JP3954213B2

JP3954213B2 - Overvoltage protection circuit

Info

Publication number: JP3954213B2
Application number: JP24052098A
Authority: JP
Inventors: 祐則植草; 義則藤木
Original assignee: 株式会社コトヴェール
Priority date: 1998-08-26
Filing date: 1998-08-26
Publication date: 2007-08-08
Anticipated expiration: 2018-08-26
Also published as: JP2000069664A

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、コンピュータ装置、通信装置、制御装置、その他半導体部品を含む電子装置を外部から侵入する高電圧サージ、その他過電圧に対して保護する装置として利用する。本発明の装置は、電子装置の電源回路に利用するために開発されたものであるが、電源回路以外の端子から侵入する過電圧に対する保護装置としても利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】
従来から電源回路の過電圧保護回路として、図１２に示すものが知られている。この回路は、二端子Ａ，Ｂは例えば保護対象となる電子装置の電源電流の通路であり、さらに具体的には商用電源に接続するためのソケットまたはプラグの電極である。この端子Ａ，Ｂ間にバリスタＶｒとフューズＦとの直列回路を挿入し、さらにこのバリスタＶｒと並列に発光ダイオードＰＤおよび高インピーダンスＺの直列回路を接続したものである。
【０００３】
バリスタＶｒは、正常な電源電圧の範囲では高い抵抗値を呈しているが、何らかの原因で電源電圧に過電圧が侵入すると、バリスタＶｒの抵抗値が低くなって、二端子Ａ，Ｂ間を短絡することになる。これにより電子装置の電源電圧には過電圧が防護される。これと同時に、このバリスタＶｒには大きい電流が流れ、所定の短い時間が経過するとフューズＦは溶断する。二端子Ａ，Ｂ間に発生した高電圧によりフューズＦが溶断するに至らない場合には、その過電圧が消滅するとバリスタＶｒは自動的に元の高い抵抗値に復旧するから、回路は自動的に復旧することになる。
【０００４】
一方、発光ダイオードＰＤは二端子Ａ，Ｂ間に正常な電圧が印加されている状態では、高インピーダンスＺおよびフューズＦを介して微小電流が流れて発光状態にある。したがって正常時は発光状態にあるが、フューズが溶断することによりその微小電流はなくなるから発光が停止する。この発光ダイオードを外から観察できる位置に配置しておくと、過電圧が印加されてフューズＦが溶断したことを知り、この過電圧保護回路を適正に交換することができる。
【０００５】
このようにこの従来回路は、簡単な構成であり安価に提供することができるとともに、短いサージ状の過電圧を阻止することができるし、さらに長時間にわたり過電圧が印加された履歴を後から観察し交換できる便利な装置として使用されてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、バリスタＶｒは発熱により動作する素子であり、その反応が起きるまでには過電圧が印加されてからある時間を必要とする。すなわち、電源に混入した過電圧が短時間に急激に立ち上がるものであり、その立ち上がり時間がバリスタＶｒの動作時間より短い場合には、バリスタＶｒが動作する前に過電圧が装置の中に侵入するから、十分な過電圧防護を期待することができない。
【０００７】
また、フューズＦの溶断電流の選定は微妙である。すなわち、フューズＦに大電流で溶断するものを選定すると、電源に過電圧サージが混入しても、この履歴を後から観察することができない。一方、フューズＦに小さい電流で溶断するものを選定すると、十分な防護が行われないうちにフューズＦが溶断してしまい、過電圧保護回路は消滅してしまうことになる。したがって、フューズの溶断電流の選定範囲はその許容幅が狭くなる。ところが、フューズの性質から製品の特性にはばらつきが大きく、しかもその溶断特性には経年変化がある。また、いったん過電圧が印加されても、フューズが溶断するに至らなかったときには、フューズは導通しているとはいえ相応に劣化しているものであって、次に過電圧が印加されたときには短時間で溶断してしまう場合があり、このような場合には十分な防護ができない可能性がある。
【０００８】
本発明はこのような背景に行われたものであって、短時間に消滅する過電圧の侵入に対しても適正な防護ができる、速動性の過電圧保護回路を提供することを目的とする。本発明は、過電圧が時間的に変動する場合にも、適正な防護を行うことができる過電圧保護回路を提供することを目的とする。本発明は、設定された値を越えるエネルギの過電圧が印加された場合には、後からその履歴を観察することができ、大きい過電圧が印加されたものを正しく交換することができる過電圧保護回路を提供することを目的とする。本発明は、長時間にわたり過電圧が印加された場合にも、継続して防護を行うことができる過電圧保護回路を提供することを目的とする。本発明は、印加される過電圧の極性にかかわらず適正な防護を行うことができる過電圧保護回路を提供することを目的とする。本発明は、過電圧が印加されても、自己回復することができる過電圧の範囲が大きい保護回路を提供することを目的とする。本発明は、きわめて簡単な構成で、安価に提供することができる過電圧保護回路を提供することを目的とする。本発明は、電子装置の電源回路その他接続回路に簡便に実装して利用することができる過電圧保護回路を提供することを目的とする。本発明は、電子装置の電源回路その他接続回路に簡単に装着することができるとともに、簡単に交換することができる過電圧保護回路を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、二端子（Ａ，Ｂ）間に、第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁）および第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）が互いに反対極性に直列接続され、前記二つのツェナーダイオードは共にその降伏電圧（ツェナー電圧）が前記二端子間の定常時の電圧より高く、その降伏電圧が互いにほぼ等しいことを特徴とする。ここで、その降伏電圧がほぼ等しいとは、互いにその降伏電圧の偏差が±５％以内のものであることをいう。
【００１０】
二つのツェナーダイオードは共にその降伏電圧が前記二端子間の定常時の電圧より高いことにより、定常時にはこのツェナーダイオードの直列回路には電流がなく、過電圧が侵入したときのみ導通する過電圧保護回路となる。互いにその降伏電圧が等しいことにより、いずれの極性の過電圧に対しても均等に作用する。また、その降伏電圧はこれをほぼ等しく設定することによりバランスがとれるから、交流回路に使用するに適する回路となる。
【００１１】
前記第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁）に並列に電圧検出回路が接続された構成とすることにより、第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）が導通する半サイクルでこの電圧検出回路にわずかな電流が流れ、回路が正常な状態にあることを知ることができる。
【００１２】
前記第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）の破壊に至る電力容量が前記第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁）の破壊に至る電力容量より小さく設定することが望ましい。この構成により、破壊に至る場合には、第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）が先に破壊するから、電圧検出回路が電圧を検出しなくなることによりツェナーダイオードの破壊に至る過電圧が印加されたことを知ることができるようになる。
【００１３】
前記電圧検出回路は、発光ダイオード（ＰＤ）および高インピーダンス回路（Ｚ）の直列回路とすることにより、その発光ダイオードの発光状態により、その過電圧保護回路が正常であるか、すでにツェナーダイオードが破壊されているかを外部から知ることができる。
【００１４】
すなわちこの構成により、二端子（Ａ，Ｂ）間に現れる定常時の電圧に対しては、その電圧がいずれの極性であっても、定常時に印加される電圧が交流であっても、直列接続された二つのツェナーダイオードには電流が流れない。そして、電圧検出回路は第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁）の両端電圧を検出する。二端子（Ａ，Ｂ）間に定常時に印加される電圧が交流であるときには、第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁）が非導通となる半サイクルの電圧をこの電圧検出回路が検出する。
【００１５】
この二端子（Ａ，Ｂ）間に過電圧が印加され、これがツェナーダイオードの降伏電圧を越えると、二つのツェナーダイオードの直列回路に電流が流れて、二端子（Ａ，Ｂ）間を短絡する。かりに二端子（Ａ，Ｂ）が一対の電源電流の供給回路に接続されているとすると、二端子（Ａ，Ｂ）間が短絡されることにより、二端子（Ａ，Ｂ）間に発生した過電圧は抑圧される。
【００１６】
この過電圧がツェナーダイオードの降伏電圧以下に戻ると、二つのツェナーダイオードの直列回路は自動的に高いインピーダンス（または開放状態）に復旧する。この過電圧が持続して、この過電圧による電流が持続して二つのツェナーダイオードの直列回路を流れ続ける状態になると、第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）が第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁）より先に破壊される。これが本発明の特徴ある動作である。
【００１７】
第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）が破壊されると、この二つのツェナーダイオードの直列回路には電流が流れなくなる。これは過電圧保護回路としての機能を失った状態であり、この過電圧保護回路は交換しなければならない。本発明の回路では、第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁）に並列に接続された電圧検出回路に電圧が現れなくなるからこれを知ることができる。
【００１８】
この電圧検出回路は、発光ダイオード（ＰＤ）および高インピーダンス回路（Ｚ）の直列回路とすることが単純であり望ましい回路である。この発光ダイオード（ＰＤ）の発光状態を外部から観察することができるようにしておくと、正常時にはこの発光ダイオードの光が見えるが、第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）が破壊されたときにはこの光が見えなくなる。これにより、二端子（Ａ，Ｂ）間に過電圧が印加された履歴を知ることができる。この構成により上で説明した従来装置と同様に適正に交換することができるなど、従来装置と同等の使い方をすることができる。
【００１９】
上で説明した従来装置に比べると、フューズを使用していないから、動作電圧および電流が安定であり、特性のばらつきは少なく、経年変化はきわめて小さく、履歴による特性の変化も少なく、従来装置に比べて動作速度も速くなる。また、ツェナーダイオードを使用するので、いったん過電圧が印加され導通状態となっても、過電圧が消滅すると速やかに元の特性に回復する。
【００２０】
この発光ダイオード（ＰＤ）はホトカプラの一部に含まれる構成とすることができる。この構成により、電圧検出回路の出力を電気信号として取り出すことができる。
【００２１】
ここでこの明細書では「ツェナーダイオード」は、市場で「ツェナーダイオード」として販売されている半導体素子に限らずこれより広く定義する。ここで「ツェナーダイオード」とは、一極性で導通状態となり、反対極性で非導通状態となるダイオード特性を有するとともに、その反対極性の電圧が所定値（降伏電圧）を越えて大きくなったときに導通状態になり、しかもそれがある範囲の電流値であれば、破壊にいたることなく繰り返し再現することができる素子または回路を含むものとする。このような回路は、市販の「ツェナーダイオード」の他に、複数の半導体素子や回路素子により形成された複合回路や、市販されている「ツェナーダイオード」のように十分にかつ高速に回復するものでない回路または素子などがある。これらによっても本発明を実施することができる。例えば、定常時に印加される電圧が高い場合に、複数の素子を直列に組み合わせることにより、高いツェナー電圧を実現するような場合には、１個の素子ではなく、複数の素子の組み合わせにより、この明細書で定義する「ツェナーダイオード」を実現することができる。
【００２２】
上で説明した「破壊に至る電流容量」を異なる値に設定するには、使用する二つの素子に互いに定格電流容量の異なるものを選択することにより簡単に実現することができる。この破壊に至る電流容量は、定格電流容量などのような形式的な表示ではなく実質的なものである。かりに同一の定格電流容量のものを使用しても、一方について放熱条件が良くなるように実装し、他方について放熱条件が悪くなるように実装することによっても実現することができる。定格電流容量と放熱条件の二つをたくみに組み合わせて実現することもできる。
【００２３】
前記二端子（Ａ，Ｂ）間に、放電手段（Ｖｒ）を並列に接続して利用することができる。この放電手段は、バリスタ、放電管、ネオンランプ、その他である。この構成により、第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂）が破壊された後にも、ひきつづき二端子（Ａ，Ｂ）間に過電圧が印加されている場合には、二端子（Ａ，Ｂ）間のインピーダンスを低くして、この過電圧が直接に装置などに印加されないように作用させることができる。
【００２４】
ひとつの便利な構成として、この二端子（Ａ，Ｂ）が一対の電源通路に装着されるように１個の部品として形成することができる。これは電源プラグの内部に実装することもできる。この過電圧保護回路は、プラグまたはジャックの内部に実装することができる。この過電圧保護回路は、プラグおよびジャックの間に挟み込む部品（例えば分岐プラグ）の内部に実装することができる。
【００２５】
対応するツェナーダイオードをそれぞれ反対極性に接続した保護回路の２組を並列接続する構成とすることができる。この構成により、いずれか一方の極性によりツェナーダイオードの一つが破壊されても、それを外部から知ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（第一実施例）
図１は本発明第一実施例の回路図である。二端子Ａ，Ｂは一例として過電圧を防護するための電源回路である。これは、コンピュータなどの電子装置の商用電源に接続するための一対の電源回路である。この実施例では、この二端子Ａ，Ｂは、プラグ（またはコンセント）の両端子である。この二端子Ａ，Ｂ間に、第一のツェナーダイオードＺＤ₁および第二のツェナーダイオードＺＤ₂が互いに反対極性に直列接続される。そしてこの第一のツェナーダイオードＺＤ₁に並列に電圧検出回路として、発光ダイオードＰＤおよび抵抗器Ｚの直列回路が接続される。そして、この二つのツェナーダイオードＺＤ₁およびＺＤ₂は共にその降伏電圧（ツェナー電圧）が前記二端子間の定常時の電圧より高く設定され、前記第二のツェナーダイオードＺＤ₂の破壊に至る電力容量を前記第一のツェナーダイオードＺＤ₁の破壊に至る電力容量より小さく設定する。
【００２７】
この実施例では、二端子Ａ，Ｂを商用電源（標準電圧１００Ｖ）であり、第一のツェナーダイオードＺＤ₁の降伏電圧は１５０Ｖに、第二のツェナーダイオードＺＤ₂の降伏電圧も１５０Ｖにそれぞれ設定し、第一のツェナーダイオードＺＤ₁の破壊に至る電力容量を約０．５Ｗに、第二のツェナーダイオードＺＤ₂の破壊に至る電力容量を約０．２５Ｗに設定する。これは定格電流容量の異なるものを用いることにより実現した。
【００２８】
この構成では、二端子Ａ，Ｂ間に１００Ｖの交流が印加されているときには、二つのツェナーダイオードＺＤ₁およびＺＤ₂は少なくとも一方が非導通状態になっているから、この直列回路には電流が流れない。発光ダイオードＰＤは第一のツェナーダイオードＺＤ₁の両端電圧を検出してその非導通の半サイクルで発光する。この発光ダイオードＰＤの発光を外から観察することができるように配置してあるから、正常時にはこの発光ダイオードＰＤが点灯していることにより、正常な動作状態にあることを知ることができる。
【００２９】
いま、この商用電源回路に何らかの原因により一時的な過電圧が到来した状態を考える。その過電圧が１５０Ｖを越えると、二つのツェナーダイオードＺＤ₁ およびＺＤ₂ が導通して、その直列回路に短絡電流が流れる。この短絡電流により電源電圧はいちじるしく低下して、過電圧が装置に侵入することを防ぐことができる。この過電圧が持続して、二つのツェナーダイオードＺＤ₁ およびＺＤ₂ の直列回路に大きい電流が流れ続けると、例えばこの商用電源回路の入力側（図外）に挿入されているコンタクト・ブレーカなどが動作することになる。コンタクト・ブレーカが動作しない場合には、二つのツェナーダイオードＺＤ₁ およびＺＤ₂ の温度が上昇して破壊に至るが、このとき第二のツェナーダイオードＺＤ _２は破壊に至る電力容量が小さいから、第一のツェナーダイオードＺＤ _１より先に破壊する。これにより発光ダイオードＰＤに流れていた電流はなくなり滅灯する。すなわち、外部からこの発光ダイオードＰＤの光を観察することにより、発光しなくなった回路は正常状態ではなくなったことがわかる。
【００３０】
この実施例回路の二端子Ａ，Ｂを商用電源に接続すると、発光ダイオードＰＤが点灯することが確認された。さらにこの実施例回路に、立ち上がり時間約２ｍＳ、最大ピーク電圧２５０Ｖ、時定数２５ｍＳで減衰する過電圧を印加して試験を行ったところ、二端子Ａ，Ｂの電圧は１６０Ｖを越えないことが分かった。また、この過電圧を１秒周期で繰り返し印加したところ、数回の繰り返し印加により第二のツェナーダイオードＺＤ₂が破壊され、発光ダイオードＰＤの発光が消滅した。
【００３１】
（第二実施例）
図２は本発明第二実施例の回路図である。この例は各半導体素子の接続極性を上記第一実施例とは反転させた接続である。二端子Ａ，Ｂに定常状態で印加される電圧が交流電圧であるときには、その作用および効果は同等である。二端子Ａ，Ｂに定常状態で印加される電圧が、直流または直流を含む場合には、その直流の極性にしたがって第一実施例の接続または第二実施例の接続を選ぶことができる。
【００３２】
（第三実施例）
図３は本発明第三実施例の回路図である。この例は前記第一実施例の構成の回路に並列にバリスタＶｒを接続したものである。この第三実施例では、バリスタＶｒとして、バリスタ電圧１８０Ｖ、耐電力定格０．６Ｗの素子を用い、上記第一実施例の回路に並列に接続した。
【００３３】
この構成では、高速に立ち上がる過電圧に対しては第一実施例と同等の作用効果があり、第二のツェナーダイオードＺＤ₂が破壊され、発光ダイオードＰＤの発光が消滅してからも、二端子Ａ，Ｂ間の電圧は１８０〜７０Ｖに維持されることが分かった。
【００３４】
すなわち、この第三実施例の回路では、第二のツェナーダイオードＺＤ₂が破壊されてから後に、さらに持続する過電圧がある場合に有効な保護を行うことができる。二つのツェナーダイオードの特性およびバリスタの特性をたくみに組み合わせて設定することにより、保護すべき電圧の波形や回路の特性に合う特性を実現することができる。
【００３５】
この第三実施例でも、上記第二実施例で示したように、各半導体素子の極性を反対に接続して同様に本発明を実施することができる。
【００３６】
（第四実施例）
図４は本発明の第四実施例の回路図である。この例は、第一実施例に示す回路と、第二実施例に示す半導体素子の極性が反対に接続された回路とを端子Ａ，Ｂ間に並列に接続し、さらに端子Ａ，Ｂ間にバリスタＶｒを並列に接続したものである。
【００３７】
このような接続にすることにより、異なる極性の過電圧に対して第二のツェナーダイオードＺＤ₂₁またはＺＤ₂₂が破壊されるから、二つの発光ダイオードＰＤ₁またはＰＤ₂のうちいずれが発光しなくなったかを観察することにより、過電圧が印加された後から、ツェナーダイオードが破壊するにいたった過電圧の極性を含めた履歴を知ることができる。
【００３８】
（第五実施例）
図５は本発明の第五実施例の回路図である。この例は、前記第二実施例の構成のうち電圧検出回路を構成する発光ダイオードＰＤが、ホトカプラＰＣの一部であることを特徴とする。すなわち、電圧検出回路の発光ダイオードＰＤの出力光を外部から直接観察するのではなく、電圧検出回路の検出出力は、ホトカプラＰＣの出力として端子ＣＤに電気信号として取り出すことができる。この構成の回路は、多数のこの種の装置を管理するために好都合である。
【００３９】
（第六実施例）
図６は本発明の第六実施例の回路図である。この例は、上記第五実施例の回路のホトカプラＰＣを電磁リレーに置き換えた回路である。この例では、電圧検出回路の出力は端子Ｃ，Ｄ，Ｅに電気信号として取り出すことができる。
【００４０】
（第七実施例）
図７は本発明の第七実施例の回路図である。この例は、端子ＡＢ間で発光ダイオードＰＤを点灯させるに十分な電流容量が得られない場合に、トランジスタＴＲを用いて増幅する例を示したものである。発光ダイオード以外の負荷を駆動することも可能であり、またトランジスタＴＲ以外の一般的な半導体スイッチおよびアンプを用いることも電流を増幅するという意味で可能である。図７中のＲは抵抗器である。
【００４１】
この回路では電圧検出回路の出力は端子ＣＤ間に電気信号として取出すことができる。
【００４２】
（第八実施例）
図８は本発明第八実施例の回路図である。この例は、第七実施例の出力状態を反転させ、第二のツェナーダイオードＺＤ₂が破壊されたことを発光ダイオードＰＤが点灯することで視認できるように構成したものである。この例の場合も第七実施例同様に発光ダイオードＰＤ以外の負荷を駆動することも可能であり、またトランジスタＴＲ以外の一般的な半導体スイッチおよびアンプを用いることも原理的に電流を増幅するという意味で可能である。図８中のＲ₁およびＲ₂はそれぞれ抵抗器である。
【００４３】
（第九実施例）
図９は本発明の第九実施例の回路図である。この例は本発明の過電圧保護回路の基本構成回路を２個並列に接続し、さらにバリスタＶｒを並列接続した回路である。図４で説明した第四実施例と同様の構成であるが、各素子の極性が第四実施例の回路とは異なる。二端子Ａ，Ｂ間に定常状態に印加されている電圧、および保護対象となる過電圧波形にしたがって、このような極性選択をすることができる例として提示する。この回路の場合はツェナーダイオードＺＤ₂₁またはＺＤ₂₂のいずれかが破壊される。
【００４４】
（第十実施例）
図１０は本発明の実装構造の一例を示すものである。この例は商用電源用の電源プラグの内部に本発明の過電圧保護回路を実装したものであって、図にＡおよびＢとして本発明過電圧保護回路の二端子を表示する。この二端子Ａ，Ｂ間に第三実施例で説明した本発明実施例回路をこのプラグの内部に実装する。そして、発光ダイオードＰＤは矢印で図示するように外部から観察することができるように配置されている。この構造は実用的な構造として有用である。
【００４５】
（第十一実施例）
図１１（ａ）および（ｂ）は本発明の実施例構造の別の例を示すものである。この例は、商用電源に使用する３口の分岐プラグの内部に本発明の過電圧保護回路を実装したものである。図にＡおよびＢとして本発明過電圧保護回路の二端子を表示する。この二端子Ａ、Ｂ間に第一実施例から第四実施例および第九実施例で説明した本発明実施例回路のいずれかをこのプラグの内部に実装する。発光ダイオードＰＤは矢印で図示するように外部から観察することができるように配置されている。この構造は電源回路を分岐する場合に実用的な構造として有用である。
【００４６】
（応用例）
図１３に示す回路は、本発明の応用回路の例である。図１２に示す構成のうち破線で示す回路を省くと図１に例示した第一実施例回路と同等の回路構成とする。すなわち、本発明第一実施例の過電圧保護回路に、破線で示すような付加回路を接続して利用することができることを示す。したがってこの応用回路も基本的に第一実施例回路である。この応用回路でも、第二のツェナーダイオードＺＤ₂は、その破壊に至る電流容量は小さく設定されているが、印加された過電圧波形の極性成分が偏っているような場合に、第二のツェナーダイオードＺＤ₂が先に破壊されるのではなく、第一のツェナーダイオードＺＤ₁が破壊されることがある。このような場合にも、この応用回路ではその履歴を正確に観察することができる。二つのツェナーダイオードＺＤ₁およびＺＤ₂は同じ電流容量とすることもできる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明の過電圧保護回路は、印加される過電圧に対して高速な動作を行うことができるから、保護の対象となる電子装置を予期しない過電圧から十分に保護することができる効果がある。本発明の過電圧保護回路は、フューズを利用しないから、その特性のばらつきが少なく、また経年変化が小さく、動作が安定である。本発明はツェナーダイオードを利用するので、過電圧が印加されて回路がいったん導通状態になっても、過電圧が消滅したときには回復し繰り返し利用できる可能性が大きい。そして、過電圧が長時間にわたり印加されて素子が破壊されたときには、従来装置と同様に、発光ダイオードなどの電圧検出回路の動作によりこれを観察することができるから、従来装置と全く同様の使い方をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明第一実施例回路の回路図。
【図２】本発明第二実施例回路の回路図。
【図３】本発明第三実施例回路の回路図。
【図４】本発明第四実施例回路の回路図。
【図５】本発明第五実施例回路の回路図。
【図６】本発明第六実施例回路の回路図。
【図７】本発明第七実施例回路の回路図。
【図８】本発明第八実施例回路の回路図。
【図９】本発明第九実施例回路の回路図。
【図１０】本発明第十実施例の実装構造の一例を示す斜視図。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は本発明第十一実施例の実装構造の別の例を示す図。
【図１２】従来例回路の回路図。
【図１３】本発明の応用例回路の回路図。
【符号の説明】
Ａ，Ｂ：二端子
ＺＤ：ツェナーダイオード
Ｚ：インピーダンス
ＰＤ：発光ダイオード
Ｖｒ：バリスタ[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention is used as a device for protecting a computer device, a communication device, a control device, and other electronic devices including semiconductor components from high voltage surges entering from the outside and other overvoltages. The device of the present invention has been developed for use in a power supply circuit of an electronic device, but can also be used as a protection device against an overvoltage entering from a terminal other than the power supply circuit.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, an overvoltage protection circuit for a power supply circuit is known as shown in FIG. In this circuit, the two terminals A and B are, for example, power current paths for electronic devices to be protected, and more specifically, socket or plug electrodes for connection to a commercial power source. A series circuit of a varistor Vr and a fuse F is inserted between the terminals A and B, and a series circuit of a light emitting diode PD and a high impedance Z is connected in parallel with the varistor Vr.
[0003]
The varistor Vr exhibits a high resistance value in the range of the normal power supply voltage. However, if an overvoltage enters the power supply voltage for some reason, the resistance value of the varistor Vr becomes low and short-circuits between the two terminals A and B. It will be. This protects the overvoltage from the power supply voltage of the electronic device. At the same time, a large current flows through the varistor Vr, and the fuse F is melted when a predetermined short time elapses. If the fuse F is not blown by the high voltage generated between the two terminals A and B, the varistor Vr automatically recovers the original high resistance value when the overvoltage disappears, so the circuit automatically Will be restored.
[0004]
On the other hand, in a state where a normal voltage is applied between the two terminals A and B, the light emitting diode PD is in a light emitting state with a minute current flowing through the high impedance Z and the fuse F. Therefore, although it is in a light emitting state at the normal time, the light emission stops because the minute current disappears when the fuse is blown. If this light emitting diode is arranged at a position where it can be observed from the outside, it can be known that an overvoltage has been applied and the fuse F has melted, and this overvoltage protection circuit can be properly replaced.
[0005]
As described above, this conventional circuit has a simple configuration and can be provided at a low cost, and can prevent a short surge-like overvoltage. Further, a history of overvoltage applied for a long time can be observed later. It has been used as a convenient device that can be replaced.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the varistor Vr is an element that operates by heat generation, and a certain time is required after the overvoltage is applied until the reaction occurs. That is, when the overvoltage mixed into the power supply rises rapidly in a short time and the rise time is shorter than the operation time of the varistor Vr, the overvoltage enters the device before the varistor Vr operates. Sufficient overvoltage protection cannot be expected.
[0007]
Moreover, selection of the fusing current of the fuse F is delicate. That is, if a fuse F that blows with a large current is selected, this history cannot be observed later even if an overvoltage surge is mixed into the power supply. On the other hand, if the fuse F that blows with a small current is selected, the fuse F is blown before sufficient protection is performed, and the overvoltage protection circuit disappears. Therefore, the allowable range of the selection range of the fuse fusing current is narrowed. However, due to the nature of the fuse, the product characteristics vary widely, and the fusing characteristics vary with time. Also, once the overvoltage has been applied, if the fuse has not melted, the fuse has been degraded even though it is conducting. In such a case, sufficient protection may not be possible.
[0008]
The present invention has been made against this background, and it is an object of the present invention to provide a fast-acting overvoltage protection circuit that can appropriately protect against the invasion of an overvoltage that disappears in a short time. An object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit capable of performing appropriate protection even when the overvoltage fluctuates with time. The present invention provides an overvoltage protection circuit capable of observing the history later when an overvoltage having an energy exceeding a set value is applied, and correctly exchanging a circuit with a large overvoltage applied. The purpose is to provide. An object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit capable of continuously protecting even when an overvoltage is applied for a long time. An object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit capable of performing appropriate protection regardless of the polarity of an applied overvoltage. An object of the present invention is to provide a protection circuit having a large overvoltage range that can recover itself even when an overvoltage is applied. An object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit that can be provided at a low cost with a very simple configuration. An object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit that can be easily mounted and used in a power supply circuit or other connection circuit of an electronic device. An object of the present invention is to provide an overvoltage protection circuit that can be easily attached to a power supply circuit and other connection circuits of an electronic device and can be easily replaced.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, a first Zener diode (ZD ₁ ) and a second Zener diode (ZD ₂ ) are connected in series with opposite polarities between two terminals (A, B). A breakdown voltage (zener voltage) is higher than a steady-state voltage between the two terminals, and the breakdown voltages are substantially equal to each other. Here, that the breakdown voltages are substantially equal means that the deviations of the breakdown voltages are within ± 5%.
[0010]
Both zener diodes have a breakdown voltage higher than the steady-state voltage between the two terminals, so that there is no current in the series circuit of the zener diodes in the steady state, and an overvoltage protection circuit that conducts only when an overvoltage intrudes. Become. Since their breakdown voltages are equal to each other, they act equally on overvoltages of any polarity. Further, since the breakdown voltage can be balanced by setting the breakdown voltages substantially equal to each other, the circuit is suitable for use in an AC circuit.
[0011]
By adopting a configuration in which a voltage detection circuit is connected in parallel to the first Zener diode (ZD ₁ ), a slight current is supplied to the voltage detection circuit in a half cycle in which the second Zener diode (ZD ₂ ) is conducted. Flow and know that the circuit is in a normal state.
[0012]
It is desirable that the power capacity that leads to the destruction of the second Zener diode (ZD ₂ ) is set smaller than the power capacity that leads to the destruction of the first Zener diode (ZD ₁ ). In this configuration, when the breakdown occurs, the second Zener diode (ZD ₂ ) is destroyed first, so that the voltage detection circuit does not detect the voltage, so that an overvoltage leading to the destruction of the Zener diode is applied. You will be able to know.
[0013]
The voltage detection circuit is a series circuit of a light emitting diode (PD) and a high impedance circuit (Z), so that the overvoltage protection circuit is normal or the Zener diode is already destroyed depending on the light emitting state of the light emitting diode. You can know from the outside.
[0014]
In other words, with this configuration, the steady-state voltage appearing between the two terminals (A, B) is connected in series regardless of the polarity of the voltage, even if the voltage applied in the steady state is an alternating current. No current flows through the two Zener diodes formed. The voltage detection circuit detects the voltage across the first Zener diode (ZD ₁ ). When the voltage applied between the two terminals (A, B) in a steady state is an alternating current, the voltage detection circuit detects a half-cycle voltage at which the first Zener diode (ZD ₁ ) becomes non-conductive.
[0015]
When an overvoltage is applied between the two terminals (A, B) and exceeds the breakdown voltage of the Zener diode, a current flows through the series circuit of the two Zener diodes, and the two terminals (A, B) are short-circuited. Assuming that the two terminals (A, B) are connected to a pair of power supply current supply circuits, the two terminals (A, B) are short-circuited, and are generated between the two terminals (A, B). Overvoltage is suppressed.
[0016]
When this overvoltage returns below the breakdown voltage of the Zener diode, the series circuit of the two Zener diodes is automatically restored to a high impedance (or open state). When this overvoltage continues and the current due to this overvoltage continues and flows through a series circuit of two Zener diodes, the second Zener diode (ZD ₂ ) is ahead of the first Zener diode (ZD ₁ ). Destroyed. This is a characteristic operation of the present invention.
[0017]
When the second Zener diode (ZD ₂ ) is destroyed, no current flows through the series circuit of the two Zener diodes. This is a state in which the function as an overvoltage protection circuit has been lost, and this overvoltage protection circuit must be replaced. In the circuit of the present invention, the voltage does not appear in the voltage detection circuit connected in parallel to the first Zener diode (ZD ₁ ), so this can be known.
[0018]
This voltage detection circuit is a simple and desirable circuit that is a series circuit of a light emitting diode (PD) and a high impedance circuit (Z). If the light emitting state of the light emitting diode (PD) can be observed from the outside, the light of the light emitting diode can be seen in a normal state, but this light can be seen when the second Zener diode (ZD ₂ ) is destroyed. Disappears. Thereby, it is possible to know the history of the overvoltage applied between the two terminals (A, B). With this configuration, it can be used in the same manner as the conventional device, such as being able to be properly replaced as in the conventional device described above.
[0019]
Compared with the conventional device described above, since the fuse is not used, the operating voltage and current are stable, the characteristic variation is small, the secular change is extremely small, and the characteristic change due to the history is also small. Compared to the speed of operation. In addition, since a Zener diode is used, even if an overvoltage is applied once and becomes conductive, the original characteristics are quickly restored when the overvoltage disappears.
[0020]
The light emitting diode (PD) can be included in a part of the photocoupler. With this configuration, the output of the voltage detection circuit can be extracted as an electric signal.
[0021]
Here, in this specification, the “zener diode” is not limited to a semiconductor element sold as a “zener diode” in the market, and is broadly defined. Here, the “zener diode” has a diode characteristic that becomes conductive with one polarity and becomes non-conductive with the opposite polarity, and when the voltage of the opposite polarity exceeds a predetermined value (breakdown voltage). An element or a circuit that is in a conductive state and can be repeatedly reproduced without breaking if it has a current value within a certain range is included. Such circuits are not only commercially available “Zener diodes”, but also composite circuits formed by multiple semiconductor elements and circuit elements, and commercially available “Zener diodes” that recover sufficiently and quickly. There are not circuits or elements. The present invention can be implemented also by these. For example, in the case where a high Zener voltage is realized by combining a plurality of elements in series when the voltage applied in a steady state is high, the combination of a plurality of elements is used instead of a single element. A “zener diode” as defined in the specification can be realized.
[0022]
Setting the “current capacity leading to breakdown” described above to different values can be easily realized by selecting two elements having different rated current capacities for the two elements to be used. The current capacity that leads to this breakdown is not a formal indication such as the rated current capacity, but is substantial. Even if the same rated current capacity is used, it can be realized by mounting so that the heat dissipation condition is improved on one side and the heat dissipation condition is deteriorated on the other side. It can also be realized by combining the rated current capacity and heat dissipation conditions.
[0023]
A discharging means (Vr) can be connected in parallel between the two terminals (A, B). This discharge means is a varistor, a discharge tube, a neon lamp, or the like. With this configuration, when an overvoltage is continuously applied between the two terminals (A, B) even after the second Zener diode (ZD ₂ ) is destroyed, the impedance between the two terminals (A, B). , So that this overvoltage is not directly applied to the device or the like.
[0024]
As one convenient configuration, the two terminals (A, B) can be formed as a single component so as to be mounted in a pair of power supply passages. It can also be mounted inside the power plug. This overvoltage protection circuit can be mounted inside a plug or jack. This overvoltage protection circuit can be mounted inside a component (for example, a branching plug) sandwiched between a plug and a jack.
[0025]
Two sets of protection circuits in which corresponding Zener diodes are respectively connected to opposite polarities can be connected in parallel. With this configuration, even if one of the Zener diodes is destroyed by any one of the polarities, it can be known from the outside.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First Example)
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention. The two terminals A and B are power supply circuits for protecting overvoltage as an example. This is a pair of power supply circuits for connecting to the commercial power supply of an electronic device such as a computer. In this embodiment, the two terminals A and B are both terminals of a plug (or outlet). Between the two terminals A and B, a first Zener diode ZD ₁ and a second Zener diode ZD ₂ are connected in series with opposite polarities. A series circuit of a light emitting diode PD and a resistor Z is connected as a voltage detection circuit in parallel with the first Zener diode ZD ₁ . The two Zener diodes ZD ₁ and ZD ₂ both have a breakdown voltage (zener voltage) set higher than the steady-state voltage between the two terminals, and the power capacity that leads to the destruction of the second Zener diode ZD _2. Is set smaller than the power capacity that leads to the destruction of the first Zener diode ZD ₁ .
[0027]
In this embodiment, the two terminals A and B are commercial power supplies (standard voltage 100V), the breakdown voltage of the first Zener diode ZD ₁ is set to 150V, and the breakdown voltage of the second Zener diode ZD ₂ is also set to 150V. The power capacity that leads to destruction of the first Zener diode ZD ₁ is set to about 0.5 W, and the power capacity that leads to destruction of the second Zener diode ZD ₂ is set to about 0.25 W. This was achieved by using different rated current capacities.
[0028]
In this configuration, when 100 V alternating current is applied between the two terminals A and B, at least one of the two Zener diodes ZD ₁ and ZD ₂ is in a non-conductive state, so that current flows in this series circuit. Not flowing. The light emitting diode PD detects the voltage across the first Zener diode ZD ₁ and emits light in the non-conductive half cycle. Since the light emission of the light emitting diode PD is arranged so that it can be observed from the outside, it is possible to know that the light emitting diode PD is in a normal operating state when the light emitting diode PD is lit in the normal state.
[0029]
Now, let us consider a state where a temporary overvoltage has arrived in the commercial power supply circuit for some reason. When the overvoltage exceeds 150V, the two Zener diodes ZD ₁ and ZD ₂ become conductive, and a short-circuit current flows through the series circuit. This short circuit current significantly reduces the power supply voltage, preventing overvoltage from entering the device. If this overvoltage persists and a large current continues to flow in the series circuit of the two Zener diodes ZD ₁ and ZD ₂ , for example, a contact breaker inserted on the input side (not shown) of this commercial power circuit operates. Will do. When the contact breaker does not operate, the temperature of the two Zener diodes ZD ₁ and ZD ₂ rises to cause destruction. At this time, the second Zener diode ZD ₂ has a small power capacity to cause destruction. destroy ahead of one of the Zener diode ZD _1. As a result, the current flowing in the light emitting diode PD disappears and the lamp is extinguished. That is, by observing the light of the light emitting diode PD from the outside, it can be seen that the circuit that has stopped emitting light is not in a normal state.
[0030]
It was confirmed that when the two terminals A and B of this example circuit were connected to a commercial power source, the light emitting diode PD was turned on. Further, when an overvoltage decaying with a rise time of about 2 mS, a maximum peak voltage of 250 V, and a time constant of 25 mS was applied to the circuit of this example, it was found that the voltage at the two terminals A and B did not exceed 160 V. . Further, when this overvoltage was repeatedly applied at a cycle of 1 second, the second Zener diode ZD ₂ was destroyed by repeated application several times, and the light emission of the light emitting diode PD was extinguished.
[0031]
(Second embodiment)
FIG. 2 is a circuit diagram of the second embodiment of the present invention. In this example, the connection polarity of each semiconductor element is reversed from that of the first embodiment. When the voltage applied to the two terminals A and B in a steady state is an AC voltage, the operation and effect are the same. When the voltage applied to the two terminals A and B in a steady state includes direct current or direct current, the connection of the first embodiment or the connection of the second embodiment can be selected according to the polarity of the direct current.
[0032]
(Third embodiment)
FIG. 3 is a circuit diagram of the third embodiment of the present invention. In this example, a varistor Vr is connected in parallel to the circuit having the configuration of the first embodiment. In the third embodiment, an element having a varistor voltage of 180 V and a power durability rating of 0.6 W was used as the varistor Vr, and was connected in parallel to the circuit of the first embodiment.
[0033]
In this configuration, the overvoltage rising at a high speed has the same effect as the first embodiment, and even after the second Zener diode ZD ₂ is destroyed and the light emission of the light emitting diode PD disappears, the two terminals A , B was found to be maintained at 180-70V.
[0034]
That is, in the circuit of the third embodiment, effective protection can be performed when there is an overvoltage that continues after the second Zener diode ZD ₂ is destroyed. By combining and combining the characteristics of the two Zener diodes and the characteristics of the varistor, it is possible to realize characteristics that match the waveform of the voltage to be protected and the characteristics of the circuit.
[0035]
Also in the third embodiment, as shown in the second embodiment, the present invention can be similarly implemented by connecting the polarities of the respective semiconductor elements in the opposite directions.
[0036]
(Fourth embodiment)
FIG. 4 is a circuit diagram of a fourth embodiment of the present invention. In this example, the circuit shown in the first embodiment and the circuit in which the polarities of the semiconductor elements shown in the second embodiment are connected in reverse are connected in parallel between the terminals A and B, and further between the terminals A and B. A varistor Vr is connected in parallel.
[0037]
With such a connection, different from the second Zener diode ZD ₂₁ or ZD ₂₂ against overvoltage polarity is destroyed, which of of two light-emitting diodes PD ₁ or PD ₂ longer emission By observing, it is possible to know the history including the polarity of the overvoltage that has led to the destruction of the Zener diode after the overvoltage is applied.
[0038]
(Fifth embodiment)
FIG. 5 is a circuit diagram of a fifth embodiment of the present invention. This example is characterized in that the light-emitting diode PD constituting the voltage detection circuit in the configuration of the second embodiment is a part of the photocoupler PC. That is, instead of directly observing the output light of the light emitting diode PD of the voltage detection circuit from the outside, the detection output of the voltage detection circuit can be taken out as an electrical signal to the terminal CD as the output of the photocoupler PC. A circuit of this configuration is advantageous for managing a large number of such devices.
[0039]
(Sixth embodiment)
FIG. 6 is a circuit diagram of a sixth embodiment of the present invention. This example is a circuit in which the photocoupler PC in the circuit of the fifth embodiment is replaced with an electromagnetic relay. In this example, the output of the voltage detection circuit can be taken out as an electrical signal to terminals C, D, and E.
[0040]
(Seventh embodiment)
FIG. 7 is a circuit diagram of a seventh embodiment of the present invention. This example shows an example in which amplification is performed using the transistor TR when a current capacity sufficient to light the light emitting diode PD between the terminals AB cannot be obtained. It is possible to drive a load other than the light emitting diode, and it is possible to use a general semiconductor switch and amplifier other than the transistor TR in the sense of amplifying the current. R in FIG. 7 is a resistor.
[0041]
In this circuit, the output of the voltage detection circuit can be taken out as an electric signal between the terminals CD.
[0042]
(Eighth Example)
FIG. 8 is a circuit diagram of the eighth embodiment of the present invention. In this example, the output state of the seventh embodiment is reversed, and the fact that the second Zener diode ZD ₂ is destroyed can be visually recognized by turning on the light emitting diode PD. In the case of this example as well, it is possible to drive a load other than the light emitting diode PD as in the seventh embodiment, and the use of a general semiconductor switch and amplifier other than the transistor TR also amplifies the current in principle. Possible in meaning. R ₁ and R _{2 in} FIG. 8 are resistors.
[0043]
(Ninth Example)
FIG. 9 is a circuit diagram of the ninth embodiment of the present invention. In this example, two basic components of the overvoltage protection circuit of the present invention are connected in parallel, and a varistor Vr is connected in parallel. Although the configuration is the same as that of the fourth embodiment described with reference to FIG. 4, the polarity of each element is different from the circuit of the fourth embodiment. An example is shown in which such polarity selection can be made according to the voltage applied in a steady state between the two terminals A and B and the overvoltage waveform to be protected. For this circuit one of the Zener diode ZD ₂₁ or ZD ₂₂ is destroyed.
[0044]
(Tenth embodiment)
FIG. 10 shows an example of the mounting structure of the present invention. In this example, the overvoltage protection circuit of the present invention is mounted inside a power plug for commercial power supply, and two terminals of the overvoltage protection circuit of the present invention are displayed as A and B in the figure. The circuit according to the embodiment of the present invention described in the third embodiment is mounted between the two terminals A and B inside the plug. The light emitting diode PD is arranged so that it can be observed from the outside as shown by arrows. This structure is useful as a practical structure.
[0045]
(Eleventh Example)
FIGS. 11A and 11B show another example of the structure of the embodiment of the present invention. In this example, the overvoltage protection circuit of the present invention is mounted in a three-port branch plug used for a commercial power supply. The two terminals of the overvoltage protection circuit of the present invention are indicated as A and B in the figure. Between the two terminals A and B, any one of the embodiments of the present invention described in the first to fourth embodiments and the ninth embodiment is mounted inside the plug. The light emitting diode PD is arranged so that it can be observed from the outside as shown by the arrows. This structure is useful as a practical structure when the power supply circuit is branched.
[0046]
(Application examples)
The circuit shown in FIG. 13 is an example of an application circuit of the present invention. If the circuit shown by the broken line in the configuration shown in FIG. 12 is omitted, the circuit configuration is equivalent to the circuit of the first embodiment illustrated in FIG. That is, it shows that an additional circuit as shown by a broken line can be connected to the overvoltage protection circuit of the first embodiment of the present invention. Therefore, this application circuit is also basically the first embodiment circuit. Even in this application circuit, the second Zener diode ZD ₂ is set to have a small current capacity leading to its breakdown, but the second Zener diode ZD ₂ is applied when the polarity component of the applied overvoltage waveform is biased. Instead of destroying ZD ₂ first, the first Zener diode ZD ₁ may be destroyed. Even in such a case, this application circuit can accurately observe the history. The two zener diodes ZD ₁ and ZD ₂ can also have the same current capacity.
[0047]
【The invention's effect】
Since the overvoltage protection circuit of the present invention can perform a high-speed operation with respect to the applied overvoltage, there is an effect that the electronic device to be protected can be sufficiently protected from an unexpected overvoltage. Since the overvoltage protection circuit of the present invention does not use a fuse, its characteristic variation is small, the secular change is small, and the operation is stable. Since the present invention uses a Zener diode, even if an overvoltage is applied and the circuit once becomes conductive, it is highly possible that the overvoltage disappears and can be recovered and used repeatedly. And when overvoltage is applied for a long time and the element is destroyed, it can be observed by the operation of a voltage detection circuit such as a light emitting diode as in the conventional device. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of a circuit according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram of a circuit according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram of a circuit according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram of a circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a circuit diagram of a circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a circuit diagram of a circuit according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a circuit diagram of a circuit according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a circuit diagram of a circuit according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a circuit diagram of a circuit according to a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a perspective view showing an example of a mounting structure according to a tenth embodiment of the present invention.
FIGS. 11A and 11B are diagrams showing another example of the mounting structure according to the eleventh embodiment of the present invention. FIGS.
FIG. 12 is a circuit diagram of a conventional circuit.
FIG. 13 is a circuit diagram of an application circuit of the present invention.
[Explanation of symbols]
A, B: Two terminals ZD: Zener diode Z: Impedance PD: Light emitting diode Vr: Varistor

Claims

二端子（Ａ，Ｂ）間に、第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁ ）および第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂ ）が互いに反対極性に直列接続され、前記二つのツェナーダイオードは共にその降伏電圧が前記二端子間の定常時の電圧より高く、その降伏電圧が互いにほぼ等しく、
前記第一のツェナーダイオード（ＺＤ ₁ ）に並列に電圧検出回路が接続された
ことを特徴とする過電圧保護回路。Between the two terminals (A, B), a first Zener diode (ZD ₁ ) and a second Zener diode (ZD ₂ ) are connected in series with opposite polarities, and both of the two Zener diodes have the breakdown voltage described above. higher than the voltage of the steady state between the two terminals, the breakdown voltage is approximately rather equal to each other,
The first Zener diode (ZD ₁ A voltage detection circuit is connected in parallel to the overvoltage protection circuit.

前記第二のツェナーダイオード（ＺＤ₂ ）の破壊に至る電力容量が前記第一のツェナーダイオード（ＺＤ₁ ）の破壊に至る電力容量より小さい請求項１記載の過電圧保護回路。The overvoltage protection circuit according to claim 1, wherein a power capacity that leads to destruction of the second Zener diode (ZD ₂ ) is smaller than a power capacity that leads to destruction of the first Zener diode (ZD ₁ ).

前記電圧検出回路は、発光ダイオード（ＰＤ）および高インピーダンス回路（Ｚ）の直列回路である請求項２記載の過電圧保護回路。 The overvoltage protection circuit according to claim 2, wherein the voltage detection circuit is a series circuit of a light emitting diode (PD) and a high impedance circuit (Z).

前記発光ダイオードはホトカプラの一部に含まれる請求項３記載の過電圧保護回路。 4. The overvoltage protection circuit according to claim 3, wherein the light emitting diode is included in a part of a photocoupler.

前記二端子（Ａ，Ｂ）間に、放電手段（Ｖｒ）が並列に接続された請求項３記載の過電圧保護回路。 The overvoltage protection circuit according to claim 3, wherein a discharge means (Vr) is connected in parallel between the two terminals (A, B).

前記二端子が一対の電源通路に装着されるように１個の部品として形成された請求項３または５記載の過電圧保護回路。 6. The overvoltage protection circuit according to claim 3, wherein the two terminals are formed as one component so that the two terminals are mounted in a pair of power supply passages.

プラグまたはジャックの内部に実装された請求項３または５記載の過電圧保護回路。 The overvoltage protection circuit according to claim 3 or 5, which is mounted inside a plug or jack.

プラグおよびジャックの間に挟み込む部品の内部に実装された請求項３または７記載の過電圧保護回路。 The overvoltage protection circuit according to claim 3 or 7, wherein the overvoltage protection circuit is mounted inside a component sandwiched between a plug and a jack.

請求項１記載の過電圧保護回路の二つが並列接続され、
前記二つの過電圧保護回路の一方と他方とで前記第一のツェナーダイオードが互いに反対極性である
過電圧保護回路。 Two of the overvoltage protection circuits according to claim 1 are connected in parallel ,
An overvoltage protection circuit in which the first Zener diode has opposite polarities in one and the other of the two overvoltage protection circuits.