JP3948550B2

JP3948550B2 - Surface acoustic wave device

Info

Publication number: JP3948550B2
Application number: JP2001292472A
Authority: JP
Inventors: 憲司井上
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-09-25
Filing date: 2001-09-25
Publication date: 2007-07-25
Anticipated expiration: 2021-09-25
Also published as: JP2003101384A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電基板に形成された複数の弾性表面波共振器からなる弾性表面波素子が搭載された弾性表面波装置に関し、特に、これらの弾性表面波共振器がラダー型回路を構成する弾性表面波素子に適用して有効な技術に関するものである。また、本発明は、前記弾性表面波素子を複数用いたデュアル型フィルタ、分波器にも適用される。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機をはじめとした移動体通信端末機が急速に発展している。この端末機は、持ち運びの便利さから、特に小型且つ軽量であることが望まれている。端末機の小型軽量化を達成するには、そこに使われる電子部品も小型軽量であることが必須であり、このため、端末機の高周波部や中間周波部には、複数の弾性表面波共振器（ＳＡＷ共振子）を圧電基板上に形成された小型軽量化に有利な弾性表面波素子が多用されている。
【０００３】
弾性表面波素子をフィルタとして用いた場合に求められる重要な特性として、挿入損失および通過帯域外減衰が挙げられる。ここで、挿入損失は、機器の消費電力に影響し、低損失であるほどバッテリの寿命が延びるためバッテリの容量を削減することができ小型軽量化に貢献する。また、一つのフィルタで高帯域外減衰を得ることができれば、機器の小型軽量化に貢献する。
【０００４】
弾性表面波素子には、入力端子と出力端子との間を直列腕とし、この直列腕と基準電位端子との間に複数の並列腕を形成し、これら直列腕と並列腕とに適宜弾性表面波共振器を配置したラダー型回路を構成する弾性表面波素子が知られている。
【０００５】
ラダー型回路を構成した弾性表面波素子では、直列腕に配置された弾性表面波共振器の共振周波数と、並列腕に配置された弾性表面波共振器の***振周波数とを一致させることにより、一致された周波数付近において入出力インピーダンスを特性インピーダンスと整合させ、それによって通過帯域を構成している。
【０００６】
ところで、帯域フィルタとして用いられる弾性表面波素子は、通過帯域外の周波数領域における減衰量の拡大が強く求められている。
【０００７】
ここで、本発明者が検討したラダー型弾性表面波素子の回路図を図４に示す。
【０００８】
図示する弾性表面波素子１１１は、直列腕１１７に複数の弾性表面波共振器１２０が配置されている。また、入力端子１１５とこの入力端子１１５の最近傍に位置する弾性表面波共振器１２０との間、出力端子１１６とこの出力端子１１６の最近傍に位置する弾性表面波共振器１２０との間、および各弾性表面波共振器１２０の間に、並列腕１１９が形成されている。そして、これらの並列腕１１９に弾性表面波共振器１２１がそれぞれ配置されている。
【０００９】
なお、図４において、符号Ｌは、弾性表面波素子１１１のチップとこのチップが実装されるパッケージとの間（配線やバンプあるいはボンディングワイヤなど）に含まれるインダクタンス成分を表している。また、符号Ｌｐは、パッケージ上の接続パッドから装置側のグランドに至るまでの経路に含まれるインダクタンス成分を表している。
【００１０】
そして、このような構成において、インダクタンス成分Ｌｐの値を極めて小さく（０．０３ｎＨ以下）設計し、インダクタンス成分Ｌの値を適切に選ぶことにより、所定の通過帯域周波数を確保しつつ、通過帯域周波数より低周波側における所望の減衰を得ていた。
【００１１】
なお、この従来技術は本発明者が認識している本発明の基礎となった技術という意味であって、特許法上の公知技術という意味ではない。また、ここで従来技術として述べたことについての権利追求を放棄するものでもない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した技術では、配線引き回しなどの理由により、インダクタンス成分Ｌｐの値を小さくすることは実質的には困難である。
【００１３】
また、実際のインダクタンス成分Ｌｐの値を測定することは極めて難しいため、実測による試行錯誤が必要不可欠であった。特にパッケージ内部は立体的構造をとるため、試行錯誤の結果として必要となる設計変更が極めて困難な場合があった。
【００１４】
そして、インダクタンス成分Ｌｐの値を十分に小さくできないと、図３において、減衰極ｆ_ＬＰが十分な減衰量をとることができず、破線に示すような特性しか得られない。なお、図中において、減衰極ｆ_Ｐは並列腕の弾性表面波共振器による共振周波数である。また、減衰極ｆ_Ｓは直列腕の弾性表面波共振器による共振周波数である。
【００１５】
そこで、本発明は、インダクタンス成分を小さくすることなく、通過帯域外の周波数領域における減衰量の拡大を図ることのできる弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る弾性表面波装置は、入力端子と出力端子との間に直列腕を有するとともに前記直列腕と基準電位端子との間に複数の並列腕を有するラダー型回路を構成する弾性表面波素子が搭載された弾性表面波装置であって、前記直列腕に配置された複数の第１の弾性表面波共振器と、前記並列腕にそれぞれ配置され、前記第１の弾性表面波共振器の共振周波数に一致する***振周波数を有する第２の弾性表面波共振器と、前記入力端子の最近傍に位置する前記並列腕の前記第２の弾性表面波共振器の基準電位端子側と、前記出力端子の最近傍に位置する前記並列腕の前記第２の弾性表面波共振器の基準電位端子側との間に配置される所定の容量手段と、それぞれの前記並列腕において前記第２の弾性表面波共振器の基準電位端子側と前記並列腕が相互に接続された基準電位端子側の接続点との間に含まれるインダクタンス成分と、前記並列腕が相互に接続された基準電位端子側の接続点と前記基準電位端子との間に含まれるインダクタンス成分と、を有することを特徴とする。
【００１７】
このような発明によれば、入力端子の最近傍に位置する並列腕と出力端子の最近傍に位置する並列腕との間に容量手段が配置されているので、インダクタンス成分を小さくすることなく、通過帯域外の周波数領域における減衰量を大幅に拡大することが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、発明の実施の形態は、本発明が実施される特に有用な形態としてのものであり、本発明がその実施の形態に限定されるものではない。
【００１９】
図１は本発明の一実施の形態である弾性表面波素子がパッケージ化された弾性表面波装置を示す断面図、図２は本発明の一実施の形態である弾性表面波素子の等価回路を示す回路図、図３は図２の弾性表面波素子における減衰量周波数特性を示すグラフである。
【００２０】
図１に示す弾性表面波フィルタ装置（弾性表面波装置）１０は、電界により弾性表面波を発生したり、この弾性表面波を電気信号に変換する一対の交差指状（櫛の歯状）の電極（図示せず）から構成された弾性表面波共振器が圧電基板上の所定位置に複数配置された弾性表面波フィルタ（弾性表面波素子）１１が、単層あるいは複数層からなり所定の配線パターンや回路パターンの形成されたセラミック製や樹脂製の実装基板１２に搭載されたものである。
【００２１】
図示する場合には、弾性表面波フィルタ１１の素子形成面は実装基板１２と対向配置されており、弾性表面波フィルタ１１と実装基板１２とはバンプ１３を介してフリップチップ接続されている。なお、両者はワイヤボンディングによりワイヤ接続してもよい。
【００２２】
ここで、前述した一対の電極の両側には、弾性表面波を増幅する反射器が設けられている。また、圧電基板は、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 や水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスのような圧電性セラミックスにより形成されている。但し、絶縁基板上にＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を形成したものを圧電基板として用いてもよい。
【００２３】
そして、実装基板１２には、弾性表面波フィルタ１１を包囲するようにしてキャップ１４が接着されており、弾性表面波フィルタ１１を塵埃や機械的衝撃などから保護している。
【００２４】
このような弾性表面波フィルタ装置１０に実装された弾性表面波フィルタ１１は、図２に示すように、入力端子１５と出力端子１６との間に直列腕１７が形成されている。また、直列腕１７と基準電位端子１８との間には複数の並列腕１９が接続されており、このような直列腕１７と並列腕１９とによってラダー型回路が構成されている。
【００２５】
直列腕１７には、複数の第１の弾性表面波共振器２０が相互に直列に配置されている。なお、本実施の形態において、第１の弾性表面波共振器２０は２つであるが、２つ、あるいは４つ以上を直列に配置してもよい。
【００２６】
並列腕１９は、入力端子１５とこの入力端子１５の最近傍に位置する第１の弾性表面波共振器２０との間の接続点と基準電位端子１８との間、出力端子１６とこの出力端子１６の最近傍に位置する第１の弾性表面波共振器２０との間の接続点と基準電位端子１８との間、および相互に隣接する２つの第１の弾性表面波共振器２０の間と基準電位端子１８との間に設けられている。
【００２７】
そして、それぞれの並列腕１９には第２の弾性表面波共振器２１が配置されている。これら第２の弾性表面波共振器２１は、第１の弾性表面波共振器２０の共振周波数に一致する***振周波数を有している。
【００２８】
なお、本明細書において、「第１の弾性表面波共振器の共振周波数に一致する***振周波数」とは、双方の周波数が厳密に一致していなくてもよく、フィルタなど所定の機能を発揮し得る程度に一致していれば足りる。
【００２９】
さらに、入力端子１５の最近傍に位置する並列腕１９と出力端子１６の最近傍に位置する並列腕１９との間には、所定の静電容量を有する容量手段２４が配置されている。ここで、容量手段２４は、弾性表面波フィルタ１１の回路の一部としてチップ上に形成してもよく、弾性表面波フィルタ１１が実装される実装基板１２に形成してもよく、実装基板１２上にチップコンデンサなどの部品を実装することにより形成してもよい。
【００３０】
そして、このような回路においては、弾性表面波フィルタ１１のチップとこのチップが実装されるパッケージとの間（配線やバンプあるいはボンディングワイヤなど）にインダクタンス成分Ｌが、パッケージ上の接続パッドから装置側のグランドに至るまでの経路にインダクタンス成分Ｌｐがある。
【００３１】
次に、本実施の形態の弾性表面波フィルタ１１の減衰量周波数特性について、図３を用いて説明する。
【００３２】
このような弾性表面波フィルタ１１では、図３に示すように、減衰極ｆ_Ｐ、減衰極ｆ_Ｓおよび減衰極ｆ_ＬＰが現れる。ここで、減衰極ｆ_Ｐは第２の弾性表面波共振器２１による共振周波数である。また、減衰極ｆ_Ｓは第１の弾性表面波共振器２０による共振周波数である。そして、減衰極ｆ_ＬＰは、第１の弾性表面波共振器２０の静電容量および第２の弾性表面波共振器２１の静電容量およびインダクタンス成分Ｌｐによって形成される。
【００３３】
ここで、本実施の形態においては、入力端子１５の最近傍に位置する並列腕１９と出力端子１６の最近傍に位置する並列腕１９との間に容量手段２４が配置されているので、図３の実線に示すように、減衰極ｆ_ＬＰが十分な減衰量をとることができる。したがって、インダクタンス成分を小さくすることなく、通過帯域外の周波数領域における減衰量を大幅に拡大することが可能になる。
【００３４】
そして、このような容量手段２４は容易に形成することができるので、インダクタンス成分Ｌｐ（パッケージ上の接続パッドから、装置側のグランドに至るまでの経路に含まれるインダクタンス成分）の値を極めて小さな値に設計することなく、十分な通過帯域外減衰量を確実に得ることができる。
【００３５】
なお、以上の説明においては、弾性表面波フィルタ１１が一個搭載された弾性表面波フィルタ装置１０が示されているが、たとえば相互に異なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタ１１を搭載して分波器とするなど、本発明の弾性表面波フィルタは種々の形態の弾性表面波フィルタ装置に適用することが可能である。
【００３６】
さらに、本発明の適用範囲はフィルタに限定されるものではなく、弾性表面波素子が１個あるいは複数個搭載されたフィルタ分野以外の種々の弾性表面波装置に適用することが可能である。
【００３７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば以下の効果を奏することができる。
【００３８】
(1).入力端子の最近傍に位置する並列腕と出力端子の最近傍に位置する並列腕との間に容量手段が配置されているので、インダクタンス成分を小さくすることなく、通過帯域外の周波数領域における減衰量を大幅に拡大することが可能になる。
【００３９】
(2).容量手段は容易に形成することができるので、インダクタンス成分の値を極めて小さな値に設計することなく、十分な通過帯域外減衰量を確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である弾性表面波素子がパッケージ化された弾性表面波装置を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である弾性表面波素子の等価回路を示す回路図である。
【図３】図２の弾性表面波素子における減衰量周波数特性を示すグラフである。
【図４】本発明者が検討対象とした弾性表面波素子の等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１０弾性表面波フィルタ装置（弾性表面波装置）
１１弾性表面波フィルタ（弾性表面波素子）
１２実装基板
１３バンプ
１４キャップ
１５入力端子
１６出力端子
１７直列腕
１８基準電位端子
１９並列腕
２０第１の弾性表面波共振器
２１第２の弾性表面波共振器
２４容量手段
１１１弾性表面波素子
１１５入力端子
１１６出力端子
１１７直列腕
１１９並列腕
１２０弾性表面波共振器
１２１弾性表面波共振器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface acoustic wave device on which a surface acoustic wave element including a plurality of surface acoustic wave resonators formed on a piezoelectric substrate is mounted, and in particular, the surface acoustic wave resonators constitute a ladder type circuit. The present invention relates to a technique effective when applied to a surface acoustic wave device. The present invention is also applied to a dual filter and duplexer using a plurality of the surface acoustic wave elements.
[0002]
[Prior art]
In recent years, mobile communication terminals such as mobile phones have been rapidly developed. This terminal is desired to be particularly small and light because of its convenience for carrying around. In order to reduce the size and weight of the terminal, it is essential that the electronic components used in the terminal are also small and light. For this reason, the high-frequency part and intermediate-frequency part of the terminal have multiple surface acoustic wave resonances. A surface acoustic wave element having a ceramic (SAW resonator) formed on a piezoelectric substrate and advantageous for reduction in size and weight is widely used.
[0003]
Important characteristics required when a surface acoustic wave element is used as a filter include insertion loss and attenuation outside the passband. Here, the insertion loss affects the power consumption of the device, and the lower the loss, the longer the life of the battery. Therefore, the capacity of the battery can be reduced, contributing to a reduction in size and weight. Moreover, if the high out-of-band attenuation can be obtained with one filter, it contributes to the reduction in size and weight of the device.
[0004]
The surface acoustic wave element has a series arm between the input terminal and the output terminal, and a plurality of parallel arms are formed between the series arm and the reference potential terminal, and an appropriate elastic surface is formed between the series arm and the parallel arm. 2. Description of the Related Art A surface acoustic wave element that constitutes a ladder circuit having a wave resonator is known.
[0005]
In the surface acoustic wave device that constitutes the ladder circuit, by matching the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator disposed in the series arm with the anti-resonance frequency of the surface acoustic wave resonator disposed in the parallel arm, In the vicinity of the matched frequency, the input / output impedance is matched with the characteristic impedance, thereby forming a pass band.
[0006]
By the way, a surface acoustic wave element used as a bandpass filter is strongly required to increase the attenuation in the frequency region outside the passband.
[0007]
Here, FIG. 4 shows a circuit diagram of a ladder-type surface acoustic wave element studied by the present inventors.
[0008]
In the illustrated surface acoustic wave element 111, a plurality of surface acoustic wave resonators 120 are arranged on a series arm 117. Further, between the input terminal 115 and the surface acoustic wave resonator 120 located closest to the input terminal 115, between the output terminal 116 and the surface acoustic wave resonator 120 located closest to the output terminal 116, A parallel arm 119 is formed between the surface acoustic wave resonators 120. A surface acoustic wave resonator 121 is arranged on each of these parallel arms 119.
[0009]
In FIG. 4, the symbol L represents an inductance component included between the chip of the surface acoustic wave element 111 and the package on which the chip is mounted (such as wiring, bumps, or bonding wires). Symbol Lp represents an inductance component included in the path from the connection pad on the package to the ground on the device side.
[0010]
In such a configuration, the value of the inductance component Lp is designed to be extremely small (0.03 nH or less), and the value of the inductance component L is selected appropriately, thereby ensuring a predetermined passband frequency and the passband frequency. The desired attenuation on the lower frequency side was obtained.
[0011]
This prior art means a technique that is the basis of the present invention recognized by the present inventor and does not mean a known technique in patent law. Nor does it abandon the pursuit of rights for what has been described here as prior art.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, with the above-described technique, it is practically difficult to reduce the value of the inductance component Lp due to wiring routing or the like.
[0013]
Further, since it is extremely difficult to measure the actual inductance component Lp, trial and error by actual measurement is indispensable. In particular, since the inside of the package has a three-dimensional structure, the design change required as a result of trial and error may be extremely difficult.
[0014]
If the value of the inductance component Lp cannot be made sufficiently small, the attenuation pole f _LP cannot take a sufficient amount of attenuation in FIG. 3, and only the characteristics shown by the broken line can be obtained. In the figure, the attenuation pole f _P is a resonance frequency by the surface acoustic wave resonator of the parallel arm. The attenuation pole f _S is a resonance frequency by the surface acoustic wave resonator of the series arm.
[0015]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device that can increase the attenuation in a frequency region outside the passband without reducing the inductance component.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a surface acoustic wave device according to the present invention includes a ladder type having a series arm between an input terminal and an output terminal and a plurality of parallel arms between the series arm and a reference potential terminal. A surface acoustic wave device on which surface acoustic wave elements constituting a circuit are mounted, wherein the first surface acoustic wave resonators disposed on the series arm and the parallel arms are disposed respectively. A second surface acoustic wave resonator having an anti-resonance frequency that matches the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator of the first surface acoustic wave resonator, and the second surface acoustic wave resonator of the parallel arm located closest to the input terminal. Predetermined capacitance means disposed between a reference potential terminal side and a reference potential terminal side of the second surface acoustic wave resonator of the parallel arm located closest to the output terminal; The second surface acoustic wave resonator in the arm An inductance component included between a reference potential terminal side and a connection point on the reference potential terminal side where the parallel arms are connected to each other; a connection point on the reference potential terminal side where the parallel arms are connected to each other; and the reference And an inductance component included between the potential terminal and the potential terminal.
[0017]
According to such an invention, since the capacitive means is arranged between the parallel arm located closest to the input terminal and the parallel arm located closest to the output terminal, without reducing the inductance component, The attenuation in the frequency region outside the passband can be greatly increased.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. Here, in the accompanying drawings, the same reference numerals are given to the same members, and duplicate descriptions are omitted. The embodiment of the invention is a particularly useful embodiment in which the present invention is implemented, and the present invention is not limited to the embodiment.
[0019]
FIG. 1 is a sectional view showing a surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention is packaged. FIG. 2 shows an equivalent circuit of the surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a graph showing attenuation frequency characteristics of the surface acoustic wave device shown in FIG.
[0020]
A surface acoustic wave filter device (surface acoustic wave device) 10 shown in FIG. 1 has a pair of cross fingers (comb teeth) that generate a surface acoustic wave by an electric field or convert the surface acoustic wave into an electric signal. A surface acoustic wave filter (surface acoustic wave element) 11 in which a plurality of surface acoustic wave resonators composed of electrodes (not shown) are arranged at predetermined positions on a piezoelectric substrate is composed of a single layer or a plurality of layers and has a predetermined wiring. It is mounted on a ceramic or resin mounting board 12 on which a pattern or circuit pattern is formed.
[0021]
In the case shown in the figure, the element forming surface of the surface acoustic wave filter 11 is disposed opposite to the mounting substrate 12, and the surface acoustic wave filter 11 and the mounting substrate 12 are flip-chip connected via bumps 13. Both may be connected by wire bonding.
[0022]
Here, reflectors that amplify the surface acoustic waves are provided on both sides of the pair of electrodes described above. The piezoelectric substrate is made of a piezoelectric single crystal such as LiNbO3, LiTaO3 or quartz, or a piezoelectric ceramic such as a lead zirconate titanate piezoelectric ceramic. However, a piezoelectric substrate in which a piezoelectric thin film such as a ZnO thin film is formed on an insulating substrate may be used.
[0023]
A cap 14 is adhered to the mounting substrate 12 so as to surround the surface acoustic wave filter 11, and the surface acoustic wave filter 11 is protected from dust and mechanical shocks.
[0024]
As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave filter 11 mounted on the surface acoustic wave filter device 10 has a series arm 17 between the input terminal 15 and the output terminal 16. Further, a plurality of parallel arms 19 are connected between the series arm 17 and the reference potential terminal 18, and such a series arm 17 and the parallel arm 19 constitute a ladder type circuit.
[0025]
A plurality of first surface acoustic wave resonators 20 are arranged in series on the series arm 17. In the present embodiment, there are two first surface acoustic wave resonators 20, but two or four or more may be arranged in series.
[0026]
The parallel arm 19 is connected between a connection point between the input terminal 15 and the first surface acoustic wave resonator 20 located closest to the input terminal 15 and the reference potential terminal 18, and between the output terminal 16 and the output terminal. 16 between the connection point between the first surface acoustic wave resonator 20 and the reference potential terminal 18 located between the first surface acoustic wave resonator 20 and the two first surface acoustic wave resonators 20 adjacent to each other. It is provided between the reference potential terminal 18.
[0027]
Each parallel arm 19 is provided with a second surface acoustic wave resonator 21. These second surface acoustic wave resonators 21 have an anti-resonance frequency that matches the resonance frequency of the first surface acoustic wave resonator 20.
[0028]
In this specification, “an anti-resonance frequency that matches the resonance frequency of the first surface acoustic wave resonator” means that both frequencies do not have to match exactly, and a predetermined function such as a filter is exhibited. It is enough if it matches to the extent possible.
[0029]
Further, between the parallel arm 19 positioned closest to the input terminal 15 and the parallel arm 19 positioned closest to the output terminal 16, capacitive means 24 having a predetermined capacitance is disposed. Here, the capacitance means 24 may be formed on a chip as a part of the circuit of the surface acoustic wave filter 11, may be formed on the mounting substrate 12 on which the surface acoustic wave filter 11 is mounted, or the mounting substrate 12. You may form by mounting components, such as a chip capacitor, on it.
[0030]
In such a circuit, an inductance component L is present between the chip of the surface acoustic wave filter 11 and the package on which the chip is mounted (wiring, bumps, bonding wires, etc.) from the connection pads on the package to the device side. There is an inductance component Lp in the path to the ground.
[0031]
Next, the attenuation frequency characteristic of the surface acoustic wave filter 11 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
[0032]
In such a surface acoustic wave filter 11, as shown in FIG. 3, an attenuation pole f _P , an attenuation pole f _S and an attenuation pole f _LP appear. Here, the attenuation pole f _P is a resonance frequency by the second surface acoustic wave resonator 21. Further, the attenuation pole f _S is a resonance frequency by the first surface acoustic wave resonator 20. The attenuation pole f _LP is formed by the capacitance of the first surface acoustic wave resonator 20, the capacitance of the second surface acoustic wave resonator 21, and the inductance component Lp.
[0033]
Here, in the present embodiment, since the capacitive means 24 is disposed between the parallel arm 19 positioned closest to the input terminal 15 and the parallel arm 19 positioned closest to the output terminal 16, As indicated by the solid line 3, the attenuation pole f _LP can take a sufficient attenuation. Therefore, it is possible to significantly increase the attenuation in the frequency region outside the passband without reducing the inductance component.
[0034]
Since such a capacitive means 24 can be easily formed, the value of the inductance component Lp (inductance component included in the path from the connection pad on the package to the ground on the device side) is extremely small. Thus, it is possible to reliably obtain a sufficient amount of attenuation outside the passband without designing the circuit.
[0035]
In the above description, the surface acoustic wave filter device 10 on which one surface acoustic wave filter 11 is mounted is shown. However, for example, two surface acoustic wave filters 11 having mutually different band center frequencies are mounted. Therefore, the surface acoustic wave filter of the present invention can be applied to various types of surface acoustic wave filter devices.
[0036]
Furthermore, the scope of application of the present invention is not limited to filters, and can be applied to various surface acoustic wave devices other than the filter field in which one or a plurality of surface acoustic wave elements are mounted.
[0037]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, the present invention can provide the following effects.
[0038]
(1). Capacitance means is arranged between the parallel arm located nearest to the input terminal and the parallel arm located nearest to the output terminal, so that the inductance component is not reduced and the outside of the passband is reduced. The attenuation in the frequency domain can be greatly expanded.
[0039]
(2) Since the capacitance means can be easily formed, it is possible to reliably obtain a sufficient amount of attenuation outside the passband without designing the inductance component value to be extremely small.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention is packaged.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing attenuation frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 2;
FIG. 4 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave element that the present inventor studied.
[Explanation of symbols]
10 Surface acoustic wave filter device (surface acoustic wave device)
11 Surface acoustic wave filter (surface acoustic wave device)
12 mounting substrate 13 bump 14 cap 15 input terminal 16 output terminal 17 serial arm 18 reference potential terminal 19 parallel arm 20 first surface acoustic wave resonator 21 second surface acoustic wave resonator 24 capacitor means 111 surface acoustic wave element 115 Input terminal 116 Output terminal 117 Series arm 119 Parallel arm 120 Surface acoustic wave resonator 121 Surface acoustic wave resonator

Claims

入力端子と出力端子との間に直列腕を有するとともに前記直列腕と基準電位端子との間に複数の並列腕を有するラダー型回路を構成する弾性表面波素子が搭載された弾性表面波装置であって、
前記直列腕に配置された複数の第１の弾性表面波共振器と、
前記並列腕にそれぞれ配置され、前記第１の弾性表面波共振器の共振周波数に一致する***振周波数を有する第２の弾性表面波共振器と、
前記入力端子の最近傍に位置する前記並列腕の前記第２の弾性表面波共振器の基準電位端子側と、前記出力端子の最近傍に位置する前記並列腕の前記第２の弾性表面波共振器の基準電位端子側との間に配置される所定の容量手段と、
それぞれの前記並列腕において前記第２の弾性表面波共振器の基準電位端子側と前記並列腕が相互に接続された基準電位端子側の接続点との間に含まれるインダクタンス成分と、
前記並列腕が相互に接続された基準電位端子側の接続点と前記基準電位端子との間に含まれるインダクタンス成分と、
を有することを特徴とする弾性表面波装置。A surface acoustic wave device including a surface acoustic wave device having a ladder circuit having a series arm between an input terminal and an output terminal and having a plurality of parallel arms between the series arm and a reference potential terminal. There,
A plurality of first surface acoustic wave resonators disposed in the series arm;
A second surface acoustic wave resonator disposed on each of the parallel arms and having an anti-resonance frequency that matches a resonance frequency of the first surface acoustic wave resonator;
Recently the reference potential terminal side of the second surface acoustic wave resonators in parallel arms located near, recently the second surface acoustic wave resonator of the parallel arm positioned beside said output terminal of said input terminals Predetermined capacity means arranged between the reference potential terminal side of the device,
In each of the parallel arms, an inductance component included between a reference potential terminal side of the second surface acoustic wave resonator and a connection point on the reference potential terminal side where the parallel arms are connected to each other;
An inductance component included between a connection point on the reference potential terminal side where the parallel arms are connected to each other and the reference potential terminal;
A surface acoustic wave device comprising:

前記容量手段は前記弾性表面波素子上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the capacitive means is provided on the surface acoustic wave element.

前記弾性表面波装置は、相互に異なる帯域中心周波数を有する２つの前記弾性表面波素子が搭載された分波器であることを特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置。 3. The surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the surface acoustic wave device is a duplexer on which the two surface acoustic wave elements having mutually different band center frequencies are mounted.