JP3905744B2

JP3905744B2 - Semiconductor laser assembly

Info

Publication number: JP3905744B2
Application number: JP2001343545A
Authority: JP
Inventors: 和典黒柳
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2001-11-08
Filing date: 2001-11-08
Publication date: 2007-04-18
Anticipated expiration: 2021-11-08
Also published as: JP2003152259A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固定レーザの励起や微細加工処理等の光源として利用される半導体レーザ組立体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から一般的に利用されているこの種の半導体レーザ組立体に設けられた半導体レーザアレイは、その出射面上に複数のレーザ出射点を有している。また、半導体レーザアレイは、その上面及び下面を一対のサブマウントベースで挟み込み、この状態で半導体レーザアレイをヒートシンク上に配置させている。そして、ヒートシンク上において、半導体レーザアレイをサブマウントベースで挟むような半導体レーザユニットを構成させ、これをハウジング内で多段に積層させることで、半導体レーザ組立体が構成される。さらに、このような半導体レーザ組立体を微細加工処理などの光源として利用する際には、光を一点に集中させる必要があるので、前述の半導体レーザ組立体は、種々の集光レンズが組み込まれたレーザ発生装置の内部に収容させて利用される。また、このようなレーザ発生装置では、レーザ光が集光する地点すなわち加工点をいわゆるポインタ光で指し示す必要がある。そこで、一般的なレーザ発生装置では、半導体レーザまたは発光ダイオードから出射させる高輝度な光を筐体内に導き、反射ミラーやハーフミラー等を利用して、この光を集光レンズの光軸に沿わせる。これによって、いわゆるポインタ光と呼ばれる光を作り出している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体レーザ組立体をレーザ発生装置内で利用する場合、ポインタ光を集光レンズの光軸上に導くにあたっては、反射ミラーやハーフミラー等を複雑に配列させる必要があり、ポインタ光を集光レンズの光軸へ導きにくいといった問題点があった。
【０００４】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、特に、ポインタ光を半導体レーザ組立体の後方から内部に導入させて、適切なポインタ光を簡単に作り出すようにした半導体レーザ組立体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザ組立体は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを配置させると共に内部に媒体通路をもったヒートシンクと有する半導体レーザユニットを複数段積層させ、半導体レーザユニット間において、外方からのポインタ光を通過させるポインタ光通過領域を形成したことを特徴とする。
【０００６】
この半導体レーザ組立体は、複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、内部に媒体通路をもったヒートシンクとを備えた半導体レーザユニットを複数段積層させものである。このような半導体レーザ組立体を微細加工処理などの光源として利用する際には、光を一点に集中させる必要があり、レーザ光の集光点を示すガイド光としてポインタ光が利用される。そこで、ポインタ光を半導体レーザ組立体の後方から内部に導入させて、適切なポインタ光を簡単に作り出すために、半導体レーザユニット間において、外方からのポインタ光を通過させるポインタ光通過領域を形成する。
【０００７】
また、ポインタ光通過領域は、半導体レーザユニット間に挟まれて半導体レーザユニット間を電気的に導通させる連結板を貫通する直線的な光挿通孔であると好適である。このように、導電性の連結板を利用することで、隣接する全ての半導体レーザアレイ同士を電気的に接続させることができ、しかも、連結板に設けた光挿通孔によって、ポインタ光を半導体レーザ組立体の内部に導入させることができ、ポインタ光を、半導体レーザ組立体の前方に向けて適切に出射させることができる。
【０００８】
また、光挿通孔は、レーザ出射点の前方に配置させる集光レンズの光軸に沿って延在すると好適である。このように、光挿通孔を集光レンズの光軸の延長上に形成させる結果して、信頼性の高いポインタ光を作り出すことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る半導体レーザ組立体の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
図１及び図２に示すように、半導体レーザ組立体１は、導電性及び熱伝導性に優れた材質からなるヒートシンク２上に平板状の半導体レーザアレイ３を搭載させた半導体レーザユニット４を、複数段（この場合５段）積層させたものである。この半導体レーザアレイ３の前面５上には、長手方向に沿って多数のレーザ出射点３ａを一直線上に配列させている。各半導体レーザアレイ３は、ＧａＡＳ等からなる化合物半導体から構成されており、発光領域の大きさが１００μｍ×２μｍ程度のレーザ出射点３ａが、例えば３００μｍ程度の間隔で複数個配置されている。
【００１１】
また、１個の半導体レーザアレイ３の上面３ｂ及び下面３ｃには、上側のサブマウントベース（別名「カバープレート」）６及び下側のサブマウントベース７がハンダ付けによって上下から挟み込むようにそれぞれ接合されている。この上側及び下側のサブマウントベース６，７は、銅、銅タングステン、モリブデンなどからなる導電性及び熱伝導性に優れた材質で形成されている。さらに、半導体レーザアレイ３は、下側のサブマウントベース７をヒートシンク２の上面２aにハンダ付けすることによって、ヒートシンク２上に搭載させる。
【００１２】
このヒートシンク２は、図３に示すように、三分割され、三枚の金属製プレート１１,１２,１３の張り合わせによって構成される。このような張り合わせ構造によって、内部に任意の媒体通路９を形成させている。例えば、第１のエンドプレート１１には、入口側開口１１ａと出口側開口１１ｂが並列して設けられると共に、入口側開口１１ａに連通する通路９ａが表面に作り込まれている。また、第２のエンドプレート１２には、入口側開口１２ａと出口側開口１２ｂが並列して設けられると共に、入口側開口１２ａを迂回するようにして出口側開口１２ｂに連通する通路９ｂが表面に作り込まれている。
【００１３】
また、第１のエンドプレート１１と第２のエンドプレート１２との間に挟まれる連結プレート１３は、入口側開口１１ａと入口側開口１２aとを連通させる入口側連通開口１３aと、出口側開口１１ｂと出口側開口１２ｂとを連通させる出口側連通開口１３ｂとが並設して設けられている。さらに、連結プレート１３には、一側の通路９ａと他側の通路９ｂとを連通させる４個の連絡通路９ｃが設けられている。
【００１４】
よって、入口側開口１１ａから通路９ａ内に流入してきた媒体は、連絡通路９ｃを通って他側の通路９ｂまで流動する。その後、通路９ｂ内を流動しながら出口側開口１２ｂから排出される。このように、通路９ａ,９ｂ内で冷却媒体を流動させ続けることで、ヒートシンク２を介して、半導体レーザアレイ３を冷却し続けることができる。
【００１５】
そして、図１に示すように、このような半導体レーザユニット４を、電気絶縁性のスペーサ１４を介して複数段（この場合５段）積層させたものが半導体レーザ組立体１である。このスペーサ１４はポリイミド等からなり、スペーサ１４の内側には、シリコンゴム、ウレタンゴム等からなる電気絶縁性のクッション材（図示せず）が装填されている。このクッション材には、隣接する入口側開口１１ａと入口側開口１２aとを連絡させる入口側開口（図示せず）が設けられると共に、隣接する出口側開口１１ｂと出口側開口１２ｂと連絡させる出口側開口（図示せず）が設けられている。なお、このクッション材は、ヒートシンク２間を流動する媒体の漏れを防止するために、ヒートシンク２に密着させている。
【００１６】
このように、隣接するヒートシンク２間に電気絶縁性のスペーサ１４を配置させる結果として、ヒートシンク２間の直接的な電気的導通を回避させ、これによって、外部から印加させる電流が、半導体レーザアレイ３の積層方向に沿って効率良く流れるようにしている。なお、半導体レーザ組立体１を組み立てるにあたって、図示しないクランプ部材により、半導体レーザ組立体１全体を両側方から締め付けるようにして固定させることが好ましい。
【００１７】
このようにして組み立てられた半導体レーザ組立体１は、図４に示すように、微細加工処理などの光源として利用するために、冷媒管１７及び駆動電流供給電極１８に接続にした状態で、半導体レーザ発生装置２０内に組み込まれる。この半導体レーザ発生装置２０の筐体１９内において、この半導体レーザ組立体１の前方には、多数のレーザ出射点３ａに対応するようなマイクロレンズ２１が固定されている。さらに、このマイクロレンズ２１の前方には、光軸Ｐに沿って３枚の集光レンズ２２,２３,２４が一直線上に整列されている。このような構成の半導体レーザ発生装置２０は、レーザ光を一点に集中させることができ、高いレーザ出力が得られる。
【００１８】
このような半導体レーザ発生装置２０では、レーザ光が集光する地点すなわち加工点をいわゆるポインタ光で指し示す必要がある。そこで、半導体レーザユニット４を複数段（この場合５段）積層させた状態で、半導体レーザ組立体１の略中央に連結板３０を配置させる（図１参照）。この連結板３０は、導電性を有する金属で形成されると共に、ポインタ光を出射させるための光挿入孔３１を有している。この光挿入孔３１は光軸Ｐに沿って延在し、半導体レーザ組立体１の後方には、光挿通孔３１内に光を入射させるためのポインタ光源３７の一例である半導体レーザまたは発光ダイオード（図４参照）を配置させている。このように、この光挿通孔３１は、高輝度なポイント光３３を通過させる光通過領域Ｓとして、半導体レーザ組立体１内に形成される。
【００１９】
この連結板３０は、図５及び図６に示すように、二分割され、二枚の金属プレート３４,３５の張り合わせによって構成され、このような張り合わせ構造によって、内部に任意の光挿通孔３１を簡単に形成させることができる。さらに、信頼性の高いポインタ光３３を作り出すために、光挿通孔３１を集光レンズ２２,２３,２４の光軸Ｐの延長上に形成させる。また、導電性の連結板３０を利用することで、隣接する全ての半導体レーザアレイ３同士を電気的に接続させることができ、しかも、連結板３０に設けられた光挿通孔３１によって、ポインタ光３３を半導体レーザ組立体１の後方から内部に導入させることができると同時に、ポインタ光３３を光軸Ｐに沿わせながら、半導体レーザ組立体１の前方に向けて適切に出射させることができる。
【００２０】
また、導電性の他の連結板４０としては、図７及び図８に示すように、二分割され、二枚の金属プレート４４,４５の張り合わせによって構成され、このような張り合わせ構造によって、内部に任意の光挿通孔４１を簡単に形成させることができる。また、信頼性の高いポインタ光３３を作り出すために、光挿通孔４１を集光レンズ２２,２３,２４の光軸Ｐの延長上に形成させる。さらに、この連結板４０には、隣接する入口側開口１１ａと入口側開口１２aとを連絡させる入口側連絡通路４２が設けられると共に、隣接する出口側開口１１ｂと出口側開口１２ｂと連絡させる出口側連絡通路４３（図示せず）が設けられている。これによって、連結板４０で冷媒通路を塞ぐことがない。
【００２１】
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、図９に示すように、半導体レーザ組立体１Ａの中央において、隣接する半導体レーザユニット４間を離間させ、この隙間をポインタ光通過領域Ｓとして形成させることもできる。そして、このポインタ光通過領域Ｓを光軸Ｐの延長上に設けることで、信頼性の高いポインタ光３３を作り出すことができる。
【００２２】
【発明の効果】
本発明による半導体レーザ組立体は、以上のように構成されているため、次のような効果を得る。すなわち、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを配置させると共に内部に媒体通路をもったヒートシンクと有する半導体レーザユニットを複数段積層させ、半導体レーザユニット間において、外方からのポインタ光を通過させるポインタ光通過領域を形成したことにより、ポインタ光を半導体レーザ組立体の後方から内部に導入させて、適切なポインタ光を簡単に作り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体レーザ組立体の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザ組立体に適用する半導体レーザユニットを示す斜視図である。
【図３】図１の半導体レーザ組立体に適用するヒートシンクを示す分解斜視図である。
【図４】図１の半導体レーザ組立体が組み込まれた状態の半導体レーザ発生装置を示す断面図である。
【図５】図１の半導体レーザ組立体に適用する連結板を示す分解斜視図である。
【図６】図５に示した連結板の組み立て完了後の状態を示す斜視図である。
【図７】図１の半導体レーザ組立体に適用する他の連結板を示す分解斜視図である。
【図８】図７に示した連結板の組み立て完了後の状態を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る半導体レーザ組立体の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１,１Ａ…半導体レーザ組立体、２…ヒートシンク、３…半導体レーザアレイ、３ａ…レーザ出射点、４…半導体レーザユニット、９…媒体通路、２２,２３,２４…集光レンズ、３０,４０…連結板、３１,４１…光挿通孔、３３…ポインタ光、Ｐ…光軸、Ｓ…ポインタ光通過領域。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor laser assembly used as a light source for excitation of a fixed laser or fine processing.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor laser array provided in a semiconductor laser assembly of this type that has been generally used conventionally has a plurality of laser emission points on its emission surface. The semiconductor laser array has its upper and lower surfaces sandwiched between a pair of submount bases, and in this state, the semiconductor laser array is placed on a heat sink. Then, a semiconductor laser unit is configured such that the semiconductor laser array is sandwiched between the submount bases on the heat sink, and this is laminated in multiple stages in the housing, thereby forming a semiconductor laser assembly. Furthermore, when using such a semiconductor laser assembly as a light source for microfabrication processing, etc., it is necessary to concentrate the light at one point. Therefore, the semiconductor laser assembly described above incorporates various condenser lenses. It is used by being housed inside a laser generator. Further, in such a laser generator, it is necessary to indicate a point where the laser beam is focused, that is, a processing point, with a so-called pointer beam. Therefore, in a general laser generator, high-intensity light emitted from a semiconductor laser or light-emitting diode is guided into the housing, and this light is guided along the optical axis of the condensing lens using a reflection mirror or a half mirror. Make it. This creates light called pointer light.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a conventional semiconductor laser assembly is used in a laser generator, it is necessary to arrange a reflecting mirror or a half mirror in a complicated manner in order to guide pointer light onto the optical axis of the condenser lens. Is difficult to guide to the optical axis of the condenser lens.
[0004]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and in particular, a semiconductor laser assembly in which pointer light is introduced into the semiconductor laser assembly from behind to easily generate appropriate pointer light. The purpose is to provide.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
A semiconductor laser assembly according to the present invention includes a semiconductor laser array in which a plurality of laser emitting points are arranged along the longitudinal direction of the front surface, and a heat sink having the semiconductor laser array disposed therein and having a medium passage therein. A plurality of units are stacked, and a pointer light passage region through which pointer light from the outside passes is formed between the semiconductor laser units.
[0006]
In this semiconductor laser assembly, a plurality of semiconductor laser units each including a semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged and a heat sink having a medium passage therein are stacked. When such a semiconductor laser assembly is used as a light source for fine processing or the like, it is necessary to concentrate light at one point, and pointer light is used as guide light indicating a condensing point of laser light. Therefore, in order to easily introduce appropriate pointer light by introducing pointer light into the interior from the rear of the semiconductor laser assembly, a pointer light passage region is formed between the semiconductor laser units to allow the pointer light from the outside to pass. To do.
[0007]
The pointer light passage region is preferably a linear light insertion hole that passes through a connecting plate that is sandwiched between the semiconductor laser units to electrically connect the semiconductor laser units. As described above, by using the conductive connecting plate, all the adjacent semiconductor laser arrays can be electrically connected to each other, and the pointer light is transmitted to the semiconductor laser by the optical insertion hole provided in the connecting plate. It can be introduced into the assembly, and the pointer light can be appropriately emitted toward the front of the semiconductor laser assembly.
[0008]
Further, it is preferable that the light insertion hole extends along the optical axis of the condenser lens disposed in front of the laser emission point. As described above, as a result of forming the light insertion hole on the extension of the optical axis of the condenser lens, highly reliable pointer light can be created.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of a semiconductor laser assembly according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0010]
As shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor laser assembly 1 includes a semiconductor laser unit 4 in which a flat semiconductor laser array 3 is mounted on a heat sink 2 made of a material having excellent conductivity and thermal conductivity. A plurality of layers (in this case, five layers) are stacked. On the front surface 5 of the semiconductor laser array 3, a large number of laser emission points 3a are arranged in a straight line along the longitudinal direction. Each semiconductor laser array 3 is made of a compound semiconductor made of GaAS or the like, and a plurality of laser emission points 3a having a light emitting region size of about 100 μm × 2 μm are arranged at intervals of about 300 μm, for example.
[0011]
Further, an upper submount base (also called “cover plate”) 6 and a lower submount base 7 are joined to the upper surface 3b and the lower surface 3c of one semiconductor laser array 3 so as to be sandwiched from above and below by soldering. Has been. The upper and lower submount bases 6 and 7 are formed of a material having excellent conductivity and thermal conductivity made of copper, copper tungsten, molybdenum or the like. Further, the semiconductor laser array 3 is mounted on the heat sink 2 by soldering the lower submount base 7 to the upper surface 2 a of the heat sink 2.
[0012]
As shown in FIG. 3, the heat sink 2 is divided into three parts, and is configured by bonding three metal plates 11, 12, and 13. With such a laminated structure, an arbitrary medium passage 9 is formed inside. For example, the first end plate 11 is provided with an inlet side opening 11a and an outlet side opening 11b in parallel, and a passage 9a communicating with the inlet side opening 11a is formed on the surface. Further, the second end plate 12 is provided with an inlet side opening 12a and an outlet side opening 12b in parallel, and a passage 9b communicating with the outlet side opening 12b so as to bypass the inlet side opening 12a is formed on the surface. It is built.
[0013]
The connecting plate 13 sandwiched between the first end plate 11 and the second end plate 12 includes an inlet side communication opening 13a that connects the inlet side opening 11a and the inlet side opening 12a, and an outlet side opening 11b. And an outlet side communication opening 13b that communicates with the outlet side opening 12b. Further, the connecting plate 13 is provided with four communication passages 9c that allow the one-side passage 9a and the other-side passage 9b to communicate with each other.
[0014]
Therefore, the medium flowing into the passage 9a from the inlet side opening 11a flows through the communication passage 9c to the other passage 9b. Thereafter, the fluid is discharged from the outlet opening 12b while flowing in the passage 9b. Thus, the semiconductor laser array 3 can be continuously cooled via the heat sink 2 by continuing to flow the cooling medium in the passages 9a and 9b.
[0015]
As shown in FIG. 1, a semiconductor laser assembly 1 is obtained by stacking a plurality of stages (in this case, five stages) of such semiconductor laser units 4 through electrically insulating spacers 14. The spacer 14 is made of polyimide or the like, and an electrically insulating cushion material (not shown) made of silicon rubber, urethane rubber or the like is loaded inside the spacer 14. The cushion material is provided with an inlet side opening (not shown) that connects the adjacent inlet side opening 11a and the inlet side opening 12a, and an outlet side that communicates with the adjacent outlet side opening 11b and the outlet side opening 12b. An opening (not shown) is provided. The cushion material is in close contact with the heat sink 2 in order to prevent the medium flowing between the heat sinks 2 from leaking.
[0016]
As described above, as a result of disposing the electrically insulating spacer 14 between the adjacent heat sinks 2, direct electrical conduction between the heat sinks 2 is avoided, so that a current applied from the outside is applied to the semiconductor laser array 3. It is made to flow efficiently along the laminating direction. In assembling the semiconductor laser assembly 1, it is preferable to fix the entire semiconductor laser assembly 1 by clamping it from both sides with a clamp member (not shown).
[0017]
As shown in FIG. 4, the semiconductor laser assembly 1 assembled in this way is connected to the refrigerant tube 17 and the drive current supply electrode 18 in order to be used as a light source for fine processing and the like. It is incorporated in the laser generator 20. Inside the housing 19 of the semiconductor laser generator 20, microlenses 21 corresponding to a large number of laser emission points 3 a are fixed in front of the semiconductor laser assembly 1. Further, three condenser lenses 22, 23, and 24 are aligned along the optical axis P in front of the micro lens 21. The semiconductor laser generator 20 having such a configuration can concentrate the laser beam at one point, and a high laser output can be obtained.
[0018]
In such a semiconductor laser generator 20, it is necessary to indicate a point where the laser beam is focused, that is, a processing point, with so-called pointer light. Therefore, the coupling plate 30 is arranged at the approximate center of the semiconductor laser assembly 1 in a state where the semiconductor laser units 4 are stacked in a plurality of stages (in this case, five stages) (see FIG. 1). The connecting plate 30 is made of a conductive metal and has a light insertion hole 31 for emitting pointer light. The optical insertion hole 31 extends along the optical axis P, and a semiconductor laser or a light emitting diode, which is an example of a pointer light source 37 for allowing light to enter the optical insertion hole 31 behind the semiconductor laser assembly 1. (See FIG. 4). As described above, the light insertion hole 31 is formed in the semiconductor laser assembly 1 as the light passage region S through which the high-luminance point light 33 passes.
[0019]
As shown in FIGS. 5 and 6, the connecting plate 30 is divided into two parts, and is configured by bonding two metal plates 34 and 35. With such a bonding structure, an arbitrary optical insertion hole 31 is formed inside. It can be formed easily. Furthermore, in order to produce highly reliable pointer light 33, the light insertion hole 31 is formed on the extension of the optical axis P of the condensing lenses 22, 23, and 24. Further, by using the conductive connecting plate 30, all adjacent semiconductor laser arrays 3 can be electrically connected to each other, and the pointer light is provided by the optical insertion hole 31 provided in the connecting plate 30. 33 can be introduced into the inside of the semiconductor laser assembly 1 from behind, and at the same time, the pointer light 33 can be appropriately emitted toward the front of the semiconductor laser assembly 1 along the optical axis P.
[0020]
Further, as shown in FIG. 7 and FIG. 8, the other conductive connecting plate 40 is divided into two parts, and is constituted by bonding two metal plates 44 and 45. Arbitrary optical insertion holes 41 can be easily formed. Further, in order to produce highly reliable pointer light 33, the light insertion hole 41 is formed on the extension of the optical axis P of the condenser lenses 22, 23, and 24. Further, the connecting plate 40 is provided with an inlet side communication passage 42 that connects the adjacent inlet side opening 11a and the inlet side opening 12a, and an outlet side that connects the adjacent outlet side opening 11b and the outlet side opening 12b. A communication passage 43 (not shown) is provided. Thus, the connecting plate 40 does not block the refrigerant passage.
[0021]
The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, as shown in FIG. 9, the adjacent semiconductor laser units 4 can be separated from each other at the center of the semiconductor laser assembly 1 </ b> A, and this gap can be formed as a pointer light passage region S. By providing this pointer light passage region S on the extension of the optical axis P, highly reliable pointer light 33 can be created.
[0022]
【The invention's effect】
Since the semiconductor laser assembly according to the present invention is configured as described above, the following effects are obtained. That is, a semiconductor laser unit in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface and a semiconductor laser unit having a semiconductor laser array and a heat sink having a medium passage inside are stacked in a plurality of stages. By forming a pointer light passage area that allows the pointer light from the outside to pass between the laser units, the pointer light can be introduced into the interior from the rear of the semiconductor laser assembly to easily create an appropriate pointer light. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a semiconductor laser assembly according to the present invention.
2 is a perspective view showing a semiconductor laser unit applied to the semiconductor laser assembly of FIG. 1; FIG.
3 is an exploded perspective view showing a heat sink applied to the semiconductor laser assembly of FIG. 1. FIG.
4 is a cross-sectional view showing a semiconductor laser generator with the semiconductor laser assembly of FIG. 1 incorporated therein.
5 is an exploded perspective view showing a connecting plate applied to the semiconductor laser assembly of FIG. 1. FIG.
6 is a perspective view showing a state after the assembly of the connecting plate shown in FIG. 5 is completed. FIG.
7 is an exploded perspective view showing another connecting plate applied to the semiconductor laser assembly of FIG. 1. FIG.
8 is a perspective view showing a state after the assembly of the connecting plate shown in FIG. 7 is completed.
FIG. 9 is a perspective view showing another embodiment of a semiconductor laser assembly according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1A ... Semiconductor laser assembly, 2 ... Heat sink, 3 ... Semiconductor laser array, 3a ... Laser emission point, 4 ... Semiconductor laser unit, 9 ... Medium path, 22, 23, 24 ... Condensing lens, 30, 40 ... Connection plates 31, 41... Light insertion holes, 33... Pointer light, P.

Claims

前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導体レーザアレイと、前記半導体レーザアレイを配置させると共に内部に媒体通路をもったヒートシンクと有する半導体レーザユニットを複数段積層させ、前記半導体レーザユニット間において、外方からのポインタ光を通過させるポインタ光通過領域を形成したことを特徴とする半導体レーザ組立体。A semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface and a semiconductor laser unit having the semiconductor laser array and a heat sink having a medium passage inside are stacked in a plurality of stages, and the semiconductor A semiconductor laser assembly characterized in that a pointer light passage region through which pointer light from the outside passes is formed between laser units.

前記ポインタ光通過領域は、前記半導体レーザユニット間に挟まれて前記半導体レーザユニット間を電気的に導通させる連結板を貫通する直線的な光挿通孔であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ組立体。The said pointer light passage area | region is a linear optical penetration hole which penetrates the connection board pinched | interposed between the said semiconductor laser units, and electrically connecting between the said semiconductor laser units. Semiconductor laser assembly.

前記光挿通孔は、前記レーザ出射点の前方に配置させる集光レンズの光軸に沿って延在することを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ組立体。3. The semiconductor laser assembly according to claim 2, wherein the light insertion hole extends along an optical axis of a condensing lens disposed in front of the laser emission point.