JP3898822B2

JP3898822B2 - Wrapping carrier and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP3898822B2
Application number: JP33627497A
Authority: JP
Inventors: 精鎮絹田
Original assignee: Optnics Precision Co Ltd
Current assignee: Optnics Precision Co Ltd
Priority date: 1997-10-29
Filing date: 1997-10-29
Publication date: 2007-03-28
Anticipated expiration: 2017-10-29
Also published as: JPH11129156A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水晶振動子用等の極薄板を研磨によって均一な厚みの板に形成する工程に用いられるラッピングキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
水晶振動子は電気回路における基準発振周波数を発生するための部品で、今ではほとんどの装置に使わるほどの重要な部品の一つである。近年、情報通信の高容量化にともなって無線の移動体通信分野が急速に発展し、端末器に使われる発振器の動作周波数が高くなり、このため水晶振動子の厚さの薄いものが要求され、現在では厚さ２０〜３０μｍのものが大量に生産されている。発振周波数を精密に制御するためには水晶振動子である水晶の厚みの絶対値を正確に制御する必要がある。このために、水晶振動子はラッピングキャリアと呼ばれる治具を用いて研磨され、これによって精密な厚さのものが大量に生産されている。図６に従来のラッピングキャリア６１の全体図を示す。ラッピングキャリア６１の研磨部６２に水晶振動子をセットして研磨される。従来のラッピングキャリアは薄鋼板材を使用する厚みに研磨によって揃え、これに貫通孔を形成した構造である。ラッピングキャリアの平坦性を確保するため貫通孔は化学エッチングによって形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のラッピングキャリアは、通常、安価な６０〜８０μｍの膜厚の薄鋼板材を用いるので、この薄鋼板を研磨によって所望の厚さまで精密に加工する工程が必要があった。このために長時間かけて薄鋼板材を空ラップし、これを検査、選別する工程が追加されているので、ラッピングキャリアを低コストで提供するためには障害になっていた。また、素材が鋼板のためラッピング工程で削れ易く、ラッピングキャリアとして使用できる回数が１〜２回と少なかった。また、研磨中の滑りが悪くラッピング中にこれが変形して加工後の水晶振動子の膜厚がばらついたり、水晶振動子が割れたり傷ついたりする不良が生じていた。このため従来の研磨工程では作業時間がかかり、歩留まりが低い問題点があった。
【０００４】
本発明の第一の目的は、従来の欠点を解消するためになされ、高品質のラッピングキャリアを提供し均一な厚さの水晶振動子を低コストで提供することにある。また、本発明の第二の目的は、上記のラッピングキャリアを低コストで製造する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
従来技術の課題を解決するための手段を以下に記す。本発明の基本とするラッピングキャリアの構造を図１に示す。このラッピングキャリア１は、貫通孔からなる研磨部２、支持部３、固定部４と歯車部５からなり支持部３を含むのラッピングキャリアの表面が表層部７、７’によって覆われた構造を持つ点が特徴である。表層部７、７’は（１）潤滑性、（２）耐摩耗性、（３）異物の低減と異物の吸収等の性能を付加する目的のために形成したものである。このため表層部７、７’は、従来構造のラッピングキャリアの表面に設けても良い。また、ラッピングキャリア全体を電解鍍金で形成しこの全層が表層部７、７’と同じ組成であってもよく、勿論この表面だけに表層部７、７’を設けてもよい。潤滑性のよい構造は例えば硫化アンチモンやポリテトラフルオロエチレン等の微粒子を含有した鍍金層やあるいは樹脂層の焼き付け層によって構成される。耐摩耗性のよい構造は例えばダイヤモンド、アルミナ、チタンカーバイドやＳｉＣ等の微粒子を含有した鍍金層やあるいはアルミナ等の溶射層によって構成される。異物を吸収する構造は例えば表層部７、７’に格子等の模様からなる凹凸の孔を設けて構成される。この孔部分は研磨剤や異物を含有して潤滑をよくし、水晶振動子の表面が割れたり傷ついたりする不良を極端に低減する作用がある。上記表層部７、７’の構成は、潤滑性と耐摩耗性を良くするために多種類の微粒子を含有していてもよく、また、これに凹凸の孔を設けた構造でもよい。本発明の如き形状と構造のラッピングキャリアはホトリソグラフィによるパターン形成と電解鍍金によって容易に製作ができ、このためラッピングキャリアの低コスト化が可能である。また、電解鍍金の技術を使って金属膜厚の形成精度をサブミクロンまでに高度化することできるので従来に比べてラッピングキャリアの製造歩留まりが高い。本発明は表層部７、７’を表面に持つラッピングキャリアの構造を特徴としているので、表層部７、７’は上記の他にＮｉＷ等の固い材料のスパッタ成膜やダイヤモンド、ＳｉＣ等のＣＶＤ成膜であってもよい。本発明の主旨である表層部７、７’を設けたラッピングキャリアは従来より１桁以上も使用回数を増大できるので作業性がよく経済的であり、また、これを用いて膜厚の揃った高品質の水晶振動子を高歩留まりで加工できるので従来法よりも水晶振動子を低コストで供給できる見通しがある。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図１〜５を用いて説明する。
【０００７】
実施例１
まず、第一の実施例を図１により詳細に説明する。これは本発明の一実施例を示すラッピングキャリアの平面図と側断面図である。同図のＡ−Ａ′断面図から分かるようにラッピングキャリア１の断面は本体部８と表層部７、７’の積層構造を特徴としている。本体部８はＮｉ、ＮｉＣｏあるいはＮｉＦｅ等の合金を電解鍍金で厚さ１５μｍに形成したものである。また、表層部７、７’はダイヤモンドの微粒子を含有した電解液から上記の微粒子を含有したＮｉ、ＮｉＣｏあるいはＮｉＦｅ等の合金を電解鍍金で形成したもので、この鍍金層の厚さはおのおの３μｍであり鍍金層にはダイヤモンドの微粒子が含有されているので耐摩耗性の優れた層になっている。ダイヤモンドの微粒子が約１５％含有された層を表層部に使ったラッピングキャリアは１０〜１５回使用することができ従来に比べ約１０倍の耐久性が得られた。本構造の研磨部２の断面形状はホトリソグラフィと電解鍍金で形成されているのでほぼ垂直の構造になり、また、この部分の表面にも表層部と同じ鍍金が施されるので研磨中の水晶振動子は傷つきにくい構成となっている。このような積層構造のラッピングキャリア１は機械的強度のバランスがよく、反りなどの変形が少ない特徴がある。本発明のラッピングキャリアで研磨した場合、研磨精度と製造歩留まりが著しく向上した。これはラッピングキャリアの厚さがサブミクロンの精度で制御され、また反りなどの変形が少ない構造と表面が研磨されにくい構成なので装置の研磨板との馴染みがよく研磨中に試料のかけなどがなくなったためと考えられる。表層部７、７’の層にはダイヤモンドの微粒子を含有した例を述べたが、微粒子にはアルミナやＳｉＣ等であってもよい。また、本発明の主旨からして、研磨において潤滑性の優れたＡｕ，ＡｇやＰｔ等の延伸性の富む金属であってもよく、これに上記の微粒子を混ぜた構成であってもよい。また、テフロン（登録商標）と呼ばれるポリテトラフルオロエチレン等の樹脂を含有した鍍金層または樹脂を表層部７、７’として用いてもよいことを付言する。また、表層部７、７’は上層と下層がそれぞれ異なった組成の層であっても、一方だけにあってもよい。本発明のラッピングキャリアはホトリソグラフィによるパターン形成と電解鍍金によって製作するので本実施例の様に微細な寸法と複雑な構造のものを併せて形成できることが特徴である。また、ラッピングキャリア１の表層部７、７’は歯車部５の表面にはあってもなくてもよい。
【０００８】
実施例２
次に、第二の実施例を図２により詳細に説明する。本発明は実施例１の他の実施例である。図２はラッピングキャリア２１の一部である本体部２８と表層部２７、２７’の積層構造の平面図と側断面図である。本発明の表層部２７、２７’は実施例１の表層部７、７’と異なり凹凸のある格子状のパターンで構成されている。この格子はダイヤモンドの微粒子を含有したＮｉ層等の鍍金層からなり、厚さが５μｍ、格子幅が５μｍおよびピッチが１５μｍである。表層部２７、２７’が格子状であることによって研磨における接触面積が小さくなって、ラッピングキャリアは滑りやすくなり、また凹部に研磨剤や異物粒子を収容できるので水晶振動子の仕上がり面にきずができにくい特徴がある。これによって加工工程での歩留まりが大幅に向上できる。本発明の形状はホトリソグラフィによるパターン形成と電解鍍金によって得られるため、上記の格子形状の例に限定されることがなく任意の模様の表層部２７、２７’を設計することができ研磨システムと組みあわせて形状の最適化が可能である。
【０００９】
実施例３
第三の実施例を図３により詳細に説明する。図３はラッピングキャリア３１の側断面図である。本発明では実施例１におけるように本体部８と表層部７、７’の区分を設けておらず、ラッピングキャリア３１全体が表層部３７、３７’と同じ組成で構成されていることが特徴である。厚さ２０μｍの全体をアルミナの微粒子を含有した電解液からＮｉ、ＮｉＣｏあるいはＮｉＦｅ等の合金を電解鍍金で形成したものである。表層部３７、３７’はアルミナの微粒子を含有した鍍金層なので、耐摩耗性と機械的強度の優れたラッピングキャリア３１になっている。本発明は構成が単純なので製造しやすい特徴があり、低コスト化が可能である。また、鍍金層に含有する構成材料はアルミナの微粒子以外に用途に合わせてダイヤモンドやＳｉＣ等かこれらの混合物でもよく、固い金属であるＮｉＷ合金の鍍金層であってもよい。また、表層部３７、３７’に含有した微粒子は２種類以上でもよく、途中の鍍金層でこの種類を変更してもよい。
【００１０】
実施例４
次に、第四の実施例を図４により詳細に説明する。図４はラッピングキャリア４１の側断面図である。本発明は図６の従来構造のラッピングキャリア６１の表面に表層部４７、４７’を形成した構造である。表層部４７、４７’は例えば電解鍍金によってダイヤモンドやテフロン（登録商標）と呼ばれるポリテトラフルオロエチレンなどの微粒子を含有した電解鍍金層である。また、表層部４７、４７’の構造は実施例２で述べた格子状であってもよい。ダイヤモンドを含有する鍍金層を表面に約５μｍの厚みに形成した構造により、ラッピングキャリアの使用回数が従来より１桁以上向上し経済的になることがわかった。このような積層構造のラッピングキャリア１は機械的強度のバランスがよく、反りなどの変形が少なくなる特徴が付加される。本発明のラッピングキャリアで研磨した場合、潤滑性がよいため水晶振動子の製造歩留まりが著しく向上し、低コスト化の見通しが得られた。
【００１１】
実施例５
次に、第五の実施例を図５により詳細に説明する。図５は実施例１で述べたラッピングキャリアの主要製造工程における側断面図である。この製造方法は以下のようである。例えばステンレス鋼板のような導電性基板５２の表面にホトリソグラフィにより所望のホトレジストパターン５３を形成する。ホトレジストの膜厚は１５μｍ±０、５μｍに管理して塗布し、電解鍍金の厚さの基準とする。ホトレジストの形成条件はほぼ垂直の断面形状が得られる条件を選択する（ａ）。続いて導電性基板上に電解鍍金でＮｉ層５４を形成する。この膜厚は全面にわたってホトレジストの膜厚と同じ１５μｍ±０、５μｍになるようにする（ｂ）。この方法では膜厚の検査が高精度の接触式膜厚計などで正確に行なえるので精度のよい膜厚が得られる。次にホトレジストパターン５３を除去し（ｃ）、さらに電解鍍金で形成したＮｉ層５４をステンレス鋼板５２から剥がし（ｄ）、この表面にダイヤモンドの微粒子を含有した電解液からダイヤモンドの微粒子を含有するＮｉ層を電解鍍金し、それぞれの厚さ、３μｍの表層部７、７’を形成する。これによって所望のラッピングキャリア５１がえられる（ｅ）。実施例２〜４の製造方法もこれを基本として製造されている。電解鍍金で形成する金属はＮｉに限定されずＮｉ−Ｃｏ合金や金等、また、表層部に添加される物質はダイヤモンドに限定されず、２種類以上の混合であってもよい。
【００１２】
以上実施例１から５で述べたように本発明の主旨とするラッピングキャリアは（１）本体の表面が表層部をもつ構造である、（２）表層部は電解鍍金で形成される、ことを基本としている。このため、摩擦係数を小さくしたり削れ難くしているので、研磨工程における耐摩耗性を著しく向上した。これらを総合して評価すると本発明によるラッピングキャリアを用いることによって大量生産されている水晶振動子を従来よりも安価に提供できる見通しがえられた。
【００１３】
【発明の効果】
（１）ラッピングキャリアに設けた表層部によって積層構造のバランスがよく、反りなどの変形が少なくなって、水晶振動子の製造歩留まりが著しく向上し、低コスト化の見通しが得られた。
（２）ラッピングキャリアに設けた表層部によって耐摩耗性が著しく向上しラッピングキャリアの寿命が長くなり低コスト化できる見通しが得られた。
（３）ラッピングキャリアに設けた格子状の表層部によって、研磨における接触面積が小さくり、凹部に研磨剤や異物粒子を収容できるので水晶振動子の仕上がり面にきずができにくくなった。これによって加工歩留まりが大幅に向上した。
（４）ラッピングキャリア全層を電解鍍金で形成することで、サブミクロンの膜厚の精度が容易にえられ、高精度の品質の水晶振動子を低コストで提供できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１のラッピングキャリアの平面図と側断面図。
【図２】本発明の実施例２のラッピングキャリアの一部の平面図と側断面図。
【図３】本発明の実施例３のラッピングキャリアの側断面図。
【図４】本発明の実施例４のラッピングキャリアの側断面図。
【図５】本発明の実施例５のラッピングキャリアの主要製造工程における側断面図。
【図６】従来のラッピングキャリアの平面図と側断面図。
【符号の説明】
１、２１、３１、４１、５１、６１…ラッピングキャリア
２…研磨部
３…支持部
４…固定部
５…歯車部
７、７’、２７、２７’、３７、３７’、４７、４７’５７、５７’…表層部
８、２８、５８…本体
５２…導電性基板
５３…ホトレジストパターン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wrapping career used in the step of forming a plate of uniform thickness by polishing the electrode sheet, such as a crystal oscillator.
[0002]
[Prior art]
The crystal unit is a component for generating a reference oscillation frequency in an electric circuit, and is now one of the important components used in most devices. In recent years, with the increase in capacity of information communication, the field of wireless mobile communication has rapidly developed, and the operating frequency of the oscillator used in the terminal has increased. Therefore, a thin crystal unit is required. Currently, a mass of 20 to 30 μm in thickness is produced. In order to precisely control the oscillation frequency, it is necessary to accurately control the absolute value of the thickness of the crystal, which is a crystal resonator. For this, the crystal oscillator is polished by using a jig called wrapping career, thereby being produced in large quantities include the precise thickness. It shows a general view of a conventional lapping career 61 in FIG. It is polished by setting the crystal oscillator to the polishing section 62 of the wrapping career 61. Conventional lapping career is aligned by grinding to a thickness of using steel sheet material, a structure in which a through hole is formed thereto. Through holes for ensuring the flatness of the lapping career it is formed by chemical etching.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Conventional lapping career is usually so use an inexpensive 60~80μm of thickness of the thin steel sheet material, the step of machining precisely to a desired thickness of the metal sheet by polishing was necessary. Over a long time to the thin steel plate material and empty lap, verify this, since the step of selecting is added, to provide a wrapping career at low cost has become an obstacle. Also, easy scraping wrapping process for material steel plate, the number of times that can be used as wrapping career was small and 1-2 times. In addition, slipping during polishing was poor, and deformation occurred during lapping, resulting in variations in the film thickness of the crystal resonator after processing, and cracking or damage of the crystal resonator. For this reason, the conventional polishing process has a problem that it takes work time and yield is low.
[0004]
A first object of the present invention is made to solve the conventional drawbacks, certain crystal oscillator having a uniform thickness to provide a wrapping career of high quality can be provided at low cost. A second object of the present invention is to provide a method for producing the wrapping career at a low cost.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
Means for solving the problems of the prior art will be described below. The structure of the wrapping career to the basis of the present invention shown in FIG. The wrapping career 1, the polishing section 2 consisting of the through hole, the supporting portion 3, wrapping career surfaces comprise a fixing part 4 and the gear unit consists of five support 3 is covered by the surface layer 7, 7 ' The point is that it has a structure. The surface layer portions 7 and 7 'are formed for the purpose of adding (1) lubricity, (2) wear resistance, and (3) foreign matter reduction and foreign matter absorption. Therefore the surface layer portions 7 'may be provided in wrapping career of the surface of the conventional structure. Further, wrapping career entirely formed by electrolytic plating 'may be the same composition as, of course the surface layer portions 7 only on the surface' This entire layer surface portions 7 may be provided. A structure with good lubricity is constituted by a plating layer containing fine particles such as antimony sulfide and polytetrafluoroethylene , or a baking layer of a resin layer. A structure with good wear resistance is constituted by, for example, a plating layer containing fine particles such as diamond, alumina, titanium carbide or SiC, or a sprayed layer such as alumina. The structure that absorbs foreign matter is configured by providing uneven holes made of a pattern such as a lattice in the surface layer portions 7 and 7 ', for example. This hole portion contains an abrasive and foreign matter to improve lubrication, and has an effect of extremely reducing defects in which the surface of the crystal unit is cracked or damaged. The structure of the surface layer portions 7 and 7 ′ may contain many kinds of fine particles in order to improve lubricity and wear resistance, and may have a structure in which uneven holes are provided. Wrapping career of such shape and structure of the present invention can easily be produced by electroplating and patterning by photolithography, we are possible to reduce the cost of this for wrapping career. Further, the production yield of the wrapping career is higher than the conventional so the accuracy in forming the metal film thickness using the electroplating technique may be sophisticated by submicron. 'Because characterized the structure of the wrapping career with the surface, the surface layer portion 7, 7' invention the surface layer portions 7 are sputtering and diamond hard material NiW and the like in addition to the above, such as SiC CVD film formation may also be used. Wrapping career provided with a surface layer 7, 7 'is the gist of the present invention is economical workability is good because it also increases the number of uses one digit or more than the conventional, and uniform thickness using the same High-quality crystal units can be processed at a high yield, so there is a prospect of supplying crystal units at a lower cost than conventional methods.
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0007]
Example 1
First, the first embodiment will be described in detail with reference to FIG. This is a plan view and a side sectional view of a lapping career showing an embodiment of the present invention. 'Wrapping career first cross-section, as seen from the sectional view and the main body 8 the surface portion 7, 7' A-A of FIG is characterized in laminate structure. The main body 8 is made of an alloy such as Ni, NiCo, or NiFe formed by electrolytic plating to a thickness of 15 μm. Further, the surface layer portions 7 and 7 'are formed by electrolytic plating of an alloy such as Ni, NiCo or NiFe containing the above fine particles from an electrolytic solution containing diamond fine particles. The thickness of the plated layer is 3 μm. The plating layer contains diamond fine particles, so that the layer has excellent wear resistance. Wrapping career using a layer in which fine particles are contained about 15% of the diamond surface layer portion was obtained about 10 times the durability than conventional can be used 10-15 times. Since the cross-sectional shape of the polishing portion 2 of this structure is formed by photolithography and electrolytic plating, it becomes a substantially vertical structure, and the same plating as the surface layer portion is also applied to the surface of this portion, so that the quartz crystal being polished The vibrator is configured not to be easily damaged. Wrapping career 1 of such a laminated structure has good balance of mechanical strength, there is less deformation characteristics, such as warp. If polished by lapping career of the present invention, the polishing accuracy and production yield is remarkably improved. This thickness of the wrapping career is controlled by the sub-micron accuracy, also such familiar well over the sample during polishing with small deformation structure and polishing plate for surface equipment since structure difficult to be polished, such as a warp It is thought that it was gone. Although the example in which the fine particles of diamond are contained in the surface layer portions 7 and 7 'has been described, the fine particles may be alumina or SiC. In addition, for the purpose of the present invention, a metal having excellent extensibility in polishing, such as Au, Ag, and Pt, may be used, and a configuration in which the above-described fine particles are mixed may be used. Further, it is added that a plating layer or resin containing a resin such as polytetrafluoroethylene called Teflon (registered trademark) may be used as the surface layer portions 7 and 7 '. Further, the surface layer portions 7 and 7 'may be layers having different compositions in the upper layer and the lower layer, or may be in only one of them. Wrapping career of the present invention is characterized by be formed together those fine size and complex structure as in this embodiment since produced by electroplating and patterning by photolithography. Further, the surface portions 7 of the wrapping career 1 'may or may not be on the surface of the gear unit 5.
[0008]
Example 2
Next, the second embodiment will be described in detail with reference to FIG. The present invention is another embodiment of the first embodiment. Figure 2 is a plan view and a side sectional view of a multilayer structure of the wrapping is part main body 28 and the surface layer portion of the career 21 27, 27 '. Unlike the surface layer portions 7 and 7 ′ of the first embodiment, the surface layer portions 27 and 27 ′ of the present invention are configured by a grid pattern having irregularities. This lattice is made of a plating layer such as a Ni layer containing fine diamond particles, and has a thickness of 5 μm, a lattice width of 5 μm, and a pitch of 15 μm. Becomes small contact area in polishing by the surface portions 27, 27 'is lattice-like, scratches on the finished surface of the quartz resonator wrapping career becomes slippery, and since accommodate abrasives or foreign particles into the recess It is difficult to make As a result, the yield in the machining process can be greatly improved. Since the shape of the present invention is obtained by pattern formation by photolithography and electrolytic plating, the surface layer portions 27 and 27 'having an arbitrary pattern can be designed without being limited to the lattice shape example described above, and a polishing system. The shape can be optimized in combination.
[0009]
Example 3
A third embodiment will be described in detail with reference to FIG. Figure 3 is a side sectional view of a lapping career 31. Characterized by 'not provided the division of the entire wrapping career 31 surface portion 37, 37' the main body 8 and the surface layer portions 7 are formed of the same composition as in as in Example 1 in the present invention It is. An alloy of Ni, NiCo, NiFe or the like is formed by electrolytic plating from an electrolytic solution containing alumina fine particles over the entire thickness of 20 μm. Since the surface portion 37, 37 'is a plating layer containing fine particles of alumina, has excellent lapping career 31 abrasion resistance and mechanical strength. Since the present invention has a simple configuration, it has a feature that it is easy to manufacture and can be reduced in cost. In addition to the alumina fine particles, the constituent material contained in the plating layer may be diamond, SiC, or a mixture thereof according to the application, or a plating layer of a NiW alloy that is a hard metal. Moreover, two or more kinds of fine particles contained in the surface layer portions 37 and 37 ′ may be used, and this kind may be changed in the plating layer in the middle.
[0010]
Example 4
Next, a fourth embodiment will be described in detail with reference to FIG. Figure 4 is a side sectional view of a lapping career 41. The present invention is a structure formed of the surface layer portion 47, 47 'on the surface of the conventional structure wrapping career 61 of FIG. The surface layer portions 47 and 47 'are electrolytic plating layers containing fine particles such as polytetrafluoroethylene called diamond or Teflon (registered trademark) by electrolytic plating, for example. Further, the structure of the surface layer portions 47 and 47 ′ may be the lattice shape described in the second embodiment. The structure of the plating layer was formed to a thickness of about 5μm on the surface containing the diamond, the number of uses of the wrapping career was found to be a conventionally more than one order of magnitude improved economical. Such wrapping career 1 of the laminated structure may balanced mechanical strength, is added deformation is reduced features such as warpage. If polished by lapping career of the present invention, the production yield of lubricity is good for the crystal oscillator is remarkably improved, the cost forecast was obtained.
[0011]
Example 5
Next, a fifth embodiment will be described in detail with reference to FIG. Figure 5 is a side sectional view of the main manufacturing steps of wrapping career described in Example 1. This manufacturing method is as follows. For example, a desired photoresist pattern 53 is formed on the surface of the conductive substrate 52 such as a stainless steel plate by photolithography. The photoresist film thickness is controlled to 15 μm ± 0, 5 μm, and is used as a reference for the thickness of the electrolytic plating. The conditions for forming the photoresist are selected so that a substantially vertical cross-sectional shape can be obtained (a). Subsequently, the Ni layer 54 is formed on the conductive substrate by electrolytic plating. This film thickness is made to be 15 μm ± 0, 5 μm which is the same as the film thickness of the photoresist over the entire surface (b). In this method, the film thickness can be accurately inspected with a high-accuracy contact-type film thickness meter or the like, so that a highly accurate film thickness can be obtained. Next, the photoresist pattern 53 is removed (c), and the Ni layer 54 formed by electrolytic plating is peeled off from the stainless steel plate 52 (d), and Ni containing diamond fine particles from the electrolytic solution containing diamond fine particles on the surface is removed. The layers are electrolytically plated to form surface layer portions 7 and 7 'each having a thickness of 3 μm. This is Introduction desired wrapping career 51 (e). The manufacturing methods of Examples 2 to 4 are also manufactured based on this. The metal formed by electrolytic plating is not limited to Ni, but Ni—Co alloy, gold or the like, and the material added to the surface layer is not limited to diamond, and may be a mixture of two or more.
[0012]
Or wrapping career from Example 1 and gist of the present invention as described in 5 is a structure having a surface layer portion a surface of (1) body, (2) the surface layer portion is formed by electrolytic plating, it Based on. For this reason, the friction coefficient is made small or difficult to cut, so the wear resistance in the polishing process is remarkably improved. It was forecast Shigae can offer cheaper than the conventional crystal oscillator that is mass-produced by using a lapping career by Together to the present invention evaluates these.
[0013]
【The invention's effect】
(1) good balance of the laminated structure by a surface layer portion provided on the wrapping career, is less deformation such as warpage, improved manufacturing yield of the crystal oscillator significantly, the cost forecast was obtained.
(2) lapping carry the surface layer portion provided on the A and improved remarkably the wear resistance wrapping career lifetime was obtained expected to be cost increases.
(3) by wrapping carry lattice surface portion provided in A, the contact area of the polishing Chisakuri was hardly able to scratch the finished surfaces of the crystal oscillator so can accommodate abrasive or foreign particles in the recess. This greatly improved the processing yield.
(4) Wrapping career all layers to that formed by electroless plating, are example be easily thickness of submicron precision, it becomes a crystal oscillator quality high accuracy can be provided at low cost.
[Brief description of the drawings]
Figure 1 is a plan view and a side sectional view of a lapping career Example 1 of the present invention.
FIG. 2 is a plan view and a side sectional view of a portion of a wrapping career of Example 2 of the present invention.
Figure 3 is a side cross-sectional view of the lapping career of Example 3 of the present invention.
Figure 4 is a side cross-sectional view of the lapping career of Example 4 of the present invention.
Figure 5 is a side sectional view of the main manufacturing steps of wrapping career of Example 5 of the present invention.
FIG. 6 is a plan view and a side sectional view of a conventional lapping career.
[Explanation of symbols]
1,21,31,41,51,61 ... wrapping career 2 ... polishing section 3 ... support 4 ... fixed portion 5 ... gear portion 7, 7 ', 27, 27', 37, 37 ', 47, 47' 57, 57 '... surface layer portions 8, 28, 58 ... main body 52 ... conductive substrate 53 ... photoresist pattern

Claims

薄板の研磨工程で用いるラッピングキャリアにおいて、該ラッピングキャリアの表面は電解鍍金によって形成された表層部を持つ構造であることを特徴としたラッピングキャリア。In wrapping career used in the polishing step of the sheet, wrapping career surfaces of the lapping career is that characterized by a structure having a surface layer portion formed by electrolytic plating.

前記表層部は凹凸の模様によって構成されることを特徴とした請求項１記載のラッピングキャリア。 The surface layer portion wrapping career of claim 1 wherein characterized in that constituted by a pattern of irregularities.

前記表層部にはダイヤモンド、アルミナ、チタンカーバイド、ＳｉＣ、硫化アンチモンおよびポリテトラフルオロエチレンからなる少なくとも一材料が含有されていることを特徴とした請求項１又は請求項２に記載のラッピングキャリア。 The wrapping carrier according to claim 1 or 2, wherein the surface layer portion contains at least one material composed of diamond, alumina, titanium carbide, SiC, antimony sulfide and polytetrafluoroethylene.

ラッピングキャリアの製造方法において、導電性基板の表面にホトリソグラフィによりホトレジストパターンを形成する工程と、金属層を電解鍍金で形成する工程と、ホトレジストパターンを除去する工程と、上記金属層を導電性基板から取り去る工程と、この表面に電解鍍金で表層部となる金属層を形成する工程と、を基本工程としてなることを特徴としたラッピングキャリアの製造方法。In a method for manufacturing a wrapping carrier, a step of forming a photoresist pattern on the surface of a conductive substrate by photolithography, a step of forming a metal layer with electrolytic plating, a step of removing the photoresist pattern, and the metal layer on the conductive substrate A method for producing a wrapping carrier, comprising: a step of removing from the substrate and a step of forming a metal layer serving as a surface layer portion by electrolytic plating on the surface.