JP3923955B2 - フラッシュメモリのエラーブロック管理方法及び装置 - Google Patents
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Description
1.オリジナルチャンクマップブロック消去演算
2.オリジナルチャンクマップブロックにオリジナルチャンクマップ書込み演算
3.オリジナルチャンクマップの状態を無効(Invalid)にする書込み演算
4.コピーチャンクマップブロック消去演算
5.コピーチャンクマップブロックにコピーチャンクマップ書込み演算
6.オリジナルチャンクマップの状態を有効(Valid)にする書込み演算
130 保護領域
158 ブロックマップページグループ
155 予備ブロック
152 トランスファブロック
Claims (18)
- (a) フラッシュメモリに複数の使用ブロックを有する使用領域と複数の予備ブロックを有する予備領域とを割り当て、前記使用領域または前記予備領域で発生するエラーブロックとこれに代えて使用する予備ブロックとのマッピング情報を保存するブロックマップページを複数含むブロックマップページグループを提供する段階と、
(b) 前記ブロックマップページグループのうち所定の規則により選択されたブロックマップページのマッピング情報をメモリに常駐させる段階と、
(c) フラッシュ演算中に発生したエラーブロックを前記常駐マッピング情報を通じて探した未使用予備ブロックとマッピングし、前記常駐マッピング情報を更新して前記更新されたマッピング情報を前記ブロックマップページグループに属するブロックマップページに記録する段階と、を含み、
前記(a)段階は、フラッシュメモリに複数の使用ブロックを有する使用領域と複数の予備ブロックを有する予備領域とを割り当てる(a1)段階と、
前記生成された予備ブロックと発生するエラーブロックとのマッピング情報を記録するブロックマップフィールドを予備ブロック毎に生成し、前記生成されたブロックマップフィールド、マッピング情報の時点を判断するためのカウントフィールド、及び有効性判断のためのトランジションフィールドを含むブロックマップ情報を初期化させる(a2)段階と、
フラッシュメモリに存在するエラーブロックを検査して見つけられたエラーブロック及び前記見つけられたエラーブロックに代える予備ブロックのマッピング情報を前記ブロックマップフィールドに各々記録し、前記カウントフィールドに初期カウントをしてブロックマップ情報を生成する(a3)段階と、
前記ブロックマップ情報を前記ブロックマップページグループの何れか1つのブロックマップページに記録する(a4)段階と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。 - 前記ブロックマップページグループは少なくとも2つの予備ブロックで構成されることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 前記フラッシュメモリは複数のチップよりなり、各段階はそれぞれのチップ毎に行われることを特徴とする請求項1または2に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 前記(a)段階は、前記使用ブロック及び前記予備ブロックのうち少なくとも一部を保護領域に指定して検証されていないソフトウェアの接近を遮断することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 前記(b)段階は、ブロックマップページグループ内のブロックマップページのうちから有効でありかつ最も最近に記録されたブロックマップページを検索し、検索されたブロックマップページのマッピング情報をメモリに常駐させることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 前記有効でありかつ最も最近に記録されたブロックマップページを検索する時、それぞれのブロックマップページのトランジションフィールドに記録された値及びカウントフィールドに記録された数の大きさを基準として検索することを特徴とする請求項5に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 前記ブロックマップページグループ内のブロックマップページのうちから有効でありかつ最も最近のブロックマップページを検索する過程で有効でなく、かつ読取りエラーが表示されたブロックマップページを見つける場合、前記見つけられた読取りエラーブロックを所定の方法で復旧する段階をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- フラッシュメモリが複数のチップよりなる場合に各段階はチップ毎に行われることを特徴とする請求項5ないし7のうち何れか1項に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 前記(c)段階は前記常駐マッピング情報を用いて未使用予備ブロックを探す(c1)段階と、
前記(c1)段階を通じて見つけられた未使用予備ブロックとエラーブロックとの番号をマッピングして前記常駐マッピング情報を更新する(c2)段階と、
前記ブロックマップページグループの未使用ブロックマップページを探す(c3)段階と、
前記発生したエラーブロックに記録された情報を前記見つけられた未使用予備ブロックに複写する(c4)段階と、
前記更新されたマッピング情報を含む情報を前記見つけられた未使用ブロックマップページに記録する(c5)段階と、
前記未使用ブロックマップページが有効であることを表示する(c6)段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。 - 前記エラーブロックが保護領域で発生した場合に前記保護領域を読取り/書込み可能状態に変更し、前記(c6)段階が終わった後に前記保護領域を再び読取り専用状態に変更する段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- フラッシュメモリが複数のチップよりなる場合に各段階はチップ毎に行われることを特徴とする請求項9または10に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 前記(c)段階は、発生したエラーブロックが読取りエラーブロックであるか否かを判断する(c1)段階と、
読取りエラーブロックを復旧するために臨時に使用する予備ブロックを消去する(c2)段階と、
読取りエラーブロックのエラーを訂正して前記予備ブロックに複写する(c3)段階と、
前記ブロックマップページグループのうち未使用ブロックマップページを探す(c4)段階と、
前記見つけられたブロックマップページに前記読取りエラーブロックと前記予備ブロックとのマッピング情報及び読取りエラー復旧状態であることを表示する(c5)段階と、
前記読取りエラーブロックを消去する(c6)段階と、
前記予備ブロックを前記消去された読取りエラーブロックに複写する(c7)段階と、
前記見つけられたブロックマップページに無効であることを表示する(c8)段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。 - 前記読取りエラーブロックが保護領域で発生した場合に保護領域を読取り/書込み可能状態に変更し、前記(c8)段階が終わった後に前記保護領域を再び読取り専用状態に変更することを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理方法。
- 少なくとも1つ以上のフラッシュメモリチップよりなるフラッシュメモリのエラーブロック管理装置において、
複数の使用ブロックを有する使用領域と使用中に発生するエラーブロックに代えるための複数の予備ブロックを有する予備領域とを有し、使用中に発生するエラーブロックとこれに代える予備ブロックとのマッピング情報を保存するブロックマップページを複数有しているブロックマップページグループを前記予備領域内に有しているフラッシュメモリと、
前記ブロックマップページグループ内に存在する最近の有効なブロックマップページのマッピング情報と、エラーブロックの発生時にこれを処理するためのプロセスを定義するフラッシュ装置管理子をローディングするためのメモリと、
前記フラッシュメモリとメモリに電気的に連結され、フラッシュ装置管理子のコードを読取ってフラッシュメモリに対するフラッシュ演算及びエラーブロック管理をする中央処理装置と、を含み、
前記中央処理装置は、前記生成された予備ブロックと発生するエラーブロックとのマッピング情報を記録するブロックマップフィールドを予備ブロック毎に生成し、前記生成されたブロックマップフィールド、マッピング情報の時点を判断するためのカウントフィールド、及び有効性判断のためのトランジションフィールドを含むブロックマップ情報を初期化させ、
フラッシュメモリに存在するエラーブロックを検査して見つけられたエラーブロック及び前記見つけられたエラーブロックに代える予備ブロックのマッピング情報を前記ブロックマップフィールドに各々記録し、前記カウントフィールドに初期カウントをしてブロックマップ情報を生成し、
前記ブロックマップ情報を前記ブロックマップページグループの何れか1つのブロックマップページに記録することを特徴とするフラッシュメモリのエラーブロック管理装置。 - 前記ブロックマップページグループは少なくとも2つ以上の予備ブロックで構成されたことを特徴とする請求項14に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理装置。
- 前記中央処理装置とフラッシュメモリ間に電気的に連結されており、中央処理装置がフラッシュ演算を行う間にフラッシュメモリに次の演算のためのデータを保存しているバッファを2つ以上有しているフラッシュメモリコントローラをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理装置。
- 前記フラッシュメモリコントローラは、フラッシュメモリの一定領域を保護領域に設定して前記フラッシュ装置管理子により検証されたフラッシュアプリケーションに対してのみ保護領域に対するフラッシュ演算を許容し、検証されていないフラッシュアプリケーションに対しては保護領域に対するフラッシュ演算を許容しないことを特徴とする請求項16に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理装置。
- 前記フラッシュメモリが複数のフラッシュメモリチップよりなる場合に前記フラッシュメモリの使用領域、予備領域と前記予備領域内のブロックマップページグループは各フラッシュメモリチップ毎に存在することを特徴とする請求項14に記載のフラッシュメモリのエラーブロック管理装置。
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