JP3953340B2

JP3953340B2 - Display device

Info

Publication number: JP3953340B2
Application number: JP2002058902A
Authority: JP
Inventors: 和弘井上; 真司小川
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2002-03-05
Filing date: 2002-03-05
Publication date: 2007-08-08
Anticipated expiration: 2022-03-05
Also published as: JP2003255377A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射機能を備えた反射型あるいは半透過型表示装置などに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置（以下ＬＣＤという）は薄型で低消費電力であるという特徴を備え、現在、コンピュータモニターや、携帯情報機器などのモニターとして広く用いられている。このようなＬＣＤは、一対の基板間に液晶が封入され、それぞれの基板に形成され電極によって間に位置する液晶の配向を制御することで表示を行うものであり、ＣＲＴ（陰極線管）ディスプレイや、エレクトロルミネッセンス(以下、ＥＬ）ディスプレイ等と異なり、原理上自ら発光しないため、観察者に対して画像を表示するには光源を必要とする。
【０００３】
そこで、透過型ＬＣＤでは、各基板に形成する電極として透明電極を採用し、液晶表示パネルの後方や側方に光源を配置し、この光源光の透過量を液晶パネルで制御することで周囲が暗くても明るい表示ができる。しかし、常に光源を点灯させて表示を行うため、光源による電力消費が避けられないこと、また昼間の屋外のように外光が非常に強い環境下では、十分なコントラストが確保できないという特性がある。
【０００４】
一方、反射型ＬＣＤでは、太陽や室内灯等の外光を光源として採用し、液晶パネルに入射するこれらの周囲光を、非観察面側の基板に形成した反射電極によって反射する。そして、液晶層に入射し反射電極で反射された光の液晶パネルからの射出光量を画素ごとに制御することで表示を行う。このように反射型ＬＣＤは、光源として外光を採用するため、外光がないと表示が見えないが、透過型ＬＣＤと異なり光源による電力消費がなく非常に低消費電力であり、また屋外など周囲が明るいと十分なコントラストが得られる。しかし、この反射型ＬＣＤは、従来においては、色再現性や表示輝度など一般的な表示品質の点で透過型と比較すると不十分であるという課題があった。
【０００５】
他方で、機器の低消費電力化に対する要求が一段と強まる状況下では透過型ＬＣＤよりも消費電力の小さい反射型ＬＣＤは有利であるため、携帯機器の高精細モニター用途などへの採用が試みられており、表示品質の向上のための研究開発が行われている。
【０００６】
図５は、各画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を備えた従来のアクティブマトリクス型の反射型ＬＣＤの１画素あたりの平面構造（第１基板側）を示し、図６は、この図５のＣ−Ｃ線に沿った位置での反射型ＬＣＤの概略断面構造を示している。
【０００７】
反射型ＬＣＤは所定ギャップ隔てて貼り合わされた第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００が封入されて構成されている。第１及び第２基板１００及び２００としてはガラス基板やプラスチック基板などが用いられ、少なくともこの例では、観察面側に配置される第２基板２００には透明基板が採用されている。
【０００８】
第１電極１００の液晶側の面には、各画素ごとにＴＦＴ１１０が形成されている。このＴＦＴ１１０の能動層１２０の例えばドレイン領域には、層間絶縁膜１３４に形成されたコンタクトホールを介して各画素にデータ信号を供給するためのデータライン１３６が接続され、ソース領域は、層間絶縁膜１３４及び平坦化絶縁膜１３８を貫通するように形成されたコンタクトホールを介して、画素ごとに個別パターンに形成された第１電極（画素電極）１５０に接続されている。
【０００９】
上記第１電極１５０としては、反射機能を備えたＡｌ、Ａｇなどが用いられており、この反射電極１５０上に液晶層３００の初期配向を制御するための配向膜１６０が形成されている。
【００１０】
第１基板１００と対向配置される第２基板２００の液晶側には、カラー表示装置の場合カラーフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ）２１０が形成され、カラーフィルタ２１０の上に第２電極として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料が用いられた透明電極２５０が形成されている。またこの透明電極２５０の上には、第１基板側と同様の配向膜２６０が形成されている。
【００１１】
反射型ＬＣＤは、上述のような構成を備えており、液晶パネルに入射され、反射電極１５０で反射され、再び液晶パネルから射出される光の量を、画素ごと制御して所望の表示を行う。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
反射型に限らず、ＬＣＤにおいては、焼き付き防止のため液晶を交流電圧駆動している。透過型ＬＣＤでは、第１基板上の第１電極及び第２基板上の第２電極のいずれも透明であることが求められており、双方とも電極材料としてＩＴＯが採用されている。従って、液晶の交流駆動に際して、第１及び第２電極は、互いに正、負電圧をほぼ同一の条件で液晶に印加することができる。
【００１３】
しかし、上記図６のように、第１電極１５０として金属材料からなる反射電極、第２電極２５０としてＩＴＯなどの透明金属酸化材料からなる透明電極を用いた反射型ＬＣＤでは、駆動条件によっては、表示のちらつき（フリッカ）が発生したり、液晶の焼き付きの問題が起こることがあった。これは、例えば最近報告されている限界フリッカ周波数（ＣＦＦ）以下で液晶を駆動した場合に顕著である。ＣＦＦ以下での駆動とは、ＬＣＤにおける一層の低消費電力化を目的として、液晶の駆動周波数（≒第１及び第２電極との対向領域にそれぞれ形成された画素それぞれにおける液晶（液晶容量）へのデータ書き込み周波数）を、例えばＮＴＳＣ規格などで基準とされている６０Ｈｚより低くするなど、人の目にフリッカとして感知される得るＣＦＦ以下、例えば４０Ｈｚ〜３０Ｈｚとする試みである。ところが、従来の反射型液晶パネルの各画素をこのようなＣＦＦ以下の周波数で駆動したところ、上記フリッカや液晶の焼き付きの問題は顕著となり、表示品質の大幅な低下を招くことがわかったのである。
【００１４】
図５、図６に示すような反射型ＬＣＤのフリッカや液晶焼き付き発生の原因について、出願人の研究の結果、これらは上述のような液晶層３００に対する第１及び第２電極の電気的性質についての非対称性が原因の一つであることが判明した。この非対称性は、第２電極２５０に用いられるＩＴＯなどの透明金属酸化物の仕事関数が４．７ｅＶ〜５．２ｅＶ程度であるのに対し、第１電極１５０に用いられるＡｌなどの金属の仕事関数が４．２ｅＶ〜４．３ｅＶ程度と差が大きいことに起因すると考えられる。仕事関数の相違は、同一電圧を各電極に印加した時に、実際に配向膜１６０，２６０を介して液晶界面に誘起される電荷に差を生じさせる。そして、このような液晶の配向膜界面に誘起される電荷の差により、液晶層内の不純物イオンなどが一方の電極側に偏り、結果として残留ＤＣ電圧が液晶層３００に蓄積される。液晶の駆動周波数が低くなればなるほど、この残留ＤＣが液晶に及ぼす影響が大きくなってフリッカや液晶の焼き付き発生が顕著となるため、特に、ＣＦＦ以下での駆動は実質的には困難であった。
【００１５】
なお、反射型ＬＣＤとしては、従来、第１及び第２電極に透過型ＬＣＤのようにＩＴＯを用い、第１基板の外側（液晶との非対向側）に別途反射板を設ける構造も知られている。しかし、第１基板の外側に反射板を設けた場合、透明な第１電極１５０及び透明な第１基板の厚さ分だけ光路長が伸び、視差による表示品質の低下が発生しやすい。従って、高い表示品質の要求されるディスプレイ用途の反射型ＬＣＤでは、画素電極として反射電極を用いており、上述のように駆動周波数を低くするとフリッカ等を生ずるため、低消費電力化のために駆動周波数を低下させることはできなかった。
【００１６】
上記課題を解決するために本発明は、液晶層に対する第１及び第２電極の電気的特性をそろえ、フリッカや視差の影響がなく、表示品質が高くて低消費電力な反射機能を備えた表示装置を実現することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、前記第１基板は、前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜と、前記下地材料膜を覆って形成され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されている。
【００１８】
本発明の他の態様では、それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、前記第１基板は、画素ごとに設けられたスイッチ素子と、前記スイッチ素子を覆う絶縁膜の上に形成され、前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した材料からなり、該スイッチ素子と接続された前記下地材料膜と、前記下地材料膜を覆って形成され該下地材料膜を介して前記スイッチ素子に電気的に接続され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されている。
【００１９】
以上のように第１基板側において第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜の上に、微細な複数の開口部を有する反射電極を形成することで、透明電極と電気特性の異なる反射電極が液晶層側に配置される構成であっても、下地材料層の影響を反射電極表面に及ぼすことが可能となる。このため、液晶層を透明電極と反射電極とによって対称性よく駆動することができる。特に、各画素における液晶層の駆動周波数を例えば６０Ｈｚより低く設定した場合でも、フリッカなど発生することなく品質な表示が可能である。
【００２０】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、前記開口部は、それぞれ直径が１０μｍ以下で、反射電極領域に対する前記複数の開口部の占める割合は２０％以下である。
【００２１】
開口部の直径が１０μｍ以下であれば、反射電極表面において開口部領域と非開口部領域との特性の差が過大となってかえって特性差による表示品質の低下が起こることを防止できる。特性とは、例えばフリッカや焼き付きの程度、光学条件などが挙げられる。また開口部の占める割合を２０％程度に抑えることで、反射電極の反射機能を維持することができる。
【００２２】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、前記下地材料膜の仕事関数と、前記第２基板側の透明電極の透明導電材料の仕事関数との差は、０．５ｅＶ以下である。
【００２３】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、前記下地材料膜は、導電材料を用いて形成されている。
【００２４】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、各画素における液晶層の駆動周波数は、６０Ｈｚより低い。
【００２５】
以上のような下地材料膜を採用することで、反射電極表面（液晶層との対向面）における特性を第２基板側の透明電極に確実に近づけることができる。また、下地材料膜に導電材料を採用すれば、例えばスイッチ素子が設けられている場合に、反射電極よりも下層の下地材料膜をこのスイッチ素子に接続し、下地材料膜上に反射電極を形成すれば、反射電極とスイッチ素子とを特別な構成を設けることなく電気的に接続することも可能となり、下地材料膜と反射電極との積層構造を採用することによる工程の追加を最小限とすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の好適な実施の形態（以下実施形態という）について説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態に係る反射型ＬＣＤとして反射型アクティブマトリクスＬＣＤの第１基板側の平面構成の一部、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った位置におけるＬＣＤの概略断面構成を示している。アクティブマトリクス型ＬＣＤでは、表示領域内にマトリクス状に複数の画素が設けられ、各画素に対してＴＦＴなどのスイッチ素子が設けられる。スイッチ素子は、第１及び第２基板の一方、例えば第１基板１００側に画素ごとに形成され、各スイッチ素子の上には層間絶縁膜３４及び平坦化絶縁膜３８が形成されており、本実施形態では、この平坦化絶縁膜３８の上に、第２基板２００の透明電極（共通電極）２５０と仕事関数が類似し、各画素毎に個別のパターンを有する下地材料膜５０が形成されている。
【００２８】
反射電極４４は、反射特性のよい金属材料を用い、下地材料膜５０を覆って各画素毎に個別パターンに形成されている。そして、この反射電極４４には複数の微小な開口部４６が形成されている。
【００２９】
ここで、各画素のスイッチ素子として、本実施形態ではチャネル２０ｃ、ドレイン・ソース領域２０ｄ・２０ｓを含む能動層２０に多結晶シリコンを用いた多結晶シリコンＴＦＴ１１０を採用される。もちろん、多結晶シリコンに限らず、非晶質シリコンＴＦＴであってもよい。
【００３０】
下地材料膜５０としては、具体的には、仕事関数の差が例えば０．５ｅＶ程度以下の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、透明電極２５０と同じＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）やＩＴＯ等の透明導電性材料、或いはモリブデンなどの導電性材料や、その他の非導電性材料が採用可能である。図１及び図２の例では、この下地材料膜５０としては、ＩＺＯなどの導電性材料を用い、また、層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール内にもこの下地材料膜５０を形成することで、ＴＦＴ１１０のソース電極４０と電気的に接続している。
【００３１】
また、反射電極４４は、このような下地材料膜５０の上に直接形成されている。従って、本実施形態においては、反射電極４４はこの下地材料膜５０を介してＴＦＴ１１０のソース電極４０と電気的に接続されている。従って、ＴＦＴ１１０のゲート電極３２に、ゲート信号（走査信号）が印加されて、ＴＦＴ１１０がオンすると、例えばソース電極４０側の電圧が、ドレイン電極（データライン）３６に印加されているデータ信号電圧に等しくなり、このデータ信号電圧が、ソース電極４０及び下地材料膜５０を介して反射電極４４に印加されることになる。
【００３２】
第１及び第２基板１００，２００には、ガラスなどの透明基板が用いられ、第１基板１００と対向する第２基板２００側には、従来と同様に、カラータイプの場合にはカラーフィルタ２１０が形成され、カラーフィルタ２１０上に透明導電材料からなる透明電極２５０が形成されている。透明導電材料としては、上述の通りＩＺＯやＩＴＯなどが採用されている。なお、アクティブマトリクス型では、この透明電極２５０は各画素に対する共通電極として形成されている。また、このような透明電極２５０の上には、ポリイミドなどからなる配向膜２６０が形成されている。
【００３３】
以上のような構成の第２基板側に対向配置される第１基板１００側では、液晶との接触面に第２基板と同様、ポリイミドなどからなる配向膜６０が形成されている。この配向膜６０の下層には、上述のように反射電極４４が形成されている。反射電極４４には、上述の通り複数の微細な開口部４６が形成されており、この開口部４６の存在によって、反射電極４４の表面（液晶対向面）に、第２基板の透明電極２５０と電気的特性の類似した下地材料膜５０の影響を及ぼしている。従って、透明電極２５０とは本来的には電気的特性の異なる反射電極４４の表面の特性を透明電極２５０の特性に近づけることができ、透明電極２５０と反射電極４４とによって、液晶層３００を対称性よく交流駆動できる。このため、液晶の駆動周波数を上述のようなＣＦＦ以下とした場合であっても、フリッカや液晶の焼き付きなく、高品質な表示が可能となる。
【００３４】
反射電極４４としては、Ａｌ、Ａｇ、これらの合金（本実施形態ではＡｌ−Ｎｄ合金）など、反射特性に優れた材料を少なくともその液晶層側に用いている。この電極４４の厚さは、例えば１０００Å程度である。反射電極４４の複数の開口部４６は、下地材料膜５０の上に反射電極材料を積層し、これをフォトリソグラフィにより画素毎の個別パターンとする際、同時に形成することができる。つまり、反射電極を形成するためのパターンマスクに、開口部用のパターンも形成しておけば、特別な工程の追加なく反射電極４４のパターニングと同時に開口部４６を反射電極形成領域内に形成することができる。
【００３５】
各開口部４６が大きすぎると、開口部領域と非開口領域とで特性の違いが大きくなる。従って、開口部４６の大きさは、その直径を例えば１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下とすることが好適である。開口部４６の形状については特に限定されないが、開口しやすい（エッチングしやすい）形状、例えば図示するような円形が採用できる。
【００３６】
また、反射電極４４において開口部４６の占める割合が大きすぎると反射電極４４による反射面積が減少するため、反射率が低下して反射機能が損なわれる。従って、反射電極４４の形成領域内（開口部を形成しなかった場合の反射電極面積）に対する開口部４６の割合は、２０％以下、より好ましくは１０％以下とすることが望ましい。ここで、下地材料膜５０として、上述のように透明電極２５０と仕事関数の類似した不透明のＭｏ等の高融点金属層を採用することも可能である。Ｍｏ等であればＩＺＯなどと異なり光反射機能を備えるため、開口部領域においても下地材料膜５０によって光を反射することができる。しかし、反射電極材料に用いられるＡｌ等と比較するとＭｏ等の反射率は低く、やはり開口部４６の占める割合は２０％程度に止めることが好適である。
【００３７】
なお、反射電極４４内における開口部４６の配置は、規則的であってもランダムであっても良いが、モアレ縞などの干渉が発生し難い配置とすることが好ましい。従って、ある程度ランダムな配置の方が好ましい。
【００３８】
下地材料膜５０として、ＩＺＯ、ＩＴＯなどの透明導電性材料を採用した場合、この下地材料膜５０は、透過型ＬＣＤの透明画素電極の形成工程までを利用して形成できる。また、後述するように半透過型ＬＣＤを実現する場合には、透明な下地材料膜５０を１画素全域に形成し、反射電極４４の面積を反射型の場合と比較して小さいパターンに変更することで対応できる。また、ＩＺＯ等の下地材料膜５０の上層にＡｌなどからなる反射電極４４を形成した場合、特別な処理をすることなく下地材料膜５０と反射電極４４とをオーミックコンタクトさせることができる。
【００３９】
一方、Ｍｏ等の高融点金属材料を下地材料膜５０に用いた場合、例えばＭｏはその下層の平坦化絶縁膜３８との親和性が高く、また、ソース電極４０及び反射電極４４とのコンタクト性にも優れるため、表示装置としての信頼性向上を図ることができる。また、下地材料膜５０としてＭｏ等を採用した場合、この材料膜５０は透明導電材料などと比較して高い導電率を有しているため、反射電極４４を薄くした場合にも、ＴＦＴ１１０と反射電極４４との間の電気抵抗を十分低く抑えることができる。従って、例えば開口部４６を設けることに代え、或いは開口部４６を形成すると共に、反射電極４４の厚さを減ずることで下地材料膜５０の特性の影響を反射電極４４の表面に及ぼす構成が採用可能である。このような構成は、例えば反射電極４４の厚さを１００Å〜２００Å程度とし、下地材料膜５０としてのＭｏ膜を５００Å程度の厚さとすることで対応できる。
【００４０】
なお、図２の構成では、平坦化絶縁膜３８の各画素領域内に所望の角度の傾斜面が形成されており、この平坦化絶縁膜３８を覆って下地材料膜５０が形成され、その上に反射電極４４が積層されている。そして、反射電極４４の表面には平坦化絶縁膜３８と同様な傾斜が形成されている。このような傾斜面を最適な角度、位置で形成すれば、各画素毎に外光を集光して射出することができ、例えばディスプレイの正面位置での表示輝度の向上を図ることが可能である。もちろん、このような傾斜面は必ずしも存在しなくてもよい。
【００４１】
次に、上記構成の半透過型ＬＣＤへの適用例について説明する。図３は、アクティブマトリクス型の半透過型ＬＣＤの概略平面構成を示している。上記図１の構成と相違する点は、透明導電性材料からなる下地材料膜５０の上の反射電極４４の形成領域が１画素領域よりも小さく、反射電極４４の形成されていない領域では下地材料膜５０が広がって表示電極として機能している点であり、他は共通する。このような半透過型ＬＣＤにおいても、下地材料膜５０の上に形成される反射電極４４には微細な複数の開口部４６を形成し、反射電極４４の表面の電気特性を共通電極２５０の特性に近づけることができる。また反射領域の特性を透過領域の特性に近づけることもできる。従って、液晶層３００を対称性よく駆動でき、かつ透過領域と反射領域との間の特性の差を小さくでき、周囲光の強さ等に応じて光源を切り替えることで、反射表示、透過表示のいずれも高い表示品質を実現できる。
【００４２】
以上、反射層４４を備える反射または半透過型のＬＣＤについて説明したが、本発明に係るスイッチ素子（ＴＦＴ）、下地材料膜５０及び、開口部４６を備えた反射電極４４の構成はＥＬディスプレイにも適用でき、これにより基板側の電極に反射機能を持たせることができる。図４は本実施形態に係るアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイの各画素における部分断面構造を示す。
【００４３】
図４のＥＬディスプレイにおいて採用された素子は、発光材料として有機化合物を用いた有機ＥＬ素子９０であり、陽極８０と陰極８６との間に有機素子層８８が形成されている。有機素子層８８は、少なくとも有機発光機能分子を含む発光層８３を備え、有機化合物の特性、発光色などにより単層構造、２層、３層またはそれ以上の多層構造から構成することができる。図４の例では、有機素子層８８は、基板側１００に配置される陽極８０側から正孔輸送層８２／発光層８３／電子輸送層８４がこの順に形成され、発光層８３は陽極８０と同様に画素ごとに個別パターンとされ、正孔輸送層８２及び電子輸送層８４が陰極８６と同様に全画素共通で形成されている。なお、隣接する画素間で各陽極８０を絶縁し、また陽極８０のエッジ領域において上層の陰極８６とのショートを防止する目的で、隣接画素の陽極間領域には平坦化絶縁膜３９が形成されている。
【００４４】
この有機ＥＬ素子９０は、陽極８０から注入される正孔と陰極８６から注入される電子とが発光層８３で再結合して有機発光分子が励起され、これが基底状態に戻る際に光が放射される。有機ＥＬ素子９０は電流駆動型の発光素子であり、陽極８０は、有機素子層８８に対して十分な正孔注入能力を備える必要があり、通常、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電材料が用いられる。このため、発光層８３からの光は、透明な陽極８０側から透明な基板１００を透過して外部に射出される。これに対し、図４に示すアクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイでは、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、或いはＭｏなどからなる下地材料膜５０と、この上に形成された開口部４６付きの反射電極４４との積層により光反射性の陽極８０を実現している。即ち、反射電極４４の有機素子層８８との界面に、開口部４６を介して下地時材料膜５０の高い仕事関数の影響が及ぶことで、単独では正孔注入能力の低い反射電極４４から、有機素子層８８に正孔を注入することができる。また、発光層８３で得られた光を高い反射率を備えた反射電極４４の表面で上方に向けて反射することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明では、反射型または半透過型ＬＣＤのように一方の基板側に反射電極を必要とする場合に、反射電極に複数の開口部を設けることでその表面特性を下地材料膜の特性、つまり他方の透明電極の特性に近づけることが可能である。従って、簡易な構成で、液晶を対称性よく交流駆動することができ、液晶の駆動周波数を例えばＣＦＦ以下に設定したような場合であっても、フリッカの発生なく、また焼き付きを発生させることなく高品質な表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型の反射型ＬＣＤの第１基板側の概略平面構成を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った位置における反射型ＬＣＤの概略断面構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型の半透過型ＬＣＤの第１基板側の概略平面構成を示す図である。
【図４】本発明のアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイの概略断面構造を示す図である。
【図５】従来のアクティブマトリクス型の反射型ＬＣＤにおける第１基板側の一部平面構造を示す図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ線に沿った位置における従来の反射型ＬＣＤの概略断面構造を示す図である。
【符号の説明】
２０能動層（ｐ−Ｓｉ層）、３０ゲート絶縁膜、３２ゲート電極（ゲートライン）、３４層間絶縁膜、３６，３７ドレイン電極（データライン）、３８，３９平坦化絶縁膜、４０ソース電極、４４反射電極、４６開口部、５０下地材料膜、６０，２６０配向膜、８０陽極、８２正孔輸送層、８３発光層、８４電子輸送層、８６陰極、８８有機素子層、９０有機ＥＬ素子、１００第１基板、１１０ＴＦＴ、２００第２基板、２１０カラーフィルタ、２５０第２電極、３００液晶層。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a reflective or transflective display device having a reflective function.
[0002]
[Prior art]
Liquid crystal display devices (hereinafter referred to as LCDs) are characterized by being thin and have low power consumption, and are currently widely used as monitors for computer monitors and portable information devices. In such an LCD, liquid crystal is sealed between a pair of substrates, and display is performed by controlling the orientation of the liquid crystal formed on each substrate and positioned between the electrodes, such as a CRT (cathode ray tube) display, Unlike an electroluminescence (hereinafter, EL) display or the like, since it does not emit light in principle, a light source is required to display an image to an observer.
[0003]
Therefore, in a transmissive LCD, a transparent electrode is adopted as an electrode formed on each substrate, a light source is disposed behind or on the side of the liquid crystal display panel, and the amount of light transmitted through the light source is controlled by the liquid crystal panel. Bright display is possible even in the dark. However, since the display is always performed by turning on the light source, power consumption by the light source is inevitable, and sufficient contrast cannot be secured in an environment where the outside light is very strong such as outdoors in the daytime. .
[0004]
On the other hand, the reflective LCD employs external light such as the sun and room light as a light source, and reflects the ambient light incident on the liquid crystal panel by a reflective electrode formed on the substrate on the non-observation surface side. Then, display is performed by controlling the amount of light emitted from the liquid crystal panel, which is incident on the liquid crystal layer and reflected by the reflective electrode, for each pixel. As described above, since the reflective LCD employs external light as the light source, the display cannot be seen without external light. However, unlike the transmissive LCD, the power consumption by the light source is very low and the power consumption is very low. If the surroundings are bright, sufficient contrast can be obtained. However, this reflection type LCD has a problem that it is insufficient in comparison with a transmission type in terms of general display quality such as color reproducibility and display luminance.
[0005]
On the other hand, reflective LCDs with lower power consumption than transmissive LCDs are advantageous in situations where the demand for lower power consumption of devices is further strengthened, so attempts have been made to adopt them for high-definition monitor applications in portable devices. R & D is being conducted to improve display quality.
[0006]
FIG. 5 shows a planar structure (first substrate side) per pixel of a conventional active matrix reflective LCD having a thin film transistor (TFT) for each pixel. FIG. 5 shows a schematic cross-sectional structure of a reflective LCD at a position along line 5 of CC.
[0007]
The reflective LCD is configured such that a liquid crystal layer 300 is sealed between a first substrate 100 and a second substrate 200 which are bonded to each other with a predetermined gap. As the first and second substrates 100 and 200, a glass substrate, a plastic substrate, or the like is used. At least in this example, a transparent substrate is used as the second substrate 200 disposed on the observation surface side.
[0008]
A TFT 110 is formed for each pixel on the liquid crystal side surface of the first electrode 100. A data line 136 for supplying a data signal to each pixel is connected to, for example, a drain region of the active layer 120 of the TFT 110 via a contact hole formed in the interlayer insulating film 134. 134 and a contact hole formed so as to penetrate the planarization insulating film 138, the pixel is connected to a first electrode (pixel electrode) 150 formed in an individual pattern for each pixel.
[0009]
As the first electrode 150, Al, Ag or the like having a reflection function is used, and an alignment film 160 for controlling the initial alignment of the liquid crystal layer 300 is formed on the reflection electrode 150.
[0010]
In the case of a color display device, a color filter (R, G, B) 210 is formed on the liquid crystal side of the second substrate 200 disposed opposite to the first substrate 100. ITO is used as a second electrode on the color filter 210. A transparent electrode 250 using a transparent conductive material such as (Indium Tin Oxide) is formed. On the transparent electrode 250, an alignment film 260 similar to that on the first substrate side is formed.
[0011]
The reflective LCD has the above-described configuration, and performs a desired display by controlling the amount of light incident on the liquid crystal panel, reflected by the reflective electrode 150, and again emitted from the liquid crystal panel for each pixel. .
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
The LCD is not limited to the reflective type, and the liquid crystal is driven with an AC voltage to prevent burn-in. In the transmissive LCD, both the first electrode on the first substrate and the second electrode on the second substrate are required to be transparent, and both employ ITO as an electrode material. Therefore, when the liquid crystal is AC driven, the first and second electrodes can apply positive and negative voltages to the liquid crystal under substantially the same conditions.
[0013]
However, as shown in FIG. 6, in a reflective LCD using a reflective electrode made of a metal material as the first electrode 150 and a transparent electrode made of a transparent metal oxide material such as ITO as the second electrode 250, depending on driving conditions, In some cases, display flickering or liquid crystal burn-in problems occur. This is remarkable, for example, when the liquid crystal is driven at a critical flicker frequency (CFF) or less recently reported. The driving below CFF is a liquid crystal driving frequency (≈ liquid crystal (liquid crystal capacitance) in each pixel formed in a region facing the first and second electrodes for the purpose of further reducing power consumption in the LCD. The data write frequency) is lower than CHz that can be perceived as flicker by human eyes, for example, 40 Hz to 30 Hz. However, when each pixel of the conventional reflective liquid crystal panel is driven at such a frequency below CFF, it has been found that the above flicker and liquid crystal burn-in problems become prominent and cause a significant decrease in display quality. .
[0014]
As a result of the applicant's research on the causes of flicker and liquid crystal burn-in in the reflective LCD as shown in FIGS. 5 and 6, these are the electrical properties of the first and second electrodes for the liquid crystal layer 300 as described above. It has been found that this asymmetry is one of the causes. This asymmetry is that the work function of a transparent metal oxide such as ITO used for the second electrode 250 is about 4.7 eV to 5.2 eV, whereas the work of a metal such as Al used for the first electrode 150 is about. This is considered to be due to the large difference between the functions of about 4.2 eV to 4.3 eV. The difference in work function causes a difference in charge actually induced at the liquid crystal interface via the alignment films 160 and 260 when the same voltage is applied to each electrode. Then, due to the difference in charge induced at the liquid crystal alignment film interface, impurity ions and the like in the liquid crystal layer are biased toward one electrode, and as a result, a residual DC voltage is accumulated in the liquid crystal layer 300. The lower the driving frequency of the liquid crystal, the greater the influence of the residual DC on the liquid crystal and the more noticeable flicker and liquid crystal burn-in occur. In particular, driving below CFF was practically difficult. .
[0015]
As a reflection type LCD, a structure in which ITO is used for the first and second electrodes like a transmission type LCD and a reflection plate is separately provided outside the first substrate (on the side not facing the liquid crystal) is conventionally known. ing. However, when a reflecting plate is provided outside the first substrate, the optical path length is increased by the thickness of the transparent first electrode 150 and the transparent first substrate, and display quality is likely to deteriorate due to parallax. Therefore, reflective LCDs for display applications that require high display quality use reflective electrodes as pixel electrodes, and if the drive frequency is lowered as described above, flicker or the like occurs, so that it is driven to reduce power consumption. The frequency could not be reduced.
[0016]
In order to solve the above-described problems, the present invention provides a display with a reflective function that matches the electrical characteristics of the first and second electrodes with respect to the liquid crystal layer, has no influence of flicker and parallax, has high display quality, and low power consumption. The object is to realize the device.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a display device configured to display each pixel, in which a liquid crystal layer is sealed between a first substrate and an second substrate on which electrodes are respectively formed. The first substrate is formed so as to cover the base material film having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side, and reflects the light incident on the liquid crystal layer from the second substrate side. And a plurality of fine openings are formed in the reflective electrode.
[0018]
According to another aspect of the present invention, there is provided a display device configured to display a pixel by pixel, in which a liquid crystal layer is sealed between a first substrate and an second substrate on which electrodes are formed. The switch element provided for each pixel and the insulating film covering the switch element are formed of a material having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side, and are connected to the switch element. A base material film, a reflective electrode formed to cover the base material film, electrically connected to the switch element through the base material film, and reflecting light incident on the liquid crystal layer from the second substrate side; A plurality of fine openings are formed in the reflective electrode.
[0019]
As described above, by forming the reflective electrode having a plurality of fine openings on the base material film having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side on the first substrate side, the transparent electrode and the electrical characteristics are obtained. Even in a configuration in which the different reflective electrodes are arranged on the liquid crystal layer side, the influence of the base material layer can be exerted on the reflective electrode surface. For this reason, the liquid crystal layer can be driven with good symmetry by the transparent electrode and the reflective electrode. In particular, even when the driving frequency of the liquid crystal layer in each pixel is set lower than 60 Hz, for example, quality display is possible without causing flicker.
[0020]
In another aspect of the present invention, in the display device, each of the openings has a diameter of 10 μm or less, and a ratio of the plurality of openings to the reflective electrode region is 20% or less.
[0021]
If the diameter of the opening is 10 μm or less, it is possible to prevent the display quality from being deteriorated due to the characteristic difference because the difference in characteristics between the opening region and the non-opening region is excessive on the reflective electrode surface. The characteristics include, for example, flicker and burn-in degree, optical conditions, and the like. Moreover, the reflective function of a reflective electrode is maintainable by restraining the ratio for which an opening accounts to about 20%.
[0022]
In another aspect of the present invention, in the display device, a difference between a work function of the base material film and a work function of the transparent conductive material of the transparent electrode on the second substrate side is 0.5 eV or less.
[0023]
In another aspect of the present invention, in the display device, the base material film is formed using a conductive material.
[0024]
In another aspect of the present invention, in the display device, the driving frequency of the liquid crystal layer in each pixel is lower than 60 Hz.
[0025]
By employing the base material film as described above, the characteristics on the surface of the reflective electrode (the surface facing the liquid crystal layer) can be reliably brought close to the transparent electrode on the second substrate side. If a conductive material is used for the base material film, for example, when a switch element is provided, the base material film below the reflective electrode is connected to the switch element, and the reflective electrode is formed on the base material film. In this case, it is possible to electrically connect the reflective electrode and the switch element without providing a special configuration, thereby minimizing the addition of processes by adopting a laminated structure of the base material film and the reflective electrode. be able to.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments (hereinafter referred to as embodiments) of the invention will be described with reference to the drawings.
[0027]
FIG. 1 is a part of a planar configuration on the first substrate side of a reflective active matrix LCD as a reflective LCD according to the present embodiment, and FIG. 2 is a schematic cross section of the LCD at a position along the line AA in FIG. The configuration is shown. In an active matrix LCD, a plurality of pixels are provided in a matrix in a display area, and a switch element such as a TFT is provided for each pixel. The switch element is formed for each pixel on one of the first and second substrates, for example, the first substrate 100 side, and an interlayer insulating film 34 and a planarizing insulating film 38 are formed on each switch element. In the embodiment, a base material film 50 having a work function similar to that of the transparent electrode (common electrode) 250 of the second substrate 200 and having an individual pattern is formed on the planarization insulating film 38. Yes.
[0028]
The reflective electrode 44 is made of a metal material having a good reflection characteristic and is formed in an individual pattern for each pixel so as to cover the base material film 50. A plurality of minute openings 46 are formed in the reflective electrode 44.
[0029]
In this embodiment, a polycrystalline silicon TFT 110 using polycrystalline silicon for the active layer 20 including the channel 20c and the drain / source regions 20d and 20s is employed as the switching element of each pixel. Of course, it is not limited to polycrystalline silicon, and may be an amorphous silicon TFT.
[0030]
Specifically, a material having a work function difference of about 0.5 eV or less is preferably used for the base material film 50. As such a material, for example, the same transparent conductive material such as IZO (Indium Zinc Oxide) and ITO as the transparent electrode 250, a conductive material such as molybdenum, and other non-conductive materials can be employed. In the example of FIGS. 1 and 2, a conductive material such as IZO is used as the base material film 50, and the base material film 50 is also formed in the contact hole formed in the interlayer insulating film 34. Thus, it is electrically connected to the source electrode 40 of the TFT 110.
[0031]
The reflective electrode 44 is directly formed on the underlying material film 50. Accordingly, in the present embodiment, the reflective electrode 44 is electrically connected to the source electrode 40 of the TFT 110 via the base material film 50. Therefore, when a gate signal (scanning signal) is applied to the gate electrode 32 of the TFT 110 and the TFT 110 is turned on, for example, the voltage on the source electrode 40 side becomes the data signal voltage applied to the drain electrode (data line) 36. This data signal voltage is applied to the reflective electrode 44 through the source electrode 40 and the base material film 50.
[0032]
A transparent substrate such as glass is used for the first and second substrates 100 and 200, and a color filter 210 is provided on the second substrate 200 side facing the first substrate 100 in the case of a color type as in the conventional case. The transparent electrode 250 made of a transparent conductive material is formed on the color filter 210. As the transparent conductive material, IZO, ITO or the like is employed as described above. In the active matrix type, the transparent electrode 250 is formed as a common electrode for each pixel. An alignment film 260 made of polyimide or the like is formed on the transparent electrode 250.
[0033]
An alignment film 60 made of polyimide or the like is formed on the contact surface with the liquid crystal on the first substrate 100 side arranged to face the second substrate side having the above-described configuration, like the second substrate. As described above, the reflective electrode 44 is formed under the alignment film 60. A plurality of fine openings 46 are formed in the reflective electrode 44 as described above. Due to the presence of the openings 46, the transparent electrode 250 of the second substrate is formed on the surface of the reflective electrode 44 (the liquid crystal facing surface). The influence of the underlying material film 50 having similar electrical characteristics is exerted. Therefore, the surface characteristics of the reflective electrode 44 which originally have different electrical characteristics from the transparent electrode 250 can be brought close to the characteristics of the transparent electrode 250, and the liquid crystal layer 300 is symmetric with the transparent electrode 250 and the reflective electrode 44. AC drive with good quality. For this reason, even when the driving frequency of the liquid crystal is set to the CFF or lower as described above, high-quality display is possible without flicker or liquid crystal burn-in.
[0034]
As the reflective electrode 44, a material having excellent reflective characteristics such as Al, Ag, and an alloy thereof (Al—Nd alloy in this embodiment) is used at least on the liquid crystal layer side. The thickness of the electrode 44 is about 1000 mm, for example. The plurality of openings 46 of the reflective electrode 44 can be simultaneously formed when a reflective electrode material is laminated on the base material film 50 and formed into individual patterns for each pixel by photolithography. That is, if the pattern for the opening is also formed on the pattern mask for forming the reflective electrode, the opening 46 is formed in the reflective electrode forming region simultaneously with the patterning of the reflective electrode 44 without adding a special process. be able to.
[0035]
If each opening 46 is too large, the difference in characteristics between the opening region and the non-opening region increases. Therefore, the size of the opening 46 is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less. The shape of the opening 46 is not particularly limited, but a shape that is easy to open (easily etched), for example, a circle as shown in the figure can be adopted.
[0036]
In addition, if the proportion of the opening 46 in the reflective electrode 44 is too large, the reflective area by the reflective electrode 44 is reduced, so that the reflectance is lowered and the reflective function is impaired. Accordingly, it is desirable that the ratio of the opening 46 to the area where the reflective electrode 44 is formed (the area of the reflective electrode when no opening is formed) is 20% or less, more preferably 10% or less. Here, as the base material film 50, it is also possible to employ a high melting point metal layer such as opaque Mo having a work function similar to that of the transparent electrode 250 as described above. Since Mo or the like has a light reflecting function unlike IZO or the like, light can be reflected by the base material film 50 even in the opening region. However, the reflectance of Mo or the like is lower than that of Al or the like used for the reflective electrode material, and the proportion of the opening 46 is preferably limited to about 20%.
[0037]
The arrangement of the openings 46 in the reflective electrode 44 may be regular or random. However, it is preferable that the arrangement is such that interference such as moire fringes hardly occurs. Therefore, a somewhat random arrangement is preferable.
[0038]
When a transparent conductive material such as IZO or ITO is used as the base material film 50, the base material film 50 can be formed by using the transparent pixel electrode forming process of the transmissive LCD. In order to realize a transflective LCD as will be described later, a transparent base material film 50 is formed over the entire area of one pixel, and the area of the reflective electrode 44 is changed to a smaller pattern than in the reflective type. It can respond. Further, when the reflective electrode 44 made of Al or the like is formed on the base material film 50 such as IZO, the base material film 50 and the reflective electrode 44 can be brought into ohmic contact without any special treatment.
[0039]
On the other hand, when a refractory metal material such as Mo is used for the base material film 50, for example, Mo has a high affinity with the underlying planarization insulating film 38 and has contact properties with the source electrode 40 and the reflective electrode 44. Therefore, the reliability of the display device can be improved. Further, when Mo or the like is used as the base material film 50, the material film 50 has a higher electrical conductivity than a transparent conductive material or the like. Therefore, even when the reflective electrode 44 is thinned, the TFT 110 and the reflective film are reflected. The electrical resistance between the electrodes 44 can be kept sufficiently low. Therefore, for example, instead of providing the opening 46, a configuration in which the opening 46 is formed and the thickness of the reflective electrode 44 is reduced to influence the characteristics of the base material film 50 on the surface of the reflective electrode 44 is adopted. Is possible. Such a configuration can be dealt with, for example, by setting the thickness of the reflective electrode 44 to about 100 to 200 mm and the Mo film as the base material film 50 to a thickness of about 500 mm.
[0040]
In the configuration of FIG. 2, an inclined surface having a desired angle is formed in each pixel region of the planarization insulating film 38, and a base material film 50 is formed to cover the planarization insulating film 38. A reflective electrode 44 is laminated on the substrate. A slope similar to that of the planarization insulating film 38 is formed on the surface of the reflective electrode 44. If such an inclined surface is formed at an optimum angle and position, it is possible to collect and emit external light for each pixel. For example, it is possible to improve the display brightness at the front position of the display. is there. Of course, such an inclined surface does not necessarily exist.
[0041]
Next, an application example to the transflective LCD having the above configuration will be described. FIG. 3 shows a schematic plan configuration of an active matrix type transflective LCD. The difference from the configuration of FIG. 1 is that the formation area of the reflective electrode 44 on the base material film 50 made of a transparent conductive material is smaller than one pixel area, and the base material is not formed in the area where the reflective electrode 44 is not formed. The film 50 spreads and functions as a display electrode, and others are common. Also in such a transflective LCD, a plurality of fine openings 46 are formed in the reflective electrode 44 formed on the base material film 50, and the electrical characteristics of the surface of the reflective electrode 44 are the characteristics of the common electrode 250. Can be approached. Further, the characteristics of the reflective region can be brought close to those of the transmissive region. Therefore, the liquid crystal layer 300 can be driven with good symmetry, and the difference in characteristics between the transmissive region and the reflective region can be reduced. By switching the light source according to the intensity of ambient light, the reflective display and transmissive display can be performed. Both can achieve high display quality.
[0042]
The reflective or transflective LCD including the reflective layer 44 has been described above. The configuration of the switch element (TFT), the base material film 50, and the reflective electrode 44 including the opening 46 according to the present invention is an EL display. Can also be applied, whereby the electrode on the substrate side can have a reflecting function. FIG. 4 shows a partial cross-sectional structure of each pixel of the active matrix EL display according to this embodiment.
[0043]
The element employed in the EL display of FIG. 4 is an organic EL element 90 using an organic compound as a light emitting material, and an organic element layer 88 is formed between an anode 80 and a cathode 86. The organic element layer 88 includes a light emitting layer 83 containing at least an organic light emitting functional molecule, and can be constituted of a single layer structure, two layers, three layers or more multilayer structures depending on the characteristics of the organic compound, the emission color, and the like. In the example of FIG. 4, the organic element layer 88 includes a hole transport layer 82 / a light emitting layer 83 / an electron transport layer 84 formed in this order from the anode 80 side disposed on the substrate side 100. Similarly, an individual pattern is formed for each pixel, and the hole transport layer 82 and the electron transport layer 84 are formed in common for all pixels like the cathode 86. For the purpose of insulating each anode 80 between adjacent pixels and preventing a short circuit with the upper cathode 86 in the edge region of the anode 80, a planarizing insulating film 39 is formed in the region between the anodes of adjacent pixels. ing.
[0044]
In this organic EL element 90, holes injected from the anode 80 and electrons injected from the cathode 86 are recombined in the light emitting layer 83 to excite organic light emitting molecules, and light is emitted when this returns to the ground state. Is done. The organic EL element 90 is a current-driven light-emitting element, and the anode 80 needs to have a sufficient hole injection capability with respect to the organic element layer 88. Usually, a transparent conductive material such as ITO or IZO having a high work function is used. Material is used. For this reason, the light from the light emitting layer 83 passes through the transparent substrate 100 from the transparent anode 80 side and is emitted to the outside. On the other hand, in the active matrix organic EL display shown in FIG. 4, a base material film 50 made of ITO, IZO, or Mo having a high work function, and a reflective electrode 44 with an opening 46 formed thereon are provided. A light-reflective anode 80 is realized by stacking these layers. That is, the influence of the high work function of the underlayer material film 50 is exerted on the interface between the reflective electrode 44 and the organic element layer 88 via the opening 46, so that the reflective electrode 44 having a low hole injection ability alone Holes can be injected into the organic element layer 88. Further, the light obtained from the light emitting layer 83 can be reflected upward by the surface of the reflective electrode 44 having a high reflectance.
[0045]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when a reflective electrode is required on one substrate side as in a reflective or transflective LCD, the surface characteristics can be reduced by providing a plurality of openings in the reflective electrode. It is possible to approach the characteristics of the material film, that is, the characteristics of the other transparent electrode. Accordingly, the liquid crystal can be AC driven with symmetry with a simple configuration, and even when the driving frequency of the liquid crystal is set to CFF or less, for example, flicker does not occur and burn-in does not occur. High quality display can be performed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic planar configuration of a first substrate side of an active matrix reflective LCD according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a reflective LCD at a position along the line AA in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a schematic plan configuration of a first substrate side of an active matrix transflective LCD according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of an active matrix type organic EL display of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a partial planar structure on the first substrate side in a conventional active matrix reflective LCD.
6 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of a conventional reflective LCD at a position along line CC in FIG.
[Explanation of symbols]
20 active layer (p-Si layer), 30 gate insulating film, 32 gate electrode (gate line), 34 interlayer insulating film, 36, 37 drain electrode (data line), 38, 39 planarization insulating film, 40 source electrode, 44 reflective electrode, 46 opening, 50 base material film, 60, 260 alignment film, 80 anode, 82 hole transport layer, 83 light emitting layer, 84 electron transport layer, 86 cathode, 88 organic element layer, 90 organic EL element, 100 first substrate, 110 TFT, 200 second substrate, 210 color filter, 250 second electrode, 300 liquid crystal layer.

Claims

それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、
前記第１基板は、
前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜と、
前記下地材料膜を覆って形成され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、
前記反射電極には前記画素ごとに複数の微細な開口部が形成されていることを特徴とする表示装置。A display device configured to display each pixel, in which a liquid crystal layer is sealed between a first substrate and an second substrate each having an electrode formed thereon,
The first substrate is
A base material film having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side;
A reflective electrode formed to cover the base material film and reflecting light incident on the liquid crystal layer from the second substrate side;
The display device, wherein the reflective electrode is formed with a plurality of fine openings for each pixel .

それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、
前記第１基板は、
画素ごとに設けられたスイッチ素子と、
前記スイッチ素子を覆う絶縁膜の上に形成され、前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した材料からなり、該スイッチ素子と接続された前記下地材料膜と、
前記下地材料膜を覆って形成され該下地材料膜を介して前記スイッチ素子に電気的に接続され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、
前記反射電極には前記画素ごとに複数の微細な開口部が形成されていることを特徴とする表示装置。A display device configured to display each pixel, in which a liquid crystal layer is sealed between a first substrate and an second substrate each having an electrode formed thereon,
The first substrate is
A switch element provided for each pixel;
Formed on an insulating film covering the switch element, made of a material having a work function similar to that of the transparent electrode on the second substrate side, and the base material film connected to the switch element;
A reflective electrode that covers the base material film, is electrically connected to the switch element through the base material film, and reflects light incident on the liquid crystal layer from the second substrate side;
The display device, wherein the reflective electrode is formed with a plurality of fine openings for each pixel .

請求項１または請求項２に記載の表示装置において、
前記下地材料膜の仕事関数と、前記第２基板側の透明電極の透明導電材料の仕事関数との差は、０．５ｅＶ以下であることを特徴とする表示装置。The display device according to claim 1 or 2 ,
The difference between the work function of the base material film and the work function of the transparent conductive material of the transparent electrode on the second substrate side is 0.5 eV or less.

請求項３に記載の表示装置において、
前記下地材料膜は、導電材料を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。The display device according to claim 3 ,
The display device, wherein the base material film is formed using a conductive material.

請求項１または請求項２に記載の表示装置において、The display device according to claim 1 or 2,
前記反射電極を備えた反射領域と、A reflective region comprising the reflective electrode;
前記反射電極を備えない透過領域と、A transmissive region without the reflective electrode;
を有することを特徴とする表示装置。A display device comprising: