JP3956820B2 - 放射線画像変換パネルおよび製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相堆積法によって基板上に細長い輝尽性蛍光体の柱状結晶を形成した放射線画像変換パネルの製造法、および、それにより得られる放射線画像変換パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線画像変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いられるようになってきた。
【０００３】
この放射線像変換方法に用いられる放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭性であることが要求される。
【０００４】
これらの感度や画質に関する複数の因子を調整して感度、画質を改良するため、これまで様々な検討がされてきており、それらの内、放射線画像の鮮鋭性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【０００５】
これらの試みの１つとして、例えば特開昭６１−１４２４９７号等において行われている様な、微細な凹凸パターンを有する支持体（基板）上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。
【０００６】
又、特開昭６１−１４２５００号に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている。
【０００７】
又、特開平２−５８０００号においては、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている。
【０００８】
これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とすることで、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向への拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができるという特徴がある。
【０００９】
これらの気相成長（堆積）により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいては前記感度と鮮鋭性の関係が向上するが、また、擬柱状或いは柱状の輝尽性蛍光体結晶からなる蛍光体層に更に低屈折率層を組み合わせることによって、放射線画像変換パネル中の層界面での反射や屈折を抑え、画質を更に向上させるなどの試みが特開平１−１３１４９８号においてはされている。
【００１０】
しかしながら、これらの柱状輝尽性蛍光体結晶からなる蛍光体層は、細長い柱状の結晶を基板上に形成しているため、基板への付着性（接着性）が充分でない場合があり、形成後、剥離しやすく、耐久性の改良が必要であった。こういった柱状輝尽性蛍光体結晶の基板への付着性（接着性）に注目した技術はこれまでに開示されていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、基板上に、気相堆積法により、基板に対して付着性のよい細長い柱状結晶を形成することのできる放射線画像変換パネルの製造方法をうることにあり、該製造方法によって、放射線吸収率及び光変換率が高い放射線画像変換パネルを得ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は以下の手段により達成される。
【００１３】
１．装置内を所定の真空度に保つための真空ポンプに接続する排気口および装置内に所定量の不活性なガスを導入するためのガス導入口を備えた気相堆積装置内で、基板上に輝尽性蛍光体からなる層を気相堆積により５０μｍ以上の膜厚で形成する放射線画像変換パネルの製造方法であって、基板と蒸発源とが対向して配置され、前記排気口の中心とガス導入口の中心を結ぶ直線が前記基板と蒸発源の間を通過し、且つ、前記排気口の中心とガス導入口の中心を結ぶ直線を基板面上に投影したとき、該直線が必ず基板を通過するように、前記排気口およびガス導入口が配置され、蒸発源の加熱により発生する蒸気流がガス流と交差するようにしたことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１４】
２．前記気相堆積装置内の真空度が１．３３Ｐａ〜１．３３×１０^-3Ｐａの間であることを特徴とする前記１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１５】
３．基板上に形成された輝尽性蛍光体層が上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有し、且つ、前記１または２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法によって製造されることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００１６】
４．一般式（１）におけるＭ¹がＫ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であることを特徴とする前記３に記載の放射線画像変換パネル。
【００１７】
５．一般式（１）におけるＸがＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであることを特徴とする前記３または４に記載の放射線画像変換パネル。
【００１８】
６．一般式（１）におけるＭ²がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であることを特徴とする前記３〜５のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００１９】
７．一般式（１）におけるＭ³がＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であることを特徴とする前記３〜６のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２０】
８．一般式（１）におけるｂが０≦ｂ≦０．０１であることを特徴とする前記３〜７のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２１】
９．一般式（１）におけるＡがＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、ＴｌおよびＮａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とする前記３〜８のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２２】
１０．輝尽性蛍光体が柱状結晶を有することを特徴とする前記３〜９のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２３】
１１．柱状結晶が主成分として上記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする前記１０に記載の放射線画像変換パネル。
【００２４】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、装置内を所定の真空度に保つための真空ポンプに接続する排気口および装置内に所定量の不活性なガスを導入するためのガス導入口を備えた気相堆積装置内において、基板上に輝尽性蛍光体からなる層を気相堆積により５０μｍ以上の膜厚で形成する放射線画像変換パネルの製造方法であって、基板と蒸発源とが対向して配置され、前記排気口およびガス導入口が、排気口の中心とガス導入口の中心を結ぶ直線が前記基板と蒸発源の間を通過し、且つ、排気口の中心とガス導入口の中心を結ぶ直線を基板面上に投影したとき、該直線が必ず基板を通過するように配置され、蒸発源の加熱により発生する蒸気流がガス流と交差するようにしたことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法である。
【００２５】
所定の真空度とは、１．３３×１０^-3〜１．３３Ｐａの範囲の真空度であり、通常の真空蒸着，ＣＶＤ法等を実施する真空度よりも、真空度としては、やや低い真空度が好ましい。本発明においては、上記の真空度を維持しつつ、気相堆積装置内において、輝尽性蛍光体の柱状結晶層を基板（例えばガラス等）上に形成するための輝尽性蛍光体原料蒸気に対し不活性なガス（窒素或いは希ガス等）を前記真空度を維持するように所定の量混入させ、基板上に柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成するものである。導入する窒素等の不活性なガスの温度を例えば温度０℃〜３０℃として、これらのガス流を、前記蒸着源の加熱によって発生する輝尽性蛍光体原料の蒸気流と交差、混合させるようにすることで、輝尽性蛍光体原料の蒸気流が冷却され、基板に対する輝尽性蛍光体柱状結晶の付着性（基板との接着性）の向上した放射線画像変換パネルが得られる。
【００２６】
気相堆積法により基板上へ蛍光体を堆積させるには、蒸発源を加熱して、蛍光体原料蒸気流を発生させる。蒸気流の温度は高いため（蒸気流を受けて基板温度は２００〜３００℃等の温度にまで上昇する）、そのような状態で基板に沈積、付着した蛍光体粒子は、輝尽性蛍光体層の形成後に、基板を常温に戻したとき、基板（例えばガラス等）と蛍光体を形成する物質の熱膨張率が異なり、収縮率が異なる為と考えられるが、基板との付着面にズレを生じて基板との付着性（接着性）を低下してしまうと考えられる。
【００２７】
本発明においては、前記の輝尽性蛍光体原料の加熱によって発生する蒸気流と導入する窒素等の不活性なガスの流れを交差、接触させることで、輝尽性蛍光体原料の蒸気流の温度は低下するため、これを基板上に堆積させ、基板を常温に戻したときに、前記基板と輝尽性蛍光体層との接着性が向上するものと推定している。
【００２８】
輝尽性蛍光体原料蒸気流と導入する窒素等の不活性なガスの流れを交差させるとは、実質的に上記のように蒸気流の温度を低下させるに充分なだけ、輝尽性蛍光体蒸気流と不活性なガスの流れを接触させることであり、この為には、前記気相堆積装置の、装置内を所定の真空度に保つための真空ポンプに接続する排気口および装置内に所定量の不活性なガスを導入するためのガス導入口を、基板およびこれに対向する蒸着源に対して、以下に図で示すような位置に配置することが好ましい。
【００２９】
図１は上記の蒸発源の加熱によって発生する、基板上において輝尽性蛍光体の柱状結晶を形成する輝尽性蛍光体原料の蒸気流と、不活性なガスの流れが交差するようにした本発明に係わる気相堆積装置の一例を示す図である。（ａ）は気相堆積装置の上面図、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）はその側面図を示す。
【００３０】
図１において、１は輝尽性蛍光体層を堆積させる例えばガラスの基板を示し、２は輝尽性蛍光体原料がはいったバスケット（坩堝）等の蒸着源を示す。Ｖは加熱によって発生する輝尽性蛍光体原料の蒸気流を、Ｇはガス供給口から供給されるガス（例えば窒素ガス）を示す。また、３はガス導入口、４は排気口を示している。
【００３１】
気相堆積法においては、気相堆積させる原料を蒸着源２としてバスケット（坩堝）に入れ、これと対向させて、輝尽性蛍光体を堆積させる基板１を配置し、排気口４に真空ポンプを連結し、排気しつつ、一方で例えば窒素等の不活性なガスをガス導入口３から所定量導入しつつ、ガスの導入量に応じた所定の（例えば１．３３Ｐａ〜１．３３×１０^-3Ｐａ程度の）真空度にした後、蒸発源としてのバスケット或いは坩堝等を加熱して、輝尽性蛍光体の蒸気流Ｖを発生させる。
【００３２】
この気相堆積装置において、装置内を所定の真空度に保つための真空ポンプに接続する排気口４および装置内に所定量の不活性なガスを導入するためのガス導入口３は、排気口４およびガス導入口３が、それぞれ排気口４の断面の中心とガス導入口３の断面の中心を結ぶ直線が、基板が表面が形成する平面とそれに対向した蒸着源を含む平面の間の空間にあり、且つ、前記排気口４の断面の中心とガス導入口３の断面の中心を結ぶ直線を基板表面を含む平面上に投影したとき、該直線が必ず基板内を通過するように配置されることで、蒸発源の加熱により発生する蒸気流がガス流と交差、混合するようにすることができる。
【００３３】
図１においてこれを説明すると、ｍは基板表面を含む平面、ｎは蒸着源を含む平面であり、ｃは排気口４の断面の中心とガス導入口３の断面の中心を結ぶ直線である。前記排気口４の断面の中心とガス導入口３の断面の中心を結ぶ直線ｃが前記基板表面を含む平面ｍと、蒸着源を含む平面ｎとの間にあり、且つ、基板を含む平面に投影したときに、投影された線が基板上を通過するように設定することで蒸発源の加熱により発生する蒸気流がガス流と交差するようにすることができる。図１の気相堆積装置においては、（ｂ）正面図でみると直線ｃは基板面と蒸着源をそれぞれ含む面のほぼ中間の位置にあり、（ａ）上面図でみるとｃを投影した線は基板のほぼ中心を通過するようになっている。
【００３４】
基板は気相堆積により輝尽性蛍光体層を形成する過程において、図２に示すように例えば矢印のように移動させながら（基板１および１′）気相堆積法により蛍光体層を形成することがあるが、その時でも、前記投影線ｃは基板と必ず重なりをもつ（基板を通過する）ことが必要である。
【００３５】
加熱発生させた輝尽性蛍光体蒸気流にたいし、導入した不活性ガスの流れを交差、混合させるといっても、ガス導入口から導入され、排出口から排気されるガスによるガス流は、前記ガス導入口の断面の中心と排気口の断面の中心とを結んだ線に対して横方向に拡散し、広がりを有するので、上記排出口と導入口を結んだ線ｃの基板面への投影線は、図１におけるように必ずしも基板の中心部を通る必要はなく、前記投影線が、基板と重なりを有する（基板を通過する）ようにガス導入口および排出口を配置すればよい。しかしながら、図３は排気口とガス導入口そして基板の位置関係を上面からみた図であるが、基板への均一な輝尽性蛍光体の堆積と付着性を確保するには、前記ガス導入口の断面の中心と排気口の断面の中心とを結んだ線ｃは基板面と蒸発源を構成する面の中間になるように前記ガス導入口および排出口が配置されており、且つ、図３の（ａ）に示すように、基板と投影線の関係で表すと、基板をＬ×Ｌ′の方形としたとき（基板は通常方形である）基板の各辺を３等分したとき、前記投影線が、Ｌ、Ｌ′のそれぞれ両側１／３を除いた中心の領域を通るようにするのが好ましい。また、更に、中心に近い領域を通ることが更に好ましく、中心±１／１０×Ｌ（或いはＬ′）の範囲であることが好ましい。
【００３６】
図３（ｂ）には、前記投影線が基板面を外れる場合を示した。ｘが大きいほど本発明の効果は失われる。
【００３７】
従って前記基板を移動させつつ気相堆積を行う場合でも、前記投影線が、Ｌ、またはＬ′のそれぞれ両側１／３を除いた中心の領域を、また、更に中心に近い領域を通るようにして、気相堆積を行う時間を多くする方が好ましい。また、中心からずれる場合には、ズレは対称になるように（即ち時間平均したときに、前記投影線が、中心領域をなるべく通るように）移動パターンを設定することが基板への均一な付着性を確保する上では好ましい。
【００３８】
基板が必ずしも方形でないときでも、該基板を囲む方形（その一辺が排気口およびガス導入口を結ぶ線と平行になるような）を仮定し、該方形を基板とみなし、該基板上に投影線が通過するように、排気口およびガス導入口を配置する。
【００３９】
また、排気口およびガス導入口については通常断面は円形であるが、円以外の形状をしている場合でも、該断面に外接する円の中心を排気口およびガス導入口の中心とみなし、これを結んだ線の基板面への投影線でみればよい。
【００４０】
これまで、輝尽性蛍光体の製造方法では、例えば、窒素ガス等の不活性なガスの導入は行われておらず、本発明におけるよりも高真空（例えば１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空）において、蒸着法（気相堆積法）で製造が行われていたが、これらの方法で形成したプレートは蛍光体層の基板への付着性が充分でなく、特に、高ＣｓＢｒ等を用いたプレートにおいては、顕著であったが、上記の、Ｎ₂等の導入による、輝尽性蛍光体蒸気流を冷却して蛍光体層を形成する、より低真空下での気相堆積法に用いられる気相堆積装置内の真空度としては、１．３３Ｐａ〜１．３３×１０^-3Ｐａで行われるのが好ましく、ここにおいて、装置内の真空度とは、基板、蒸発源間の、輝尽性蛍光体の蒸気流が通過部において測定されるものである。本発明に係わる気相堆積装置を用いることにより、好ましい輝尽性蛍光体であるＣｓＢｒプレートにおいて、基板への蛍光体層の付着性を特に向上させることができた。
【００４１】
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ₄：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ₄：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ₄：Ａｘで表される蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ₂ＳＯ₄、ＣａＳＯ₄及びＢａＳＯ₄等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ₄及びＣａＦ₂等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ₂Ｂ₄Ｏ₇：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ₂Ｏ・（Ｂｅ₂Ｏ₂）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体があげられる。又、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ₂Ｏ₃：Ｅｕであげられるアルミン酸バリウム蛍光体、及び、一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ₂：Ａで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。
【００４２】
又、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式が（Ｂａ_1-x-yＭｇ_xＣａ_y）Ｆ_x：Ｅｕ²⁺で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ_1-xＭ（II）_x）Ｆ_x：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されている下記いずれかの一般式
ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂・ＮＸ₂：ｙＡ
ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂：ｙＡ
で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載されている下記いずれかの一般式
ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ′₂：ｘＥｕ
ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ′₂：ｘＥｕ，ｙＳｍ
で表される蛍光体等、又、特開昭６１−２２８４００号に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等があげられる。
【００４３】
しかしながら、特に、特開昭６１−７２０８７号、特開平２−５８０００号等に記載されたような、下記一般式（１）で表されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４４】
一般式（１）
Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ
式中、Ｍ¹はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であり、Ｍ³はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ，Ｘ′及びＸ″はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、又、ａ，ｂ及びｃは、それぞれ０≦ａ＜０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。
【００４５】
これら一般式（１）において、Ｍ¹はＫ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれることが好ましく、ＸはＢｒおよびＩからなる群から選ばれることが好ましい。
【００４６】
また、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれることが好ましく、Ｍ³はＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれることが好ましい。更に、ｂとしては０≦ｂ≦０．０１であることが好ましく、ＡはＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、ＴｌおよびＮａからなる群から選ばれることが好ましい。
【００４７】
これらのアルカリハライド系輝尽性蛍光体は気相堆積法により基板上に成膜することで、基板の法線方向に対し一定の傾きをもった（勿論、傾きがなく、基板面に対して垂直でもよいが）細長い柱状結晶を形成する。この様な柱状結晶の形成により、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向への拡散を抑えることができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性がよいことがこれらの蛍光体を用いたときの特徴である。アルカリハライド系輝尽性蛍光体のなかでもＲｂＢｒ及びＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度、高画質であり好ましい。
【００４８】
本発明において、特に好ましいのはこれらの中でも下記一般式（２）で表される蛍光体である。
【００４９】
一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ又はＣｅを表す。
【００５０】
中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に輝度が高く高画質であり、また本発明の製造方法による基板或いは基板との付着性（接着性）の向上効果も高く好ましい。
【００５１】
本発明において好ましい、これらの輝尽性蛍光体を用いて得られる柱状結晶、即ち各々の結晶がある間隙をおいて柱状に成長している結晶は、前記、特開平２−５８０００号に記載された方法により得ることができる。
【００５２】
即ち、基板上に輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。
【００５３】
例えば、蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流を基板に垂直な方向に対し０〜５度の範囲で入射させることにより、基板面に対してほぼ垂直柱状の結晶を得ることが出来る。
【００５４】
これらの場合において、基板と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが適当である。
【００５５】
蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
【００５６】
また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。
【００５７】
また、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃ ｓｕｂｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着した後、あとから賦活剤をドープしてもよい。例えば、母体をＣｓＢｒとした場合、ＣｓＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であるＩｎをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからである。
【００５８】
ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことが出来る。
【００５９】
これらの方法により形成した柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層の層厚は目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、５０μｍ〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、５０μｍ〜８００μｍから選ばれるのがより好ましい。
【００６０】
これらの柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層において変調伝達関数（ＭＴＦ）をよくするためには、柱状結晶の大きさ（柱状結晶を基板と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野中に含む顕微鏡写真から計算する）は０．５〜５０μｍ程度がよく、更に好ましくは、０．５〜２０μｍである。即ち、柱状結晶が０．５μｍより細い場合は、柱状結晶により輝尽励起光が散乱される為にＭＴＦが低下するし、柱状結晶が５０μｍ以上の場合も輝尽励起光の指向性が低下し、ＭＴＦは低下する。
【００６１】
該輝尽性蛍光体を気相成長（堆積）させる方法としては蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法がある。
【００６２】
蒸着法は基板（支持体）を蒸着装置内に設置したのち、装置内を排気すると同時に窒素等の不活性なガスを導入口から導入して１．３３３Ｐａ〜１．３３×１０^-3Ｐａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに堆積させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着を行うことも可能である。また蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。更に蒸着法においては、蒸着時に必要に応じて基板（支持体）を冷却或いは加熱してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００６３】
スパッタ法は前記蒸着法と同様に基板をスパッタ装置内に設置した後、装置内を一旦排気して真空とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内に導入して１．３３Ｐａ〜１．３３×１０^-3Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより基板表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。このスパッタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、それぞれを用いて同時或いは順次、前記ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリングして、基板上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する事も可能であるし、必要に応じてＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ法においては、スパッタ時必要に応じて基板を冷却或いは加熱してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００６４】
ＣＶＤ法は目的とする輝尽性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、基板上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を基板の法線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状結晶に気相成長させることが可能である。
【００６５】
これらの柱状結晶は前記の通り特開平２−５８０００号に記載された方法、即ち、基板上に輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法で得ることができる。
【００６６】
図４は基板１上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図である。１３は形成される輝尽性蛍光体柱状結晶を模式的に表している。輝尽性蛍光体の蒸気流Ｖの基板面の法線方向（Ｐ）に対する入射角度をθ２とすると、形成される柱状結晶の基板面の法線方向（Ｐ）に対する角度はθ１で表される。入射角度θ２に依存して一定の角度θ１で柱状結晶が形成される。形成された柱状結晶の角度は、輝尽性蛍光体材料によってそれぞれ異なり、例えば、アルカリハライド系蛍光体のうち、本発明において特に好ましいＣｓＢｒ系蛍光体の場合には、例えば、蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流を基板に垂直な方向に対し０〜５度の範囲で入射させる（即ちθ２が０〜５度）ことにより、基板面に対してほぼ垂直柱状（θ１がほぼ０度）の結晶を得ることが出来る。
【００６７】
この様にして基板上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【００６８】
又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となる。又高光吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全に防止できる。
【００６９】
高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
【００７０】
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、ＴｉＯ₂（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ₃・Ｐｂ（ＯＨ）₂、ＢａＳＯ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、ＣａＣＯ₃、ＺｎＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、リトポン（ＢａＳＯ₄・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させうる。
【００７１】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も吸収する。
【００７２】
また、色材は、有機若しくは無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ₂−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。
【００７３】
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる基板（支持体）としては水分の透過性の低いものが好ましく、各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
【００７４】
また、本発明においては、基板と輝尽性蛍光体の接着性を向上させるために、必要に応じて基板の表面に予め接着層を設けてもよい。
【００７５】
これら基板の厚みは用いる基板の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８０μｍ〜１０００μｍである。
【００７６】
また、アルカリハライド系輝尽性蛍光体のなかでもＲｂＢｒ及びＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度、高画質であり好ましいが、水分に弱いことから、保護層、スペーサ、封着剤を用いて、封着することが好ましい。
【００７７】
保護層としては、透光性がよくシート状に形成できるものを用いることができる。例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、ＰＥＴ、ＯＰＰ、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子があげられる。
【００７８】
本発明の保護層は単一層であってもよいし、多層であってもよく、材質の異なる２種類以上の層からなっていてもよい。例えば２層以上の高分子膜を複合したフィルムを用いることができる。この様な複合高分子フィルムの製法としては、ドライラミネート、押し出しラミネートまたは共押し出しコーティングラミネートなどの方法があげられる。２層以上の保護層の組合せとしては有機高分子同士に限られるものではなく、板ガラス同士や板ガラスと有機高分子などがあげられる。例えば、板ガラスと高分子層とを組み合わせる方法としては、保護層用塗布液を板ガラス上に直接塗布して形成するか、或いは予め別途形成した高分子保護層を板ガラス上に接着する方法があげられる。尚２層以上の保護層は互いに密着状態にあってもよいし、離れていてもよい。
【００７９】
本発明の保護層の厚さは、実用上は１０μｍ〜３ｍｍまでである。良好な耐湿性と耐衝撃性を得るためには保護層の厚さは１００μｍ以上が好ましく、特に５００μｍ以上の保護層を設けた場合、耐久性、耐用性に優れた変換パネルが得られて、一層好ましい。
【００８０】
また、保護層として板ガラスを用いた場合には、極めて耐湿性に優れており特に好ましい。
【００８１】
保護層は輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過するために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望ましく、透過率は６０％以上、好ましくは８０％以上である。これを満たすものとしては例えば石英ガラス、ホウ珪酸ガラスなどがあげられる。ホウ珪酸ガラスは３３０ｎｍ〜２．６μｍの波長範囲で８０％以上の透過率を示し、石英ガラスでは更に短波長においても高い透過率を示す。
【００８２】
また、保護層の表面にＭｇＦ₂などの反射防止層を設けると、輝尽励起光及び輝尽性発光を効率よく透過すると共に鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好ましい。保護層の屈折率は特に規定しないが、実用的に用いる材質では１．４〜２．０の間にあるものが多い。
【００８３】
又、鮮鋭性の向上のため、ガラスに例えばリン酸鉛等の着色剤を含有させ着色し、輝尽励起光を吸収する機能をもたせてもよい。
【００８４】
その為に、ガラスに輝尽励起光を吸収する色材（顔料又は色素）で着色したフィルムを積層したり、ガラスのどちらか一方の面に色素乃至顔料を含有する層を塗布により設けたり、
ガラス自身に、色材として、分散された顔料や着色剤を含有させる方法もある。
【００８５】
着色したフィルムの製造方法としては、色材を練り込んだプラスチックフィルムやプラスチックフィルムの表面に色材（顔料又は染料）を含有する層を塗布等によって形成する方法があり、着色したプラスチックフィルムを接着剤等を用いて均一にガラス表面に貼り合わせる方法で着色したガラスを得ることが出来る。
【００８６】
又、ガラスに直接ガラスと接着性のよいバインダー（水ガラス、ポリビニルブチラール等の有機ポリマー等）中に分散乃至溶解した顔料又は染料を塗布してもよい。
【００８７】
これらの保護層に用いる励起光を吸収できる色材としては、有機若しくは無機系色材のいずれでもよいが、有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩染料又は顔料もあげられる。特に金属フタロシアニン系顔料が好ましい。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ₂−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。
【００８８】
又、スペーサとしては、輝尽性蛍光体層を外部雰囲気から遮断した状態で保持することができるものであれば特に限定されず、ガラス、セラミックス、金属、プラスチック等、その透湿度が３０ｇ／ｍ²・２４ｈｒ以下である材料が好ましい。
【００８９】
スペーサの厚さは、輝尽性蛍光体層の厚さ以上であることが好ましく、幅は主に、このスペーサと基板及び保護層との密着部分の防湿性（透湿度）に関連して決定されるものであり、１〜３０ｍｍが好ましい。スペーサの幅が余り小さすぎる場合にはスペーサの安定性、強度及び防湿性の点から好ましくない。又、余り大きすぎる場合には必要以上に放射線画像変換パネルが大型化するので好ましくない。
【００９０】
尚、スペーサと基板及び保護層との密着部分の透湿度も、３０ｇ／ｍ²・２４ｈｒ以下であることが好ましい。
【００９１】
本発明において、封着剤とはスペーサを基板及び保護層に、又、基板と保護層を直接接着するものであり接着剤が用いられるが、この接着剤としては防湿性を有するものが好ましい。特にエポキシ系接着剤は透湿度が低く好適である。
【００９２】
尚、スペーサと基板又はスペーサと保護層との密着部分の接着性を向上させる目的で、スペーサ、基板及び保護層の層との接着面に下引き層を設けたり、粗面化処理を施すこともできる。
【００９３】
又、スペーサなしに、上記封着剤のみで、基板（支持体）と保護層を接着し封着することも可能である。
【００９４】
又、本発明においては低屈折率層を設けてもよい。低屈折率層は保護層よりも屈折率の低い素材からなり、この層が存在することにより、保護層を厚くしても鮮鋭性の低下を小さくすることができる。例えば以下に示す物質を用いる事ができ、蒸着等気相成長法で形成された薄膜の状態で用いるのが好ましい。
【００９５】

或いは、以下の様な液体層を用いることもできる。
【００９６】

又、本発明の低屈折率層として、空気、窒素、アルゴンなどの気体層や真空層など屈折率が実質的に１である層を用いると、鮮鋭性の低下を防止する効果が高く特に好ましい。
【００９７】
本発明の低屈折率層の厚さは０．０５μｍから３ｍｍまでが実用的である。
本発明の低屈折率層は、輝尽層と密着状態にあってもよいし、離れていてもよい。低屈折率層と輝尽層を密着させるためには、接着剤を用いるのが１つの方法であるが、その場合、接着剤の屈折率は輝尽層の屈折率または低屈折率層の屈折率に近いことが好ましい。
【００９８】
図５に、本発明の放射線画像変換パネルを用いた放射線像変換方法を概略的に示す。
【００９９】
即ち、図５において、２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は本発明に係わる放射線画像変換パネル、２４は（レーザ等の）輝尽励起光源、２５は該変換パネルにより放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置、２６は２５で検出された信号を画像として再生する装置、２７は再生された画像を表示する装置、２８は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタである。尚、２５以降は２３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、上記に限定されるものではない。
【０１００】
図５に示されるように、放射線発生装置２１からの放射線（Ｒ）は被写体２２を通して放射線画像変換パネル２３に入射する（ＲＩ）。この入射した放射線はパネル２３の輝尽層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。
【０１０１】
次にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。
【０１０２】
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子倍増管等の光電変換装置２５で光電変換し、画像再生装置２６によって画像として再生し画像表示装置２７によって表示することにより、被写体の放射線透過像を観察することができる。
【０１０３】
【実施例】
以下実施例により本発明を説明するが本発明はこれにより限定されるものではない。
【０１０４】
実施例１
《輝尽性蛍光体プレートの作製》
１ｍｍ厚、面積４１０ｍｍ×４１０ｍｍの結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）基板の表面に図１に示した気相堆積装置を用いて輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
【０１０５】
尚、蒸着にあたっては、前記基板を前記気相堆積装置内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）をプレス成形し水冷したルツボにいれ蒸着源とした。
【０１０６】
その後、気相堆積装置内を排気口にポンプを接続して排気し、更にガス導入口から窒素を導入して（流量１０００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｃ／ｍｉｎ（１×１０^-6ｍ³／ｍｉｎ）））、装置内の真空度を６．６５×１０^-3Ｐａに維持した後、蒸着源を６５０℃に加熱し、ガラス基板の一方の面に、ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕからなるアルカリハライド蛍光体を基板表面の法線方向から、基板と蒸発源の距離を６０ｃｍとして、基板と平行な方向に基板を搬送しながら蒸着を行なった。輝尽性蛍光体層の膜厚が４００μｍとなったところで蒸着を終了させ、蛍光体プレート１を作製した。
【０１０７】
また、蒸着の条件、即ち、装置内の真空度を、窒素ガスの導入量を変更して、６．６５×１０^-2Ｐａとした以外は同様に膜厚が４００μｍの輝尽性蛍光体層を有する基板（蛍光体プレート２）を、更に、器内の真空度を６．６５×１０^-1Ｐａとした以外は同様にして膜厚が４００μｍの輝尽性蛍光体層を有する基板（蛍光体プレート３）を作製した。
【０１０８】
また、比較例として、前記の気相堆積装置に代えて、図３の（ｂ）におけるようにガス導入口と排出口を結ぶ直線が基板端面から４０ｍｍ（図３（ｂ）におけるｘ＝４０ｍｍ）離れた位置に、それぞれガス導入口と排出口がある気相堆積装置をもちいた以外は、器内の真空度を６．６５×１０^-1Ｐａとし、同様にして、厚み４００μｍの輝尽性蛍光体層を形成した基板（蛍光体プレート４）を作製した。
【０１０９】
更に、比較例として蛍光体プレート４と同様に、但し、窒素ガスの導入量を減らし（導入を止め）、真空度を１．３３×１０^-4Ｐａとした以外は、同様にして蛍光体プレート５を作製した。
【０１１０】
この様にして作製した輝尽性蛍光体層をガラス基板上に有する蛍光体プレート１〜５を用いて、以下の試験を行い基板に対する付着性を評価した。
【０１１１】
（付着性の評価）
上記作製した各蛍光体プレート１〜５の蛍光体層塗設面に接着テープを張り付け、テープをはがしたときに蛍光体層が基板に付着した面積％を測定し、以下に示す基準により接着性の評価を行った。評価の結果を表１に示す。
【０１１２】
５：蛍光体層が基板に付着した面積が１００％
４：蛍光体層が基板に付着した面積が８０％以上１００％未満
３：蛍光体層が基板に付着した面積が６０％以上８０％未満
２：蛍光体層が基板に付着した面積が４０％以上６０％未満
１：蛍光体層が基板に付着した面積が４０％未満
この結果を表１に示した。
【０１１３】
【表１】

【０１１４】
窒素ガス導入口と排出口断面のそれぞれ中心を結んだ直線が、基板面に投影したときに、基板を通過するような位置に導入口と排出口が備えられた装置をもちいてガスを所定の量で導入した蛍光体プレート２、３が特に付着性に優れていることがわかる。また、導入口と排出口を結んだ直線が基板面にこれを投影したときに、基板上を通らない気相堆積装置（図３の（ｂ）で示される）をもちいて作製された蛍光体プレート４、或いは窒素ガスを導入しないで高真空下で気相堆積された蛍光体プレート５は基板と蛍光体層の付着性が十分でないことがわかる。
【０１１５】
次いで、上記プレート２，３および５について、作製後、直ちに作業室（絶対湿度１．３３×１０³Ｐａ）に移し、ガラス基板の上、輝尽性蛍光体層の周囲に、３００μｍの厚さの空気層が設けられるように厚さ７００μｍで幅５ｍｍのガラスのスペーサを配置しエポキシ系接着剤（スリーボンド社製）で接着する加工を行った。
【０１１６】
又、別途、保護層として用いる、以下に従って作製されたガラスを準備しておき、これを重ねてエポキシ系接着剤をもちいて直ちに封着し、放射線画像変換パネル試料２、３および５をそれぞれ作製した。
【０１１７】
ガラス製の保護層は以下のように作製した。
着色無しの透明ガラス（厚みが５５０μｍ、屈折率１．５２、輝尽励起光（半導体レーザ；６８０ｎｍ）における透過率が９８％）の透明ガラス表面に直接、以下に示す顔料分散塗布液を塗布してガラスの片面に輝尽励起光（半導体レーザ；６８０ｎｍ）における透過率がそれぞれ８５％となるように厚みを調整しバーコーターにて塗布し乾燥したもの。
【０１１８】
（顔料分散塗布液）
銅フタロシアニン １．０ｇ
ポリビニルブチラール １０００ｇ
メチルエチルケトン １００００ｇ
をサンドミル（ウイリー・エ・バッコーフェン社製ダイノーミルＫＤ−６０）を用いて６時間分散し塗布液を調製した。
【０１１９】
上記作製した各放射線画像変換パネルそれぞれについて、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を蛍光体プレートの裏面側から照射した後、パネルをＨｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で操作して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光して、その強度を測定して、感度を評価したが、いずれの放射線画像変換パネルについても、本質的には同様の感度を有していることがわかった。
【０１２０】
【発明の効果】
本発明により、気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層と基板との付着性の向上した放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる気相堆積装置の一例を示す図である。
【図２】基板を移動させながら気相堆積法により蛍光体層を形成するところを示す図である。
【図３】排気口とガス導入口そして基板の位置関係を上面からみた図である。
【図４】基板上に輝尽性蛍光体層を蒸着により形成する様子を示す図である。
【図５】本発明の放射線画像変換パネルの使用例を示す概略図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 蒸着源
３ ガス導入口
４ 排気口
１３ 輝尽性蛍光体柱状結晶
２１ 放射線発生装置
２２ 被写体
２３ 放射線画像変換パネル
２４ 輝尽励起光源
２５ 光電変換装置
２６ 画像再生装置
２７ 画像表示装置
２８ フィルタ
Ｖ 蒸気流
Ｇ ガス

Claims (11)

1. 装置内を所定の真空度に保つための真空ポンプに接続する排気口および装置内に所定量の不活性なガスを導入するためのガス導入口を備えた気相堆積装置内で、基板上に輝尽性蛍光体からなる層を気相堆積により５０μｍ以上の膜厚で形成する放射線画像変換パネルの製造方法であって、基板と蒸発源とが対向して配置され、前記排気口の中心とガス導入口の中心を結ぶ直線が前記基板と蒸発源の間を通過し、且つ、前記排気口の中心とガス導入口の中心を結ぶ直線を基板面上に投影したとき、該直線が必ず基板を通過するように、前記排気口およびガス導入口が配置され、蒸発源の加熱により発生する蒸気流がガス流と交差するようにしたことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
2. 前記気相堆積装置内の真空度が１．３３Ｐａ〜１．３３×１０^-3Ｐａの間であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
3. 基板上に形成された輝尽性蛍光体層が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有し、且つ、請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法によって製造されることを特徴とする放射線画像変換パネル。
   一般式（１）
   Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ
   〔式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であり、Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ、Ｘ′およびＸ″はＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ，Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、ＥｒＧｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、ＣｕおよびＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
4. 一般式（１）におけるＭ¹がＫ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像変換パネル。
5. 一般式（１）におけるＸがＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであることを特徴とする請求項３または４に記載の放射線画像変換パネル。
6. 一般式（１）におけるＭ²がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれる少なくとも１種の２価金属であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
7. 一般式（１）におけるＭ³がＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の３価金属であることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
8. 一般式（１）におけるｂが０≦ｂ≦０．０１であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
9. 一般式（１）におけるＡがＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、ＴｌおよびＮａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項３〜８のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
10. 輝尽性蛍光体が柱状結晶を有することを特徴とする請求項３〜９のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
11. 柱状結晶が主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする請求項１０に記載の放射線画像変換パネル。
    一般式（２）
    ＣｓＸ；Ａ
    〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＧａまたはＣｅを表す。〕

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