JP3934388B2 - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 44
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 8
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 4
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 36
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 11
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 8
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229920002261 Corn starch Polymers 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000012669 compression test Methods 0.000 description 1
- 239000008120 corn starch Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
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- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
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- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
- B24D3/342—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties incorporated in the bonding agent
- B24D3/344—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties incorporated in the bonding agent the bonding agent being organic
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- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面を平坦化する研磨や研削技術やそのような技術を用いる加工装置に係り、特に半導体基板上に形成された薄膜を研磨や研削する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の製造には素子分離(Shallow Trench Isolation)、各トランジスタ素子から配線層へ信号伝達するためのタングステン(W)プラグ形成と配線層形成等のための平坦化加工技術が重要となってきている。この平坦化加工技術には化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)と呼ばれる研磨加工技術が代表的である。
【0003】
特に最近では配線材料に銅が用いられるようになってきた。この平坦化方法はダマシン法が主流であり、例えば特開平2−278822号公報、特開平8−83780号公報にその方法が開示されている。
【0004】
さて、銅を配線材料とすると従来のアルミニウム配線と比べて耐久性が上がり、抵抗値が低くなるメリットがあるが、その反面、銅イオンの酸化膜への拡散等による導電性イオンによる絶縁不良を考慮しなければならなくなる。ダマシン法においては図11のAに示すように酸化膜13と配線材料である銅15の界面にバリア膜14を成膜して銅イオンの拡散を防止している。このバリア膜14の存在によってダマシン法では、図11のAからCまでの工程を経て溝に銅15を埋め込むことになる。
【0005】
ダマシン法による銅配線の形成は銅15とバリア膜14の加工速度の制御が重要である。加工速度とは、単位時間あたりの被加工物質の除去量である。一般的にバリア膜(Ta、TaNが主流)の加工速度は銅に比べて遅いため、一気にA〜Cまで加工すると銅の削れ過ぎが生じるためである。そこで、通常のスラリー加工においては、銅を高速に研磨するスラリーとバリア膜を高速に研磨して銅を低速に研磨するスラリー、或いは、銅、バリア膜と酸化膜を同等の速度で加工できるスラリー等複数のスラリーを別々に用意する。実際のCMP工程では、銅を高速に研磨するスラリーで図11のAの工程を行ない、研磨定盤を変えてバリア膜の削れるスラリーで次の工程を行なう方法が取られる。場合によってはさらに追加した3段目のCMPとして銅、バリア膜と酸化膜を同等の速度で加工できるスラリーにより平坦性の向上とスクラッチ低減を行なうこともある。
【0006】
その他の従来技術として、銅の平坦化加工に固定砥粒を用いた方法がある。アルミナ砥粒を樹脂で固定化したシートを用いたものであり、遊離砥粒を含んだスラリーを不要とする特徴がある。しかし、バリア膜14除去のための2〜3段目のCMPが必要であることに変わりはない。この技術については「2000 Chemical Mechanical Planarization forULSI Multilevel Interconnection Conference」のproceedings,58〜65頁に記載がある。
【0007】
また、固定砥粒を用いたその他の従来技術としてUSP5972792に記載された例がある。加工液のpHを制御して被加工材料のエッチングを防止しながら平坦化加工する方法であり、この技術も固定砥粒を用いた各層の被加工材料毎に研磨方法を変えるマルチステップの平坦化方法に当たる。
【0008】
また、特開平10−329031号公報や特開2000−233375号公報には、気孔を有する砥石を用いた研磨方法が開示されている。このような砥石は、例えば、自己発泡性又は発泡剤で発泡性を付与した熱硬化性樹脂を用いて製造することができる。さらに、上記特開2000−233375号公報には、小セグメント砥石を並べた砥石を用いることが記載されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記のダマシン法の平坦化をCMPを用いて実施する場合、いくつかの考慮されていない点がある。ひとつは上述の通り、バリア膜に用いるTa、TaNが銅に比べ硬いことに起因し、銅とバリア膜のCMPを別々に分けて2段以上のCMPを行なわなければならず、コストの増大、スループットの低下、廃棄スラリーの増大による環境負荷の増大等を引き起こすことである。
【0010】
また、研磨パッドが軟質であることに起因して図11と図5に示すように、配線表面が凹むディッシングやエロージョンを生じ、その結果として配線抵抗値のばらつき幅が増大するということについて配慮されていない。特に図8に示すような多層配線構造をとるシステムLSIと呼ばれるロジックデバイスでは重要な課題となる。つまり、図7に示すように下層の平坦性が低いとCMPの性能以上に平坦化性能が損なわれ、研磨残りによる配線間のショートや断線が発生しやすくなるということについても配慮されていない。この内容については「次世代ULSI多層配線の新材料・プロセス技術」技術情報協会の242〜246頁に記載がある。
【0011】
本発明の第1の目的は、ディッシングやエロージョンを減少させた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0012】
本発明の第2の目的は、ディッシングやエロージョンを減少させた半導体装置の製造装置を提供することにある。
【0013】
本発明の第3の目的は、2段階以上の化学機械研磨を1段階で行なうことのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記第1の目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に設けられた絶縁膜の開口部とこの絶縁膜の表面に第1の導電膜を形成する工程、第1の導電膜の上に第2の導電膜を形成する工程及び第2の導電膜と第1の導電膜の一部を砥石により加工し、開口部内に第1の導電膜と第2の導電膜を残す工程を有するもので、この砥石を、砥粒が樹脂で結合固着され、気孔を含む砥石としたものである。
【0015】
本発明における砥石の圧縮弾性率は、200MPa〜3GPaが望ましく、500MPa〜1GPaであることがより望ましい。200MPa未満ではCMP研磨パッドの圧縮弾性率と大差なく、柔らか過ぎてディッシングやエロージョンを生じてしまう。また、3GPaを越えると、逆に硬すぎるためスクラッチの発生頻度が無視できない程度まで増加する。
【0016】
気孔率に関しては、35〜75%が望ましく、50〜70%であることがより望ましい。この際、気孔率が35%未満では気孔率が少ないため、ドレッッシングをしながら研磨を行なっても目詰まりを生じて加工速度の減少やスクラッチの発生原因となる。また、気孔率が75%を越えると、砥粒率や結合材としての樹脂率が少なくなり、砥粒率が低いため加工速度が著しく低下したり、樹脂率が低いため必要な引張り破壊強さが保てない等、望ましくない。
【0017】
引張り破壊伸びについては0.2〜1.5%が望ましく、0.5〜0.9%であることがより望ましい。また、引張り破壊強さについては0.5〜5.0MPaが望ましく、1.0〜2.5MPaであることがより望ましい。この際、引張り破壊伸びが0.2%未満、かつ、引張り破壊強さが0.5MPa未満では砥石が脆くなりすぎて、研磨時に部分欠落を生じる。その破片によるスクラッチの発生といった好ましくない現象を引き起こす。また、引張り破壊伸びが1.5%を越えたり、引張り破壊強さが5.0MPaを越えると逆に砥石が丈夫なため、研磨中の磨耗が極端に小さくなって、砥粒の自生発刃が行なわれず、目詰まりを生じて、加工速度が減少したり、スクラッチが発生しやすくなる。
【0018】
本発明で使用する樹脂はポリエステル系樹脂又はポリイミド系樹脂が望ましい。他の樹脂、例えばエポキシ系樹脂等は、過酸化水素や酸等の薬品に対する耐久性がなく、実用に耐えない。ポリエステル系樹脂又はポリイミド系樹脂のように過酸化水素や酸等の薬品に対する耐久性のある樹脂を使用することにより、本発明の物性値の実現が可能である。たとえ、他の樹脂でこの物性値に近い値の砥石を製造しても、ポリエステル系樹脂やポリイミド系樹脂の持つ微細砥粒のミクロな保持力が優らないため、良好な加工速度が得られにくい。
【0019】
また、砥粒の平均粒径は、10nmから100nmの範囲にあることが好ましい。
【0020】
また、加工は、少なくとも2個の加工液供給系から互いに異なる加工液を供給しながら行ない、この互いに異なる加工液を、組成が同じで、その内の少なくとも1種の原料の組成比が互いに異なるものとすることが好ましい。
【0021】
また、上記第1の目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造方法は、凹凸パターンを表面上に有し、半導体素子の少なくとも一部が形成された基板のこの凹凸パターンを研磨工具に押しつけて相対運動させ、凹凸パターンを平坦化するもので、研磨工具を、上記基板より小さく、かつ、砥粒が樹脂で結合固着され、気孔を有する多角形のセグメントの複数が配置された砥石とし、この多角形のセグメントの角が3個以上近接する位置にないように構成したものである。
【0022】
このセグメントは、台板に固定されているものを用いてもよく、また、セグメントが、少なくともこのセグメントより軟質の弾性材料からなるクッションを介して台板に固定されているものを用いてもよい。
【0023】
平坦化は、少なくとも2個の加工液供給系から互いに異なる加工液を供給しながら行ない、この互いに異なる加工液を、組成が同じで、その内の少なくとも1種の原料の組成比が互いに異なるものとすることが好ましい。
【0024】
好ましい砥石の物性値は、前記のものと同じである。
【0025】
また、上記第2の目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造装置は、回転定盤と、回転定盤に固定された研磨工具と、研磨工具の表面をドレッシングするドレッシング手段と、少なくとも2系統の加工液供給系と、基板を保持し、加工荷重をこの基板に伝える加圧手段と、研磨工具と基板とを相対運動させる運動手段とを備え、研磨工具を、砥粒が樹脂で結合固着され、気孔を含む砥石とし、砥石を、上記基板より小さい多角形のセグメントの複数が配置された砥石とし、回転定盤とドレッシング手段とを、基準面に対し位置決め可能な構造としたものである。
【0026】
セグメントは、台板に固定されているものがよい。複数の多角形のセグメントは、その角が3個以上近接する位置にないようにすることが好ましい。好ましい砥石の物性値は、前記のものと同じである。
【0027】
また、上記第2の目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造装置は、回転定盤と、回転定盤に固定された研磨工具と、研磨工具の表面をドレッシングするドレッシング手段と、少なくとも2系統の加工液供給系と、基板を保持し加工荷重をこの基板に伝える加圧手段と、研磨工具と基板とを相対運動させる運動手段とを備え、研磨工具を砥粒が樹脂で結合固着され、気孔を有し、上記基板より小さい多角形のセグメントの複数が配置された砥石としたものである。
【0028】
セグメントは、台板に固定されているものでもよいし、少なくともセグメントより軟質の弾性材料からなるクッションを介して台板に固定されているものでもよい。前者の場合、回転定盤とドレッシング手段を、基準面に対し位置決め可能な構造とすることが好ましく、後者の場合、ドレッシング手段を、定圧ドレッシング手段とすることが好ましい。
【0029】
いずれも複数の多角形のセグメントは、その角が3個以上近接する位置にないようにすることが好ましい。また、少なくとも2個の加工液供給系を、それぞれ組成が同じで、その内の少なくとも1種の原料の組成比が異なる加工液を供給する加工液供給系とすることが好ましい。好ましい砥石の物性値は、前記のものと同じである。
【0030】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
図2を用いて本発明を実施する平坦化加工装置(半導体製造装置)を説明する。砥石10は回転定盤11上に固定され、その上方にはウェハ1を保持するヘッド2が備えられている。このヘッドは、スイングアーム3により位置決めされ、ウェハを保持すると共に回転定盤11と同方向に自転できる他、ウェハ表面を砥石へ押し付けて所定の力で荷重する機能も有している。また、加工液9は供給する加工液供給系7から滴下される。本発明における加工液供給系6、7は図2に示す通り2系統ある。これら2系統から供給される加工液は加工中に各液の切替や流量の制御が行なえる。その他、砥石10の表面を平滑にドレッシングできる定寸ドレッサ4を備えている。この定寸ドレッサは、刃先と砥石表面間の位置を装置の基準面5を基準として位置決めが可能な機能を有しており、所定量の切り込みが可能である。この定寸ドレッサにはダイヤモンド砥粒を固着したカップ型ドレッサが装着され、毎分7000〜10000回転程度の高速回転駆動ができる。ダイヤモンド砥粒(モース硬度10)を使用するのは、被加工面である固定砥粒10よりも十分に硬い材料で磨耗や欠けが少ない必要があるためである。また、このドレッサは砥石面全面を平滑化できる構成となっていることはいうまでもない。
【0031】
被加工ウェハ1の断面構造について図3を用いて説明する。本図ではウェハ基板のシリコン部分は省略してあり、酸化膜13、バリア膜14と銅15の構成のみが示されている。この酸化膜はシリコン酸化膜以外の低誘電率材料であっても良いし、酸化膜と低誘電率材料との積層体であっても良い。酸化膜13には配線溝が形成されており、その上からバリア膜14と銅15が成膜されている。平坦化前の基板表面の初期形状は、図3(a)に示すように凹凸している。この状態を図3(c)に示すように酸化膜に形成された溝内の銅を残し、酸化膜までを露出して終了する。従来のCMPでは図3(a)から図3(b)のバリア膜14露出で、或いは露出直前で一旦研磨を停止して、異なる回転定盤に搬送し、バリア膜の研磨速度が銅と比べ相対的に高いスラリーを滴下しながら研磨して図3(c)の状態まで平坦化して終了する。
【0032】
ドレッシングについて説明すると、図3(a)の段階で砥石10表面の砥粒は銅の加工に伴い脱落するか、固定化している樹脂に囲まれ、一種の目つぶれを生じて砥石表面の研磨加工に有効な砥粒存在密度が低減する。この状態を当初の状態に復帰する手段が図2の定寸ドレッサ4である。この定寸ドレッサ4は絶対高さ基準位置からの高さ位置制御が可能な構成になっており、砥石10の表面高さ位置への位置決めや所定量の切り込みも可能である。図3(b)の段階で定寸ドレッサ4を作動させ、例えば1マイクロメータ程度切り込めば、目つぶれを除去した砥石表面が得られるので、所定のバリア膜の加工速度が得られる。最終的には表面のバリア膜14が消失した時点(図3(c))平坦化加工が完了する。
【0033】
本発明では、これら一連の加工プロセスを同一砥石10の上で行なう。この砥石10の製造方法について説明する。ただし、本発明に用いる砥石はこれらの製造方法によるものに限定されるものではない。
【0034】
まず、第1の方法として、ポリエステル系樹脂(例えば、液体のビスフェノール系不飽和ポリエステル樹脂)を0.37kgとフュームドシリカ(例えば、日本アエロジル製、アエロジル50、平均粒子径30nm)を1.23kg、過酸化物19gを混合攪拌して、所定の金型に投入し、体積が2.5リットルになるようにプレスする。プレスした後、80〜150℃で1〜3時間加熱し、反応硬化させる。型から取り出した後、必要に応じて、反応硬化を終了させるため、さらに150〜300℃で1〜6時間反応硬化する。この場合、砥粒量、樹脂量、プレス量を変えることで、場合によってはマイクロカプセルを加えることで所定の物性を得ることができる。
【0035】
上記配合で得た砥石の圧縮弾性率は600MPa、引張り破壊伸びは0.7%、引張り破壊強さは2.1MPa、気孔率が65体積%であった。
【0036】
第2の方法として、ポリエステル系樹脂(例えば、粉体のジアリルフタレート樹脂)を0.6kgとコロイダルシリカ(例えば、日産化学製スノーテックスZL、平均粒子径70nm、固形分40重量%)を3.0kg混合し、気孔材(例えば、澱粉、コーンスターチ等)0.18kg、過酸化物17.5gを加え、水を加えて3.0リットルとし、さらに混合攪拌してから所定の金型に投入し、40〜90℃で24〜48時間反応固化させる。型から取り出して、必要に応じて、未反応物や触媒等を水洗し、乾燥する。さらに乾燥後、反応を終了させるため、100〜300℃で1〜6時間硬化させる。この場合、砥粒量、樹脂量等を変えることで所定の物性を得ることが可能となる。
【0037】
上記配合で得た砥石の圧縮弾性率は720MPa、引張り破壊伸びは0.25%、引張り破壊強さは1.0MPa、気孔率が65体積%であった。
【0038】
砥石の物性値測定方法について次に説明する。圧縮弾性率については、JISK7208−1995 プラスチックの圧縮試験方法、また、引張り破壊伸び、引張り破壊強さは、JIS K7113−1995 プラスチックの引張り試験方法に準じて(株)エー・アンド・ディ社製テンシロンUCT−5Tで測定した。
【0039】
砥石の構造は図1に示す通り、ウェハ1よりも小さな多角形のセグメント20を台板21上に接着固定してある。ウェハ1よりも小さい必要性は、加工中に発生する研磨くずの排除、加工液の供給性、ウェハの砥石面への吸着防止等を促進するためである。この砥石セグメントは上述の通り引張り破壊強さが高々5MPaであるので、研磨中欠けやすい欠点がある。欠けが発生すると、ウェハー表面の均一な加工が困難となり、スクラッチの発生等の影響が出るので、如何に砥石の研磨特性を保ったまま欠けにくい構成をとるかということが重要である。ここでは図1に示す通り同心円状にセグメント20を配し、かつ、各角が一致しないように配置した。つまり3個以上のセグメントの角部が近接しないようにした。このように配置すると最も欠けやすい角部が隣合うセグメントにより保護されるので好ましい。また、円周方向に隣合うセグメントに関しては、中心からの位置を台形状セグメントの高さの1/2程度ずらして配置することにより、加工均一性も向上する効果がある。ずらす位置がこれほど大きくなくとも、台板21の円周方向に隣合うセグメントを、各セグメントの円周方向にある一辺の半径方向の位置が、互いにずれているようにすることが好ましい。
【0040】
ここに示した配置例が、ほんの一例に過ぎないことは明白である。上記制限さえ満たせば、さまざまな形状との組み合わせが可能である。
【0041】
セグメント20の表面の拡大模式図を左上に示してある。砥石は、砥粒23が樹脂24で結合固着され、気孔22が含まれている。砥石10には銅とバリア膜を加工できて酸化膜にはキズをつけない性能が要求される。砥粒23の硬度としてはバリア膜材料と同等か硬質で酸化膜と同等か軟質であることが好ましい。例えば、バリア膜にTaを選択するとモース硬度は6.5であり、酸化膜(シリコン酸化膜)は7であることからシリカ砥粒(モース硬度7)が上記要求を満たす。シリカはスクラッチや不純物の問題から、ヒュームドシリカやコロイダルシリカが望ましい。このシリカ砥粒をバリア膜に有効に作用させれば平坦化加工できることになる。また、砥粒の粒径は平均100nm程度以下に制限するとスクラッチの発生を抑制することができる。また、10nm以上であることが好ましい。
【0042】
上述した砥石10を、図2に示す平坦化加工装置に設置し、砥石10表面を定寸ドレッサ4によりドレッシングする。この際の砥石表面の平坦度は10μm程度となっていると共に、砥石の面には砥粒が露出した状態となっている。図3(a)に示すように、この砥石面には加工液8が供給されてウェハを研磨する。このとき定寸ドレッサ4は砥石10からは離れた位置で停止している。この加工液は酸化剤、有機酸、防食剤と純水からなっており、酸化剤として過酸化水素水(30%濃度)を30%、有機酸としてリンゴ酸を0.15%、防食剤としてベンゾトリアゾール(BTA)0.2%の液体を用いた。この過酸化水素水の濃度と各材料の研磨速度特性は図4に黒丸印で示す通り、濃度30%程度で銅の研磨速度が最大となる特性がある((a)の領域)。こうすることによりウェハ一枚の加工時間を短縮できてスループットが向上するという望ましい効果が生じる。
【0043】
銅の除去が進み図3(b)の状態になった時点で加工液8を加工液9に切り替える。本実施例においては加工液供給系6を止めて加工液供給系7から加工液9を供給するように変更すればよい。加工液9の構成成分は前記加工液8と同じで、酸化剤(過酸化水素水)、有機酸(リンゴ酸)、防食剤(BTA)である。図3(b)の工程におけるこれら濃度は銅とバリア膜の加工速度がほぼ1:1になるように調整されている(図4の(b)の領域)。調整方法は酸化剤濃度の調整と後述する加工中の定寸ドレッシングの併用で行ない、銅とバリア膜の加工速度比を1:1となるようにした。こうすることによりディッシングやエロージョンといった銅や酸化膜の削れ過ぎを防止できるので望ましい。
【0044】
図3(b)の工程における定寸ドレッシングとは、定寸ドレッサ4を砥石10の表面の高さまで下降させ、ダイヤモンド砥粒を砥石面に接触することにより目つぶれした砥石の表層部分を除去すると共に新しい砥粒面の露出と遊離砥粒を発生させる機能のことである。この定寸ドレッサの位置決め高さ位置は、平坦化加工前にドレッシングした位置と同一位置でも良いし、1μm程度さらに切込んでも良い。切込むことにより遊離砥粒16が多数発生し、バリア膜14の加工速度を向上することができる。
【0045】
バリア膜が除去され、酸化膜が露出すると加工が終了することになる。このときに酸化膜の加工速度がバリアと銅に比べて非常に小さいとオーバ研磨時の膜減りを防止できる効果があり、望ましい。その他にもウェハ面内不均一性がある場合においても加工時間を長めに設定することによって研磨残りを防止する事も可能となる。例えば、加工時間は、被加工面上のほとんどのバリア膜が除去されるまでの研磨時間をジャスト研磨時間とした場合、ジャスト研磨時間の1.3から1.5倍程度にするとよい。
(実施の形態2)
砥石10は、砥粒の他に中空のマイクロカプセルを含有すると加工中の薬液保持性が向上し、加工速度の増加という効果がある。また、砥石の表面の至るところにおける薬液濃度の均一化が図れることも期待できる。
【0046】
一般的にウェハ中央領域には薬液が侵入しにくく、ウェハ面内の加工速度分布は、中央ほど遅くなる傾向が見られる。これは薬液がウェハ周辺領域に比べ中央領域には十分供給されていないことに起因する。この課題を解決する手段として砥石表面に独立気孔を設け、気孔内に薬液を保持する手段がある。その手段として中空のマイクロカプセルが有効である。本実施例においては、平均径43μmのカプセルを砥石の30体積%で含有させた。この砥石を用いて平坦化加工を行なったところ、銅とバリア膜であるTaNの加工速度が50%以上増加した。
【0047】
なお、マイクロカプセルの中空の部分は、前記の気孔率の範囲に含まれていない。マイクロカプセルの中空の部分を前記の気孔率に加えるなら、それらの合計の値が80%を越えないことが好ましい。
(実施の形態3)
上記の平坦化方法を適用してパターン付きウェハを加工し、図5の結果を得た。用いたパターンは銅配線が周期的に並ぶ、いわゆるライン&スペースで1ラインの幅は20μmである。横軸は酸化膜間隔dで、縦軸はディッシングとエロージョンの和である。従来のCMPと比べ、高い平坦化性能を実証できていることが分かる。この高い平坦化性能は従来のCMPのパッドよりも2から30倍高い圧縮弾性率(200MPaから3GPa)を有する砥石を用いたことに起因する効果である。
【0048】
硬質な砥石で平坦化加工する場合の課題の一つにスクラッチがある。本発明の砥石は高純度なヒュームト゛シリカやコロイダルシリカの微細砥粒を均質に分散固定してあるので、スクラッチを生じる原因である異物や大径粒子を含まない。さらに、定寸ドレッサにより加工前の砥石の面は平滑に、かつ目つぶれや目詰まりのない状態にされているので、スクラッチが生じにくい。図6は銅の120μm四方のパターンを加工した後の表面形状を測定した結果である。表面の凹凸の高さは10nm以下であり、半導体の配線として十分な鏡面となっていることを確認した。
(実施の形態4)
次に実際に本発明を半導体デバイスに適用した実施例について図8を用いて説明する。本構造は6層の多層配線ロジックデバイスの断面である。シリコンウェハ基板1の表面に浅溝素子分離溝(STI)を酸化膜平坦化加工技術により形成した後、ゲートパターン19等を形成しトランジスタを形成する。その後、上部配線層との接続用のW製コンタクトプラグ18をW平坦化加工技術により形成する。Wプラグ18も銅配線構造と同様に絶縁膜との界面にバリア膜17が成膜される。このWプラグから上層がすべて銅配線層であり、6層とも本発明を用いて形成した。下地層が平坦であるので、図7を用いて説明した研磨残りやディッシングとエロージョンのない良好な平坦化が行なえたことが分かる。また、STI層やWプラグ平坦化も固定砥粒を用いた平坦化を適用することによってより平坦な半導体装置を製造することが可能になることはいうまでもない。例えば、固定砥粒を用いたSTI層平坦化に関しては特開2000―49122号公報に記載がある。
(実施の形態5)
実施の形態4までは、ドレッサとして一定量切り込み可能な定寸ドレッサ4を用いて平坦化加工する例であった。ここでは、通常用いる一定圧力を保ってドレッシングする定圧ドレッサを備えたCMP装置への適用例を説明する。図9は定圧ドレッサ30を備えた従来の回転定盤式のCMP装置である。このCMP装置に通常装着する研磨パッドの代わりに本発明の多層式砥石40を装着する。図2に示した砥石10は圧縮弾性率が高いため表面を平坦度よくドレッシングする必要があった。このために定寸ドレッサが必要であったわけである。本実施の形態の多層式砥石40は、図10に示すように、台板21上にクッション43を置き、その上にフィルム42を固定する。このフィルム42の上に砥石セグメント41を固定した構造をしている。クッション43は砥石セグメント41より軟質な弾性材料であればよい。ここではシート状のポリウレタンフォームを用いた。この上に固定するフィルム42は、多層式砥石40に荷重した際の各セグメント砥石41の動きを滑らかに連結し、砥石セグメント41の角等にウェハ1や定圧ドレッサ30が衝突して砥石が欠けたりしないようにする目的で挿入された部材である。定圧ドレッサとは、一定の圧力でドレッサを研磨パッドに押しつけながらパッド面の目立てをする機能を有する手段であって、定寸ドレッサのようにドレッサ高さを特定位置に位置決めできる機能はない。また、セグメント砥石41の形状や配置は、前述の図1に示した砥石のセグメントと同様でよい。もちろん、定寸ドレッサを備えた装置にこの多層構造砥石40を装着して用いても良い。
【0049】
このような多層構造をとることにより、各セグメント砥石41の表面の高さ形状が不揃いであっても下層のクッション43が変形することによって荷重を吸収するので、加工均一性低下やスクラッチ発生といった不具合を避けることができる。さらに、導入済みのCMP装置への適用が容易である特長もある。
【0050】
また、通常の平坦化加工装置では、回転定盤11と定圧ドレッサの回転方向は同一であるが、ドレス後の積層式砥石40の表面形状を平坦にドレッシングすることを目的に逆回転可能な構造にすると、多層構造砥石40の長寿命化も可能となり、望ましい。
【0051】
【発明の効果】
本発明により、従来バリア膜除去のために2段以上必要であったCMP工程を一工程で平坦化できる。この工程短縮は単位時間当たりのウェハ着工数の増加を意味し、スループットが向上するといえる。また、高圧縮弾性率砥石を用いることにより従来、生じていたディッシング、エロ―ジョンを低減できる。この効果は、配線抵抗値のばらつき低減や断線不良の低減といった歩留りの向上になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の砥石の説明図。
【図2】本発明に用いる装置構成の説明図。
【図3】本発明の加工工程の説明図。
【図4】本発明の加工薬液濃度と相対研磨速度の関係を示す図。
【図5】本発明の平坦化性能を示す図。
【図6】本発明の平坦化後の銅表面形状を示す図。
【図7】平坦化性能を説明するための半導体装置の部分断面模式図。
【図8】多層配線構造を有する半導体装置の断面模式図。
【図9】定圧ドレッサを備えたCMP装置に多層構造砥石を装着した場合の説明図。
【図10】本発明の多層構造砥石の断面構造模式図。
【図11】従来の平坦化方法の説明図。
【符号の説明】
1…ウェハ、2…ヘッド、3…スイングアーム、4…定寸ドレッサ、5…基準面、6…加工液供給系、7…加工液供給系、8…加工液、9…加工液、10…砥石、11…回転定盤、12…固定砥粒、13…酸化膜、14…バリア膜、15…銅、16…遊離砥粒、17…(Wプラグの)バリア膜、18…Wプラグ、19…ゲート、20…セグメント、21…台板、22…気孔、23…砥粒、24…樹脂、30…定圧ドレッサ、40…多層式砥石、41…砥石セグメント、42…連結フィルム、43…クッション。
Claims (14)
- 基板上に設けられた絶縁膜の開口部と該絶縁膜表面に第1の導電膜を形成する工程、
該第1の導電膜の上に第2の導電膜を形成する工程及び該第2の導電膜と上記第1の導電膜の一部を砥石により加工し、上記開口部内に上記第1の導電膜と上記第2の導電膜を残す工程を有する半導体装置の製造方法において、
上記砥石は、砥粒が樹脂で結合固着され、気孔を含み、
上記砥石の圧縮弾性率は、200MPa〜3GPaの範囲であり、
引張り破壊伸びは0 . 2〜1 . 5%の範囲であり、引張り破壊強さは0 . 5〜5MPaの範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、上記砥石の気孔率は、35〜75%の範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、上記砥粒は、ヒュームドシリカ及びコロイダルシリカの内の少なくとも1種であり、上記樹脂は、ポリエステル系樹脂及びポリイミド系樹脂の内の少なくとも1種であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、上記砥粒の平均粒径は、10nmから100nmの範囲にあることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、上記加工は、少なくとも2個の加工液供給系から互いに異なる加工液を供給しながら行なわれ、上記互いに異なる加工液は、組成が同じで、その内の少なくとも1種の原料の組成比が互いに異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、上記砥石は、上記基板より小さい多角形のセグメントの複数が配置された砥石であって、上記多角形のセグメントの角が3個以上近接する位置にないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 凹凸パターンを表面上に有し、半導体素子の少なくとも一部が形成された基板の該凹凸パターンを研磨工具に押しつけて相対運動させ、上記凹凸パターンを平坦化する半導体装置の製造方法において、
上記研磨工具は、上記基板より小さく、かつ、砥粒が樹脂で結合固着され、気孔を有する多角形のセグメントの複数が配置された砥石であって、上記多角形のセグメントの角が3個以上近接する位置になく、上記砥石の気孔率は、35〜75%の範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、上記多角形のセグメントの角が3個以上近接する位置になく、上記砥石の圧縮弾性率は、200MPa〜3GPaの範囲であり、引張り破壊伸びは0 . 2〜1 . 5%の範囲であり、引張り破壊強さは0 . 5〜5MPaの範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、上記セグメントは、台板に固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、上記平坦化は、少なくとも2個の加工液供給系から互いに異なる加工液を供給しながら行なわれ、上記互いに異なる加工液は、組成が同じで、その内の少なくとも1種の原料の組成比が互いに異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 回転定盤と、該回転定盤に固定された研磨工具と、該研磨工具の表面をドレッシングするドレッシング手段と、少なくとも2系統の加工液供給系と、基板を保持し加工荷重を該基板に伝える加圧手段と、上記研磨工具と上記基板とを相対運動させる運動手段とを備え、上記研磨工具は、砥粒が樹脂で結合固着され、気孔を含む砥石であり、該砥石は、上記基板より小さい多角形のセグメントの複数が配置された砥石であり、上記回転定盤と上記ドレッシング手段とは、基準面に対し位置決め可能な構造であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
- 請求項11記載の半導体装置の製造装置において、上記セグメントは、台板に固定されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
- 請求項11記載の半導体装置の製造装置において、上記複数の多角形のセグメントは、その角が3個以上近接する位置にないことを特徴とする半導体装置の製造装置。
- 請求項11記載の半導体装置の製造装置において、上記砥石の気孔率は、35〜75%の範囲であり、圧縮弾性率は、200MPa〜3GPaの範囲であり、引張り破壊伸びは0 . 2〜1 . 5%の範囲であり、引張り破壊強さは0 . 5〜5MPaの範囲であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001320289A JP3934388B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
US10/272,831 US6849542B2 (en) | 2001-10-18 | 2002-10-18 | Method for manufacturing a semiconductor device that includes planarizing with a grindstone that contains fixed abrasives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001320289A JP3934388B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003124165A JP2003124165A (ja) | 2003-04-25 |
JP3934388B2 true JP3934388B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=19137702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001320289A Expired - Fee Related JP3934388B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6849542B2 (ja) |
JP (1) | JP3934388B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3910921B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 研磨布および半導体装置の製造方法 |
JP2005238413A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Yachiyo Microscience Inc | ラップ盤用回転定盤 |
JP2006076191A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 絵柄色調制御方法及び装置 |
US20090117835A1 (en) * | 2007-11-04 | 2009-05-07 | Hui-Shen Shih | Expandable polishing platen device |
DE102008040896A1 (de) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | Evonik Degussa Gmbh | Verwendung von keramischen oder keramikhaltigen Schneid- oder Stanzwerkzeugen als Schneiden oder Stanzen für keramikhaltige Verbundstoffe |
WO2010063647A1 (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-10 | Struers A/S | Abrasive disc |
KR102263959B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2021-06-11 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 반도체용 복합 기판의 핸들 기판 |
JP6366308B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6385085B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-09-05 | 株式会社ディスコ | バイト切削方法 |
CN109940467B (zh) * | 2019-03-12 | 2023-12-08 | 桂林创源金刚石有限公司 | 一种抛光装置及制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6069080A (en) * | 1992-08-19 | 2000-05-30 | Rodel Holdings, Inc. | Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like |
JP3858462B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2006-12-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
US6206759B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines |
JP3760064B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2006-03-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の平坦化加工装置 |
US6346032B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-02-12 | Vlsi Technology, Inc. | Fluid dispensing fixed abrasive polishing pad |
US6498101B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-12-24 | Micron Technology, Inc. | Planarizing pads, planarizing machines and methods for making and using planarizing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic device substrate assemblies |
JP2004506337A (ja) * | 2000-08-11 | 2004-02-26 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 金属基板の化学機械平坦化 |
US6602117B1 (en) * | 2000-08-30 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Slurry for use with fixed-abrasive polishing pads in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods |
-
2001
- 2001-10-18 JP JP2001320289A patent/JP3934388B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-18 US US10/272,831 patent/US6849542B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030077906A1 (en) | 2003-04-24 |
JP2003124165A (ja) | 2003-04-25 |
US6849542B2 (en) | 2005-02-01 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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