JP3911624B2

JP3911624B2 - Processing system

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Publication number: JP3911624B2
Application number: JP2001367010A
Authority: JP
Inventors: 真也田上; 誠林; 富裕坂田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-11-30
Filing date: 2001-11-30
Publication date: 2007-05-09
Anticipated expiration: 2021-11-30
Also published as: TW200302540A; CN1426087A; KR20030044881A; CN1249776C; KR100912280B1; JP2003168713A; TWI248657B

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に一連の処理を施す多数の処理部をプロセスフローの順に概ね水平方向に並べる処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に対応するために、搬送ローラ等の搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を水平に搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式の洗浄処理部や現像処理部を装備し、そのような平流し方式の処理部に合せてシステム全体をプロセスフローの順に概ね水平方向のライン上にシリアルに並べるシステム構成またはレイアウトが注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなシリアルライン型のシステムでは、故障その他の障害の発生により、あるいはメンテナンス上の必要性から１箇所で処理が停止し、または滞っても、プロセスフローの上流側に位置する全ての処理部が影響を受け、それぞれの処理を停止するかスローダウンせざるを得なくなる。
【０００４】
この場合、平流し方式の処理部においては、水平搬送路に沿って配置した各種のツールが傍らを通過する基板に一連の処理を一定のタイミングで順次施すことを正常動作とするため、下流側の処理部で処理工程が滞ったことの影響で該水平搬送路上の基板を滞留させたならば、処理内容ないし処理結果が設定通りにはいかなくなり、歩留まりが低下するという不都合がある。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、システム内の一部でプロセスフローが滞っても上流側の処理部あるいは被処理基板の受ける影響を最小限に食い止めるようにした処理システムを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の処理システムは、被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段とを具備し、前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、前記第２の処理部または前記熱的処理部で障害が発生した際に、前記第１の処理部における処理は完遂させ、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を前記バッファユニットに一時的に滞留させておく構成とした。
本発明の好適な一態様によれば、前記熱的処理部が、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を加熱処理するための加熱ユニットと、前記加熱処理の済んだ基板を冷却処理するための冷却ユニットとを有し、前記第２の処理部において障害が発生した際には、前記加熱ユニットによる加熱処理の済んだ基板について前記冷却ユニットへの転送をキャンセルして前記バッファユニットへの転送が行われる。
【０００７】
本発明の第２の処理システムは、被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段とを具備し、前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、前記基板の前記熱的処理部または前記第２の処理部への搬入が不可のときに、前記搬送手段が前記第１の受け渡しユニットで受け取った基板を前記バッファユニットの１つに格納する構成とした。
本発明の好適な一態様によれば、熱的処理部が基板にそれぞれ熱的な処理を施す複数の熱的処理ユニットを有し、搬入不可となった前記熱的処理部または前記第２の処理部で行われるべき処理の１つ前または複数前の工程の処理まで済ませてから前記基板を前記バッファユニットに格納する。
【０００８】
本発明の処理システムにおいては、第１または第２の受け渡しユニットの直上に熱的処理部の全部が配置されるとともに、第１または第２の受け渡しユニットの直下にバッファユニットの全部が配置され、バッファユニットは熱的処理部から空間的にも熱的にもほぼ完全に隔離される。これにより、温度調整機能を装備していないバッファユニットに基板を保管しても、基板が熱的処理部から熱的な影響を受けるのを確実に回避できる。また、正常時つまりバッファユニットを利用しない間は、搬送機構が熱的処理部および第１または第２の受け渡しユニットへのアクセスのためにバッファユニットの傍らを通る必要がなく、最小限の移動範囲で巡回移動を行うので、所要の搬送スケジュールを効率よくこなすことができる。また、カセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインの途中に設けられる第２の処理部または熱的処理部で障害が発生しても、あるいは前記基板の前記熱的処理部または前記第２の処理部への搬入が不可になっても、バッファユニットを機能させ、上流側に配置されている第１の処理部では実行中の処理を中断することなく完遂させる。このように、下流側の障害の影響をバッファユニットで遮断し、上流側の処理における歩留まりの低下を防ぐことができる。
【０００９】
搬送手段の好ましい一形態は、垂直方向に昇降可能な昇降搬送体と、この昇降搬送体上で垂直軸の回りに旋回可能な旋回搬送体と、この旋回搬送体上で基板を支持しながら水平面内で前後方向に伸縮可能な搬送アームとを含む構成である。かかる構成において、搬送手段は、昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部の中の任意のユニットにアクセスして基板の搬入出を行うことができる。
【００１０】
本発明の処理システムにおいて、バッファユニットは、好ましくは、基板を１枚ずつ収容可能な室を有する構成であってよく、バッファユニット内に不活性ガスの雰囲気を形成するための手段を有してもよい。本発明の処理システムでは、第１の処理部が基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送するための搬送路と、搬送路上を搬送される基板に一連の処理を施す処理手段とを含む構成において、バッファユニットの有益性が特に高く、第１の処理部における平流し処理の不所望な中断を回避することができる。
【００１２】
【発明の詳細な説明】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１３】
図１に、本発明の適用可能な塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、システムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１４】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１５】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１６】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部（往路）のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部（復路）のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側（往路）のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側（復路）のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１７】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００１８】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇにブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００１９】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。
【００２０】
具体的には、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４では、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０の上に、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が多段に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から洗浄処理の済んだ基板Ｇを受け取るためのスペースを提供する。
【００２１】
また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０の上に、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が多段に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側へレジスト塗布処理を受けるべき基板Ｇを渡すためのスペースを提供する。
【００２２】
上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０の室内には、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の水平搬送路（図示せず）が引き込まれている。さらに、搬送路上の基板を水平姿勢で持ち上げるための昇降可能なリフトピン（図示せず）が設けられることもある。各熱処理系のユニット（ＤＨＰ）５２，５４、（ＡＤ）５６，６６、（ＣＬ）６２，６４の室内には、基板Ｇを水平に載置して加熱する熱板（図示せず）や該熱板上で基板Ｇの受け渡しを行うための昇降可能なリフトピン（図示せず）等が設けられている。下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０の室内には、隣の塗布プロセス部２８側からアクセス可能つまり基板搬出可能に構成された基板支持部たとえば複数個の支持ピン（図示せず）が設けられている。
【００２３】
この実施形態では、上流側および下流側の両多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８にそれぞれ１個または複数個のバッファ室（ＢＵＦ）が設けられている。より詳細には、図２に示すように、上流側パスユニット（ＰＡＳＳ）５０の下に複数個たとえば３個のバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1),６７(2),６７(3)が多段に積み重ねられるとともに、下流側パスユニット（ＰＡＳＳ）６０の下にも複数個たとえば３個のバッファユニット（ＢＵＦ）６７(4),６７(5),６７(6)が多段に積み重ねられている。各バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)の室内には搬送機構４６から基板Ｇを搬入／搬出可能に構成された基板支持部たとえば複数個の支持ピン（図示せず）が設けられている。
【００２４】
図２において、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２５】
かかる構成の搬送機構４６は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセスして基板Ｇの搬入出を行うことが可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２６】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置（図示せず）が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。なお、該搬送装置は、第１の熱的処理部２６の下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０にもアクセス可能になっている。
【００２７】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２８】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、塗布プロセス部２８から基板Ｇを受け取るためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、現像プロセス部３２へ基板Ｇを渡すためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上の冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００２９】
この第２の熱的処理部３０においても、両側または片側のパスユニット（ＰＡＳＳ）の下に非常時に基板Ｇを留め置いて保管するためのバッファユニット（ＢＵＦ）が１個または複数個多段に積層配置されてよい。
【００３０】
搬送機構９０は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２の中の任意のユニットにアクセスして基板Ｇの搬入出を行うことが可能であり、両側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３１】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３２】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３３】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３４】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、脱色プロセス部３４から基板Ｇを受け取るためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４へ基板Ｇを渡すためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上に冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３５】
この第３の熱的処理部３６においても、両側または片側のパスユニット（ＰＡＳＳ）の下に非常時に基板Ｇを留め置いて保管するためのバッファユニット（ＢＵＦ）が１個または複数個多段に積層配置されてよい。
【００３６】
搬送機構１００は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２の中の任意のユニットにアクセス可能であり、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３７】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦＳ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦＳ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦＳ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３８】
図３に、この塗布現像処理システムにおける正常時の処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３９】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００４０】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの表面にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００４１】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００４２】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで熱処理系のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６，６６の１つに移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００４３】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４４】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４５】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４６】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４７】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで熱処理ユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４８】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４９】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００５０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００５１】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００５２】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００５３】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５４】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５５】
上記のように、この塗布現像処理システムでは、各部（特に処理系の各部）が正常に動作している限りは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４からプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１８側に渡された基板Ｇが、プロセスラインＡ，Ｂに沿ってシステム内の各部を移送または転送されながら所要の各処理（ステップＳ2〜Ｓ16）を順次受けて、一定時間内にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４へ回送されるようになっている。
【００５６】
しかしながら、システム内の何処かで、特に処理部で故障その他の障害が発生したときは、プロセスフローの上流側からその障害の発生した処理部へ基板Ｇを転送または搬入できなくなる。もっとも、下流側ではライン上の基板Ｇに対して残りの全処理を完遂することができる。
【００５７】
そのようにシステム内の何処かでプロセスフローが停止し、または滞った場合、この実施形態では障害発生箇所よりも上流側に配備されているバッファ室（ＢＵＦ）が基板Ｇの一時的な留め置きないし保管に利用される。
【００５８】
たとえば、塗布プロセス部２８内で障害が発生して該プロセス部２８への基板搬入ができなくなった場合を例にとる。この場合、第１の熱的処理部２６に配備されているバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)が基板Ｇの留め置きに用いられる。
【００５９】
より詳細には、塗布プロセス部２８内で障害が発生すると、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４から洗浄プロセス部２４に対して、特にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に対して基板Ｇの新規搬入が止められる。この時、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、水平搬送路上で複数枚たとえば５枚の基板Ｇを所定間隔で一列に搬送しながら平流し方式の基板洗浄処理を行っており、平流し搬送を止めたならばそれらの基板Ｇを洗浄不良品にしてしまう。
【００６０】
この実施形態では、そのような洗浄不良品を出さぬように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２においては平流し搬送中の基板Ｇに対する洗浄処理を完遂させる。したがって、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から第１の熱的処理部２６に対しては、正常時と同じサイクルないしタイミングで洗浄済みの基板Ｇが次々と搬入される。
【００６１】
第１の熱的処理部２６において、各基板Ｇは、可能な限り通常と同じシーケンスで熱的処理を受けてからバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)のいずれかに格納される。
【００６２】
より詳細には、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２より上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入された各基板Ｇは、加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つで脱水処理を受けてから（ステップＳ4）、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却され（ステップＳ5）、しかる後にアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６，６６の１つで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。ここまでの一連の熱的処理（ステップＳ4→Ｓ5→Ｓ6）は通常と変わらない。
【００６３】
しかし、疎水化処理の後、基板Ｇは、通常であれば冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）を受けて、次に下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０へ送られるべきところ、この非常事態の場面では冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４やパスユニット（ＰＡＳＳ）６０への転送をキャンセルしてバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)のいずれか１つに転送される。
【００６４】
ここで、基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）を敢えて省くのは、この熱処理がその直後に塗布プロセス部２８においてレジスト塗布処理が実行されることを前提とした前処理であることと、搬送機構４６のスループットないし各部間のタクト調整上の理由からである。
【００６５】
この種の塗布現像処理システムでは、一般に、同一機能の熱処理ユニットを複数（Ｎ個）設けて、それらＮ個の熱処理ユニットで同一サイクルタイムの熱処理を一定の時間ずらして並行して行わせることにより、熱処理部全体のタクトを１／Ｎに短縮して、前工程および後工程の処理タクトに合せるようにしている。たとえば、この実施形態において、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における洗浄処理タクトが６０秒であるところ、第１の熱的処理部２６における各熱処理ユニット（ＡＤ），（ＤＨＰ），（ＣＯＬ）のサイクルタイムが１００秒前後である場合は、図２のように各熱処理ユニット（ＡＤ），（ＤＨＰ），（ＣＯＬ）をそれぞれ２台設けて５０秒前後の時間差で並列稼動させることにより、熱処理全体ないし各部のタクトを洗浄処理タクトに合せることができる。
【００６６】
このようなマルチユニット方式の熱的処理部２６において、搬送機構４６は殆ど間断なく各熱処理ユニットを一定のサイクルで巡回するように目一杯のスケジュールで忙しく動作しており、非常事態であるからといって通常の巡回動作の中に基板Ｇをバッファユニット（ＢＵＦ）へ転送する動作を割り込ませられるほどの余裕はないのが普通である。この実施形態では、上記のように最終段の熱処理工程である基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）をキャンセルすることで、搬送スループット上またはタクト上の支障を来すことなくバッファユニット（ＢＵＦ）への基板格納動作を実現している。
【００６７】
上記のようにして、障害発生時にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理を受けていた最中の基板Ｇの全部（たとえば５枚）が何ら滞ることなく正常に平流しの洗浄処理を施され、かつ次段の第１の熱的処理部２６においても実質的に通常と変わらない一連の熱処理を受けてからバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に１枚単位で格納される。
【００６８】
この実施形態では、バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)がパスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の下に多段配置され、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の上に多段配置される熱処理系ユニット（ＡＤ）５６，６６、（ＤＨＰ）５２，５４、（ＣＯＬ）６２，６４からほぼ完全に隔離されている。このため、温度調整機能をもたないバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に基板Ｇを保管しても、それらの基板Ｇが熱処理系ユニット側から熱的な影響を受けるおそれはない。
【００６９】
また、この実施形態では、非常時、特に本例のようにプロセスフローの下流側への基板転送を止めるときは、上記のように最終段の熱処理工程である基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）とパスユニット（ＰＡＳＳ）６０への転送とをキャンセルするので、バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に基板Ｇを格納する搬送工程を増やしても、搬送機構４６の負担は重くはならない。むしろ搬送機構４６は、上記のように正常時の方が、目一杯のスケジュールで各熱処理ユニットを忙しく巡回して動作する。
【００７０】
この点、この実施形態では、全てのバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)がパスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の下に多段重ねで配置され、全ての熱処理系ユニット（ＡＤ）５６，６６、（ＤＨＰ）５２，５４、（ＣＯＬ）６２，６４がパスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の上に多段重ねで配置されている。このため、バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)にアクセスする必要のない正常時において、搬送機構４６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の上に集約配置された熱処理系ユニット（ＡＤ）５６，６６、（ＤＨＰ）５２，５４、（ＣＯＬ）６２，６４を最小限の移動範囲で巡回して所要の搬送スケジュールを効率良くこなすことができる。
【００７１】
また、この実施形態では、上流側に接続するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０と下流側に接続するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０とが搬送機構４６を挟んで互いに独立しており、上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０ないし搬送路と下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０ないし搬送路とを同じ高さに設定することも異なる高さに設定することも自由である。
【００７２】
ところで、第１の熱的処理部２６内でも何処かで故障その他の障害が発生する場合がある。たとえば、アドヒージョンユニット（ＡＤ）５６で熱板が故障して使用不可になった場合を例にとる。
【００７３】
この場合、他方のアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６の単独または片肺運転に切り換えることで、タクトが長く（遅く）なるもののシステムの継続運転は可能である。しかし、第１の熱的処理部２６においてタクトを切り換えた直後も、上流側のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２からは障害発生時に平流し搬送中の基板Ｇの全部を一掃するまで通常タクトで洗浄済みの基板Ｇが搬入されてくる。この場面でも、第１の熱的処理部２６では、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から受け取った基板Ｇを熱処理の前または合間にバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に一時的に留め置くことで、タクトの補償または調整を行うことができる。
【００７４】
第２および第３の熱的処理部３０，３６でも、第１の熱的処理部２６と同様な機能および作用が得られる。これらの熱的処理部２６，３０，３６間で上記のような基板の留め置きを連携させることも独立させることも可能である。バッファユニット（ＢＵＦ）は上記のようなシステム障害が発生した場合に限らず、必要に応じて種々の場面で活用されてよい。
【００７５】
この実施形態において、バッファユニット（ＢＵＦ）は正面の開口した筐体で構成できるが、開閉扉またはシャッタを設けることも可能である。また、室内に不活性ガスたとえば窒素ガスの雰囲気を形成することも可能である。その場合、たとえばユニット筐体の後背部から窒素ガスを導入し、多孔板を介して窒素ガスの均一な流れと雰囲気を形成してよい。また、上記した実施形態では、１つのバッファユニット（ＢＵＦ）に基板Ｇを１枚格納したが、複数枚格納可能なユニット構成とすることも可能である。
【００７６】
本発明の処理システムは上記したような塗布現像処理システムに適用して好適であるが、システム構成やシステム要素において種々の変形が可能であり、たとえば成膜装置やエッチング装置等を含むインライン型システムにも適用可能である。本発明における被処理基板は、被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、カラーフィルタや半導体ウエハ等の各種の被処理基板が含まれる。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理システムによれば、システム内の一部でプロセスフローが滞っても上流側の処理部あるいは被処理基板の受ける影響を最小限に食い止めることが可能であり、処理効率および品質の向上をはかれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態による塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける正常時の処理の手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０塗布現像処理システム
１４（Ｃ／Ｓ）カセットステーション
１６（Ｐ／Ｓ）プロセスステーション
１８（Ｉ／Ｆ）インタフェースステーション
２４洗浄プロセス部
２６第１の熱的処理部
２８塗布プロセス部
３０第２の熱的処理部
３２現像プロセス部
３６第３の熱的処理部
４２（ＳＣＲ）スクラバ洗浄ユニット
４４，４８（ＴＢ）多段ユニット部
４６搬送機構
５２，５４（ＤＨＰ）加熱ユニット
５６，６６（ＡＤ）アドヒージョンユニット
６２，６４冷却ユニット
６７(1)〜６７(6) バッファユニット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a processing system in which a large number of processing units that perform a series of processes on a substrate to be processed are arranged in a substantially horizontal direction in the order of process flows.
[0002]
[Prior art]
Recently, in a resist coating and developing processing system in LCD (liquid crystal display) manufacturing, in order to cope with an increase in size of an LCD substrate, the LCD substrate is horizontally placed on a conveyance path in which a conveyance body such as a conveyance roller is laid in a horizontal direction. Equipped with a so-called flat-flow type cleaning processing unit and development processing unit that perform cleaning processing or development processing while being transported, and the entire system is roughly arranged in the order of the process flow according to such flat-flow type processing unit. Attention has been focused on system configurations or layouts that are serially arranged on a horizontal line.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In the serial line type system as described above, even if the processing stops at one place due to the occurrence of a failure or other failure or because of the necessity of maintenance, all processing located upstream in the process flow The department is affected and each process must be stopped or slowed down.
[0004]
In this case, in the flat-flow type processing section, various tools arranged along the horizontal conveyance path perform normal processing by sequentially performing a series of processing at a fixed timing on the substrate passing by the downstream side. If the substrate on the horizontal transport path is retained due to the delay of the processing process in the processing section, the processing content or processing result does not go as set, and there is a disadvantage that the yield decreases.
[0005]
The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and even if the process flow is delayed in a part of the system, the influence of the upstream processing unit or the substrate to be processed is minimized. An object is to provide a processing system.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, the present inventionFirstThe processing systemA plurality of substrates are sequentially transported along a process line that reciprocates from a cassette station that arranges a cassette or a plurality of cassettes that accommodate substrates to be processed in multiple stages so as to be able to be loaded and unloaded to an external exposure apparatus. In a processing system that performs a series of processing on each substrate, a first processing unit that forms part of the process line and that performs predetermined processing on the substrate being transported while transporting the substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture; A second processing unit provided on the downstream side of the first processing unit on the process line, and provided between the first processing unit and the second processing unit on the process line. And accepts a substrate transferred from the first processing unit along the process line.A first delivery unit;The substrate is sent to the second processing unit, which is disposed on the downstream side of the process line and spaced apart from the first delivery unit in the horizontal direction.A second delivery unit and at least one of the first and second delivery unitsDirectly aboveIn order to temporarily store and store the substrateProvided immediately below at least one of the first and second delivery unitsOne or a plurality of buffer units, and a transport means for transporting a substrate between the first and second transfer units, the thermal processing unit, and the buffer units,The buffer unit is spatially and thermally isolated from the thermal processing unit through the first or second transfer unit, and the transport mechanism is minimized when each processing unit is operating normally. The thermal processing unit and the first or second delivery unit do not include the buffer unit so that the thermal processing unit and the first or second delivery unit can be circulated within a limited movement range. When the failure occurs in the second processing unit or the thermal processing unit, the processing in the first processing unit is completed and the processing in the first processing unit is completed. The finished substrate is temporarily retained in the buffer unit.The configuration.
  According to a preferred aspect of the present invention, the thermal processing unit includes a heating unit for heating the substrate processed in the first processing unit, and a cooling process for the heated substrate. When a failure occurs in the second processing unit, the transfer to the cooling unit is canceled for the substrate that has been subjected to the heating process by the heating unit, and the buffer unit is transferred to the buffer unit. Is transferred.
[0007]
  The second processing system of the present invention is a process line that reciprocates between a cassette station that arranges one or a plurality of cassettes that accommodate substrates to be processed in multiple stages so as to be able to be carried in and out, and an external exposure apparatus. In a processing system in which a plurality of substrates are sequentially transferred and a series of processing is performed on each substrate, a part of the process line is formed, and the substrate is transferred to the substrate being transferred while being transferred in a horizontal direction in a substantially horizontal posture. A first processing unit that performs the process, a second processing unit provided downstream of the first processing unit on the process line, the first processing unit on the process line, and the A first delivery unit that is provided between the first processing unit and receives the substrate transported from the first processing unit along the process line; and the first delivery unit. A second delivery unit that is spaced apart in the horizontal direction and is arranged on the downstream side of the process line, and delivers the substrate to the second processing unit, and immediately above at least one of the first and second delivery units. And one or a plurality of buffer units provided immediately below at least one of the first and second delivery units for temporarily storing and storing the substrate. And a transfer means for transferring a substrate between the first and second transfer units, the thermal processing unit, and the buffer unit, and the buffer unit is interposed between the first and second transfer units. To separate the thermal processing unit spatially and thermally from each other, and when each processing unit is operating normally, the transport mechanism can move in a minimum range of movement. The thermal processing unit and the first or second delivery unit are arranged in multiple stages in an area not including the buffer unit so that the thermal processing unit and the first or second delivery unit can be circulated. When the substrate is placed in a centralized manner and the substrate cannot be carried into the thermal processing unit or the second processing unit, the substrate received by the first delivery unit by the transfer unit is used as one of the buffer units. It was set as the structure to store.
  According to a preferred aspect of the present invention, the thermal processing unit includes a plurality of thermal processing units that respectively perform thermal processing on the substrate, and the thermal processing unit or the second unit that cannot be carried in. The substrate is stored in the buffer unit after the processing of one or more steps before the processing to be performed in the processing section is completed.
[0008]
  In the processing system of the present invention, all of the thermal processing unit is disposed immediately above the first or second delivery unit, and all of the buffer unit is disposed immediately below the first or second delivery unit, The buffer unit is almost completely isolated from the thermal processing section both spatially and thermally. Thus, even if the substrate is stored in a buffer unit that is not equipped with a temperature adjustment function, it is possible to reliably avoid the substrate from being thermally affected by the thermal processing unit. Further, when the buffer unit is not used normally, that is, when the buffer unit is not used, it is not necessary for the transport mechanism to pass by the buffer unit for accessing the thermal processing unit and the first or second delivery unit, and the minimum movement range is achieved. Since the patrol movement is performed, the required transportation schedule can be efficiently handled. Further, even if a failure occurs in the second processing unit or thermal processing unit provided in the middle of the process line that reciprocates from the cassette station to the external exposure apparatus, or the thermal processing unit of the substrate or Even if loading into the second processing unit becomes impossible, the buffer unit functions and the first processing unit arranged on the upstream side completes the processing being executed without interruption. As described above, the influence of the failure on the downstream side can be blocked by the buffer unit, and the yield can be prevented from being lowered in the upstream processing.
[0009]
A preferred form of the transport means is a vertical transport body that can be vertically moved, a swivel transport body that can swivel about a vertical axis on the lift transport body, and a horizontal plane that supports the substrate on the swivel transport body And a transfer arm that can be expanded and contracted in the front-rear direction. In such a configuration, the transfer means can move up and down or swivel to access any unit in the adjacent multi-stage unit section to carry in and out the substrate.
[0010]
  In the processing system of the present invention, the buffer unit may preferably be configured to have a chamber capable of accommodating substrates one by one, and has means for forming an inert gas atmosphere in the buffer unit. Also good.In the processing system of the present invention, the first processing unit includes a transport path for transporting the substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture, and a processing means for performing a series of processes on the substrate transported on the transport path. Therefore, the utility of the buffer unit is particularly high, and it is possible to avoid undesired interruption of the flushing process in the first processing unit.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0013]
FIG. 1 shows a coating and developing system to which the present invention can be applied. The coating and developing processing system 10 is installed in a clean room, and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs various processes such as cleaning, resist coating, pre-baking, developing, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. Is. The exposure process is performed by an external exposure device 12 installed adjacent to the system.
[0014]
In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.
[0015]
The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and can accommodate up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates C in a horizontal direction, for example, in the Y direction by stacking substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 and a transport mechanism 22 for loading and unloading the substrate G with respect to the cassette C on the stage 20. The transport mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm 22a, and can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate G Delivery is now possible.
[0016]
  In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, the upstream portion from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side(Outward)In the process line A, the cleaning process section 24, the first thermal processing section 26, the coating process section 28, and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. On the other hand, the downstream part from the interface station (I / F) 18 side toward the cassette station (C / S) 14 side(Return)In the process line B, the second thermal processing unit 30, the developing process unit 32, the decoloring process unit 34, and the third thermal processing unit 36 are arranged in a horizontal row. In this line configuration, the second thermal processing unit 30 is located upstream(Outward)Located at the end of process line A and downstream(Return)Is located at the head of the process line B, and straddles between both lines A and B.
[0017]
An auxiliary transfer space 38 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 40 that can horizontally place the substrate G in units of one sheet is bidirectional in the line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). Can be moved to.
[0018]
In the upstream process line A, the cleaning process unit 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 42, and an excimer is disposed at a location adjacent to the cassette station (C / S) 10 in the scrubber cleaning unit (SCR) 42. A UV irradiation unit (e-UV) 41 is arranged. The cleaning unit in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 performs brushing cleaning or blow cleaning on the substrate G while transporting the LCD substrate G in the horizontal direction in the horizontal position by roller transport or belt transport.
[0019]
The first thermal processing unit 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process unit 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of units are arranged in multiple stages on both front and rear sides thereof. is doing.
[0020]
Specifically, as shown in FIG. 2, in the upstream multi-stage unit section (TB) 44, heating units (DHP) 52 and 54 for dehydration baking are provided on the pass unit (PASS) 50 for substrate transfer. The adhesion units (AD) 56 are stacked in multiple stages. Here, the pass unit (PASS) 50 provides a space for receiving the cleaned substrate G from the scrubber cleaning unit (SCR) 42.
[0021]
In the downstream multi-stage unit section (TB) 48, cooling units (CL) 62 and 64 and an adhesion unit (AD) 66 are stacked in a multi-stage on a substrate transfer pass unit (PASS) 50. It is done. Here, the pass unit (PASS) 60 provides a space for passing the substrate G to be subjected to the resist coating process to the coating process unit 28 side.
[0022]
  A horizontal conveyance path (not shown) of the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is drawn into the interior of the upstream pass unit (PASS) 50. Further, lift pins (not shown) that can be raised and lowered to lift the substrate on the transport path in a horizontal posture may be provided. Inside each of the heat treatment units (DHP) 52 and 54, (AD) 56 and 66, and (CL) 62 and 64, a hot plate (not shown) for placing and heating the substrate G horizontally, Lift pins (not shown) that can be moved up and down for delivering the substrate G on the hot plate are provided. In the downstream pass unit (PASS) 60, a substrate support unit configured to be accessible from the adjacent coating process unit 28 side, that is, to be able to carry out the substrate, for example, a plurality of support pins (not shown).ButIs provided.
[0023]
  In this embodiment, one or a plurality of buffer chambers (BUF) are provided in both the upstream and downstream multi-stage unit sections (TB) 44 and 48, respectively. More specifically, as shown in FIG. 2, a plurality of, for example, three buffer units (BUF) 67 (1), 67 (2), 67 (3) are provided under the upstream path unit (PASS) 50 in multiple stages. A plurality of, for example, three buffer units (BUF) 67 (4), 67 (5), 67 (6) are also stacked in a multi-stage under the downstream path unit (PASS) 60. A substrate support portion configured to be able to carry in / out the substrate G from the transfer mechanism 46 in the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6), for example, a plurality of support pins (not shown).ButIs provided.
[0024]
In FIG. 2, the transport mechanism 46 includes a lift transport body 70 that can be moved up and down along a guide rail 68 that extends in the vertical direction, and a swivel transport body 72 that can rotate or turn in the θ direction on the lift transport body 70. And a transport arm or tweezers 74 that can move back and forth or extend and retract in the front-rear direction while supporting the substrate G on the revolving transport body 72. A drive unit 76 for driving the lifting and lowering conveyance body 70 up and down is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a driving unit 78 for driving the swiveling conveyance body 72 to rotate is attached to the lifting and lowering conveyance body 70. A drive unit 80 for advancing and retracting 74 is attached to the rotary transport body 72. Each drive part 76,78,80 may be comprised by the electric motor etc., for example.
[0025]
The transport mechanism 46 configured as described above moves up and down or swivels at high speed under the control of a controller (not shown) to access any unit in the adjacent multistage unit sections (TB) 44 and 48 to carry in the substrate G. The substrate G can be transferred to and from the shuttle 40 on the auxiliary transfer space 38 side.
[0026]
As shown in FIG. 1, the coating process unit 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing unit 26 includes a resist coating unit (CT) 82, a vacuum drying unit (VD) 84, and an edge remover unit (ER). 86 are arranged in a line along the process line A. Although not shown in the drawing, in the coating process section 28, a transfer device (FIG. 5) for loading and unloading the substrates G one by one in the order of the processes in these three units (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86. In each unit (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86, each process is performed in units of one substrate. Note that the transfer device can also access a pass unit (PASS) 60 on the downstream side of the first thermal processing unit 26.
[0027]
The second thermal processing unit 30 adjacent to the downstream side of the coating process unit 28 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26, and a vertical type between the process lines A and B. , A multi-stage unit portion (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other multi-stage unit portion (TB) 92 is provided on the process line B side (lead).
[0028]
Although not shown, for example, the multi-stage unit section (TB) 88 on the process line A side is provided with a pass unit (PASS) for receiving the substrate G from the coating process section 28, and the pass unit (PASS) A prebaking heating unit (PREBAKE) may be stacked, for example, in three stages. Further, the multi-stage unit section (TB) 92 on the process line B side is provided with a pass unit (PASS) for passing the substrate G to the development process section 32, and a cooling unit (PASS) above the pass unit (PASS) (PASS) COL) may be stacked, for example, and a prebaking heating unit (PREBAKE) may be stacked thereon, for example.
[0029]
In the second thermal processing unit 30 as well, one or a plurality of buffer units (BUF) for holding the substrate G in an emergency and storing it under the pass unit (PASS) on both sides or one side are stacked in multiple stages. May be arranged.
[0030]
The transport mechanism 90 moves up and down at high speed or swivels under the control of a controller (not shown) to access any unit in the adjacent multi-stage unit sections (TB) 88 and 92 to carry in and out the substrate G. It is possible to transfer the coating process unit 28, the development process unit 32, and the substrate G in units of one sheet via the pass units (PASS) on both sides, as well as the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38 and an interface described later. The station (I / F) 18 can also transfer the substrate G in units of one sheet.
[0031]
In the downstream process line B, the development process unit 32 includes a so-called flat-flow development unit (DEV) 94 that performs a series of development processing steps while transporting the substrate G in a horizontal posture.
[0032]
A third thermal processing unit 36 is disposed downstream of the development process unit 32 with the decolorization process unit 34 interposed therebetween. The decoloring process unit 34 includes an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 for performing a decoloring process by irradiating the surface to be processed of the substrate G with i-line (wavelength 365 nm).
[0033]
The third thermal processing unit 36 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26 and the second thermal processing unit 30, and the vertical transport mechanism 100 along the process line B. A pair of multi-stage unit portions (TB) 98 and 102 are provided on both the front and rear sides.
[0034]
Although not shown, for example, the upstream multistage unit section (TB) 98 is provided with a pass unit (PASS) for receiving the substrate G from the decoloring process section 34, and above the pass unit (PASS). For example, three post-baking heating units (POBAKE) may be stacked. Further, the downstream multi-stage unit section (TB) 102 is provided with a pass unit (PASS) for passing the substrate G to the cassette station (C / S) 14 and cooled on the pass unit (PASS). One pass / cooling unit (PASS / COL) may be stacked, and two post baking units (POBAKE) may be stacked thereon.
[0035]
  Also in this third thermal processing section 36, the pass units (PASS) on both sides or one side areUnderOne or a plurality of buffer units (BUFs) for holding and storing the substrate G in an emergency may be stacked in multiple stages.
[0036]
Under the control of a controller (not shown), the transport mechanism 100 can access any unit in the adjacent multistage unit sections (TB) 98 and 102 by moving up and down or swiveling at high speed. TB) 98 and 102 pass unit (PASS) and pass cooling unit (PASS · COL), respectively, i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96, cassette station (C / S) 14 and substrate G 1 Not only can a single sheet be transferred, but also the substrate G can be transferred in single sheets to the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38.
[0037]
  The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, and a buffer stage (BUFS) around the transfer device 104.106, Extension cooling stage (EXT COL)108In addition, a peripheral device 110 is arranged. Buffer stage (BUFS)106A stationary buffer cassette (not shown) is placed in. Extension cooling stage (EXT / COL)108Is a stage for transferring a substrate having a cooling function, and is used when the substrate G is exchanged with the process station (P / S) 16 side. For example, the peripheral device 110 may have a configuration in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically. The transfer device 104 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 104a, and is adjacent to the exposure device 12 or each unit (BUFS).106, (EXT / COL)108, (TITLER / EE) 110 and the substrate G can be transferred.
[0038]
FIG. 3 shows the procedure of normal processing in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from a predetermined cassette C on the stage 20, and the excimer of the cleaning process unit 24 of the process station (P / S) 16. It is carried into the UV irradiation unit (e-UV) 41 (step S1).
[0039]
In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, the substrate G is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation (step S2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After completion of the ultraviolet cleaning, the substrate G is moved to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24 by the transport mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.
[0040]
In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, as described above, the surface of the substrate G is subjected to brushing cleaning or blow cleaning while being transported in a horizontal flow in the process line A direction in a horizontal posture by roller transport or belt transport. Then, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). After the cleaning, the substrate G is rinsed while being conveyed in a flat flow, and finally the substrate G is dried using an air knife or the like.
[0041]
The substrate G that has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is carried into the pass unit (PASS) 50 in the upstream multistage unit section (TB) 44 of the first thermal processing section 26.
[0042]
In the first thermal processing section 26, the substrate G is rotated through a heat treatment unit in a predetermined sequence by the transport mechanism 46. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) 50 to one of the heating units (DHP) 52 and 54, where it undergoes a dehydration process (step S4). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 62 and 64, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S5). Thereafter, the substrate G is transferred to one of the adhesion units (AD) 56 and 66, where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S6). After completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by one of the cooling units (COL) 62 and 64 (step S7). Finally, the substrate G is moved to the pass unit (PASS) 60 belonging to the downstream multi-stage unit section (TB) 48.
[0043]
As described above, in the first thermal processing unit 26, the substrate G is interposed between the upstream multi-stage unit unit (TB) 44 and the downstream multi-stage unit unit (TB) 48 via the transport mechanism 46. You can come and go arbitrarily. The second and third thermal processing units 30 and 36 can perform the same substrate transfer operation.
[0044]
The substrate G that has undergone a series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing section 26 is adjacent to the downstream side from the pass unit (PASS) 60 in the downstream multistage unit section (TB) 48. Is moved to a resist coating unit (CT) 82 of the coating process unit 28.
[0045]
The substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a resist coating unit (CT) 82, for example, by spin coating, and immediately after that, it is subjected to a drying process by a reduced pressure drying unit (VD) 84 adjacent to the downstream side. Then, the unnecessary (unnecessary) resist on the peripheral edge of the substrate is removed by the edge remover unit (ER) 86 adjacent to the downstream side (step S8).
[0046]
  The substrate G subjected to the resist coating process as described above isEdge Remover Unit (ER) 86To the pass unit (PASS) belonging to the upstream multi-stage unit section (TB) 88 of the adjacent second thermal processing section 30.
[0047]
  Within the second thermal processing unit 30, the substrate G is rotated in a predetermined sequence by the transport mechanism 90. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (PREBAKE), where it is subjected to baking after resist coating (step S9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL), where it is cooled to a constant substrate temperature (step S10). After that, the substrate G passes through the downstream side multistage unit (TB) 92 side pass unit (PASS) or without passing through the interface station (I / F) 18 side extension cooling stage (EXT COL). )108It is handed over to.
[0048]
  In the interface station (I / F) 18, the substrate G is an extension / cooling stage (EXT / COL).108From the peripheral device 110 to the peripheral exposure device (EE), where it is exposed to the resist that adheres to the peripheral portion of the substrate G during development, and is then sent to the adjacent exposure device 12 (step S11). .
[0049]
  In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S11), it is first carried into a titler (TITLERR) of the peripheral device 110, where a predetermined value on the substrate is obtained. Predetermined information is written in the part (step S12). After that, the substrate G is an extension / cooling stage (EXT / COL).108Returned to Transfer of the substrate G in the interface station (I / F) 18 and exchange of the substrate G with the exposure apparatus 12 is performed by the transfer device 104.
[0050]
  In the process station (P / S) 16, the transfer mechanism 90 in the second thermal processing unit 30 is an extension / cooling stage (EXT / COL).108The exposed substrate G is received and transferred to the development process unit 32 via the pass unit (PASS) in the multi-stage unit unit (TB) 92 on the process line B side.
[0051]
In the development process unit 32, the substrate G received from the pass unit (PASS) in the multi-stage unit unit (TB) 92 is carried into the development unit (DEV) 94. In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is conveyed in a flat flow manner toward the downstream side of the process line B, and a series of development processing steps of development, rinsing, and drying are performed during the conveyance (step S13).
[0052]
The substrate G that has undergone the development process in the development process unit 32 is carried into the decolorization process unit 34 adjacent to the downstream side, where it undergoes a decolorization process by i-line irradiation (step S14). The substrate G that has been subjected to the decoloring process is transferred to the pass unit (PASS) in the upstream multistage unit section (TB) 98 of the third thermal processing section 36.
[0053]
In the third thermal processing section (TB) 98, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is subjected to post-baking (step S15). Next, the substrate G is transferred to a path cooling unit (PASS / COL) in the downstream multi-stage unit section (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). The transport mechanism 100 transports the substrate G in the third thermal processing unit 36.
[0054]
On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 receives and receives the substrate G that has completed all the steps of the coating and developing process from the pass cooling unit (PASS COL) of the third thermal processing unit 36. The substrate G is accommodated in any one cassette C (step S1).
[0055]
As described above, in this coating and developing processing system, as long as each part (particularly each part of the processing system) is operating normally, it is transferred from the cassette station (C / S) 14 to the process station (P / S) 18 side. The processed substrate G is sequentially transferred to and transferred from each part in the system along the process lines A and B, and sequentially receives the required processes (steps S2 to S16), and within a predetermined time, the cassette station (C / S). 14 is forwarded to 14.
[0056]
However, when a failure or other failure occurs in the processing unit at any point in the system, it becomes impossible to transfer or carry the substrate G from the upstream side of the process flow to the processing unit in which the failure has occurred. However, all the remaining processes can be completed on the substrate G on the downstream side.
[0057]
If the process flow is stopped or stagnated at some point in the system, the buffer chamber (BUF) arranged upstream of the point of failure in this embodiment does not temporarily hold the substrate G. Used for storage.
[0058]
For example, a case where a failure occurs in the coating process unit 28 and the substrate cannot be carried into the process unit 28 is taken as an example. In this case, buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) provided in the first thermal processing unit 26 are used for holding the substrate G.
[0059]
More specifically, when a failure occurs in the coating process unit 28, a new substrate G is carried in from the cassette station (C / S) 14 to the cleaning process unit 24, particularly to the scrubber cleaning unit (SCR) 42. It can be stopped. At this time, the scrubber cleaning unit (SCR) 42 performs a flat-flow type substrate cleaning process while transferring a plurality of, for example, five substrates G in a row at a predetermined interval on the horizontal transfer path, and stops the flat-flow transfer. If so, those substrates G are made into defective products.
[0060]
In this embodiment, the scrubber cleaning unit (SCR) 42 completes the cleaning process for the substrate G that is being flown and transported so as not to produce such defective cleaning products. Accordingly, the cleaned substrates G are successively loaded from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 to the first thermal processing unit 26 at the same cycle or timing as in the normal state.
[0061]
In the first thermal processing unit 26, each substrate G is subjected to thermal processing in the same sequence as usual, and then stored in one of the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6). The
[0062]
More specifically, each substrate G carried into the pass unit (PASS) 50 upstream of the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is subjected to a dehydration process by one of the heating units (DHP) 52 and 54 ( Step S4), one of the cooling units (COL) 62, 64 is cooled to a constant substrate temperature (Step S5), and thereafter, one of the adhesion units (AD) 56, 66 is subjected to a hydrophobic treatment ( Step S6). The series of thermal treatments so far (steps S4 → S5 → S6) is not different from usual.
[0063]
However, after the hydrophobic treatment, the substrate G is usually subjected to a heat treatment (step S7) for making the substrate temperature constant in one of the cooling units (COL) 62 and 64, and then the downstream pass unit ( In this emergency situation, the transfer to the cooling units (COL) 62, 64 and the pass unit (PASS) 60 is canceled and the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) are to be sent to the PASS) 60. ).
[0064]
Here, the heat treatment (step S7) for keeping the substrate temperature constant is intentionally omitted because the heat treatment is a pretreatment on the premise that a resist coating process is performed in the coating process section 28 immediately after that, This is because the throughput of the mechanism 46 or the tact adjustment between the respective parts.
[0065]
In this type of coating and developing system, generally, a plurality of (N) heat treatment units having the same function are provided, and heat treatments having the same cycle time are performed in parallel by shifting the same cycle time by these N heat treatment units. The tact of the entire heat treatment part is shortened to 1 / N so as to match the treatment tact of the previous process and the subsequent process. For example, in this embodiment, when the cleaning process tact in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is 60 seconds, the cycle of each heat treatment unit (AD), (DHP), (COL) in the first thermal processing unit 26 When the time is around 100 seconds, two heat treatment units (AD), (DHP), and (COL) are provided as shown in FIG. 2 and operated in parallel with a time difference of around 50 seconds. The tact of each part can be matched with the cleaning treatment tact.
[0066]
In such a multi-unit type thermal processing section 26, the transfer mechanism 46 is busy operating with a full schedule so that each heat treatment unit circulates in a constant cycle almost without interruption. In other words, it is normal that there is not enough room to interrupt the operation of transferring the substrate G to the buffer unit (BUF) during the normal cyclic operation. In this embodiment, the buffer unit (BUF) is not affected on the transfer throughput or tact time by canceling the heat treatment (step S7) for stabilizing the substrate temperature, which is the final heat treatment step, as described above. The board storage operation is realized.
[0067]
As described above, all of the substrates G (for example, five) being subjected to the cleaning process in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 at the time of the failure are normally subjected to the flat flow cleaning process without any delay. The first thermal processing unit 26 in the next stage is subjected to a series of heat treatments that are substantially the same as usual, and then stored in the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) in units of one sheet. Is done.
[0068]
  In this embodiment, buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) are arranged in multiple stages below the pass units (PASS) 50, 60 and arranged in multiple stages on the pass units (PASS) 50, 60. Heat treatment unit (AD) 56, 66, (DHP)52,54, (COL)62,Almost completely isolated from 64. Therefore, even if the substrates G are stored in the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) that do not have the temperature adjustment function, the substrates G are thermally affected by the heat treatment system unit side. It is not.
[0069]
In this embodiment, in the event of an emergency, particularly when stopping the transfer of the substrate to the downstream side of the process flow as in this example, as described above, the final heat treatment step (step S7) ) And the transfer to the pass unit (PASS) 60 are canceled, so even if the number of transport steps for storing the substrate G in the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) is increased, the burden on the transport mechanism 46 is not increased. Don't be heavy. Rather, the transport mechanism 46 operates by cycling around each heat treatment unit with a full schedule in the normal state as described above.
[0070]
  In this respect, in this embodiment, all the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) are arranged in a multi-stage under the pass units (PASS) 50, 60, and all the heat treatment units (AD) are arranged. 56, 66, (DHP)52,54, (COL)62,64 are arranged on the pass units (PASS) 50, 60 in multiple stages. For this reason, in normal times when it is not necessary to access the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6), the transport mechanism 46 is a heat treatment system unit that is centrally arranged on the pass units (PASS) 50, 60. (AD) 56, 66, (DHP)52,54, (COL)62,The required transport schedule can be efficiently handled by circulating 64 through a minimum movement range.
[0071]
In this embodiment, the pass unit (PASS) 50 connected to the upstream side and the pass unit (PASS) 60 connected to the downstream side are independent from each other with the transport mechanism 46 interposed therebetween, and the upstream pass unit (PASS The PASS) 50 or the transport path and the downstream pass unit (PASS) 60 or the transport path can be set at the same height or at different heights.
[0072]
Incidentally, a failure or other failure may occur at some point in the first thermal processing unit 26. For example, a case where the heat plate fails in the adhesion unit (AD) 56 and becomes unusable is taken as an example.
[0073]
In this case, by switching the operation of the other adhesion unit (AD) 66 to single or single lung operation, the system can be continuously operated although the tact time becomes longer (slower). However, immediately after the tact is switched in the first thermal processing section 26, the scrubber cleaning unit (SCR) 42 on the upstream side is flushed at the time of failure, and is cleaned with normal tact until all of the substrate G being transported is wiped out. A finished substrate G is carried in. Also in this scene, the first thermal processing unit 26 temporarily transfers the substrate G received from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 to the buffer units (BUF) 67 (1) to 67 (6) before or during the heat treatment. It is possible to compensate for or adjust the tact.
[0074]
The second and third thermal processing units 30 and 36 can also provide the same functions and operations as the first thermal processing unit 26. It is possible to coordinate the retention of the substrate as described above between these thermal processing units 26, 30, and 36 or to make them independent. The buffer unit (BUF) is not limited to the case where the system failure occurs as described above, and may be used in various situations as necessary.
[0075]
In this embodiment, the buffer unit (BUF) can be constituted by a housing having a front opening, but an opening / closing door or a shutter can also be provided. It is also possible to form an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas in the room. In that case, for example, nitrogen gas may be introduced from the back of the unit housing to form a uniform flow and atmosphere of nitrogen gas through the perforated plate. In the above-described embodiment, one substrate G is stored in one buffer unit (BUF), but a unit configuration that can store a plurality of substrates is also possible.
[0076]
The processing system of the present invention is suitable for application to the coating and developing processing system as described above, but various modifications can be made in the system configuration and system elements. For example, an in-line type system including a film forming apparatus, an etching apparatus, etc. It is also applicable to. The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, but includes various substrates to be processed such as color filters and semiconductor wafers.
[0077]
【The invention's effect】
As described above, according to the processing system of the present invention, it is possible to minimize the influence of the upstream processing unit or the substrate to be processed even if the process flow is delayed in a part of the system, Improve processing efficiency and quality.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing treatment system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view showing a configuration of a thermal processing section in the coating and developing processing system.
FIG. 3 is a flowchart showing a normal processing procedure in the coating and developing treatment system.
[Explanation of symbols]
10 Coating and developing system
14 (C / S) Cassette station
16 (P / S) process station
18 (I / F) interface station
24 Cleaning process section
26 First thermal processing section
28 Application Process Department
30 Second thermal processing section
32 Development process section
36 Third thermal processing section
42 (SCR) Scrubber cleaning unit
44, 48 (TB) Multistage unit
46 Transport mechanism
52, 54 (DHP) heating unit
56, 66 (AD) Adhesion unit
62,64 cooling unit
67 (1) to 67 (6) Buffer unit

Claims

被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、
前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、
前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、
前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段とを具備し、
前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、
各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、
前記第２の処理部または前記熱的処理部で障害が発生した際に、前記第１の処理部における処理は完遂させ、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を前記バッファユニットに一時的に滞留させておく処理システム。A plurality of substrates are sequentially transported along a process line that reciprocates from a cassette station that arranges a cassette or a plurality of cassettes that accommodate substrates to be processed in multiple stages so as to be able to be loaded and unloaded to an external exposure apparatus. In a processing system that performs a series of processing on each substrate,
A first processing unit that forms part of the process line and that performs a predetermined process on the substrate being transported while transporting the substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture;
A second processing unit provided on the downstream side of the first processing unit on the process line;
A first delivery unit that is provided between the first processing unit and the second processing unit on the process line and receives a substrate transported from the first processing unit along the process line. When,
A second delivery unit that is disposed on the downstream side of the process line and spaced apart from the first delivery unit in the horizontal direction, and sends a substrate to the second processing unit;
A thermal processing unit provided immediately above at least one of the first and second delivery units;
One or more buffer units provided directly below at least one of the first and second delivery units for temporarily holding and storing the substrate;
Transport means for transporting a substrate between the first and second delivery units, the thermal processing unit, and the buffer unit;
The buffer unit is spatially and thermally isolated from the thermal processing unit by the intervention of the first or second delivery unit;
The thermal processing so that the transport mechanism can cycle between the thermal processing unit and the first or second delivery unit with a minimum moving range when each of the processing units is operating normally. And the first and second delivery units are arranged in a multi-stage in an area not including the buffer unit,
When a failure occurs in the second processing unit or the thermal processing unit, the processing in the first processing unit is completed, and the substrate that has been processed in the first processing unit is temporarily stored in the buffer unit. Processing system that keeps it in the middle .

前記熱的処理部が、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を加熱処理するための加熱ユニットと、前記加熱処理の済んだ基板を冷却処理するための冷却ユニットとを有し、The thermal processing unit has a heating unit for heat-processing the substrate that has been processed in the first processing unit, and a cooling unit for cooling the substrate that has been heat-processed,
前記第２の処理部において障害が発生した際には、前記加熱ユニットによる加熱処理の済んだ基板について前記冷却ユニットへの転送をキャンセルして前記バッファユニットへの転送が行われる請求項１に記載の処理システム。2. When a failure occurs in the second processing unit, transfer to the cooling unit is canceled and transfer to the buffer unit is performed for a substrate that has been subjected to heat processing by the heating unit. Processing system.

被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、
前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、
前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、
前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段とを具備し、
前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、
各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、
前記基板の前記熱的処理部または前記第２の処理部への搬入が不可のときに、前記搬送手段が前記第１の受け渡しユニットで受け取った基板を前記バッファユニットの１つに格納する処理システム。A plurality of substrates are sequentially transported along a process line that reciprocates from a cassette station that arranges a cassette or a plurality of cassettes that accommodate substrates to be processed in multiple stages so as to be able to be loaded and unloaded to an external exposure apparatus. In a processing system that performs a series of processing on each substrate,
A first processing unit that forms part of the process line and that performs a predetermined process on the substrate being transported while transporting the substrate in a horizontal direction in a substantially horizontal posture;
A second processing unit provided on the downstream side of the first processing unit on the process line;
A first delivery unit that is provided between the first processing unit and the second processing unit on the process line and receives a substrate transported from the first processing unit along the process line. When,
A second delivery unit that is disposed on the downstream side of the process line and spaced apart from the first delivery unit in the horizontal direction, and sends a substrate to the second processing unit;
A thermal processing unit provided immediately above at least one of the first and second delivery units;
One or more buffer units provided directly below at least one of the first and second delivery units for temporarily holding and storing the substrate;
Transport means for transporting a substrate between the first and second delivery units, the thermal processing unit, and the buffer unit;
The buffer unit is spatially and thermally isolated from the thermal processing unit by the intervention of the first or second delivery unit;
The thermal processing so that the transport mechanism can cycle between the thermal processing unit and the first or second delivery unit with a minimum moving range when each of the processing units is operating normally. And the first and second delivery units are arranged in a multi-stage in an area not including the buffer unit,
A processing system for storing, in one of the buffer units, the substrate received by the first delivery unit by the transfer means when the substrate cannot be loaded into the thermal processing unit or the second processing unit. .

前記熱的処理部が基板にそれぞれ熱的な処理を施す複数の熱的処理ユニットを有し、
搬入不可となった前記熱的処理部または前記第２の処理部で行われるべき処理の１つ前または複数前の工程の処理まで済ませてから前記基板を前記バッファユニットに格納する請求項３に記載の処理システム。 The thermal processing section has a plurality of thermal processing units that respectively perform thermal processing on the substrate,
4. The substrate is stored in the buffer unit after the processing of one or more steps before the processing to be performed in the thermal processing unit or the second processing unit that has become unloadable is completed. The processing system described.

前記搬送手段が、垂直方向に昇降可能な昇降搬送体と、前記昇降搬送体上で垂直軸の回りに旋回可能な旋回搬送体と、前記旋回搬送体上で前記基板を支持しながら水平面内で前後方向に伸縮可能な搬送アームとを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の処理システム。 In the horizontal plane, the transport means supports the substrate on the swivel transport body, the swivel transport body that can be moved up and down in the vertical direction, the swivel transport body that can swivel around the vertical axis on the lift transport body The processing system as described in any one of Claims 1-4 containing the conveyance arm which can be expanded-contracted in the front-back direction.

各々の前記バッファユニットが前記基板を１枚ずつ収容可能な室を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理システム。 6. The processing system according to claim 1, wherein each of the buffer units has a chamber in which the substrates can be stored one by one.

前記バッファユニット内に不活性ガスの雰囲気を形成するための手段を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の処理システム。 The processing system according to claim 1, further comprising a means for forming an inert gas atmosphere in the buffer unit.

前記プロセスラインに沿って前記第１の処理部と前記第１の基板受け渡し部と前記搬送手段と前記第２の基板受け渡し部と前記第２の処理部とを横一列に配置してなる請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理システム。The first processing section, the first substrate transfer section, the transfer means, the second substrate transfer section, and the second processing section are arranged in a horizontal row along the process line. The processing system as described in any one of 1-7.