JP3960280B2 - High thermal conductivity circuit component, manufacturing method thereof, and high heat dissipation module - Google Patents

High thermal conductivity circuit component, manufacturing method thereof, and high heat dissipation module Download PDF

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Description

本発明は、パワーエレクトロニクス分野やＬＥＤ分野において使用されるパワーチップやＬＥＤ等の電子部品を実装するための高熱伝導性回路部品及びその製造方法並びにこの高熱伝導性回路部品を用いて製造される高放熱モジュールに関するものである。 The present invention relates to a high thermal conductivity circuit component for mounting electronic components such as power chips and LEDs used in the power electronics field and the LED field, a manufacturing method thereof, and a high thermal conductivity circuit component manufactured using the high thermal conductivity circuit component. It relates to a heat dissipation module.

近年、電子機器の高機能化、小型薄型化の要求に伴い、半導体は高集積化され、回路基板に高密度に実装されている。特にパワーエレクトロニクスの分野においては、半導体として発熱しやすい電子部品（例えば、ＬＥＤ）が高密度に実装されることとなるため、回路基板に対しては、微細パターン（ファインパターン）による高密度配線の設計が容易である上に、高放熱性であることが要求される。   In recent years, with the demand for higher functionality and smaller size and thinner electronic devices, semiconductors are highly integrated and mounted on a circuit board at high density. Particularly in the field of power electronics, electronic components (for example, LEDs) that tend to generate heat as semiconductors are mounted at a high density. Therefore, high-density wiring with fine patterns (fine patterns) is applied to circuit boards. In addition to being easy to design, high heat dissipation is required.

従来、放熱性を改良するための技術としては、ガラスエポキシプリント配線板においてパワーチップを搭載する部分にのみアルミ放熱フィンを装着してパワーチップを実装するという技術や、アルミニウムや銅のように放熱性に優れる金属板の両面又は片面に絶縁層を介して回路を形成した金属基板を用いる技術などが知られている。   Conventionally, technologies for improving heat dissipation include technologies for mounting power chips by mounting aluminum heat sink fins only on the parts where glass chip printed wiring boards are mounted with power chips, and heat dissipation such as aluminum and copper. A technique using a metal substrate in which a circuit is formed on both surfaces or one surface of a metal plate having excellent properties via an insulating layer is known.

図１０は上記のような金属基板１１を用いて製造されるモジュールＣを示すものであり、このモジュールＣは、金属基板１１の片面に絶縁層２１を形成すると共にこの絶縁層２１の表面に回路５を形成した後、この回路５と電子部品４（ＬＥＤ）とをバンプ１３を介して電気的に接続することによって、製造されている。   FIG. 10 shows a module C manufactured using the metal substrate 11 as described above. The module C forms an insulating layer 21 on one side of the metal substrate 11 and a circuit on the surface of the insulating layer 21. After the circuit 5 is formed, the circuit 5 and the electronic component 4 (LED) are electrically connected via the bumps 13.

さらに放熱性改良技術においては、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック基板に銅板を直接接合したＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板も利用されている。また、リードフレームと金属板とを成形一体化した回路基板に電子部品を搭載することによって、熱を逃がしやすくした構造のものも提案されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。また、放熱性・信頼性を重視する車載用（メーター類やブレーキ等）のランプに用いられる表面実装型ＬＥＤも提供されている（例えば、特許文献４参照。）。
特開平１０−１７３０９７号公報 特開平１１−４６０４９号公報 特開２００１−２３７５０８号公報 特開２００３−１６３３７８号公報 Furthermore, in the heat dissipation improvement technology, a DBC (Direct Bonded Copper) substrate in which a copper plate is directly bonded to a ceramic substrate such as alumina or aluminum nitride is also used. There has also been proposed a structure in which heat is easily released by mounting electronic components on a circuit board in which a lead frame and a metal plate are molded and integrated (see, for example, Patent Documents 1 to 3). In addition, surface-mounted LEDs that are used in lamps for in-vehicle use (meters, brakes, etc.) that place importance on heat dissipation and reliability are also provided (see, for example, Patent Document 4).
Japanese Patent Laid-Open No. 10-173097 JP 11-46049 A JP 2001-237508 A JP 2003-163378 A

しかしながら、上述した従来の放熱性改良技術では、回路間の間隔を狭くした状態で高熱伝導性を十分に得ることができない。   However, the conventional heat dissipation improvement technology described above cannot sufficiently obtain high thermal conductivity in a state where the interval between circuits is narrowed.

すなわち、金属基板では回路を形成するための銅箔等の金属箔を厚くすることができず、例えば、銅箔では１０５μｍ程度が量産可能な厚みで、ファインパターン化自体が難しく、５００μｍの厚みの銅箔となるとエッチングに時間がかかりすぎて量産に不向きである等の問題がある。   That is, it is impossible to increase the thickness of a metal foil such as a copper foil for forming a circuit on a metal substrate. For example, a copper foil has a thickness that allows mass production of about 105 μm, and it is difficult to form a fine pattern. When it becomes a copper foil, there is a problem that etching takes too much time and is unsuitable for mass production.

またセラミック基板では、回路間隔の狭小化は可能であるが、金属基板と比較した場合には放熱性に劣り、ＤＢＣ基板のように銅板などの金属板を厚付けすれば、ファイン加工性が低下してしまう。   In addition, although the circuit interval can be narrowed with a ceramic substrate, it is inferior in heat dissipation when compared with a metal substrate, and if a metal plate such as a copper plate is thickened like a DBC substrate, fine workability is reduced. Resulting in.

また放熱特性を改良するために、高熱伝導性フィラーを熱硬化性樹脂に高充填した混合物を電極となるリードフレームと成形により一体化させたモジュールが提案されているが、一般的にリードフレームは両面からエッチング加工することとなり、ファイン加工性を高めること（回路間隔の狭小化）には限界がある。   In addition, in order to improve the heat dissipation characteristics, a module in which a mixture in which a highly heat-conductive filler is highly filled in a thermosetting resin is integrated with a lead frame as an electrode by molding has been proposed. Etching is performed from both sides, and there is a limit to improving fine workability (narrowing the circuit interval).

また、ＬＥＤやＩＣ等から発生する熱を効率よく放散するために、ＬＥＤやＩＣ等を金属板へ直付けすることが行われているが、ＬＥＤやＩＣ等の下面に接続端子がある場合には、プラス極とマイナス極等に電極を分けて導通・絶縁しなければならず、例えば、リードフレームを大電流回路として使用する方法では、回路間の距離を小さくするのには限界があり、また特殊な工法によりファイン化する場合には技術面及びコスト面で非常に大きな課題があった。   In addition, in order to efficiently dissipate the heat generated from the LED, IC, etc., the LED, IC, etc. is directly attached to the metal plate. The electrode must be divided into a positive pole and a negative pole to conduct and insulate. For example, in the method of using a lead frame as a large current circuit, there is a limit to reducing the distance between the circuits. In addition, in the case of refinement by a special construction method, there are very big problems in terms of technology and cost.

一方、電源回路に使用されるプリント配線板では、銅箔で回路を形成しており、厚み１０５μｍが一般的であるが、回路間の距離を小さくするにはやはり回路の厚みによるサイドエッチ等による限界があり、ファイン化には問題があった。   On the other hand, in the printed wiring board used for the power supply circuit, the circuit is formed of copper foil, and the thickness is generally 105 μm. However, in order to reduce the distance between the circuits, the side etching due to the thickness of the circuit is also used. There was a limit and there was a problem in refinement.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、回路間隔が狭い状態で高熱伝導性を十分に得ることができる高熱伝導性回路部品及びその製造方法並びにこの高熱伝導性回路部品を用いて安価に製造することができる高放熱モジュールを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and uses a high thermal conductivity circuit component capable of sufficiently obtaining high thermal conductivity with a narrow circuit interval, a method for manufacturing the same, and the high thermal conductivity circuit component. An object of the present invention is to provide a high heat dissipation module that can be manufactured at low cost.

本発明の請求項１に係る高熱伝導性回路部品Ａは、少なくとも３枚以上の金属体１が絶縁層２を介して積層一体化された構造体３であって、この構造体３の少なくとも２枚以上の金属体１にまたがって１つ以上の電子部品４が実装されると共に上記金属体１の全部又は一部を回路５として用いて成ることを特徴とするものである。
また請求項１の発明は、耐ＵＶ性を有する材料を含有する絶縁性樹脂６によって絶縁層２を形成して成ることを特徴とするものである。
また請求項１の発明は、耐ＵＶ性を有する材料を含有する絶縁性樹脂６として、フッ素系及びシリコーン系樹脂組成物から選ばれるものを用いて成ることを特徴とするものである。 A highly heat conductive circuit component A according to claim 1 of the present invention is a structure 3 in which at least three or more metal bodies 1 are laminated and integrated through an insulating layer 2, and at least 2 of the structure 3. One or more electronic components 4 are mounted across one or more metal bodies 1 and all or part of the metal body 1 is used as a circuit 5.
The invention of claim 1 is characterized in that the insulating layer 2 is formed of an insulating resin 6 containing a material having UV resistance.
The invention of claim 1 is characterized in that the insulating resin 6 containing a UV-resistant material is selected from fluorine-based and silicone-based resin compositions.

また請求項２の発明は、請求項１において、電子部品４を実装する部分を他の部分より凹ませることによって反射鏡８を形成して成ることを特徴とするものである。   The invention of claim 2 is characterized in that, in claim 1, the reflecting mirror 8 is formed by denting a portion on which the electronic component 4 is mounted from other portions.

また請求項３の発明は、請求項１又は２において、絶縁層２の厚みが３０〜１５０μｍであると共に、金属体１として、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材から選ばれるものを用いて成ることを特徴とするものである。   In addition, the invention of claim 3 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the insulating layer 2 is 30 to 150 μm, and the metal body 1 includes copper, aluminum, nickel, iron, and at least one of these. It is characterized in that it is made of an alloy containing a material selected from a multilayer material of copper invar copper.

また、本発明の請求項４に係る高熱伝導性回路部品Ａの製造方法は、少なくとも３枚以上の金属体１を絶縁性樹脂を介して積層一体化することによって、絶縁性樹脂で絶縁層２が形成された構造体３を作製し、次にこの構造体３を積層方向に切断することによって、この構造体３から複数の個片１４を得た後、各個片１４の少なくとも２枚以上の金属体１にまたがって１つ以上の電子部品４を実装することを特徴とするものである。 Further , in the method for manufacturing the high thermal conductivity circuit component A according to claim 4 of the present invention, the insulating layer 2 is made of insulating resin by laminating and integrating at least three metal bodies 1 via insulating resin. After forming a plurality of pieces 14 from the structure 3 by cutting the structure 3 in the stacking direction, and then cutting at least two pieces of each piece 14 across the metal body 1 in which characterized that you implement one or more electronic components 4.

また、本発明の請求項５に係る高放熱モジュールＢは、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高熱伝導性回路部品Ａを少なくとも１つ以上回路基板１０に実装して成ることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項６に係る高放熱モジュールＢは、請求項４に記載の方法により製造された高熱伝導性回路部品Ａを少なくとも１つ以上回路基板１０に実装して成ることを特徴とするものである。 Further, high heat radiation module B according to claim 5 of the present invention is formed by mounting a high thermal conductivity circuit component A according to any one of claims 1 to 3 in at least one or more exceeded path substrate 10 It is characterized by this.
A high heat dissipation module B according to claim 6 of the present invention is characterized in that at least one highly heat conductive circuit component A manufactured by the method according to claim 4 is mounted on a circuit board 10. To do.

上記のように本発明の請求項１に係る高熱伝導性回路部品によれば、高熱伝導性回路部品の金属体を回路の一部として使用することができる上に、この金属体にヒートシンク（ヒートスプレッダ）としての役目も持たせることができる。すなわち、金属基板を用いたモジュールやセラミック基板を用いたモジュールでは、電子部品から発する熱を回路、金属基板、セラミック基板から放散させることしか期待することができないが、本発明に係る高放熱モジュールであると、電子部品に比べて大きな金属体が電子部品と回路との間に存在するため、この金属体を通じて電子部品から発する熱を効率よく伝導・放散させることが可能となり、上記高放熱モジュールの熱放散性が格段に向上するのである。   As described above, according to the high thermal conductivity circuit component according to the first aspect of the present invention, the metal body of the high thermal conductivity circuit component can be used as a part of the circuit, and the heat sink (heat spreader) is attached to the metal body. ). That is, a module using a metal substrate or a module using a ceramic substrate can only be expected to dissipate heat generated from electronic components from the circuit, metal substrate, or ceramic substrate. In this case, since a large metal body exists between the electronic component and the circuit compared to the electronic component, it is possible to efficiently conduct and dissipate heat generated from the electronic component through the metal body. The heat dissipation is greatly improved.

もう少し具体的に説明すると、例えば、図１０のような従来のモジュールＣであると、電子部品４から発する熱は、回路５及び金属基板１１から放散させることができる。ここで、回路５は直に電子部品４と接しているが、面積が小さいため熱を十分に放散させることができない。一方、金属基板１１は面積が広い（又は体積が大きい）ため熱を十分に放散させることは可能であるが、電子部品４から発する熱を金属基板１１へ到達させるためには必ず絶縁層２１を通さなければならない。絶縁層２１が熱を通しやすいものであればよいが、そうでなければ、面積の大きい金属基板１１を用いても、結果として熱を十分に放散させることができない。   More specifically, for example, in the conventional module C as shown in FIG. 10, the heat generated from the electronic component 4 can be dissipated from the circuit 5 and the metal substrate 11. Here, the circuit 5 is in direct contact with the electronic component 4, but cannot sufficiently dissipate heat because of its small area. On the other hand, since the metal substrate 11 has a large area (or has a large volume), it is possible to sufficiently dissipate heat. However, in order to allow the heat generated from the electronic component 4 to reach the metal substrate 11, the insulating layer 21 must be provided. You must pass. The insulating layer 21 may be any material that allows heat to pass through, but otherwise, even if the metal substrate 11 having a large area is used, the heat cannot be sufficiently dissipated as a result.

これに対して、図７のような本発明に係る高放熱モジュールＢであると、電子部品４から発する熱は可及的速やかに金属体１に吸収されると共に伝達され、この広い面積（又は大きな体積）を有する金属体１から熱を放散させることができる。それは、上記の金属体１は直に電子部品４と接しており、しかも電子部品４に比べて上記のように面積が広い（又は体積が大きい）からである。よって、回路基板１０の絶縁層２１が熱を通しやすいものである必要はなく、回路基板１０の選択の自由度も高まるものである。   On the other hand, in the case of the high heat dissipation module B according to the present invention as shown in FIG. 7, the heat generated from the electronic component 4 is absorbed and transmitted to the metal body 1 as quickly as possible, and this large area (or Heat can be dissipated from the metal body 1 having a large volume. This is because the metal body 1 is in direct contact with the electronic component 4 and has a larger area (or larger volume) as described above than the electronic component 4. Therefore, the insulating layer 21 of the circuit board 10 does not have to be easily permeable to heat, and the degree of freedom in selecting the circuit board 10 is increased.

そして、高熱伝導性回路部品自体は安価に製造することができるので、この高熱伝導性回路部品を用いると、狭ピッチの状態で高熱伝導性を十分に得ることができる高放熱モジュールも安価に製造することができるものである。
また請求項１の発明によれば、ＵＶ光を発するＬＥＤ等を高熱伝導性回路部品に実装しても、絶縁層の絶縁劣化等を防止することができるものである。
また請求項１の発明によれば、ＵＶ光による絶縁層の絶縁劣化等をさらに確実に防止することができるものである。
ここで、図１０のような従来のモジュールＣであると、電子部品４としてＵＶ光を発するＬＥＤを用いた場合、ＵＶ光が回路基板１０の絶縁層２１に照射されるおそれがあるので、回路基板１０としては、耐ＵＶ性能を備えた絶縁層２１を有するものを用いなければならず、回路基板１０を選択する自由度が低い。しかし、請求項１の発明によれば、電子部品４としてＵＶ光を発するＬＥＤを用いた場合でも、ＵＶ光は、図７のような高熱伝導性回路部品Ａの絶縁層２及び金属体１で阻止され、回路基板１０の絶縁層２１に届かないようにすることができる。よって、回路基板１０としては、特に耐ＵＶ性能を備えた絶縁層２１を有するものを用いる必要がなく、回路基板１０を選択する自由度が高く、高放熱モジュールＢの設計も容易に行うことができるものである。 And since the high thermal conductivity circuit component itself can be manufactured at a low cost, the use of this high thermal conductivity circuit component also allows a low heat dissipation module that can sufficiently obtain high thermal conductivity in a narrow pitch state. Is something that can be done.
According to the invention of claim 1, even when an LED or the like that emits UV light is mounted on a high thermal conductivity circuit component, it is possible to prevent insulation deterioration of the insulating layer.
According to the invention of claim 1, it is possible to further reliably prevent insulation deterioration of the insulating layer due to UV light.
Here, in the case of the conventional module C as shown in FIG. 10, when an LED that emits UV light is used as the electronic component 4, the UV light may be applied to the insulating layer 21 of the circuit board 10. As the board | substrate 10, what has the insulating layer 21 provided with UV-proof performance must be used, and the freedom degree which selects the circuit board 10 is low. However, according to the invention of claim 1, even when an LED that emits UV light is used as the electronic component 4, the UV light is transmitted through the insulating layer 2 and the metal body 1 of the high thermal conductivity circuit component A as shown in FIG. 7. It is blocked and can not reach the insulating layer 21 of the circuit board 10. Therefore, it is not necessary to use the circuit board 10 having the insulating layer 21 having UV resistance, and the degree of freedom in selecting the circuit board 10 is high, and the design of the high heat dissipation module B can be easily performed. It can be done.

また請求項２の発明によれば、光透過性がなく光劣化の非常に少ない金属体を反射鏡として利用することができるものである。   According to the second aspect of the present invention, a metal body that does not transmit light and has very little light deterioration can be used as a reflecting mirror.

また請求項３の発明によれば、熱伝導性をさらに高く得ることができるものである。   According to the invention of claim 3, the thermal conductivity can be further increased.

また、本発明の請求項５に係る高放熱モジュールによれば、狭ピッチの状態で高熱伝導性を十分に得ることができるものである。
また、本発明の請求項６に係る高放熱モジュールによれば、狭ピッチの状態で高熱伝導性を十分に得ることができるものである。
Moreover, according to the high heat dissipation module which concerns on Claim 5 of this invention, high thermal conductivity can fully be acquired in the state of a narrow pitch.
Moreover, according to the high heat radiation module which concerns on Claim 6 of this invention, high thermal conductivity can fully be acquired in the state of a narrow pitch.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

本発明に係る高熱伝導性回路部品Ａは、次のようにして製造することができる。まず、少なくとも３枚以上の金属体１を絶縁性樹脂６を介して積層一体化（クラッド化）することによって、絶縁性樹脂６で絶縁層２が形成された構造体３（クラッド板）を作製する。積層一体化は、例えば、大気圧下、減圧下又は真空下における加熱加圧成形により行うことができる。また、金属体１と絶縁層２との密着性を得るため、金属体１の表面をあらかじめ粗面化処理しておくのが好ましい。例えば、金属体１の表面に酸化被膜を形成して化学的に粗面化処理したり、金属体１の表面をサンドブラストにより物理的に粗面化処理したりすることができる。図４（ａ）は３枚の金属体１を用いて作製した構造体３（３層回路板）、図６（ａ）は４枚の金属体１を用いて作製した構造体３（４層回路板）を示すものである。各構造体３における各金属体１の全部又は一部は、後に回路５の一部（電極など）を形成することとなる。使用する金属体１の枚数は、特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜に設定することができる。   The high thermal conductivity circuit component A according to the present invention can be manufactured as follows. First, a structure 3 (cladding plate) in which the insulating layer 2 is formed by the insulating resin 6 is manufactured by laminating and integrating (cladding) at least three metal bodies 1 via the insulating resin 6. To do. Lamination integration can be performed, for example, by heating and pressing under atmospheric pressure, reduced pressure, or vacuum. In order to obtain adhesion between the metal body 1 and the insulating layer 2, it is preferable that the surface of the metal body 1 is roughened in advance. For example, an oxide film can be formed on the surface of the metal body 1 and chemically roughened, or the surface of the metal body 1 can be physically roughened by sandblasting. FIG. 4A shows a structure 3 (three-layer circuit board) manufactured using three metal bodies 1, and FIG. 6A shows a structure 3 (four layers) manufactured using four metal bodies 1. Circuit board). All or part of each metal body 1 in each structure 3 will later form part of the circuit 5 (such as an electrode). The number of metal bodies 1 to be used is not particularly limited, and can be set as appropriate according to the application.

金属体１としては、特に限定されるものではないが、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅・インバー・銅の複層材（銅、各種インバー合金、銅をこの順に重ね合わせて得られるクラッド材）から選ばれるものを用いるのが好ましい。これらの金属体１を用いると、その他の金属体を用いるよりも、熱伝導性をさらに高く得ることができるからである。また、上記の好ましい金属体１は、反射率を上げたり軽量化したりすることができ、用途・ニーズに応じて適宜に選択することができる。絶縁層２の両側の金属体１の材質は同種でも異種でもよい。金属体１の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、０．５〜２０ｍｍの範囲に設定することができる。   Although it does not specifically limit as the metal body 1, Copper, aluminum, nickel, iron, the alloy containing at least 1 or more types of these, and a multilayer material (copper, invar, copper) (copper, It is preferable to use one selected from various invar alloys and clad materials obtained by superimposing copper in this order. This is because when these metal bodies 1 are used, higher thermal conductivity can be obtained than when other metal bodies are used. Moreover, said preferable metal body 1 can raise a reflectance or can be reduced in weight, and can be suitably selected according to a use and needs. The material of the metal body 1 on both sides of the insulating layer 2 may be the same or different. Although the thickness of the metal body 1 is not specifically limited, For example, it can set to the range of 0.5-20 mm.

一方、絶縁層２を形成するための絶縁性樹脂６としては、熱硬化性樹脂組成物や熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。これらの組成物としては、フィラー入りでないものを用いてもよいが、流動性を調整したり熱伝導性をさらに高めたりするため無機フィラー入りのものを用いるのが好ましい。このような組成物は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂に公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加することによって、調製することができる。絶縁性樹脂６の形態は、特に限定されるものではないが、シート状であることが好ましい。具体的には、絶縁性樹脂６をＰＥＴフィルム等に塗布乾燥して得られるＢステージの接着フィルムや、絶縁性樹脂６をガラス布などの基材に含浸乾燥して得られるＢステージのプリプレグであることが好ましい。上記の接着フィルムやプリプレグのような接着シートを用いると、薄くて均一な厚みの絶縁層２を容易に形成することができるからである。絶縁層２は次のようにして形成してもよい。まず、熱硬化性樹脂（又は熱可塑性樹脂）に公知の無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、溶剤、表面処理剤、顔料などを添加することによって熱硬化性樹脂組成物（又は熱可塑性樹脂組成物）を調製し、次にこの組成物を混練機でスラリー化することによってペーストを調製した後、このペーストを金属体１の表面に印刷塗布することによって絶縁層２を形成することができる。   On the other hand, as the insulating resin 6 for forming the insulating layer 2, a thermosetting resin composition or a thermoplastic resin composition can be used. As these compositions, those not containing fillers may be used, but those containing inorganic fillers are preferably used in order to adjust fluidity and further increase thermal conductivity. Such a composition can be prepared by adding a known inorganic filler, curing agent, curing accelerator, solvent, surface treatment agent, pigment or the like to the thermosetting resin or thermoplastic resin. The form of the insulating resin 6 is not particularly limited, but is preferably a sheet. Specifically, a B-stage adhesive film obtained by applying and drying the insulating resin 6 on a PET film or the like, or a B-stage prepreg obtained by impregnating and drying the insulating resin 6 on a substrate such as a glass cloth. Preferably there is. This is because when an adhesive sheet such as the above adhesive film or prepreg is used, the insulating layer 2 having a thin and uniform thickness can be easily formed. The insulating layer 2 may be formed as follows. First, a thermosetting resin composition (or thermoplastic resin composition) is added to a thermosetting resin (or thermoplastic resin) by adding a known inorganic filler, curing agent, curing accelerator, solvent, surface treatment agent, pigment, or the like. After preparing a paste by slurrying this composition with a kneader, the insulating layer 2 can be formed by printing the paste on the surface of the metal body 1.

絶縁層２の厚みは具体的には３０〜１５０μｍであることが好ましい。絶縁層２の両側の金属体１は、後に回路５の一部を形成することとなり、また上記の絶縁層２の厚みは、回路５間の間隔よりも狭くしたり（例えば、図８の破線で囲んだ部分を参照）、あるいは回路５間の間隔と等しくしたりすることができる。なお、絶縁層２の厚みが３０μｍ未満であると、絶縁層２に混入した気泡や金属体１表面の微細な突起による絶縁不良の可能性が高くなり、絶縁性を十分に確保することができなくなるおそれがある。逆に絶縁層２の厚みが１５０μｍを超えると、回路５の一部となる金属体１間の間隔がそれだけ広くなり、電子部品４に設けてあるバンプ１３間の間隔が狭い場合には一部のバンプ１３の導通を取ることができなくなるおそれがある。   Specifically, the thickness of the insulating layer 2 is preferably 30 to 150 μm. The metal bodies 1 on both sides of the insulating layer 2 will later form a part of the circuit 5, and the thickness of the insulating layer 2 may be narrower than the interval between the circuits 5 (for example, the broken line in FIG. 8). Or the distance between the circuits 5 can be made equal. If the thickness of the insulating layer 2 is less than 30 μm, there is a high possibility of insulation failure due to air bubbles mixed in the insulating layer 2 or fine protrusions on the surface of the metal body 1, and sufficient insulation can be secured. There is a risk of disappearing. On the other hand, when the thickness of the insulating layer 2 exceeds 150 μm, the distance between the metal bodies 1 that become a part of the circuit 5 is increased accordingly, and partly when the distance between the bumps 13 provided in the electronic component 4 is narrow. There is a possibility that the bumps 13 cannot be conducted.

特に、絶縁性樹脂６として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合において、主成分となる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、シアネート樹脂等を用いることができ、また、難燃性を付与するため臭素化された樹脂やリン変性された樹脂を用いることもできる。なお、添加型難燃剤を使用すると絶縁層２の耐熱性や機械的強度の低下を招くおそれがあるが、耐熱性等に影響が出ない程度であれば上記難燃剤を熱硬化性樹脂に添加して使用してもよい。   In particular, when a thermosetting resin composition is used as the insulating resin 6, for example, an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a silicone resin, a cyanate resin, or the like is used as the thermosetting resin as a main component. In addition, a brominated resin or a phosphorus-modified resin can be used to impart flame retardancy. If an additive-type flame retardant is used, the heat resistance and mechanical strength of the insulating layer 2 may be reduced. However, the flame retardant is added to the thermosetting resin as long as the heat resistance is not affected. May be used.

絶縁性樹脂６として用いる熱硬化性樹脂組成物としては、無機フィラーを高充填したものが好ましい。このように無機フィラーを高充填することによって、絶縁層２の熱伝導性をさらに高めることができ、電子部品４からの発熱をより効率よく放散させることができると共に、絶縁層２の熱膨張係数が金属体１の熱膨張係数に近付き、高熱伝導性回路部品Ａの熱的な信頼性を向上させることができるものである。このように無機フィラーの高充填により、絶縁層２の熱膨張係数を低下させたり、熱伝導性を向上させたりすることを非常に簡単に行うことができるものであるが、必要に応じて無機フィラーの充填量を調整することにより、構造体３の作製時における熱硬化性樹脂組成物の流動特性を調整することもできる。   The thermosetting resin composition used as the insulating resin 6 is preferably a highly filled inorganic filler. Thus, by highly filling the inorganic filler, the thermal conductivity of the insulating layer 2 can be further increased, the heat generated from the electronic component 4 can be dissipated more efficiently, and the thermal expansion coefficient of the insulating layer 2 However, it approaches the thermal expansion coefficient of the metal body 1 and can improve the thermal reliability of the high thermal conductivity circuit component A. In this way, the high filling of the inorganic filler can very easily reduce the thermal expansion coefficient of the insulating layer 2 or improve the thermal conductivity. By adjusting the filling amount of the filler, the flow characteristics of the thermosetting resin composition at the time of producing the structure 3 can also be adjusted.

上記の無機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＣａＣＯ３等から選ばれるものを用いることができ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮは、その他の無機フィラーよりも熱伝導性に優れているので好ましい。なお、無機フィラーの熱硬化性樹脂への分散性を向上させるため、カップリング剤や分散剤等を併用するのが好ましい。 Examples of the inorganic filler include, but are not particularly limited, Al 2 O 3, MgO, BN, AlN, can be used those selected from SiO 2, TiO 2, CaCO 3, etc., Al 2 O 3 , MgO, BN, and AlN are preferable because they have better thermal conductivity than other inorganic fillers. In addition, in order to improve the dispersibility to the thermosetting resin of an inorganic filler, it is preferable to use a coupling agent, a dispersing agent, etc. together.

後述するように、上記の構造体３を切断加工することによって、電子部品４を実装するための高熱伝導性回路部品Ａを製造するのであるが、上記電子部品４として例えばＵＶ光（紫外線）を発するＬＥＤ等を用いる場合においては、金属体１間における絶縁層２に十分な耐ＵＶ性能が要求される。このような場合には、耐ＵＶ性を有する材料を含有する絶縁性樹脂６を用い、この絶縁性樹脂６によって絶縁層２を形成すればよい。そうすると、ＵＶ光を発するＬＥＤ等を高熱伝導性回路部品Ａに実装しても、絶縁層２の絶縁劣化等を防止することができるものである。上記の耐ＵＶ性を有する材料を含有する絶縁性樹脂６としては、フッ素系樹脂組成物（例えば、テフロン（登録商標）を主成分とするもの）及びシリコーン系樹脂組成物（例えば、シリコーン樹脂を主成分とするもの）から選ばれるものを用いる。すなわち、フッ素系樹脂組成物とシリコーン系樹脂組成物のいずれか一方又は両方を用いる。なお、フッ素系樹脂組成物としては、市販のフッ素樹脂シートを用いるようにしてもよい。 As will be described later, the structure 3 is cut to produce a high thermal conductivity circuit component A for mounting the electronic component 4. As the electronic component 4, for example, UV light (ultraviolet light) is used. In the case of using a light emitting LED or the like, a sufficient UV resistance performance is required for the insulating layer 2 between the metal bodies 1. In such a case, an insulating resin 6 containing a material having UV resistance may be used, and the insulating layer 2 may be formed using the insulating resin 6. As a result, even when an LED or the like that emits UV light is mounted on the high thermal conductivity circuit component A, it is possible to prevent insulation deterioration of the insulating layer 2 and the like. Examples of the insulating resin 6 containing a material having UV resistance include a fluorine-based resin composition (for example, a resin mainly composed of Teflon (registered trademark)) and a silicone-based resin composition (for example, a silicone resin). Ru used those selected from those based). That is, Ru using either one or both of fluorine-based resin composition and the silicone-based resin composition. A commercially available fluororesin sheet may be used as the fluororesin composition.

そして、上記のようにして構造体３を作製した後に、図４（ａ）において破線イ，ロで示すように、この構造体３を積層方向に切断することによって、すなわち金属体１と絶縁層２の積層面と交叉する面で切断することによって、この構造体３から図４（ｂ）に示すような個片１４を得ることができる（図６についても同様である）。構造体３から複数の個片１４を得ることができるが、各個片１４の大きさは任意である。例えば、個片１４が直方体である場合にあっては、その厚み及び幅の寸法は任意である。１つの個片１４から１つの高熱伝導性回路部品Ａを得ることができるほか、図４（ａ）に示す構造体３を破線イ（又はロ）で切断して得られるものを個片１４とし、この１つの個片１４から複数の高熱伝導性回路部品Ａを得ることもできる。図４（ｂ）において切断面を斜線で示してあるが、この切断面を電子部品４を実装するための実装面７として使用することができる。このように実装面７は切断加工により形成されるものであるが、電子部品４を実装できる程度の平滑性や粗度を有する切断面を得るため、切断方法としては、ワイヤーカット加工、スライス加工、半導体シリコーンウエハの切断加工等の方法を用いるのが好ましい。なお、電子部品４を実装するにあたっては、あらかじめ実装面７に金めっき等を施しておくのが好ましい。   Then, after the structure 3 is manufactured as described above, the structure 3 is cut in the stacking direction as shown by broken lines a and b in FIG. 4A, that is, the metal body 1 and the insulating layer. By cutting along a plane intersecting with the two laminated surfaces, an individual piece 14 as shown in FIG. 4B can be obtained from this structure 3 (the same applies to FIG. 6). A plurality of pieces 14 can be obtained from the structure 3, but the size of each piece 14 is arbitrary. For example, in the case where the piece 14 is a rectangular parallelepiped, the thickness and width dimensions are arbitrary. In addition to obtaining one high thermal conductivity circuit component A from one piece 14, the piece 14 obtained by cutting the structure 3 shown in FIG. A plurality of high thermal conductivity circuit components A can be obtained from this single piece 14. In FIG. 4B, the cut surface is indicated by oblique lines, but this cut surface can be used as a mounting surface 7 for mounting the electronic component 4. As described above, the mounting surface 7 is formed by cutting, but in order to obtain a cutting surface having smoothness and roughness enough to mount the electronic component 4, the cutting method includes wire cutting and slicing. It is preferable to use a method such as cutting a semiconductor silicone wafer. In mounting the electronic component 4, it is preferable that the mounting surface 7 is previously subjected to gold plating or the like.

次に、上記のようにして個片化された構造体３の少なくとも２枚以上の金属体１にまたがるように１つ以上の電子部品４を実装することによって、高熱伝導性回路部品Ａを製造することができる。図１は高熱伝導性回路部品Ａの一例を示すものであり、直方体状の個片１４（図４（ｂ）参照）の一面において３枚の金属体１にまたがるように１つの電子部品４を実装したものである。この電子部品４はパワートランジスタであってバンプ１３を介して３枚の金属体１と電気的に接続されており、各金属体１がそれぞれエミッタ、コレクタ、ベースとなる電極（回路５の一部）として使用される。なお、本発明においては、上記のように、電子部品４と接続される金属体１の全部を電極（回路５の一部）として使用することができるが、このような使用法以外に、電子部品４と接続される金属体１の一部を電極（回路５の一部）として使用すると共に残部を放熱板として使用することもできる。また、電子部品４の実装方法は、バンプ実装に限定されるものではなく、ワイヤーボンディング、半田リフローなど、各電子部品４の構造に応じて最適な実装方法を選択すればよい。また、個片化された構造体３に実装する電子部品４の個数は、電子部品４の大きさや実装面７の面積などに依存するが、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜に設定することができる。   Next, a highly thermally conductive circuit component A is manufactured by mounting one or more electronic components 4 so as to straddle at least two or more metal bodies 1 of the structure 3 separated as described above. can do. FIG. 1 shows an example of a circuit component A having a high thermal conductivity. One electronic component 4 is arranged so as to straddle three metal bodies 1 on one surface of a rectangular parallelepiped piece 14 (see FIG. 4B). Implemented. This electronic component 4 is a power transistor and is electrically connected to three metal bodies 1 via bumps 13. Each metal body 1 serves as an emitter, a collector, and a base electrode (part of the circuit 5). ). In the present invention, as described above, the entire metal body 1 connected to the electronic component 4 can be used as an electrode (a part of the circuit 5). A part of the metal body 1 connected to the component 4 can be used as an electrode (a part of the circuit 5) and the remaining part can be used as a heat sink. Moreover, the mounting method of the electronic component 4 is not limited to bump mounting, and an optimal mounting method may be selected according to the structure of each electronic component 4 such as wire bonding and solder reflow. Further, the number of electronic components 4 to be mounted on the separated structure 3 depends on the size of the electronic component 4 and the area of the mounting surface 7, but is not particularly limited and may be appropriately determined as necessary. Can be set to

また、電子部品４として発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いる場合には、この電子部品４を実装する部分を他の部分より凹ませることによって反射鏡８を形成するのが好ましい。図２はこの反射鏡８を備えた高熱伝導性回路部品Ａの一例を示すものであり、直方体状の個片１４（図４（ｂ）参照）の一面において３枚の金属体１に亘って１つの凹部１５を形成すると共に、この凹部１５の底面１６において４つのＬＥＤをそれぞれ２枚の金属体１にまたがるように実装したものである。ＬＥＤを実装する部分となる凹部１５について、その形状、形成方法、個数及び形成箇所は、１つの高熱伝導性回路部品Ａにおいて限定されるものではない。ちなみに図２に示すものにおいては、円形の凹部１５を座ぐり加工により形成してある。そして凹部１５の内面が反射鏡８として機能するものであり、ＬＥＤの側方から発する光を凹部１５の開口から外部へ反射させるため、凹部１５の内側面１７は、図２（ａ）に示すように凹部１５の底面１６から凹部１５の開口へ広がるようにテーパー状に傾斜させている。ここで、図２においては図示省略しているが、例えば、図３のように凹部１５には蛍光剤入りの封止材１８を充填することができ、ＬＥＤから発する光でこの蛍光剤を励起させるようにしてもよい。また、個片１４の凹部１５を形成した側の面に蛍光剤入りのシートを配設し、このシートで凹部１５の開口を塞ぐようにしてもよい。上記の封止材１８やシートとしては、透明性を有するものも用いることができる。金属体１は光を非常に透過させにくいものであり、受けた光のほぼすべてを反射させることができ、しかも光による劣化が非常に少ないので、反射鏡８として優れているものである。よって、現在、ＬＥＤ業界において検討されているＵＶ発光による高輝度化にも十分対応できるものである。また、ＬＥＤはバンプ１３を介して２枚の金属体１と電気的に接続されており、各金属体１がそれぞれプラス極、マイナス極となる電極（回路５の一部）として使用される。なお、上記のバンプ１３は金バンプに限定されるものではなく、またバンプ１３の代わりに半田、ニッケル等の導電ペーストを用いたり、さらにワイヤー２０によるボンディングを用いたりしてもよい（例えば、図３参照）。   Moreover, when using a light emitting diode (LED) as the electronic component 4, it is preferable to form the reflective mirror 8 by denting the part which mounts this electronic component 4 from other parts. FIG. 2 shows an example of the high thermal conductivity circuit component A provided with the reflecting mirror 8, and covers three metal bodies 1 on one surface of a rectangular parallelepiped piece 14 (see FIG. 4B). One recess 15 is formed, and four LEDs are mounted on the bottom surface 16 of the recess 15 so as to straddle the two metal bodies 1. About the recessed part 15 used as the part which mounts LED, the shape, the formation method, the number, and the formation location are not limited in one high thermal conductivity circuit component A. Incidentally, in the structure shown in FIG. 2, the circular recess 15 is formed by spot facing. The inner surface 17 of the recess 15 functions as the reflecting mirror 8 and reflects the light emitted from the side of the LED from the opening of the recess 15 to the outside. Therefore, the inner surface 17 of the recess 15 is shown in FIG. As described above, the taper is inclined so as to spread from the bottom surface 16 of the recess 15 to the opening of the recess 15. Although not shown in FIG. 2, for example, the recess 15 can be filled with a sealing material 18 containing a fluorescent agent as shown in FIG. 3, and the fluorescent agent is excited by light emitted from the LED. You may make it make it. Alternatively, a sheet containing a fluorescent agent may be disposed on the surface of the piece 14 where the concave portion 15 is formed, and the opening of the concave portion 15 may be closed with this sheet. As said sealing material 18 and a sheet | seat, what has transparency can also be used. The metal body 1 is very difficult to transmit light, can reflect almost all of the received light, and is very excellent as the reflecting mirror 8 because it is hardly deteriorated by light. Therefore, it is possible to sufficiently cope with the increase in luminance by UV light emission currently being studied in the LED industry. Further, the LED is electrically connected to the two metal bodies 1 via the bumps 13, and each metal body 1 is used as an electrode (a part of the circuit 5) serving as a positive electrode and a negative electrode. The bumps 13 are not limited to gold bumps, and instead of the bumps 13, a conductive paste such as solder or nickel may be used, or bonding with the wires 20 may be used (for example, FIG. 3).

なお、図示による具体例は省略しているが、上記の図２のように反射鏡８を一体に備えた高熱伝導性回路部品Ａを製造する以外に、別途反射鏡を高熱伝導性回路部品Ａに取り付けるようにしてもよい。このような反射鏡としては、一般的なものを用いることができ、例えば、プラスチックに銀メッキやアルミニウムメッキ等を施すことによって作製される反射板を用いることができる。この反射板は反射率が非常に高いので図２に示す反射鏡８と比べても遜色がない。なお、反射鏡と高熱伝導性回路部品Ａとを別体としておくと、電子部品４を実装した後に反射鏡を取り付けることが可能となるので、反射鏡には十分な耐熱性を要求されることがないというメリットがある。   In addition, although the specific example by illustration is abbreviate | omitted, in addition to manufacturing the high thermal conductivity circuit component A integrally provided with the reflective mirror 8 as shown in FIG. 2 above, the reflective mirror is separately provided with the high thermal conductivity circuit component A. You may make it attach to. As such a reflecting mirror, a general one can be used. For example, a reflecting plate produced by applying silver plating or aluminum plating to plastic can be used. Since this reflector has a very high reflectance, it is comparable to the reflector 8 shown in FIG. If the reflecting mirror and the high thermal conductivity circuit component A are separated, the reflecting mirror can be attached after the electronic component 4 is mounted. Therefore, the reflecting mirror is required to have sufficient heat resistance. There is a merit that there is no.

そして、上記のようにして製造した高熱伝導性回路部品Ａを回路基板１０（マザーボード）に実装することによって、高放熱モジュールＢを製造することができる。ここで、図７に示すように高熱伝導性回路部品Ａの絶縁層２はあらかじめ上述した方法により、狭小化された回路５間の間隔とほぼ等しい厚みで形成してあるので、回路基板１０において狭い間隔で回路５が形成されていても、高熱伝導性回路部品Ａの各金属体１をそれぞれ、対応する回路５に容易に電気的に接続することができるものである。回路基板１０に実装する高熱伝導性回路部品Ａの個数は少なくとも１つ以上であれば任意であり、高放熱モジュールＢの設計に応じて適宜に設定することができる。回路基板１０には、高熱伝導性回路部品Ａのみを実装するほか、その他の回路部品９（例えば、チップ抵抗）を実装してもよい。回路基板１０に実装するその他の回路部品９の個数も任意であり、高放熱モジュールＢの設計に応じて適宜に設定することができる。図７は高放熱モジュールＢの一例を示すものであり、この高放熱モジュールＢは１つの高熱伝導性回路部品Ａと２つのチップ抵抗とが半田１９により回路基板１０に実装されている。半田１９の代わりに無機系などの導電性（高熱伝導性）接着剤を用いてもよい。高熱伝導性回路部品Ａの金属体１はＬＥＤ等の電子部品４に比べて大きいため電極として使用することができ、電子部品４を実装した状態で良品又は不良品の検品が可能となり、不良品が回路基板１０へ実装されるのを確実に防止することができる。   And the high thermal radiation module B can be manufactured by mounting the high thermal conductivity circuit component A manufactured as mentioned above on the circuit board 10 (mother board). Here, as shown in FIG. 7, the insulating layer 2 of the high thermal conductivity circuit component A is formed with a thickness substantially equal to the interval between the narrowed circuits 5 by the above-described method. Even if the circuit 5 is formed at a narrow interval, each metal body 1 of the high thermal conductivity circuit component A can be easily electrically connected to the corresponding circuit 5. The number of the high thermal conductivity circuit components A to be mounted on the circuit board 10 is arbitrary as long as it is at least one, and can be appropriately set according to the design of the high heat dissipation module B. In addition to mounting only the high thermal conductivity circuit component A, other circuit components 9 (for example, chip resistors) may be mounted on the circuit board 10. The number of other circuit components 9 to be mounted on the circuit board 10 is also arbitrary, and can be appropriately set according to the design of the high heat dissipation module B. FIG. 7 shows an example of the high heat dissipation module B. In the high heat dissipation module B, one high thermal conductivity circuit component A and two chip resistors are mounted on the circuit board 10 by solder 19. Instead of the solder 19, an inorganic or other conductive (high thermal conductivity) adhesive may be used. Since the metal body 1 of the high thermal conductive circuit component A is larger than the electronic component 4 such as an LED, it can be used as an electrode, and it is possible to inspect a good product or a defective product while the electronic component 4 is mounted. Can be reliably prevented from being mounted on the circuit board 10.

ここで、図７のような高放熱モジュールＢを製造するにあたって、高熱伝導性回路部品Ａとしては、電子部品４を実装していない側の面（実装面７と反対側の面、回路５と接続される面）が平坦なものを用いるようにしている。この平坦な面は、図７に示すように半田１９により回路５と接続される。しかし、上記の面は平坦であるがゆえに、半田１９が移動しやすいものとなっており、場合によっては、金属体１と回路５とを接続するための半田１９が、上記の面を伝って、他の金属体１に接触することにより、短絡（いわゆる半田ブリッジ）を生じさせるおそれがある。そこで、このような問題の発生を確実に防止するため、図９に示す高放熱モジュールＢにおいては、高熱伝導性回路部品Ａとして、電子部品４を実装していない側の面に凹設部２２を形成したものを用いるようにしている。この凹設部２２は、上記の面において絶縁層２を挟む２枚の金属体１に亘るように形成してある。このようにして凹設部２２が形成されていると、この凹設部２２により半田１９の移動が制限され、金属体１と回路５とを接続するための半田１９が他の金属体１に接触するようなことがなくなり、半田ブリッジの発生を確実に防止することができるものである。なお、凹設部２２も既述の凹部１５と同様に座ぐり加工などにより形成することができる。   Here, in manufacturing the high heat dissipation module B as shown in FIG. 7, as the high thermal conductivity circuit component A, the surface on which the electronic component 4 is not mounted (the surface opposite to the mounting surface 7, the circuit 5, and the like) The surface to be connected is flat. This flat surface is connected to the circuit 5 by solder 19 as shown in FIG. However, since the above surface is flat, the solder 19 is easy to move. In some cases, the solder 19 for connecting the metal body 1 and the circuit 5 travels along the above surface. There is a possibility of causing a short circuit (so-called solder bridge) by contacting with the other metal body 1. Therefore, in order to surely prevent the occurrence of such a problem, in the high heat dissipation module B shown in FIG. 9, the concave portion 22 is formed on the surface on which the electronic component 4 is not mounted as the high thermal conductivity circuit component A. The one formed is used. The recessed portion 22 is formed so as to extend over the two metal bodies 1 sandwiching the insulating layer 2 on the above surface. When the recessed portion 22 is formed in this way, the movement of the solder 19 is restricted by the recessed portion 22, and the solder 19 for connecting the metal body 1 and the circuit 5 is attached to the other metal body 1. This prevents contact and prevents solder bridges from occurring. The recessed portion 22 can also be formed by spot facing or the like in the same manner as the recessed portion 15 described above.

上記の回路基板１０としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＦＲ−４等の樹脂系基板に回路５を形成したものやリードフレームに回路５を形成したものを用いることができる。放熱特性を高く得るためには図７に示すような、金属基板１１に絶縁層２１を介して回路５を形成したものを用いるのが好ましい。特に、このような回路基板１０として、熱伝導率２．０Ｗ／ｍｋ以上の絶縁層２１が表面に形成された金属基板１１を用いると、放熱特性をさらに高く得ることができる。絶縁層２１の熱伝導率は高ければ高いほどよく、上限は特に限定されるものではない。絶縁層２１の熱伝導率が２．０Ｗ／ｍｋ未満であると、放熱特性のさらなる向上は期待できないおそれがある。なお、回路５の形成方法としては、ファインライン（狭ピッチの回路５）を形成することができる方法であれば、特に限定されるものではなく、例えば、銅箔などの金属箔をエッチングする方法を用いることができる。また回路５の厚みは、ファインラインを形成できる３５μｍ程度以下の厚みが好ましいが、この厚みに限定されるものではない。   The circuit board 10 is not particularly limited. For example, a circuit board formed with a circuit 5 on a resin substrate such as FR-4 or a circuit board formed with a circuit 5 on a lead frame can be used. In order to obtain high heat dissipation characteristics, it is preferable to use a metal substrate 11 having a circuit 5 formed on an insulating layer 21 as shown in FIG. In particular, when the metal substrate 11 on which the insulating layer 21 having a thermal conductivity of 2.0 W / mk or more is used as such a circuit board 10, the heat dissipation characteristics can be further enhanced. The higher the thermal conductivity of the insulating layer 21, the better, and the upper limit is not particularly limited. If the thermal conductivity of the insulating layer 21 is less than 2.0 W / mk, there is a possibility that further improvement in heat dissipation characteristics cannot be expected. The method for forming the circuit 5 is not particularly limited as long as it is a method capable of forming a fine line (narrow pitch circuit 5). For example, a method of etching a metal foil such as a copper foil. Can be used. The thickness of the circuit 5 is preferably about 35 μm or less that can form a fine line, but is not limited to this thickness.

上記のようにして製造した高放熱モジュールＢにあって、高熱伝導性回路部品Ａの絶縁層２を回路５間の絶縁として活用でき、この絶縁層２（回路５間隔）は図４及び図６に示す方法により非常に高い精度で形成することができるので、回路基板１０の回路５が狭い間隔で形成されていても特に問題はない。逆に図８に示すように回路基板１０の回路５が広い間隔で形成されると共に絶縁層２が狭い間隔で形成されている場合において、高熱伝導性回路部品Ａが多少ずれて回路基板１０に実装されても、同図の破線で囲んだ部分のように各金属体１が対応する回路５に電気的に接続されていれば、金属体１間の絶縁は絶縁層２によって確実に確保されているので、短絡などの問題が発生することもない。   In the high heat dissipation module B manufactured as described above, the insulating layer 2 of the high thermal conductivity circuit component A can be used as insulation between the circuits 5, and this insulating layer 2 (circuit 5 interval) is shown in FIGS. 4 and 6. Therefore, there is no particular problem even if the circuits 5 of the circuit board 10 are formed at a narrow interval. On the contrary, as shown in FIG. 8, when the circuit 5 of the circuit board 10 is formed at a wide interval and the insulating layer 2 is formed at a narrow interval, the high thermal conductivity circuit component A is slightly shifted to the circuit board 10. Even if mounted, the insulation between the metal bodies 1 is reliably ensured by the insulating layer 2 as long as each metal body 1 is electrically connected to the corresponding circuit 5 as shown by the broken line in FIG. As a result, problems such as short circuits do not occur.

また、使用する電子部品４によっては、回路５に大きな電流を流さなければならない場合が生じる。このとき回路５としては、抵抗を小さくするため、厚みの厚いものを形成することとなるが、厚みの厚い回路を形成すると、回路５間の間隔を狭くすることができない。しかし、そうであるからといって、回路５間の間隔を逆に広くすると、今度は電子部品４に設けたバンプ１３を回路５に載せることができなくなるおそれがある。よって、図１０に示す従来のモジュールＣにあっては、設計上、回路５ａ，５ｂ間の間隔とバンプ１３ａ，１３ｂ間の間隔との両方を十分に考慮に入れねばならず、煩雑な面があった。   Further, depending on the electronic component 4 to be used, there may be a case where a large current needs to flow through the circuit 5. At this time, in order to reduce the resistance, a thick circuit is formed as the circuit 5. However, if a thick circuit is formed, the interval between the circuits 5 cannot be reduced. However, if this is the case, if the distance between the circuits 5 is increased, the bumps 13 provided on the electronic component 4 may not be mounted on the circuit 5 this time. Therefore, in the conventional module C shown in FIG. 10, both the distance between the circuits 5a and 5b and the distance between the bumps 13a and 13b must be sufficiently taken into consideration in design. there were.

しかし、本発明によれば、上記のような煩雑な面は一切ない。すなわち、大きな電流を必要とする電子部品４を使用する場合には、回路５としては、厚みの厚いものを形成すればよい。そうすると、図８に示すように回路５ａ，５ｂ間の間隔及び回路５ｂ，５ｃ間の間隔は広くなるが（破線で囲んだ部分を参照）、本発明においては、このような回路５に直に電子部品４を実装するものではなく、金属体１を介して間接的に実装するものであるため、電子部品４に設けたバンプ１３ａ，１３ｂ間の間隔及びバンプ１３ｃ，１３ｄ間の間隔が狭くても、これは全く関係がない。つまり、図８に示す本発明に係る高放熱モジュールＢにあっては、回路５ａ，５ｂ間の間隔及び回路５ｂ，５ｃ間の間隔とバンプ１３ａ，１３ｂ間の間隔及びバンプ１３ｃ，１３ｄ間の間隔とが相互に制限を受けることがなく、高放熱モジュールＢの設計の自由度が高まるものである。   However, according to the present invention, there is no complicated aspect as described above. That is, when the electronic component 4 that requires a large current is used, the circuit 5 may be formed with a large thickness. Then, as shown in FIG. 8, the distance between the circuits 5a and 5b and the distance between the circuits 5b and 5c are increased (see the portion surrounded by the broken line). Since the electronic component 4 is not mounted but mounted indirectly via the metal body 1, the distance between the bumps 13a and 13b and the distance between the bumps 13c and 13d provided on the electronic component 4 are narrow. But this has nothing to do with it. That is, in the high heat dissipation module B according to the present invention shown in FIG. 8, the distance between the circuits 5a and 5b, the distance between the circuits 5b and 5c, the distance between the bumps 13a and 13b, and the distance between the bumps 13c and 13d. Thus, the degree of freedom in designing the high heat dissipation module B is increased.

また、高熱伝導性回路部品Ａの金属体１を回路５の一部として使用することができる上に、この金属体１にヒートシンク（ヒートスプレッダ）としての役目も持たせることができる。すなわち、図１０に示すような金属基板１１を用いたモジュールＣやセラミック基板を用いたモジュールでは、電子部品４から発する熱を回路５、金属基板１１、セラミック基板から放散させることしか期待することができないが、図７に示すような高放熱モジュールＢであると、電子部品４に比べて大きな金属体１が電子部品４と回路５との間に存在するため、電子部品４から発する熱をこの金属体１を通じて効率よく伝達すると共に放散させることが可能となり、熱放散性が格段に向上するのである。この熱放散性はセラミック基板以上である。そして、高熱伝導性回路部品Ａ自体は上述の方法により安価に製造することができるので、この高熱伝導性回路部品Ａを用いると、狭ピッチの状態で高熱伝導性を十分に得ることができる高放熱モジュールＢも安価に製造することができるものである。   Further, the metal body 1 of the high thermal conductivity circuit component A can be used as a part of the circuit 5, and the metal body 1 can also serve as a heat sink (heat spreader). That is, in the module C using the metal substrate 11 as shown in FIG. 10 or the module using the ceramic substrate, the heat generated from the electronic component 4 can only be expected to be dissipated from the circuit 5, the metal substrate 11 and the ceramic substrate. However, in the case of the high heat dissipation module B as shown in FIG. 7, the metal body 1 larger than the electronic component 4 exists between the electronic component 4 and the circuit 5, so that heat generated from the electronic component 4 is generated. It is possible to efficiently transmit and dissipate through the metal body 1, and the heat dissipating property is remarkably improved. This heat dissipation is more than that of a ceramic substrate. Since the high thermal conductivity circuit component A itself can be manufactured at a low cost by the above-described method, the use of the high thermal conductivity circuit component A can sufficiently obtain high thermal conductivity in a narrow pitch state. The heat dissipation module B can also be manufactured at low cost.

高放熱モジュールＢの熱放散性をさらに高めるには、高熱伝導性回路部品Ａを実装した回路基板１０に放熱フィン１２を形成することによって、高放熱モジュールＢを製造すればよい。例えば、図８に示すように金属基板１１の一部を放熱フィン１２の形状にしたり、金属基板１１とは別体である放熱フィン１２を熱伝導グリースや熱伝導シートを介して金属基板１１にネジ止めしたりすることによって、高放熱モジュールＢに放熱フィン１２を形成することができる。金属基板１１と放熱フィン１２とが別体であると、両者の間に隙間ができ、これにより放熱性が低下したりコストが高くなったりするおそれがあるので、放熱フィン１２が金属基板１１と一体である図８に示すような高放熱モジュールＢの方が好ましい。   In order to further enhance the heat dissipation of the high heat dissipation module B, the high heat dissipation module B may be manufactured by forming the heat dissipation fins 12 on the circuit board 10 on which the high thermal conductivity circuit component A is mounted. For example, as shown in FIG. 8, a part of the metal substrate 11 is formed into the shape of the heat radiating fins 12, or the heat radiating fins 12, which are separate from the metal substrate 11, are attached to the metal substrate 11 via heat conductive grease or heat conductive sheets. The heat radiation fin 12 can be formed in the high heat radiation module B by screwing. If the metal substrate 11 and the radiating fin 12 are separate, there is a gap between them, which may reduce heat dissipation and increase the cost. A high heat dissipation module B as shown in FIG. 8 is preferable.

なお、本発明に係る高放熱モジュールＢは、例えば、小型のＬＥＤ実装済み高熱伝導性回路部品Ａを回路基板１０全面に実装することにより非常に明るい照明用基板モジュールとして使用可能である。また、小型の高熱伝導性回路部品Ａ１個にＬＥＤを複数個実装することも可能であり、点光源としての高輝度化に非常に有利であり、実装部品点数を減らすことも容易である。結果として非常に低コストな高放熱モジュールＢを製造することができるようになるものである。   The high heat dissipation module B according to the present invention can be used as a very bright illumination board module by mounting a small LED-mounted high thermal conductivity circuit component A on the entire surface of the circuit board 10, for example. Further, it is possible to mount a plurality of LEDs on one small high thermal conductivity circuit component A, which is very advantageous for increasing the brightness as a point light source, and it is easy to reduce the number of mounted components. As a result, a very low cost high heat radiation module B can be manufactured.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.

（実施例１）
接着シートを次のようにして作製した。まず、エポキシ樹脂１００重量部、ジシアンジアミド（硬化剤）５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール（硬化促進剤）０．１重量部、エポキシシランカップリング剤１０重量部、メチルエチルケトン及びジメチルフォルムアミドからなる溶剤（ＭＥＫ：ＤＭＦ＝１：２（重量比））７０重量部をあらかじめ混合して溶解させた溶液を準備した。次に、この溶液にさらに平均粒径５μｍのアルミナフィラー（無機フィラー）７００重量部を混合し、これをディスパーで撹拌することにより、固形分９３ｗｔ％、粘度３０００ｃｐｓのスラリーとした。そしてこのスラリーをＰＥＴフィルムの上に塗布し、これを１５０℃で１０分間乾燥することによって、厚み５０μｍの接着性を有するＢステージ状態の接着シート（無機フィラー８５ｗｔ％含有）を作製した。 Example 1
An adhesive sheet was prepared as follows. First, 100 parts by weight of epoxy resin, 5 parts by weight of dicyandiamide (curing agent), 0.1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole (curing accelerator), 10 parts by weight of epoxy silane coupling agent, methyl ethyl ketone and dimethylformamide A solution was prepared by previously mixing 70 parts by weight of a solvent (MEK: DMF = 1: 2 (weight ratio)). Next, 700 parts by weight of an alumina filler (inorganic filler) having an average particle diameter of 5 μm was further mixed with this solution, and this was stirred with a disper to obtain a slurry having a solid content of 93 wt% and a viscosity of 3000 cps. And this slurry was apply | coated on PET film, this was dried at 150 degreeC for 10 minute (s), and the adhesive sheet of B stage state (85 wt% of inorganic fillers) which has adhesiveness of thickness 50 micrometers was produced.

次に、厚み５ｍｍのアルミニウム板３枚と接着シート２枚とを図４（ａ）のように積層して成形することにより、３層回路板を作製した。積層成形時の条件は、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ２）、１３０℃×１０分＋１７５℃×６０分、６．６７ｈＰａ（５トール）以下の減圧下とした。次に、上記のようにして得た３層回路板を図４（ｂ）のように厚み５ｍｍ、幅１０ｍｍの直方体に切断加工した。そして、このように個片化された構造体の切断面に一般的な方法により金メッキを施した後、図１に示すように金バンプを介してパワートランジスタを実装した。このようにして得た高熱伝導性回路部品において３個の金属体をそれぞれエミッタ、コレクタ、ベースとする電極として使用することにより、パワートランジスタの実装状態の合否確認を行った。その結果、パワートランジスタの実装状態には何ら問題がないことを確認した。 Next, three aluminum plates having a thickness of 5 mm and two adhesive sheets were laminated and molded as shown in FIG. 4A to produce a three-layer circuit board. The conditions at the time of lamination molding were an actual pressure of 0.29 MPa (3 kgf / cm 2 ), 130 ° C. × 10 minutes + 175 ° C. × 60 minutes, and a reduced pressure of 6.67 hPa (5 Torr) or less. Next, the three-layer circuit board obtained as described above was cut into a rectangular parallelepiped having a thickness of 5 mm and a width of 10 mm as shown in FIG. And after gold-plating was performed to the cut surface of the structure separated in this way by the general method, the power transistor was mounted via the gold bump as shown in FIG. By using three metal bodies as the emitter, collector, and base electrodes in the thus obtained high thermal conductivity circuit component, the pass / fail state of the power transistor was confirmed. As a result, it was confirmed that there was no problem in the mounting state of the power transistor.

（実施例２）
アルミニウム板の代わりに銅板を用いるようにした以外は、実施例１と同様にして個片化された構造体を得た。次に、この構造体の切断面の中央部に座ぐり加工により円形の凹部を形成し、この凹部の底面を電子部品が実装可能な程度に平滑化した。そして、この凹部の底面に一般的な半田実装による方法で、図２に示すように４個のＬＥＤを面実装した。各金属体をそれぞれ電極として使用することによりＬＥＤを発光させることができた。このようにして得た高熱伝導性回路部品は、全点灯・半点灯が切り替え可能な３層回路ＬＥＤモデルである。 (Example 2)
A separated structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that a copper plate was used instead of the aluminum plate. Next, a circular recess was formed in the center portion of the cut surface of the structure by spot facing, and the bottom surface of the recess was smoothed to the extent that an electronic component can be mounted. Then, four LEDs were surface-mounted on the bottom surface of the recess by a general solder mounting method as shown in FIG. The LED could emit light by using each metal body as an electrode. The high thermal conductivity circuit component thus obtained is a three-layer circuit LED model that can be switched between full lighting and half lighting.

また、図２に示すものより銅板を１枚多くすると共に３個のＬＥＤ（青色（Ｂ）、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ））を面実装することにより、図５に示すような、青・赤・緑の表示による色の切り替えが可能な高熱伝導性回路部品を製造した。これは４層回路ＬＥＤモデルであり、白色発光も可能としたものである。   Further, by adding one copper plate to that shown in FIG. 2 and surface-mounting three LEDs (blue (B), red (R), and green (G)), a blue plate as shown in FIG.・ Manufactured high thermal conductivity circuit components that can switch colors by displaying red and green. This is a four-layer circuit LED model that enables white light emission.

上記のどのモデルについても良好な発光を得ることができた。   Good light emission could be obtained for any of the above models.

（実施例３）
厚み５ｍｍの銅板３枚と厚み５０μｍの市販のフッ素樹脂シート２枚とを図４（ａ）のように積層して成形することにより、３層回路板を作製した。積層成形時の条件は、実圧０．９８ＭＰａ（１０ｋｇｆ／ｃｍ２）、１３０℃×１０分＋２５０℃×６０分、６．６７ｈＰａ（５トール）以下の減圧下）とした。次に、上記のようにして得た３層回路板を図４（ｂ）のように厚み５ｍｍ、幅１０ｍｍの直方体に切断加工した。そして、このように個片化された構造体に実施例２と同様に凹部を形成すると共に一般的な方法により金メッキを施した後に、図２に示すように金バンプを介してＬＥＤを実装した。 (Example 3)
A three-layer circuit board was produced by laminating three copper plates having a thickness of 5 mm and two commercially available fluororesin sheets having a thickness of 50 μm as shown in FIG. The conditions at the time of lamination molding were set to an actual pressure of 0.98 MPa (10 kgf / cm 2 ), 130 ° C. × 10 minutes + 250 ° C. × 60 minutes, under a reduced pressure of 6.67 hPa (5 Torr) or less). Next, the three-layer circuit board obtained as described above was cut into a rectangular parallelepiped having a thickness of 5 mm and a width of 10 mm as shown in FIG. And after forming the recessed part in the structure separated in this way similarly to Example 2, and giving gold plating by a general method, as shown in FIG. 2, it mounted LED via the gold bump .

次に、上記のようにして得た高熱伝導性回路部品をチップ抵抗と共に図７に示すように、一般的な金属基板（銅箔からなる回路の厚み９μｍ、アルミナフィラーを８０ｗｔ％含有するエポキシ樹脂からなる絶縁層の厚み８０μｍ、アルミニウム板１．５ｍｍ）に半田実装することにより、機能回路としての高放熱モジュールを製造した。そしてこの高放熱モジュールの動作確認を行ったところ、ＬＥＤを良好に発光させることができた。   Next, as shown in FIG. 7 together with the chip resistance, the high thermal conductivity circuit component obtained as described above is a general metal substrate (epoxy resin containing a 9 μm thick copper foil and 80 wt% alumina filler). A high heat dissipation module as a functional circuit was manufactured by solder mounting on an insulating layer of 80 μm thick and 1.5 mm aluminum plate). When the operation of the high heat dissipation module was confirmed, the LED was able to emit light satisfactorily.

（実施例４）
厚み３ｍｍの銅板、厚み５０μｍの接着シート（実施例１と同じもの）、厚み５ｍｍのステンレス板、上記と同じ接着シート、厚み３ｍｍの銅板をこの順に積層して成形することにより、図４（ａ）のような３層回路板を作製した。積層成形時の条件は、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ２）、１３０℃×１０分＋１７５℃×６０分、６．６７ｈＰａ（５トール）以下の減圧下とした。次に、上記のようにして得た３層回路板を図４（ｂ）のように厚み５ｍｍ、幅８ｍｍの直方体に切断加工した。 Example 4
A 3 mm thick copper plate, a 50 μm thick adhesive sheet (same as in Example 1), a 5 mm thick stainless steel plate, the same adhesive sheet as above, and a 3 mm thick copper plate are laminated in this order to form FIG. A three-layer circuit board as shown in FIG. The conditions at the time of lamination molding were an actual pressure of 0.29 MPa (3 kgf / cm 2 ), 130 ° C. × 10 minutes + 175 ° C. × 60 minutes, and a reduced pressure of 6.67 hPa (5 Torr) or less. Next, the three-layer circuit board obtained as described above was cut into a rectangular parallelepiped having a thickness of 5 mm and a width of 8 mm as shown in FIG.

上記のように個片化した構造体に次のようにして段差を有する凹部を形成した。まず、図３に示すように両端の銅板に亘る面積で座ぐり加工により第１の凹部１５ａを形成した。次に、この凹部１５ａの底面のうち中央のステンレス板のみにさらに座ぐり加工により第２の凹部１５ｂを形成した。   A concave portion having a step was formed in the structure separated as described above as follows. First, as shown in FIG. 3, the 1st recessed part 15a was formed by spot facing in the area covering the copper plate of both ends. Next, the second concave portion 15b was further formed on the bottom surface of the concave portion 15a only by countersinking the central stainless steel plate.

その後、中央のステンレス板に形成した凹部１５ｂの底面に銀ペーストでＬＥＤを実装すると共にこのＬＥＤと両端の銅板とを金ワイヤー２０によりボンディングした。そして、第１及び第２の凹部１５ａ，１５ｂに蛍光剤入りの封止材１８を充填することにより、図３に示すようなＬＥＤ発光体としての高熱伝導性回路部品を製造した。このようにして得たＬＥＤ発光体の両端の銅板に直流３Ｖの電圧を印加すると、白色に良好に輝くことが確認された。   Thereafter, an LED was mounted with a silver paste on the bottom surface of the recess 15b formed on the central stainless steel plate, and the LED and a copper plate on both ends were bonded together with a gold wire 20. Then, by filling the first and second recesses 15a and 15b with a sealing material 18 containing a fluorescent agent, a highly thermally conductive circuit component as an LED luminous body as shown in FIG. 3 was manufactured. It was confirmed that when a voltage of 3 V DC was applied to the copper plates at both ends of the LED luminous body thus obtained, the white light shined well.

（実施例５）
実施例２における３層回路ＬＥＤモデル（図２参照）と同様にして、３層回路板から厚み５ｍｍ、幅１０ｍｍの直方体を得た。次に、この個片化された構造体の表面に実施例２と同様にして凹部を形成した後、一般的な方法により金メッキを施し、金バンプを介してＬＥＤを実装することにより、高熱伝導性回路部品を製造した。 (Example 5)
A rectangular parallelepiped having a thickness of 5 mm and a width of 10 mm was obtained from the three-layer circuit board in the same manner as the three-layer circuit LED model in Example 2 (see FIG. 2). Next, after forming a concave portion on the surface of the separated structure in the same manner as in Example 2, gold plating is performed by a general method, and an LED is mounted via a gold bump, thereby achieving high thermal conductivity. Circuit components were manufactured.

一方、回路となる銅リードフレーム（厚み５０μｍ）、実施例１と同様の接着シート、放熱フィンを形成した金属基板（全体の厚み１０ｍｍ、放熱フィン部分の厚み７ｍｍ）をこの順に積層して成形することにより、放熱フィン一体型のリードフレーム基板を作製した。積層成形時の条件は、実圧０．２９ＭＰａ（３ｋｇｆ／ｃｍ２）、１３０℃×１０分＋１７５℃×６０分、６．６７ｈＰａ（５トール）以下の減圧下とした。 On the other hand, a copper lead frame (thickness: 50 μm) serving as a circuit, an adhesive sheet similar to that in Example 1, and a metal substrate on which heat dissipating fins are formed (overall thickness 10 mm, heat dissipating fin portion thickness 7 mm) are laminated in this order. Thus, a lead frame substrate integrated with heat radiation fins was produced. The conditions at the time of lamination molding were an actual pressure of 0.29 MPa (3 kgf / cm 2 ), 130 ° C. × 10 minutes + 175 ° C. × 60 minutes, and a reduced pressure of 6.67 hPa (5 Torr) or less.

そして、上記のリードフレーム基板の放熱フィンを形成した側と反対側の面に、半田リフローによりＬＥＤ実装済みの高熱伝導性回路部品を実装した（図８参照）。このようにして得た高放熱モジュールにおいて、電圧を５Ｖ印加すると、ＬＥＤが良好に発光することが確認された。   And the high thermal conductivity circuit component mounted with LED was mounted by solder reflow on the surface opposite to the side where the heat dissipating fins of the lead frame substrate were formed (see FIG. 8). In the high heat dissipation module thus obtained, it was confirmed that when a voltage of 5 V was applied, the LED emitted light satisfactorily.

（比較例）
一般的な金属基板（銅箔からなる回路の厚み９μｍ、アルミナフィラーを８０ｗｔ％含有するエポキシ樹脂からなる絶縁層の厚み８０μｍ、アルミニウム板１．５ｍｍ）に形成した回路上に金メッキを施した後に、金バンプを介してＬＥＤを実装することにより、モジュールを製造した。２Ｖの電圧を印加することにより、ＬＥＤの発光を確認した。 (Comparative example)
After gold plating is performed on a circuit formed on a general metal substrate (thickness of a circuit made of copper foil 9 μm, thickness of an insulating layer made of an epoxy resin containing 80 wt% alumina filler, 80 μm, aluminum plate 1.5 mm), Modules were manufactured by mounting LEDs via gold bumps. By applying a voltage of 2V, the light emission of the LED was confirmed.

そして、実施例１、２、４の高熱伝導性回路部品を実施例３と同様の回路基板に実装して高放熱モジュールを製造した。このようにして得た実施例１〜５の高放熱モジュール及び比較例のモジュールに、それぞれ３Ｖの電圧を印加することにより、熱抵抗を測定した。表１にその測定結果と回路間隔を示す。   And the high thermal conductivity circuit component of Examples 1, 2, and 4 was mounted on the circuit board similar to Example 3, and the high thermal radiation module was manufactured. The thermal resistance was measured by applying a voltage of 3 V to the high heat dissipation modules of Examples 1 to 5 and the module of the comparative example thus obtained. Table 1 shows the measurement results and circuit intervals.

Figure 0003960280
Figure 0003960280

表１にみられるように、実施例１〜５の高放熱モジュールは比較例のモジュールに比べて回路間隔が狭いにもかかわらず、熱抵抗が著しく低いことが確認される。   As can be seen in Table 1, it is confirmed that the high heat dissipation modules of Examples 1 to 5 have remarkably low thermal resistance even though the circuit interval is narrower than the module of the comparative example.

本発明に係る高熱伝導性回路部品の一例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。An example of the highly heat conductive circuit component which concerns on this invention is shown, (a) is sectional drawing, (b) is a perspective view. 本発明に係る高熱伝導性回路部品の他例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。The other example of the high thermal conductivity circuit component which concerns on this invention is shown, (a) is sectional drawing, (b) is a perspective view. 本発明に係る高熱伝導性回路部品の他例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the high thermal conductivity circuit component which concerns on this invention. 本発明に係る高熱伝導性回路部品を製造するための構造体の一例（３層回路板）を示すものであり、（ａ）は切断加工前の斜視図、（ｂ）は切断加工後の斜視図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 shows an example of a structure (three-layer circuit board) for producing a high thermal conductivity circuit component according to the present invention, (a) is a perspective view before cutting, and (b) is a perspective after cutting. FIG. 本発明に係る高熱伝導性回路部品の他例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。The other example of the high thermal conductivity circuit component which concerns on this invention is shown, (a) is sectional drawing, (b) is a perspective view. 本発明に係る高熱伝導性回路部品を製造するための構造体の他例（４層回路板）を示すものであり、（ａ）は切断加工前の斜視図、（ｂ）は切断加工後の斜視図である。The other example (4 layer circuit board) for the structure for manufacturing the high thermal conductivity circuit component which concerns on this invention is shown, (a) is a perspective view before a cutting process, (b) is after a cutting process. It is a perspective view. 本発明に係る高放熱モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the high thermal radiation module which concerns on this invention. 本発明に係る高放熱モジュールの他例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the high thermal radiation module which concerns on this invention. 本発明に係る高放熱モジュールの他例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the high thermal radiation module which concerns on this invention. 従来のモジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional module.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ 高熱伝導性回路部品
Ｂ 高放熱モジュール
１ 金属体
２ 絶縁層
３ 構造体
４ 電子部品
５ 回路
６ 絶縁性樹脂
８ 反射鏡
９ その他の回路部品
１０ 回路基板 A High thermal conductivity circuit component B High heat dissipation module 1 Metal body 2 Insulating layer 3 Structure 4 Electronic component 5 Circuit 6 Insulating resin 8 Reflective mirror 9 Other circuit components 10 Circuit board

Claims (6)

耐ＵＶ性を有する材料を含有する絶縁性樹脂によって形成される絶縁層を介して少なくとも３枚以上の金属体が積層一体化された構造体であって、耐ＵＶ性を有する材料を含有する絶縁性樹脂としてフッ素系及びシリコーン系樹脂組成物から選ばれるものが用いられており、この構造体の少なくとも２枚以上の金属体にまたがって１つ以上の電子部品が実装されると共に上記金属体の全部又は一部を回路として用いて成ることを特徴とする高熱伝導性回路部品。   A structure in which at least three or more metal bodies are laminated and integrated via an insulating layer formed of an insulating resin containing a UV-resistant material, and the insulating material contains a UV-resistant material. A resin selected from a fluorine-based resin and a silicone-based resin composition is used, and at least one electronic component is mounted across at least two metal bodies of the structure, and the metal body A high thermal conductivity circuit component comprising all or part of the circuit as a circuit. 電子部品を実装する部分を他の部分より凹ませることによって反射鏡を形成して成ることを特徴とする請求項１に記載の高熱伝導性回路部品。   2. The high thermal conductivity circuit component according to claim 1, wherein a reflection mirror is formed by recessing a portion for mounting an electronic component from other portions. 絶縁層の厚みが３０〜１５０μｍであると共に、金属体として、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、及び少なくともこれらのうち１種以上のものを含む合金、並びに銅インバー銅の複層材から選ばれるものを用いて成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の高熱伝導性回路部品。   The thickness of the insulating layer is 30 to 150 μm, and the metal body is selected from copper, aluminum, nickel, iron, an alloy containing at least one of these, and a copper invar copper multilayer material The high thermal conductivity circuit component according to claim 1, wherein the high thermal conductivity circuit component is used. 少なくとも３枚以上の金属体を絶縁性樹脂を介して積層一体化することによって、絶縁性樹脂で絶縁層が形成された構造体を作製し、次にこの構造体を積層方向に切断することによって、この構造体から複数の個片を得た後、各個片の少なくとも２枚以上の金属体にまたがって１つ以上の電子部品を実装することを特徴とする高熱伝導性回路部品の製造方法。   By stacking and integrating at least three metal bodies via an insulating resin, a structure having an insulating layer formed of an insulating resin is manufactured, and then the structure is cut in the stacking direction. A method for producing a high thermal conductivity circuit component, comprising: obtaining a plurality of pieces from the structure, and mounting one or more electronic components across at least two metal bodies of each piece. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高熱伝導性回路部品を少なくとも１つ以上回路基板に実装して成ることを特徴とする高放熱モジュール。 High heat dissipation module, characterized by comprising implementing a high thermal conductivity circuit article according to at least one or more exceeded channel substrate in any one of claims 1 to 3. 請求項４に記載の方法により製造された高熱伝導性回路部品を少なくとも１つ以上回路基板に実装して成ることを特徴とする高放熱モジュール。  A high heat dissipation module comprising at least one high thermal conductivity circuit component manufactured by the method according to claim 4 mounted on a circuit board.
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