JP3918034B2 - マスク限界を決定するための方法及び装置 - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、周波数関数である振幅スペクトルから、周波数関数であるマスク限界曲線を決定する方法と、当該方法を実施するための装置とに関し、前記振幅スペクトルは、関連する周波数範囲内における多くの周波数値に対する振幅値の形式である。
【背景技術】
【0002】
このような方法及び装置は、関連文献リスト内の文献(1)及び(2)のヨーロッパ特許公報第457,390-A1号(PHN13.328)及び第457,391-A1号(PHN13.329)から既知である。他に、前記リスト内の文献(3)の「Subband coding of digital audio signals」by R.N.J. Veldhuis et al in Philips J. Res, Vol.44, pp.329-43, 1989が参照される。
【0003】
これらの文献は、周波数関数である振幅スペクトルから、「マスク限界曲線」、即ちより簡潔に定義すると「マスク限界」を決定する様々な方法を説明する。文献(1)及び(2)で説明された方法は、行列を用いた計算を利用する。前記行列の各係数d(m,i)は、サブバンドi内の信号成分がサブバンドm内にある信号に関与するというマスキング効果のための尺度となる。結果として、サブバンド番号の関数として、従って周波数の関数として、前記マスク限界を得るために、非常に多くの計算を行う必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、前記方法及びこれに対応する装置を簡略化することである。本発明に従う方法は、
各周波数値に対し、該周波数値での周波数成分から生じ、該周波数値に対する振幅スペクトルの振幅値に対応する振幅を有する該周波数値での第1マスキング成分を決定する第一工程と、
関連する周波数範囲を通じて一つの方向に進む場合に後続する周波数値に対して、或る周波数値での第2マスキング成分を決定する第二工程であって、該周波数値に対する第2マスキング成分は、該周波数値に先行する直近の周波数値だけにおける第1マスキング成分と第2マスキング成分とから決定され第二工程と、
関連する前記周波数範囲を通じて逆方向に進む場合に後続する周波数値に対して、或る周波数値での第3マスキング成分を決定する第三工程であって、該周波数値に対する第3マスキング成分は、該周波数値に先行する直近の周波数だけにおける少なくとも第1マスキング成分と第3マスキング成分と関係があるマスキング情報から決定される第三工程と、マスク限界曲線内の周波数値に対するマスク値を、該周波数値に対する第1、第2及び第3マスキング成分と関係があるマスキング情報から決定するための第四工程とを含む方法であることを特徴とする。
【0005】
本発明は、第一工程でイン−バンドマスキングに対応するマスキング成分を計算し、第二及び第三工程において、関連する周波数範囲を通じて一度目は一つの方向に、二度目は逆方向へと2度行き、各回で周波数値に対する(第2又は第3)マスキング成分を、その前の周波数値に対して前工程で得られたマスキング成分と関係があるマスク情報から計算することにより、他の周波数成分でのマスキング効果を計算するという認識に基づいている。第1マスキング成分を得るために第一工程で実行される計算は、前記行列の対角係数d(m,m)上に既知の方法で実行される計算と関係する。第2マスキング成分を得るために第二工程で実行される計算は、前記行列の係数d(m,m−1)又はd(m−1,m)上に既知の方法で実行される計算と関係する。第3マスキング成分を得るために第三工程で実行される計算は、前記行列の係数d(m−1,m)又はd(m,m−1)上に既知の方法で実行される計算と関係する。このように、簡略化された方法及び装置では、実行される計算は多くはない。
【0006】
従属クレームは、第二及び第三工程での第2及び第3マスキング成分それぞれと、第四工程でのマスク限界とを得る様々な方法を定める。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
本発明のこれら及び他の特徴は、以下の図で詳細に説明される。
【0008】
第1図は、前記方法の実施例の流れ図を示す。前記方法は、ブロック10で開始される。最初に、情報信号、例えばデジタルオーディオ信号の信号ブロックについて、時間−周波数変換が実行される。この変換は、高速フーリエ変換(FTT)であり、ブロック12において実行される。フーリエ変換の結果を用いて、周波数関数である振幅スペクトルが得られ、当該振幅スペクトルは、f(1)からf(K)までの関連する周波数範囲における多くのK個の周波数値f(k)に対する振幅値PV(k)の形式である。
【0009】
次に、第一工程S1において、K個の周波数値f(k)各々に対して、この周波数値での第1マスキング成分MC(1,k)が決定される(ブロック14参照)。周波数値f(k)でのこの第1マスキング成分は、前記周波数値f(k)での信号成分と、前記周波数値f(k)での振幅スペクトルの振幅値PV(k)に対応する振幅を有することにより実現されるマスキング効果と対応する。前記文献において、このマスキング成分は、「イン−バンド」マスキング成分と定義されている。
【0010】
第二工程において、kは、2の値にセットされる(ブロック16参照)。次に、ブロック18において、第2マスキング成分MC(2,k)が、先行する直近の周波数値である周波数値f(k−1)での第1及び第2マスキング成分から、周波数値f(k)に対して得られる。この導出は、後続の周波数値に対して繰り返される(ブロック20及びブロック22参照)。
【0011】
先行する(次に低い)周波数値に対する第1及び第2マスキング成分から、第2マスキング成分を得るために、第二工程において、関連する周波数範囲の低い境界から該周波数範囲の高い境界へと行くことは明らかだろう。
【0012】
f(1)よりも低い周波数値は存在しないので、第2マスキング成分がこの周波数値に対して得られないことは明らかだろう。f(2)に対する第2マスキング成分MC(2,2)は、f(1)のみによって第一マスキング成分MC(1,1)から得られる。この導出は、第3A図に示されている。例として、第2マスキング成分MC(2,2)は、マスキング成分MC(1,1)から引き値を減算することにより、マスキング成分MC(1,1)から導出される。
【0013】
第3B図は、どの様に他の周波数値に対する第2マスキング成分MC(2,k)が得られるかを示している。更なる説明は、下記に示されるだろう。
【0014】
次に、第1及び第2マスキング成分MC(1,K)とMC(2,K)とを組み合わせることで、最高周波数値f(I)に対するマスク限界は今得られることができる(ブロック24参照)。f(K)よりも高い周波数が存在しないので第3マスキング成分がない(下記参照)という理由によりこれが、この周波数値に対しては得られた。
【0015】
第三工程において、変数kは、一つずつ減らされる(ブロック26参照)。次に低い周波数f(k)に対して、第3マスキング成分MC(3,k)が、周波数値f(k+1)での少なくとも第1及び第3マスキング成分から得られる(ブロック28参照)。この導出は、後続の周波数値に対して繰り返される(ブロック30及び32参照)。
【0016】
周波数値f(k)での第3マスキング成分MC(3,k)もまた、周波数値f(i+1)での第1、第2及び第3マスキング成分MC(1,i+1)、MC(2,i+1)及びMC(3,i+1)の組み合わせから得られる。第3マスキング成分の導出は、第4A図及び第4B図を参照して以下に説明されるだろう。
【0017】
第三工程において、先行する(次に高い)周波数値に対する、マスキング成分から、第3マスキング成分を得るために、関連する周波数範囲の高い境界から該周波数範囲の低い境界へ行くことは明らかであろう。
【0018】
さらに、f(2)からf(K−1)までの周波数値に対するマスク限界値MV(k)は、第1、第2及び第3マスク成分MC(1,k)、MC(2,k)及びMC(3,k)から得られる(ブロック30参照)。
【0019】
kが1に等しい時(ブロック32参照)、プログラムはブロック36を経て続く。このブロックでは、マスク限界値MV(1)は、MC(2,1)が使えないのでMC(1,1)及びMC(3,1)から得られる。
【0020】
次に、前記プログラムが終了するか(ブロック34参照)、又は繰り返され、情報信号の新しい信号ブロックに対してはブロック12で始まり、これは最初に述べられた信号ブロックと部分的に重なってもよい。
【0021】
第1図から解るように、マスク限界値MV(k)の導出は、ブロック24、30及び36で達成される。これらのブロックは、前記マスク限界を決定するための方法における第四工程であると定義される。この第四工程は、第三工程の終了後に、必ずしも該第三工程の後に続く必要はない。前記マスク限界の導出は、動作シーケンスの早め、即ち特定の周波数に対応する前記マスク限界を得るための全ての情報が有効である時に、挿入されてもよい。これは、より少ない量の情報が、中間記憶レジスタに記憶されるという利点を有する。
【0022】
S2工程において第2マスキング成分MC(2,k)を得るために、第1マスキング成分MC(1,k−1)が有効でなければならないことは、さらに明らかである。従って、少なくとも一時的にS1工程において得られる第1マスキング成分を記憶するために、メモリが有効でなければならない。その上、S3工程において第3マスキング成分MC(3,k)が、MC(1,k+1)及びMC(3,k+1)の組み合わせから得られる状態において、少なくとも前記第3マスキング成分が得られるまで、MC(1,k+1)及びMC(3,k+1)に対する値を記憶することを維持する必要があるだろう。
【0023】
しかしながら、S3工程での第3マスキング成分MC(3,k)が、MC(1,k+1)、MC(2,k+1)及びMC(3、k+1)の組み合わせから得られる状態において、S2工程で、MC(1,k)及びMC(2,k)の組み合わせである第4マスキング成分MC(4,k)をさらに計算でき、MC(1,k)の代わりにこのマスキング成分MC(4,k)を記憶でき、第三工程S3における第3マスキング成分MC(3,i)を得るために、第4マスキング成分MC(4,k+1)及び第3マスキング成分MC(3,k+1)を使用できる。その上、第三工程での各種の導出は、第二工程での導出とインターリーブされてもよい。
【0024】
第2図は、ブロック12で実行される時間−周波数変換の結果を曲線40で示す。この曲線40は、情報信号のパワーを表し、周波数関数としてdBの目盛に沿ってプロットされる。この曲線は、関連する周波数範囲、例えば0から20kHz内において、順次の周波数f(k)に対する振幅値PV(k)を成分とする。ブロック12で実行されるFFTにより、等間隔の周波数値f(k)に対する振幅値PV(k)を得るために使用することができる複素係数となる。第2図は、参照番号42で示される第二曲線を示す。この曲線42は、周波数値f(k)に対する第1マスキング成分MC(1,k)を表す。この様な第1マスキング成分MC(1,j)が一つ示されている。K個の第1マスキング成分MC(1,0)からMC(1,K)までにより形成されるこの曲線は、第一工程S1において得られる。第1マスキング成分MC(1,k)は、PV(1,k)からの予め決められたdB値を減算することにより、振幅値PV(1,k)から得られる。この予め決められたdB値は、定数であってもよく、又は周波数依存、即ちkへの依存でもよい。
【0025】
第3A図及び第3B図は、どの様に第2マスキング成分が得られるかを示している。第3A図は、第1マスキング成分MC(1,1)からの第2マスキング成分MC(2,2)の導出を示し、この導出は前に述べられた。第3B図は、他の周波数値kに対する第2マスキング成分の導出を示す。第3B図は、3個の順次周波数f(k−1)、f(k)及びf(k+1)それぞれに対する第1マスキング成分MC(1,k−1)、MC(1,k)及びMC(1,k+1)を示す。周波数f(k)に対する第2マスキング成分は、先行する周波数値f(k−1)の第1マスキング成分MC(1,k−1)及び第2マスキング成分MC(2,k−1)の組み合わせから得られる。結果として、第2マスキング成分MC(2,k)が既知であると仮定できる。今、第4マスキング成分MC(4,k)が、マスキング成分MC(1,k)及びMC(2,k)との組み合わせによって計算される。次に、第2マスキング成分MC(2,1+k)は、MC(4,k)から、例えば、MC(4,k)から引き値(dB)を再度引くことで得られる。
【0026】
第4マスキング成分MC(4,k)を得るために周波数f(k)に対する第1及び第2マスキング成分の組み合わせは、線形を基礎として2つの成分を合計することで達成される。第3B図における前記成分が、dBの目盛り上にプロットされるので、第4マスキング成分は、第1及び第2マスキング成分のどちらか大きな成分よりもほんの少しだけ大きい。
【0027】
第4A図は、前記周波数f(K−1)に対する第3マスキング成分を得るやり方、即ち第4マスキング成分MC(4,K)から引き値(dBで)を減算することにより、得るやり方を示す。第3マスキング成分を得るための前記引き値は、第2マスキング成分を得るための引き値より、一般に大きいだろう。第3マスキング成分MC(3,K−1)が第1マスキング成分MC(1,K)単独から得ることができたということは、ここに注意されたい。第4B図は、他の周波数値に対する第3マスキング成分がどのように得られるかを示す。第4B図は、2個の続く周波数f(k)及びf(k+1)に対する第1マスキング成分MC(1,k)及びMC(1,k+1)をそれぞれ示す。他に、前記周波数f(k+1)に対する第3マスキング成分MC(3,k+1)が示される。第4B図において、周波数f(k)に対する第3マスキング成分MC(3,k)が、先行する周波数値f(k+1)の第1マスキング成分MC(1,k+1)と第3マスキング成分MC(3、k+1)との組み合わせから得られる。第5マスキング成分MC(5,k+1)が、前記マスキング要素MC(1,k+1)とMC(3,k+1)との組み合わせにより、計算される。次に、第3マスキング成分MC(3,k)は、MC(5,k+1)から得ることができ、第3マスキング成分MC(3,k)となる。MC(5,k+1)を得るために、マスキング成分MC(1,k+1)とMC(3,k+1)との組み合わせが、線形又は対数を基にして、再度実現される。第3マスキング成分MC(3,k)の導出が、MC(5,k+1)から引き値を減算することにより、再度実現される。
【0028】
更に、関連の周波数範囲内の最高周波数に対しては、より高い周辺周波数はなく、その周波数に対する第3マスキング成分を得ることはできない。
【0029】
第2マスキング成分と第3マスキング成分とを取り出す数学は、前記文献でわかるように、周知のマスキング理論に基づく。前記文献リストの文献(3)が参照される。特に、当該文献の第4章及び第5図である。この図で、曲線は、近傍の低い及び高い周波数上の信号成分の、ある正規化された周波数f=1の信号成分のマスキング効果を示して与えられる。この図でわかるように、このマスキング効果は、2つの線で示される。前記正規化された周波数f=1を超える増大周波数に対する第1の線と、前記正規化された周波数より低い減衰周波数に対する第2の線である。第2の線の傾きは、当該図の第1の線の傾きより急峻である。この図はこのように、第2及び第3マスキング成分の導出のための基として用いられる。特に、この図の第1の線は、第2工程で第2マスキング成分を得るために使うことができる。これは、第3A図及び第3B図に示され、第3A図の2つの矢印MC(1,1)及びMC(2,2)のような、2個の後続周波数に対する各時間の2つの矢印の頂部を相互接続する線は、文献(3)の第5図の第1の線と等価である。
【0030】
さらに、この図の第2の線は、第3工程で第3マスキング成分を得るために用いることができる。これは、第4A図及び第4B図に示され、第4A図の2つの矢印MC(2,K)及びMC(3,K−1)のような、2個の後続周波数に対する各時間の2つの矢印の頂部を相互接続する線が、文献(3)の第5図の第2の線と等価である。
【0031】
第3A図及び第3B図のこれらの線の傾きを第4A図及び第4B図の線と比較すると、第4A図及び第4B図の線の傾きがより急峻であることは明らかであり、これは文献(3)の第5図と一致する。
【0032】
第3マスキング成分が、第1、第2及び第3マスキング成分の組み合わせから得られることは、注意されたい。これについては、上述の説明の後、このような導出を述べるような更なる説明はされない。
【0033】
第5図は、当該方法を実施するための装置の実施例を示す。当該装置は、前記情報信号を入力するための入力端子50を有する。入力端子50は、時間−周波数変換器52の入力部と結合され、前記情報信号の信号ブロックでこの実施例ではFFTを実行し、フーリエ変換の結果からパワースペクトルを取り出す。これは、乗算器54の入力部に与えられる振幅値PV(k)となる。乗算器54の出力部は、乗算器58の入力部と結合される出力部を持つメモリ56の入力部と結合される。
【0034】
メモリ56は、メモリ56のアドレス入力部62へ与えられるアドレスkにより特定される対応のメモリ位置に、Kの振幅値PV(k)を記憶するために適する。乗算器58の出力部は、メモリ60の出力部と結合される第2の入力部を持つ減算回路64の入力部と結合される。減算回路64の出力部は、乗算器54の第2の入力部と結合される。
【0035】
第1工程で、Kの周波数値f(k)に対する第1マスキング成分が、前記振幅PV(k)から予め決められた値を減算することにより得られる。前記予め決められた値が定数ならば、メモリ60は前記定数を記憶するための1個の記憶位置だけを持つ。しかしながら、前記予め決められた値が定数ではなく、周波数に依存するとする。結果として、メモリ60は、前記Kの周波数値の各々に対して一つである、Kの予め決められた値を記憶するためのK個の記憶位置を持つ。従って、メモリ60は、前記K個の記憶位置をアドレスするためのアドレス入力部66を必要とする。
【0036】
乗算器58の第2の出力部は、組み合わせユニット70の第1入力部と結合される。組み合わせユニット70の出力部は、乗算器54の第3の入力部と同様に、導出回路72の入力部と結合される。導出回路72の出力部は、メモリ74を介して、組み合わせユニット70の第2の入力部と結合される。
【0037】
第5図の装置の機能が、これから述べられる。
【0038】
第1の工程で、前記Kの振幅値は、入力部62への後続するアドレスにより、メモリ56から続けて読み出され、乗算器58を介して減算回路64に与えられる。さらに、メモリ60は、アドレス入力部66へのアドレスにより、後続の予め決められた値を減算回路64の第2入力部に与える。メモリ60は、前記周波数値f(k)に対応する前記予め決められた値を、この同じ周波数に対する前記振幅値PV(k)がメモリ56により減算回路64に与えられる時に、減算回路64に与える。結果として、第1マスキング成分MC(1,k)は、減算回路64の出力部で利用でき、乗算器54を介してメモリ56の入力部に与えられる。この第1マスキング成分は、次に前記振幅PV(k)がもともと記憶されている同じ記憶位置に、メモリ56内に記憶される。この工程は、全ての周波数成分に対して繰り返される。
【0039】
第2の工程で、第3A図及び第3B図に述べられる第2マスキング成分の導出が実行される。メモリ56の第1メモリ位置に記憶される、第1マスキング成分MC(1,1)は、乗算器58を介して、入力部62への第1アドレスにより、組み合わせ回路70の第1入力部に与えられる。メモリ74は、その中にゼロの値を記憶させる。このように、第1マスキング成分MC(1,1)は、導出回路72の入力部に与えられる。導出回路72は、その入力部に与えられる前記マスキング成分に応答して、その出力部にある第2マスキング成分を取り出すように適合される。結果として、第2マスキング成分MC(2,2)が得られ、メモリ74に記憶される。次に、第1マスキング成分MC(1,2)は、組み合わせ回路70の第1の入力部に与えられる。組み合わせ回路70の出力部で、第4マスキング成分MC(4,2)が利用でき、乗算器54の第3の入力部に与えられ、第2の記憶位置でメモリ56に記憶され、これによりその位置に記憶される第1マスキング成分MC(1,2)を上書きする。さらに、第4マスキング成分MC(4,2)は、第2マスキング成分MC(2,3)となり、メモリ74に記憶される。
【0040】
一般には、第1マスキング成分MC(1,k)が、組み合わせ回路70の第1入力部に与えられる。組み合わせ回路70の出力部で、第4マスキング成分MC(4,k)が利用でき、乗算器54の第3の入力部に与えられ、k番目の記憶位置でメモリ56に記憶され、これにより、その位置に記憶される第1マスキング成分MC(1,k)を上書きする。さらに、第4マスキング成分MC(4,k)は、第2マスキング成分MC(2,k+1)となり、メモリ74に記憶される。
【0041】
第3の工程で、第4A図及び第4B図に述べられる第3マスキング成分の導出が実行される。回路素子70、72及び74は、同様にこの目的のために用いられる。第3の工程を始める前に、メモリ74は、ゼロに設定される必要がある。さらに、導出回路72は、第3マスキング成分を取り出すことができるように、再設定されるべきである。第3の工程での前記装置の機能が、第6図を使って述べられる。第6図は、上述の素子だけを示し、この導出回路は、導出が今は他のモードで機能することを示す参照番号72’を持つ。
【0042】
メモリ56の最後のメモリ位置に記憶される、第4マスキング成分MC(4,K)は、乗算器58を介して、入力部62へのアドレスKにより、組み合わせ回路70の第1入力部に与えられる。メモリ74は、その中にゼロの値を記憶するので、第4マスキング成分MC(4,K)は、導出回路72’の入力部に与えられる。導出回路72’は、その入力部に与えられる前記マスキング成分に応答して、その出力部にある第3マスキング成分を取り出すように適合される。結果として、第3マスキング成分MC(3,K−1)が得られ、メモリ74に記憶される。次に、第4マスキング成分MC(4,K−1)は、組み合わせ回路70の第1の入力部に与えられる。組み合わせ回路70において、マスキング成分MC(3,K−1)及びMC(4,K−1)は、組み合わされてその出力部で利用できる第5マスキング成分MC(5,K−1)となる。MC(5,K−1)は、乗算器54の第3の入力部に与えられ、最後から1つ前の記憶位置でメモリ56に記憶され、これによりその位置に記憶される第4マスキング成分MC(4、K−1)を上書きする。さらに、第5マスキング成分MC(5、K−1)は、第3マスキング成分MC(3、K−2)となり、メモリ74に記憶される。
【0043】
一般に、第4マスキング成分MC(4,k)が、組み合わせ回路70の第1入力部に与えられる。前記組み合わせ回路の出力部で、第5マスキング成分MC(5,k)が利用でき、乗算器54の第3の入力部に与えられ、k番目の記憶位置でメモリ56に記憶され、これにより、その位置に記憶される第4マスキング成分MC(4,k)を上書きする。さらに、第5マスキング成分MC(5,k)は、第3マスキング成分MC(3、k−1)となり、メモリ74に記憶される。
【0044】
第3の工程を終了した後で、メモリ56は、第5マスキング成分を有する。これらマスキング成分は、第1、第2及び第3マスキング成分を効果的に組み合わせることにより、得られた。このように、メモリ56は、その入力部に与えられる前記情報信号に対する前記マスク限界曲線を有する。この実施例においては、第4の工程は、前記マスク限界を得るために、第2及び第3工程内にこのように含まれた。
【0045】
引用文献
(1)ヨーロッパ特許公報第457,390-A1号(PHN 13.328)
(2)ヨーロッパ特許公報第457,391-A1号(PHN 13.329)
(3)Philips J. Res. Vol. 44, pp.329-43, 1989, R.N.J. Veldhuis et al 'Subband coding of digital audio signals'
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】前記方法の実施例を示す。
【図2】マスキング曲線が得られる情報信号の周波数スペクトルと第1マスキング成分とを示す。
【図3A】第2マスキング成分の導出を示す。
【図3B】第2マスキング成分の導出を示す。
【図4A】第3マスキング成分の導出を示す。
【図4B】第3マスキング成分の導出を示す。
【図5】装置の実施例を示す。
【図6】前記方法の第三工程を実行する場合の第5図の装置の一部を示す。
Claims (10)
- 周波数関数である振幅スペクトルから周波数関数であるマスク限界曲線を決定する方法であって、前記振幅スペクトルは周波数範囲内の多くの周波数値に対する振幅値の形式であり、当該方法は、
各周波数値に対して該周波数値での周波数成分から生じ、該周波数値での前記振幅スペクトルの振幅値に対応する振幅を持つ該周波数値での第1マスキング成分を決定する第一の工程と、
前記周波数範囲を通じて一つの方向に処理していく場合に後続する周波数値に対して或る周波数値での第2マスキング成分を決定する第二の工程であって、
処理の始めの周波数値に対して決定された第1マスキング成分から次の周波数値に対する第2マスキング成分を決定し、後続の周波数値に対する第2マスキング成分は該周波数値に先行する直近の周波数値だけにおける第1マスキング成分及び第2マスキング成分から決定される第二の工程と、
前記周波数範囲を通じて逆方向に処理していく場合に後続する周波数値に対して或る周波数値での第3マスキング成分を決定する第三の工程であって、
逆方向に処理していく始めの周波数値に対して決定された第1マスキング成分又は第1マスキング成分及び第2マスキング成分の組み合わせから次の周波数値に対する第3マスキング成分を決定し、後続の周波数値に対する第3マスキング成分は該周波数値に先行する直近の周波数値だけにおける少なくとも第1マスキング成分及び第3マスキング成分とから決められる第三の工程と、
前記マスク限界曲線での周波数値に対するマスク値を該周波数値に対する第1、第2及び第3マスキング成分とから決定する第四の工程とを、
有する方法。 - 第4マスキング成分は、周波数値に対して当該周波数値での第1マスキング成分と第2マスキング成分との組み合わせから得られ、前記第二の工程において、前記周波数値での第2マスキング成分は、前記先行する周波数値での第4マスキング成分から得られることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 周波数関数である振幅スペクトルから周波数関数であるマスク限界曲線を決定するための装置であって、前記振幅スペクトルは周波数範囲内の多くの周波数値に対する振幅値の形式であり、当該装置は、
前記多くの周波数値に対する前記振幅値を入力するための端子と、
各周波数値に対して当該周波数値での周波数成分から生じ、当該周波数値での前記振幅スペクトルの前記振幅値に対応する振幅を持つ当該周波数値での第1マスキング成分を決定するための第1の手段と、
前記周波数範囲を通じて一つの方向に処理していく場合に後続する周波数値に対して或る周波数値での第2マスキング成分を決定するための第2の手段であって、処理の始めの周波数値に対して決定された第1マスキング成分から次の周波数値に対する第2マスキング成分を決定し、後続の周波数値に対する第2マスキング成分は当該周波数値に先行する直近の周波数値だけにおける第1マスキング成分及び第2マスキング成分から決定する前記第2の手段と、
前記周波数範囲を通じて逆方向に処理していく場合に後続する周波数値に対して或る周波数値での第3マスキング成分を決定するための第3の手段であって、逆方向に処理していく始めの周波数値に対して決定された第1マスキング成分又は第1マスキング成分及び第2マスキング成分の組み合わせから次の周波数値に対する第3マスキング成分を決定し、後続の周波数値に対する第3マスキング成分は当該周波数値に先行する直近の周波数値だけにおける少なくとも第1マスキング成分及び第3マスキング成分とから決められる第三の手段と、
前記マスク限界曲線での各周波数値に対するマスク値を当該周波数値に対する第1、第2及び第3マスキング成分と関係があるマスキング情報から決定するための第4の手段とを、
有する装置。 - 前記第1の手段は、前記周波数値での第1マスキング成分を得るために、前記周波数値での前記振幅値から引き値を減算するための減算手段を有することを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記第2の手段は、前記先行する周波数値での第4マスキング成分から前記周波数値での第2マスキング成分を得るための導出手段を有することを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記第3の手段は、第5マスキング成分を得るために、第1及び第3マスキング成分を組み合わせるための組み合わせ手段と、前記先行する周波数値での第5マスキング成分から前記周波数値での第3マスキング成分を得るための導出手段とを有することを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記導出手段は、第3マスキング成分を得るために、第5マスキング成分から引き値を減算するための減算手段を有することを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 前記引き値は周波数依存することを特徴とする請求項4又は7に記載の装置。
- 前記第4の手段は、互いに第1、第2及び第3マスキング成分を加算するための加算手段を有することを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記装置は時間−周波数変換手段をさらに有し、当該変換手段は、時間関数である情報信号を入力するための入力部と前記情報信号に応答して周波数関数である前記振幅スペクトルを供給するための出力部とを持ち、前記変換手段の前記出力部は、入力するための前記端子と結合されることを特徴とする請求項3に記載の装置。
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