 1).
[0004]
In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, during the substrate processing in which mist is generated, the vertically moving member disposed between the substrate and the turntable is driven upward (upward position) by the driving means. Is done. As a result, the distance between the lower surface of the substrate and the upper surface of the vertically moving member is narrowed, so that the generated mist is prevented from flowing around the lower surface of the substrate. Further, when the mist is not generated, that is, when the turntable is stopped for loading / unloading the substrate, the vertical movement member is driven downward (down position), and the distance between the lower surface of the substrate and the turntable is wide. Become. As a result, the substrate can be easily transferred using a transfer arm or the like.
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 2845737 (page 2-4, FIG. 1)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Incidentally, the mist wraps around the substrate is caused by a gap formed between the lower surface of the substrate and the peripheral edge of the vertical movement member. Therefore, there is an important relationship between this gap and the mist wraparound. However, the device described in Patent Document 1 attempts to prevent the mist from entering by bringing the vertically moving member close to the lower surface of the substrate, but no special consideration is given to the gap interval. Therefore, a sufficient prevention effect is not always obtained.
[0007]
The present invention has been made in view of the above problems, and can effectively prevent the mist generated during processing from adhering to the other main surface of the substrate and perform the substrate processing satisfactorily. An object is to provide a processing system.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to one main surface of a substrate and performing a predetermined substrate processing on the one main surface, and is arranged at the periphery of an atmosphere blocking member to achieve the above object. A substrate supporting means having at least three or more supporting members for supporting the substrate in contact with the end surface of the substrate, and being placed close to the substrate while facing the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means. And an atmosphere blocking member having a smaller diameter than the substrate, and a gas supply unit that pumps the atmospheric gas at a predetermined flow rate in a minute space formed between the atmosphere blocking member and the substrate. The space between the minute gaps sandwiched between the other main surface and the periphery of the atmosphere blocking member is within a range of 0.3 mm to 0.8 mm, and the substrate is supported at a value corresponding to a predetermined flow rate to form a minute space. Keep positive pressure than the surroundings It is characterized in that.
[0009]
In the invention configured as described above, since the atmosphere blocking member is disposed to face the other main surface of the substrate, the other main surface of the substrate is blocked from the mist scattering atmosphere around the substrate. In addition, since the atmospheric gas is pumped into the minute space sandwiched between the atmosphere blocking member and the substrate, the minute space is filled with the atmospheric gas and becomes a positive pressure than the surroundings of the substrate (mist scattering atmosphere). On the other hand, mist intrusion to the main surface side is effectively prevented. Further, since the gap formed between the other main surface of the substrate and the periphery of the atmosphere blocking member is 0.3 mm to 0.8 mm, the posture of the substrate supported by the substrate supporting means can be changed. The mist is prevented from turning around through the gap while being stabilized. Also, since the set width of the gap to 0.3 mm to 0.8 mm, more stably substrate posture by suppressing the supply flow rate of the atmosphere gas fed to the space, and carrying out the substrate processing at a low running cost Can do .
Further, the gas supply unit may pump atmospheric gas into the minute space at a predetermined flow rate of less than 200 liters / minute.
The gas supply unit pumps atmospheric gas into the minute space at a predetermined flow rate of 20 liters / minute or more, and the substrate support means has a minute gap interval of 0.3 mm to 0.5 mm and a predetermined flow rate. The substrate may be supported with a value corresponding to.
[0010]
Here, when the substrate to which the processing liquid is supplied is rotated by the rotating means, a centrifugal force is applied to the processing liquid on one main surface of the substrate, and the processing liquid is spread over the entire main surface to perform uniform substrate processing. It can be performed. When rotating the substrate in this way, it is desirable to rotate the atmosphere blocking member together with the substrate. In particular, when the substrate and the atmosphere blocking member are rotated at the same rotational speed, it is possible to prevent an excessive external force from acting on the substrate and to perform better substrate processing.
[0011]
In order to process the substrate as described above, it is desirable to maintain the positional relationship between the substrate and the atmosphere blocking member. For this purpose, for example, it is preferable that at least three or more support members are provided as substrate support means on the periphery of the atmosphere blocking member, and each support member is brought into contact with the end surface of the substrate to support the substrate.
[0012]
Further, the contact form between each of the support members and the end face of the substrate can be point contact or line contact, but it is particularly desirable to provide a contact surface for supporting the substrate by line contact on the support member. When the substrate is supported by line contact in this way, the substrate support can be stabilized compared to point contact, which is preferable. Further, the shape of the contact surface is preferably configured such that the width is substantially the same as the width of the line contact portion. In addition, it is desirable to employ a support member whose width in the line contact direction decreases or becomes the same as the distance from the substrate. The merits of adopting such a configuration will be described in detail in the following “Embodiments of the Invention” section with reference to the drawings.
[0013]
In order to achieve the above object, a substrate processing system according to the present invention transports a substrate to a processing unit having the same configuration as the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 and the processing unit. And a transport unit. Accordingly, it is possible to reliably execute the substrate processing with the processing liquid on the one main surface of the substrate while effectively preventing the mist from adhering to the other main surface of the substrate. Furthermore, if the reversing unit for reversing the substrate is further provided, the substrate can be reversed and positioned as necessary, and the versatility of the substrate processing system can be improved.
[0014]
Further, the present invention supplies a process liquid on one main surface of the substrate The substrate processing apparatus for performing a predetermined substrate processing on said one main surface, in order to achieve the above object, the periphery of the atmosphere blocking member And a substrate support means having a contact surface in line contact with the end surface of the substrate , comprising at least three or more support members for supporting the substrate , wherein the width of the contact surface is substantially the same as the width of the line contact portion. The atmosphere blocking member is provided near the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means, and the atmosphere gas is supplied at a predetermined flow rate into a minute space formed between the atmosphere blocking member and the substrate. The substrate support means includes a gas supply unit that pumps the substrate so that a gap between the other main surface of the substrate and the periphery of the atmosphere blocking member is 0.3 mm to 0.8 mm. It is characterized by supporting.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a partial plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 as viewed from above. In this substrate processing apparatus, a rinsing liquid such as pure water or a chemical solution is supplied to one main surface S1 of both main surfaces of the substrate S such as a semiconductor wafer as the “processing liquid” of the present invention, and the one main surface S1 is supplied. While the rinsing process is performed, the mist generated during the rinsing process is prevented from adhering to the other main surface S2. That is, this substrate processing apparatus is an apparatus that executes a rinsing process on only one main surface S1 of the substrate S as the “substrate processing” of the present invention.
[0016]
The substrate processing apparatus has a spin base 1 having a slightly larger planar size than the substrate S. An atmosphere blocking member 2 having a slightly smaller planar size than the substrate S is fixed to the upper surface of the spin base 1. Further, as shown in FIG. 2, eight support pins 3 are arranged at substantially equal angular intervals on the periphery of the atmosphere blocking member 2. Each support pin 3 can come into contact with the end of the substrate S, and the eight support pins 3 support the substrate S in a state where one main surface S1 faces upward and in a substantially horizontal state. Is done. As described above, in this embodiment, the eight support pins 3 function as the “substrate support means” of the present invention, but the configuration of the substrate support means is not limited to this, and the substrate is spin-based. Any structure may be adopted as long as it is supported in a slightly floating state. The configuration and characteristic points of the atmosphere blocking member 2 and the support pin 3 will be described in detail later.
[0017]
Further, four holding members 4 a to 4 d are provided on the periphery of the spin base 1 in order to prevent the substrate S supported by the support pins 3 from moving in the horizontal direction. Among these four holding members 4a to 4d, the holding members 4a and 4b are fixed holding members to which holding pins 41A that are held in contact with the substrate S are fixed, whereas the holding members 4c and 4d are holding pins 41B. A movable holding member that is movable.
[0018]
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the holding member. In the fixed holding members 4a and 4b, a weight 42 is fixed to the spin base 1 and a fixed pin holder 43 is attached to the upper surface of the weight 42 as shown in FIG. And the fixed holding pin 41A is fixedly held by the fixed pin holder 43.
[0019]
On the other hand, in the movable holding members 4c and 4d, a shaft 44 is pivotally supported by a bearing 45 so as to be rotatable around a rotation axis 46 with respect to the spin base 1 as shown in FIG. A movable pin holder 47 is attached to the upper end portion of the shaft 44, and a movable holding pin 41 </ b> B is attached to the movable pin holder 47 so as to be eccentric from the rotation axis 46. Therefore, when the magnet 48 is actuated in response to an operation signal from a control unit (not shown) for controlling the entire apparatus, the shaft 44 and the movable pin holder 47 are rotated around the rotation axis 46 by receiving the electromagnetic force of the magnet 48. It is rotated. As a result, the holding pin 41 </ b > B moves eccentrically with respect to the rotation axis 46 and comes into contact with and separate from the end surface of the substrate S. FIG. 2B shows a state in which the movable holding pins 41B are separated from each other, and the substrate S is carried into and out of the support pins 3 in this state. Then, after the substrate S is placed on the support pins 3, the movable holding pin 41 </ b> B is moved eccentrically by the operation of the magnet 48, thereby positioning the substrate S to the substrate holding position where it contacts the side surface of the substrate S. Thus, the movable holding pin 41B sandwiches the substrate S with the fixed holding pin 41A and holds it in the horizontal direction. Thus, in this embodiment, the substrate S is supported in a substantially horizontal state by the eight support pins 3, and the horizontal movement of the substrate S is regulated by the four holding pins 41A, 41A, 41B, and 41B. .
[0020]
Further, as shown in FIG. 1, an output rotation shaft 52 of a motor 51 corresponding to the “rotating means” of the present invention is connected to the spin base 1, and the spin base 1 rotates with the operation of the motor 51. As a result, the substrate S held by the support pins 3 and the holding pins 41 </ b> A and 41 </ b> B above the spin base 1 rotates around the rotation axis 11 together with the spin base 1 and the atmosphere blocking member 2.
[0021]
The rinse liquid supply nozzle 6 is disposed obliquely above the atmosphere blocking member 2 so as to supply the rinse liquid to the one main surface S1 of the substrate S thus rotationally driven. The rinsing liquid supply nozzle 6 is connected to a rinsing liquid pressure feeding unit (not shown). When the rinsing liquid is pumped from the rinsing liquid pumping unit at the timing described later, the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid supply nozzle 6 toward the one main surface S1 of the substrate S supported by the support pins 3. Further, when the substrate S to which the rinsing liquid is supplied is rotationally driven in this way, the rinsing liquid spreads over the entire one main surface S1 of the substrate S by centrifugal force, and the rinsing process is executed. At this time, in order to collect the liquid shaken off from the substrate S, the cup portion 7 is provided so as to surround the spin base 1. Here, in order to shake off the rinsing liquid from the substrate S, it is necessary to set the rotation speed of the substrate S higher than the lower limit rotation speed. In this embodiment, wetting between the semiconductor wafer as the substrate S and the pure water as the rinsing liquid. In consideration of the characteristics, the rotation speed of the substrate S is set to 300 rpm or more. “Lower limit rotation speed” means the minimum rotation speed required to shake off the processing liquid from the substrate, and is determined based on the size of the substrate and the wettability between the one main surface of the substrate and the processing liquid. Value.
[0022]
Moreover, in this embodiment, since the board | substrate S is supported by the support pin 3, the space | interval of the board | substrate S and the atmosphere shielding member 2 is narrow. For this reason, the arm of the transfer robot cannot be inserted into the gap. Therefore, a lift mechanism 8 is provided, and the following substrate conveyance, that is,
・ Receiving the unprocessed substrate S from the transfer robot,
-Placement of the received unprocessed substrate S on the support pins 3,
・ Receiving the processed substrate S that has undergone the rinsing process from the support pins 3,
-Deliver the received processed substrate S to the transfer robot. In this embodiment, the lift mechanism 8 includes six lifter pin stands 81 extending in the vertical direction, a support portion 82 attached to the upper end portion of each lifter pin stand 81, and the lower end side of the lifter pin stand 81. A connection plate 83 that connects the lifter pin stands 81 to each other and an actuator 84 such as an air cylinder that moves the connection plate 83 in the vertical direction are provided.
[0023]
Then, when the connecting plate 83 moves upward in response to the operation of the actuator 84 in response to an operation command from the control unit, the six lifter pin stands 81 are raised integrally. Here, when the support portion 82 moves to a position higher than the support pins 3, the substrate S is received from the support pins 3. At this time, the support portion 82 supports the peripheral portion of the substrate S instead of the support pins 3. Further, when it moves to the upper limit position, as shown in FIG. 1, the support portion 82 moves to the substrate delivery position P81 far from the atmosphere blocking member 2 while holding the processed substrate S, and the processing is performed by the transfer robot. The delivered substrate S can be delivered.
[0024]
Further, at this substrate delivery position P81, it is possible to receive the unprocessed substrate S from the transfer robot. Then, after receiving the unprocessed substrate S, when the connecting plate 83 moves downward in response to the actuator 84 operating in the reverse direction in response to an operation command from the control unit, the six lifter pin stands 81 are integrated. Descent. Here, when the support portion 82 moves to a position lower than the support pin 3, the unprocessed substrate S is placed on the support pin 3. Moreover, if it moves to the lower limit position P82, it will settle in the position lower than the cup part 7, and a rinse process will be attained.
[0025]
In this embodiment, in order to prevent the lifter pin stand 81 and the support portion 82 from interfering with the cup portion 7, the cup portion 7 is provided with a passage hole 71 through which the lifter pin stand 81 and the support portion 82 pass. It has been. Correspondingly, a shutter 85 for controlling the opening and closing of the passage hole 71 is provided. That is, in the vicinity of each passing hole 71, the shutter 85 is pivotally supported around the rotation axis 86 with respect to the cup portion 7. The shutter 85 is controlled to be opened and closed by the control unit in conjunction with the operation of a shutter actuator (not shown). For this reason, during the rinsing process, the lifter pin stand 81 and the support portion 82 are placed at a position lower than the cup portion 7, and each passing hole 71 is closed by the shutter 85, so that the internal atmosphere of the cup portion 7 is lifted by the lift mechanism. 8 can be reliably prevented. Here, as a shutter actuator for opening and closing the shutter 85, an air cylinder, a solenoid, a motor, or the like can be used.
[0026]
Furthermore, in this embodiment, the raising / lowering mechanism 9 is provided and the cup part 7 and the lift mechanism 8 can be raised / lowered integrally. The lifting mechanism 9 has a lifting table 91 connected to the actuator 84 of the lift mechanism 8 and the cup portion 7. The lift table 91 is connected to a plurality of actuators 92 such as air cylinders. For this reason, when the actuator 92 is actuated in accordance with an elevation command from the control unit, the elevation table 91 is driven to move up and down, and the cup portion 7 and the lift mechanism 8 are moved up and down integrally. For example, FIG. 1 shows a state in which the lifting table 91 is moved to the lower limit position P92 by the actuator 92, and the substrate S can be loaded and unloaded. Further, when the lifting table 91 is moved to the upper limit position P91 indicated by the one-dot chain line in the drawing by the actuator 92, the cup portion 7 and the lift mechanism 8 are integrally lifted and moved as the lifting table 91 moves upward. Processing is possible. FIG. 4 shows a state where the rinsing process is possible.
[0027]
In the substrate processing apparatus configured as described above, the control unit controls each part of the apparatus in accordance with a program stored in advance in the memory of the control unit, so that unprocessed substrates are loaded, rinsed, and processed substrates are unloaded. Do.
[0028]
First, in a state where the lifting table 91 is positioned at the lower limit position P92 (FIG. 1), the unprocessed substrate S is loaded (unprocessed substrate is loaded). Specifically, after the shutter 85 is opened by the operation of a shutter actuator (not shown), the lifter pin stand 81 is raised by the operation of the lifter actuator 84. When the unprocessed substrate S is received from the transfer robot at the substrate transfer position P81, the actuator 84 operates in the reverse direction to support the peripheral portion of the unprocessed substrate S with the support portion 82, and the lifter pin stand 81 is integrated. Descend. For this reason, the unprocessed substrate S is placed on the support pin 3 when the support portion 82 moves to a position lower than the support pin 3. Following this, the holding pins 41B of the movable holding members 4c and 4d move to the substrate holding position to hold the substrate S firmly. When the lifter pin stand 81 moves to the lower limit position P82, the shutter 85 is closed when the lifter pin stand 81 is positioned lower than the cup portion 7.
[0029]
When an appropriate time elapses after the shutter 85 is closed, the cup portion 7 is raised to the rinse position, and then the rinse process is executed. That is, as shown in FIG. 4, after the lifting table 91 is moved to the upper limit position P91 by the actuator 92, the rinsing liquid is directed from the rinsing liquid supply nozzle 6 toward the one main surface S1 of the substrate S supported by the support pins 3. And the motor 51 is operated to rotate the substrate S around the rotation axis 11. Thereby, the rinsing process is executed (rinsing process).
[0030]
When this rinsing process is completed, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid supply nozzle 6 is stopped while the substrate S is rotated, and the liquid adhering to the substrate S is shaken off and dried. When this rotary drying process is completed, the motor 51 is stopped and the substrate S is stopped. Further, after the lift table 91 is moved to the lower limit position P92 by the actuator 92, the lifter pin stand 81 is raised by opening the shutter 85 and operating the lifter actuator 84. Thereby, when the support part 82 moves to a position higher than the support pin 3, the processed substrate S is transferred from the support pin 3 to the support part 82 and positioned at the substrate delivery position P81. Then, the processed substrate S is delivered to the transfer robot and is unloaded from the apparatus (unloading of the processed substrate). When the substrate is carried out, the lifter pin stand 81 is placed at a position lower than the cup portion 7 and the shutter 85 is closed in the same manner as described above.
[0031]
By repeating such a series of operations, the rinsing process for the main surface S1 can be continuously performed on the plurality of substrates S.
[0032]
Next, the configuration of the atmosphere blocking member 2 will be described in detail with reference to FIGS. 1, 2, and 5. FIGS. 5A and 5B are diagrams showing the configuration near the periphery of the atmosphere blocking member, where FIG. 5A shows the vicinity of the support pin mounting site, and FIG. 5B shows the vicinity of the support pin non-mounted site. The atmosphere blocking member 2 is provided on the upper surface of the spin base 1 and is spaced apart from the substrate S while facing the other main surface (lower surface) S2 of the substrate S supported by the support pins 3 with the upper surface 24 as the substrate facing surface. Has been. The atmosphere blocking member 2 is formed by fastening a disc-shaped flat plate member 21 and a donut-shaped annular member 22 arranged so as to surround the flat plate member 21 with fastening members 23 such as bolts and nuts. As described above, the overall planar size is slightly smaller than the substrate S. The reason why the plane size is set in this way will be described in detail later.
[0033]
Further, in the substrate facing surface 24 that faces the substrate S of both the main surfaces of the atmosphere blocking member 2, the central region 241 that faces the substantially central portion of the substrate S is a flat surface, and the peripheral edge that faces the peripheral portion of the substrate S. The region 242 is an inclined surface that is closer to the substrate S toward the periphery of the substrate facing surface 24. For this reason, although the minute space SP sandwiched between the substrate S and the atmosphere blocking member 2 is relatively wide at the central portion, it is gradually narrowed in the direction R toward the peripheral edge of the substrate S. At the periphery, the minute gap CL between the substrate S and the atmosphere blocking member 2 is a minute distance Dh, for example, 0.3 mm to 1 mm, preferably 0.3 mm to 0.8 mm.
[0034]
As described above, in this embodiment, the atmosphere blocking member 2 blocks the other main surface (lower surface) S2 of the substrate S from the periphery of the substrate S, that is, the mist scattering atmosphere, and the mist generated during the rinsing process is removed from the substrate. It is possible to prevent the S from entering the other main surface S2 side.
[0035]
Further, as described below, the mist intrusion is further effectively prevented by setting the minute space SP to a positive pressure rather than the mist scattering atmosphere (around the substrate S). That is, a through hole 25 is provided in the substantially central portion of the atmosphere blocking member 2 as shown in FIGS. The through hole 25 is connected to a pipe 53 disposed in a hollow portion of the output rotating shaft 52, and atmospheric gas such as nitrogen gas or inert gas fed from the gas supply unit 10 is sent to the pipe 53 and the through hole 25. To the micro space SP. As a result, the minute space SP is filled with the atmospheric gas and becomes a positive pressure than the mist scattering atmosphere, and mist intrusion to the other main surface S2 side of the substrate S is prevented. In this embodiment, since the substrate facing surface 24 is closer to the substrate S as it goes in the direction R toward the periphery thereof, the atmospheric gas fed through the through hole 25 is near the periphery of the minute space SP. The pressure rises due to compression. As a result, the internal pressure of the minute space SP rises compared to when the atmospheric gas is simply supplied, and mist intrusion to the other main surface S2 side of the substrate S is more effectively prevented.
[0036]
Here, when the minute gap CL is set to, for example, 0.3 mm to 0.5 mm, the flow rate of the atmospheric gas necessary for preventing the mist intrusion by various experiments and computer simulations is obtained. Was 20 (liters / min) or more. Further, when the minute gap CL was set to 0.5 mm to 1 mm, for example, the same flow rate was 100 (liters / min) or more. Thus, the flow rate of the atmospheric gas may be increased as the minute gap CL increases. However, when the atmospheric gas of 200 (liter / min) or more is supplied, the substrate S is lifted from the support pins 3 and the substrate posture is increased. Becomes unstable. Therefore, the maximum flow rate needs to be stopped at about 200 (liter / min), and the minute gap CL needs to be set to 1 mm or less correspondingly.
[0037]
On the other hand, when the minute gap CL is narrowed, the required flow rate of the atmospheric gas is reduced. However, when it is set to less than 0.3 mm, the rinse liquid enters the space SP due to a capillary phenomenon. Therefore, it is necessary to set the minute gap CL to 0.3 mm or more.
[0038]
In this way, by configuring the minute gap CL so that the distance Dh is 0.3 mm to 1 mm, the mist turns around through the minute gap CL while the posture of the substrate S supported by the support pins 3 is stabilized. Can be prevented. Further, in order to suppress the supply flow rate of the atmospheric gas sent into the minute space SP and perform the substrate processing more stably and at a low running cost, the gap interval is set to 0.3 mm to 0.8 mm. Is more preferable, and it is more preferable to set the thickness to 0.3 mm to 0.5 mm.
[0039]
Furthermore, by forming the substrate facing surface 24 as described above, the flow velocity of the atmospheric gas ejected from the minute gap CL increases, and becomes faster than the mist scattering rate. This has an advantageous effect on prevention of mist intrusion, and can more reliably prevent mist from adhering to the other main surface S2 of the substrate S.
[0040]
Here, the reason why the plane size of the atmosphere blocking member 2 is set slightly smaller than the substrate S will be described with reference to FIG. First, when the atmosphere blocking member 2 has a larger planar size than the substrate S, the peripheral edge of the atmosphere blocking member 2 protrudes beyond the substrate S in the horizontal direction, and the atmosphere blocking member 2 A part of the substrate facing surface 24 (peripheral region 242 which is an inclined surface) is exposed to the mist scattering atmosphere (around the substrate). Therefore, mist generated during the rinsing process bounces off at the peripheral region 242 and scatters to the other main surface (lower surface) S2 side of the substrate S. On the other hand, by setting the plane size of the atmosphere blocking member 2 to be the same as or smaller than that of the substrate S, the substrate facing surface 24 is not exposed to the mist scattering atmosphere, and the above problem can be solved. From only this point of view, the atmosphere blocking member 2 may be set to the same size as the substrate S.
[0041]
However, the substrate S is often given a special shape, and it is desirable to set the plane size of the atmosphere blocking member 2 in consideration of this. For example, a semiconductor wafer as the substrate S is provided with a notch NT for indicating a crystallographic reference orientation in the wafer surface, as shown in FIG. Therefore, when the atmosphere blocking member 2 is set to the same size as the substrate S, a part (peripheral region 242) of the substrate facing surface 24 of the atmosphere blocking member 2 is notched through the notch NT as shown in FIG. It will be exposed to the mist scattering atmosphere (around the substrate). Therefore, mist generated during the rinsing process bounces off at the peripheral region 242 and scatters to the other main surface (lower surface) S2 side of the substrate S. On the other hand, if the plane size of the atmosphere blocking member 2 is reduced by the width Wnt of the notch NT in the radial direction R as shown in FIG. 5B, the substrate facing surface 24 is not exposed to the mist scattering atmosphere, and the above problem is caused. Can be eliminated. Therefore, considering this point, it is preferable to set the planar size of the atmosphere blocking member 2 smaller than the substrate S by the width Wnt or more of the notch NT.
[0042]
The lower limit value of the planar size of the atmosphere blocking member 2 may be set according to the surface state of the other main surface S2 of the substrate S. That is, since the protected area in the other main surface S2 that must prevent mist adhesion is the central portion of the substrate, the range satisfying the condition that the periphery of the atmosphere blocking member 2 is located outside the protected area. The lower limit of the plane size can be set.
[0043]
In order to prevent the influence of the notch NT of the substrate S, a notch 26 is formed on the periphery of the atmosphere blocking member 2 corresponding to the notch NT of the substrate S as shown in FIG. You may comprise so that the rinse process may be performed in the state arrange | positioned so that the notch NT of S and the notch 26 of the atmosphere interruption | blocking member 2 may oppose. By doing so, similarly to the case of FIG. 5B, the exposure of the substrate facing surface 24 to the mist scattering atmosphere is eliminated, and the above problem can be solved.
[0044]
Further, as described above, the lifter pin stand 81 and the support portion 82 of the lift mechanism 8 rise through the atmosphere blocking member 2, and therefore it is desirable to set the plane size of the atmosphere blocking member 2 in consideration of this. For example, the planar size of the atmosphere blocking member 2 can be set small so that the atmosphere blocking member 2 does not interfere with the movement path of the lifter pin stand 81 and the support portion 82. Moreover, it can form so that a part may be notched.
[0045]
Next, the structure of the support pin will be described with reference to FIGS. 5 (a), 7 and 8. FIG. As shown in FIG. 5A, the support pin 3 is provided so as to protrude from the periphery of the atmosphere blocking member 2 in the radial direction R by a distance Dr, for example, 0 mm to 1 mm. The inclined support surface 31 facing the substrate S is in contact with the end surface of the substrate S to support the substrate S. As described above, in this embodiment, the support pin 3 corresponds to the “support member” of the present invention, and is in line contact with the end surface of the substrate S on the inclined support surface 31 which is the “contact surface” of the present invention. The substrate S is supported so that the gap CL is a predetermined distance Dh.
[0046]
Further, the width W31 of the inclined support surface 31 is substantially the same as the width W32 of the line contact portion 32 that contacts the end surface of the substrate S. For this reason, the following effects are obtained. That is, when a part of the support pin 3 protrudes in the radial direction R from the periphery of the atmosphere blocking member 2 as shown in FIG. 5A and FIG. 7, a part of the inclined support surface 31 is in a mist scattering atmosphere. Exposed and the mist bounces back in the exposed area. Here, in this type of technical field, conventionally, substrate support by point contact is frequently used. For example, as shown in FIG. 8A, it is conceivable to support the substrate S by point contact. However, in this substrate support, a gap is formed between the substrate S and the support pins 3, and the mist bounced off in the exposed region of the inclined support surface 31 is on the other main surface (lower surface) side of the substrate S through the gap. May invade. On the other hand, in this embodiment, since the width W31 of the inclined support surface 31 is substantially the same as the width W32 of the line contact portion 32, the gap is not generated. Therefore, it is possible to reliably prevent the mist bounced off in the exposed region of the inclined support surface 31 from entering the other main surface (lower surface) side of the substrate S.
[0047]
Here, the support pin 3 is configured such that the width Wq of the inclined support surface 31 in the direction Q in line contact with the end surface of the substrate S is a constant value W31 (= W32). Is not limited to this, and the width Wq may be configured to decrease from the substrate S, that is, to decrease in accordance with the progress in the radial direction R, whereby the same effect as that of the above embodiment can be obtained. .
[0048]
In the above description, the configuration of the support pin 3 for preventing a gap from being generated with the substrate S has been described. However, the same applies to the holding pins 41A and 41B. That is, in the above embodiment, the cylindrical holding pins 41A and 41B are used as shown in FIG. 3, but in order not to generate a gap with the substrate S, for example, the holding shown in FIG. It is desirable to use pins. That is, the width Wq of the holding pin 41 in the direction Q in line contact with the end surface of the substrate S is the same as the width W49 of the line contact portion 49 (FIG. 5A), or away from the substrate S, that is, in the radial direction R. The holding pin 41 can be configured so as to decrease ((b) to (d) in the figure). In addition, when this inventor performed various experiment, computer simulation, etc., it turned out that it is preferable to use the holding pin of the following shapes and dimensions.
[0049]
(1) It is preferable to use a cylindrical body having a diameter of 1 to 3 mm as the holding pins 41A and 41B. This is because if the diameter exceeds 3 mm, the amount of rinsing liquid colliding with the holding pins 41A and 41B increases and the amount of mist scattering increases. Also. This is because the gap between the holding pins 41A and 41B and the substrate S becomes large, and mist enters the other main surface (lower surface) side of the substrate S. On the other hand, if the diameter is less than 1 mm, the physical strength is insufficient and the holding of the substrate S becomes unstable.
[0050]
(2) The holding pin 41 in FIG. 5A is preferably a rectangular parallelepiped having a width W49 of the line contact portion 49 with the substrate S of 1 mm to 4 mm and a length L41 in the direction R of 1 mm to 5 mm. This is because when the width W49 exceeds 4 mm, the amount of the rinsing liquid colliding with the holding pin 41 increases and the amount of mist scattering increases. On the other hand, if the diameter is less than 1 mm, the physical strength is insufficient and the holding of the substrate S becomes unstable.
[0051]
(3) As the holding pin 41 in FIG. 4B, a semicircular or semi-elliptical cylinder having a width W49 of the line contact portion 49 with the substrate S of 1 mm to 4 mm and a length L41 of the direction R of 1 mm to 5 mm is used. preferable. This is for the same reason as in (2) above.
[0052]
(4) As the holding pin 41 in FIG. 5C, a triangular prism body in which the width W49 of the line contact portion 49 with the substrate S is 1 mm to 4 mm and the length L41 in the direction R is 1 mm to 5 mm is preferable. This is for the same reason as in (2) above.
[0053]
(5) As the holding pin 41 in FIG. 4D, a rectangular column body in which the width W49 of the line contact portion 49 with the substrate S is 1 mm to 4 mm and the length L41 in the direction R is 1 mm to 5 mm is preferable. This is for the same reason as in (2) above.
[0054]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the atmosphere blocking member 2 having the substrate facing surface 24 including the central region 241 and the peripheral region 242 is used. However, the shape of the substrate facing surface is not limited to this, and for example, FIG. As shown in FIG. 10, it is possible to use the atmosphere blocking member 2 having the substrate facing surface 24 that is close to the substrate toward the periphery. That is, in the atmosphere blocking member 2 in FIG. 5A, a planar central region 241 relatively far from the substantially central portion of the substrate S, and a planar peripheral region 243 relatively close to the peripheral portion of the substrate S A substrate facing surface 24 is formed. Further, in the atmosphere blocking member 2 in FIG. 2B, a planar central region 241 that is relatively far from the substantially central portion of the substrate S and an inclined peripheral region 244 that is relatively close to the peripheral portion of the substrate S. A substrate facing surface 24 is formed. Furthermore, in the atmosphere blocking member 2 in FIG. 5C, the flat central region 241 relatively far from the substantially central portion of the substrate S and the curved surface 245 that abruptly approaches the substrate S toward the periphery of the substrate S. A substrate facing surface 24 is formed.
[0055]
Moreover, in the said embodiment, although the substantially center part of the board | substrate opposing surface 24 is made into the planar center area | region 241, you may comprise so that it may approach to the board | substrate S gradually toward a periphery also in a substantially center part.
[0056]
In the above embodiment, the atmosphere blocking member 2 is configured by fastening the flat plate member 21 and the annular member 22 with the fastening member 23, but the atmosphere blocking member is configured by three or more members. Conversely, the atmosphere blocking member may be constituted by one member.
[0057]
Moreover, in the said embodiment, although this invention is applied with respect to the substrate processing apparatus using the atmosphere interruption | blocking member 2 which has the board | substrate opposing surface 24 which adjoins a board | substrate as it goes to the periphery, Application object of this invention However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to any substrate processing apparatus in which an atmosphere blocking member is placed close to the other main surface of the substrate to block the atmosphere. For example, as described in Patent Document 1, the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus using a flat plate-like vertical moving member (corresponding to the “atmosphere blocking member” of the present invention). That is, the atmospheric gas is supplied to a minute space formed between the vertical movement member and the substrate, and the gap between the other main surface (lower surface) of the substrate and the peripheral edge of the vertical movement member is 0.3 mm to 1 mm. By configuring as described above, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.
[0058]
In the above embodiment, the atmosphere blocking member 2 is provided on the spin base 1. However, the spin base 1 may be configured to function as the “atmosphere blocking member” of the present invention. In this case, what is necessary is just to comprise so that the space | interval of a clearance gap may be 0.3 mm-1 mm between the periphery of the spin base 1 and the other main surface S2 of the board | substrate S. FIG.
[0059]
In the above embodiment, the present invention is applied to a substrate processing apparatus that supplies a rinsing liquid to a substrate to perform rinsing processing. However, the application target of the present invention is not limited to this, and On the other hand, the present invention can be applied to all substrate processing apparatuses that supply a processing liquid to the main surface and perform predetermined substrate processing. By applying the present invention, it is possible to effectively prevent the mist generated during the substrate processing from adhering to the other main surface of the substrate and perform the substrate processing satisfactorily. In particular, in a substrate processing apparatus that uses a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied, a substrate processing apparatus that uses a mixture of gas and liquid as a processing liquid, or a substrate processing apparatus that supplies a high-pressure processing liquid to one main surface of a substrate, etc. Since the amount of generation is relatively large, applying the present invention to these substrate processing apparatuses is very effective in preventing mist from adhering to the other main surface of the substrate.
[0060]
Further, the substrate processing apparatus according to the present invention may be used alone, but a substrate processing system is constructed in combination with a substrate processing apparatus that performs other substrate processing, a transport unit that transports a substrate, an indexer unit, and the like. Also good. One example is a substrate processing system shown in FIG. Hereinafter, an embodiment of a substrate processing system according to the present invention will be described with reference to FIGS. 11 and 12.
[0061]
FIG. 11 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing system according to the present invention. This substrate processing system is a system in which the substrate S accommodated in the container 110 is taken out, subjected to a rinsing process on the back surface (surface on which no circuit is formed) of the substrate, and then returned to the container 110 again. is there.
[0062]
In this substrate processing system, as shown in FIG. 11, an indexer part ID is provided on the upper side (left side in FIG. 11), while the lower side (right hand side in FIG. 11) of the indexer part ID is on the back surface (the present invention). The process unit PP is provided for performing a rinsing process on the “one main surface” of FIG.
[0063]
In the indexer ID, four storage containers 110 for storing the substrates S are arranged in a row in the X direction, and the substrate transport robot 120 that has been frequently used in the past moves along the arrangement direction X. The substrate S before the rinsing process stored in one storage container 110 is taken out and transferred to the process unit PP, or the rinsed substrate S is received from the process unit PP and stored in the storage container 110. For convenience of explanation below, each drawing shows an XYZ rectangular coordinate axis in which the direction perpendicular to the vertical direction Z and the arrangement direction X of the storage container 110 is the “Y direction”.
[0064]
In the process unit PP disposed on the (+ Y) side of the indexer unit ID, the center robot 200 is disposed at a substantially central portion thereof. As the center robot 200, a robot having the same configuration as that of a conventionally used substrate transfer robot can be used, and functions as the “transfer unit” of the present invention. Further, back surface cleaning units 300 </ b> A to 300 </ b> D and a reversing unit 400 having the same configuration as that of the substrate processing apparatus according to the above embodiment are disposed around the center robot 200. Here, description of the back surface cleaning units 300A to 300D corresponding to the “processing unit” of the present invention is omitted.
[0065]
FIG. 12 is a diagram showing the configuration of the reversing unit provided in the substrate processing system of FIG. 11. FIG. 12 (a) is a plan view of the reversing unit as viewed from above, and FIG. It is the DD sectional view taken on the line of (a). The reversing unit 400 has a pair of substrate chucks 401 and 401 for delivering the substrate S to and from the center robot 200. The substrate chuck pairs 401 and 401 are spaced apart from each other. Each substrate chuck 401 is attached to the tip end of the rod 403 of the rotary cylinder 402, moves in the X direction as the rod 403 moves in the X direction, and 180 ° around the rod 403 as the rod 403 rotates. Rotate.
[0066]
For this reason, when the unprocessed substrate S is transported between the pair of substrate chucks 401 and 401 that are spaced apart from each other by the substrate transport robot 120 and the center robot 200 of the indexer ID, both rods 403 extend. As shown in the figure, after the substrate chuck pair 401, 401 holds the substrate S, the center robot 200 retreats. Then, both rods 403 rotate 180 °. As a result, the substrate S that has been loaded from the storage container 110 as it is, that is, the substrate S that has been transported with the surface (corresponding to the “other main surface” of the present invention) S2 on which the circuit is formed facing upward is reversed. Thus, the face down state occurs, and the back surface S1 of the substrate S faces upward. Then, the reversing unit 400 delivers the substrate S to the center robot 200 in the face-down state.
[0067]
On the other hand, when the rinsed substrate S is transferred from the back surface cleaning units 300A to 300D to the reversing unit 400 by the center robot 200 in the face-down state, the rinsing process is performed in the same manner as the reversing operation for the untreated substrate S. The finished substrate S is inverted. As a result, the substrate S returns to the face-up state, that is, the state in which the surface S2 on which the circuit or the like is formed faces upward. Then, the reversing unit 400 delivers the substrate S to the substrate transport robot 120.
[0068]
With respect to the substrate processing system configured as described above, the storage container 110 storing a plurality of substrates S with the substrate surface S2 facing upward is used as an indexer unit ID by a transport device such as an AGV (automated guided vehicle). When transported, backside cleaning is performed on each substrate S as follows. Here, the operation of the system will be described focusing on a single substrate S.
[0069]
First, after the substrate transfer robot 120 takes out the substrate S from the container 110 in the face-up state and delivers it to the center robot 200, the center robot 200 transfers the substrate S to the reversing unit 400 (loading). Then, the reversing unit 400 that has received the substrate S inverts the substrate S and then delivers it to the center robot 200 in a face-down state. The center robot 200 is carried into one of the four back surface cleaning units 300A to 300D.
[0070]
The back surface cleaning unit that has received the unprocessed substrate S from the central robot 200 performs the same operation as the substrate processing apparatus according to the above-described embodiment to rinse the back surface S1 of the substrate S (back surface cleaning). At this time, similarly to the substrate processing apparatus, the atmosphere blocking member 2 blocks the surface (the other main surface) S2 of the substrate S from the mist scattering atmosphere, and the micro space SP from the mist scattering atmosphere (around the substrate S). Since the positive pressure is set and the flow rate of the atmospheric gas ejected from the minute gap CL is increased, it is possible to effectively prevent the mist generated during the rinsing process from adhering to the surface S2 of the substrate S. That is, only the back surface S1 of the substrate S can be rinsed while reliably preventing mist from adhering to the front surface S2 of the substrate S, and good back surface cleaning can be performed.
[0071]
When the back surface cleaning is completed, the center robot 200 receives the processed substrate S and transports it to the reversing unit 400. After the substrate S is brought into a face-up state by the reversing unit 400, the central robot 200 receives the substrate S, and further transfers it to the substrate transport robot 120. Then, the substrate transport robot 120 returns to the storage container 110 (an Loading).
[0072]
In the substrate processing system according to this embodiment, four back surface cleaning units 300A to 300D are equipped as “processing units”, but the number and arrangement thereof are arbitrary. In addition, if the substrate processing system is provided with at least a processing unit having the same configuration as the substrate processing apparatus according to the above embodiment and a transport unit for transporting the substrate to the processing unit, the above-described effects can be obtained. can get. Therefore, in addition to the processing unit and the transfer unit, other units may be added to construct the substrate processing system.
[0073]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the other main surface of the substrate is blocked from the mist scattering atmosphere around the substrate by disposing the atmosphere blocking member so as to face the other main surface of the substrate. In addition, since the atmospheric gas is pumped into the minute space sandwiched between the atmosphere blocking member and the substrate, the minute space is filled with the atmospheric gas, and the positive pressure is higher than that around the substrate (mist scattering atmosphere). Mist penetration into the surface is effectively prevented. Furthermore, since it is comprised so that the space | interval of the micro clearance gap formed between the other main surface of a board | substrate and the periphery of an atmosphere shielding member may be 0.3 mm- 0.8 mm, it is supported by the board | substrate support means. It is possible to prevent the mist from flowing through the minute gap while keeping the posture of the substrate being stable, and it is possible to perform a good substrate processing.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a partial plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 as viewed from above.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a holding member.
4 is a view showing a rinsing operation of the substrate processing apparatus of FIG. 1; FIG.
FIG. 5 is a view showing a configuration near the periphery of an atmosphere blocking member.
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a notch of a substrate and an atmosphere blocking member.
FIG. 7 is a view showing a support pin.
FIG. 8 is a schematic diagram showing a scattering state of mist bounced off by an inclined support surface of a support pin.
FIG. 9 is a view showing a deformation mode of the holding pin.
FIG. 10 is a view showing a modified embodiment of the atmosphere blocking member.
FIG. 11 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing system according to the present invention.
12 is a diagram showing a configuration of a reversing unit provided in the substrate processing system of FIG. 11. FIG.
[Explanation of symbols]
2 ... Atmosphere blocking member 3 ... Support pin (support member, substrate support means)
10 ... gas supply unit 31 ... inclined support surface (contact surface)
32 ... Line contact portion 51 ... Motor (rotating means)
200 ... Center robot (conveyance unit)
300A to 300D ... Back surface cleaning unit (processing unit)
400 ... reversing unit CL ... minute gap Q ... (line contact) direction R ... (diameter) direction S1 ... one main surface S2 ... (substrate) other main surface S ... substrate SP ... minute space

Claims (11)

基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、
前記雰囲気遮断部材の周縁に配置され、前記基板の端面と当接して前記基板を支持する少なくとも３つ以上の支持部材を備えた基板支持手段と、
前記基板支持手段により支持されている前記基板の他方主面に対向させながら前記基板に近設され、前記基板よりも小さな径を有する雰囲気遮断部材と、
前記雰囲気遮断部材と前記基板との間に形成される微小空間に所定流量で雰囲気ガスを圧送するガス供給ユニットとを備え、
前記基板支持手段は、前記基板の他方主面と、前記雰囲気遮断部材の周縁とで挟まれた微小隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．８ｍｍの範囲内で、しかも前記所定流量に対応する値で前記基板を支持して前記微小空間を前記基板の周囲よりも陽圧に保つことを特徴とする基板処理装置。In a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to one main surface of a substrate and performing a predetermined substrate processing on the one main surface,
A substrate support means provided with at least three or more support members disposed on the periphery of the atmosphere blocking member and supporting the substrate in contact with an end surface of the substrate;
An atmosphere blocking member which is provided close to the substrate while facing the other main surface of the substrate supported by the substrate support means and has a smaller diameter than the substrate ;
A gas supply unit that pumps atmospheric gas at a predetermined flow rate into a minute space formed between the atmosphere blocking member and the substrate;
The substrate support means corresponds to the predetermined flow rate within a range of a minute gap between the other main surface of the substrate and the periphery of the atmosphere blocking member within a range of 0.3 mm to 0.8 mm. A substrate processing apparatus, wherein the substrate is supported by a value and the minute space is maintained at a positive pressure rather than the periphery of the substrate. 前記ガス供給ユニットは、２００リットル／分未満の前記所定流量で前記微小空間に前記雰囲気ガスを圧送する請求項１記載の基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the gas supply unit pumps the atmospheric gas into the minute space at the predetermined flow rate of less than 200 liters / minute. 前記ガス供給ユニットは、２０リットル／分以上の前記所定流量で前記微小空間に前記雰囲気ガスを圧送し、
前記基板支持手段は、前記微小隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲内で、しかも前記所定流量に対応する値で前記基板を支持する請求項２記載の基板処理装置。The gas supply unit pumps the atmospheric gas into the minute space at the predetermined flow rate of 20 liters / minute or more,
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate support means supports the substrate at a value corresponding to the predetermined flow rate within a range of the minute gap between 0.3 mm and 0.5 mm. 前記処理液が供給された前記基板を回転させる回転手段をさらに備える請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 further comprising rotating means for rotating the substrate on which the treatment liquid has been supplied. 前記回転手段は、前記基板とともに前記雰囲気遮断部材を回転させる請求項４記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 4 , wherein the rotating unit rotates the atmosphere blocking member together with the substrate. 前記支持部材の各々は、前記基板の端面と線接触して前記基板を支持する接触面を有する請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein each of the support members has a contact surface that supports the substrate in line contact with an end surface of the substrate. 前記接触面の幅が前記線接触部分の幅とほぼ同一である請求項６記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein a width of the contact surface is substantially the same as a width of the line contact portion. 前記支持部材の各々は、前記線接触方向における幅が前記基板から離れるにしたがって減少する、あるいは同一である請求項６または７記載の基板処理装置。Wherein each support member has a width in the line direction of contact decreases with distance from the substrate, or the substrate processing apparatus according to claim 6 or 7, wherein the same. 請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して基板を搬送する搬送ユニットと
を備えることを特徴とする基板処理システム。A processing unit having a substrate processing apparatus having the same configuration as claimed in any one of claims 1 to 8,
A substrate processing system comprising: a transport unit that transports a substrate to the processing unit. 基板を反転させる反転ユニットをさらに備える請求項９記載の基板処理システム。The substrate processing system according to claim 9 , further comprising a reversing unit for reversing the substrate. 基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、
前記雰囲気遮断部材の周縁に配置され、前記基板の端面と線接触する接触面を有し、前記基板を支持する少なくとも３つ以上の支持部材を備え、前記接触面の幅が前記線接触部分の幅とほぼ同一である基板支持手段と、
前記基板支持手段により支持されている前記基板の他方主面に対向させながら前記基板に近設された雰囲気遮断部材と、
前記雰囲気遮断部材と前記基板との間に形成される微小空間に所定流量で雰囲気ガスを圧送するガス供給ユニットとを備え、
前記基板支持手段は、前記基板の他方主面と、前記雰囲気遮断部材の周縁とで挟まれた微小隙間の間隔が０．３ｍｍ〜０．８ｍｍとなるように、前記基板を支持することを特徴とする基板処理装置。In a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to one main surface of a substrate and performing a predetermined substrate processing on the one main surface,
At least three or more support members that are disposed on the periphery of the atmosphere blocking member and have line contact with the end surface of the substrate and support the substrate, the width of the contact surface of the line contact portion Substrate support means substantially identical in width ;
An atmosphere blocking member provided close to the substrate while facing the other main surface of the substrate supported by the substrate support means;
A gas supply unit that pumps atmospheric gas at a predetermined flow rate into a minute space formed between the atmosphere blocking member and the substrate;
The substrate support means supports the substrate so that a space between minute gaps sandwiched between the other main surface of the substrate and the periphery of the atmosphere blocking member is 0.3 mm to 0.8 mm. A substrate processing apparatus.

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