JP3958869B2

JP3958869B2 - MgO film forming method and panel

Info

Publication number: JP3958869B2
Application number: JP18121398A
Authority: JP
Inventors: 東良一大; 本要司岩
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1998-06-26
Filing date: 1998-06-26
Publication date: 2007-08-15
Anticipated expiration: 2018-06-26
Also published as: JP2000017431A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭｇＯからなる薄膜を基板上に形成するＭｇＯ膜形成方法およびパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりＰＤＰパネルとしてガラス基板にＭｇＯ膜を形成したものが知られている。この場合、ガラス基板にＭｇＯ膜を形成するため、基板が配置された真空チャンバと、プラズマビームを生成しこのプラズマビームを真空チャンバ内に送るプラズマガンと、プラズマガンから生成されたプラズマビームを収束させる収束コイルとを備えた真空成膜装置が用いられている。
【０００３】
このような真空成膜装置において、プラズマガンから生成されたプラズマビームは真空チャンバ内に送られ、真空チャンバ内に設置されたるつぼ内の成膜材料（ＭｇＯ）に照射する。プラズマビームが照射した成膜材料は蒸発した後、基板上に蒸着してＭｇＯの薄膜を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで従来の真空成膜装置により薄膜を形成する場合、成膜材料がるつぼの表面、または真空チャンバの内面等に付着し、特に、るつぼの表面が電気的に絶縁された状態となり、真空チャンバ内で通電不能となる。この結果、電極各部がチャージアップする現象が時間経過とともに進行する。このため、プラズマビームに対する連続的な安定制御ができなくなり、成膜の安定性が損なわれるという問題が生じる。なお、このような現象が生じた場合、プラズマビームから生じた反射電子流は通電不能となった部分に入射しようとするが反射され、イオンとの結合により電気的に中和されるか、最終的に電気的帰還が可能な場所に到達するまで電子の反射は繰り返されることとなる。
【０００５】
また、真空チャンバ内には、プラズマビームを制御するための磁場が存在しており、反射電子の動きはこの磁場により制約を受ける。したがって、プラズマガンを使用して成膜材料からなる薄膜を連続的、かつ安定して形成するためには、磁場分布状態が最適で、かつ成膜材料が付着しにくい位置に適正に反射電子流を戻す電子帰還電極を設ける必要がある。
【０００６】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、プラズマビームが成膜材料に照射されて生成した真空チャンバ内の反射電子流を適正に電子帰還電極に戻すことにより、真空チャンバ内でプラズマビームを安定して形成し、これによって基板上にＭｇＯの薄膜を安定して形成することができるＭｇＯ膜形成方法およびＭｇＯ膜が形成されたパネルを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、内部にＭｇＯを収納したるつぼと基板が配置されるとともに、接地された真空チャンバと、真空チャンバ内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および／あるいは形状を制御させてるつぼ内のＭｇＯに照射させ、このＭｇＯを基板に蒸着させる永久磁石および収束コイルを用いる制御手段と、真空チャンバ内のうちプラズマガン側にプラズマビーム外周を取囲んで設けられ、ＭｇＯに照射されたプラズマビームが生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極とを備え、プラズマガンと電子帰還電極との間に、プラズマビームの経路と反射電子流の経路とを分離する絶縁管が設けられ、絶縁管は電気的に浮遊状態となって電子帰還電極の内側に配置されるとともに、内側を流れるプラズマビームに対して略平行に延びた真空成膜装置を用いたＭｇＯ膜形成方法において、るつぼ内にＭｇＯを収納する工程と、プラズマガンを作動させて、プラズマビームを生成し、このプラズマビームをプラズマビームの経路を通ってるつぼ内のＭｇＯに照射する工程と、ビームがＭｇＯに照射した際生じる反射電子流をプラズマビームの経路と絶縁管を介して分離された反射電子流の経路を通って帰還電極に戻すとともに、るつぼから蒸発するＭｇＯをイオン化して基板に蒸着させてＭｇＯ膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とするＭｇＯ膜形成方法、および
基板と、基板上に蒸着されたＭｇＯ膜とからなり、上記記載のＭｇＯ膜形成方法によって形成されたパネルである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について説明する。図１、図２および図１３は本発明の一実施の形態を示す図である。
【０００９】
まず図２により、本発明によるＭｇＯ膜形成方法を行なう真空成膜装置１０が組込まれたシステム全体の概略について説明する。まずテーブル５１上に設けられた基板１３がロードロック室５２内に搬送され、このロードロック室５２内で加熱装置５２ａにより加熱されるようになっている。この場合、ロードロック室５２は、真空ポンプ５３により吸引される。
【００１０】
ロードロック室５２内の基板１３は、次に真空成膜装置１０の上方部分５４に搬送され、この真空成膜装置１０の上方部分５４内において、搬送される基板１３の下面に薄膜が形成されるようになっている。なお、基板１３の搬送速度は搬送速度計５４ａによって測定される。また真空成膜装置１０は真空チャンバ１２と、プラズマガン１１とを備えている。さらに真空チャンバ１２には真空ポンプ５４Ａによって吸引され、さらに真空チャンバ１２には質量分析計５５が接続されている。
【００１１】
次に図１により真空成膜装置１０について詳述する。真空成膜装置１０は、上述のように真空ポンプ５４Ａにより吸引されるとともに接地された真空チャンバ１２と、真空チャンバ１２に短管部１２Ａを介して取付けられるとともに、プラズマビーム２２を生成し、このプラズマビーム２２を真空チャンバ１２内に供給するプラズマガン１１とを備えている。また真空チャンバ１０の上方部分５４には、ロードロック室５２から搬送された基板１３が配設されている。この場合、基板１３は、例えばソーダライムガラス（ＡＳ１４００×１０００×２．８ｔ旭硝子（株））のようなガラス材からなり、ＰＤＰパネル６５（図１３参照）を作製するために用いられる。
【００１２】
図１に示すようにプラズマガン１１は、放電電源１４のマイナス側に接続された環状の陰極１５と、放電電源１４のプラス側に抵抗を介して接続された環状の第１中間電極１６および第２中間電極１７とを有し、陰極１５側から放電ガス（Ａｒ）が供給され、この放電ガスをプラズマ状態にして第２中間電極１７から真空チャンバ１２内に向けて流出させるようになっている。
【００１３】
また、真空チャンバ１２と第２中間電極１７との間の短管部１２Ａの外側には、この短管部１２Ａを包囲するように収束コイル１８が設けられている。この収束コイル１８はプラズマビーム２２を磁場により軌道および／あるいは形状を制御するものであり、このような制御としてはプラズマビーム２２の収束、平らな形状にすること、およびるつぼ内に引っ込む等の制御が考えられる。また真空チャンバ１２内の下部には、放電電源１４のプラス側に接続された導電性材料からなるるつぼ１９が配置されており、このるつぼ１９上に薄膜の材料となる成膜材料（ＭｇＯ）２０が収納されている。さらに、るつぼ１９の内部にはるつぼ用磁石２１が設けられている。また、るつぼ１９は真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的に浮遊状態となっている。
【００１４】
また図に示すように、短管部１２Ａ内にプラズマガン１１の出口部から絶縁管１が突設され、この絶縁管１はプラズマビーム２２の周囲を取囲み、プラズマガン１１から電気的に浮遊状態となっている。また真空チャンバ１２に連結された短管部１２Ａ内に、絶縁管１の外周側を取巻くとともに、放電電源１４のプラス側に接続され、プラズマガン１１の出口部よりも高い電位状態となる電子帰還電極２が設けられている。なお、前記絶縁管１としては、たとえば、セラミック製短管が採用される。
【００１５】
さらにまた、真空チャンバ１２の内面には、真空チャンバ１２から電気的に浮遊状態となる防着板４０が設けられている。この防着板４０はＳＵＳ板からなり、後述するプラズマビーム２が成膜材料（ＭｇＯ）２０に照射した場合に生じる反射電子流３が真空チャンバ１２へ帰還して接地されることを防止するものである。なお、防着板４０を設ける代わりに、真空チャンバ１２内面に反射電子流が真空チャンバ１２へ帰還することを防止するための絶縁コーティング膜（図示せず）を設けてもよい。
【００１６】
また真空チャンバ１２内には、基板１３近傍に基板１３上に形成される薄膜の形成速度を測定する成膜速度計４１が設けられ、また成膜速度計４１の下方には真空チャンバ１２内の真空度および成膜真空度を各々測定する真空計４２が設けられている。さらに、真空チャンバ１２内のるつぼ１９近傍には、酸素供給管４３が設けられている。
【００１７】
さらに放電電源１４には、プラズマガン１１の電流値および電圧値を各々測定するプラズマガン電流計４５およびプラズマガン電圧計４６が接続され、また電子帰還電極２には電子帰還電極電流を測定する電子帰還電極電流計４７が接続されている。さらにまた真空チャンバ１２とアース６０との間には、真空チャンバ１２からの接地電流を測定する接地電流計４８が設けられている。
【００１８】
なお、上述したプラズマガン電流計４５、プラズマガン電圧計４６、電子帰還電極電流計４７、接地電流計４８、成膜速度計４１、真空計４２および搬送速度計５４ａからの測定値は、測定値収集ユニット４４内に収集され、この測定値収集ユニット４４において、上述した測定値を一括して収納し、成膜工程を適切に管理することができるようになっている。
【００１９】
次にこのような構成からなる真空成膜装置１０を用いたＭｇＯ膜形成方法について説明する。
【００２０】
まず予め、るつぼ１９内にＭｇＯのペレットからなる成膜材料２０が収納される。次に放電電源１４によってプラズマガン１１が作動して、プラズマガン１１の第２中間電極１７から成膜材料２０に向けてプラズマビーム２２が形成され、プラズマビーム２２が成膜材料（ＭｇＯ）２０に照射される。この場合、るつぼ１９内の成膜材料２０が蒸発し、蒸発した成膜材料２０はイオン化して基板１３の下面に蒸着し、基板１３の下面にＭｇＯの薄膜６６（図１３）が形成される。この間、プラズマビーム２２に対して、収束コイル１８はプラズマビーム２２の横断面を収縮させる作用を行ない、またるつぼ用磁石２１はプラズマビーム２２の焦点合わせおよびプラズマビーム２２を曲げさせる作用を行なう。また、プラズマビーム２２がるつぼ１９内の成膜材料２０に照射され、成膜材料２０が蒸発する際、同時に酸素供給管４３から蒸発する成膜材料（ＭｇＯ）２０に対して酸素を供給し、蒸発するＭｇＯの酸素濃度を高める。
【００２１】
一般に図１３に示すように、基板１３となるＰＤＰパネル用のガラス板には、予めＡｇ層からなる導電層６１が形成され、このＡｇ層６１を囲んでＩＴＯ層６２および誘電層（ＰＢＯ₂層）６３が形成されている。この場合、ＰＤＰパネル用のガラス板１３に酸素リッチのＭｇＯ膜６６を形成することにより、ガラス板１３に予め形成されたＡｇ層６６がＭｇＯ膜６６側へ拡散することを防止することができ、Ａｇ層６１の拡散により生じる黄変を防止することができる。このようにして基板１３上にＭｇＯ膜６６を形成することにより、ＰＤＰパネル６５を作製することができる。
【００２２】
ところでプラズマビーム２２がるつぼ１９内の成膜材料２０に照射されると、るつぼ１９は真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的に浮遊状態となっているために、プラズマビーム２２が成膜材料２０から反射して反射電子流３が生じる。この場合、真空チャンバ１２内面には真空チャンバ１２から電気的に浮遊する防着板４０が設けられているので、防着板４０により反射電子流３の真空チャンバ１２側への帰還が妨げられる。このため大部分の反射電子流３をプラズマビーム２２の外側を通して電子帰還電極２側へ確実に帰還させることができる。
【００２３】
次に反射電子流３の流れについてさらに詳述する。図１に示すように、電子帰還電極２はるつぼ１９から離れた位置に設けられているため、るつぼ１９上から蒸発した成膜材料２０が電子帰還電極２に付着しにくくなっている。また、プラズマガン１１から出たプラズマビーム２２と電子帰還電極２との間に両者を遮る絶縁管１が設けられているので、このプラズマビーム２２が電子帰還電極２に入射して、陰極１５と電子帰還電極２との間で異常放電が発生するのを防止するようになっている。このため、反射電子流３はプラズマビーム２２の外側の、プラズマビーム２２とは分離した経路に沿って電子帰還電極２まで延びて形成され、プラズマビーム２２が連続的かつ安定して持続される。この持続時間は絶縁管１および電子帰還電極２を設けない場合に比して倍以上となり、飛躍的に向上することが確認されている。また、絶縁管１を設けて、異常放電の発生を防止して、プラズマビーム２２の電子帰還電極２への流れ込みによる電力ロスを減少させるようにした結果、プラズマガン１１から照射するプラズマビーム２２が同一の場合、約２０％だけ成膜速度（材料蒸発量）が向上した。さらに、電子帰還電極２を収束コイル１８に近い位置に設けることにより装置全体が、小型化される。
【００２４】
なお、るつぼ１９は真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的に浮遊状態となっているが、蒸発材料が絶縁性のもの、例えば、ＭｇＯを用いた場合は、成膜過程においてるつぼ自体が絶縁性となるため、真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的に浮遊状態にしておかなくても結果として電気的に浮遊状態となり得る。
【００２５】
次に図３および図４により、真空成膜装置１０の他の変形例について説明する。図３および図４において、図１および図２に示す装置と同一の部分については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００２６】
図３および図４に示すように、真空チャンバ１２には一対のプラズマガン１１が連結され、各プラズマガン１１から発生するプラズマビーム２２の横断面を収縮させるため、各プラズマビーム２２に対して同極性同志（Ｎ極同志、或いはＳ極同志）のシート状磁石４，４が電子帰還電極２の前方に設けられている。
【００２７】
このようにシート状磁石４，４を設けることにより、成膜材料２０に入射するプラズマビーム２２をシート状にし、成膜材料２０に対する広巾の蒸発源を形成することができる。このため広巾基板１３に対して適切に薄膜を形成することができる。
【００２８】
図５〜図１１は、真空成膜装置１０の他の変形例を示すプラズマガン１１および真空チャンバ１２の短管部１２Ａの図である。図５〜図１１において、図１および図２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００２９】
図５および図６に示す実施の形態は、電子帰還電極２にその表面に付着する成膜材料２０を払拭して、除去する旋回式ワイパ５を設け、電子帰還電極２の表面を反射電子帰還のために良好な状態を長期間保てるようにしたものである。
【００３０】
図７に示す実施の形態は、電子帰還電極２のプラズマガン１１とは反対の側の面６を凹凸形状に形成して、反射電子帰還のための表面積を増大させたものである。
【００３１】
図８に示す実施の形態は、真空チャンバ１２の短管部１２Ａの真空チャンバ１２内側開口部に、バッフルプレート７を設けたものである。このバッフルプレート７は例えば格子状に、多数の貫通部７ａを全面にわたって万遍なく散在させ、かつ、中央部にプラズマビーム２２の通過口７ｂを設けたものであり、電子帰還電極２の表面に達するガス状態の成膜材料２０の量を減少させるようにしたものである。なお、このバッフルプレート７は、前述したワイパ５とともに、或いは凹凸の面６を有する真空成膜装置１０にも適用できる。
【００３２】
これら図５〜図８に示す構成により、より一層、プラズマビームを連続安定して形成することができるようになる。
【００３３】
なお、真空成膜装置１０は、電子帰還電極２あるいは絶縁管１の配設位置と断面形状について、前述した各実施形態に示すものに限定するものではない。これら電子帰還電極２あるいは絶縁管１の配置位置については、プラズマビーム２２を取り巻くとともに、短管部１２Ａ内であればよく、例えば、図９に示すように、電子帰還電極２および絶縁管１を短管部１２Ａ内の真空チャンバ１２内側に片寄らせて配置してもよい。また断面形状についても、この図９に示す例では、電子帰還電極２の断面形状を矩形とし、絶縁管１をプラズマガン１１側にフランジを有する筒体形状とするのが好ましい。
【００３４】
このような構成により、さらに一層反射電子を効率よく捕捉できるようになる。
【００３５】
図１０は、電子帰還電極２内に電子帰還電流水冷用ジャケット２３を形成し、この電子帰還電流水冷用ジャケット２３の入口部に冷却水流入管２４を接続するとともに、その出口部に冷却水流出管２５を接続して、電子帰還電極２を水冷構造としたものである。
【００３６】
また、図１１は、図８に示すバッフルプレート７内に水冷用ジャケット２６を形成し、この水冷用ジャケット２６の入口部に冷却水流入管２７を接続するとともに、その出口部に冷却水流出管２８を接続して、バッフルプレート７を水冷構造としたものである。
【００３７】
図１０および図１１において、電子帰還電極２およびバッフルプレート７のそれぞれの温度上昇を抑制することができ、投入可能放電電力を増大させ、成膜速度を向上させ得るようになっている。
【００３８】
なお、前述した各実施形態において、絶縁管１はプラズマガン１１に対して電気的に浮遊状態に保たれていれば、その材料は、導電性物質か否かは問わない。
【００３９】
次に図１２により真空成膜装置の他の変形例について説明する。図１２に示す実施の形態は、電子帰還電極２の構成が異なるのみであり、他は図１および図２に示す実施の形態と同一である。
【００４０】
図１２に示すように、電子帰還電極２は内部にコイル（又は永久磁石）２ａを有し、プラズマガン１１から発生するプラズマビーム２２を電子帰還電極２２に接触させることなく通過させるようになっている。また電子帰還電極２は、内部にヒータ２ｂを有し、電子帰還電極２の表面に付着する成膜材料２０を加熱除去するようになっている。なお、電子帰還電極２が反射電子流３の帰還によって加熱され、一定温度が保持される場合はヒータ２ｂを設ける必要はない。さらにまた、図１２に示すように電子帰還電極２のコイル（または永久磁石）２ａの外側には、コイル（または永久磁石）２ａを保護するため、コイルまたは永久磁石水冷用ジャケット２ｃおよび真空断熱層２ｄが設けられている。成膜材料２０の加熱除去中は、図１０に示す電子帰還電極水冷用ジャケット２３用の水は抜いておく。
【００４１】
次に図１２において、電子帰還電極２の表面に付着する成膜材料２０を加熱除去する作用について消去する。電子基環電極２が加熱されると、表面に付着する成膜材料２０が蒸発して除去される。但し電子帰還電極２は一般に無酸素銅からなっているが、成膜材料２０がＭｇＯの場合、融点が１３００℃以上となるため、無酸素銅を用いることはできず、この場合は電子帰還電極２として高融点金属のＭｏ又はＷが用いられる。
【００４２】
又、付着した成膜材料２０が蒸発するまで電子帰還電極２を加熱する場合、電子帰還電極２内のコイル（又は永久磁石）２ａが損傷または性能が低下するが、上述のようにコイル（又は永久磁石）２ａの外側にコイルまたは永久磁石水冷用ジャケット２ｃおよび真空断熱層２ｄを設けることにより、コイル（又は永久磁石）２ａの損傷および性能低下を防止することができる。
【００４３】
【実施例】
第１の実施例
次に本発明の実施例について説明する。第１の実施例は図３および図４に示す実施の形態に対応するものであり、真空チャンバ１２に一対のプラズマガン（Ｒガン、Ｌガン）１１が設けられている。
【００４４】
本実施例において運転条件を次のようにした。
【００４５】
【表１】

プラズマガンのパワーアップ時間５５０ｓｅｃ
基板搬送速度１２５ｍｍ／ｍｉｎ
るつぼの移動速度１ｍｍ／２１ｓｅｃ
基板加熱温度３００℃
酸素供給量Ｌガン、Ｒガン共に１２ｓｃｃｍ。
【００４６】
この結果、基板１３に蒸着速度２３オングストローム／ｓｅｃでＭｇＯ膜６６が形成され、膜厚は５０００オングストロームとなった。
第２の実施例
次に第２の実施例について述べる。第２の実施例も図３および図４に示す実施の形態に対応するものである。
【００４７】
第２の実施例は真空チャンバ１２に一対のプラズマガン（Ｒガン、Ｌガン）１１を設け、るつぼ１９を真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的に浮遊状態としたものである。また、成膜プロセスにおける放電電圧、放電電流、電子帰還電流、接地電流、基板搬送速度および成膜真空度の時間変化を各々図１４および図１５に示す。
【００４８】
ここで図１４はＰＤＰ用基板１３（２５インチ）にＭｇＯ膜を形成した時の実験結果を示し、図１５はガラス基板１３（６０インチ）にＭｇＯ膜を形成した時の実験結果を示す。
【００４９】
図１４および図１５に示すように、るつぼ１９は真空チャンバ１２およびアース６０に対して電気的に浮遊状態となっているので、接地電源はほとんどなく、安定した電子帰還電流を得ることができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、プラズマビームをＭｇＯに照射することにより生成した真空チャンバ内の反射電子流を確実に電子帰還電極に戻すことができる。このため、真空チャンバ内においてプラズマビームを安定して形成することができ、これによって基板上にＭｇＯの薄膜を安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＭｇＯ膜形成方法を行なう真空成膜装置を示す図。
【図２】真空成膜装置が組込まれたシステム全体を示す図。
【図３】真空成膜装置の変形例を示す図である。
【図４】図３に示す真空成膜装置におけるシート状磁石の前後のプラズマビームの状態を示す図である。
【図５】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部の図である。
【図６】図５に示す電子帰還電極を前方側から見た図である。
【図７】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部の図である。
【図８】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部を示す図である。
【図９】真空成膜装置の他の変形例を示すプラズマガン、および真空チャンバの短管部の図である。
【図１０】真空成膜装置の電子帰還電極を示す図である。
【図１１】真空成膜装置のバッフルプレートを示す図である。
【図１２】真空成膜装置の他の変形例を示す図である。
【図１３】本発明によるＰＤＰパネルを示す図である。
【図１４】本発明の具体的実施例を示す図
【図１５】本発明の具体的実施例を示す図
【符号の説明】
１絶縁管
２電子帰還電極
２ａコイル又は永久磁石
２ｂヒータ
２ｃコイル又は永久磁石用水冷用ジャケット
２ｄ真空断熱層
３反射電子流
４シート状磁石
１１プラズマガン
１２真空チャンバ
１２Ａ短管部
１３基板
１４放電電源
１５陰極
１６第１中間電極
１７第２中間電極
１８収束コイル
１９るつぼ
２０成膜材料
２１るつぼ用磁石
２２プラズマビーム
２３電子帰還電極水冷用ジャケット
４０防着板
４１成膜速度計
４２真空計
４３酸素供給管
４４測定値収集ユニット
４５プラズマガン電流計
４６プラズマガン電圧計
４７電子帰還電極電流計
４８接地電流計
６５ＰＤＰパネル
６６ＭｇＯ膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an MgO film forming method and panel for forming a thin film made of MgO on a substrate.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a PDP panel in which an MgO film is formed on a glass substrate is known. In this case, in order to form the MgO film on the glass substrate, a vacuum chamber in which the substrate is arranged, a plasma gun that generates a plasma beam and sends the plasma beam into the vacuum chamber, and a plasma beam generated from the plasma gun are converged. The vacuum film-forming apparatus provided with the focusing coil to be used is used.
[0003]
In such a vacuum film forming apparatus, a plasma beam generated from a plasma gun is sent into a vacuum chamber and irradiated to a film forming material (MgO) in a crucible installed in the vacuum chamber. The film-forming material irradiated with the plasma beam evaporates and then vapor-deposits on the substrate to form a MgO thin film.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, when a thin film is formed by a conventional vacuum film forming apparatus, the film forming material adheres to the surface of the crucible or the inner surface of the vacuum chamber, and the surface of the crucible becomes electrically insulated. It becomes impossible to energize. As a result, the phenomenon in which each part of the electrode is charged up proceeds with time. For this reason, continuous stable control with respect to the plasma beam cannot be performed, and there arises a problem that the stability of film formation is impaired. When such a phenomenon occurs, the reflected electron flow generated from the plasma beam attempts to enter the portion where the current cannot be passed, but is reflected and is electrically neutralized by coupling with ions, or finally Thus, the reflection of electrons is repeated until a place where electrical feedback is possible is reached.
[0005]
Further, a magnetic field for controlling the plasma beam exists in the vacuum chamber, and the movement of the reflected electrons is restricted by this magnetic field. Therefore, in order to form a thin film made of a film-forming material continuously and stably using a plasma gun, the reflected electron current is properly applied to a position where the magnetic field distribution state is optimal and the film-forming material is difficult to adhere. It is necessary to provide an electronic return electrode that returns
[0006]
The present invention has been made in consideration of such points, and by appropriately returning the reflected electron flow in the vacuum chamber generated by irradiating the film forming material with the plasma beam to the electron return electrode, An object of the present invention is to provide an MgO film forming method and a panel on which an MgO film is formed, which can stably form a plasma beam and thereby stably form an MgO thin film on a substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention includes a crucible containing MgO and a substrate disposed therein, a grounded vacuum chamber, a pressure gradient type plasma gun that generates a plasma beam toward the inside of the vacuum chamber, and plasma generated by the plasma gun A control means using a permanent magnet and a focusing coil for irradiating MgO in a crucible whose trajectory and / or shape is controlled by a magnetic field and depositing this MgO on a substrate, and a plasma beam on the plasma gun side in a vacuum chamber An electron feedback electrode is provided to surround the outer periphery and to which a reflected electron flow generated by the plasma beam irradiated to MgO returns. Between the plasma gun and the electron feedback electrode, the path of the plasma beam and the reflected electron flow insulating tube is provided for separating the paths, the insulating tube arrangement inside the electron return electrode is an electrically floating state While being, in the MgO film forming method using the vacuum deposition apparatus extends substantially parallel to the plasma beam flowing inside, and a step of housing the MgO into the crucible, to operate the plasma gun, the plasma beam A step of generating and irradiating the plasma beam with MgO in the crucible through the plasma beam path, and the reflected electron flow generated when the beam irradiates the MgO is separated through the plasma beam path and the insulating tube. And a step of forming an MgO film by ionizing MgO evaporated from a crucible and depositing it on the substrate while returning to the return electrode through the electron flow path, and a substrate And a MgO film deposited on the substrate, and formed by the above-described MgO film forming method.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, an embodiment of the present invention will be described. 1, 2 and 13 are diagrams showing an embodiment of the present invention.
[0009]
First, referring to FIG. 2, the outline of the entire system incorporating the vacuum film forming apparatus 10 for performing the MgO film forming method according to the present invention will be described. First, the substrate 13 provided on the table 51 is transported into the load lock chamber 52, and is heated by the heating device 52a in the load lock chamber 52. In this case, the load lock chamber 52 is sucked by the vacuum pump 53.
[0010]
The substrate 13 in the load lock chamber 52 is then transferred to the upper portion 54 of the vacuum film forming apparatus 10, and a thin film is formed on the lower surface of the substrate 13 to be transferred in the upper portion 54 of the vacuum film forming apparatus 10. It has become so. The conveyance speed of the substrate 13 is measured by a conveyance speed meter 54a. The vacuum film forming apparatus 10 includes a vacuum chamber 12 and a plasma gun 11. Further, the vacuum chamber 12 is sucked by a vacuum pump 54 </ b> A, and a mass spectrometer 55 is connected to the vacuum chamber 12.
[0011]
Next, the vacuum film forming apparatus 10 will be described in detail with reference to FIG. As described above, the vacuum film forming apparatus 10 is attached to the vacuum chamber 12 through the short tube portion 12A while being sucked by the vacuum pump 54A and grounded, and generates the plasma beam 22. A plasma gun 11 for supplying a plasma beam 22 into the vacuum chamber 12 is provided. A substrate 13 conveyed from the load lock chamber 52 is disposed in the upper portion 54 of the vacuum chamber 10. In this case, the substrate 13 is made of a glass material such as soda lime glass (AS1400 × 1000 × 2.8 t Asahi Glass Co., Ltd.), and is used for producing the PDP panel 65 (see FIG. 13).
[0012]
As shown in FIG. 1, the plasma gun 11 includes an annular cathode 15 connected to the negative side of the discharge power source 14, an annular first intermediate electrode 16 connected to the positive side of the discharge power source 14 via a resistor, and a first intermediate electrode 16. The discharge gas (Ar) is supplied from the cathode 15 side, and the discharge gas is made into a plasma state and flows out from the second intermediate electrode 17 into the vacuum chamber 12. .
[0013]
A converging coil 18 is provided outside the short tube portion 12A between the vacuum chamber 12 and the second intermediate electrode 17 so as to surround the short tube portion 12A. The converging coil 18 controls the trajectory and / or shape of the plasma beam 22 by a magnetic field. Such control includes control of converging the plasma beam 22, making it flat, and retracting it into the crucible. Can be considered. A crucible 19 made of a conductive material connected to the positive side of the discharge power source 14 is disposed in the lower part of the vacuum chamber 12, and a film forming material (MgO) 20 serving as a thin film material is disposed on the crucible 19. Is stored. Further, a crucible magnet 21 is provided inside the crucible 19. Also, the crucible 19 is in an electrically floating state with respect to the vacuum chamber 12 and the ground 60.
[0014]
Further, as shown in the figure, an insulating tube 1 protrudes from the outlet of the plasma gun 11 in the short tube portion 12A. The insulating tube 1 surrounds the plasma beam 22 and is electrically floating from the plasma gun 11. It is in a state. In addition, an electronic feedback that surrounds the outer peripheral side of the insulating tube 1 in the short tube portion 12A connected to the vacuum chamber 12 and is connected to the positive side of the discharge power source 14 and is in a higher potential state than the outlet portion of the plasma gun 11 is achieved. An electrode 2 is provided. As the insulating tube 1, for example, a ceramic short tube is employed.
[0015]
Furthermore, a deposition preventing plate 40 that is electrically floating from the vacuum chamber 12 is provided on the inner surface of the vacuum chamber 12. This deposition preventing plate 40 is made of a SUS plate and prevents the reflected electron flow 3 generated when the plasma beam 2 described later irradiates the film forming material (MgO) 20 from returning to the vacuum chamber 12 and being grounded. It is. Instead of providing the deposition preventing plate 40, an insulating coating film (not shown) for preventing the reflected electron flow from returning to the vacuum chamber 12 may be provided on the inner surface of the vacuum chamber 12.
[0016]
In the vacuum chamber 12, a film formation speed meter 41 for measuring the formation speed of a thin film formed on the substrate 13 is provided in the vicinity of the substrate 13. A vacuum gauge 42 for measuring the degree of vacuum and the degree of film formation vacuum is provided. Further, an oxygen supply pipe 43 is provided near the crucible 19 in the vacuum chamber 12.
[0017]
Further, a plasma gun ammeter 45 and a plasma gun voltmeter 46 for measuring a current value and a voltage value of the plasma gun 11 are connected to the discharge power source 14, and an electron for measuring an electron feedback electrode current is connected to the electron feedback electrode 2. A feedback electrode ammeter 47 is connected. Furthermore, a ground ammeter 48 that measures the ground current from the vacuum chamber 12 is provided between the vacuum chamber 12 and the ground 60.
[0018]
The measured values from the plasma gun ammeter 45, the plasma gun voltmeter 46, the electronic feedback electrode ammeter 47, the ground ammeter 48, the film forming speed meter 41, the vacuum gauge 42, and the transfer speed meter 54a described above are measured values. The measurement values are collected in the collection unit 44, and the measurement value collection unit 44 can collectively store the above-described measurement values so that the film forming process can be appropriately managed.
[0019]
Next, an MgO film forming method using the vacuum film forming apparatus 10 having such a configuration will be described.
[0020]
First, a film forming material 20 made of MgO pellets is stored in a crucible 19 in advance. Next, the plasma gun 11 is operated by the discharge power source 14 to form a plasma beam 22 from the second intermediate electrode 17 of the plasma gun 11 toward the film forming material 20, and the plasma beam 22 is applied to the film forming material (MgO) 20. Irradiated. In this case, the film forming material 20 in the crucible 19 evaporates, and the evaporated film forming material 20 is ionized and vapor-deposited on the lower surface of the substrate 13, and an MgO thin film 66 (FIG. 13) is formed on the lower surface of the substrate 13. . During this time, the focusing coil 18 contracts the plasma beam 22 with respect to the plasma beam 22, and the crucible magnet 21 performs focusing of the plasma beam 22 and bending of the plasma beam 22. Further, when the film forming material 20 in the crucible 19 is irradiated with the plasma beam 22 and the film forming material 20 evaporates, oxygen is supplied to the film forming material (MgO) 20 evaporating from the oxygen supply pipe 43 at the same time, Increase the oxygen concentration of evaporated MgO.
[0021]
In general, as shown in FIG. 13, a conductive layer 61 made of an Ag layer is formed in advance on a glass plate for a PDP panel serving as a substrate 13, and an ITO layer 62 and a dielectric layer (PBO ₂ layer) surround the Ag layer 61. ) 63 is formed. In this case, by forming the oxygen-rich MgO film 66 on the glass plate 13 for the PDP panel, it is possible to prevent the Ag layer 66 previously formed on the glass plate 13 from diffusing to the MgO film 66 side. Yellowing caused by the diffusion of the Ag layer 61 can be prevented. The PDP panel 65 can be manufactured by forming the MgO film 66 on the substrate 13 in this way.
[0022]
When the film forming material 20 in the crucible 19 is irradiated with the plasma beam 22, the crucible 19 is in an electrically floating state with respect to the vacuum chamber 12 and the ground 60. Reflected from 20, a reflected electron stream 3 is generated. In this case, since the deposition plate 40 that is electrically floating from the vacuum chamber 12 is provided on the inner surface of the vacuum chamber 12, the deposition plate 40 prevents the reflected electron flow 3 from returning to the vacuum chamber 12 side. Therefore, most of the reflected electron flow 3 can be reliably returned to the electron feedback electrode 2 side through the outside of the plasma beam 22.
[0023]
Next, the flow of the reflected electron stream 3 will be described in further detail. As shown in FIG. 1, since the electron feedback electrode 2 is provided at a position away from the crucible 19, the film forming material 20 evaporated from the top of the crucible 19 is difficult to adhere to the electron feedback electrode 2. Further, since the insulating tube 1 is provided between the plasma beam 22 emitted from the plasma gun 11 and the electron feedback electrode 2, the plasma beam 22 is incident on the electron feedback electrode 2, and the cathode 15 An abnormal discharge is prevented from occurring between the electron return electrode 2 and the electron return electrode 2. For this reason, the reflected electron flow 3 is formed to extend to the electron feedback electrode 2 along a path outside the plasma beam 22 and separated from the plasma beam 22, and the plasma beam 22 is continuously and stably maintained. It has been confirmed that this duration is more than doubled compared with the case where the insulating tube 1 and the electron feedback electrode 2 are not provided, and is dramatically improved. In addition, as a result of providing the insulating tube 1 to prevent the occurrence of abnormal discharge and reducing the power loss due to the flow of the plasma beam 22 into the electron feedback electrode 2, the plasma beam 22 irradiated from the plasma gun 11 In the same case, the film formation rate (material evaporation amount) was improved by about 20%. Furthermore, by providing the electronic feedback electrode 2 at a position close to the converging coil 18, the entire apparatus can be downsized.
[0024]
The crucible 19 is in an electrically floating state with respect to the vacuum chamber 12 and the earth 60. However, when the evaporation material is insulating, for example, MgO is used, the crucible itself is insulated during the film formation process. Therefore, even if it is not electrically floating with respect to the vacuum chamber 12 and the ground 60, it can be electrically floating as a result.
[0025]
Next, another modification of the vacuum film forming apparatus 10 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. 3 and 4, the same parts as those shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0026]
As shown in FIGS. 3 and 4, a pair of plasma guns 11 are connected to the vacuum chamber 12, and in order to contract the cross section of the plasma beam 22 generated from each plasma gun 11, the same is applied to each plasma beam 22. Polarity-like (N-pole or S-pole)

sheet magnets

4 and 4 are provided in front of the electronic feedback electrode 2.
[0027]
By providing the sheet-

like magnets

4 and 4 in this manner, the plasma beam 22 incident on the film forming material 20 can be formed into a sheet shape, and a wide evaporation source for the film forming material 20 can be formed. For this reason, a thin film can be appropriately formed on the wide substrate 13.
[0028]
5 to 11 are views of the plasma gun 11 and the short tube portion 12A of the vacuum chamber 12 showing another modified example of the vacuum film forming apparatus 10. 5 to 11, the same parts as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0029]
In the embodiment shown in FIG. 5 and FIG. 6, a swivel wiper 5 for wiping and removing the film forming material 20 adhering to the surface of the electron feedback electrode 2 is provided, and the surface of the electron feedback electrode 2 is reflected back to the reflected electron. Therefore, a good condition can be maintained for a long time.
[0030]
In the embodiment shown in FIG. 7, the surface 6 of the electron feedback electrode 2 on the side opposite to the plasma gun 11 is formed in a concavo-convex shape to increase the surface area for reflected electron feedback.
[0031]
In the embodiment shown in FIG. 8, the baffle plate 7 is provided in the opening inside the vacuum chamber 12 of the short tube portion 12 </ b> A of the vacuum chamber 12. The baffle plate 7 has, for example, a lattice shape in which a large number of through portions 7a are uniformly distributed over the entire surface, and a passage port 7b for the plasma beam 22 is provided in the central portion. The amount of the film-forming material 20 that reaches the gas state is reduced. The baffle plate 7 can be applied to the vacuum film forming apparatus 10 having the uneven surface 6 together with the wiper 5 described above.
[0032]
The configuration shown in FIGS. 5 to 8 makes it possible to form a plasma beam more continuously and stably.
[0033]
In addition, the vacuum film-forming apparatus 10 is not limited to what is shown in each embodiment mentioned above about the arrangement position and cross-sectional shape of the electron return electrode 2 or the insulating tube 1. The arrangement position of the electron feedback electrode 2 or the insulating tube 1 is not limited as long as it surrounds the plasma beam 22 and is within the short tube portion 12A. For example, as shown in FIG. The short tube portion 12A may be arranged so as to be offset toward the inside of the vacuum chamber 12. As for the cross-sectional shape, in the example shown in FIG. 9, it is preferable that the cross-sectional shape of the electron return electrode 2 is rectangular and the insulating tube 1 is a cylindrical shape having a flange on the plasma gun 11 side.
[0034]
With such a configuration, reflected electrons can be captured more efficiently.
[0035]
FIG. 10 shows that an electronic feedback current water cooling jacket 23 is formed in the electron feedback electrode 2, a cooling water inflow pipe 24 is connected to the inlet of the electronic feedback current water cooling jacket 23, and a cooling water outflow pipe is connected to the outlet thereof. 25, the electron return electrode 2 has a water cooling structure.
[0036]
Further, in FIG. 11, a water cooling jacket 26 is formed in the baffle plate 7 shown in FIG. 8, a cooling water inflow pipe 27 is connected to the inlet of the water cooling jacket 26, and a cooling water outflow pipe 28 is connected to the outlet thereof. And the baffle plate 7 has a water cooling structure.
[0037]
10 and 11, the temperature rise of the electron feedback electrode 2 and the baffle plate 7 can be suppressed, the discharge power that can be applied can be increased, and the film formation rate can be improved.
[0038]
In each of the above-described embodiments, as long as the insulating tube 1 is kept in an electrically floating state with respect to the plasma gun 11, it does not matter whether the material is a conductive substance.
[0039]
Next, another modification of the vacuum film forming apparatus will be described with reference to FIG. The embodiment shown in FIG. 12 is the same as the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 except that the configuration of the electron feedback electrode 2 is different.
[0040]
As shown in FIG. 12, the electron feedback electrode 2 has a coil (or permanent magnet) 2 a inside, and allows the plasma beam 22 generated from the plasma gun 11 to pass through without contacting the electron feedback electrode 22. Yes. The electron return electrode 2 has a heater 2b inside, and the film forming material 20 adhering to the surface of the electron return electrode 2 is removed by heating. In addition, when the electron feedback electrode 2 is heated by the feedback of the reflected electron flow 3 and a constant temperature is maintained, it is not necessary to provide the heater 2b. Furthermore, as shown in FIG. 12, a coil or permanent magnet water-cooling jacket 2c and a vacuum heat insulating layer are provided outside the coil (or permanent magnet) 2a of the electronic feedback electrode 2 to protect the coil (or permanent magnet) 2a. 2d is provided. During the heat removal of the film forming material 20, the water for the electron return electrode water cooling jacket 23 shown in FIG.
[0041]
Next, in FIG. 12, the effect of heating and removing the film forming material 20 adhering to the surface of the electron return electrode 2 is erased. When the electron base ring electrode 2 is heated, the film forming material 20 attached to the surface is evaporated and removed. However, the electron feedback electrode 2 is generally made of oxygen-free copper. However, when the film forming material 20 is MgO, the melting point is 1300 ° C. or higher, so oxygen-free copper cannot be used. As refractory metal 2, Mo or W of high melting point is used.
[0042]
Further, when the electron feedback electrode 2 is heated until the deposited film forming material 20 evaporates, the coil (or permanent magnet) 2a in the electron feedback electrode 2 is damaged or deteriorated in performance, but as described above, the coil (or By providing the coil or permanent magnet water cooling jacket 2c and the vacuum heat insulating layer 2d on the outside of the permanent magnet) 2a, it is possible to prevent damage to the coil (or permanent magnet) 2a and performance degradation.
[0043]
【Example】
First embodiment Next, an embodiment of the present invention will be described. The first example corresponds to the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, and a pair of plasma guns (R gun and L gun) 11 are provided in the vacuum chamber 12.
[0044]
In this example, the operating conditions were as follows.
[0045]
[Table 1]

Plasma gun power-up time 550 sec
Substrate conveyance speed 125mm / min
Moving speed of crucible 1mm / 21sec
Substrate heating temperature 300 ° C
Oxygen supply amount Both L and R guns are 12 sccm.
[0046]
As a result, the MgO film 66 was formed on the substrate 13 at a deposition rate of 23 angstrom / sec, and the film thickness became 5000 angstrom.
Second embodiment Next, a second embodiment will be described. The second example also corresponds to the embodiment shown in FIGS.
[0047]
In the second embodiment, a pair of plasma guns (R gun and L gun) 11 are provided in the vacuum chamber 12, and the crucible 19 is in an electrically floating state with respect to the vacuum chamber 12 and the ground 60. 14 and 15 show changes over time in the discharge voltage, discharge current, electron feedback current, ground current, substrate transfer speed, and film formation vacuum in the film formation process, respectively.
[0048]
14 shows experimental results when an MgO film is formed on a PDP substrate 13 (25 inches), and FIG. 15 shows experimental results when an MgO film is formed on a glass substrate 13 (60 inches).
[0049]
As shown in FIGS. 14 and 15, since the crucible 19 is in an electrically floating state with respect to the vacuum chamber 12 and the earth 60, there is almost no ground power source and a stable electronic feedback current can be obtained.
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to reliably return the reflected electron flow in the vacuum chamber generated by irradiating the plasma beam to MgO to the electron return electrode. For this reason, a plasma beam can be stably formed in the vacuum chamber, whereby an MgO thin film can be stably formed on the substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a vacuum film forming apparatus for performing an MgO film forming method according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing an entire system in which a vacuum film forming apparatus is incorporated.
FIG. 3 is a view showing a modification of the vacuum film forming apparatus.
4 is a view showing a state of a plasma beam before and after a sheet-like magnet in the vacuum film forming apparatus shown in FIG.
FIG. 5 is a view of a plasma gun showing another modification of the vacuum film forming apparatus and a short tube portion of the vacuum chamber.
6 is a view of the electron return electrode shown in FIG. 5 as viewed from the front side. FIG.
FIG. 7 is a diagram of a plasma gun showing another modification of the vacuum film forming apparatus and a short tube portion of the vacuum chamber.
FIG. 8 is a view showing a plasma gun showing another modification of the vacuum film forming apparatus and a short tube portion of the vacuum chamber.
FIG. 9 is a diagram of a plasma gun showing another modification of the vacuum film forming apparatus and a short tube portion of the vacuum chamber.
FIG. 10 is a view showing an electron return electrode of a vacuum film forming apparatus.
FIG. 11 is a view showing a baffle plate of a vacuum film forming apparatus.
FIG. 12 is a view showing another modification of the vacuum film forming apparatus.
FIG. 13 shows a PDP panel according to the present invention.
FIG. 14 is a diagram illustrating a specific embodiment of the present invention. FIG. 15 is a diagram illustrating a specific embodiment of the present invention.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation tube 2 Electron return electrode 2a Coil or permanent magnet 2b Heater 2c Water cooling jacket 2d for coil or permanent magnet Vacuum heat insulation layer 3 Reflected electron flow 4 Sheet magnet 11 Plasma gun 12 Vacuum chamber 12A Short tube part 13 Substrate 14 Discharge power source 15 cathode 16 first intermediate electrode 17 second intermediate electrode 18 focusing coil 19 crucible 20 film forming material 21 crucible magnet 22 plasma beam 23 electron return electrode water cooling jacket 40 deposition plate 41 film formation speed meter 42 vacuum gauge 43 oxygen supply Tube 44 Measured value collection unit 45 Plasma gun ammeter 46 Plasma gun voltmeter 47 Electronic feedback electrode ammeter 48 Ground ammeter 65 PDP panel 66 MgO film

Claims

内部にＭｇＯを収納したるつぼと基板が配置されるとともに、接地された真空チャンバと、真空チャンバ内に向けてプラズマビームを生成する圧力勾配型プラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および／あるいは形状を制御させてるつぼ内のＭｇＯに照射させ、このＭｇＯを基板に蒸着させる永久磁石および収束コイルを用いる制御手段と、真空チャンバ内のうちプラズマガン側にプラズマビーム外周を取囲んで設けられ、ＭｇＯに照射されたプラズマビームが生じる反射電子流が帰還する電子帰還電極とを備え、プラズマガンと電子帰還電極との間に、プラズマビームの経路と反射電子流の経路とを分離する絶縁管が設けられ、絶縁管は電気的に浮遊状態となって電子帰還電極の内側に配置されるとともに、内側を流れるプラズマビームに対して略平行に延びた真空成膜装置を用いたＭｇＯ膜形成方法において、
るつぼ内にＭｇＯを収納する工程と、
プラズマガンを作動させて、プラズマビームを生成し、このプラズマビームをプラズマビームの経路を通ってるつぼ内のＭｇＯに照射する工程と、
ビームがＭｇＯに照射した際生じる反射電子流をプラズマビームの経路と絶縁管を介して分離された反射電子流の経路を通って帰還電極に戻すとともに、るつぼから蒸発するＭｇＯをイオン化して基板に蒸着させてＭｇＯ膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするＭｇＯ膜形成方法。A crucible containing MgO and a substrate are arranged inside, a grounded vacuum chamber, a pressure gradient plasma gun for generating a plasma beam toward the inside of the vacuum chamber, and a plasma beam generated by the plasma gun by a magnetic field. The control means using a permanent magnet and a focusing coil for irradiating MgO in a crucible whose trajectory and / or shape is controlled and depositing this MgO on a substrate, and surrounding the outer periphery of the plasma beam on the plasma gun side in the vacuum chamber And an electron feedback electrode to which the reflected electron flow generated by the plasma beam irradiated to MgO returns, and the path of the plasma beam and the path of the reflected electron flow are separated between the plasma gun and the electron feedback electrode. insulating tube is provided, the insulating tube when is arranged inside the electron return electrode is an electrically floating state Moni, a vacuum deposition apparatus in the MgO film forming method using which extends substantially parallel to the plasma beam flowing inside,
Storing MgO in the crucible;
Activating a plasma gun to generate a plasma beam, and irradiating MgO in the crucible through the plasma beam path;
The reflected electron flow generated when the beam irradiates MgO is returned to the return electrode through the plasma beam path and the reflected electron flow path separated through the insulating tube, and MgO evaporated from the crucible is ionized to the substrate. Forming a MgO film by vapor deposition;
A method for forming an MgO film, comprising:

るつぼ内から蒸発するＭｇＯを基板に蒸着させる際、蒸発するＭｇＯに対して酸素を供給することを特徴とする請求項１記載のＭｇＯ膜形成方法。 2. The MgO film forming method according to claim 1, wherein when depositing MgO evaporated from the crucible on the substrate, oxygen is supplied to the evaporated MgO.

真空チャンバ内のるつぼは真空チャンバおよびアースに対して電気的に浮遊状態となっていることを特徴とする請求項１記載のＭｇＯ膜形成方法。 2. The MgO film forming method according to claim 1, wherein the crucible in the vacuum chamber is electrically floating with respect to the vacuum chamber and the ground.

基板と、
基板上に蒸着されたＭｇＯ膜とからなり、
請求項１記載のＭｇＯ膜形成方法によって形成されたパネル。A substrate,
It consists of MgO film deposited on the substrate,
A panel formed by the MgO film forming method according to claim 1.

基板はガラス基板からなることを特徴とする請求項４記載のパネル。The panel according to claim 4, wherein the substrate is made of a glass substrate.

パネルはＰＤＰパネルであることを特徴とする請求項４記載のパネル。The panel according to claim 4 , wherein the panel is a PDP panel.