JP3904542B2 - レジスト材料の調製方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- QLYPHTMKMPIJNG-UHFFFAOYSA-N CCC(c1cc2ccccc2cc1)=O Chemical compound CCC(c1cc2ccccc2cc1)=O QLYPHTMKMPIJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
前記重合体の繰り返し単位を完成するのに必要な、それぞれがその繰り返し単位の一部に対応する構造を有するケトン化合物及び酸ハライド化合物を前式(I)、(II)及び(III )のいずれかにより表される化合物の存在において1段階で反応させ、
得られた第3級アルコールエステルを重合開始剤の存在において自体重合させるかもしくはその他の単量体と重合させ、そして
得られた酸感応性重合体を、放射線露光により酸を発生する酸発生剤と混合すること、
を特徴とするレジスト材料の調製方法を提供する。
(1)アダマンタン及びその誘導体、
(2)ノルボルナン及びその誘導体、
(3)パーヒドロアントラセン及びその誘導体、
(4)パーヒドロナフタレン及びその誘導体、
(5)トリシクロ〔5.2.1.02,6 〕デカン及びその誘導体、
(6)ビシクロヘキサン及びその誘導体、
(7)スピロ〔4,4〕ノナン及びその誘導体、そして
(8)スピロ〔4,5〕デカン及びその誘導体。
酸感応性重合体の繰り返し単位を完成するのに必要な、それぞれがその繰り返し単位の一部に対応する構造を有するケトン化合物及び酸ハライド化合物を前式(I)、(II)及び(III )のいずれかにより表される化合物の存在において1段階で反応させ、
得られた第3級アルコールエステルを重合開始剤の存在において自体重合させるかもしくはその他の単量体と重合させ、そして
得られた酸感応性重合体を、放射線露光により酸を発生する酸発生剤と混合すること、
を含むことを特徴としている。
Aは、酸により脱離可能な保護基を表し、そして
R1 及びZは、それぞれ、前記定義に同じである。
RI は、プロトン(水素)、ハロゲン、置換もしくは非置換のアルキル基、例えばメチル基あるいはエチル基、メチロール基などを表し、
Aは、前式(I)の部分に相当し、例えば、保護基、好ましくはエステル結合位置が環の一部で、かつアルキル基で置換された脂環式炭化水素基、好ましくはアダマンチル、ノルボルニル、シクロヘキシル、トリシクロ〔5.2.1.0〕デカンなどを含む基を表し、そして
nは任意の正の整数を表す。
RI 、A及びnは、それぞれ、前記定義に同じであり、
Yは、任意の置換基、好ましくは、例えば、アルキル基、例えばt−ブチル基など、エーテル基、例えばフェノキシ基など、脂環式基、例えばアダマンチル、ノルボルニル、シクロヘキシル、トリシクロ〔5.2.1.0〕デカンなど、あるいは次式の基:
Bは、任意の置換基、好ましくは、例えば、カルボキシル基、あるいは次式の基:
m及びnは、それぞれ、任意の正の整数を表す。
Ar−N2 + X-
(上式において、
Arは、置換もしくは非置換の芳香族基、例えばフェニル基など、又は脂環式基を表し、そして
Xは、ハロゲン、例えばCl、Br、IあるいはF、BF4 、BF6 、PF6 、AsF6 、SbF6 、CF3 SO3 、ClO4 又は有機スルホン酸アニオンなどを表す)。
Ar−SO2 −SO2 −Ar
(上式において、Arは前記定義に同じである)。
2−アダマンタノンからの2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(メチルリチウム法)
5.0g(0.033モル)の2−アダマンタノン及び50mlのテトラヒドロフラン(THF)を3口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、2−アダマンタノンが完全に溶解するまで攪拌した。攪拌の完了後、フラスコの内容物をドライアイス−アセトンにて−40℃以下まで冷却した。次いで、フラスコの内容物を−20〜−40℃で保ちながら、28.3ml(2−アダマンタノンに対して1.2当量)のメチルリチウムのヘキサン溶液をゆっくりと滴下した。滴下の完了後、さらに30分間にわたって攪拌を継続し、その後、4.2ml(2−アダマンタノンに対して1.3当量)のメタクリル酸クロリドをゆっくりと滴下した。−20℃で2時間、そして室温で1時間、さらに反応を継続した。反応の完了後、得られた混合物に対して水冷下に少量の氷片を添加し、過剰のメチルリチウムを不活性化した。続いて、50mlの飽和食塩水/ヘキサン混合物を添加し、十分に攪拌した。得られた混合物から有機層を分離し、その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた生成物を濃縮したところ、8.4g(収率107.7%)の粗生成物が得られた。さらに続けて、この粗生成物をシリカゲルカラムで精製したところ、7.3g(収率95.0%)の純粋な生成物が得られた。この生成物は、分析から、目的とする2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートであることが確認された。
2−アダマンタノンからの2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(メチルマグネシウムブロミド法)
5.0g(0.033モル)の2−アダマンタノン及び50mlのTHFを3口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、2−アダマンタノンが完全に溶解するまで攪拌した。攪拌の完了後、42.9ml(2−アダマンタノンに対して1.2当量)のメチルマグネシウムブロミドのヘキサノン溶液を滴下した。滴下の完了後、1時間にわたって放置し、その後、4.2ml(2−アダマンタノンに対して1.2当量)のメタクリロイルクロライドをゆっくりと滴下した。−20℃で2時間、そして室温で1時間、さらに反応を継続した。反応の完了後、得られた混合物に対して水冷下に少量の氷片を添加し、過剰のメチルマグネシウムブロミドを不活性化した。続いて、50mlの飽和食塩水/ヘキサン混合物を添加し、十分に攪拌した。得られた混合物から有機層を分離し、その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた生成物を濃縮したところ、9.4gの粗生成物が得られた。さらに続けて、この粗生成物をシリカゲルカラムで精製したところ、6.5g(収率85.0%)の純粋な生成物が得られた。この生成物は、分析から、目的とする2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートであることが確認された。
2−メチル−2−アダマンタノールからの2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(トリエチルアミン法)
150g(0.9モル)の2−メチル−2−アダマンタノール、900mlのTHF及び132mlのメタクリル酸クロリドを3口フラスコに入れ、攪拌した。フラスコの内容物を氷浴で冷却し、10℃以下に保った。得られた反応混合物に対して226gのトリエチルアミンをゆっくりと滴下した。常温で一晩反応させた後、氷水を少しずつ添加した。−20℃で2時間、そして室温で1時間、さらに反応を継続した。得られた混合物から有機層を分離し、その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた生成物を濃縮したところ、約180gの粗生成物が得られた。さらに続けて、この粗生成物をシリカゲルカラムで精製したところ、161.4g(収率76.5%)の純粋な生成物が得られた。この生成物は、分析から、目的とする2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートであることが確認された。
2−メチル−2−アダマンタノールからの2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(ピリジン法)
前記比較例1に記載の手法を繰り返した。ただし、本例では、22.6g(0.136モル)の2−メチル−2−アダマンタノール、130mlのTHF及び26.6gのメタクリル酸クロライドの混合物に対して、冷却下、24mlのピリジンをゆっくりと滴下した。粗生成物をシリカゲルカラムで精製したところ、12.1g(収率39.0%)の目的生成物、2−メチル−2−アダマンチルメタクリレートが得られた。この生成物には、多量の不純物が含まれていた。
2−アダマンタノンからの2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(ブチルリチウム法)
27.2g(0.181モル)の2−アダマンタノン及び300mlのTHFを3口フラスコに入れ、アルゴン雰囲気下、2−アダマンタノンが完全に溶解するまで攪拌した。攪拌の完了後、フラスコの内容物をドライアイス−アセトンにて−40℃以下まで冷却した。次いで、フラスコの内容物を−20〜−40℃で保ちながら、136ml(2−アダマンタノンに対して1.2当量)のブチルリチウムのヘキサノン溶液をゆっくりと滴下した(約50分間)。そのまま反応を1時間継続した後、22ml(2−アダマンタノンに対して1.3当量)のメタクリル酸クロリドをゆっくりと滴下した(約35分間)。滴下の完了後、−40℃で約1時間反応を継続した。反応の完了後、得られた混合物に対して水冷下に少量の氷片を添加し、過剰のブチルリチウムを不活性化した。続いて、50mlの飽和食塩水/ヘキサン混合物を添加し、十分に攪拌した。得られた混合物から有機層を分離し、その有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた生成物を濃縮したところ、56.8g(収率107.4%)の粗生成物が得られた。さらに続けて、この粗生成物をシリカゲルカラムで精製したところ、50.2g(収率95.0%)の純粋な生成物が得られた。この生成物は、分析から、目的とする2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートであることが確認された。
2−ブチル−2−アダマンタノールからの2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(トリエチルアミン法)
5g(0.02モル)の2−ブチル−2−アダマンタノール、50mlのTHF及び47ml(2−ブチル−2−アダマンタノールに対して2当量)のメタクリル酸クロリドを3口フラスコに入れ、攪拌した。フラスコの内容物を氷浴で冷却し、10℃以下に保った。得られた反応混合物に対して7.7ml(2−ブチル−2−アダマンタノールに対して2.3当量)のトリエチルアミンを少しずつ滴下した。常温で一晩反応させた後、常法により処理し、濃縮及び乾燥した。その結果、出発原料の2−ブチル−2−アダマンタノールが定量的に回収された。目的とする2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートは回収されなかった。
2−ブチル−2−アダマンタノールからの2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(金属マグネシウム法)
1g(0.005モル)の2−ブチル−2−アダマンタノール、10mlのTHF及び0.9モル(2−ブチル−2−アダマンタノールに対して2当量)のメタクリル酸クロリドを3口フラスコに入れ、攪拌した。次いで、得られた反応混合物に対して0.35g(2−ブチル−2−アダマンタノールに対して3当量)の金属マグネシウムを添加した。室温で一晩反応させた後、常法により処理し、濃縮及び乾燥した。その結果、出発原料の2−ブチル−2−アダマンタノールが回収された。目的とする2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートは回収されなかった。
2−ブチル−2−アダマンタノールからの2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートの調製(水素化ナトリウム法)
アルゴン雰囲気下、0.2g(1.1当量)の水素化ナトリウム及び10mlのTHFの混合物に対して1.7g(0.007モル)の2−ブチル−2−アダマンタノールを添加した。得られた混合物を攪拌下に3時間にわたって加温還流した。約10℃まで冷却した後、得られた反応混合物に対して0.9g(2−ブチル−2−アダマンタノールに対して2当量)のメタクリル酸クロリドを徐々に添加した。そのまま常温で一晩反応させた後、常法により処理し、濃縮及び乾燥した。その結果、出発原料の2−ブチル−2−アダマンタノールが回収された。目的とする2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートは回収されなかった。
2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレート−メバロニックラクトンメタクリレート共重合体の調製
2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレートとメバロニックラクトンメタクリレートを1:1の割合で重合容器に仕込み、3モル/Lの1,4−ジオキサン溶液とした。この1,4−ジオキサン溶液に重合開始剤、AIBN(アゾイソブチロニトリル)を15モル%の量で添加し、80℃で約9時間にわたって反応させた。反応の完了後、メタノールを沈殿剤として精製を行った。この結果、次式により表される2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレート−メバロニックラクトンメタクリレート共重合体が得られた。
レジストパターンの形成
前記例4において調製した2−ブチル−2−アダマンチルメタクリレート−メバロニックラクトンメタクリレート共重合体に酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフレート(TPSSO3 CF3 )を共重合体の2重量%の量で添加し、さらにシクロヘキサノンに溶解した。共重合体の含有量が14重量%であるレジスト溶液が得られた。得られたレジスト溶液を、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)で前処理したシリコン基板上にスピンコートし、100℃のホットプレート上で60秒間プリベークした。膜厚0.4μm のレジスト膜が得られた。
Claims (3)
- アルカリに不溶な重合体であって、保護されたアルカリ可溶性基を有しかつそのアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該重合体をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を有する酸感応性重合体を含むレジスト材料を調製する方法であって、下記の工程:
前記重合体の繰り返し単位を完成し、それぞれがその繰り返し単位の一部に対応する構造を有するケトン化合物及び、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸及びスルホン酸からなる群から選ばれた酸のハライドあるいはそのα−置換体である酸ハライド化合物を次式(I)、(II)及び(III)のいずれかにより表される化合物:
得られた第3級アルコールエステルを重合開始剤の存在において自体重合させるかもしくはその他の単量体と重合させ、そして
得られた酸感応性重合体を、放射線露光により酸を発生する酸発生剤と混合すること、
を含むことを特徴とするレジスト材料の調製方法。 - 前記ケトン化合物がその分子中に脂環式炭化水素基を含むことを特徴とする、請求項1に記載の調製方法。
- 半導体装置を製造する方法であって、下記の工程:
ケトン化合物及び、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸及びスルホン酸からなる群から選ばれた酸のハライドあるいはそのα−置換体である酸ハライド化合物を次式(I)、(II)及び(III)のいずれかにより表される化合物:
得られた第3級アルコールエステルを重合開始剤の存在において自体重合させるかもしくはその他の単量体と重合させ、
得られた酸感応性重合体を、放射線露光により酸を発生する酸発生剤と混合してレジストを調製し、
前記レジストを半導体基板上に塗布し、そして
前記半導体基板上のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成すること、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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