JP3898293B2

JP3898293B2 - Manufacturing method of liquid crystal device

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Publication number: JP3898293B2
Application number: JP20441397A
Authority: JP
Inventors: 吉野　　武
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1997-07-30
Filing date: 1997-07-30
Publication date: 2007-03-28
Anticipated expiration: 2017-07-30
Also published as: JPH1152402A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置、特に透明電極を備えた液晶パネル用基板を有する液晶装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パネル用基板に透明電極を備え、液晶パネル用基板間に液晶を挟持して、光の透過を制御する液晶装置は、薄型で消費電力が少ないという長所により、従来から、液晶表示装置、液晶プリンタ等情報機器に広く用いられている。かかる液晶装置に於いて、そのパネル用基板に透明電極を形成する製造方法として従来行われている方法につき図面を用いて説明する。図３は前記パネル用基板に透明電極を形成する従来の液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【０００３】
図３に示すようにＳＴ３１に於いて、蒸着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶パネル用基板５１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よりなる透明導電膜５２を被着する。次に、ＳＴ３２に於いて、前記透明導電膜５２の上にレジスト５３を塗布する。
【０００４】
次に、ＳＴ３３に於いて、前記ジスト５３をマスク５４を用いて露光する。マスク５４は遮光部５４ａと窓部５４ｂとを有し、前記露光により、レジスト５３前記窓部５４ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分５３ｂとなり、前記遮光部５４ａに対応する部分は未露光部分５３ａとなる。次に、ＳＴ３４に於いて、現像液により、レジスト５３のうちで感光・変質した前記露光部分５３ｂのみを選択的に溶解除去する現像を行う。次に、ＳＴ３５に於いて、残されたレジスト５３の前記未露光部分５３ａを加熱してポストベークする。ここで、このポストベークは前記残されたレジスト５３の未露光部分５３ａと前記透明導電膜５２との密着力を高めるために行うものである。
【０００５】
次に、ＳＴ３６に於いて酸性のエッチング液を用いて、残されたレジスト５３の未露光部分５３ａにより被覆されいる透明導電膜５２の被覆部分５２ａを残して、これ以外の透明導電膜５２の部分をエッチングにより除去する。次に、ＳＴ３７に於いて、無機酸強アルカリ（例えば、ＫＯＨ、ＮＡＯＨ）の剥離液を用いて、透明導電膜５２の前記被覆部分５２ａの上に残されたレジスト５３の未露光部分５３ａを溶解・剥離し、前記被覆部分５２ａを透明電極５５とする。以上の工程を有する製造方法により、液晶装置のパネル用基板上５１上に透明電極５５が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
かかる液晶装置の製造方法に於いては、製造コストを低減させことが望ましく、そのためには、製造工程に於けるランニングコストが低く、スループットが高いことが必要である。一方、液晶装置としては表示、印刷等に於ける分解能、再現精度等の再現機能が高いことが望ましく、そのためには、透明電極５５のパターンの精度が高いことが必要である。しかし、従来の製造方法に於いては、製造コストの低減と透明電極５５パターン精度の向上というこれら二つの要求を共に満足させることは困難であった。
【０００７】
すなわち、透明電極５５のパターン精度を高く維持するには前記のＳＴ３５のポストベークの工程に於いて、ポストベークの温度を上げ、レジスト５３の前記未露光部分５３ａと透明導電膜５２の密着性を十分に高める必要がある。なぜならば、この密着性が十分でないときはＳＴ３６のエッチング工程に於いてエッチング液が前記レジスト５３ａと透明導電膜５２の界面に食い込んで、図４に示すように、前記レジスト５３ａの端部５３ａ１よりも内側の部分に於いて、透明電極膜２の前記被覆部分５２ａの一部が溶解・除去されるオーバーエッチングを生じ、図３のＳＴ３７の剥離工程に示す透明電極５５のパターンの寸法精度を低下させるからである。ところが、かかるオーバーエッチングを回避するため、ポストベークの温度を上げると、レジスト５３ａはアルカリに溶けにくい材質に変質し、ＳＴ３７の剥離工程に於いて、アルカリ性の弱い剥離液を用いてレジスト５３ａを剥離する際に、剥離が困難となり、長時間を要し、剥離不十分で残渣を生じ易くなる。残渣があれば不良品となる。
【０００８】
従って、処理時間の増加および歩留りの低下を招く。全体の処理工程が、バッチ処理を含まず枚葉処理のみにより行われる自動化ラインに於いては、特にスループットを顕著に低下させることになる。一方、アルカリ性の強い剥離液を用いれば、処理時間の増加は防止できるが、材料費が高くなり、材料の取扱いに手間がかかり、環境悪化も増すため、ランニングコストが増加し、又、パネル基板１に他に保護膜等が設けられている場合はこれらを傷つけ易くなる。
【０００９】
本発明は上記した従来技術の問題点、すなわち、液晶装置のパネル用基板に設けた透明電極のパターン精度の向上とその製造に於ける製造コストの低減とを両立をさせることを解決すべき課題とするものである。そして本発明はかかる課題を解決し、パターン精度の高い透明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制御により、高品位の表示、印字等を行うことができる液晶装置を低い製造コストに於いて提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の第１の手段は、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、マスク露光し、現像し、エッチングして前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記現像の工程とエッチングの工程の間に現像後のレジスト剥離を容易にするための非選択露光工程をなしその後レジストの密着性を高めるための高温によるポストベーク工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
【００１１】
上記課題を解決するための本発明の第２の手段は、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、液晶パネル用基板上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークを行う工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
【００１２】
上記課題を解決するための本発明の第３の手段は、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、液晶パネル用基板上にカラーフィルターを形成する工程、前記カラーフィルターの上に保護膜を形成する工程、前記保護膜の上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークする工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
【００１３】
上記課題を解決するための本発明の第４の手段は、上記本発明の第１乃至第３のいずれか一の手段において前記レジストはポジレジストであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明の好適な実施の形態を第１の実施例について説明する。本実施例は液晶装置の製造方法に係るものであり、図１は本実施例の製造方法の工程を示す断面図である。
【００２７】
図１に示すように、ＳＴ１に於いて、蒸着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶パネル用基板１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よりなる透明導電膜２を被着する。
【００２８】
次に、ＳＴ２に於いて、前記透明導電膜２の上にレジスト３を塗布する。ここで、レジスト３はポジレジストであり、例えばノボラックに感光剤を添加した材料よりなる。
【００２９】
次に、ＳＴ３に於いて、前記レジスト３をマスク４を用いて露光する。マスク４は後述する透明電極５のパターンに対応する遮光部４ａと光を通す窓部４ｂとを有し、前記露光により、レジスト３の前記窓部４ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分３ｂとなり、前記遮光部４ａに対応する部分は未露光部分３ａとなる。ここで、レジスト３は露光されない状態では、アルカリに溶けにくい性質を有し、露光されると、アルカリに溶け易い性質に変わる。従って、前記レジスト３の記未露光部分３ａはアルカリに溶けにくく、前記露光部分３ｂはアルカリに溶け易い性質を有する。
【００３０】
次にＳＴ４に於いて、アルカリ性の現像液を用いて、レジスト３のうちで前記露光部分３ｂのみを選択的に溶解除去する現像を行う。
【００３１】
次に、ＳＴ５に於いて、マスクを用いない非選択的露光を行うことにより、残されたレジスト３の前記未露光部分３ａを感光・変質させ、アルカリに溶け易い性質の第２の露光部分３ｃとする。実際には、数百ワットの水銀ランプを用いた。
当然、マスクを用いても、本願の効果は得られる。
【００３２】
次に、ＳＴ６に於いて例えば１２０℃以上の温度でポストベークする。ここで、このポストベークは前記残されたレジスト５３の前記第２の露光部分５３ｃと前記透明導電膜２との密着性を高めるために行うものである。
【００３３】
次に、ＳＴ７に於いて酸性のエッチング液（例えば、塩化第２鉄、臭化水素、塩酸、硝酸）を用いて、残されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃにより被覆されいる被覆部分２ａを残して透明導電膜２をエッチングにより除去する。
【００３４】
次に、ＳＴ８に於いて、アルカリ性の剥離液（例えば、数％のＫＯＨを含む安いアルカリ液）を用いて、透明導電膜２の前記被覆部分２ａの上に被覆されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃを溶解・剥離する。これにより、前記液晶パネル用基板１の上には透明導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極５として残され、透明電極５が液晶パネル用基板１の上に形成される。この際、レジスト３の前記第２の露光部分３ｃは前記のようにアルカリに解け易いものとなっているので、短時間で、残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行うことができる。
【００３５】
本実施例に於いては、従来の製造方法と異なり、上記のように１回目の露光工程（ＳＴ３）の後、レジストの現像工程（ＳＴ４）とポストベーク工程（ＳＴ６）の間に２回目の露光工程（ＳＴ５）を行う。この２回目の露光工程により、エッチング後のレジストの剥離工程（ＳＴ８）に於けるレジストの剥離が、かかる２回目の露光工程を行わない従来の製造方法に比して、容易で確実なものとなる。
【００３６】
すなわち、従来の場合は、図３に示すように、現像工程（ＳＴ３４）後に残されたレジスト５３の未露光部分５３ａは露光されることなく、ポストベーク工程（ＳＴ３５）、エッチング工程（ＳＴ３６）を経て、剥離工程（ＳＴ３７）に入る。ここで、前記レジスト５３の未露光部分５３ａのアルカリに対する溶け易さおよび透明導電膜５２への密着力はポストベーク工程（ＳＴ３５）に於ける加熱温度に依存する。すなわち、ある温度以上でポストベークを行った場合、ポストベーク前に比較すれば、全般的には、アルカリに対する溶け易さおよび透明導電膜５２への密着力は向上する傾向にはあるが、その中で、温度が比較的低い場合は、密着力が不十分で、すでに述べたようエッチング工程（ＳＴ３６）においてオーバーエッチングを起こし、図４に示す透明電極５５のパターン精度が低下する。
【００３７】
本実施例に於いては、前記２回目の露光工程（ＳＴ５）より、エッチング工程（ＳＴ７）の際に前記透明導電膜２の保護膜となるレジスト３の第２の感光部分３ｃはアルカリに溶け易い性質に変質し、ポストベーク工程（ＳＴ６）の際の加熱温度をかなり上げてもその性質は維持される。一方、前記保護膜と前記透明導電膜２との密着力はポストベーク工程（ＳＴ）の際の加熱温度を上げることにより向上する。従って、前記加熱温度を適切に選択することにより、前記密着力と前記アルカリへの溶け易さを共に十分に高く維持することができる。そして、前記密着力の向上により、エッチング工程（ＳＴ７）に於けるアンダーエッチングを十分に小さくして前記透明電極５のパターン精度を十分に確保し、向上させ、前記アルカリへの溶け易さの維持により、レジストの剥離（ＳＴ８）が容易となり、剥離工程のランニングコストを十分に低くし又はスループット、歩留りを十分に大にすることができる。
【００３８】
本実施例の製造方法を前記２回目の露光工程を有しない従来の製造方法と更に対比すると、ポストベーク工程に於ける加熱温度が同一の場合、本実施例は従来に比し、レジストと透明導電膜の密着力はほぼ等しいが、レジストのアルカリへの溶解度は常に高い。すなわち、前記密着力が同一のときに、本実施例の場合は従来に比し常に前記アルカリへの溶解度が高くなり、レジスト剥離（ＳＴ８）が容易となる。よって、本実施例によれば、透明電極につき、同一のパターン精度を得ようとするときは従来よりもランニングコストの低減又はスループットの向上をすることができる。逆に、同一のアルカリへの溶け易さとなる前記加熱温度ついていえば、本実施例の方が従来よりも高い温度とすることができる。すなわち、同一の前記溶け易さに於いて従来よりも前記密着力を高め、透明電極のパターン精度を上げることができる。よって、本実施例によれば、同一のランニングコスト又はスループットに於いて、従来よりも透明電極のパターン精度を上げることができる。
【００３９】
以下図面に基づいて本発明の好適な実施の形態を第２の実施例について説明する。本実施例は液晶装置の製造方法に係るものであり、図２は本実施例の製造方法の工程を示す断面図である。
【００４０】
図２に示すようにＳＴ１１に於いて、ガラス等の液晶パネル用基板１上に公知の技術を用いてＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター６および該カラーフィルター６を覆い、保護する透明な保護膜７を形成する。ここでカラーフィルター６および保護膜７は一般的に有機材料（例えば、ゼラチン、アクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、塩化ビニール等）にて形成される。
【００４１】
ＳＴ１２に於いて、蒸着、スパッタリング等の製膜技術により前記保護膜７の上にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よりなる透明導電膜２を被着する。
【００４２】
次に、ＳＴ１３に於いて、前記透明導電膜２の上にレジスト３を塗布する。
【００４３】
次に、ＳＴ１４に於いて、前記レジスト３に対しマスク４を用いて前記第１の実施例のＳＴ３と同様の露光を行ない、同様の原理により、レジスト３を感光・変質した露光部分３ｂと未露光部分３ａに区分する。
【００４４】
次にＳＴ１５に於いて、前記第１の実施例のＳＴ４と同様にして、同様の原理によりレジスト３の現像を行う。
【００４５】
次に、ＳＴ１６に於いて、前記第１の実施例のＳＴ５と同様の２回目の露光により、残されたレジスト３の前記未露光部分３ａをアルカリに溶け易い性質の第２の露光部分３ｃとする。
【００４６】
次に、ＳＴ１７に於いて、前記第１の実施例のＳＴ６と同様のポストベークを行う。
【００４７】
次に、ＳＴ１８に於いて、前記第１の実施例のＳＴ７と同様のエッチングにより、前記第２の露光部分３ｃにより被覆されいる被覆部分２ａを残して透明導電膜２を除去する。
【００４８】
次に、ＳＴ１９に於いて、前記第１の実施例のＳＴ８と同様の剥離工程により、透明導電膜２の前記被覆部分２ａの上に被覆されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃを溶解・剥離する。これにより、保護膜７の上には透明導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極５として残され、透明電極５が液晶パネル用基板１の上に設けられたカラーフィルタ６を被覆する保護膜７の上に形成される。この際、レジスト３の前記第２の露光部分３ｃは前記のようにアルカリに解け易いものとなっているので、弱アルカリ性の剥離液を用いて、比較的短時間で残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行うことができる。
【００４９】
ここで、前記保護膜７はすでに述べたように有機材料よりなっているので、酸に対しては比較的耐性が強いが、アルカリに対しては必ずしも耐性が強くなく、弱アルカリには侵されにくいが、強アルカリには侵され易い。本実施例に於いては、上記のように弱アルカリ性の剥離液を用いてレジスト３の剥離を行うことができるので、剥離工程に於いて、前記保護膜７傷つけることはない。
【００５０】
従来は、パネル基板１の上にカラーフィルター６および該カラーフィルターを被覆する保護膜７を形成し、更にその上に透明電極を形成する方法として、前記ＳＴ１１と同様のカラーフィルターおよび保護膜形成の工程の後に図３に示したＳＴ３１からＳＴ３７に至る工程と同様の工程を行っていた。本実施例とかかる従来の製造方法を対比すると、本実施例のような２回目の露光工程（ＳＴ１６）を有しない従来の製造方法によれば、そのレジスト５３ａの剥離工程（図３のＳＴ３７に相当する工程）に於いて、すでに述べたのと同様の理由により、レジスト５３ａはアルカリに溶けにくい性質を有している。従って、弱アルカリ性の剥離液を用いた場合は剥離に長時間を要し、スループットを低下させる。更に、剥離が不完全で残渣を生じ易い。かかる問題を回避しようとして剥離液をアルカリ性の強いものとすると、前記保護膜７が傷つき、パネルが不良品となる。
【００５１】
本実施例の場合はポストベーク工程（ＳＴ１７）に於ける加熱温度を高くしてレジスト３ｃと透明導電膜２の密着力を十分高めても、レジスト３ｃをアルカリに溶け易い性質に維持することができるので、透明電極５のパターン精度を上げることができるとともに、レジスト３ｃの剥離工程（ＳＴ１９）に於いて上記のごとく弱アルカリ性の剥離液を用い、短時間で確実な剥離をすることができる。このように、本実施例の製造方法によれば、カラーフィルタ６の保護膜７を傷つけることなく、レジス３ｃの剥離のスループットおよび確実性を従来よりも顕著に向上することができる。
【００５４】
本発明のその他の実施の形態について以下に説明する。前記第１の実施例に於ける２回目の露光工程（ＳＴ５）又は第２の実施例に於ける２回目の露光工程（ＳＴ１６）に於ける露光は、マスクを用いない露光であると説明したが、本発明はこれに限らず、２回目の露光はたとえマスクを用いた露光であっても、現像後に、透明電極パターン部を被覆するべく残さたレジスト３を実質的に露光するものであればよい。また、レジスト剥離以降の工程まで、一部のレジストパターンを基板上に、例えばアライメントマークやロット番号として残しておきたい場合などは、本発明を応用し２回目の露光にマスクを用い、残したい部分を露光しないことでアルカリ溶解度に差をもうけて、選択的レジスト剥離を行うこともできる。更に、本発明に於いては露光は２回に限らず必要に応じ３回以上であっても良い。例えば、マスクを用いた選択的露光に加え、現像後エッチング迄の間の露光およびエッチング後でレジストの剥離前の露光を行うこともできる。
【００５５】
本発明は以上に述べた実施の形態のように製造方法のみに限定されるものではなく、例えば第１の実施例、第２の実施例、又は第３の実施例の製造方法により製造された透明電極を備えたパネル基板を有する液晶装置を含むものである。かかる液晶装置はすでに説明した理由により、透明電極のパターン精度に優れているので高品位の液晶層制御により、高品位の表示、印字等を行うことができ、且つ、低いランニングコストと高いスループットにより製造され、製造コストが低いという利点を有する。
また、本発明は、第１ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジストの露光工程を少なくとも２回行うことの特徴を有する液晶装置の製造方法である。さらに、本発明は第２ａの手段として、前記第１ａの手段に於いて前記レジストの露光工程をレジストの現像工程よりも前および後に於いて行うことの特徴を有する液晶装置の製造方法である。さらに発明は第３ａの手段として、前記第１ａの手段又は第２ａの手段に於いて前記レジストの現像工程よりも前に行う露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、残部を感光させない選択的な露光であり、前記現像工程よりも後に行う露光はレジストの全部を感光させる非選択的な露光であることの特徴を有する液晶装置の製造方法である。
また、本発明は第４ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポストベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベーク工程の間に前記レジストの露光工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。さらに、本発明は第５ａの手段として、前記第４ａの手段に於いて、前記レジストの現像工程よりも後のレジストの露光工程の露光により、ポストベーク工程後のレジストの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに可溶とすることを特徴とする液晶装置の製造方法である。
また、本発明は第６ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジストのマスクを用いた露光工程及び前記レジストの現像工程及び前記レジストのマスクを用いない露光工程及び前記レジストのポストベーク工程及び前記透明導電膜のエッチング工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法である。
また、本発明は第７ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジストをマスクを用いて露光する第２の工程、露光された前記レジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の前記レジストをポストベークする第５の工程、前記透明導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前記レジストを剥離する第７の工程を有する液晶装置の製造方法に於いて、露光された前記レジストを現像する前記第３の工程と現像後の前記レジストをポストベークする前記第５の工程の間に、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する前記第４の工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法で
ある。
また、本発明は第８ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法により製造された透明電極を有する液晶装置に於いて、前記レジストの露光工程を少なくとも２回行う製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。さらに、本発明は第９ａの手段として、前記第８ａの手段の液晶装置に於いて、前記レジストの露光工程をレジストの現像工程よりも前および後に於いて行う製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。さらに、本発明は第１０ａの手段として、前記第８の手段又は第９ａの手段の液晶装置に於いて、前記レジストの現像工程よりも前に行う露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、残部を感光させない選択的な露光であり、前記現像工程よりも後に行う露光はレジストの全部を感光させる非選択的な露光である製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。
また、本発明は第１１ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポストベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法により製造された透明電極を有する液晶装置に於いて、前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベーク工程の間に前記レジストの露光工程を行うことにより製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。さらに、本発明は第１２ａの手段として、前記第１１ａの手段の液晶装置に於いて前記レジストの現像工程よりも後のレジストの露光工程の露光により、ポストベーク工程後のレジストの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに可溶とする製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。
また、本発明は第１３ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する製造方法により製造された液晶装置に於いて、前記レジストのマスクを用いた露光工程及び前記レジストの現像工程及び前記レジストのマスクを用いない露光工程及び前記レジストのポストベーク工程及び前記透明導電膜のエッチング工程を有する製造方法により製造された透明導電膜を有することを特徴とする液晶装置である。
また、本発明は第１４ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジストをマスクを用いて露光する第２の工程、露光された前記レジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の前記レジストをポストベークする第５の工程、前記透明導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前記レジストを剥離する第７の工程を有する製造方法により製造される液晶装置に於いて、露光された前記レジストを現像する前記第３の工程と現像後の前記レジストをポストベークする前記第５の工程の間に、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する前記第４の工程を行う製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。
さらに、本発明は第１５ａの手段として、前記第１ａの手段乃至第７ａの手段のいずれか一の手段の製造方法に於いて前記レジストはポジレジストであることを特徴とする液晶装置の製造方法である。
さらに、本発明は第１６ａの手段として、前記第８ａの手段乃至第１４ａの手段のいずれか一の手段の液晶装置に於いて、前記液晶装置はその液晶パネル用基板にカラーフィルターを備えていることを特徴とする液晶装置である。
【００５６】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によれば、従来は困難であった液晶装置の液晶パネル用基板に設けた透明電極パターンの精度向上とその製造に於けるスループットの向上の両立を容易に実現させることができる。この結果、本発明によれば、パターン精度の高い透明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制御により、高品位の表示、印字等を行うことができる液晶装置を低い製造コストに於いて提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一つである液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の一つである液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】従来の液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】従来の液晶装置の製造方法に於けるオーバーエッチングの状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１液晶パネル用基板
２透明導電膜
３レジスト
４マスク
５透明電極
６カラーフィルター
７保護膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal device, in particular, a liquid crystal device having a substrate for a liquid crystal panel provided with a transparent electrode, and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Liquid crystal devices that have transparent electrodes on a panel substrate and sandwich liquid crystals between liquid crystal panel substrates to control the transmission of light have been traditionally used for liquid crystal display devices and liquid crystal printers due to their thinness and low power consumption. Widely used in information equipment. In such a liquid crystal device, a conventional method for producing a transparent electrode on the panel substrate will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional method of manufacturing a liquid crystal device in which a transparent electrode is formed on the panel substrate.
[0003]
As shown in FIG. 3, in ST31, a transparent conductive film 52 made of ITO (indium oxide thin film) or the like is deposited on a liquid crystal panel substrate 51 such as glass by a film forming technique such as vapor deposition or sputtering. Next, a resist 53 is applied on the transparent conductive film 52 in ST32.
[0004]
Next, in ST33, the dies 53 are exposed using a mask. The mask 54 has a light shielding portion 54a and a window portion 54b. By the exposure, a portion corresponding to the resist 53 becomes an exposed portion 53b that has been exposed and altered, and a portion corresponding to the light shielding portion 54a is unexposed. A portion 53a is formed. Next, in ST34, development is performed by selectively dissolving and removing only the exposed portion 53b exposed and altered in the resist 53 with a developer. Next, in ST35, the unexposed portion 53a of the remaining resist 53 is heated and post-baked. Here, this post-baking is performed in order to increase the adhesion between the unexposed portion 53 a of the remaining resist 53 and the transparent conductive film 52.
[0005]
Next, in ST36, an acidic etching solution is used to leave the covered portion 52a of the transparent conductive film 52 covered with the unexposed portion 53a of the remaining resist 53, and other transparent conductive film 52 portions. Are removed by etching. Next, in ST37, the unexposed portion 53a of the resist 53 left on the covered portion 52a of the transparent conductive film 52 is dissolved using a stripping solution of an inorganic acid strong alkali (for example, KOH, NAOH). -Peel and make the said covering part 52a into the transparent electrode 55. The transparent electrode 55 is formed on the panel substrate 51 of the liquid crystal device by the manufacturing method having the above steps.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In such a method of manufacturing a liquid crystal device, it is desirable to reduce the manufacturing cost. To that end, it is necessary that the running cost in the manufacturing process is low and the throughput is high. On the other hand, it is desirable for the liquid crystal device to have high reproducibility functions such as resolution and reproducibility in display, printing, etc. For this purpose, the pattern accuracy of the transparent electrode 55 is required to be high. However, in the conventional manufacturing method, it has been difficult to satisfy both of these requirements, that is, reduction in manufacturing cost and improvement in pattern accuracy of the transparent electrode 55.
[0007]
That is, in order to keep the pattern accuracy of the transparent electrode 55 high, the post-baking temperature is raised in the post-baking step of ST35, and the adhesion between the unexposed portion 53a of the resist 53 and the transparent conductive film 52 is increased. It is necessary to increase it sufficiently. This is because, when this adhesion is not sufficient, the etching solution penetrates into the interface between the resist 53a and the transparent conductive film 52 in the etching process of ST36, and as shown in FIG. 4, from the end 53a1 of the resist 53a. In the inner portion, overetching is caused in which a part of the covering portion 52a of the transparent electrode film 2 is dissolved and removed, and the dimensional accuracy of the pattern of the transparent electrode 55 shown in the peeling process of ST37 in FIG. It is because it makes it. However, in order to avoid such over-etching, when the post-baking temperature is raised, the resist 53a is changed to a material that is hardly soluble in alkali, and the resist 53a is stripped by using a weakly alkaline stripping solution in the stripping step of ST37. In this case, peeling becomes difficult, and a long time is required. Any residue will be defective.
[0008]
Therefore, the processing time increases and the yield decreases. In an automated line in which the entire processing process is performed only by single wafer processing without including batch processing, the throughput is significantly reduced. On the other hand, if a strong alkaline stripping solution is used, an increase in processing time can be prevented, but the material cost becomes high, the handling of the material takes time and the environment deteriorates, so the running cost increases and the panel substrate. If a protective film or the like is additionally provided on 1, these are easily damaged.
[0009]
The present invention has the above-mentioned problems of the prior art, that is, the problem to be solved that achieves both the improvement of the pattern accuracy of the transparent electrode provided on the panel substrate of the liquid crystal device and the reduction of the production cost in the production. It is what. The present invention solves such a problem, and has a panel having a transparent electrode with high pattern accuracy, and a liquid crystal device capable of performing high-quality display, printing, etc. by high-quality liquid layer control at a low manufacturing cost. The purpose is to provide it.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
  The first means of the present invention for solving the above problems is as follows.A method of manufacturing a liquid crystal device in which a resist is formed on a transparent conductive film formed on a substrate for a liquid crystal panel, mask-exposed, developed, and etched to remove a part of the transparent conductive film to form a transparent electrode. However, a non-selective exposure step for facilitating resist peeling after development is performed between the development step and the etching step, and then a post-bake step at a high temperature is performed to improve the adhesion of the resist. This is a method for manufacturing a liquid crystal device.
[0011]
  The second means of the present invention for solving the above problems is as follows.In a method for manufacturing a liquid crystal device, a resist is formed on a transparent conductive film formed on a liquid crystal panel substrate, and the resist is exposed and etched to remove a part of the transparent conductive film to form a transparent electrode. Forming a transparent conductive film on a liquid crystal panel substrate, forming a resist on the transparent conductive film, exposing the resist using a mask, developing the exposed resist, the resist A step of non-selective exposure, a step of post-baking the resist at a high temperature, a step of etching the transparent electrode film, and a step of removing the resist in this order. .
[0012]
  The third means of the present invention for solving the above problems is as follows.In a method for manufacturing a liquid crystal device, a resist is formed on a transparent conductive film formed on a liquid crystal panel substrate, and the resist is exposed and etched to remove a part of the transparent conductive film to form a transparent electrode. Forming a color filter on a substrate for a liquid crystal panel, forming a protective film on the color filter, forming a transparent conductive film on the protective film, forming a resist on the transparent conductive film A step of exposing the resist using a mask, a step of developing the exposed resist, a step of non-selective exposure of the resist, a step of post-baking the resist at a high temperature, and etching the transparent electrode film A method of manufacturing a liquid crystal device, wherein the step and the step of removing the resist are performed in this order.
[0013]
  The fourth means of the present invention for solving the above problems is as follows:In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of the first to third means of the present invention, the resist is a positive resist.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The present embodiment relates to a manufacturing method of a liquid crystal device, and FIG. 1 is a cross-sectional view showing the steps of the manufacturing method of the present embodiment.
[0027]
As shown in FIG. 1, in ST1, a transparent conductive film 2 made of ITO (indium oxide thin film) or the like is deposited on a liquid crystal panel substrate 1 such as glass by a film forming technique such as vapor deposition or sputtering.
[0028]
Next, a resist 3 is applied on the transparent conductive film 2 in ST2. Here, the resist 3 is a positive resist, and is made of, for example, a material obtained by adding a photosensitizer to novolak.
[0029]
Next, in ST3, the resist 3 is exposed using the mask 4. The mask 4 has a light-shielding portion 4a corresponding to a pattern of the transparent electrode 5 described later and a window portion 4b through which light passes, and a portion corresponding to the window portion 4b of the resist 3 is exposed and altered by the exposure. 3b, and the portion corresponding to the light shielding portion 4a becomes an unexposed portion 3a. Here, the resist 3 has a property of being hardly soluble in alkali when not exposed, and changes to a property of being easily soluble in alkali when exposed. Accordingly, the unexposed portion 3a of the resist 3 is not easily dissolved in alkali, and the exposed portion 3b is easily dissolved in alkali.
[0030]
Next, in ST4, development is performed by selectively dissolving and removing only the exposed portion 3b in the resist 3 using an alkaline developer.
[0031]
Next, in ST5, by performing non-selective exposure without using a mask, the unexposed portion 3a of the remaining resist 3 is exposed and denatured, and the second exposed portion 3c having the property of being easily dissolved in alkali. And In practice, a mercury lamp of several hundred watts was used.
Of course, even if a mask is used, the effect of the present application can be obtained.
[0032]
Next, in ST6, for example, post-baking is performed at a temperature of 120 ° C. or higher. Here, this post-baking is performed in order to improve the adhesion between the second exposed portion 53 c of the remaining resist 53 and the transparent conductive film 2.
[0033]
Next, in ST7, a covered portion covered with the second exposed portion 3c of the remaining resist 3 using an acidic etching solution (for example, ferric chloride, hydrogen bromide, hydrochloric acid, nitric acid). The transparent conductive film 2 is removed by etching leaving 2a.
[0034]
Next, in ST8, the second of the resist 3 coated on the coated portion 2a of the transparent conductive film 2 using an alkaline stripping solution (for example, a cheap alkaline solution containing several percent KOH). The exposed portion 3c is dissolved and peeled off. Thereby, the covering portion 2 a of the transparent conductive film 2 is left as the transparent electrode 5 on the liquid crystal panel substrate 1, and the transparent electrode 5 is formed on the liquid crystal panel substrate 1. At this time, since the second exposed portion 3c of the resist 3 is easily dissolved by alkali as described above, the resist 3 can be reliably peeled in a short time without leaving a residue.
[0035]
In this embodiment, unlike the conventional manufacturing method, after the first exposure process (ST3) as described above, the resist development process (ST4) and the post-baking process (ST6) are performed for the second time. An exposure step (ST5) is performed. By this second exposure step, the resist removal in the resist removal step (ST8) after etching is easier and more reliable than the conventional manufacturing method that does not perform the second exposure step. Become.
[0036]
That is, in the conventional case, as shown in FIG. 3, the post-baking step (ST35) and the etching step (ST36) are performed without exposing the unexposed portion 53a of the resist 53 left after the developing step (ST34). Then, the peeling process (ST37) is entered. Here, the ease with which the unexposed portion 53a of the resist 53 is dissolved in alkali and the adhesion to the transparent conductive film 52 depend on the heating temperature in the post-baking step (ST35). That is, when post-baking is performed at a temperature higher than a certain temperature, compared with before post-baking, generally, the solubility in alkali and the adhesion to the transparent conductive film 52 tend to be improved. In particular, when the temperature is relatively low, the adhesion is insufficient, and as described above, overetching occurs in the etching step (ST36), and the pattern accuracy of the transparent electrode 55 shown in FIG. 4 decreases.
[0037]
  In this embodiment, from the second exposure step (ST5), the second photosensitive portion 3c of the resist 3 which becomes the protective film of the transparent conductive film 2 in the etching step (ST7) is dissolved in alkali. Even if the heating temperature during the post-baking step (ST6) is considerably increased, the property is maintained. On the other hand, the adhesion between the protective film and the transparent conductive film 2 can increase the heating temperature during the post-bake process (ST).AndMore improved. Therefore, by appropriately selecting the heating temperature, it is possible to maintain both the adhesion and the ease of dissolution in the alkali sufficiently high. And the direction of the adhesionaboveFurther, under-etching in the etching step (ST7) is sufficiently reduced to sufficiently ensure and improve the pattern accuracy of the transparent electrode 5, and by maintaining the easiness of dissolving in the alkali, the resist is stripped (ST8). ) And the running cost of the peeling process can be made sufficiently low, or the throughput and the yield can be made sufficiently large.
[0038]
When the manufacturing method of this embodiment is further compared with the conventional manufacturing method that does not have the second exposure step, when the heating temperature in the post-baking step is the same, this embodiment is more transparent than the conventional method. The adhesion of the conductive film is almost equal, but the solubility of the resist in alkali is always high. That is, when the adhesion force is the same, in the case of the present embodiment, the solubility in the alkali is always higher than in the conventional case, and resist stripping (ST8) is facilitated. Therefore, according to the present embodiment, when trying to obtain the same pattern accuracy for the transparent electrode, the running cost can be reduced or the throughput can be improved as compared with the conventional case. On the contrary, as long as the heating temperature that makes it easy to dissolve in the same alkali, the temperature of the present embodiment can be made higher than the conventional temperature. That is, in the same ease of melting, the adhesion can be increased more than before and the pattern accuracy of the transparent electrode can be increased. Therefore, according to the present embodiment, the pattern accuracy of the transparent electrode can be improved as compared with the conventional case at the same running cost or throughput.
[0039]
A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings with respect to the second embodiment. The present embodiment relates to a manufacturing method of a liquid crystal device, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the steps of the manufacturing method of the present embodiment.
[0040]
As shown in FIG. 2, in ST11, the R, G, B color filter 6 and the transparent protective film for covering and protecting the color filter 6 on the liquid crystal panel substrate 1 such as glass using a known technique. 7 is formed. Here, the color filter 6 and the protective film 7 are generally formed of an organic material (for example, gelatin, acrylic, epoxy, polyimide, polyamide, vinyl chloride, etc.).
[0041]
In ST12, the transparent conductive film 2 made of ITO (indium oxide thin film) or the like is deposited on the protective film 7 by a film forming technique such as vapor deposition or sputtering.
[0042]
Next, a resist 3 is applied on the transparent conductive film 2 in ST13.
[0043]
Next, in ST14, the resist 3 is exposed using the mask 4 in the same manner as in ST3 of the first embodiment, and the exposed portion 3b in which the resist 3 is exposed and altered by the same principle and the unexposed portion 3b. The exposure part 3a is divided.
[0044]
Next, in ST15, the resist 3 is developed by the same principle as in ST4 of the first embodiment.
[0045]
Next, in ST16, the second exposure portion 3c having the property that the unexposed portion 3a of the remaining resist 3 is easily dissolved in alkali by the second exposure similar to ST5 of the first embodiment. To do.
[0046]
Next, in ST17, post-baking similar to ST6 of the first embodiment is performed.
[0047]
Next, in ST18, the transparent conductive film 2 is removed by the same etching as ST7 of the first embodiment, leaving the covered portion 2a covered with the second exposed portion 3c.
[0048]
Next, in ST19, the second exposed portion 3c of the resist 3 coated on the coated portion 2a of the transparent conductive film 2 is dissolved by the same peeling process as ST8 of the first embodiment.・ Peel off. Thereby, the covering portion 2a of the transparent conductive film 2 is left as the transparent electrode 5 on the protective film 7, and the transparent electrode 5 covers the color filter 6 provided on the liquid crystal panel substrate 1. 7 is formed. At this time, since the second exposed portion 3c of the resist 3 is easily dissolved by alkali as described above, a reliable resist can be obtained without using a weak alkaline stripping solution and leaving a residue in a relatively short time. 3 can be peeled off.
[0049]
Here, since the protective film 7 is made of an organic material as described above, it is relatively resistant to acid, but not necessarily resistant to alkali, and is attacked by weak alkali. Although difficult, it is easily attacked by strong alkalis. In this embodiment, since the resist 3 can be peeled off using the weak alkaline stripping solution as described above, the protective film 7 is not damaged in the peeling step.
[0050]
  Conventionally, a color filter 6 and a protective film 7 for covering the color filter are formed on the panel substrate 1, and a transparent electrode is further formed thereon.Law andAnd ST11The same steps as ST31 to ST37 shown in FIG. 3 were performed after the same color filter and protective film forming steps as in FIG. When this embodiment is compared with this conventional manufacturing method, according to the conventional manufacturing method that does not have the second exposure step (ST16) as in this embodiment, the resist 53a is peeled off (ST37 in FIG. 3). In the corresponding step), the resist 53a has the property of being hardly dissolved in alkali for the same reason as described above. Accordingly, when a weak alkaline stripping solution is used, it takes a long time for stripping, and the throughput is lowered. Furthermore, peeling is incomplete and a residue is easily generated. If the stripping solution is made strong in order to avoid such a problem, the protective film 7 is damaged and the panel becomes defective.
[0051]
In the case of this example, even if the heating temperature in the post-baking step (ST17) is increased to sufficiently increase the adhesion between the resist 3c and the transparent conductive film 2, the resist 3c can be maintained in a property that is easily dissolved in alkali. As a result, the pattern accuracy of the transparent electrode 5 can be improved, and a weak alkaline stripping solution can be used in the stripping step (ST19) of the resist 3c as described above, and reliable stripping can be performed in a short time. Thus, according to the manufacturing method of the present embodiment, the throughput and reliability of peeling of the resist 3c can be remarkably improved as compared with the conventional one without damaging the protective film 7 of the color filter 6.
[0054]
  Other embodiments of the present invention will be described below. The second exposure process (ST5) in the first embodiment or the second exposure process (ST5) in the second embodiment.16However, the present invention is not limited to this, and even if the second exposure is an exposure using a mask, the transparent electrode pattern portion is developed after the development. Any resist may be used as long as the resist 3 left to cover the substrate is substantially exposed. In addition, when it is desired to leave a part of the resist pattern on the substrate, for example, as an alignment mark or lot number until the steps after the resist peeling, the present invention is applied and a mask is used for the second exposure. It is also possible to perform selective resist stripping by making a difference in alkali solubility by not exposing the part. Further, in the present invention, the exposure is not limited to twice, but may be performed three or more times as necessary. For example, in addition to selective exposure using a mask, exposure between development and etching and exposure after etching and before resist removal can be performed.
[0055]
  The present invention is not limited to the manufacturing method as in the embodiment described above, and is manufactured by the manufacturing method of the first example, the second example, or the third example, for example. It includes a liquid crystal device having a panel substrate provided with a transparent electrode. Such a liquid crystal device is excellent in the pattern accuracy of the transparent electrode for the reasons already described, so that high-quality liquid crystal layer control can perform high-quality display, printing, etc., and low running cost and high throughput. It is manufactured and has the advantage of low manufacturing costs.
  Further, in the present invention, as means 1a, a liquid crystal is formed by forming a resist on a transparent conductive film formed on a substrate for a liquid crystal panel and removing a part of the transparent conductive film by etching to form a transparent electrode. In the manufacturing method of the apparatus, the resist exposure process is performed at least twice. Furthermore, the present invention is the method of manufacturing a liquid crystal device as the second means, wherein the resist exposure process in the first 1a means is performed before and after the resist development process. Further, the invention provides the 3a means, wherein the exposure in the exposure process performed before the resist development process in the 1a means or the 2a means is selected such that a part of the resist is exposed and the rest is not exposed. The liquid crystal device manufacturing method is characterized in that the exposure performed after the development step is non-selective exposure in which the entire resist is exposed.
Further, in the present invention, as part 4a, a resist is formed on the transparent conductive film formed on the liquid crystal panel substrate, exposed, developed, post-baked, and etched to partially remove the transparent conductive film. A method for manufacturing a liquid crystal device, wherein a transparent electrode is formed by removing a resist exposure step between the resist development step and the resist post-bake step. is there. Further, in the present invention, as the means 5a, in the means 4a, exposure of the resist exposure process after the resist development process is carried out while maintaining the adhesion of the resist after the post-baking process. A method of manufacturing a liquid crystal device, wherein the resist is soluble in alkali.
According to the present invention, as means 6a, a liquid crystal device is provided in which a resist is formed on a transparent conductive film formed on a liquid crystal panel substrate, and a part of the transparent conductive film is removed by etching to form a transparent electrode. In the manufacturing method, the method includes an exposure process using the resist mask, a development process of the resist, an exposure process not using the resist mask, a post-baking process of the resist, and an etching process of the transparent conductive film. A method for manufacturing a liquid crystal device.
Further, the present invention provides a first step of forming a resist on the transparent conductive film formed on the liquid crystal panel substrate, a second step of exposing the resist using a mask, as a means of 7a. A third step of developing the resist; a fourth step of exposing the developed resist without using a mask; a fifth step of post-baking the developed resist; and etching the transparent conductive film. And a third step of developing the exposed resist and a post-baking of the resist after development in the method of manufacturing a liquid crystal device having a seventh step of peeling the resist after development and the step of developing In the method of manufacturing a liquid crystal device, the fourth step of exposing the resist after development without using a mask is performed between the fifth step.
is there.
According to the present invention, as a means 8a, a resist is formed on a transparent conductive film formed on a substrate for a liquid crystal panel, and a part of the transparent conductive film is removed by etching to form a transparent electrode. A liquid crystal device having a transparent electrode manufactured by the manufacturing method described above, wherein the resist is exposed to the resist at least twice. Further, in the present invention, a transparent electrode manufactured by a manufacturing method in which the resist exposure process is performed before and after the resist development process in the liquid crystal device of the 8a means as the 9a means. It is a liquid crystal device characterized by having. Furthermore, in the present invention, as the 10a means, in the liquid crystal device of the 8th means or the 9a means, the exposure in the exposure step performed before the resist developing step exposes a part of the resist. This is a selective exposure that does not expose the remainder, and the exposure performed after the development step is resist. And a transparent electrode manufactured by a manufacturing method that is non-selective exposure for exposing the entire surface.
In the present invention, as part 11a, a resist is formed on a transparent conductive film formed on a substrate for a liquid crystal panel, exposed, developed, post-baked, and etched to partially remove the transparent conductive film. In a liquid crystal device having a transparent electrode manufactured by a method of manufacturing a liquid crystal device that is removed to form a transparent electrode, the resist exposure step is performed between the resist development step and the resist post-bake step It is a liquid crystal device characterized by having a transparent electrode manufactured by the method. Further, in the present invention, as the 12th means, in the liquid crystal device of the 11a means, the resist adhesion after the post-baking process is maintained by the exposure in the resist exposure process after the resist developing process. However, it is a liquid crystal device characterized by having a transparent electrode manufactured by a manufacturing method for making the resist soluble in alkali.
Further, in the present invention, as a thirteenth means, a method of forming a transparent electrode by forming a resist on a transparent conductive film formed on a liquid crystal panel substrate and removing a part of the transparent conductive film by etching In the liquid crystal device manufactured by the above, an exposure process using the resist mask, a developing process of the resist, an exposure process not using the resist mask, a post-baking process of the resist, and an etching process of the transparent conductive film A liquid crystal device having a transparent conductive film manufactured by a manufacturing method having
Further, in the present invention, as a 14th means, a first step of forming a resist on the transparent conductive film formed on the liquid crystal panel substrate, a second step of exposing the resist using a mask, and exposure are performed. A third step of developing the resist; a fourth step of exposing the developed resist without using a mask; a fifth step of post-baking the developed resist; and etching the transparent conductive film. And a third step of developing the exposed resist and a post-development of the resist in a liquid crystal device manufactured by a manufacturing method having a seventh step of peeling the resist after the step of developing Between the fifth step of baking, the transparent electrode manufactured by the manufacturing method of performing the fourth step of exposing the resist after development without using a mask is provided. It is a liquid crystal device according to.
Further, according to the present invention, as the 15th means, in the manufacturing method of any one of the above-mentioned means 1a to 7a, the resist is a positive resist. It is.
Further, in the present invention, as the sixteenth means, in the liquid crystal device according to any one of the eighth to fourth means, the liquid crystal device includes a color filter on the liquid crystal panel substrate. This is a liquid crystal device.
[0056]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to easily achieve both improvement in the accuracy of the transparent electrode pattern provided on the liquid crystal panel substrate of the liquid crystal device and the improvement in throughput in the manufacture, which has been difficult in the past. Can be made. As a result, according to the present invention, a liquid crystal device having a panel having transparent electrodes with high pattern accuracy and capable of performing high-quality display, printing, etc. by low-quality liquid layer control is manufactured at a low manufacturing cost. Can now be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a liquid crystal device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a liquid crystal device which is one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a conventional method for manufacturing a liquid crystal device.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of over-etching in a conventional method for manufacturing a liquid crystal device.
[Explanation of symbols]
1 LCD panel substrate
2 Transparent conductive film
3 resists
4 Mask
5 Transparent electrodes
6 Color filter
7 Protective film

Claims

液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、マスク露光し、現像し、エッチングして前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、
前記現像の工程とエッチングの工程の間に現像後のレジスト剥離を容易にするための非選択露光工程をなしその後レジストの密着性を高めるための高温によるポストベーク工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。A method of manufacturing a liquid crystal device in which a resist is formed on a transparent conductive film formed on a substrate for a liquid crystal panel, mask-exposed, developed, and etched to remove a part of the transparent conductive film to form a transparent electrode. In
A liquid crystal characterized in that a non-selective exposure step for facilitating resist peeling after development is performed between the development step and the etching step, followed by a post-baking step at a high temperature for enhancing the adhesion of the resist. Device manufacturing method.

液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、
液晶パネル用基板上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークを行う工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。In a method for manufacturing a liquid crystal device, a resist is formed on a transparent conductive film formed on a liquid crystal panel substrate, and the resist is exposed and etched to remove a part of the transparent conductive film to form a transparent electrode.
Forming a transparent conductive film on a liquid crystal panel substrate, forming a resist on the transparent conductive film, exposing the resist using a mask, developing the exposed resist, the resist A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: a step of non-selective exposure, a step of post-baking the resist at a high temperature, a step of etching the transparent electrode film, and a step of peeling the resist.

液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、
液晶パネル用基板上にカラーフィルターを形成する工程、前記カラーフィルターの上に保護膜を形成する工程、前記保護膜の上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークする工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。In a method for manufacturing a liquid crystal device, a resist is formed on a transparent conductive film formed on a liquid crystal panel substrate, and the resist is exposed and etched to remove a part of the transparent conductive film to form a transparent electrode.
Forming a color filter on a substrate for a liquid crystal panel, forming a protective film on the color filter, forming a transparent conductive film on the protective film, forming a resist on the transparent conductive film A step of exposing the resist using a mask, a step of developing the exposed resist, a step of non-selective exposure of the resist, a step of post-baking the resist at a high temperature, and etching the transparent electrode film A method of manufacturing a liquid crystal device, wherein the step and the step of removing the resist are performed in this order.

前記レジストはポジレジストであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の液晶表示装置の製造方法。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the resist is a positive resist.