JP3929947B2 - Electronic shock heating device - Google Patents
Electronic shock heating device Download PDFInfo
- Publication number
- JP3929947B2 JP3929947B2 JP2003284626A JP2003284626A JP3929947B2 JP 3929947 B2 JP3929947 B2 JP 3929947B2 JP 2003284626 A JP2003284626 A JP 2003284626A JP 2003284626 A JP2003284626 A JP 2003284626A JP 3929947 B2 JP3929947 B2 JP 3929947B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- support member
- bracket
- heating plate
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 81
- 230000035939 shock Effects 0.000 title 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 17
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Description
本発明は、半導体ウエハ等の加熱物を高温に加熱する加熱装置に関し、特に加速した電子を加熱プレートに衝突させて加熱プレートを発熱させる形式の電子衝撃加熱装置に関する。 The present invention relates to a heating apparatus that heats a heated object such as a semiconductor wafer to a high temperature, and more particularly, to an electron impact heating apparatus of a type that generates heat by causing accelerated electrons to collide with a heating plate.
半導体ウェハ等の処理プロセスにおいて、その半導体ウェハ等の板状部材を加熱するための加熱手段として、加速した電子を加熱プレートの背後に衝突させて加熱プレートを発熱させる形式の電子衝撃加熱装置が使用されている。この電子衝撃加熱装置では、フィラメントに通電することにより発生した熱電子を高電圧で加速し、この熱電子を加熱プレートの背後に衝突させて、加熱プレートを発熱させる。そしてこの加熱プレートの上に載せた板体を加熱する。 In a processing process for semiconductor wafers, etc., an electron impact heating device of the type that heats the heating plate by causing accelerated electrons to collide behind the heating plate is used as a heating means for heating the plate-like member such as the semiconductor wafer. Has been. In this electron impact heating apparatus, the thermoelectrons generated by energizing the filament are accelerated at a high voltage, and the thermoelectrons collide behind the heating plate to generate heat. Then, the plate placed on the heating plate is heated.
図6は、電子衝撃加熱装置の従来例を示すものである。図6では図示して無いが、ステージ部6の上の部分は真空容器の中にあり、加熱プレート2の部分は真空雰囲気におかれる。
ステージ部6の壁には、冷却液通路7が形成され、この冷却液通路7に水等の冷却液を通すことにより、ステージ部6が冷却される。
FIG. 6 shows a conventional example of an electron impact heating apparatus. Although not shown in FIG. 6, the upper part of the
A coolant passage 7 is formed on the wall of the
このステージ部6の上には、シリコンウエハ等の薄形板状の加熱物を載せる平坦な加熱プレート2を有する耐熱性の加熱物支持部材1が設置され、その内部は同加熱物支持部材1により、その外側の空間と気密に仕切られる空間を有する。より具体的には、加熱物支持部材1は、上面側が加熱プレート2により閉じられ、下面側が開口した円筒形状を有している。加熱物支持部材1の下端部は、ステージ部6の上面に当てられて固定されると共に、真空シール材8により気密にシールされている。
On the
このような加熱物支持部材1の材質としては、耐熱性を有するシリコン含浸シリコンカーバイトやアルミナ、窒化珪素等のセラミックが使用される。加熱物支持部材1がこのようなシリコン含浸シリコンカーバイトやセラミックのような絶縁体からなる場合は、その加熱プレート2の内面をメタライズして導体膜を形成し、この導体膜をステージ部6を介して接地する。
ステージ部6には、排気通路4が形成され、この排気通路4に接続された真空ポンプ5により、加熱物支持部材1の内部の空間が排気され、真空にされる。
As a material of such a heated
An exhaust passage 4 is formed in the
さらに、この加熱物支持部材1の内部には、ニッケル−クロム合金線やタングステン線等をループ状にしたフィラメント9が設置されている。フィラメント9は、ステージ部6から円形に配置して立設された複数の柱状のサポート部材13により支持されて加熱物支持部材1の加熱プレート2の背後に設けられている。
Further, inside the heated
このフィラメント9の支持構造をより詳しく説明すると、図7に示すように、サポート部材13の上端付近からアーム状のブラケット22が延設され、このブラケット22の先端に吊り下げられるようにしてU字形状のフィラメント支持部材23が溶接されている。ループ状のフィラメント9は、このフィラメント支持部材23に通すことにより支持されている。
The support structure of the
前記のブラケット22やフィラメント支持部材23は、高温にも耐えるようにタングステンやタンタル等の高融点材料からなっている。
フィラメント9には、フィラメント電極15を介して加熱電源10が接続されている。さらに、このフィラメント9と加熱プレート2との間には、加熱物支持部材1を介して電子加速電源11により加速電圧が印加される。
The
A
なお、加熱プレート2は接地され、フィラメント9に対して正電位に保持される。他方、リフレクタ3の少なくともフィラメント9と対向した最も上のものは、フィラメント9と同電位にするため、導電線(図6において図示せず)を介して電子加速電源11を接続した側の電極15に接続されている。
The heating plate 2 is grounded and held at a positive potential with respect to the
このような電子衝撃加熱装置では、フィラメント9と加熱プレート2との間に電子加速電源11により一定の高電圧の加速電圧を印加すると共に、フィラメント加熱電源10によりフィラメント9に通電すると、フィラメント9から熱電子が放出され、この熱電子が前記加速電圧により加速されて加熱プレート2の下面に衝突する。このため、電子衝撃により加熱プレート2が加熱される。
前記のような電子衝撃加熱装置では、フィラメント9を支持するためのブラケット22やフィラメント支持部材23は、タングステンやタンタル等の高融点材料からなる。実際には、融点、強度、加工性等の諸事情から、ブラケット22にはタンタルが使用され、フィラメント支持部材23にはタングステンが使用される。
In the electron impact heating apparatus as described above, the
前記のような電子衝撃加熱装置では、加熱物の非加熱時と加熱時とにそれぞれ常温と高温の間で温度が変化する。ところが、このように常温と高温との間で温度の変化を繰り返すと、その度に前述したフィラメントの支持部分に繰り返し熱応力が発生する。特に、ブラケット22とフィラメント支持部材23との溶接部分は、元々異種金属の溶接のため、十分な接合強度が得られないうえ、ブラケット22とフィラメント支持部材23の熱膨張係数の違いから大きな熱応力を発生する。この熱応力により、ブラケット22とフィラメント支持部材23との溶接部分が破断しやすく、フィラメント9の支持という点で課題があった。
In the electron impact heating apparatus as described above, the temperature changes between normal temperature and high temperature when the heated object is not heated and when heated. However, when the temperature change between the normal temperature and the high temperature is repeated as described above, a thermal stress is repeatedly generated at the filament supporting portion described above. In particular, the welded portion between the
本発明は、従来の電子衝撃加熱装置におけるこのような課題に鑑み、電子衝撃加熱による加熱を幾度か繰り返しても、破断の起きないフィラメントの支持を可能とするものである。これにより、電子衝撃加熱を長期にわたって支障無く行うことが出来る電子衝撃加熱装置を提供することを目的とする。 In view of such a problem in the conventional electron impact heating apparatus, the present invention makes it possible to support a filament that does not break even if heating by electron impact heating is repeated several times. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an electron impact heating apparatus capable of performing electron impact heating without trouble for a long period of time.
本発明では、前記の目的を達成するため、ブラケット18とフィラメント支持部材20との溶接部分を無くし、ブラケット18とフィラメント支持部材20との間で熱応力の発生が無く、しかもフィラメント支持部材20をブラケット18に確実に保持することが出来るようにして、フィラメント支持部材20の早期の破損を防止するようにしたものである。
In the present invention, in order to achieve the above object, the welded portion between the
すなわち、本発明による電子衝撃加熱装置は、熱電子を発生するフィラメント9と、このフィラメント9で発生した熱電子を加速して加熱プレート2に衝突させる電子加速電源11と、前記フィラメント9をフィラメント支持部材20を介して支持するサポート部材13とを有する。このサポート部材13から延設されたアーム状のブラケット18の先端をループ状とし、このブラケット18の先端のループ部分にリング状のフィラメント支持部材20を通し、このフィラメント支持部材20にフィラメント9を通して支持している。例えば、アーム状のブラケット18は、その先端をループ状に折り曲げ、折り曲げた先端を同ブラケット18の中間部に溶接している。
That is, the electron impact heating apparatus according to the present invention includes a
このような本発明による電子衝撃加熱装置では、ブラケット18とフィラメント支持部材20とを溶接せずに、ブラケット18の先端のループ部分にリング状のフィラメント支持部材20を通している。このため、ブラケット18とフィラメント支持部材20とを別部材で形成しても、溶接等の接合部分での熱応力の発生がない。むしろ、ブラケット18の先端のループ部分にリング状のフィラメント支持部材20を通していることにより、両部材間に融通性があり、熱歪みの影響を互いに及ぼさない。
さらに、ループ状に折り曲げたブラケット18の先端を同ブラケット18の中間部に溶接しているため、同種材料の溶接となり、十分な溶接強度を維持することが出来る。
In such an electron impact heating apparatus according to the present invention, the ring-shaped
Furthermore, since the tip of the
本発明では、ブラケット18とフィラメント支持部材20との溶接部分を無くすことにより、フィラメント支持部材20の早期の破断を防止するものである。
以下、このような本発明の実施例について、図面を参照しながら具体例を挙げて詳細に説明する。
In the present invention, early breakage of the
Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail with specific examples with reference to the drawings.
図1は、本発明による電子衝撃加熱装置の一実施例を示すものであり、図6の従来例と同じ部分は同じ符号で示している。図3はそのA−A線断面図である。
ステージ部6の上の部分は真空容器の中にあり、加熱プレート2の部分は真空雰囲気におかれることは、図6により説明した従来例と同様である。
FIG. 1 shows an embodiment of an electron impact heating apparatus according to the present invention, and the same parts as those of the conventional example of FIG. 6 are denoted by the same reference numerals. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA.
The portion above the
ステージ部6の壁には、冷却液通路7が形成され、この冷却液通路7に水等の冷却液を通すことにより、ステージ部6が冷却される。
このステージ部6の上には、シリコンウエハ等の薄形板状の加熱物を載せる平坦な加熱プレート2を有する耐熱性の加熱物支持部材1が設置され、その内部は同加熱物支持部材1により、その外側の空間と気密に仕切られる空間を有する。より具体的には、加熱物支持部材1は、上面側が加熱プレート2により閉じられ、下面側が開口した円筒形状を有しており、加熱プレート2の平坦な上面は、シリコンウエハ等の薄形板状の加熱物より広くなっている。加熱物支持部材1の下端部にはフランジが設けられ、このフランジ部分がステージ部6の上面に当てられて固定されると共に、真空シール材8により気密にシールされている。
A coolant passage 7 is formed on the wall of the
On the
加熱物支持部材1はその全体または少なくとも加熱プレート2がシリコン含浸シリコンカーバイトやアルミナ、窒化珪素等のセラミックからなる。加熱物支持部材1がセラミックのような絶縁体からなる場合は、その加熱プレート2の内面をメタライズして導体膜を形成し、この導体膜をステージ部6を介して接地する。また、加熱プレート2を形成する材料の中に導体材料を含ませて導電性を持たせることによっても同様の目的を達し得る。
The heated
ステージ部6には、排気通路4が形成され、この排気通路4に接続された真空ポンプ5により、加熱物支持部材1の内部の空間が排気され、真空にされる。
さらに、この加熱物支持部材1の内部には、フィラメント9とリフレクタ3が設置されている。
An exhaust passage 4 is formed in the
Furthermore, a
フィラメント9は、ニッケル−クロム合金線やタングステン線等をループ状にしたもので、ステージ部6から起立した柱状のサポート部材13、13…により支持されて、加熱物支持部材1の加熱プレート2の背後に設けられている。図2に示すように、サポート部材13、13…は、ステージ部6の中心の周りに円形状に点対称に配列して立設されている。そしてこれらのサポート部材13、13…は、その上端側で円形状のフィラメント9を支持している。
The
フィラメント9には、ステージ部6から起立した柱状の電極15、15を介してフィラメント加熱電源10が接続されている。このフィラメント加熱電源10は、フィラメント9側が高圧、電力調整器17側が低圧になるように絶縁されている。
さらに、一方の電極15を介してフィラメント9に電子加速電源11の負側の電極が接続されている。他方、加熱プレート2は接地されているが、加熱プレート2には加熱物支持部材1を介して電子加速電源11の正側の電極が接続されている。これにより、フィラメント9と加熱プレート2との間に、フィラメント9側が負になるような直流の加速電圧が印加されると共に、加熱プレート2がフィラメント9に対して正電位に保持される。
A filament
Further, the negative electrode of the electron
図3〜図5は、サポート部材13の上端付近のフィラメント9の支持構造を示す図である。これらの図に示す通り、サポート部材13、13…の上端付近からアーム状のブラケット18が側方に延設されている。このブラケット18の先端がループ状に曲げられ、このブラケット18のループ状に曲げられた部分にリング状のフィラメント支持部材20が挿入され、掛けられている。さらに、ブラケット18の曲げられた先端付近は、同ブラケット18の中間部に溶接され、ループ状の部分が閉じられている。フィラメント9は、フィラメント支持部材20の中を通すことにより支持されている。
3 to 5 are views showing a support structure of the
ブラケット18とフィラメント支持部材20は何れも高融点金属からなる。例えばブラケット18はタンタルからなり、フィラメント支持部材20はタングステンからなる。
なお、図3〜図5では、1本のサポート部材13の上端付近のフィラメント9の支持構造を示しているが、図2に示した複数のサポート部材13は、何れも同様のフィラメント9の支持構造を有している。これらのサポート部材13はステージ6の中心の周りに点対称に配列され、円形状に曲げられた線状のフィラメント9を支持している。既に述べた通り、フィラメント9の両端は、電極15、15を介してフィラメント加熱電源10や電子加速電源11に接続されている。
Both the
3 to 5 show the support structure of the
図1と図2に示すように、リフレクタ3は、加熱物支持部材1の加熱プレート2に対しフィラメント9の背後側に設けられている。このリフレクタ3は、金、銀等の反射率の高い金属、またはモリブデン等の融点の高い金属で形成される。リフレクタ3の加熱物支持部材1の加熱プレート2に対向した面は、鏡面となっており、輻射熱を反射する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
リフレクタ3はフィラメント9と同電位とされる。このために、フィラメント9に前記電子加速電源11の負側の電極を接続した電極15にリフレクタ3が接続されている。リフレクタ3がフィラメント9と同電位とされることにより、リフレクタ3には電子が飛来せず、電子衝撃による加熱は起こらない。このようなリフレクタ3は、多重に配置することができる。リフレクタ3を多重に配置した場合、フィラメント9と対向した最も上のリフレクタ3のみをフィラメント9と同電位とすれば良いが、電子の飛来をより確実にするため、それ以下のリフレクタ3もフィラメント9と同電位とするのがよい。
The
リフレクタ3の中央部には、円筒状の導体からなるシールド16が起立しており、このシールド16とリフレクタ3とは電気的に導通し、同電位となっている。このシールド16の上端側は加熱物支持部材1の加熱プレート2の下面近くに達し、そのシールド16の上端部から外側にフランジが延設され、このフランジが加熱プレート2の下面と対向している。
A
前記ステージ部6の中央部から測温素子としてのシース形の熱電対12が垂直に挿入され、この上端側は前記シールド16の中に非接触状態で配置される。この熱電対12の上端は一対の熱電対線を接合した測温点となっており、この接合点が加熱プレート2の下面に接触している。熱電対12は、ステージ部6から真空チャンバの外側に引き出され、その補償導線が零点補償回路を含む温度測定器14に接続される。
A sheath-
このような電子衝撃加熱装置では、フィラメント9と加熱プレート2との間に電子加速電源11により一定の高電圧の加速電圧を印加すると共に、フィラメント加熱電源10によりフィラメント9に通電する。これにより、フィラメント9から熱電子が放出され、この熱電子が前記加速電圧により加速されて加熱プレート2の下面に衝突する。このため、電子衝撃により加熱プレート2が加熱される。このとき、ステージ部6の冷却液通路7に冷却液が通され、加熱物支持部材1が冷却される。
In such an electron impact heating apparatus, a constant high voltage acceleration voltage is applied between the
加熱プレート2の温度が、熱電対12により加熱プレート2の温度を測定しながら昇温し、予め定められた温度に加熱プレート2の温度が達すると、フィラメント9に通電するフィラメント加熱電源10の電力が下げられ、加熱プレート2の温度が定められた温度に維持される。そして、予め定められた時間が経過すると、フィラメント9への通電が停止され、加熱プレート2の加熱を停止し、ステージ部6の冷却液通路7に通している冷却液により冷却され、加熱プレート2が降温される。
The temperature of the heating plate 2 is raised while measuring the temperature of the heating plate 2 with the
2 加熱プレート
9 フィラメント
13 サポート部材
18 ブラケット
19 加速電源
20 フィラメント支持部材
2
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003284626A JP3929947B2 (en) | 2003-08-01 | 2003-08-01 | Electronic shock heating device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003284626A JP3929947B2 (en) | 2003-08-01 | 2003-08-01 | Electronic shock heating device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005056964A JP2005056964A (en) | 2005-03-03 |
JP3929947B2 true JP3929947B2 (en) | 2007-06-13 |
Family
ID=34364492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003284626A Expired - Fee Related JP3929947B2 (en) | 2003-08-01 | 2003-08-01 | Electronic shock heating device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3929947B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5253774B2 (en) * | 2007-08-09 | 2013-07-31 | 助川電気工業株式会社 | Rear electron impact heating device |
JP5469678B2 (en) * | 2009-12-25 | 2014-04-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium |
JP5480723B2 (en) * | 2010-06-02 | 2014-04-23 | 助川電気工業株式会社 | Filament support for thermionic emission |
DE112011102676B4 (en) | 2010-08-09 | 2019-01-03 | Canon Anelva Corporation | Substrate heat treatment apparatus, temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium |
-
2003
- 2003-08-01 JP JP2003284626A patent/JP3929947B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005056964A (en) | 2005-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8837680B2 (en) | Radiation transmission type target | |
US7968828B2 (en) | Temperature controlling method of electron bombardment heating apparatus | |
KR20160102743A (en) | Field Emission X-Ray Source Device | |
CN113632195B (en) | X-ray generating apparatus and X-ray imaging apparatus | |
JP3929947B2 (en) | Electronic shock heating device | |
JP2912616B1 (en) | Plate heating device | |
JP3825760B2 (en) | Electronic shock heating device | |
JP4781156B2 (en) | Transmission X-ray tube | |
JPH11354526A (en) | Plate body heating device | |
JP3950089B2 (en) | Electronic shock heating device | |
US3215892A (en) | Fail-safe electrode assembly for fluorescent lamps | |
JP3866685B2 (en) | Temperature control device and temperature control method for electron impact heater | |
JP3828527B2 (en) | Electronic shock heating device | |
CN108476560B (en) | High-temperature tubular heater | |
JP4955357B2 (en) | Rear electron impact heating device | |
JP7304225B2 (en) | magnetron | |
JP2966397B1 (en) | Plate heating device | |
JP4919668B2 (en) | Filament support structure for thermionic emission | |
JP5253774B2 (en) | Rear electron impact heating device | |
KR100767851B1 (en) | Structure of heating body | |
JP5480723B2 (en) | Filament support for thermionic emission | |
TWI758836B (en) | X-ray generating device and X-ray imaging device | |
JP2000353492A (en) | High-pressure operation for field emission cold cathode | |
JP2007220458A (en) | Electron bombardment heating device | |
JP2007335339A (en) | Back-surface electron-bombarded heating apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070223 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3929947 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130316 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140316 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |